JP2008089935A - 基板露光装置および照明装置 - Google Patents

基板露光装置および照明装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008089935A
JP2008089935A JP2006270173A JP2006270173A JP2008089935A JP 2008089935 A JP2008089935 A JP 2008089935A JP 2006270173 A JP2006270173 A JP 2006270173A JP 2006270173 A JP2006270173 A JP 2006270173A JP 2008089935 A JP2008089935 A JP 2008089935A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
integrator
optical system
dimensional spatial
exposure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006270173A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4511502B2 (ja
Inventor
Yoshitada Oshida
良忠 押田
Kazuo Kobayashi
和夫 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Via Mechanics Ltd
Original Assignee
Hitachi Via Mechanics Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Via Mechanics Ltd filed Critical Hitachi Via Mechanics Ltd
Priority to JP2006270173A priority Critical patent/JP4511502B2/ja
Priority to CN2007101360837A priority patent/CN101154054B/zh
Priority to DE102007038704.2A priority patent/DE102007038704B4/de
Priority to US11/839,863 priority patent/US7755741B2/en
Publication of JP2008089935A publication Critical patent/JP2008089935A/ja
Priority to HK08110555.8A priority patent/HK1121536A1/xx
Application granted granted Critical
Publication of JP4511502B2 publication Critical patent/JP4511502B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70283Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70066Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70075Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

【課題】 2次元空間変調器の光変調面の横Hxと縦Hy(ただし、縦方向は露光基板の移動方向)の比Hx/Hyを例えば1.5以上とする場合であっても、品質に優れる露光ができると共に、作業速度を向上することができる照明装置および露光装置を提供すること。
【解決手段】 インテグレータ13からの出射光を2次元空間変調器21に導く第2の光学系15のx方向の焦点距離fxとy方向の焦点距離fyを異なる値、例えばfx/fyを1.6とする。このようにすると、ロッドレンズ131の横縦比dx:dyを1に近い1.6:1にして、インテグレータ13の数を横縦同じ、かつ、Hx/Hyの値を2.5にすることができる。また、実用上、2次元空間変調器の照射領域の横縦比Hx/Hyの値を3.5以上にすることもできる。
【選択図】 図1

