JP2008090939A - 近接場光発生装置、近接場光発生方法及び情報記録再生装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光源101と、光源101からの光を照射して近接場光を発生させる導電性の散乱体10とを備える。散乱体10を、光透過性の基体1上に設けられた高さの異なる面に跨って形成して、基体1上の、近接場光が照射される被照射体50に最も近接する面に形成された第1の領域とこの第1の領域よりも被照射体から離間する面に形成された第2の領域とを備える。散乱体の第1の領域から被照射体に対し近接場光Lnsを発生する。
【選択図】図3
Description
また、磁気ヘッドと光ヘッドの集積化を図る技術として、導体に狭窄部を設けることによって、近接場光を発生させる箇所と、磁界を発生させる箇所が同じ位置となるような方法が提案されている(例えば特許文献2参照)。
また、この場合の近接場光の強度と発生箇所からの距離の関係を図53に示す。解析に用いた散乱体のモデル形状は、図54に示すとおり、厚さ一定の散乱体410がガラスより成る基板401上に形成されている場合とし、解析手法はFDTD(Finite Difference Time Domain)法を用いて求めた。図53から明らかなように、近接場光の強度は距離に対して指数関数的に減少するため、距離が数nm変化しただけでも強度が大きく変化することが分かる。このように、散乱体の近接場光が発生する箇所において高さにばらつきが生じると、近接場光発生装置としての歩留まりに大きな影響を及ぼす可能性がある。
更に、上記特許文献1では不要な近接場光が発生する箇所を削ることによって、しみ出し深さ以上に被照射体から離れるようにしてその影響を少なくしている。この場合、散乱体の長手方向と被照射体が平行に配置される構造であるときは、必要な近接場光の発生箇所の厚さは、不要な近接場光が発生する領域と比べて厚くなる。このように、近接場光を照射する領域の厚さが他の領域と比較して厚い場合は、効率良く近接場光を発生することができず、十分な強度が得られないという問題がある。
上記特許文献2においては、磁気ヘッドと光ヘッドとを組み合わせる手法として、導体に狭窄部を設けることによって、近接場光を発生させる箇所と、磁界を発生させる箇所が同じ位置となるような方法が提案されている。しかしながら狭窄部において効率よく表面プラズモンを励起するには導体の厚さを入射光の波長以下とする必要があること、また磁界を強めるには狭窄部の幅を1μm以下にする必要があるため、いずれも狭窄部の電気抵抗率が上がる構造となってしまい、過熱等により破壊される可能性が出てくる。よって、上記特許文献2に記載の構造では、十分な強度の近接場光と大きな磁界の発生を両立することが難しいという問題がある。
また、これを利用することにより、効率よく近接場光を発生することができて、且つ磁界発生部との組み合わせの容易な情報記録再生装置を提供することを目的とする。
このような構成とすることによって、被照射体と近接場光が発生する第1の領域との間隔のばらつきを抑えることが容易な構造とすることができる。
h1≦h2 ・・・(1)
の関係として形成することが望ましい。
本発明者等の鋭意考察研究の結果、散乱体の基体側表面の表面プラズモンと被照射体側表面の表面プラズモンとの結合により、厚さが変化する散乱体においてはその厚さが薄い部分での近接場光の強度が大きくなるという現象が明らかになった。このため、散乱体の不要な近接場光が発生する領域を薄くするよりは、厚さを一定とすることが望ましく、更に、近接場光を発生させる領域の厚さを他の領域よりも薄くすることがより望ましいことが分かる。このため、本発明においては、上記式(1)の関係として散乱体を構成するものであり、より確実に、効率を損なうことなく近接場光を発生させることが可能である。
本発明の情報記録再生装置によれば、効率よく近接場光を発生することができて、且つ磁界発生部との組み合わせ構成を容易な構成とすることができる。
