JP2011159374A - 収束レンズを備えた熱アシスト磁気記録ヘッド - Google Patents

Abstract

【課題】導波路に対して、それに入射する光の位置合わせを容易に行うことを可能にし、且つ光源から導波路までの距離が大きくなることによる問題を解消できるようにする。
【解決手段】熱アシスト磁気記録ヘッドは、磁極２０と、光を伝播させる導波路２６と、導波路２６を伝播する光に基づいて近接場光を発生する近接場光発生素子２３と、収束レンズ３０と、導波路２６の上方に配置されたレーザダイオードとを備えている。収束レンズ３０は、レーザダイオードから出射された光を通過させ、収束レンズ３０を通過した光が導波路２６に入射する。
【選択図】図４

Description

本発明は、記録媒体に近接場光を照射して記録媒体の保磁力を低下させて情報の記録を行う熱アシスト磁気記録に用いられる熱アシスト磁気記録ヘッドに関する。

近年、磁気ディスク装置等の磁気記録装置では、高記録密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドおよび記録媒体の性能向上が要求されている。薄膜磁気ヘッドとしては、基板に対して、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッドと書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。磁気ディスク装置において、薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒体の表面からわずかに浮上するスライダに設けられる。

磁気記録装置において、記録密度を高めるためには、記録媒体の磁性微粒子を小さくすることが効果的である。しかし、磁性微粒子を小さくすると、磁性微粒子の磁化の熱安定性が低下するという問題が発生する。この問題を解消するには、磁性微粒子の異方性エネルギーを大きくすることが効果的である。しかし、磁性微粒子の異方性エネルギーを大きくすると、記録媒体の保磁力が大きくなって、既存の磁気ヘッドでは情報の記録が困難になるという問題が発生する。

上述のような問題を解決する方法として、いわゆる熱アシスト磁気記録という方法が提案されている。この方法では、保磁力の大きな記録媒体を使用し、情報の記録時には、記録媒体のうち情報が記録される部分に対して磁界と同時に熱も加えて、その部分の温度を上昇させ保磁力を低下させて情報の記録を行う。情報が記録された部分は、その後、温度が低下して保磁力が大きくなり、磁化の熱安定性が高まる。

熱アシスト磁気記録では、記録媒体に対して熱を加える方法としては、近接場光を用いる方法が一般的である。近接場光を発生させる方法としては、微小な金属片であるプラズモン・アンテナにレーザ光を照射する方法が知られている。プラズモン・アンテナは、近接場光を発生させる先鋭部である近接場光発生部を有している。プラズモン・アンテナでは、照射されたレーザ光によって表面プラズモンが励起される。この表面プラズモンは、プラズモン・アンテナの近接場光発生部に伝播され、この近接場光発生部において、表面プラズモンに基づいて、近接場光が発生される。プラズモン・アンテナより発生される近接場光は、光の回折限界よりも小さな領域にのみ存在する。この近接場光を記録媒体に照射することにより、記録媒体における微小な領域のみを加熱することができる。

一般的に、近接場光の発生に利用されるレーザ光は、スライダに設けられた導波路によって、スライダの媒体対向面の近傍に設けられたプラズモン・アンテナに導かれる。ここで、レーザ光を出射する光源の配置の方法には、大きく分けて、以下の２つの方法がある。第１の方法は、光源をスライダから離れた位置に配置する方法である。第２の方法は、光源をスライダに固定する方法である。

第１の方法は、例えば特許文献１に記載されている。第２の方法は、例えば特許文献２や特許文献３に記載されている。

米国特許出願公開第２００６／０２３３０６２Ａ１号明細書 特開２００８−５９６９７号公報 米国特許出願公開第２００８／０００２２９８Ａ１号明細書

第１の方法では、光源から導波路まで光を導くために、ミラー、レンズ、光ファイバの光学素子を含む、長い光の経路が必要になり、その結果、この経路における光のエネルギーの損失が大きくなるという問題が生じる。第２の方法によれば、光源から導波路まで光を導くための光の経路が短くなるため、上記の問題は生じない。

しかしながら、第２の方法では、以下のような問題が生じる。以下、第２の方法において生じる問題について詳しく説明する。第２の方法では、一般的に、光源としてレーザダイオードが用いられる。レーザダイオードから出射されたレーザ光を導波路に入射させる方法としては、例えば特許文献２に記載されているように、出射部が導波路の入射端に対向するようにレーザダイオードを配置して、出射部より出射されたレーザ光を、光学素子を介さずに導波路の入射端に入射させる方法がある。この方法では、導波路の入射端が配置されたスライダの端面に対してレーザダイオードの長手方向すなわち出射部より出射されるレーザ光の光軸方向が垂直になるように、レーザダイオードが配置される。この場合、導波路の光軸に対して出射部より出射されるレーザ光の光軸が傾かないように、レーザダイオードを精度よく配置する必要がある。導波路の光軸に対して出射部より出射されるレーザ光の光軸が傾いた場合には、十分な強度のレーザ光がプラズモン・アンテナまで伝達されないことが起こり得る。しかし、導波路の入射端が配置されたスライダの端面に対してレーザダイオードの長手方向が垂直になるようにレーザダイオードを配置する場合には、導波路の入射端が配置されたスライダの端面に垂直な方向に対してレーザダイオードの長手方向が傾きやすく、導波路に対するレーザ光の位置合わせが難しいという問題点がある。

また、レーザダイオードから出射されたレーザ光を導波路に入射させる他の方法としては、例えば特許文献３に記載されているように、出射部がスライダのトレーリング側の面に対向するようにレーザダイオードを配置して、出射部より出射されたレーザ光を、スライダの上方から導波路に入射させる方法がある。この方法では、導波路に対するレーザ光の位置合わせが容易になる。

上述のように、スライダのトレーリング側にレーザダイオードを配置することによって、導波路に対するレーザ光の位置合わせが容易になる。しかし、この場合には、以下のような問題が発生する。スライダのトレーリング側にレーザダイオードを配置する場合には、出射部が導波路の入射端に対向するようにレーザダイオードを配置する場合に比べて、レーザダイオードの出射部から導波路までの距離が大きくなる。レーザダイオードの出射部より出射されたレーザ光の径は、出射部から離れるに従って大きくなる。そのため、スライダのトレーリング側にレーザダイオードを配置する場合には、レーザダイオードの出射部から導波路までの距離が大きくなることによって、レーザ光の一部が導波路に入射しなくなり、その結果、導波路を伝播するレーザ光の光量が減少し、近接場光の発生に利用されるレーザ光の利用効率が低下するという問題が発生する。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、導波路に対して、それに入射する光の位置合わせを容易に行うことを可能にし、且つ光源から導波路までの距離が大きくなることによる問題を解消できるようにした熱アシスト磁気記録ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。

本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、
記録媒体に対向する媒体対向面と、
媒体対向面に配置された端面を有し、情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極と、
光を伝播させる導波路と、
媒体対向面に配置された近接場光発生部を有し、導波路を伝播する光に基づいて表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンが近接場光発生部に伝播され、この表面プラズモンに基づいて近接場光発生部より近接場光を発生する近接場光発生素子と、
収束レンズと、
上面を有する基板とを備えている。

本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドでは、基板の上面の上方に、磁極、導波路、近接場光発生素子および収束レンズが配置されている。収束レンズは、導波路の上方に配置される光源から出射された光を通過させ、収束レンズを通過した光が導波路に入射する。

本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、誘電体材料よりなり収束レンズを支持する支持層を備えていてもよい。この場合、支持層は、収束レンズの少なくとも一部を収容する溝部を有し、溝部は、凹状の曲面からなる底部を有し、収束レンズは、溝部の底部に接する凸状の曲面からなる下面を有し、且つ支持層よりも大きな屈折率を有していてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、収束レンズは、凸状の曲面からなる上面を有していてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、収束レンズを通過した光を、導波路内を媒体対向面に向けて進行するように反射する内部ミラーを備えていてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、光源としてのレーザダイオードを備えていてもよい。この場合、レーザダイオードは端面発光型であってもよく、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、レーザダイオードから出射された光を、収束レンズに入射するように反射する外部ミラーを備えていてもよい。あるいは、レーザダイオードは面発光型であってもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、収束レンズはＴａ_２Ｏ_５によって形成されていてもよいし、ポリイミド樹脂によって形成されていてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、近接場光発生素子は、媒体対向面に配置された第１の端面と、媒体対向面からより遠い第２の端面と、第１の端面と第２の端面を連結する連結部とを含む外面を有し、第１の端面は近接場光発生部を含んでいてもよい。この場合、媒体対向面に垂直な方向についての近接場光発生素子の長さは、基板の上面に垂直な方向についての第１の端面の長さよりも大きくてもよい。また、導波路は、連結部の一部に対向する対向部分を含む外面を有していてもよい。

本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法は、
磁極を形成する工程と、
導波路を形成する工程と、
近接場光発生素子を形成する工程と、
収束レンズを形成する工程とを備えている。

本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法は、更に、収束レンズを形成する工程の前に、誘電体材料よりなり収束レンズを支持する支持層を形成する工程を備えていてもよい。支持層は、収束レンズの少なくとも一部を収容する溝部を有し、溝部は、凹状の曲面からなる底部を有していてもよい。収束レンズは、溝部の底部に接する凸状の曲面からなる下面を有し、且つ支持層よりも大きな屈折率を有していてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法において、収束レンズは、凸状の曲面からなる上面を有していてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法が、支持層を形成する工程を備えている場合、収束レンズを形成する工程は、支持層の上に、後に形成される収束レンズの平面形状に対応した形状の開口部を有するマスクを形成する工程と、マスクを残したまま、支持層およびマスクの上に、誘電体層を形成する工程と、誘電体層のうち、支持層の上に形成された部分が収束レンズとなるように、マスクと誘電体層のうちマスクの上に形成された部分とを除去する工程とを含んでいてもよい。

また、支持層が、収束レンズの少なくとも一部を収容する溝部を有している場合、支持層を形成する工程は、後に溝部が形成されることによって支持層となる初期支持層を形成する工程と、初期支持層の上に、後に形成される収束レンズの平面形状に対応した形状の開口部を有するマスクを形成する工程と、初期支持層が支持層となるように、初期支持層の上面のうちマスクの開口部より露出した部分をエッチングして、初期支持層に溝部を形成する工程とを含んでいてもよい。この場合、収束レンズを形成する工程は、マスクを残したまま、溝部およびマスクの上に、誘電体層を形成する工程と、誘電体層のうち、溝部の上に形成された部分が収束レンズとなるように、マスクと誘電体層のうちマスクの上に形成された部分とを除去する工程とを含んでいてもよい。この場合、溝部は、凹状の曲面からなる底部を有し、収束レンズは、溝部の底部に接する凸状の曲面からなる下面を有し、且つ支持層よりも大きな屈折率を有していてもよい。

また、支持層が、収束レンズの少なくとも一部を収容する溝部を有している場合、収束レンズを形成する工程は、支持層の溝部の上に、後に収束レンズとなる熱可塑性樹脂層を形成する工程と、熱可塑性樹脂層が溶融後に固化することによって収束レンズとなるように、熱可塑性樹脂層を加熱する工程とを含んでいていてもよい。この場合、溝部は、凹状の曲面からなる底部を有し、収束レンズは、溝部の底部に接する凸状の曲面からなる下面を有し、且つ支持層よりも大きな屈折率を有していてもよい。また、収束レンズは、凸状の曲面からなる上面を有し、熱可塑性樹脂層を加熱する工程では、熱可塑性樹脂層が溶融状態となり、熱可塑性樹脂層の表面が表面張力により滑らかな曲面となることによって、収束レンズの上面が形成されてもよい。熱可塑性樹脂層は、ポリイミド樹脂によって形成されていてもよい。

なお、本出願では、熱アシスト磁気記録ヘッドにおける基板以外の構成要素に関して、基板の上面により近い面を「下面」と定義し、基板の上面からより遠い面を「上面」と定義する。

本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドおよびその製造方法では、基板の上面の上方に、磁極、導波路、近接場光発生素子および収束レンズが配置される。収束レンズは、導波路の上方に配置される光源から出射された光を通過させ、収束レンズを通過した光が導波路に入射する。本発明において、導波路に入射する際の光の径は、収束レンズがない場合において導波路に入射する際の光の径よりも小さくなる。これにより、本発明によれば、導波路に対して、それに入射する光の位置合わせを容易に行うことが可能になると共に、光源から導波路までの距離が大きくなることによる問題を解消することができるという効果を奏する。