Description

本発明は基板露光装置および照明装置に関する。
プリント基板、液晶ディスプレイのTFT基板或いはカラーフィルタ基板或いはプラズマディスプレーの基板にパターンを露光するため、従来はパターンの原版となるマスクを製作し、このマスク原版を用いたマスク露光装置で基板を露光していた。しかし、基板毎にマスクを制作すると、製品化までに要する時間が長くなる等の問題があった。この問題を解決するため、近年、液晶ディスプレーやDMD(デジタルミラーデバイス)等の光を2次元状に変調することができる2次元光空間変調器を用いて、所望のパターンを基板に直接描画(露光)する露光装置(Direct Exposure Machine。以下、「DE」という。)が普及し始めている(特許文献1)。特許文献1に開示された露光装置では、複数の光源からそれぞれ出力された光を断面が円形の光にして複数のロッドレンズからなるインテグレータに入射させ、インテグレータから出射した光を2次元光空間変調器であるDMDに照射させた状態でDMDを変調させながら基板を一方向に移動させることにより、基板に所望のパターンを露光する。
特開2004−039871号公報
図11は、2次元空間変調器の平面図である。
DMDには、正方形の表示絵素(マイクロミラー。以下、「ミラー」という。)が横方向(x方向)にNx個、縦方向(y方向)にNy個、配列されている。なお、通常、NxとNyの比率はNx:Ny=4:3程度である。
従来は光変調面(隣接するミラーの間隔を無視し、ミラーの単位長さを1とするとNx×Nyの領域。以下、光変調面もDMDという。)の全域に光を当てておき、描画しようとするパターンに応じてミラーを動作(オンオフ)させていた。
近年、DMDの特性から、供給する光のエネルギを同じにする場合、Nx/Ny=4:3であるDMDの全域を照射するよりも、照射領域を基板が移動する方向を短辺とする長方形(Hx×Hy)とし、かつHx/Hyの値を大きくすればするほど、露光速度を速くすることができることが分かってきた。すなわち、ミラーがNx×Ny配置されているDMDであっても、図示のHx×Hyの領域のミラーだけを動作させる方が露光速度を速くできる。なお、Nx×NyのDMDを採用する場合、Hx=Nxであるので、以下、Nxに代えてHxという。なお、DMDに照射する光の強度を均一にするためには、インテグレータの1辺に少なくとも5個(好ましくは7個)のロッドレンズを配置する必要がある。
照射領域をHx×Hyとする場合、例えば、ロッドレンズの縦横比を照射領域と相似のHx/Hyにすると共にインテグレータの断面が照射領域と相似形になるようにロッドレンズを束ねておき(すなわち、x、y方向に同数束ねる)。このインテグレータに入射させる光の断面を略円にして、各ロッドレンズから出射した光を回転対称の集光レンズによりDMDに集光させると、領域Hx×Hyを均一に照射することができるが、多数のロッドレンズが必要になる。
しかも、照射領域Hx×Hyに照射する光の発散角が大きく異なるため、例えば、同一幅の線であっても、x方向の線とy方向の線とでは線幅が異なってしまい、品質に優れる露光することができない。なお、従来の場合は、インテグレータに入射させる光を楕円形状にすることで、発散角をほぼ同じ値にすることで対処できたが、ほぼ調整できる範囲の限界であった。
本発明の目的は、2次元空間変調器の光変調面の横Hxと縦Hy(ただし、縦方向は露光基板の移動方向)の比Hx/Hyを例えば1.5以上とする場合であっても、品質に優れる露光ができると共に、作業速度を向上することができる照明装置および露光装置を提供するにある。
上記課題を解決するため、本発明の第1の手段は、露光光源と該露光光源より出射した光を指向性の高い光ビームに形成するビーム形成手段と、上記指向性の高いビームをインテグレータに導く第1の光学系と、インテグレータと、該インテグレータ出射光を2次元光空間変調器に照射せしめる第2の光学系と、2次元光空間変調器と、該2次元光空間変調器を反射もしくは透過した光を投影光学系により露光基板上に投影露光する投影光学系と、露光基板を搭載し、少なくとも1方向に走査するステージとからなる基板露光装置であって、上記第2の光学系は光軸に直交するxy2方向の焦点距離が異なる光学系であることを特徴とする。
また、本発明の第2の手段は、光源と該光源より出射した光を指向性の高い光ビームに形成するビーム形成手段と、上記指向性の高いビームをインテグレータに導く第1の光学系と、インテグレータと、該インテグレータ出射光を被照射物に照射せしめる第2の光学系とからなる照明装置において、上記第2の光学系は光軸に直交するxy2方向の焦点距離が異なる光学系であることを特徴とする。
2次元空間変調器の光変調面の横Hxと縦Hy(ただし、縦方向は露光基板の移動方向)の比Hx/Hyを例えば1.5以上とする場合であっても、品質に優れる露光ができると共に、作業速度を向上することができる。
図1は本発明に係る露光装置の構成図である。
先ず、全体構成を説明する。
光源部100から、主光線が中心軸Oに平行なN本のレーザ光が出力される。ここでは、光源100を1つの光源と仮定したときに、光源100から出力される光の中心軸を中心軸Oという。中心軸O上には、光学系12、インテグレータ13、第2の光学系15、ミラー16、2次元光空間変調器2および投影系3が配置されている。投影系3の出射側には、ステージ4に搭載された露光基板5が配置されている。
次に、各部について順に説明する。
始めに、光源部100について説明する。
図2は、光源部100の斜視図である。光源部100は、半導体レーザアレー111と、ビーム成形手段11と、から構成されている。半導体レーザアレー111には、波長が407nm(或いは375nm)の半導体レーザ(以下、「LD」という。)1111がxy方向に等ピッチで複数配列されている。LD出射光の発散角は、図2の垂直方向は22°水平方向は8°である。ビーム形成手段11は、シリンドリカルレンズアレー112とシリンドリカルレンズアレー113とから構成されている。シリンドリカルレンズアレー112はシリンドリカルレンズ1121を垂直方向に配列したものである。シリンドリカルレンズ1121は焦点距離が短く(7mm)、22°の発散角のビームを垂直方向にほぼ平行なビームにする。また、シリンドリカルレンズアレー113はシリンドリカルレンズ1131を水平方向に配列したものである。シリンドリカルレンズ1131は焦点距離が長く(23mm)、8°の発散角のビームを水平方向にほぼ平行なビームにする。以上の構成であるから、多数のLD1111から出射されたレーザ光は、主光線がほぼ互いに平行な平行ビーム(すなわち、指向性が高い)に形成される。