本発明の実施形態例に係る近接場光発生装置の要部の概略斜視構成図を図1に示す。図1に示すように、本発明の近接場光発生装置の散乱体10は、光透過性の基体1上に設けられた高さの異なる面に跨って例えば棒状に形成して、基体1上の、近接場光が照射される被照射体に最も近接する面に形成された第1の領域11と、この第1の領域11よりも被照射体から離間する面に形成された第2の領域12とを備える。本発明の散乱体10は、入射光を受けた際に散乱体10の情報記録媒体等の被照射体側を臨む面において、表面プラズモンが励起されるようにその長手方向の長さが適切に選定される。このような構成は、基体1上に、予め適切な高低差を設けておき、その上に金属より成る散乱体10を所定のパターンに形成することによって、容易に形成することができる。図1に示す例においては、第1の領域11の少なくとも一部が平坦面となるように構成される場合を示す。
また、このように近接場光を照射する際には、第1の領域11の平坦面と、被照射体50の表面とを略平行に保持することが望ましいが、平行状態から数度以上、例えば10度程度ずれていてもよい。実用的にはその許容角度範囲は用途によって異なるが、例えば情報記録再生装置に用いる場合においては、記録マークの大きさや記録トラック間の距離、また設定される散乱体10と情報記録媒体との間隔などの条件によって、適宜選定することが望ましい。
更に、近接場光を発生する第1の領域11の平面形状及び大きさは、近接場光のスポット形状に反映されるため、所望のスポット形状に応じて平面形状及び大きさを選定することが望ましい。
散乱体としては、近接場光を発生する領域の形状が異なる実施形態例及び比較例について解析を行った。散乱体の平面形状を図6に、側面形状を図7A及びBにそれぞれ示す。実施形態例及び比較例共に、図6に示すように棒状の平面形状とし、その幅をw、長さをlとすると、各例共にw=24nm、l=100nmとした。また、図7A及びBに示すように、近接場光を照射する領域である一方の端部(実施形態例においては第1の領域11)の厚さをh1、他方の端部(実施形態例においては第2の領域12)の厚さをh2とし、各領域の高低差をgとすると、各例共にh1=h2=30nm、g=20nmとした。また、実施形態例の段差12S及び比較例の傾斜面の被照射体側の表面の角度をθ1、裏面側の角度をθ2とすると、各例共に、θ1=θ2=45°とした。近接場光を照射する領域の長手方向の長さをaとすると、実施形態例においてはa=10nm、比較例においてはa=0として構成した。すなわち、比較例においては、被照射体に向かって鋭角状となる頂角をもつ形状とした。尚、各例共に基体の材料をSiO2、散乱体10及び210の材料をAu、また情報記録媒体の記録膜の材料をTbFeCoとし、光源の光の波長は780nmとして検討した。
従来は、S/N比を向上させるための方法として、不要な近接場光が発生する領域を情報記録媒体から離間させることのみ考慮されていたが、この結果から、同じS/N比を実現するために情報記録媒体から離間させる距離は、必要な近接場光を発生する領域が平面形状とされる実施形態例の方がより短いということが分かる。よって、基体に設ける段差の高低差を少なくすることができ、すなわちエッチング等の処理時間を短くできるため、実施形態例のほうが比較例よりも生産性に優れているといえる。
この電気力線の広がり具合について別の観点から評価を行った結果を次に示す。図12に示すような強度分布をしたスポットに対して、その強度ピーク値の半分(矢印e2で示す)となる領域の幅(矢印e1で示す)をFWHM(Full Width at Half Maximum、半値全幅)、強度ピーク値の1/e2(矢印e4で示す)となる領域の幅(矢印e3で示す)を1/e2強度幅としたとき、
(1/e2強度幅)÷(FWHM)=(広がり量)
と定義し、前述の図6及び図7に示す比較例及び実施形態例について解析を行った。この結果を図13に示す。