なお、本発明において、収束レンズを通過した後の光は、収束する光でもよいし、平行光束でもよいし、収束レンズがない場合に比べて広がりが小さい発散する光でもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、収束レンズを支持する支持層を備えていてもよい。支持層は、収束レンズの少なくとも一部を収容する溝部を有し、溝部は、凹状の曲面からなる底部を有していてもよい。収束レンズは、溝部の底部に接する凸状の曲面からなる下面を有し、且つ支持層よりも大きな屈折率を有していてもよい。この場合には、収束レンズの下面において光を収束させる作用が生じる。

本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの斜視図である。 図１におけるレーザダイオード、外部ミラー、内部ミラー、収束レンズおよび導波路の位置関係とレーザ光の偏光方向を示す斜視図である。 図１におけるレーザダイオードおよび外部ミラーを示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態におけるスライダの構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態におけるスライダの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドにおける近接場光発生素子の近傍を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 図７に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図８に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図９に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１０に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１１に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１２に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１３に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１４に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１５に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１６に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１７に示した工程に続く工程を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態の第１の変形例におけるレーザダイオード、外部ミラー、内部ミラーおよび収束レンズを示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態の第２の変形例におけるレーザダイオード、外部ミラー、内部ミラーおよび収束レンズを示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態の第３の変形例におけるレーザダイオード、外部ミラー、内部ミラーおよび収束レンズを示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態の第４の変形例におけるレーザダイオード、内部ミラーおよび収束レンズを示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態の第５の変形例における導波路の一部と近接場光発生素子を示す平面図である。 図２３に示した近接場光発生素子の斜視図である。 本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 図２５に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図２６に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図２７に示した工程に続く工程を示す説明図である。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドと磁気ディスク装置について説明する。図１は、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドを示す斜視図である。

本実施の形態における磁気ディスク装置は、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００を備えている。この熱アシスト磁気記録ヘッド２００は、図示しないサスペンションによって支持されて、回転駆動される円盤状の記録媒体（磁気ディスク）に対向するように配置される。図１において、Ｘ方向は記録媒体のトラック横断方向であり、Ｙ方向は記録媒体の表面に垂直な方向であり、Ｚ方向は熱アシスト磁気記録ヘッド２００から見た記録媒体の進行方向である。Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向は互いに直交している。

熱アシスト磁気記録ヘッド２００は、スライダ２０１と、このスライダ２０１に固定された端面発光型のレーザダイオード２０２と、スライダ２０１の外部に設けられた外部ミラー２０３とを備えている。スライダ２０１は、ほぼ六面体形状をなし、記録媒体に対向する媒体対向面２０１ａと、その反対側の背面２０１ｂと、媒体対向面２０１ａと背面２０１ｂとを連結する４つの面とを有している。スライダ２０１の媒体対向面２０１ａは、熱アシスト磁気記録ヘッド２００における媒体対向面でもある。媒体対向面２０１ａと背面２０１ｂとを連結する４つの面のうちの１つは、レーザダイオード２０２が固定された上面２０１ｃである。スライダ２０１は、上面２０１ｃに設けられた複数の端子２１０を備えている。本実施の形態では、外部ミラー２０３はレーザダイオード２０２に固定されている。

記録媒体が回転してＺ方向に進行すると、記録媒体とスライダ２０１との間を通過する空気流によって、スライダ２０１に、図１におけるＹ方向に揚力が生じる。スライダ２０１は、この揚力によって記録媒体の表面から浮上するようになっている。

次に、図４ないし図６を参照して、スライダ２０１の構成について詳しく説明する。図４は、スライダ２０１の構成を示す断面図である。図５は、スライダ２０１の媒体対向面２０１ａを示す正面図である。図６は、熱アシスト磁気記録ヘッド２００における近接場光発生素子の近傍を示す斜視図である。図４ないし図６には、図１に示したＸ，Ｙ，Ｚの各方向も示している。図４において、Ｘ方向はＹ方向およびＺ方向に直交する方向であり、図５において、Ｙ方向はＸ方向およびＺ方向に直交する方向である。

図４および図５に示したように、スライダ２０１は、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなり、上面１ａを有する基板１と、この基板１の上面１ａ上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に配置された磁性材料よりなる下部シールド層３と、絶縁層２の上において下部シールド層３の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層３１とを備えている。絶縁層２，３１は、例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）によって形成されている。下部シールド層３および絶縁層３１の上面は平坦化されている。

スライダ２０１は、更に、下部シールド層３および絶縁層３１の上面の上に配置された絶縁膜である下部シールドギャップ膜４と、この下部シールドギャップ膜４の上に配置された再生素子としてのＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ素子５の上に配置された絶縁膜である上部シールドギャップ膜６と、この上部シールドギャップ膜６の上に配置された磁性材料よりなる上部シールド層７と、上部シールドギャップ膜６の上において上部シールド層７の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層３２とを備えている。絶縁層３２は、例えばアルミナによって形成されている。上部シールド層７および絶縁層３２の上面は平坦化されている。

ＭＲ素子５の一端部は、媒体対向面２０１ａに配置されている。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。ＧＭＲ素子としては、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ平行な方向に流すＣＩＰ（Current In Plane）タイプでもよいし、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ垂直な方向に流すＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）タイプでもよい。下部シールド層３から上部シールド層７までの部分は、再生ヘッドを構成する。

スライダ２０１は、更に、非磁性材料よりなり、上部シールド層７および絶縁層３２の上面の上に配置された非磁性層８と、非磁性層８の上に配置された磁性材料よりなるリターン磁極層１０と、非磁性層８の上においてリターン磁極層１０の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層３３とを備えている。非磁性層８と絶縁層３３は、例えばアルミナによって形成されている。リターン磁極層１０および絶縁層３３の上面は平坦化されている。

スライダ２０１は、更に、リターン磁極層１０および絶縁層３３の上面の一部の上に配置された絶縁層１１と、この絶縁層１１の上に配置されたコイル１２と、リターン磁極層１０の上に配置された連結層１３とを備えている。リターン磁極層１０と連結層１３は、いずれも磁性材料によって形成されている。これらの材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。絶縁層１１は、例えばアルミナによって形成されている。コイル１２は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。コイル１２は、平面渦巻き形状をなし、連結層１３を中心として巻回されている。また、コイル１２は、銅等の導電材料によって形成されている。

スライダ２０１は、更に、コイル１２の巻線間および周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層１４と、絶縁層１１の上において絶縁層１４および連結層１３の周囲に配置された絶縁層１５と、コイル１２および絶縁層１４，１５の上に配置された絶縁層１６とを備えている。コイル１２、連結層１３および絶縁層１４，１５の上面は平坦化されている。絶縁層１４は、例えばフォトレジストによって形成されている。絶縁層１５，１６は、例えばアルミナによって形成されている。

スライダ２０１は、更に、連結層１３および絶縁層１６の上に配置された磁性材料よりなる下部ヨーク層１７と、絶縁層１６の上において下部ヨーク層１７の周囲に配置された非磁性材料よりなる非磁性層１８とを備えている。下部ヨーク層１７の材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。非磁性層１８は、例えばアルミナによって形成されている。下部ヨーク層１７は、媒体対向面２０１ａにより近い端面を有し、この端面は媒体対向面２０１ａから離れた位置に配置されている。下部ヨーク層１７および非磁性層１８の上面は平坦化されている。

スライダ２０１は、更に、磁極２０を備えている。磁極２０は、第１層２０Ａと第２層２０Ｂとを有している。第１層２０Ａは、下部ヨーク層１７および非磁性層１８の上に配置されている。また、第１層２０Ａは、媒体対向面２０１ａに配置された端面を有している。この端面の形状は、例えば矩形である。

第２層２０Ｂは、媒体対向面２０１ａの近傍において、第１層２０Ａの上に配置されている。第２層２０Ｂは、媒体対向面２０１ａに配置された前端面と、その反対側の後端面とを有している。第２層２０Ｂの前端面の形状は、例えば矩形である。

磁極２０は、コイル１２によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。記録媒体に記録されるビットパターンの端部の位置は、第２層２０Ｂの前端面における上端部すなわち基板１の上面１ａからより遠い端部の位置によって決まる。また、第２層２０Ｂの前端面における上端部の幅がトラック幅を規定する。

媒体対向面２０１ａに配置された第１層２０Ａの端面の幅は、第２層２０Ｂの前端面の幅と等しくてもよいし、第２層２０Ｂの前端面の幅よりも大きくてもよい。

また、図４に示したように、第２層２０Ｂは、前端面を有する第１の部分と、この第１の部分よりも媒体対向面２０１ａから遠い位置に配置され、第１の部分よりも小さな厚みを有する第２の部分とを有している。第１の部分は、媒体対向面２０１ａからの距離に応じて変化しない厚みを有している。第１の部分における上面は、第２の部分における上面よりも基板１の上面１ａから遠い位置に配置されている。そのため、第２層２０Ｂの上面は屈曲している。

第１層２０Ａおよび第２層２０Ｂは、金属磁性材料によって形成されている。第１層２０Ａおよび第２層２０Ｂの材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。

スライダ２０１は、更に、非磁性層１８の上において第１層２０Ａの周囲に配置された非磁性材料よりなる非磁性層２１を備えている。非磁性層２１は、例えばアルミナによって形成されている。第１層２０Ａおよび非磁性層２１の上面は平坦化されている。

スライダ２０１は、更に、第１層２０Ａおよび非磁性層２１の上面の上に配置されたクラッド層２７と、導波路２６とを備えている。クラッド層２７は、第２層２０Ｂの周囲における第１層２０Ａおよび非磁性層２１の上面、ならびに第２層２０Ｂの後端面および上面の一部（第２の部分の上面）を覆うように配置されている。図４に示したように、クラッド層２７は、上面で開口する溝部を有している。導波路２６は、この溝部内に収容されている。導波路２６は、後述するレーザ光を通過させる誘電体材料によって形成されている。クラッド層２７は、導波路２６の屈折率よりも小さい屈折率を有する誘電体材料によって形成されている。導波路２６の材料としては、例えば、屈折率が約２．１のＴａ_２Ｏ_５が用いられ、クラッド層２７の材料としては、例えば、屈折率が約１．８のアルミナが用いられる。第２層２０Ｂの第１の部分、導波路２６およびクラッド層２７の上面は平坦化されている。導波路２６の形状については、後で詳しく説明する。

クラッド層２７の溝部は、媒体対向面２０１ａからより遠い傾斜面を有している。この傾斜面における任意の位置の媒体対向面２０１ａからの距離は、この任意の位置が基板１の上面１ａから離れるに従って大きくなっている。スライダ２０１は、更に、この傾斜面の上に配置された内部ミラー３５を備えている。内部ミラー３５は、例えば、Ｃｕ、Ａｕ等の金属による、厚みが５０〜２００ｎｍ程度の膜によって形成されている。内部ミラー３５は、後述するレーザ光を、導波路２６内を媒体対向面２０１ａに向けて進行するように反射する。

スライダ２０１は、更に、第２層２０Ｂの第１の部分、導波路２６およびクラッド層２７の上面の上に配置された介在層２５を備えている。介在層２５は、導波路２６の屈折率よりも小さい屈折率を有し、レーザ光を通過させる誘電体材料によって形成されている。介在層２５の材料としては、例えば、屈折率が約１．８のアルミナが用いられる。介在層２５の厚みは、例えば、３０〜７０ｎｍの範囲内である。

スライダ２０１は、更に、収束レンズ３０と、収束レンズ３０を支持する支持層２４と、近接場光発生素子２３と、絶縁材料よりなる絶縁層２９を備えている。支持層２４は、介在層２５の上に配置されている。また、支持層２４は、それぞれ上面で開口する溝部２４ａ，２４ｂを有している。溝部２４ａは、近接場光発生素子２３を収容する。溝部２４ｂは、収束レンズ３０の少なくとも一部を収容する。支持層２４は、導波路２６に対するクラッド層を兼ねている。

溝部２４ａは媒体対向面２０１ａの近傍に配置されている。溝部２４ａの底部の位置は、介在層２５の上面の位置と一致している。近接場光発生素子２３は、溝部２４ａ内に収容されている。近接場光発生素子２３および支持層２４の上面は平坦化されている。絶縁層２９は、近接場光発生素子２３および支持層２４の上に配置されている。

