JP2008083386A - 液晶表示素子 - Google Patents

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Abstract

【課題】広視野で、しかも表示むらを生じることがない良好な表示品質の横電界制御型液晶表示素子を提供する。
【解決手段】対向する内面に、平行で且つ逆向き方向の配向処理が施された一対の基板間に液晶層を封入し、一方の基板2の内面に、1つの画素を形成する単位領域に、細長形状の複数の電極部41が並列に形成され、2つの細長辺部42a,42bを“く”の字形状に屈曲させ、2つの細長辺部42a,42bが互いに交差する屈曲部が、一方の細長辺部42aに繋がる側が前記一方の細長辺部42aに対して配向処理方向1a,2aに対する傾き角が大きくなる方向に屈曲し、他方の細長辺部42bに繋がる側が前記他方の細長辺部42bに対して配向処理方向1a,2aに対する傾き角が大きくなる方向に屈曲した形状に形成された複数の画素電極4と前記画素電極4と絶縁して配置され、前記複数の細長電極部41との間に横電界を生成する対向電極5とを設けた。
【選択図】図1

Description

この発明は、横電界制御型の液晶表示素子に関する。
液晶表示素子として、予め定めた間隙を設けて対向配置され、互いに対向する内面それぞれに、互いに平行で且つ逆向き方向の配向処理が施された一対の基板間の間隙に、液晶層を、液晶分子の分子長軸を前記配向処理方向に揃えて前記基板面と実質的に平行に配列させて封入し、前記一対の基板のうちの一方の基板の内面に、1つの画素を形成するための予め定めた単位領域に、細長形状の複数の細長電極部が間隔を設けて並列に形成された第1の電極と、前記第1の電極よりも前記一方の基板側に前記第1の電極と絶縁して配置され、前記第1の電極との間への電圧の印加により、前記第1の電極の複数の細長電極部との間に、前記液晶分子の分子長軸の向きを前記基板面と実質的に平行な方向に変化させる横電界を生成する第2の電極とを設けた横電界制御型のものがある。
この横電界制御型液晶表示素子は、前記第1の電極の複数の細長電極部と第2の電極と電極間に表示データに対応した横電界を生成することにより、前記第1と第2の電極とが対応する領域からなる複数の画素の液晶分子の分子長軸の向きを、前記基板面と実質的に平行な面内において制御して画像を表示する。
ところで、前記横電界制御型液晶表示素子においては、視野角による色ずれが無い広視野の表示を行なうために、前記第1の電極の複数の細長電極部を、“く”の字形状に屈曲した形状に形成し、その屈曲部を挟む2つの細長辺部のうちの一方の細長辺部と前記第2の電極との間に生成する横電界の向きと、他方の細長辺部と前記第2の電極との間に生成する横電界の向きとを互いに異ならせることにより、各画素内において液晶分子を異なる2つの方向に配列させることが望まれている(特許文献1参照)。
特開2002−182230号公報
しかし、前記第1の電極の複数の細長電極部を“く”の字形状に屈曲した形状に形成した横電界制御型液晶表示素子は、強い横電界を生成したときに、前記細長電極部の一方の細長辺部の一側縁に沿った領域の液晶分子と、前記細長電極部の他方の細長辺部の他側縁に沿った領域の液晶分子が、基板内面の配向処理によるプレチルトの傾きとは逆の傾きにチルトし、表示むらを生じるという問題をもっている。
この発明は、広視野で、しかも表示むらの無い良好な表示品質の横電界制御型液晶表示素子を提供することを目的としたものである。
この発明の液晶表示素子は、
予め定めた間隙を設けて対向配置され、互いに対向する内面それぞれに、互いに平行で且つ逆向き方向の配向処理が施された一対の基板と、
前記一対の基板間の間隙に封入され、液晶分子がその分子長軸を前記配向処理方向に揃えて前記基板面と実質的に平行に配列した液晶層と、
前記一対の基板の互いに対向する内面のうちの一方の基板の内面に設けられ、1つの画素を形成するための予め定めた単位領域に、細長形状の複数の電極部が間隔を設けて並列に形成され、且つ前記複数の細長電極部それぞれが、前記配向処理の方向に対して異なる角度で延びる2つの細長辺部がそれぞれの一方端で交差する形状に屈曲し、前記2つの細長辺部を繋ぐ部分が、それぞれ前記細長辺部からさらに前記配向処理方向に対する傾き角が大きくなる方向に屈曲する屈曲部を有する形状に形成された第1の電極と、
一方の基板の内面の前記第1の電極よりも前記一方の基板側に前記第1の電極と絶縁して配置され、前記第1の電極との間への電圧の印加により、前記第1の電極の前記複数の細長電極部との間に、前記液晶分子の分子長軸の向きを前記基板面と実質的に平行な方向に変化させる横電界を生成する第2の電極と、
を備えたことを特徴とする。
この発明の液晶表示素子によれば、強い横電界の生成により、液晶分子が、前記配向処理によるプレチルトの傾きとは逆の傾きにチルトすることは無く、したがって、表示むらの無い良好な表示品質を得ることができる。