上記定義から、広がり量が小さく100%に近いほど、強度分布が急峻な形状であり、理想的にはステップ形状(すなわち広がり量が100%)であることが望ましい。例えば熱アシスト磁気記録を行う際には、照射領域の選択性に優れ、急速な加熱・冷却が可能となる。図13から示すように、破線f1で示す比較例の結果よりも、実線f2で示す実施形態例のほうが、この点において優れていることが明らかである。
l=95nm
w=24nm
θ1=45°
h2=30nm
a=10nm
g=20nm
とした。また、基体の材料は共にSiO2とし、散乱体の材料も共に金、情報記録媒体の記録膜の材料も共にTbFeCoとして、光源の光の波長も同様に各例共に780nmとした。
一方、第1の領域の端部の厚さh1は、比較例の散乱体220においてはh1=50nm(すなわちh1>h2)、実施形態例の散乱体10においてはh1=30nm(すなわちh1=h2)、また下面は比較例の散乱体220は平坦面とし、実施形態例においては、段差部の傾斜角度θ2をθ2=45°とした。
実施形態例及び比較例において強度分布のピーク値、強度分布のFWHMについてはほぼ同じ値となったが、S/N比については比較例においては30倍、実施形態例においては49倍という値が得られ、第1の領域の厚さを第2の領域と比較して厚くしない実施形態例の方が、S/N比が良好であることが確認できる。
このような構成とする場合、散乱体と磁界発生用の導電体の情報記録媒体側から見た距離が実質同じであるため、散乱体の近接場光を発生する第1の領域においては、情報記録媒体に対して垂直な磁界を発生させることができ、熱アシストによる垂直磁気記録が可能となる。また、散乱体と磁界発生部の導電体を同一基体上で作製するため、パターニング技術等によって相対位置を精度良く合わせた状態で作製することができ、相対位置を合わせるための調整工程が必要ない。
散乱体と磁界発生部の導電体の材料が同じである場合、上述したように、同一の成膜及びパターニング工程で、且つ高さの揃った散乱体及び磁界発生部の製造が可能となる。使用目的及び条件によっては、散乱体と磁界発生部の導電体の材料は同じでなくてもよい。また、磁界発生部の導電体の抵抗値を下げるため、厚さを局部的に増加させてもよい。このためには、厚さを増加する部分のみに予め導電体膜を局部的に基体上に作製しておいてもよいし、散乱体と磁界発生部を構成する導電体パターンを形成後、磁界発生部の所望の領域のみに導電体材料を積層する工程を追加してもよい。
なお、より強い近接場光を発生させたい場合は、第1の領域の先端部に向かって徐々に幅が狭くなる平面形状とすることで集光効果をもつ形状にすればよく、また第2の領域の端部における不要な近接場光の強度を下げたい場合は、第2の領域の端部に鋭角部分のない平面形状とするか、または狭窄領域のない形状とすることによって、この部分で集光効果をもたないような形状とすることが望ましい。
本発明の近接場光発生装置に用いる散乱体は、基体に設けられた3以上の高さの異なる面に跨って形成される構成としてもよい。図22にこの場合の散乱体の一例の要部の概略斜視構成図を示す。図22に示すように、この場合基体1上に設けた段差1S1及び1S2に跨って棒状の散乱体10が形成され、第2の領域12において多段にした例を示す。前述の図1に示すように、1段のみの段差を設ける場合は、高低差をつけられる量は散乱体10の厚さによって制限が生じる。これに対し、図22に示すように、2段以上の段差を基体1に設け、3以上の高さの異なる面に跨って散乱体10を形成することによって、第2の領域12の不要な近接場光が発生する端部を、散乱体10の厚さによらずに被照射体から十分遠ざけることができることとなり、S/N比の向上を図ることが可能である。また更に、散乱体10の段差の数を多くするほど、すなわち基体1に設ける段差を多くするほど、散乱体10の第1の領域11と不要な近接場光が発生する第2の領域12の端部との高低差を確保するための1段あたりの高低差を小さくすることができる。段差の高低差を小さくする程散乱体10の表面を電荷がスムーズに移動できるため、表面プラズモンを効率よく励起でき、結果的により強い近接場光を発生できるという利点がある。