溝部２４ｂは、内部ミラー３５の上方に配置されている。溝部２４ｂは、凹状の曲面からなる底部を有している。絶縁層２９は、貫通する開口部２９ａを有している。この開口部２９ａの縁は、支持層２４の上面における溝部２４ｂの縁の真上に配置されている。収束レンズ３０の一部は、溝部２４ｂ内および開口部２９ａ内に収容されている。

絶縁層２９および収束レンズ３０の上面は、スライダ２０１の上面２０１ｃを構成している。スライダ２０１において、基板１は、磁極２０、近接場光発生素子２３、導波路２６および収束レンズ３０に向いた上面１ａを有し、スライダ２０１の上面２０１ｃは、基板１の上面１ａの上方の端に位置している。

近接場光発生素子２３は、金属によって形成されている。具体的には、近接場光発生素子２３は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒのいずれか、またはこれらのうちの複数の元素よりなる合金によって形成されている。支持層２４は、導波路２６の屈折率よりも小さい屈折率を有し、レーザ光を通過させる誘電体材料によって形成されている。導波路２６の材料として、例えば屈折率が約２．１のＴａ_２Ｏ_５が用いられる場合には、支持層２４の材料としては、例えば屈折率が約１．８のアルミナが用いられる。絶縁層２９は、例えばアルミナによって形成されている。絶縁層２９の厚みは、例えば、０．１〜０．５μｍの範囲内である。

収束レンズ３０は、溝部２４ｂの底部に接する凸状の曲面からなる下面と、凸状の曲面からなる上面とを有し、且つ支持層２４よりも大きな屈折率を有している。収束レンズ３０の上面は、絶縁層２９の上面から上方に向けて突出している。収束レンズ３０の平面形状は、例えば円形である。収束レンズ３０は、レーザ光を通過させる誘電体材料によって形成されている。支持層２４の材料として、例えば屈折率が約１．８のアルミナが用いられる場合には、収束レンズ３０の材料としては、例えば屈折率が約２．１のＴａ_２Ｏ_５が用いられる。収束レンズ３０は、導波路２６の上方に配置される光源より出射された光を通過させ、収束レンズ３０を通過した光が導波路２６に入射する。

図６に示したように、近接場光発生素子２３は、媒体対向面２０１ａに配置された近接場光発生部２３ｇを有している。また、近接場光発生素子２３は、以下のような外面を有する三角柱形状をなしている。近接場光発生素子２３の外面は、媒体対向面２０１ａに配置された第１の端面２３ａと、媒体対向面２０１ａからより遠い第２の端面２３ｂと、第１の端面２３ａと第２の端面２３ｂを連結する連結部とを含んでいる。連結部は、基板１の上面１ａからより遠い上面２３ｃと、基板１の上面１ａに近づくに従って互いの距離が小さくなる２つの側面２３ｄ，２３ｅと、２つの側面２３ｄ，２３ｅを接続するエッジ部２３ｆとを含んでいる。第１の端面２３ａの形状は、頂点が下を向いた二等辺三角形である。第１の端面２３ａは、近接場光発生部２３ｇを含んでいる。近接場光発生部２３ｇは、具体的には、端面２３ａにおけるエッジ部２３ｆの端部およびその近傍の部分である。

ここで、図６に示したように、媒体対向面２０１ａに垂直な方向についての近接場光発生素子２３の長さを記号Ｈ_PAで表し、第１の端面２３ａの上端部の幅を記号Ｗ_PAで表し、基板１の上面１ａに垂直な方向についての第１の端面２３ａの長さを記号Ｔ_PAで表す。媒体対向面２０１ａに垂直な方向についての近接場光発生素子２３の長さＨ_PAは、基板１の上面１ａに垂直な方向についての第１の端面２３ａの長さＴ_PAよりも大きい。Ｗ_PAとＴ_PAは共に、導波路２６を伝播する光の波長以下である。Ｗ_PAは例えば５０〜１５０ｎｍの範囲内である。Ｔ_PAは例えば５０〜１５０ｎｍの範囲内である。Ｈ_PAは例えば０．２５〜２．５μｍの範囲内である。

次に、図１、図２および図４を参照して、導波路２６の形状について詳しく説明する。図２は、図１におけるレーザダイオード２０２、外部ミラー２０３、内部ミラー３５、収束レンズ３０および導波路２６の位置関係と後述するレーザ光の偏光方向を示す斜視図である。図２には、図１に示したＸ，Ｙ，Ｚの各方向も示している。

図１、図２および図４に示したように、導波路２６は、媒体対向面２０１ａに垂直な方向（Ｙ方向）に延びている。また、導波路２６は、外面を有している。この外面は、媒体対向面２０１ａにより近い前端面２６ａと、媒体対向面２０１ａからより遠い後端面２６ｂと、基板１の上面１ａからより遠い上面２６ｃと、基板１の上面１ａにより近い下面２６ｄと、トラック幅方向の両側に位置する２つの側面２６ｅ，２６ｆとを有している。前端面２６ａは、クラッド層２７の一部を介して第２層２０Ｂの後端面に対向している。

図６に示したように、導波路２６の外面は、近接場光発生素子２３の外面のうちの連結部の一部に対向する対向部分２６ｇを含んでいる。本実施の形態では、特に、対向部分２６ｇは、導波路２６の上面２６ｃのうち、介在層２５を介して、近接場光発生素子２３のエッジ部２３ｆの一部およびその近傍部分に対向する部分である。前述の媒体対向面２０１ａに垂直な方向についての近接場光発生素子２３の長さＨ_PAが、基板１の上面１ａに垂直な方向についての第１の端面２３ａの長さＴ_PAよりも大きいという要件は、導波路２６の上面２６ｃの一部である対向部分２６ｇが、介在層２５を介して、近接場光発生素子２３のエッジ部２３ｆの一部およびその近傍部分に対向するために必要な要件である。

図４に示したように、後端面２６ｂは、内部ミラー３５に接している。後端面２６ｂにおける任意の位置の媒体対向面２０１ａからの距離は、この任意の位置が基板１の上面１ａから離れるに従って大きくなっている。

図２および図４に示したように、内部ミラー３５は、収束レンズ３０を通過した光を、導波路２６内を媒体対向面２０１ａに向けて進行するように反射するようになっている。より詳しく説明すると、内部ミラー３５は、導波路２６の上面２６ｃから導波路２６内に入射して後端面２６ｂに至る光を、前端面２６ａに向けて進行するように反射するようになっている。

次に、図３を参照して、レーザダイオード２０２と外部ミラー２０３について説明する。図３は、レーザダイオード２０２および外部ミラー２０３を示す斜視図である。図３に示したように、レーザダイオード２０２は、上面および下面を有するｎ基板２１１と、ｎ基板２１１の下面の下に配置されたレーザ構造部２１２と、ｎ基板２１１の上面に接合されたｎ電極２１３と、ｎ基板２１１との間でレーザ構造部２１２を挟む位置に配置されてレーザ構造部２１２に接合されたｐ電極２１４とを備えている。レーザ構造部２１２は、少なくとも、ｎクラッド層２２１、活性層２２２およびｐクラッド層２２３を含んでいる。ｎクラッド層２２１は、ｎ基板２１１と活性層２２２の間に配置されている。ｐクラッド層２２３は、ｐ電極２１４と活性層２２２の間に配置されている。活性層２２２は、ｎクラッド層２２１に向いた面と、ｐクラッド層２２３に向いた面とを有している。

また、レーザダイオード２０２は、活性層２２２の面に垂直な方向の両端に位置する下面２０２ａおよび上面２０２ｂと、この下面２０２ａと上面２０２ｂとを連結する４つの面とを有する直方体形状をなしている。下面２０２ａと上面２０２ｂは、活性層２２２の面に平行である。下面２０２ａは、ｐ電極２１４の表面によって形成されている。上面２０２ｂは、ｎ電極２１３の表面によって形成されている。下面２０２ａと上面２０２ｂとを連結する４つの面のうちの１つの面２０２ｃは、活性層２２２の端に位置するレーザ光の出射部２２２ａを含んでいる。以下、この面２０２ｃを出射端面と言う。下面２０２ａおよび上面２０２ｂは、出射端面２０２ｃよりも面積が大きい。

レーザダイオード２０２は、活性層２２２の面に垂直な方向の端に位置する下面２０２ａがスライダ２０１の上面２０１ｃに向くように配置されて、スライダ２０１に固定される。本実施の形態では、特に、レーザダイオード２０２の下面２０２ａはスライダ２０１の上面２０１ｃに接合されている。スライダ２０１の上面２０１ｃに対するレーザダイオード２０２の下面２０２ａの接合は、例えば接着剤によって行われる。

スライダ２０１は、上面２０１ｃにおいて露出するように配置されて、レーザダイオード２０２のｐ電極２１４と端子２１０とを接続する導体層を備えていてもよい。この場合、レーザダイオード２０２の下面２０２ａをスライダ２０１の上面２０１ｃに接合することによって、ｐ電極２１４が導体層に電気的に接続されるようにしてもよい。この場合、レーザダイオード２０２の下面２０２ａと導体層との接続は、例えば半田付けによって行われる。レーザダイオード２０２のｎ電極２１３は、例えばボンディングワイヤによって、他の端子２１０に接続されている。

図３に示したように、本実施の形態では、レーザダイオード２０２の下面２０２ａと出射部２２２ａとの間の距離Ｄ１は、レーザダイオード２０２の上面２０２ｂと出射部２２２ａとの間の距離Ｄ２よりも小さい。

外部ミラー２０３は、五角柱形状を有している。すなわち、外部ミラー２０３は、互いに反対側を向いた２つの端面２０３ａ，２０３ｂと、この２つの端面２０３ａ，２０３ｂを連結する５つの面とを有している。５つの面は、第１の基準面２０３ｃ、第２の基準面２０３ｄ、反射面２０３ｅ、面２０３ｆおよび面２０３ｇである。第１の基準面２０３ｃは、レーザダイオード２０２の出射端面２０２ｃに平行であって出射端面２０２ｃに向いている。第２の基準面２０３ｄは、レーザダイオード２０２の下面２０２ａに平行であって下面２０２ａと同じ方向に向いている。反射面２０３ｅは、第１の基準面２０３ｃと第２の基準面２０３ｄの各々に対して傾斜して第１の基準面２０３ｃと第２の基準面２０３ｄとを連結している。面２０３ｆは、第１の基準面２０３ｃとは反対側に位置し、第１の基準面２０３ｃに平行である。面２０３ｇは、第２の基準面２０３ｄとは反対側に位置し、第２の基準面２０３ｄに平行である。面２０３ｆ，２０３ｇは直交し、面２０３ｃ，２０３ｇは直交し、面２０３ｄ，２０３ｆは直交している。反射面２０３ｅは、第１の基準面２０３ｃと第２の基準面２０３ｄの各々に対して４５°の角度をなしている。

図３に示したように、第２の基準面２０３ｄに垂直な方向（Ｚ方向）についての反射面２０３ｅの両端間の距離（高低差）Ｈｍは、レーザダイオード２０２の下面２０２ａと出射部２２２ａとの間の距離Ｄ１よりも大きい。

また、外部ミラー２０３は、五角柱形状のブロック２３１を有している。このブロック２３１は、端面２０３ａ，２０３ｂ、第１の基準面２０３ｃ、第２の基準面２０３ｄ、面２０３ｆ，２０３ｇおよび傾斜面２３１ｅを有している。傾斜面２３１ｅは、第１の基準面２０３ｃと第２の基準面２０３ｄの各々に対して傾斜して第１の基準面２０３ｃと第２の基準面２０３ｄとを連結している。傾斜面２３１ｅは、第１の基準面２０３ｃと第２の基準面２０３ｄの各々に対して４５°の角度をなしている。外部ミラー２０３は、更に、傾斜面２３１ｅに付着し反射面２０３ｅを構成する金属膜２３２を有している。

ブロック２３１を構成する材料は、ガラス、樹脂等の絶縁材料でもよいし、シリコン等の半導体材料でもよいし、金属材料でもよい。金属膜２３２は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｌ等の金属によって形成されている。金属膜２３２の厚みは、５０〜２００ｎｍ程度である。