図1〜図8はこの発明の一実施例を示しており、図1は液晶表示素子の一方の基板の一部分の平面図、図2は前記液晶表示素子の図1のII−II線に沿う断面図である。
この液晶表示素子は、図1及び図2のように、予め定めた間隙を設けて対向配置された観察側(図2において上側)及びその反対側の一対の透明基板1,2と、前記一対の基板1,2間の間隙に封入された液晶層3と、前記一対の基板1,2の互いに対向する内面のうちの一方の基板の内面、例えば観察側とは反対側の基板2の内面に、互いに絶縁して設けられ、電圧の印加により前記基板1,2面と実質的に平行な横電界を生成し、この横電界によって前記液晶層3の液晶分子の分子長軸の向きを制御する複数の画素100をマトリックス状に配列させて形成するための第1と第2の透明電極44と、前記一対の基板1,2の外面にそれぞれ配置された観察側及びその反対側の一対の偏光板19,20とを備えている。
以下、前記観察側の基板1を前基板、観察側とは反対側の基板2を後基板、前記前基板1の外面に配置された観察側の偏光板19を前側偏光板、前記後基板2の外面に配置された反対側の偏光板20を後側偏光板という。
前記一対の基板1,2は、図示しない枠状のシール材を介して接合されており、前記液晶層3は、前記一対の基板1,2間の間隙の前記シール材により囲まれた領域に封入されている。
この液晶表示素子は、アクティブマトリックス液晶表示素子であり、前記後基板2の内面に互いに絶縁して設けられた第1と第2の電極44のうち、第1の電極4は、行方向(画面の左右方向)及び列方向(画面の上下方向)にマトリックス状に配列させて配置された複数の画素電極、第2の電極5は、前記各行毎に、その行の各画素電極4に対応させて配置された対向電極である。
そして、前記前記後基板2の内面には、前記複数の画素電極4と前記対向電極5とが対応する領域からなる複数の画素100にそれぞれ対応させて配置された複数の能動素子6と、前記行方向に配列された複数の画素100からなる各画素行毎に配置された複数の走査線12と、前記列方向に配列された複数の画素100からなる各画素列毎に配置された複数の信号線13とが設けられている。
前記能動素子6は、信号の入力電極10及び出力電極11と、前記入力電極10と出力電極11との間の導通を制御する制御電極7とを有しており、前記制御電極7が各行毎に走査線12に接続され、前記入力電極10が各列毎に信号線13に接続され、前記出力電極11が前記画素電極4に接続されている。
前記能動素子6は、例えばTFT(薄膜トランジスタ)であり、前記後基板2の基板面上に形成されたゲート電極(制御電極)7と、前記ゲート電極7を覆って後基板2の略全面に形成された透明なゲート絶縁膜8と、このゲート絶縁膜8の上に前記ゲート電極7と対向させて形成されたi型半導体膜9と、前記i型半導体膜9の両側部の上にn型半導体膜(図示せず)を介して設けられたドレイン電極(入力電極)10及びソース電極(出力電極)11とからなっている。
前記複数の走査線12は、前記後基板2の基板面上に、前記各画素行の一側(図1において下側)に沿わせて前記画素行と平行に形成され、各行のTFT6のゲート電極7にそれぞれ接続されており、前記複数の信号線13は、前記ゲート絶縁膜8の上に、前記各画素列の一側(図1において左側)に沿わせて前記画素列と平行に形成され、各列のTFT6のドレイン電極10にそれぞれ接続されている。
なお、前記後基板2の縁部には、前記前基板1の外方に張出す端子配列部(図示せず)が形成されており、前記複数の走査線12及び複数の信号線13は、前記端子配列部に設けられた複数の走査線端子及び信号線端子に接続されている。
そして、前記複数の画素電極4は、前記複数のTFT6及び信号線13を覆って前記後基板2の略全面に形成された透明な層間絶縁膜14の上に形成されており、前記対向電極5は、前記ゲート絶縁膜8の上に形成されている。すなわち、前記対向電極5は、前記複数の画素電極4よりも前記後基板2側に、前記層間絶縁膜14により前記複数の画素電極4と絶縁して配置されている。
前記複数の画素電極4は、それぞれ、1つの画素100を形成するための予め定めた単位領域、例えば画面の上下方向に沿う縦幅が、前記画面の左右方向に沿う横幅よりも大きい縦長の矩形形状の領域に、前記単位領域の縦幅方向の略全長にわたる長さを有する細長形状の複数の複数の電極部41が間隔を設けて並列に形成された第1の透明導電膜(例えばITO膜)40からなっている。
なお、前記画素電極4の複数の細長電極部41は、前記第1の導電膜40に複数のスリットを設けることにより形成されており、これらの細長電極部41は、それぞれの両端において、前記第1の導電膜40の両端縁に形成された共通接続部45a,45bに接続されている。
そして、前記第1の導電膜40の一端縁(図1において下端縁)の共通接続部45dの一端側は、前記TFT6のソース電極11上に前記層間絶縁膜14を介して重なっており、前記層間絶縁膜14に設けられた図示しないコンタクト孔において前記ソース電極11に接続されている。