a=10nm
w=24nm
h1=h2=30nm
g=20nm
なお、散乱体10の長手方向の長さ(=共振器長)lは85nmから100nmまで変化させ、上記角度θ1及びθ2をθ1=θ2として45°、60°及び75°として解析を行った。
また図24より、強度がピークを持つ共振器長lの値は、θ1が大きくなるにつれ小さくなる傾向があることがわかる。図27に散乱体10の各部の長さ等のパラメータを示すと共に、被照射体と対向する側の表面の長さを矢印lsとして示す。図27において、図6及び図7Aと対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。この表面長lsは、
ls=l−g/tan(θ1)+g/sin(θ1)
として表すことができる。すなわち、共振器長lの値が変わらなくても、実質的に、表面プラズモンが存在する散乱体10の表面長lsは、段差12Sの傾斜角度θ1が大きくなるにつれ、長くなることが分かる。このため、上述したように、傾斜角度θ1が大きくなると、ピーク強度値をもつ共振器長lは逆に小さくなることとなる。
以上の結果から、安定したスポット形状を発生させるためには、散乱体10の段差12Sの傾斜角度θ1が変化することによる影響は比較的小さいので、厳密に制御する必要はなく、よって異方性のないエッチング等を使用しても実用上十分な性能をもって作製することが可能であるといえる。傾斜角度θ1をコントロール可能な環境であるならば、S/N比及びFWHMの観点からθ1>60°とすることが望ましく、ピーク値強度を重視する場合は、傾斜角度θ1をθ1=60°前後と選定することが好ましいといえる。
上述したように、本発明の近接場光発生装置においては、近接場光が発生する箇所すなわち第1の領域の厚さh1と、不要な近接場光が発生する第2の領域の端部における厚さh2とは、h1≧h2とすることが望ましいが、それらの間の厚さについては、h1、h2と比べて極端に薄くなっている場合を除いてなんら限定されるものではない。
また、第2の領域においては厚さ方向に集光効果を持たせないように、厚さh2はh1と比べて大とすることが望ましく、例えば図28Dに示すように、h1<h2となるように、第2の領域の端部の厚さを第1の領域よりも厚くすることで、S/Nをより改善することが可能である。
ここで、第1及び第2の散乱体10A及び10Bの第1の領域の間隔を、光源から照射される光の波長以下とすると、第1の散乱体10Aの第1の領域に集まる電荷と、第2の散乱体10Bの第1の領域に集まる電荷とが互いに相互作用することにより、2つの散乱体10A及び10Bの間に強い近接場光が発生する。
第2の散乱体10Bの不要な近接場光が発生する第2の領域の端部が、光源から照射される光の入射スポット径内に入らない場合は、第2の散乱体10Bは、必ずしも高低差を設けた基体上に作製する必要はない。この場合の概略斜視構成図を図30に示す。
逆に、第2の散乱体10Bの第2の領域が入射スポット径内に入る場合は、図29に示すように、両散乱体10A及び10B共に、段差に跨って形成し、高低差によって、情報記録媒体等の被照射体から離間する形状として構成することが望ましい。
なお、第1及び第2の散乱体10A及び10Bの形状は、必ずしも同一にする必要はない。しかしながら、同一形状とすることにより、両方の散乱体中にプラズモン共鳴を同時に励起することが可能になり、より強い近接場光を2つの散乱体の間に発生させることが可能である。