第１の基準面２０３ｃは、レーザダイオード２０２の出射端面２０２ｃに接している。本実施の形態では、特に、外部ミラー２０３は、第１の基準面２０３ｃが出射端面２０２ｃに接合されることによって、レーザダイオード２０２に固定されている。反射面２０３ｅは、出射部２２２ａの前方に配置されている。第２の基準面２０３ｄは、スライダ２０１の上面２０１ｃに接していてもよいし、接していなくてもよい。

外部ミラー２０３は、蒸着法、スパッタ法等によって、ブロック２３１の傾斜面２３１ｅに、反射面２０３ｅを構成する金属膜２３２を付着させることによって作製される。出射端面２０２ｃに対する第１の基準面２０３ｃの接合は、例えば接着剤によって行われる。

リターン磁極層１０から絶縁層２９までの部分、レーザダイオード２０２および外部ミラー２０３は、記録ヘッドを構成する。

次に、図１、図２および図４を参照して、レーザダイオード２０２の出射部２２２ａより出射されたレーザ光の経路について説明する。レーザダイオード２０２の出射部２２２ａより出射されたレーザ光は、収束レンズ３０に入射するように外部ミラー２０３の反射面２０３ｅで反射される。収束レンズ３０は、外部ミラー２０３で反射されたレーザ光を通過させる。収束レンズ３０を通過した光は、支持層２４および介在層２５を通過して、上面２６ｃから導波路２６内に入射して後端面２６ｂに至り、導波路２６内を媒体対向面２０１ａ（前端面２６ａ）に向けて進行するように、内部ミラー３５によって反射される。

ここで、図２に示したように、出射部２２２ａより出射されたレーザ光を符号Ｌ１で示し、外部ミラー２０３で反射された後のレーザ光を符号Ｌ２で示し、収束レンズ３０を通過した後のレーザ光を符号Ｌ３で示し、内部ミラー３５で反射された後のレーザ光を符号Ｌ４で示す。出射部２２２ａより出射されたレーザ光Ｌ１の径は、出射部２２２ａから離れるに従って大きくなる。外部ミラー２０３で反射された後のレーザ光Ｌ２の径は収束レンズ３０に近づくに従って大きくなる。収束レンズ３０を通過した後のレーザ光Ｌ３は、導波路２６に入射する際のレーザ光Ｌ３の径が、収束レンズ３０がない場合において導波路２６に入射する際のレーザ光Ｌ２の径よりも小さくなるように収束する。なお、図４では、収束レンズ３０の上面および下面においてレーザ光を収束させる作用が生じるように描かれている。また、図２および図４では、収束レンズ３０を通過した後のレーザ光Ｌ３の径が、収束レンズ３０から離れるに従って小さくなるように描かれている。しかし、収束レンズ３０を通過した後のレーザ光Ｌ３は、平行光束でもよいし、収束レンズ３０がない場合に比べて広がりが小さい発散する光でもよい。

本実施の形態では、レーザダイオード２０２、外部ミラー２０３、内部ミラー３５、収束レンズ３０および導波路２６は、スライダ２０１の上面２０１ｃの上方から見たときに、出射部２２２ａより出射されたレーザ光Ｌ１の進行方向と内部ミラー３５で反射された後のレーザ光Ｌ４の進行方向が直交するように配置されている。

図１および図２には、導波路２６の形状の一例を示している。この例における導波路２６では、２つの側面２６ｅ，２６ｆにおける前端部２６ａの近傍の部分は、上方から見た形状が放物線形状の反射面になっている。この反射面は、導波路２６によって伝播される光を、前端部２６ａの近傍に集光する機能を有している。

ここで、図２を参照して、本実施の形態におけるレーザ光の偏光方向について説明する。本実施の形態では、レーザダイオード２０２は、出射部２２２ａから、電界の振動方向が活性層２２２の面に平行な直線偏光すなわちＴＥモードのレーザ光を出射する。出射部２２２ａより出射されたレーザ光における電界の振動方向は、ＸＹ平面に平行である。出射部２２２ａより出射されたレーザ光は、外部ミラー２０３の反射面２０３ｅで反射されて、収束レンズ３０に向かう。このときのレーザ光における電界の振動方向は、ＹＺ平面に平行である。このレーザ光は、収束レンズ３０、支持層２４、介在層２５を通過して、上面２６ｃから導波路２６内に入射して、内部ミラー３５によって反射される。内部ミラー３５によって反射された後のレーザ光における電界の振動方向は、ＹＺ平面に平行である。内部ミラー３５によって反射されたレーザ光は、導波路２６内を伝播して、対向部分２６ｇに至る。このレーザ光における電界の振動方向は、対向部分２６ｇに対して垂直である。これにより、近接場光発生素子２３において大きな強度の表面プラズモンを発生させることができる。

以上説明したように、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００は、スライダ２０１と、このスライダ２０１に固定された端面発光型のレーザダイオード２０２と、スライダ２０１の外部に設けられた外部ミラー２０３とを備えている。スライダ２０１は、記録媒体に対向する媒体対向面２０１ａと、再生ヘッドと、記録ヘッドのうちのレーザダイオード２０２および外部ミラー２０３を除いた部分（以下、記録ヘッドのスライダ内部分という。）を備えている。再生ヘッドと、記録ヘッドのスライダ内部分は、基板１の上に積層されている。記録ヘッドのスライダ内部分は、再生ヘッドに対して、記録媒体の進行方向（Ｚ方向）の前側（トレーリング側）に配置されている。

再生ヘッドは、再生素子としてのＭＲ素子５と、媒体対向面２０１ａ側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層７と、ＭＲ素子５と下部シールド層３との間に配置された下部シールドギャップ膜４と、ＭＲ素子５と上部シールド層７との間に配置された上部シールドギャップ膜６とを備えている。

記録ヘッドのスライダ内部分は、リターン磁極層１０と、コイル１２と、連結層１３と、下部ヨーク層１７と、磁極２０とを備えている。コイル１２は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。リターン磁極層１０、連結層１３、下部ヨーク層１７および磁極２０は、コイル１２が発生する磁界に対応した磁束を通過させる磁路を形成する。磁極２０は、第１層２０Ａと第２層２０Ｂとを有している。磁極２０は、コイル１２によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。記録媒体に記録されるビットパターンの端部の位置は、媒体対向面２０１ａに配置された第２層２０Ｂの前端面における上端部すなわち基板１の上面１ａからより遠い端部の位置によって決まる。また、媒体対向面２０１ａに配置された第２層２０Ｂの前端面における上端部の幅がトラック幅を規定する。リターン磁極層１０、連結層１３および下部ヨーク層１７は、磁極２０より発生されて、記録媒体を磁化した磁束を、磁極２０に還流させる機能を有する。

記録ヘッドのスライダ内部分は、更に、近接場光発生素子２３と、支持層２４と、介在層２５と、導波路２６と、クラッド層２７と、絶縁層２９と、収束レンズ３０と、内部ミラー３５とを備えている。基板１は、磁極２０、近接場光発生素子２３、導波路２６および収束レンズ３０に向いた上面１ａを有している。導波路２６は、第１層２０Ａに対して基板１の上面１ａからより遠い位置に配置されている。導波路２６の前端面２６ａは、第２層２０Ｂの後端面に対向している。導波路２６の後端面２６ｂは、内部ミラー３５に接している。近接場光発生素子２３は、第２層２０Ｂに対して基板１の上面１ａからより遠い位置に配置されている。介在層２５、近接場光発生素子２３、支持層２４、絶縁層２９および収束レンズ３０は、導波路２６に対して基板１の上面１ａからより遠い位置に配置されている。絶縁層２９および収束レンズ３０の上面は、スライダ２０１の上面２０１ｃを構成している。

近接場光発生素子２３の外面は、媒体対向面２０１ａに配置された第１の端面２３ａと、媒体対向面２０１ａからより遠い第２の端面２３ｂと、第１の端面２３ａと第２の端面２３ｂを連結する連結部とを含んでいる。連結部は、基板１の上面１ａからより遠い上面２３ｃと、基板１の上面１ａに近づくに従って互いの距離が小さくなる２つの側面２３ｄ，２３ｅと、２つの側面２３ｄ，２３ｅを接続するエッジ部２３ｆとを含んでいる。第１の端面２３ａは、近接場光発生部２３ｇを含んでいる。媒体対向面２０１ａに垂直な方向（Ｙ方向）についての近接場光発生素子２３の長さＨ_PAは、基板１の上面１ａに垂直な方向についての第１の端面２３ａの長さＴ_PAよりも大きい。後で詳しく説明するが、近接場光発生素子２３では、導波路２６を伝播する光に基づいて表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンが近接場光発生部２３ｇに伝播され、この表面プラズモンに基づいて近接場光発生部２３ｇより近接場光が発生される。

導波路２６は、近接場光発生素子２３に対して、基板１の上面１ａにより近い位置に配置されている。導波路２６の外面は、介在層２５を介して、近接場光発生素子２３のエッジ部２３ｆの一部に対向する対向部分２６ｇを含んでいる。

支持層２４、介在層２５およびクラッド層２７は、いずれも、導波路２６の屈折率よりも小さい屈折率を有する誘電体材料によって形成されている。従って、導波路２６の外面のうち後端面２６ｂ以外の部分は、導波路２６の屈折率よりも小さい屈折率を有する誘電体材料によって覆われている。

支持層２４は、収束レンズ３０の少なくとも一部を収容する溝部２４ｂを有している。溝部２４ｂは、凹状の曲面からなる底部を有している。絶縁層２９は、貫通する開口部２９ａを有している。収束レンズ３０の一部は、溝部２４ｂ内および開口部２９ａ内に収容されている。収束レンズ３０は、溝部２４ｂの底部に接する凸状の曲面からなる下面と、凸状の曲面からなる上面とを有し、且つ支持層２４よりも大きな屈折率を有している。

記録ヘッドは、更に、スライダ２０１に固定された端面発光型のレーザダイオード２０２と、レーザダイオード２０２に固定された外部ミラー２０３とを備えている。レーザダイオード２０２は、活性層２２２と、活性層２２２の面に平行な方向の端に位置し、レーザ光の出射部２２２ａを含む出射端面２０２ｃと、活性層２２２の面に垂直な方向の端に位置する下面２０２ａとを有し、下面２０２ａがスライダ２０１の上面２０１ｃに向くように配置されている。外部ミラー２０３は、出射部２２２ａより出射されたレーザ光を、収束レンズ３０に入射するように反射する。収束レンズ３０は、外部ミラー２０３で反射されたレーザ光を通過させ、収束レンズ３０を通過したレーザ光が、支持層２４および介在層２５を通過して導波路２６に入射する。導波路２６に入射する際のレーザ光の径は、収束レンズ３０がない場合において導波路２６に入射する際のレーザ光の径よりも小さくなる。

ここで、本実施の形態における近接場光発生の原理と、近接場光を用いた熱アシスト磁気記録の原理について詳しく説明する。レーザダイオード２０２の出射部２２２ａより出射されたレーザ光は、上述のように、外部ミラー２０３で反射され、収束レンズ３０、支持層２４、介在層２５を通過して、上面２６ｃから導波路２６内に入射して後端面２６ｂに至り、内部ミラー３５によって反射されて、導波路２６内を媒体対向面２０１ａ（前端面２６ａ）に向けて進行する。このレーザ光は、導波路２６内を伝播して、対向部分２６ｇの近傍に達する。ここで、対向部分２６ｇと介在層２５との界面において、レーザ光が全反射することによって、介在層２５内にしみ出すエバネッセント光が発生する。その結果、このエバネッセント光と、近接場光発生素子２３の外面のうちの連結部の一部（エッジ部２３ｆの一部およびその近傍部分）における電荷の集団振動すなわち表面プラズモンとが結合した系である表面プラズモン・ポラリトンが励起される。このようにして、近接場光発生素子２３に表面プラズモンが励起される。

近接場光発生素子２３に励起された表面プラズモンは、近接場光発生素子２３のエッジ部２３ｆに沿って近接場光発生部２３ｇに向けて伝播する。その結果、近接場光発生部２３ｇにおいて表面プラズモンが集中し、この表面プラズモンに基づいて、近接場光発生部２３ｇから近接場光が発生する。この近接場光は、記録媒体に向けて照射され、記録媒体の表面に達し、記録媒体の磁気記録層の一部を加熱する。これにより、その磁気記録層の一部の保磁力が低下する。熱アシスト磁気記録では、このようにして保磁力が低下した磁気記録層の一部に対して、磁極２０より発生される記録磁界を印加することによってデータの記録が行われる。