また、前記対向電極5は、前記各画素行毎にその全長にわたって設けられ、各行の複数の画素100の全域に対応する形状に形成された第2の透明導電膜(例えばITO膜)50からなっている。
なお、この実施例では、前記第2の導電膜50を、図1のように、前記各行の複数の画素100にそれぞれ対応する領域を、画素形状に対応した縦長矩形状の電極部51にパターニングし、これらの矩形状電極部51を、その一端側(走査線12が設けられた側とは反対側)において共通接続部52により接続した形状に形成しているが、この第2の導電膜50は、前記画素行の全長にわたって前記画素100の縦幅に対応する幅に形成してもよい。
前記第2の導電膜50は、前記複数の信号線13の上を横切って形成されており、この導電膜50と前記信号線13との交差部は、前記信号線13を覆って設けられた図示しない絶縁膜により絶縁されている。
そして、前記各画素行にそれぞれ対応する複数の第2の導電膜50は、前記複数の画素電極4の配列領域の一端側の外側において共通接続されており(図示せず)、その共通接続部は、前記後基板2の前記端子配列部に設けられた対向電極端子に接続されている。
前記第2の導電膜50からなる対向電極5は、前記画素電極4との間への電圧の印加により、前記画素電極4の複数の細長電極部41との間に、前記液晶分子3aの分子長軸の向きを前記基板1,2面と実質的に平行な方向に変化させる横電界を生成する。
一方、前記前基板1の内面には、前記複数の画素100の間の領域及び前記複数のTFT6に対応する遮光膜15が形成されており、その上に、前記複数の画素100にそれぞれ対応させて、赤、緑、青の3色のカラーフィルタ16R,16G,16Bが設けられている。
さらに、前記一対の基板1,2の内面にはそれぞれ、前記前基板1に設けられたカラーフィルタ16R,16G,16B及び前記後基板2に設けられた複数の画素電極4を覆って、前記液晶層3の液晶分子3aを、前記基板1,2面と実質的に平行な方向に分子長軸を向けて配向させる配向性を有するポリイミド膜等の水平配向膜17,18が形成されている。
そして、前記一対の基板1,2の内面はそれぞれ、前記配向膜17,18の膜面をそれぞれ予め定めた方向にラビングすることにより、互いに平行で且つ逆向き方向に配向処理されている。
図3は前記画素電極4及び対向電極5の一部分の拡大平面図、図4は前記画素電極4の1つの細長電極部41の拡大平面図である。
図1、図3及び図4において、1aは前基板1の内面の配向処理方向(配向膜17のラビング方向)、2aは後基板1の内面の配向処理方向(配向膜18のラビング方向)を示しており、この実施例では、前基板1の内面を、画面の下方向から上方向に向かって前記画面の上下方向と平行に配向処理し、後基板2の内面を、画面の上方向から下方向に向かって前記画面の上下方向と平行に配向処理している。
そして、前記画素電極4の複数の細長電極部41はそれぞれ、図3及び図4のように、2つの細長辺部42a,42bがそれぞれ前記配向処理方向1a,2aに対して異なる角度で交差させて形成され、前記矩形形状の単位領域の縦幅方向の中央部において、2つの細長辺部42a,42bが互いに交差する部分で繋がった実質的に“く”の字形状に屈曲し、且つ、前記2つの細長辺部42a,42bを繋ぐ部分が、一方の細長辺部42aに繋がる側が前記一方の細長辺部42aに対して前記配向処理方向1a,2aに対する傾き角が大きくなる方向に屈曲し、他方の細長辺部に繋がる側が前記他方の細長辺部42bに対して前記配向処理方向1a,2aに対する傾き角が大きくなる方向に屈曲した形状に形成されており、前記2つの細長辺部42a,42bを繋ぐ屈曲部43a,43bと前記細長辺部41a,42bとの繋がり部はそれぞれ、その一方と他方の両側縁同士が滑らかに連続する円弧状に形成されている。
すなわち、前記細長電極部41は、前記配向処理方向1a,2aに対して傾き方向が異なる第1の傾きをもった2つの細長辺部42a,42bと、前記2つの細長辺部42a,42bが互いに繋がる部分において、前記配向処理方向1a,2aに対して前記第1の傾きよりも傾き各画大きく、且つ傾き角方向が異なる第2の傾きをもった2つの屈曲部43a,43bとが連続した形状に形成されている。
なお、前記細長電極部41の前記2つの細長辺部42a,42bは、実質的に同じ幅に形成されており、その一方の細長辺部42aの幅Wと、隣合う細長電極部41の前記一方の細長辺部42a,42a間の間隔Dとの比D/W、及び他方の細長辺部42bの幅Wと、隣合う細長電極部41の前記他方の細長辺部42b,42b間の間隔Dとの比D/Wは、それぞれ、1/3〜3/1、好ましくは1/1に設定されている。
また、前記画素電極4の複数の細長電極部41の2つの細長辺部42a,42bの前記配向処理方向1a,2aに対する傾き角と、前記2つの細長辺部42a,42bを繋ぐ2つの屈曲部43a,43bの前記配向処理方向1a,2aに対する傾き角は、前記細長辺部42a,42bの傾き角をθa、前記屈曲部43a,43bの傾き角をθbとしたとき、