光学系12は、例えば、集光レンズで構成されており、ビーム成形手段11から出力されたN本のレーザ光の主光線をインテグレータ13の入射面の中心に、かつ、各LDから出たビームが、それぞれインテグレータ13の外形になるようにしている(例えば、インテグレータ13に外接する直径のビームにしている)。
次に、インテグレータ13について説明する。
図3は、インテグレータ13の入射面の平面図である。
インテグレータ13はロッドレンズ131がx方向にJ個、y方向にK個、配列したものである。各ロッドレンズ131のx方向の寸法はdx、y方向の寸法はdyである。従ってインテグレータのx及びy方向の外形寸法Dx及びDyはそれぞれJdx及びKdyである。
ロッドレンズ131の長さをL、屈折率をnとするとロッドレンズ131の入射及び出射側の曲率Rは(n―1)L/nである。このようなロッドレンズ131から構成されるインテグレータ13の出射面13Aを出射する光はどのロッドレンズ131から出た光もその主光線は中心軸Oに平行になる。ロッドレンズ131から出た光のxy方向の広がり角度(発散角)θx、θyは式1,2で表される。
θx=ndx/2L ・・・式1
θy=ndy/2L ・・・式2
式1,2に示されているように、ロッドレンズ131出射光のxy方向の発散角はロッドレンズ131の入出射端面の横と縦の長さに比例する。
次に、第2の光学系15について説明する。
図1に示すように、第2の光学系15は、球面レンズ151、156とシリンドリカルレンズ152〜155とから構成されてる。そして、球面レンズ151とx方向にパワーを有するシリンドリカルレンズ153と球面レンズ156により、x方向の焦点距離はfxである。また、球面レンズ151とy方向にパワーのあるシリンドリカルレンズ152,154と155と球面レンズ156により、y方向の焦点距離はfyである。
図4は、本発明に係る第2の光学系15の前側焦点と後ろ側焦点の関係を示す図であり、(a)はx方向を、(b)はy方向を、それぞれ示している。
同図(a)に示すように、x方向の前側焦点にはインテグレータ13の出射面13Aが、後ろ側焦点には2次元光空間変調器2の光変調面21Bが配置される。また、同図(b)に示すように、y方向の前側焦点にはインテグレータ13の出射面13Aが、後ろ側焦点には2次元光空間変調器2の光変調面21Bが配置される。なお、図中のPfは前側主点の位置、Pbは後ろ側主点の位置である。また、WDは第2の光学系15から2次元空間変調器2までの距離WDである。同図に示されているように、焦点距離fxは焦点距離fyよりも長い。
インテグレータ13を構成する各ロッドレンズ131から出射する光のx方向の発散角をθx、y方向の発散角をθyとすると、2次元空間変調器2の光変調面21Bに照射する照明光の広がりWx及びWyは式3,4で与えられる。
Wx=fx・θx=fx・ndx/2L ・・・式3
Wy=fy・θy=fy・ndy/2L ・・・式4
この照明領域Wx×Wyを2次元空間変調器の表示領域Hx×Hyにできるだけ近付けることにより光の利用効率を大きくすることができる。
次に、投影系3について説明する。
図5は、投影系3の中心軸O方向の構成図である。また、図6は、マイクロレンズアレーの構成図、図7はピンホールアレーの構成図であり、それぞれ、(a)は側面図、(b)は平面図である。また、図8は、マイクロレンズアレー331とピンホールアレー332の関係を示す図である。
この実施形態における投影結像レンズ3は光軸方向に配置された第1の投影結像レンズ31と、マイクロレンズユニット33と、第2の投影結像レンズ32と、から構成されている。マイクロレンズユニット33は、スペーサ333を挟んで対向して配置されたマイクロレンズアレー331と、開口径がwのピンホール3321が形成されたピンホールアレー332と、から構成されている。
2次元空間変調器2の光変調面21Bで変調された光(各表示絵素)は、第1の投影結像レンズ31によりマイクロレンズアレー331上の各マイクロレンズ3311上に結像され、ピンホール3321に集光する。なお、各マイクロレンズ3311の焦点距離は300μmで、この焦点位置にピンホール3321が開口している。各マイクロレンズ3311とピンホール3321を通過した光は第2の投影結像レンズ32によりステージ4に搭載された露光基板5の感光層にピンホールの像として結像する。
次に、xy方向の照明指向性NAσx及びNAσyをほぼ等しくする必要があることを説明する。
図9は、マイクロレンズ3311に入射する光とピンホール3321の関係を示す図である。なお、図中Lcは主光線の中心軸であり、Ldは最外周の入射光の中心軸である。
上述したように、インテグレータ13を出射した照明光はxy方向の指向性NAσx及びNAσyで2次元空間変調器を照明する。いま、第1の投影結像レンズ31の結像倍率をM1とすると、図9に示すマイクロレンズ3311に入射する主光線Lcに対し、マイクロレンズに入射する光線の最外周の光線Ldは主光線からΔθ傾いており、Δθのxy方向の値Δθx、Δθyは式5,6で与えられる。
Δθx=NAσx/M1 ・・・式5
Δθy=NAσy/M1 ・・・式6
この最外周の光線束はマイクロレンズ3311を通過後ピンホール3321の中心からΔw離れた位置に集光する。いま、Δwのx成分をΔwx、Δwのy成分をΔwyとすると、マイクロレンズの焦点距離fMLに対して、Δwx、Δwyは式7,8で表される。
Δwx=fMLΔθx=fMLNAσx/M1 ・・・式7
Δwy=fMLΔθy=fMLNAσy/M1 ・・・式8