本発明の近接場光発生装置を情報記録再生装置に適用する場合、例えば前述の図1に示す形状の散乱体10を基体1上に形成し、被照射体である情報記録媒体を高速に回転させた際に、情報記録媒体の凹凸の状態によっては、第1の領域11と衝突するなどして第1の領域11が磨耗したり、散乱体10が破損したりしてしまう可能性がある。これを防ぐためには、図31A及びBに示すように、散乱体10が基体1に埋め込まれるように形成するのが好ましく、また、第1の領域11と基体1の表面とが実質的に同一平面上にあることが好ましい。ここで、実質的に同一平面上とは高さの差が10nm以内であればよい。これは、凹凸が10nm以下程度であれば、情報記録媒体との相対的走行時における凹凸によって生じる磨耗、破損などの不都合を十分回避できることによる。
このようなパッド20を設ける場合は、情報記録媒体等の被照射体との衝突を避けるか或いは衝突によるダメージを軽減することによって、いわば散乱体10の保護を行うことが可能である。また、パッド20の配置位置、形状を工夫することによって、例えば高速で回転する情報記録媒体と散乱体10の第1の領域11との距離を一定に保持する機能をもたせることも可能である。
なお、パッド20の材質としては、衝撃に強く弾力性のあるものを用いてもよいが、例えば散乱体10と同一材料として、散乱体10を形成する成膜及びパターニング工程において同時に形成することも可能である。
図35も同様に、パッド21〜24の表面より散乱体10の第1の領域11の表面を被照射体から遠ざける構成とした例を示す。例えば散乱体10及びパッド20を構成する材料が膜厚制御性に優れている場合、パッド20のみの積層量を一定量多くすることによって、これらの高さ関係を制御することが可能である。図34及び図35において、図33と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
D≒H×(x2/x1)
の関係式が成り立つ。ここで、(x2/x1)<1である。つまり、パッド21の高さHを精度良く形成できない場合においても、散乱体10の近接場光が発生する第1の領域10と被照射体50との間の距離Dにおいては、そのばらつきが抑制される。
以上説明した図32〜図37の各実施形態例において、いずれの場合も、耐磨耗性や絶縁性などの向上のためにパッドの表面に薄膜を塗布してもよい。パッドの形状は図32〜37に示す例に限定されものではなく、その個数も上述の機能を果たす範囲で自由に選定することが可能である。
なお、図38及び39に示す例においては散乱体10を取り囲む磁界発生部40の導体パターンを1周分のみ形成した場合を示すが、同様の役割を果たす導体パターンを2周以上巻回させる構成としてもよい。複数周の導体パターンを設ける場合は、基体1の表面上に設けてもよく、また積層構造としてもよい。このように複数周の導体パターンを設ける場合は、それぞれの発生磁界が重ね合わされることにより、より大きな磁界を発生させることができる。
更に、上述の図32〜図37において説明したパッドを磁界発生部上の一部に設けてもよく、また磁界発生部がパッドを兼ねる構成とすることも可能である。
図40A〜F及び図41A〜Dにおいては、上述の図38及び39において説明した構成の散乱体10及び磁界発生部40を、同一の材料を用いて形成する場合の製造工程の一例を示す。
先ず、図40Aに示すように、使用する光の波長に対し例えば70%以上の透過率を有する光透過性の材料より成る基体1を用意する。
次に、図40Bに示すように、この基体1上にレジスト2を塗布等により被着する。このレジスト2に対して、図示しないマスクを介して露光、現像を行い、図40Cに示すように所定の形状の開口2wを形成する。
そして、このレジスト2の開口2wを通じて図40Dにおいて矢印で示すようにRIE(反応性イオンエッチング)等の異方性エッチングを行い、基体1に凹部1aを形成する。レジスト2を除去した後、図40Eに示すように、散乱体を構成する材料より成る金属層3を全面的にスパッタリング等により被着する。金属層3には、基体1上に形成した凹部1aの側面形状に対応した段差3Sが形成される。そしてこの上に図40Fに示すように全面的にレジスト4を塗布等により被着する。