0°<θa<20°
20°<θb<40°
に設定されている。
さらに、前記2つの細長辺部42a,42bの長さと、前記2つの細長辺部42a,42bを繋ぐ2つの屈曲部43a,43bの長さは、前記細長辺部42a,42bの長さをLa、前記屈曲部43a,43bの長さをLbとしたとき、
La>nLb(n;3〜5)
10Lb>La>4Lb
に設定されている。
また、前記画素電極4の複数の細長電極部41の2つの細長辺部42a,42bの端部にはそれぞれ、その細長辺部42a,42bに繋がり、前記細長辺部42a,42bに対して前記配向処理方向1a,2aに対する傾き角が大きくなる方向に屈曲した端部屈曲部44a,44bが形成されており、これらの端部屈曲部44a,44bと前記細長辺部41a,42bとの繋がり部はそれぞれ、その一方と他方の両側縁同士が滑らかに連続する円弧状に形成されている。
前記2つの細長辺部42a,42bの端部にそれぞれ形成された端部屈曲部44a,44bの前記配向処理方向1a,2aに対する傾き角は、その傾き角をθcとしたとき、
20°<θc<40°
に設定されており、この端部屈曲部44a,44bの長さは、その長さをLcとしたとき、前記細長電極部41の細長辺部42a,42bの長さLaに対して、
La>nLc(n;3〜5)
10Lc>La>4Lc
となる値に設定されている。
すなわち、前記細長電極部41の両端の端部屈曲部44a,44bは、前記2つの細長辺部42a,42bを繋ぐ屈曲部43a,43bと実質的に同じ傾き角及び長さに形成されている。
前記画素電極4の複数の細長電極部41の2つの細長辺部42a,42bの前記配向処理方向1a,2aに対する傾き角θaは、10°±5°、より望ましくは10°±2°に設定し、前記2つの細長辺部42a,42bを繋ぐ屈曲部43a,43bと、前記端部屈曲部44a,44bの前記配向処理方向1a,2aに対する傾き角θb,θcは、30°±5°、より望ましくは30°±2°に設定するのが好ましい。
なお、前記画素電極4の複数の細長電極部41のうち、前記TFT6に接続される側の細長電極部41のTFT接続端側の細長辺部42bは、前記TFT6のソース電極11に対応する領域を避けて、他の細長電極部41の細長辺部42bよりも短い長さに形成されている。
また、前記液晶層3は、正の誘電異方性を有するネマティック液晶からなっており、この液晶層3の液晶分子3aは、その分子長軸を前記配向処理方向1a,2aに揃えて前記基板1,2面と実質的に平行に配列している。
図5は、図3のV−V線に沿うハッチングを省略した拡大断面図であり、前記液晶分子3aは、図3及び図5のように、分子長軸を前記配向処理方向1a,2aに揃え、且つ一方の基板面、例えば後基板2面に対して、前記後基板2の内面の配向処理方向2aに向かって前記後基板2から離れる方向に一様にプレチルトした状態で前記基板1,2面と実質的に平行に配列している。
また、前記前基板1とその外面に配置された前側偏光板19との間には、前記前基板1の全面にわたって、外部からの静電気を遮断するための一枚膜状の透明な静電気遮断導電膜21が設けられている。
この液晶表示素子は、前記複数の画素100の画素電極4と対向電極5との間に、表示データに対応した駆動電圧を印加することにより、前記画素電極4の複数の細長電極部41と前記対向電極5との間に、前記液晶分子3aの分子長軸の向きを前記基板1,2面と実質的に平行な方向に変化させる横電界を生成し、この横電界によって前記複数の画素100の液晶分子3aの分子長軸の向きを、前記基板1,2面と実質的に平行な面内において制御して画像を表示する。
前記画素電極4と対向電極5との間に印加する駆動電圧は、表示データに応じて、前記横電界を生成しない実質的に0Vの最小値から、前記画素電極4の細長電極部41の細長辺部42a,42bに沿った領域の液晶分子3aを、前記配向処理方向1a,2aに対して実質的に45°の方向に分子長軸を向けて配列させる強さの横電界を生成する最大値の範囲で制御される。
なお、この実施例の液晶表示素子は、例えば、前側偏光板19と後側偏光板20の一方の透過軸を、前記配向処理方向1a,2aと実質的に平行にするか或いは実質的に直交させ、他方の偏光板の透過軸を前記一方の偏光板の透過軸に対して実質的に直交させた無電界暗表示型(以下、ノーマリーブラック型という)のものであり、前記画素電極4と対向電極5との間に横電界を生成しない無電界時、つまり液晶分子3aが図3のように前記配向処理方向1a,2aに分子長軸を揃えて配列したときに、その画素100の表示が黒になり、前記画素電極4と対向電極5との間に、前記画素電極4の細長電極部41の細長辺部42a,42bの細長辺部42a,42bに沿った領域の液晶分子3aを、前記配向処理方向1a,2aに対して実質的に45°の方向に分子長軸を向けて配列させる強さの横電界を生成したときに、その画素100の表示が最も明るい明表示になる。