この集光位置がピンホールの開口外に外れると、ピンホールから外れた光は露光に寄与しないため、光利用効率を低下させることになる。ピンホール3321は円であるので、最外周光束成分であるΔθx、Δθy傾いた光束がピンホール3321に入るためにはNAσx及びNAσyが等しくなることが望ましい。
マイクロレンズアレー331及びピンホールアレー332を透過した光は第2の投影結像レンズ32を透過後図10に示すように、露光基板5上にピンホールアレー332の像を作る。ピンホールアレー像7のピッチに対するピンホール像71の広がり(大きさ)は通常1/10〜1/2になっている。したがって、ピンホールアレー7の配列方向にステージ4を走査すると、露光できない部分が生じる。そこで、図10の矢印に示す方向にステージ4を走査することにより、走査方向とピンホールアレー像7の配列方向をΔφ傾ける。このようにすると、71Aと71Bの像は走査により重なる(すなわち、基板上の同じ位置を重ねて露光する)ことになる。また、図示の場合、71Aと71Bの間には18ピッチ分の行が入るため、ピンホールアレー像の1ピッチ分間隔Piの1/18ピッチ、即ちPi/18の分解能で露光することが可能になる。このようにもともとの2次元空間変調器2の開口の像に比べて小さなピンホール像を結像しているため、解像度が高くなるだけでなく、このピンホールピッチの1/18の分解能で露光できることになる。
なお、分解能は小さすぎても実効的に効果が無いし、大きすぎるとパタンが斜めになったときパターンエッジがギザギザになり、滑らかさが無くなる。従って分解能をピンホールアレー像の1ピッチ分間隔Piの1/60〜1/7(Δφ=0.5°〜8°)にすることが望ましい。
次に、インテグレータ13と、ロッドレンズ131と、照射領域Hx×Hyの関係について説明する。
上記したように、インテグレータのx、y方向の寸法はDx及びDyである。また、ロッドレンズ131のx、y方向の寸法はdx及びdy、ロッドレンズ131から出た光のxy方向の広がり角度(発散角)はθx、θyである。また、第2の光学系の焦点距離はfx、fyであり、2次元空間変調器の光変調面のx、y方向の寸法はHx及びHyである。
いま、2次元空間変調器を照明する(第2の光学系を出射した)光のx、y方向の指向性をNAσx及びNAσyとすると、NAσx及びNAσyは式9,10で表される。
NAσx=Dx/2fx ・・・式9
NAσy=Dy/2fy ・・・式10
ここで、x、y方向の指向性を同一(NAσx=NAσy)にするためには、式9,10から式11を満足させる必要がある。
Dx/Dy=fx/fy ・・・式11
また、ロッドレンズ131の発散角がθx、θyである場合、2次元空間変調器2の光変調面21Bに照射する照明光の広がりWx及びWyは式12,13で与えられる。
Wx=fx・θx=fx・ndx/2L ・・・式12
Wy=fy・θy=fy・ndy/2L ・・・式13
以上から、Wx=Hx、Wy=Hyとし、Hx/Hyを決め、
(1)θx、θyを決めると、式12、13からfy、fxが定まり、
(2)fy、fxが定まると、式11からDx,DYを定めることができる。
次に、具体例として、例えば、Hx/Hy=2.5とする場合について説明する。
いま、θx:θy=1.6:1とすると、式12,13から、fx/fy=1.6となる。fx/fy=1.6を式11に代入すると、Dx/Dy=1.6になる。
Dx/Dy=θx:θy=1.6であるから、ロッドレンズ131x、y方向に同数積み重ねたインテグレータにすればよい。
すなわち、fx:fy=1.6:1の第2の光学系15であれば、Dx:Dy=1.6:1のインテグレータ13であっても、2次元光空間変調器の光変調面21Bを2.5:1にすることができる。また、1個のロッドレンズのdx:dyを1.6:1という1に近い形状にすることができる。
換言すると、第2の光学系のxy方向の焦点距離をfx:fy=1.6:1にすることにより、ロッドレンズ131の開口比Krが1.6:1であっても、光変調面21Bの開口比Khを2.5:1にすることができる。
なお、実際の装置では、この値に限られることはなく、各関係に±25%程度の範囲を設けることができる。すなわち、例えば、NAσx/NAσyを0.75〜1.25にすることができる。このようにすると、例えば、Hx/Hyを3.5以上にすることが可能であることを確認した。
以上説明したように、本発明に依れば、光源を出射した光を効率よく開口比が大きい2次元空間変調器にむらなく一様に照明することができるので、露光速度を速くすることができる。
なお、上記実施例では光源として半導体レーザ(LD)を用いたが、LDに代えて、半導体レーザ以外のレーザ、水銀ランプ、比較的指向性を高めた発光ダイオード等を用いてもよい。
また、第2の光学系におけるシリンドリカルレンズは、x方向またはy方向にパワーを有するシリンドリカルレンズを1つだけ用いるようにしてもよいし、xy方向で異なるパワーを有するトロイダルレンズを用いてもよい。
また、上記実施例で説明した照明装置はマスクレス露光に限らず、正方形から外れた横長の照明領域を一様に効率よく照明しようとする場合に広く適用できる。例えばパターン検査装置でステージを高速で走査しながら走査方向と直角な方向に広い範囲で検出しようとする場合にも適用できる。
本発明に係る露光装置の構成図である。 本発明に係る光源部の斜視図である。 インテグレータの入射面の平面図である。 本発明に係る第2の光学系の前側焦点と後ろ側焦点の関係を示す図である。 投影系の中心軸O方向の構成図である。 マイクロレンズアレーの構成図である。 ピンホールアレーの構成図である。 マイクロレンズアレーとピンホールアレーの関係を示す図である。 マイクロレンズに入射する光とピンホールの関係を示す図である。 露光基板上に形成されるピンホールアレーの像を示す図である。 2次元空間変調器の平面図である。
符号の説明
13 インテグレータ
15 第2の光学系
21 2次元空間変調器
13 インテグレータ
131 ロッドレンズ
fx 第2の光学系15のx方向の焦点距離
fy 第2の光学系15のy方向の焦点距離
Hx 2次元空間変調器の照射領域のx方向の幅
Hy 2次元空間変調器の照射領域のy方向の幅