次に、このレジスト4に対して、散乱体及び磁界発生部を構成する部分を除いた領域に開口4wをマスク露光及び現像等によって選択的に形成する。この開口4wを通じてRIE等の異方性エッチングを行うことにより、図41Bに示すように、金属層3に対して選択的エッチングを行う。
その後レジスト4を除去することによって、図41C及びその概略平面図である図41Dに示すように、基体1上に形成された段差に跨って第1及び第2の領域11及び12が形成される散乱体10と、これを取り囲む導体パターンとして形成される磁界発生部40を形成することができる。
このような射出成形による場合は、基体1の凹凸形状が複雑であっても一旦金型を作製してしまえば、凹凸形状を再現性よく生産することが可能である。また、凹凸形状が複雑であっても射出成形時間に大きな違いが生じないため、生産性にも優れるという利点を有する。
このような製造方法とすることにより、基体1に設ける段差の凹凸形状が複雑であっても、凹凸形状を再現性よく且つ精度良く生産することが可能であると共に、樹脂等より成る光透過性材料層の膜厚を薄くしておくことによって、耐環境性能は石英等より成る基体の特性が支配的となるため、樹脂のみにより基体を構成する場合と比較して、反りや変形などの生じにくい信頼性に優れた構成とすることができる。
この情報記録再生装置200は、光源101と、情報記録媒体51と対向する散乱体10と、散乱体10に光源101からの出射光を導く機能を有する光学系110とを有する。なお、散乱体10は、上述の各実施形態例において説明したように、光透過性の基体上に設けられた高さの異なる面に跨って形成され、この基体上の、情報記録媒体に最も近接する面に形成された第1の領域と、この第1の領域よりも情報記録媒体から離間する面に形成された第2の領域とを備える構成とする。そして、散乱体の第1の領域から、情報記録媒体の所定位置に対し近接場光を発生する構成とする。
a=10nm
w=24nm
h2=30nm
g=20nm
l=100nm
θ1=θ2=60°
とした。ここで、基体1の材料はSiO2、散乱体の材料はAu、情報記録媒体の記録膜の材料はTbFeCoとした。また、散乱体の第1の領域と情報記録媒体との距離は8nmとし、光源101から出射される光の波長は780nmとした。なお、基体1上には、散乱体10と、図示しないがこの散乱体10の周囲を囲むように磁界発生部として機能する導体パターンがその表面に形成される。
図49から明らかなように、この例では第1の領域の平面形状が、散乱体の幅方向に長軸方向をもつ楕円形状であるため、近接場光13の強度分布も散乱体10の幅方向に伸びる楕円形状をしている。
上述の情報記録再生装置200において、情報記録媒体51としては光磁気記録媒体に限定されるものではなく、磁気記録媒体を用いてもよい。また、その他相変化媒体、色素媒体等を用いることも可能である。
また、本発明の情報記録再生装置においては、再生専用の磁気再生ヘッドを用いてもよい。このように磁気再生ヘッドを用いることにより、上述した光学系110における光検出用の光学部品が不要になるため、装置を小型化することができる。また、記録専用の情報記録装置として構成することももちろん可能である。
(1)基体上に高低差を設けてこの上に散乱体を形成するのみの極めて簡易な製造方法によって形成し得る構造とすることができる。
(2)散乱体の被照射体に向けて近接場光を照射する領域の厚さが、不要な近接場光の発生箇所における厚さ以上とすることにより、不要な近接場光の強度が大きくなることを確実に抑制することができる。
(3) 近接場光を発生する領域を容易に小さな面積として形成することができるので、光利用効率の高い近接場光発生装置を得ることができる。
(4)近接場光を発生する領域を平面とすることにより、情報記録媒体等の被照射体との間隔を制御し易くすることができ、また歩留まりよく製造することが可能となる。更に、この間隔の変動に対する近接場光のスポット形状の安定性がよくなる。