図6は、前記画素電極4と対向電極5との間に、前記画素電極4の細長電極部41の細長辺部42a,42bに沿った領域の液晶分子3aを、前記配向処理方向1a,2aに対して実質的に45°の方向に分子長軸を向けて配列させる強さの横電界を生成したときの1つの画素100内の各部の液晶分子3aの分子長軸の向きを示す平面図、図7は図6のVII−VII線に沿うハッチングを省略した拡大断面図、図8は図6のVIII−VIII線に沿うハッチングを省略した拡大断面図である。
図6及び図8のように、横電界Eは、前記画素電極4の複数の細長電極部41の一側縁及び他側縁と、前記対向電極5の前記細長電極部41に隣接する部分との間に生成する。
この横電界Eは、前記画素電極4の複数の細長電極部41の側縁に対して直交する方向の電界であり、液晶分子3aは、前記横電界Eの生成により、前記横電界Eの向きに対する分子長軸の角度が小さくなる方向に向きを変える。
そして、この液晶表示素子は、前記画素電極4の複数の細長電極部41を、実質的に“く”の字形状に屈曲し、その2つの細長辺部42a,42bがそれぞれ前記一対の基板1,2の内面の配向処理方向1a,2aに対して実質的に同じ角度で交差する形状に形成しているため、図6に示したように、前記画素電極4の複数の細長電極部41の一方の細長辺部42aと前記対向電極5との間に生成する横電界Eの向きと、前記細長電極部41の他方の細長辺部42bと前記対向電極5との間に生成する横電界Eの向きとを互いに異ならせ、各画素100内において液晶分子3aを異なる2つの方向に配列させて、視野角による色ずれが無い広視野の表示を行なうことができる。
しかも、この液晶表示素子は、前記画素電極4の複数の細長電極部41の2つの細長辺部42a,42bを繋ぐ部分を、一方の細長辺部42aに繋がる側が前記一方の細長辺部42aに対して前記配向処理方向1a,2aに対する傾き角が大きくなる方向に屈曲し、他方の細長辺部42bに繋がる側が前記他方の細長辺部42bに対して前記配向処理方向1a,2aに対する傾き角が大きくなる方向に屈曲した形状に形成しているため、前記画素電極4と対向電極5との間に、前記画素電極4の細長電極部41の細長辺部42a,42bに沿った領域の液晶分子3aを、前記配向処理方向1a,2aに対して実質的に45°或いはそれに近い方向に分子長軸を向けて配列させる強い横電界Eを生成したときも、液晶分子3aが、前記配向処理によるプレチルトの傾きとは逆の傾きにチルトすることは無い。
すなわち、図9の比較例に示すように、“く”の字形状の電極では、前記横電界Eは、前記画素電極4の複数の細長電極部41の一側縁及び他側縁と、前記対向電極5の前記細長電極部41に隣接する部分との間に生成し、前記細長電極部41の一側縁と対向電極5との間に生成する横電界Eと、前記細長電極部41の他側縁と対向電極5との間に生成する横電界Eは、互いに逆向きとなる。
そして、前記画素電極4の複数の細長電極部41は、実質的に“く”の字形状に屈曲し、その2つの細長辺部42a,42bがそれぞれ前記配向処理方向1a,2aに対して逆の傾き角で交差する形状に形成されているため、前記画素電極4の細長電極部41の一方の細長辺部42aの一側縁及び他側縁と対向電極5との間に生成する横電界Eのうちの前記一側縁側に生成する横電界Eと、前記細長電極部41の他方の細長辺部42bの一側縁及び他側縁と対向電極5との間に生成する横電界Eのうちの前記他側縁側に生成する横電界Eはそれぞれ、液晶分子3aを、基板内面の配向処理によるプレチルトの傾きとは逆の傾きにチルトさせる向きの電界(以下、逆向き電界という)である。
そのため、前記画素電極4の複数の細長電極部41の形状が、2つの細長辺部42a,42bが“く”の字形状であると、前記画素電極4と対向電極5との間に強い横電界Eを生成したときに、液晶分子3aに作用する横電界Eのチルト配向力が、基板内面の配向処理による液晶分子3aのプレチルト配向力(配向膜17,18の配向力)よりも強くなり、前記細長電極部41の一方の細長辺部42aの一側縁に沿った逆向き電界生成領域の液晶分子3aと、他方の細長辺部42bの他側縁に沿った逆向き電界生成領域の液晶分子3aが、前記基板内面の配向処理によるプレチルトの傾きとは逆の傾きにチルトする。
すなわち、前記横電界Eが、液晶分子3aの分子長軸方向を前記配向処理方向1a,2aに対して小さい角度で変化させる弱い電界であるときは、液晶分子3aが、基板内面のプレチルト配向力により、前記逆向き電界生成領域においても、前記基板内面の配向処理によるプレチルトの傾き方向にチルトした状態で向きを変えるが、前記横電界Eが、液晶分子3aの分子長軸方向を前記配向処理方向1a,2aに対して大きい角度で変化させる強い電界であるときは、前記配向処理方向1a,2aに対する液晶分子3aの分子長軸方向の角度が大きくなるのに伴って、基板内面のプレチルト配向力よりも横電界Eによる力が強く液晶分子3aに作用し、前記逆向き電界生成領域の液晶分子3aが、前記配向処理によるプレチルトの傾きとは逆の傾きにチルトする。