次に、図７ないし図１８を参照して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００の製造方法について説明する。図７ないし図１８において、（ａ）は、それぞれ、熱アシスト磁気記録ヘッド２００の製造過程における積層体の、媒体対向面２０１ａおよび基板１の上面１ａに垂直な断面を示している。図７ないし図１８の（ａ）において、記号“ＡＢＳ”は、媒体対向面２０１ａが形成される予定の位置を表している。図７ないし図１８において、（ｂ）は、それぞれ、図７ないし図１８の（ａ）における位置ＡＢＳにおける断面を示している。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００の製造方法では、まず、図７に示したように、基板１の上に絶縁層２を形成する。次に、絶縁層２の上に下部シールド層３を形成する。次に、下部シールド層３を覆うように絶縁層３１を形成する。次に、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、下部シールド層３が露出するまで絶縁層３１を研磨して、下部シールド層３および絶縁層３１の上面を平坦化する。次に、下部シールド層３および絶縁層３１の上に下部シールドギャップ膜４を形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上にＭＲ素子５と、ＭＲ素子５に接続される図示しないリードとを形成する。次に、ＭＲ素子５およびリードを覆うように上部シールドギャップ膜６を形成する。次に、上部シールドギャップ膜６の上に上部シールド層７を形成する。次に、上部シールド層７を覆うように絶縁層３２を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、上部シールド層７が露出するまで絶縁層３２を研磨して、上部シールド層７および絶縁層３２の上面を平坦化する。次に、上部シールド層７および絶縁層３２の上に非磁性層８を形成する。次に、非磁性層８の上にリターン磁極層１０を形成する。次に、リターン磁極層１０を覆うように絶縁層３３を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、リターン磁極層１０が露出するまで絶縁層３３を研磨して、リターン磁極層１０および絶縁層３３の上面を平坦化する。次に、リターン磁極層１０および絶縁層３３の上面の一部の上に絶縁層１１を形成する。

図８は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばフレームめっき法によって、絶縁層１１の上にコイル１２を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、リターン磁極層１０の上に連結層１３を形成する。なお、連結層１３を形成した後に、コイル１２を形成してもよい。次に、コイル１２の巻線間およびコイル１２の周囲に、例えばフォトレジストよりなる絶縁層１４を選択的に形成する。次に、例えばスパッタ法によって、積層体の上面全体の上に、絶縁層１５を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、コイル１２および連結層１３が露出するまで絶縁層１５を研磨して、コイル１２、連結層１３および絶縁層１４，１５の上面を平坦化する。

図９は、次の工程を示す。この工程では、まず、絶縁層１６を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、連結層１３および絶縁層１６の上に下部ヨーク層１７を形成する。次に、積層体の上面全体の上に、非磁性層１８を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、下部ヨーク層１７が露出するまで非磁性層１８を研磨して、下部ヨーク層１７および非磁性層１８の上面を平坦化する。

図１０は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばフレームめっき法によって、下部ヨーク層１７および非磁性層１８の上に第１層２０Ａを形成する。次に、積層体の上面全体の上に、非磁性層２１を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１層２０Ａが露出するまで非磁性層２１を研磨して、第１層２０Ａおよび非磁性層２１の上面を平坦化する。

図１１は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばフレームめっき法によって、第１層２０Ａの上に、後に第２層２０Ｂとなる磁性層を形成する。次に、例えばイオンビームエッチングによって、磁性層に第１の部分と第２の部分が形成されて、磁性層が第２層２０Ｂになるように、磁性層の一部をエッチングする。

図１２は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、後にクラッド層２７となる誘電体層を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２層２０Ｂの第１の部分が露出するまで誘電体層を研磨して、第２層２０Ｂの第１の部分および誘電体層の上面を平坦化する。次に、例えば反応性イオンエッチング（以下、ＲＩＥと記す。）によって、誘電体層を選択的にエッチングして、誘電体層に、後に形成される導波路２６を収容するための溝部を形成する。このとき、この溝部に、後にその上に内部ミラー３５が形成される傾斜面が形成されるように、誘電体層をテーパーエッチングする。この溝部が形成されることにより、残った誘電体層がクラッド層２７となる。次に、クラッド層２７の溝部の傾斜面の上に内部ミラー３５を形成する。

図１３は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、後に導波路２６となる誘電体層を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２層２０Ｂの第１の部分およびクラッド層２７が露出するまで誘電体層を研磨して、第２層２０Ｂの第１の部分、クラッド層２７および誘電体層の上面を平坦化する。これにより、クラッド層２７の溝部内に残った誘電体層が導波路２６となる。

図１４は、次の工程を示す。この工程では、まず、第２層２０Ｂの第１の部分、導波路２６およびクラッド層２７の上に介在層２５を形成する。次に、介在層２５の上に、後に溝部２４ａ，２４ｂが形成されることによって支持層２４となる初期支持層２４Ｐを形成する。次に、初期支持層２４Ｐを選択的にエッチングして、初期支持層２４Ｐに溝部２４ａを形成する。次に、溝部２４ａ内に収容されるように近接場光発生素子２３を形成する。

次に、図１５に示したように、積層体の上面全体の上に、絶縁層２９を形成する。

図１６は、次の工程を示す。この工程では、まず、絶縁層２９の上面に、後に形成される収束レンズ３０の平面形状に対応した形状の開口部を有するマスク４１を形成する。このマスク４１は、絶縁層２９の上に配置された下層４１Ａと、この下層４１Ａの上に配置されたフォトレジスト層４１Ｂとを有している。下層４１Ａは、例えば現像液によって溶解される材料によって形成されている。下層４１Ａおよびフォトレジスト層４１Ｂは、それぞれ、後に形成される収束レンズ３０の平面形状に対応した形状の開口部を有している。下層４１Ａの開口部の大きさは、フォトレジスト層４１Ｂの開口部の大きさよりも若干大きい。従って、図１６（ａ）に示したように、マスク４１は、アンダーカットを有する形状となっている。

次に、マスク４１をエッチングマスクとして用いて、例えばＲＩＥによって、絶縁層２９のうちマスク４１の開口部より露出した部分をエッチングして、絶縁層２９に開口部２９ａを形成する。次に、マスク４１をエッチングマスクとして用いて、例えばＲＩＥによって、初期支持層２４Ｐの上面のうちマスク４１の開口部より露出した部分をエッチングして、初期支持層２４Ｐに溝部２４ｂを形成する。このとき、溝部２４ｂの底部が凹状の曲面となるように、初期支持層２４Ｐをテーパーエッチングする。初期支持層２４Ｐに溝部２４ｂが形成されることによって、初期支持層２４Ｐは支持層２４となる。

図１７は、次の工程を示す。この工程では、マスク４１を残したまま、積層体の上面全体の上に、誘電体材料よりなる誘電体層３０Ｐを形成する。誘電体層３０Ｐは、フォトレジスト層４１Ｂの上に形成された第１の部分３０Ｐ１と、溝部２４ｂの上に形成された第２の部分３０Ｐ２とを含んでいる。第２の部分３０Ｐ２は、溝部２４ｂおよび開口部２９ａを埋め、且つその上面が凸状の曲面となるように形成されている。

次に、図１８に示したように、マスク４１をリフトオフする。これにより、マスク４１と第１の部分３０Ｐ１とが除去されて、第２の部分３０Ｐ２は収束レンズ３０となる。

次に、絶縁層２９の上面に配線や端子２１０等を形成する。次に、外部ミラー２０３が固定されたレーザダイオード２０２を、絶縁層２９の上面に固定する。次に、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面２０１ａの研磨、浮上用レールの作製等を行って、熱アシスト磁気記録ヘッド２００が完成する。

以上説明したように、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００では、近接場光の発生に利用される光を出射する光源として、端面発光型のレーザダイオード２０２が用いられ、このレーザダイオード２０２は、スライダ２０１の上面２０１ｃ上に配置されている。具体的には、レーザダイオード２０２は、活性層２２２の面に垂直な方向の端に位置する下面２０２ａがスライダ２０１の上面２０１ｃに向くように配置されて、スライダ２０１に固定されている。レーザダイオード２０２の下面２０２ａは、活性層２２２の面に平行であり、且つ出射端面２０２ｃよりも面積が大きい。従って、本実施の形態では、出射部２２２ａより出射されるレーザ光の光軸がスライダ２０１の上面２０１ｃに平行になるように、レーザダイオード２０２をスライダ２０１に対して精度よく位置決めすることは容易である。そのため、本実施の形態によれば、出射部２２２ａより出射されるレーザ光の光軸が所望の方向に対して傾くことを防止することができる。従って、本実施の形態によれば、近接場光の発生に利用される光を出射する光源として、光出力が大きい端面発光型のレーザダイオード２０２を用いながら、出射部２２２ａより出射されるレーザ光を、直接、導波路に入射させる場合に比べて、導波路に対するレーザ光の位置合わせを容易に行うことが可能になる。

また、本実施の形態では、外部ミラー２０３は、前述のように、出射端面２０２ｃに平行であって出射端面２０２ｃに向いた第１の基準面２０３ｃと、下面２０２ａに平行であって下面２０２ａと同じ方向に向いた第２の基準面２０３ｄとを有している。本実施の形態によれば、第１の基準面２０３ｃと第２の基準面２０３ｄの少なくとも一方を用いて、反射面２０３ｅで反射されたレーザ光の光軸が所望の方向に対して傾かないように、スライダ２０１およびレーザダイオード２０２に対して外部ミラー２０３を位置合わせすることが可能である。具体的には、本実施の形態では、第１の基準面２０３ｃがレーザダイオード２０２の出射端面２０２ｃに接することにより、反射面２０３ｅで反射されたレーザ光の光軸が所望の方向に対して傾かないように、スライダ２０１およびレーザダイオード２０２に対して外部ミラー２０３が位置合わせされる。

上述のように、スライダ２０１の上面２０１ｃ上にレーザダイオード２０２を配置することによって、導波路２６に対するレーザ光の位置合わせが容易になる。しかし、この場合には、出射部が導波路の入射端に対向するようにレーザダイオードを配置する場合に比べて、レーザダイオードの出射部から導波路までの距離が大きくなる。本実施の形態において、もし収束レンズ３０がないとしたら、レーザダイオード２０２の出射部２２２ａより出射されたレーザ光の径は、出射部２２２ａから離れるに従って大きくなる。そのため、この場合には、導波路２６に入射する際のレーザ光の径が大きくなりすぎて、その結果、レーザ光の一部が導波路２６に入射しなくなり、導波路２６を伝播するレーザ光の光量が減少し、近接場光の発生に利用されるレーザ光の利用効率が低下する可能性がある。

これに対し、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００は、収束レンズ３０を備えている。本実施の形態において、レーザダイオード２０２の出射部２２２ａより出射されたレーザ光は、外部ミラー２０３で反射された後、収束レンズ３０を通過し、支持層２４および介在層２５を通過して導波路２６に入射する。本実施の形態では、導波路２６に入射する際のレーザ光の径は、収束レンズ３０がない場合において導波路２６に入射する際のレーザ光の径よりも小さくなる。そのため、本実施の形態によれば、レーザ光の一部が導波路２６に入射しなくなることを防止することができる。そのため、本実施の形態によれば、導波路２６を伝播するレーザ光の光量が減少して近接場光の発生に利用されるレーザ光の利用効率が低下することを防止することができる。

本実施の形態において、収束レンズ３０は、溝部２４ａの底部に接する凸状の曲面からなる下面を有し、且つ支持層２４よりも大きな屈折率を有している。そのため、本実施の形態では、収束レンズ３０の下面においてレーザ光を収束させる作用が生じる。収束レンズは、更に、凸状の曲面からなる上面を有している。そのため、本実施の形態では、収束レンズ３０の上面においてもレーザ光を収束させる作用が生じる。

また、本実施の形態では、収束レンズ３０を通過した光は、支持層２４および介在層２５を通過して、上面２６ｃから導波路２６内に入射して後端面２６ｂに至り、導波路２６内を媒体対向面２０１ａ（前端面２６ａ）に向けて進行するように、内部ミラー３５によって反射される。もし収束レンズ３０がないとしたら、内部ミラー３５に入射する際のレーザ光の径が大きくなりすぎて、その結果、レーザ光の一部が内部ミラー３５で反射されなくなり、内部ミラー３５によって反射されて所望の方向に進行するレーザ光の光量が減少する可能性がある。これに対し、本実施の形態では、内部ミラー３５で反射される際のレーザ光の径は、収束レンズ３０がない場合において内部ミラー３５で反射される際のレーザ光の径よりも小さくなる。そのため、本実施の形態によれば、内部ミラー３５によって反射されて所望の方向に進行するレーザ光の光量が減少することを防止することができる。