(5)製造方法に特殊なプロセスがなく容易に製造可能である。
(6)磁界発生部、必要に応じて遮光膜を同時に作製することが可能であり、散乱体と磁界発生部との相対位置関係を精度良く容易に形成することができる。
Claims (13)
- 光源と、前記光源からの光を照射されることによって近接場光を発生させる導電性の散乱体とを備え、
前記散乱体は、光透過性の基体上に設けられた高さの異なる面に跨って形成されて、前記基体上の、近接場光が照射される被照射体に最も近接する面に形成された第1の領域と、該第1の領域よりも前記被照射体から離間する面に形成された第2の領域とを備え、
前記散乱体の前記第1の領域から、前記被照射体に対し近接場光を発生する
ことを特徴とする近接場光発生装置。 - 前記散乱体の、前記第1の領域の少なくとも一部が平坦面とされ、前記被照射体の表面に対して前記平坦面が略平行に配置された状態で近接場光を発生することを特徴とする請求項1記載の近接場光発生装置。
- 前記散乱体は、前記第1の領域の厚さh1に対し、前記第1の領域から最も離間する前記第2の領域の厚さh2が、
h1≦h2
の関係として形成されて成ることを特徴とする請求項1記載の近接場光発生装置。 - 前記散乱体は、前記基体に設けられた3以上の高さの異なる面に跨って形成されて成ることを特徴とする請求項1記載の近接場光発生装置。
- 前記散乱体は、前記基体に設けられた1つ以上の平面と、前記平面に対し傾斜する1つ以上の傾斜面に跨って形成されて成ることを特徴とする請求項1記載の近接場光発生装置。
- 前記散乱体の前記第1の領域は、前記被照射体の表面と垂直となる方向から見た形状が、多角形、円、楕円のうちの少なくとも一部の形状、或いはこれらを組み合わせた形状とされて成ることを特徴とする請求項1記載の近接場光発生装置。
- 前記基体上の、前記散乱体の前記第1の領域の近傍に、導電性を有する別体の散乱体が形成され、
前記散乱体同士の間隔は、前記光源から照射される光の波長以下であることを特徴とする請求項1記載の近接場光発生装置。 - 前記散乱体が、前記基体に埋め込まれて形成されて成ることを特徴とする請求項1記載の近接場光発生装置。
- 前記散乱体の前記第1の領域の少なくとも一部が、前記被照射体の表面に対する平行面とされ、前記平行面と前記基体の表面が略同一平面とされて成ることを特徴とする請求項8記載の近接場光発生装置。
- 前記散乱体の周囲に、遮光膜が形成されて成ることを特徴とする請求項1記載の近接場光発生装置。
- 導電性の散乱体に光を照射して近接場光を発生する近接場光発生方法であって、
前記散乱体を、光透過性の基体上に設けられた高さの異なる面に跨って被着された形状とし、
前記基体の最も高い面に形成された領域のみを、被照射体の表面に対して近接場光のしみ出し長以下に近接させて近接場光を照射する
ことを特徴とする近接場光発生方法。 - 光源と、情報記録媒体と対向する散乱体と、前記散乱体に前記光源からの出射光を導く機能を有する光学系とを有し、前記散乱体から発生する近接場光を前記情報記録媒体の所定位置に照射して記録を行う情報記録再生装置であって、
前記散乱体は、光透過性の基体上に設けられた高さの異なる面に跨って形成されて、前記基体上の、前記情報記録媒体に最も近接する面に形成された第1の領域と、該第1の領域よりも前記情報記録媒体から離間する面に形成された第2の領域とを備え、
前記散乱体の前記第1の領域から、前記情報記録媒体の所定位置に対し近接場光を発生する
ことを特徴とする情報記録再生装置。 - 前記散乱体の周囲の少なくとも前記基体上の一部に導電体が形成され、
前記導電体に電流を流すことにより、前記第1の領域近傍に磁界を発生させる磁界発生部とされて成ることを特徴とする請求項12記載の情報記録再生装置。
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