この横電界Eによる液晶分子3aの逆チルト(基板内面の配向処理によるプレチルトの傾きとは逆の傾きのチルト)は、前記“く”の字形状の屈曲点に対応する部分から現れ、前記横電界Eが強くなるのに伴って、逆チルト領域が、前記2つの細長辺部42a,42bに沿って長く、大きくなる。
図9は、画素電極4の複数の細長電極部41を、2つの細長辺部42a,42bが直接繋がった“く”の字形状に形成した比較例における、画素電極4と対向電極5との間に、前記画素電極4の細長電極部41の細長辺部42a,42bの近傍の液晶分子3aを、前記配向処理方向1a,2aに対して実質的に45°の方向に分子長軸を向けて配列させる強さの横電界を生成したときの1つの画素100内の各部の液晶分子3aの分子長軸の向きを示す平面図、図10は図9のX−X線に沿うハッチングを省略した拡大断面図、図11は図9のXI−XI線に沿うハッチングを省略した拡大断面図である。
図9〜図11のように、画素電極4の複数の電極部41を、2つの細長辺部42a,42bが直接繋がった“く”の字形状に形成した比較例では、画素電極4と対向電極5との間に強い横電界Eを生成したときに、図9において上側の細長辺部42aの右側縁に沿った領域S1の液晶分子3aと、下側の細長辺部42bの左側縁に沿った領域S2の液晶分子3aが、基板内面の配向処理によるプレチルトの傾き(図において、太く塗りつぶした分子端側から見て斜め右下方向に向かって後基板2から離れる方向の傾き)とは逆の傾き(斜め左上方向に向かって後基板2から離れる方向の傾き)にチルトする。
そのため、この比較例では、画素電極4と対向電極5との間に強い横電界Eを生成したときに、各画素内に、液晶分子3aが逆チルト(プレチルトの傾きとは逆の傾きのチルト)した前記領域S1,S2と、液晶分子3aの逆チルトが生じない他の領域とができ、これらの領域の液晶分子3aのチルト方向の違いによる表示むらを生じる。
この比較例に対し、上記実施例の液晶表示素子は、画素電極4の複数の細長電極部41の2つの細長辺部42a,42bを繋ぐ部分を、一方の細長辺部42aに繋がる側が前記一方の細長辺部42aに対して前記配向処理方向1a,2aに対する傾き角が大きくなる方向に屈曲し、他方の細長辺部42bに繋がる側が前記他方の細長辺部42bに対して前記配向処理方向1a,2aに対する傾き角が大きくなる方向に屈曲した形状に形成しているため、前記画素電極4と対向電極5との間に生成する横電界Eのうち、前記画素電極4の複数の細長電極部41の前記屈曲部43a,43bの一側縁及び他側縁と対向電極5との間に生成する横電界(屈曲部43a,43bの側縁に対して直交する方向の電界)Eは、図6のように、前記細長電極部41の細長辺部42a,42bの一側縁及び他側縁と対向電極5との間に生成する横電界Eよりも、前記配向処理方向1a,2aに対する交差角が小さい方向の電界である。
そのため、前記横電界Eによる前記屈曲部43a,43bの一側縁及び他側縁に沿った領域の液晶分子3aの前記配向処理方向1a,2aに対する分子長軸方向の変化角ψbは、前記細長辺部42a,42bの一側縁及び他側縁に沿った領域の液晶分子3aの前記配向処理方向1a,2aに対する分子長軸方向の変化角ψaよりも小さく、液晶分子3aの配向の不連続性が小さくなるから、前記屈曲部43a,43bの一側縁及び他側縁に沿った領域の液晶分子3aには、配向膜の配向規制力と、この配向規制力によって配向した隣接する分子間力が強く働き、横電界Eに対して液晶分子のチルト角の変化が抑制される。
そのため、前記画素電極4と対向電極5との間に、前記画素電極4の細長電極部41の細長辺部42a,42bに沿った領域の液晶分子3aを、前記配向処理方向1a,2aに対して実質的に45°或いはそれに近い方向に分子長軸を向けて配列させる強い横電界Eを生成したときも、屈曲部近傍での液晶分子のチルトが反転することなく安定しているから、前記屈曲部43a,43bの一側縁及び他側縁に沿った領域、つまり液晶分子3aを基板内面の配向処理によるプレチルトの傾き方向と同じ傾きにチルトさせる向きの横電界Eが生成する領域と、液晶分子3aを基板内面の配向処理によるプレチルトの傾き方向とは逆逆向きの横電界Eが生成する領域の両方の液晶分子3aが、前記配向処理によるプレチルトの傾き方向にチルトした状態で分子長軸方向を変える。
したがって、図9〜図11に示した比較例のように、“く”の字形状の細長電極部41の屈曲点に対応する部分に、前記細長電極部41の細長辺部42a,42bの一側縁と他側縁の一方に沿った領域の液晶分子3aを逆チルトさせる起点が生じることはない。
そして、前記2つの細長辺部42a,42bを繋ぐ2つの屈曲部43a,43bと前記細長辺部41a,42bとの繋がり部はそれぞれ、その一方と他方の両側縁同士が滑らかに連続する円弧状に形成されているため、前記細長辺部42a,42bの一側縁及び他側縁に沿った領域の液晶分子3aも、前記屈曲部43a,43bの一側縁及び他側縁に沿った領域の液晶分子3aのチルト方向に追従して、前記配向処理によるプレチルトの傾きで分子長軸方向を変える。