Claims (2)

  1. 露光光源と該露光光源より出射した光を指向性の高い光ビームに形成するビーム形成手段と、上記指向性の高いビームをインテグレータに導く第1の光学系と、インテグレータと、該インテグレータ出射光を2次元光空間変調器に照射せしめる第2の光学系と、2次元光空間変調器と、該2次元光空間変調器を反射もしくは透過した光を投影光学系により露光基板上に投影露光する投影光学系と、露光基板を搭載し、少なくとも1方向に走査するステージとからなる基板露光装置であって、上記第2の光学系は光軸に直交するxy2方向の焦点距離が異なる光学系であることを特徴とする基板露光装置。
  2. 光源と該光源より出射した光を指向性の高い光ビームに形成するビーム形成手段と、上記指向性の高いビームをインテグレータに導く第1の光学系と、インテグレータと、該インテグレータ出射光を被照射物に照射せしめる第2の光学系とからなる照明装置であって、上記第2の光学系は光軸に直交するxy2方向の焦点距離が異なる光学系であることを特徴とする照明装置。
JP2006270173A 2006-09-30 2006-09-30 基板露光装置 Active JP4511502B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006270173A JP4511502B2 (ja) 2006-09-30 2006-09-30 基板露光装置
CN2007101360837A CN101154054B (zh) 2006-09-30 2007-07-17 基板曝光装置及照明装置
DE102007038704.2A DE102007038704B4 (de) 2006-09-30 2007-08-16 Substratbelichtungsvorrichtung
US11/839,863 US7755741B2 (en) 2006-09-30 2007-08-16 Substrate exposure apparatus and illumination apparatus
HK08110555.8A HK1121536A1 (en) 2006-09-30 2008-09-23 Substrate exposure apparatus and illumination apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006270173A JP4511502B2 (ja) 2006-09-30 2006-09-30 基板露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008089935A true JP2008089935A (ja) 2008-04-17
JP4511502B2 JP4511502B2 (ja) 2010-07-28