また、本実施の形態では、レーザダイオード２０２は、活性層２２２の面に垂直な方向の端に位置する下面２０２ａがスライダ２０１の上面２０１ｃに向くように配置されて、スライダ２０１に固定される。レーザダイオード２０２の下面２０２ａと出射部２２２ａとの間の距離Ｄ１は、レーザダイオード２０２の上面２０２ｂと出射部２２２ａとの間の距離Ｄ２よりも小さい。前述のように、レーザダイオード２０２の出射部２２２ａより出射されるレーザ光の径は、出射部２２２ａから離れるに従って大きくなる。そのため、距離Ｄ１が距離Ｄ２よりも大きい場合には、出射部２２２ａから収束レンズ３０までのレーザ光の経路が長くなって、レーザ光の一部が収束レンズ３０に入射しなくなり、その結果、レーザ光の一部が導波路２６に入射しなくなると共に内部ミラー３５で反射されなくなって、導波路２６を伝播するレーザ光の光量が少なくなるおそれがある。これに対し、本実施の形態によれば、距離Ｄ１が距離Ｄ２よりも大きい場合に比べて、出射部２２２ａから収束レンズ３０までのレーザ光の経路を短くすることができる。これにより、本実施の形態によれば、収束レンズ３０に入射する際のレーザ光の径を小さくすることができる。その結果、本実施の形態によれば、レーザ光の一部が内部ミラー３５に入射しなくなって、導波路２６を伝播するレーザ光の光量が少なくなることを防止することができる。

また、本実施の形態では、外部ミラー２０３は、出射端面２０２ｃに平行であって出射端面２０２ｃに向いた第１の基準面２０３ｃと、下面２０２ａに平行であって下面２０２ａと同じ方向に向いた第２の基準面２０３ｄとを有している。外部ミラー２０３の反射面２０３ｅは、出射端面２０２ｃに向いた第１の基準面２０３ｃと、下面２０２ａと同じ方向に向いた第２の基準面２０３ｄとを連結している。そのため、反射面２０３ｅは、出射端面２０２ｃとスライダ２０１の両方に近い。従って、本実施の形態によれば、レーザダイオード２０２の出射部２２２ａから反射面２０３ｅまでの距離と、反射面２０３ｅからスライダ２０１（収束レンズ３０）までの距離を、共に短くすることができる。これにより、本実施の形態によれば、収束レンズ３０に入射する際のレーザ光の径を小さくすることができる。

以上説明したように、本実施の形態によれば、レーザダイオード２０２をスライダ２０１の上面２０１ｃ上に配置することによって、導波路２６に対するレーザ光の位置合わせを容易に行うことが可能になり、しかも、収束レンズ３０を設けたことにより、レーザダイオード２０２の出射部２２２ａから導波路２６までの距離が大きくなることによる問題を解消することが可能になる。

以下、本実施の形態におけるその他の効果について説明する。本実施の形態では、導波路２６の外面における対向部分２６ｇが、介在層２５を介して、近接場光発生素子２３のエッジ部２３ｆの一部およびその近傍部分に対向する。本実施の形態では、導波路２６を伝播する光に基づいて、介在層２５においてエバネッセント光が発生し、このエバネッセント光に基づいて、近接場光発生素子２３に表面プラズモンが励起される。そして、この表面プラズモンが近接場光発生部２３ｇに伝播され、この表面プラズモンに基づいて近接場光発生部２３ｇより近接場光が発生される。本実施の形態によれば、レーザ光をプラズモン・アンテナに直接照射して近接場光を発生させる場合に比べて、導波路２６を伝播する光の近接場光への変換の効率を高めることができる。

また、本実施の形態では、導波路２６を伝播するレーザ光が近接場光発生素子２３に直接照射されないため、近接場光発生素子２３の温度上昇を抑制することができる。また、本実施の形態では、媒体対向面２０１ａに垂直な方向についての近接場光発生素子２３の長さＨ_PAが、基板１の上面１ａに垂直な方向についての第１の端面２３ａの長さＴ_PAよりも大きい。そのため、本実施の形態における近接場光発生素子２３の体積は、媒体対向面２０１ａに垂直な方向についての長さが、基板１の上面１ａに垂直な方向についての長さよりも小さい従来のプラズモン・アンテナに比べて大きい。この点からも、本実施の形態によれば、近接場光発生素子２３の温度上昇を抑制することができる。これらのことから、本実施の形態によれば、近接場光発生素子２３が媒体対向面２０１ａから突出することを抑制することができる。

また、本実施の形態では、図２に示したように、レーザダイオード２０２、外部ミラー２０３、内部ミラー３５、収束レンズ３０および導波路２６は、スライダ２０１の上面２０１ｃの上方から見たときに、出射部２２２ａより出射されたレーザ光Ｌ１の進行方向と内部ミラー３５で反射された後のレーザ光Ｌ４の進行方向が直交するように配置されている。このような配置により、本実施の形態によれば、図２に示したように、内部ミラー３５で反射された後のレーザ光Ｌ４の偏光方向（電界の振動方向）を、出射部２２２ａより出射されたレーザ光Ｌ１の偏光方向に直交する方向に設定することができる。これにより、本実施の形態によれば、レーザダイオード２０２として、ＴＥモードのレーザ光を出射する一般的なレーザダイオードを用いながら、導波路２６を伝播するレーザ光の偏光方向を、近接場光発生素子２３において大きな強度の表面プラズモンを発生させることができる方向すなわち対向部分２６ｇに対して垂直な方向に設定することができる。

また、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００では、近接場光発生素子２３が、磁極２０の第２層２０Ｂに対して基板１の上面１ａからより遠い位置に配置され、導波路２６が、磁極２０の第１層２０Ａに対して基板１の上面１ａからより遠い位置に配置され、導波路２６の上方に配置されたレーザダイオード２０２より出射された光が、内部ミラー３５によって、導波路２６内を媒体対向面２０１ａに向けて進行するように反射される。

ここで、近接場光発生素子および導波路が、磁極２０に対して基板１の上面１ａにより近い位置に配置されている場合について考える。この場合には、近接場光発生素子および導波路の上方に磁極２０が存在することになるため、本実施の形態のように導波路の上方にレーザダイオードを配置する場合、レーザダイオードから導波路までの光の経路が長くなり、光のエネルギーの損失が大きくなる。また、この場合、レーザダイオードから導波路までの光の経路が長いことから、レーザダイオードと導波路とを正確に位置決めすることが難しく、レーザダイオードと導波路との位置ずれによる光のエネルギーの損失が発生しやすい。

これに対し、本実施の形態では、レーザダイオード２０２から導波路２６までの光の経路を短くすることができ、その結果、短い経路によって、レーザダイオード２０２から、導波路２６の外面における対向部分２６ｇまで光を導くことが可能になる。これにより、本実施の形態によれば、光のエネルギーの損失を少なくすることができる。また、本実施の形態では、レーザダイオード２０２と導波路２６とを近付けることができることから、レーザダイオード２０２と導波路２６とを正確に位置決めすることが容易である。そのため、本実施の形態によれば、レーザダイオード２０２と導波路２６との位置ずれによる光のエネルギーの損失を少なくすることができる。

また、本実施の形態では、導波路２６においてレーザ光が入射する上面の上に、導波路２６の屈折率よりも小さい屈折率を有する介在層２５が設けられている。そのため、導波路２６と介在層２５との界面に、導波路２６側から臨界角以上の入射角で入射する光は、界面で全反射される。これにより、レーザダイオード２０２より出射され、収束レンズ３０、支持層２４、介在層２５を通過して導波路２６内に入射したレーザ光が、介在層２５、支持層２４、収束レンズ３０を通過してレーザダイオード２０２に戻ることを抑制することができる。その結果、本実施の形態によれば、レーザ光の利用効率を高めることができると共に、レーザダイオード２０２に戻るレーザ光によってレーザダイオード２０２が損傷を受けることを防止することができる。

以上のことから、本実施の形態によれば、熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、近接場光の発生に利用される光の利用効率を高めることが可能になる。

［変形例］
以下、本実施の形態における第１ないし第５の変形例について説明する。始めに、図１９を参照して、本実施の形態における第１の変形例について説明する。図１９は、第１の変形例におけるレーザダイオード、外部ミラー、内部ミラーおよび収束レンズを示す断面図である。第１の変形例に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、図１ないし図３に示した熱アシスト磁気記録ヘッド２００における外部ミラー２０３の代わりに、図１９に示した外部ミラー３０３を備えている。

図１９に示したように、外部ミラー３０３は、レーザダイオード２０２の出射端面２０２ｃに沿うように配置された第１の被固定部３０３Ａと、レーザダイオード２０２の上面２０２ｂに沿うように配置された第２の被固定部３０３Ｂと、第１の被固定部３０３Ａと第２の被固定部３０３Ｂとを連結する連結部３０３Ｃとを有している。第１の被固定部３０３Ａと第２の被固定部３０３Ｂは、それぞれ板状をなしている。

第１の被固定部３０３Ａは、出射端面２０２ｃに向いた第１の面３０３Ａ１と、第１の面３０３Ａ１とは反対側の第２の面３０３Ａ２と、連結部３０３Ｃとは反対側の端に位置して第１の面３０３Ａ１と第２の面３０３Ａ２を連結する反射面３０３Ｒとを有している。第２の面３０３Ａ２は、第１の面３０３Ａ１に平行である。反射面３０３Ｒは、出射部２２２ａより出射されたレーザ光を、収束レンズ３０に入射するように反射する。反射面３０３Ｒは、第１の面３０３Ａ１に対して傾斜し且つ第１の面３０３Ａ１に連続している。反射面３０３Ｒは、第１の面３０３Ａ１に対して４５°の角度をなしている。

第２の被固定部３０３Ｂは、上面２０２ｂに向いた第１の面３０３Ｂ１と、第１の面３０３Ｂ１とは反対側の第２の面３０３Ｂ２と、連結部３０３Ｃとは反対側の端に位置して第１の面３０３Ｂ１と第２の面３０３Ｂ２を連結する端面３０３Ｂ３とを有している。第２の面３０３Ｂ２は、第１の面３０３Ｂ１に平行である。第２の被固定部３０３Ｂの第１の面３０３Ｂ１は、第１の被固定部３０３Ａの第１の面３０３Ａ１に対して直交している。端面３０３Ｂ３は、第１の面３０３Ｂ１に対して傾斜し且つ第１の面３０３Ｂ１に連続している。端面３０３Ｂ３は、第１の面３０３Ｂ１に対して４５°の角度をなし、反射面３０３Ｒに平行である。

また、外部ミラー３０３は、本体３３１と、この本体３３１に付着して反射面３０３Ｒを構成する金属膜３３２とを有している。本体３３１の全体形状は、外部ミラー３０３の全体形状とほぼ同じである。金属膜３３２の表面によって、第１の面３０３Ａ１と、反射面３０３Ｒが形成されている。

本体３３１を構成する材料は、ガラス、樹脂等の絶縁材料でもよいし、シリコン等の半導体材料でもよいし、金属材料でもよい。金属膜３３２は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｌ等の金属によって形成されている。金属膜３３２の厚みは、５０〜２００ｎｍ程度である。

図１９に示したように、外部ミラー３０３は、第１の被固定部３０３Ａの第１の面３０３Ａ１がレーザダイオード２０２の出射端面２０２ｃに、第２の被固定部３０３Ｂの第１の面３０３Ｂ１がレーザダイオード２０２の上面２０２ｂに、それぞれ、絶縁性の接着剤によって接合されることによって、レーザダイオード２０２に固定されている。図１９において、符号３０９は、接着剤によって形成された接着層を示している。外部ミラー３０３は、接着層３０９によって、レーザダイオード２０２に対して絶縁されている。反射面３０３Ｒは、出射部２２２ａの前方に配置されている。

第１の変形例では、外部ミラー３０３は、レーザダイオード２０２の出射部２２２ａより出射されたレーザ光を、収束レンズ３０に入射するように反射する。第１の変形例における外部ミラー３０３によれば、反射面３０３Ｒで反射されたレーザ光の光軸が所望の方向に対して傾かないように、レーザダイオード２０２に対して外部ミラー３０３を位置合わせすることが可能である。また、第１の変形例における外部ミラー３０３によれば、出射部２２２ａから反射面３０３Ｒまでの距離と、反射面３０３Ｒからスライダ２０１（収束レンズ３０）までの距離を、共に短くすることができる。