このように、この液晶表示素子は、前記画素電極4と対向電極5との間に、前記画素電極4の細長電極部41の細長辺部42a,42bに沿った領域の液晶分子3aを、前記配向処理方向1a,2aに対して実質的に45°或いはそれに近い方向に分子長軸を向けて配列させる強い横電界Eを生成したときも、液晶分子3aが、図6〜図8のように、前記画素電極4の複数の細長電極部41の全長にわたって、その一側縁及び他側縁に沿った領域の液晶分子3aのチルト方向を同じにし、表示むらの無い良好な表示品質を得ることができる。
さらに、この液晶表示素子は、前記画素電極4の複数の細長電極部41の2つの細長辺部42a,42bの端部にそれぞれ、その細長辺部42a,42bに繋がり、前記細長辺部42a,42bに対して前記配向処理方向1a,2aに対する傾き角が大きくなる方向に屈曲した端部屈曲部44a,44bを形成しているため、これらの端部屈曲部44a,44b一側縁及び他側縁と対向電極5との間にも、前記細長電極部41の細長辺部42a,42bの一側縁及び他側縁と対向電極5との間に生成する横電界Eよりも前記配向処理方向1a,2aに対する交差角が小さい方向の横電界Eが生成する。
そのため、前記横電界Eによる前記端部屈曲部44a,44bの一側縁及び他側縁に沿った領域の液晶分子3aの前記配向処理方向1a,2aに対する分子長軸方向の変化角ψcを、前記細長辺部42a,42bの一側縁及び他側縁に沿った領域の液晶分子3aの前記配向処理方向1a,2aに対する分子長軸方向の変化角ψaよりも小さくし、前記端部屈曲部44a,44bの一側縁及び他側縁に沿った領域の両方の液晶分子3aを、前記横電界Eによる逆チルトを生じること無く、前記配向処理によるプレチルトの傾きで分子長軸方向を変えさせ、前記横電界Eによる液晶分子3aの逆チルトを、さらに効果的に無くすことができる。
そして、この液晶表示素子は、前記画素電極4の複数の細長電極部41の2つの細長辺部42a,42aの前記配向処理方向1a,2aに対する傾き角θaと、前記2つの細長辺部を繋ぐ<形状部の2つの屈曲部43a,43bの前記配向処理方向1a,2aに対する傾き角θbを、
0°<θa<20°
20°<θb<40°
に設定しているため、前記横電界Eによる液晶分子3aの逆チルトを、より確実に無くすことができる。
また、この液晶表示素子は、前記画素電極4の複数の細長電極部41の2つの細長辺部42a,42bの長さLaと、前記2つの細長辺部42a,42bを繋ぐ<形状部の2つの屈曲部43a,43bの長さLbを、
La>nLb(n;3〜5)
10Lb>La>4Lb
に設定しているため、前記<形状部による液晶分子3aの逆チルト防止効果を充分に発揮し、しかも、前記<形状部に対応する領域の表示への影響をほとんど目立たなくすることができる。
さらに、この液晶表示素子は、前記画素電極4の複数の電極部41の2つの細長辺部42a,42bの端部にそれぞれ形成した前記端部屈曲部44a,44bの前記配向処理方向1a,2aに対する傾き角θcを、
20°<θc<40°
に設定しているため、前記横電界Eによる液晶分子3aの逆チルトを、より確実に無くすことができる。
また、この液晶表示素子は、前記端部屈曲部44a,44bの長さLcを、前記細長電極部41の細長辺部42a,42bの長さLaに対して、
La>nLc(n;3〜5)
10Lc>La>4Lc
となる値に設定しているため、前記端部屈曲部44a,44bによる液晶分子3aの逆チルト防止効果を充分に発揮し、しかも、前記端部屈曲部44a,44bに対応する領域の表示への影響をほとんど目立たなくすることができる。
この液晶表示素子において、前記画素電極4の複数の細長電極部41の2つの細長辺部42a,42bの前記配向処理方向1a,2aに対する傾き角θaは、10°±5°、より望ましくは10°±2°に設定し、前記2つの細長辺部42a,42bを繋ぐ屈曲部43a,43bと、前記端部屈曲部44a,44bの前記配向処理方向1a,2aに対する傾き角θb,θcは、30°±5°、より望ましくは30°±2°に設定するのが好ましく、このようにすることにより、前記横電界Eによる液晶分子3aの逆チルトを、さらに確実に無くすことができる。
なお、上記実施例では、前記画素電極4の複数の細長電極部41を、それぞれの両端において共通接続しているが、前記複数の細長電極部41は、その一端(TFT6に接続する側の端部)において共通接続してもよい。
また、上記実施例では、対向電極5を、画素100の全域に対応する形状に形成しているが、この対向電極5は、前記画素電極4の少なくとも複数の細長電極部41,41の間に対応していればよい。