Family

ID=39134625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006270173A Active JP4511502B2 (ja) 2006-09-30 2006-09-30 基板露光装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7755741B2 (ja)
JP (1) JP4511502B2 (ja)
CN (1) CN101154054B (ja)
DE (1) DE102007038704B4 (ja)
HK (1) HK1121536A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8215776B2 (en) * 2009-01-07 2012-07-10 Eastman Kodak Company Line illumination apparatus using laser arrays
CN103293863B (zh) * 2012-02-24 2015-11-18 上海微电子装备有限公司 一种光刻照明系统
CN111025605B (zh) * 2019-12-25 2021-09-28 辽宁中蓝光电科技有限公司 一种自由曲面广角摄像镜头
CN113189780B (zh) * 2021-04-21 2023-03-24 吉林省长光瑞思激光技术有限公司 一种可实现激光圆方光斑变化的光路整形系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07248462A (ja) * 1994-03-08 1995-09-26 Topcon Corp 照明光学系
JP2001255665A (ja) * 2000-03-14 2001-09-21 Fuji Photo Film Co Ltd 画像露光装置
JP2003523641A (ja) * 2000-02-16 2003-08-05 エイエスエムエル ユーエス, インコーポレイテッド フォトリソグラフィで用いるズーム照明系
JP2004039871A (ja) * 2002-07-03 2004-02-05 Hitachi Ltd 照明方法並びに露光方法及びその装置
JP2005062847A (ja) * 2003-07-31 2005-03-10 Fuji Photo Film Co Ltd 露光ヘッド