次に、図２０を参照して、本実施の形態における第２の変形例について説明する。図２０は、第２の変形例におけるレーザダイオード、外部ミラー、内部ミラーおよび収束レンズを示す断面図である。第２の変形例に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、図１９に示した第１の変形例における外部ミラー３０３の代わりに、図２０に示した外部ミラー４０３を備えている。

図２０に示したように、外部ミラー４０３は、それぞれ板状の反射部４０３ａと被固定部４０３ｂ，４０３ｃを有している。被固定部４０３ｂ，４０３ｃは、９０°の角度をなすように連結されている。反射部４０３ａは、被固定部４０３ｃに対して１３５°の角度をなすように、被固定部４０３ｃにおける被固定部４０３ｂが連結された端部とは反対側の端部に連結されている。外部ミラー４０３は、被固定部４０３ｂが上面２０２ｂに固定され、被固定部４０３ｃが出射端面２０２ｃに固定されることによって、レーザダイオード２０２に固定されている。反射部４０３ａは、出射部２２２ａの前方に配置されている。反射部４０３ａにおける出射部２２２ａにより近い面は、出射部２２２ａより出射されたレーザ光を、収束レンズ３０に入射するように反射する反射面になっている。この反射面に対する法線は、出射部２２２ａより出射されたレーザ光の進行方向に対して４５°の角度をなしている。

外部ミラー４０３は、例えば、樹脂、ガラス等の絶縁材料を成型して本体を作製し、この本体のうちの少なくとも反射面となる部分に、蒸着法、スパッタ法等によって金属膜を形成することによって作製することができる。この場合、金属膜を形成する前に、本体の反射面となる部分を研磨してもよい。これにより、反射面のうち、反射部４０３ａと被固定部４０３ｃの境界に近い部分が丸みを帯びることを防止することができる。これにより、出射部２２２ａより出射されたレーザ光が、反射面のうち、反射部４０３ａと被固定部４０３ｃの境界により近い位置で反射されるように設定することが可能になる。これにより、出射部２２２ａから反射面までのレーザ光の経路を短くして、反射面で反射された後のレーザ光の径が大きくなりすぎることを防止することができる。

次に、図２１を参照して、本実施の形態における第３の変形例について説明する。図２１は、第３の変形例におけるレーザダイオード、外部ミラー、内部ミラーおよび収束レンズを示す断面図である。第３の変形例に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、図２０に示した第２の変形例における外部ミラー４０３の代わりに、外部ミラー５０３を備えている。

図２１に示したように、第３の変形例では、レーザダイオード２０２は、スライダ２０１の上面２０１ｃに固定される際の姿勢が、図２０に示した第２の変形例におけるレーザダイオード２０２とは上下が反対になっている。すなわち、第３の変形例におけるレーザダイオード２０２は、図２０に示した第２の変形例におけるレーザダイオード２０２の上面２０２ｂがスライダ２０１の上面２０１ｃに向くように配置されて、スライダ２０１に固定される。また、第３の変形例におけるレーザダイオード２０２では、図２０に示した第２の変形例におけるレーザダイオード２０２における下面２０２ａが上面となる。そこで、以下、第３の変形例におけるレーザダイオード２０２の上面を上面２０２ａと記す。

外部ミラー５０３は、共に板状で、１３５°の角度をなすように連結された反射部５０３ａと被固定部５０３ｂとを有している。外部ミラー５０３は、被固定部５０３ｂが上面２０２ａに固定されることによって、レーザダイオード２０２に固定されている。反射部５０３ａは、出射部２２２ａの前方に配置されている。反射部５０３ａにおける出射部２２２ａにより近い面は、出射部２２２ａより出射されたレーザ光を、収束レンズ３０に入射するように反射する反射面になっている。この反射面に対する法線は、出射部２２２ａより出射されたレーザ光の進行方向に対して４５°の角度をなしている。

外部ミラー５０３は、例えば、樹脂、ガラス等の絶縁材料を成型して本体を作製し、この本体のうちの少なくとも反射面となる部分に、蒸着法、スパッタ法等によって金属膜を形成することによって作製することができる。

なお、図１９ないし図２１に示した各例では、レーザダイオード２０２、外部ミラー（３０３，４０３または５０３）、内部ミラー３５、収束レンズ３０および導波路２６は、出射部２２２ａより出射されたレーザ光の進行方向と内部ミラー３５で反射された後のレーザ光の進行方向が平行になるように配置されている。しかし、第１ないし第３の変形例において、レーザダイオード２０２、外部ミラー（３０３，４０３または５０３）、内部ミラー３５、収束レンズ３０および導波路２６は、スライダ２０１の上面２０１ｃの上方から見たときに、出射部２２２ａより出射されたレーザ光の進行方向と内部ミラー３５で反射された後のレーザ光の進行方向が直交するように配置されていてもよい。

次に、図２２を参照して、本実施の形態における第４の変形例について説明する。図２２は、第４の変形例におけるレーザダイオード、内部ミラーおよび収束レンズを示す断面図である。第４の変形例に係る熱アシスト磁気記録ヘッドは、図１ないし図３に示した熱アシスト磁気記録ヘッド２００におけるダイオード２０２および外部ミラー２０３の代わりに、図２２に示した面発光型のレーザダイオード６０２を備えている。

図２２に示したように、レーザダイオード６０２は、接着剤によって、スライダ２０１の上面２０１ｃに固定されている。図２２において、符号６０９は、接着剤によって形成された接着層を示している。レーザダイオード６０２は、その下面に配置された出射部６０２ａを有し、この出射部６０２ａより下方に向けてレーザ光を出射する。出射部６０２ａより出射されたレーザ光は、収束レンズ３０、支持層２４、介在層２５を通過して、上面２６ｃから導波路２６内に入射して後端面２６ｂに至り、導波路２６内を媒体対向面２０１ａ（前端面２６ａ）に向けて進行するように、内部ミラー３５によって反射される。なお、図２２では、出射部６０２ａは収束レンズ３０に接しているが、出射部６０２ａは収束レンズ３０に接していなくてもよい。

第４の変形例では、出射部６０２ａより出射されたレーザ光を、外部ミラーで反射させずに、直接収束レンズ３０に入射させることができることから、レーザダイオード６０２から導波路２６までの光の経路を短くすることができ、その結果、短い経路によって、レーザダイオード６０２から、導波路２６の外面における対向部分２６ｇまで光を導くことが可能になる。これにより、第４の変形例によれば、光のエネルギーの損失を少なくすることができる。また、第４の変形例では、レーザダイオード６０２と導波路２６とを近付けることができることから、レーザダイオード６０２と導波路２６とを正確に位置決めすることが容易である。そのため、第４の変形例によれば、レーザダイオード６０２と導波路２６との位置ずれによる光のエネルギーの損失を少なくすることができる。

面発光型のレーザダイオード６０２は、垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）でもよいし、フォトニック結晶面発光レーザでもよい。フォトニック結晶面発光レーザは、光の波長と同程度の周期的な屈折率分布を有するフォトニック結晶をレーザ共振器として用いたレーザダイオードである。レーザダイオード６０２として、フォトニック結晶面発光レーザを用いることによって、例えば、光の回折限界よりも小さなサイズに集光することができるレーザ光を出射部６０２ａより出射することができる。これにより、導波路２６に入射する際のレーザ光の径と、内部ミラー３５で反射される際のレーザ光の径をより小さくすることができる。

次に、図２３および図２４を参照して、本実施の形態における第５の変形例について説明する。図２３は、第５の変形例における導波路２６の一部と近接場光発生素子２３を示す平面図である。図２４は、図２３に示した近接場光発生素子２３の斜視図である。第５の変形例における近接場光発生素子２３では、側面２３ｄ，２３ｅは、媒体対向面２０１ａに近づくに従って、トラック幅方向についての互いに距離が小さくなる部分を有している。また、側面２３ｄと第２の端面２３ｂとの間の角部と、側面２３ｅと第２の端面２３ｂとの間の角部は、それぞれ丸められている。第５の変形例では、特に、上記の２つの角部を除いて、側面２３ｄ，２３ｅは、媒体対向面２０１ａに近づくに従って、トラック幅方向についての互いに距離が小さくなっている。

上面２３ｃは、第１の端面２３ａの上端に位置する第１の端縁２２３ａと、第２の端面２３ｂの上端に位置する第２の端縁２２３ｂと、側面２３ｄの上端に位置する第３の端縁２２３ｄと、側面２３ｅの上端に位置する第４の端縁２２３ｅとを有している。第３の端縁２２３ｄと第４の端縁２２３ｅは、第１の端縁２２３ａに近づくに従って、第１の端縁２２３ａに平行な方向についての互いに距離が小さくなる部分を有している。第２の端縁２２３ｂと第３の端縁２２３ｄとの間の角部と、第２の端縁２２３ｂと第４の端縁２２３ｅとの間の角部は、それぞれ丸められている。第５の変形例では、特に、上記の２つの角部を除いて、第３の端縁２２３ｄと第４の端縁２２３ｅは、第１の端縁２２３ａに近づくに従って、第１の端縁２２３ａに平行な方向についての互いに距離が小さくなっている。

また、第５の変形例における近接場光発生素子２３は、基板１の上面１ａにより近い下面２３ｈを有している。導波路２６の上面２６ｃの一部は、介在層２５を介して、近接場光発生素子２３の下面２３ｈの一部に対向している。図２３には、導波路２６の前端面２６ａが媒体対向面２０１ａから離れた位置に配置されている例を示している。しかし、前端面２６ａは媒体対向面２０１ａに配置されていてもよい。

また、図２４に示したように、第５の変形例における近接場光発生素子２３は、第１の端面２３ａに近い一部分（以下、前端近傍部分という。）において、第１の端面２３ａに近づくに従って、下端が基板１の上面１ａから遠ざかっている。また、近接場光発生素子２３の前端近傍部分においてのみ、側面２３ｄ，２３ｅがそれぞれ連続する上部と下部とを含み、側面２３ｄの下部と側面２３ｅの下部とがなす角度は、側面２３ｄの上部と側面２３ｅの上部とがなす角度よりも小さくなっている。近接場光発生素子２３の前端近傍部分以外の部分における側面２３ｄ，２３ｅの形状は、平面またはほぼ平面である。

第１の端面２３ａは、第１の側面２３ｄの端に位置する第１の辺１２３ｄと、第２の側面２３ｅの端に位置する第２の辺１２３ｅと、上面２３ｃの端に位置する第３の辺１２３ｃと、第１の辺１２３ｄと第２の辺１２３ｅが接して形成され、近接場光発生部２３ｇを形成する尖端１２３ｇとを含んでいる。近接場光発生部２３ｇは、具体的には、端面２３ａにおける尖端１２３ｇおよびその近傍の部分である。

第１の辺１２３ｄは、連続する上部と下部とを含んでいる。第２の辺１２３ｅは、連続する上部と下部とを含んでいる。第１の辺１２３ｄの下部と第２の辺１２３ｅの下部とがなす角度は、第１の辺１２３ｄの上部と第２の辺１２３ｅの上部とがなす角度よりも小さい。

ここで、図２３に示したように、媒体対向面２０１ａに垂直な方向についての近接場光発生素子２３の長さを記号Ｈ_PAで表し、第１の端面２３ａの上端部の幅を記号Ｗ_PAで表し、トラック幅方向（Ｘ方向）における近接場光発生素子２３の最大の幅を記号ＷＢ_PAで表す。また、図２４に示したように、基板１の上面１ａに垂直な方向についての第１の端面２３ａの長さを記号Ｔ_PAで表す。媒体対向面２０１ａに垂直な方向についての近接場光発生素子２３の長さＨ_PAは、基板１の上面１ａに垂直な方向についての第１の端面２３ａの長さＴ_PAよりも大きい。Ｗ_PAは例えば５０〜３５０ｎｍの範囲内である。Ｔ_PAは例えば６０〜３５０ｎｍの範囲内である。Ｈ_PAは例えば０．２５〜２．５μｍの範囲内である。ＷＢ_PAは例えば０．２５〜２．５μｍの範囲内である。

第５の変形例では、導波路２６において、近接場光発生素子２３の外面のうちの連結部の一部（下面２３ｈの一部）に対向する対向部分の面積を大きくすることができる。これにより、近接場光発生素子２３の連結部（下面２３ｈ）において、より多くの表面プラズモンを励起させることができる。また、第５の変形例では、近接場光発生素子２３において、側面２３ｄと第２の端面２３ｂとの間の角部と、側面２３ｅと第２の端面２３ｂとの間の角部が、それぞれ丸められている。これにより、これらの角部から近接場光が発生することを防止することができる。また、第５の変形例では、上記の２つの角部を除いて、近接場光発生素子２３の側面２３ｄ，２３ｅは、媒体対向面２０１ａに近づくに従って、トラック幅方向についての互いに距離が小さくなっている。これにより、下面２３ｈにおいて励起された表面プラズモンが近接場光発生部２３ｇに伝播される際に、表面プラズモンを集中させることができる。これらのことから、第５の変形例によれば、尖った形状の近接場光発生部２３ｇに、より多くの表面プラズモンを集中させることが可能になる。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドについて説明する。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの構成は、第１の実施の形態と同様である。本実施の形態では、収束レンズ３０は、レーザダイオード２０２が出射するレーザ光を通過させる熱可塑性樹脂によって形成されている。この熱可塑性樹脂としては、例えば、上記レーザ光に対して高い透過性を有するポリイミド樹脂を用いることができる。ポリイミド樹脂の屈折率は、例えば１．５５〜１．７０程度である。収束レンズ３０をポリイミド樹脂によって形成する場合には、支持層２４の材料としては、ポリイミド樹脂よりも屈折率の小さな誘電体材料を用いる。このような材料としては、例えば、屈折率が１．４６程度のＳｉＯ₂がある。

次に、図２５ないし図２８を参照して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法について説明する。図２５ないし図２８において、（ａ）は、それぞれ、熱アシスト磁気記録ヘッドの製造過程における積層体の、媒体対向面２０１ａおよび基板１の上面１ａに垂直な断面を示している。図２５ないし図２８の（ａ）において、記号“ＡＢＳ”は、媒体対向面２０１ａが形成される予定の位置を表している。図２５ないし図２８において、（ｂ）は、それぞれ、図２５ないし図２８の（ａ）における位置ＡＢＳにおける断面を示している。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法では、図１５に示したように絶縁層２９を形成する工程までは、第１の実施の形態と同様である。

図２５は、次の工程を示す。この工程では、まず、絶縁層２９の上面に、後に形成される収束レンズ３０の平面形状に対応した形状の開口部を有するマスク４２を形成する。マスク４２は、例えばフォトレジストによって形成されている。次に、マスク４２をエッチングマスクとして用いて、例えばＲＩＥによって、絶縁層２９のうちマスク４２の開口部より露出した部分をエッチングして、絶縁層２９に開口部２９ａを形成する。次に、マスク４２をエッチングマスクとして用いて、例えばＲＩＥによって、初期支持層２４Ｐの上面のうちマスク４２の開口部より露出した部分をエッチングして、初期支持層２４Ｐに溝部２４ｂを形成する。このとき、溝部２４ｂの底部が凹状の曲面となるように、初期支持層２４Ｐをテーパーエッチングする。初期支持層２４Ｐに溝部２４ｂが形成されることによって、初期支持層２４Ｐは支持層２４となる。

図２６は、次の工程を示す。この工程では、まず、マスク４２を除去する。次に、積層体の上面全体の上に熱可塑性樹脂層３０Ｐ３を形成する。熱可塑性樹脂層３０Ｐ３は、例えばポリイミド樹脂によって形成される。熱可塑性樹脂層３０Ｐ３は、溝部２４ｂおよび開口部２９ａを埋め、且つその上面が絶縁層２９の上面よりも上方に配置されるように形成される。

図２７は、次の工程を示す。この工程では、例えばＲＩＥによって、熱可塑性樹脂層３０Ｐ３を選択的にエッチングして、溝部２４ｂの上に配置された熱可塑性樹脂層３０Ｐ４を形成する。この熱可塑性樹脂層３０Ｐ４は、後に収束レンズ３０となる。熱可塑性樹脂層３０Ｐ４は、溝部２４ｂおよび開口部２９ａの平面形状よりも小さい平面形状を有している。熱可塑性樹脂層３０Ｐ４の一部は、溝部２４ｂ内および開口部２９ａ内に収容されている。熱可塑性樹脂層３０Ｐ４の上面は、絶縁層２９の上面よりも上方に配置されている。

図２８は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体を例えば２５０℃の温度で熱処理する。これにより、熱可塑性樹脂層３０Ｐ４は溶融状態となり、溝部２４ｂおよび開口部２９ａを埋める。このとき、熱可塑性樹脂層３０Ｐ４の表面は、表面張力により滑らかな曲面となる。次に、積層体を冷却する。これにより、溶融状態となった熱可塑性樹脂層３０Ｐ４が固化して、熱可塑性樹脂層３０Ｐ４は収束レンズ３０となる。滑らかな曲面となった熱可塑性樹脂層３０Ｐ４の表面は、収束レンズ３０の上面となる。その後の工程は、第１の実施の形態と同様である。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、内部ミラー３５の代わりに、上面２６ｃから導波路２６内に入射したレーザ光を、導波路２６内を媒体対向面２０１ａに向けて進行するように回折する回折格子を設けてもよい。

また、レーザダイオード２０２、外部ミラー２０３、内部ミラー３５、収束レンズ３０および導波路２６を、レーザダイオード２０２の出射部２２２ａより出射されたレーザ光の進行方向と内部ミラー３５で反射された後のレーザ光の進行方向が平行になるように配置してもよい。

また、本発明において、近接場光発生素子２３の形状は、図６、図２４にそれぞれ示した形状以外の形状であってもよい。

２０…磁極、２３…近接場光発生素子、２６…導波路、３０…収束レンズ、３５…内部ミラー、２００…熱アシスト磁気記録ヘッド、２０２…レーザダイオード、２０３…外部ミラー。

Claims (20)

1. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
   前記媒体対向面に配置された端面を有し、情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極と、
   光を伝播させる導波路と、
   前記媒体対向面に配置された近接場光発生部を有し、前記導波路を伝播する光に基づいて表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンが前記近接場光発生部に伝播され、この表面プラズモンに基づいて前記近接場光発生部より近接場光を発生する近接場光発生素子と、
   収束レンズと、
   上面を有する基板とを備え、
   前記基板の上面の上方に、前記磁極、導波路、近接場光発生素子および収束レンズが配置され、
   前記収束レンズは、前記導波路の上方に配置される光源から出射された光を通過させ、前記収束レンズを通過した光が前記導波路に入射することを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
2. 更に、誘電体材料よりなり前記収束レンズを支持する支持層を備え、
   前記支持層は、前記収束レンズの少なくとも一部を収容する溝部を有し、
   前記溝部は、凹状の曲面からなる底部を有し、
   前記収束レンズは、前記溝部の前記底部に接する凸状の曲面からなる下面を有し、且つ前記支持層よりも大きな屈折率を有することを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
3. 前記収束レンズは、凸状の曲面からなる上面を有することを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
4. 更に、前記収束レンズを通過した光を、前記導波路内を前記媒体対向面に向けて進行するように反射する内部ミラーを備えたことを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
5. 更に、前記光源としてのレーザダイオードを備えたことを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
6. 前記レーザダイオードは端面発光型であり、前記熱アシスト磁気記録ヘッドは、更に、前記レーザダイオードから出射された光を、前記収束レンズに入射するように反射する外部ミラーを備えたことを特徴とする請求項５記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
7. 前記レーザダイオードは面発光型であることを特徴とする請求項５記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
8. 前記収束レンズは、Ｔａ_２Ｏ_５によって形成されていることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
9. 前記収束レンズは、ポリイミド樹脂によって形成されていることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
10. 前記近接場光発生素子は、前記媒体対向面に配置された第１の端面と、前記媒体対向面からより遠い第２の端面と、前記第１の端面と第２の端面を連結する連結部とを含む外面を有し、前記第１の端面は前記近接場光発生部を含み、
    前記媒体対向面に垂直な方向についての前記近接場光発生素子の長さは、前記基板の上面に垂直な方向についての前記第１の端面の長さよりも大きく、
    前記導波路は、前記連結部の一部に対向する対向部分を含む外面を有することを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
11. 請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドを製造する方法であって、
    前記磁極を形成する工程と、
    前記導波路を形成する工程と、
    前記近接場光発生素子を形成する工程と、
    前記収束レンズを形成する工程と
    を備えたことを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。
12. 更に、前記収束レンズを形成する工程の前に、誘電体材料よりなり前記収束レンズを支持する支持層を形成する工程を備え、
    前記支持層は、前記収束レンズの少なくとも一部を収容する溝部を有し、
    前記溝部は、凹状の曲面からなる底部を有し、
    前記収束レンズは、前記溝部の前記底部に接する凸状の曲面からなる下面を有し、且つ前記支持層よりも大きな屈折率を有することを特徴とする請求項１１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。
13. 前記収束レンズは、凸状の曲面からなる上面を有することを特徴とする請求項１１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。
14. 更に、前記収束レンズを形成する工程の前に、誘電体材料よりなり前記収束レンズを支持する支持層を形成する工程を備え、
    前記収束レンズを形成する工程は、
    前記支持層の上に、後に形成される前記収束レンズの平面形状に対応した形状の開口部を有するマスクを形成する工程と、
    前記マスクを残したまま、前記支持層および前記マスクの上に、誘電体層を形成する工程と、
    前記誘電体層のうち、前記支持層の上に形成された部分が前記収束レンズとなるように、前記マスクと前記誘電体層のうち前記マスクの上に形成された部分とを除去する工程とを含むことを特徴とする請求項１１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。
15. 更に、前記収束レンズを形成する工程の前に、誘電体材料よりなり前記収束レンズを支持する支持層を形成する工程を備え、
    前記支持層は、前記収束レンズの少なくとも一部を収容する溝部を有し、
    前記支持層を形成する工程は、
    後に前記溝部が形成されることによって前記支持層となる初期支持層を形成する工程と、
    前記初期支持層の上に、後に形成される前記収束レンズの平面形状に対応した形状の開口部を有するマスクを形成する工程と、
    前記初期支持層が前記支持層となるように、前記初期支持層の上面のうち前記マスクの開口部より露出した部分をエッチングして、前記初期支持層に前記溝部を形成する工程とを含み、
    前記収束レンズを形成する工程は、
    前記マスクを残したまま、前記溝部および前記マスクの上に、誘電体層を形成する工程と、
    前記誘電体層のうち、前記溝部の上に形成された部分が前記収束レンズとなるように、前記マスクと前記誘電体層のうち前記マスクの上に形成された部分とを除去する工程とを含むことを特徴とする請求項１１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。
16. 前記溝部は、凹状の曲面からなる底部を有し、
    前記収束レンズは、前記溝部の前記底部に接する凸状の曲面からなる下面を有し、且つ前記支持層よりも大きな屈折率を有することを特徴とする請求項１５記載の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。
17. 更に、前記収束レンズを形成する工程の前に、誘電体材料よりなり前記収束レンズを支持する支持層を形成する工程を備え、
    前記支持層は、前記収束レンズの少なくとも一部を収容する溝部を有し、
    前記収束レンズを形成する工程は、
    前記支持層の前記溝部の上に、後に前記収束レンズとなる熱可塑性樹脂層を形成する工程と、
    前記熱可塑性樹脂層が溶融後に固化することによって前記収束レンズとなるように、前記熱可塑性樹脂層を加熱する工程とを含むことを特徴とする請求項１１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。
18. 前記溝部は、凹状の曲面からなる底部を有し、
    前記収束レンズは、前記溝部の前記底部に接する凸状の曲面からなる下面を有し、且つ前記支持層よりも大きな屈折率を有することを特徴とする請求項１７記載の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。
19. 前記収束レンズは、凸状の曲面からなる上面を有し、
    前記熱可塑性樹脂層を加熱する工程では、前記熱可塑性樹脂層が溶融状態となり、前記熱可塑性樹脂層の表面が表面張力により滑らかな曲面となることによって、前記収束レンズの前記上面が形成されることを特徴とする請求項１７記載の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。
20. 前記熱可塑性樹脂層は、ポリイミド樹脂によって形成されることを特徴とする請求項１７記載の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。

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