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60232552A (ja) * 1984-05-02 1985-11-19 Canon Inc 照明光学系
JPH05217855A (ja) * 1992-02-01 1993-08-27 Nikon Corp 露光用照明装置
US5335044A (en) * 1992-02-26 1994-08-02 Nikon Corporation Projection type exposure apparatus and method of exposure
EP0991959B1 (en) * 1996-02-28 2004-06-23 Kenneth C. Johnson Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy
JPH09325275A (ja) * 1996-06-04 1997-12-16 Canon Inc 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
US6583937B1 (en) * 1998-11-30 2003-06-24 Carl-Zeiss Stiftung Illuminating system of a microlithographic projection exposure arrangement
US6563567B1 (en) * 1998-12-17 2003-05-13 Nikon Corporation Method and apparatus for illuminating a surface using a projection imaging apparatus
US6960035B2 (en) * 2002-04-10 2005-11-01 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser apparatus, exposure head, exposure apparatus, and optical fiber connection method
US6876494B2 (en) * 2002-09-30 2005-04-05 Fuji Photo Film Co., Ltd. Imaging forming apparatus
JP4401802B2 (ja) 2004-02-04 2010-01-20 キヤノン株式会社 カメラ
WO2005109098A1 (en) * 2004-05-12 2005-11-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Pattern forming material, pattern forming apparatus, and pattern forming process
US7251020B2 (en) * 2004-07-30 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7085066B2 (en) * 2004-08-20 2006-08-01 Panavision International, L.P. Anamorphic imaging system

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07248462A (ja) * 1994-03-08 1995-09-26 Topcon Corp 照明光学系
JP2003523641A (ja) * 2000-02-16 2003-08-05 エイエスエムエル ユーエス, インコーポレイテッド フォトリソグラフィで用いるズーム照明系
JP2001255665A (ja) * 2000-03-14 2001-09-21 Fuji Photo Film Co Ltd 画像露光装置
JP2004039871A (ja) * 2002-07-03 2004-02-05 Hitachi Ltd 照明方法並びに露光方法及びその装置
JP2005062847A (ja) * 2003-07-31 2005-03-10 Fuji Photo Film Co Ltd 露光ヘッド

Also Published As

Publication number Publication date
CN101154054A (zh) 2008-04-02
US7755741B2 (en) 2010-07-13
HK1121536A1 (en) 2009-04-24
DE102007038704A1 (de) 2008-04-03
US20080079921A1 (en) 2008-04-03
DE102007038704B4 (de) 2020-07-02
JP4511502B2 (ja) 2010-07-28
CN101154054B (zh) 2011-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3102076B2 (ja) 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP4775842B2 (ja) パターン描画装置
JP4805797B2 (ja) 照明光学システム
JP5286744B2 (ja) 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
US20090219491A1 (en) Method of combining multiple Gaussian beams for efficient uniform illumination of one-dimensional light modulators
JP2005316349A (ja) パターン露光方法およびパターン露光装置
JP2012174936A (ja) 照明光学系、露光装置及びデバイス製造方法
CN110456612A (zh) 一种高效率投影光刻成像系统及曝光方法
KR20200062316A (ko) 조명 광학계, 노광 장치 및 물품의 제조 방법
JP4511502B2 (ja) 基板露光装置
JP4679249B2 (ja) パターン描画装置
JP2007242775A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP2008210814A (ja) 変調器
JP2008242238A (ja) 露光装置
JP2009205011A (ja) 照明光学系、露光装置及びデバイス製造方法
TWI649632B (zh) Exposure device and exposure method
JP2007080953A (ja) 照明装置及び露光装置
US6903859B2 (en) Homogenizer
CN111352311B (zh) 一种双光子无掩膜曝光系统
JP4302716B2 (ja) 光ビームの軸間ピッチ変換装置および基板露光装置
JP2015005676A (ja) 照明光学系、照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP4463537B2 (ja) パターン露光装置
JP4208141B2 (ja) 画像露光方法および装置
JP4541010B2 (ja) パターン露光装置および二次元光像発生装置
JP7465636B2 (ja) 描画装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080917

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090224

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090427

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090825

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091022

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100427

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100506

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4511502

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140514

Year of fee payment: 4

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250