さらに、上記実施例の液晶表示素子は、後基板2の内面に互いに絶縁して設けられた第1と第2の電極のうちの液晶層3側の第1の電極を、マトリックス状に配列された複数の画素電極4とし、それよりも後基板2側の第2の電極を対向電極5としているが、それと逆に、液晶層3側の第1の電極を対向電極とし、それよりも後基板2側の第2の電極をマトリックス状に配列された複数の画素電極としてもよく、その場合は、前記対向電極に複数の細長電極部を形成し、前記画素電極を、画素の全域に対応する形状または前記対向電極の複数の細長電極部の間に対応する形状に形成すればよい。
なた、上記実施例では、前記第1と第2の電極を後基板2の内面に設けているが、前記第1と第2の電極は、前基板1の内面に設けてもよい。
この発明の一実施例を示す液晶表示素子の一方の基板の一部分の平面図。 前記液晶表示素子の図1のII−II線に沿う断面図。 前記液晶表示素子の画素電極及び対向電極の一部分の拡大平面図。 前記画素電極の1つの細長電極部の拡大平面図。 図3のV−V線に沿うハッチングを省略した拡大断面図。 前記画素電極と対向電極との間に横電界を生成したときの1つの画素内の各部の液晶分子の分子長軸の向きを示す平面図。 図6のVII−VII線に沿うハッチングを省略した拡大断面図。 図6のVIII−VIII線に沿うハッチングを省略した拡大断面図。 画素電極の複数の細長電極部を、2つの細長辺部が直接繋がった“く”の字形状に形成した比較例における、画素電極と対向電極との間に横電界を生成したときの1つの画素内の各部の液晶分子の分子長軸の向きを示す平面図。 図9のX−X線に沿うハッチングを省略した拡大断面図。 図9のXI−XI線に沿うハッチングを省略した拡大断面図。
符号の説明
1,2…基板、1a,1b…配向処理方向、3…液晶層、3a…液晶分子、4…画素電極、41…細長電極部、42a,42b…細長辺部、43a,43b…屈曲部、44a,44b…端部屈曲部、5…対向電極、6…TFT(能動素子)、12…走査線、13…信号線、14…層間絶縁膜、15…遮光膜、16R,16G,16B…カラーフィルタ、17,18…配向膜、19,20…偏光板、21…静電気遮断導電膜、100…画素、E…横電界。

Claims (6)

  1. 予め定めた間隙を設けて対向配置され、互いに対向する内面それぞれに、互いに平行で且つ逆向き方向の配向処理が施された一対の基板と、
    前記一対の基板間の間隙に封入され、液晶分子がその分子長軸を前記配向処理方向に揃えて前記基板面と実質的に平行に配列した液晶層と、
    前記一対の基板の互いに対向する内面のうちの一方の基板の内面に設けられ、1つの画素を形成するための予め定めた単位領域に、細長形状の複数の電極部が間隔を設けて並列に形成され、且つ前記複数の細長電極部それぞれが、前記配向処理の方向に対して異なる角度で延びる2つの細長辺部がそれぞれの一方端で交差する形状に屈曲し、前記2つの細長辺部を繋ぐ部分が、それぞれ前記細長辺部からさらに前記配向処理方向に対する傾き角が大きくなる方向に屈曲する屈曲部を有する形状に形成された第1の電極と、
    一方の基板の内面の前記第1の電極よりも前記一方の基板側に前記第1の電極と絶縁して配置され、前記第1の電極との間への電圧の印加により、前記第1の電極の前記複数の細長電極部との間に、前記液晶分子の分子長軸の向きを前記基板面と実質的に平行な方向に変化させる横電界を生成する第2の電極と、
    を備えたことを特徴とする液晶表示素子。
  2. 第1の電極の複数の細長電極部の2つの細長辺部の配向処理方向に対する傾き角をθa、前記2つの細長辺部を繋ぐの屈曲部の前記配向処理方向に対する傾き角をθbとしたとき、前記細長辺部の傾き角をθaと、前記屈曲部の傾き角をθbは、
    0°<θa<20°
    20°<θb<40°
    に設定されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子。
  3. 第1の電極の複数の細長電極部の2つの細長辺部の長さをLaとし、前記2つの細長辺部を繋ぐ屈曲部の長さをLbとしたとき、前記細長辺部の長さLaと、前記屈曲部の長さLbは、
    La>nLb(n;3〜5)
    10Lb>La>4Lb
    に設定されていることを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表示素子。
  4. 第1の電極の複数の細長電極部の2つの細長辺部の少なくとも一方の端部に、前記細長辺部に繋がり、前記細長辺部に対して配向処理方向に対する傾き角が大きくなる方向に屈曲した端部屈曲部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子。
  5. 端部屈曲部の配向処理方向に対する傾き角をθcとしたとき、その傾き角θcは、
    20°<θc<40°
    に設定されていることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示素子。
  6. 細長電極部の細長辺部の長さをLa、前記端部屈曲部の長さをLcとしたとき、端部屈曲部の長さは、
    La>nLc(n;3〜5)
    10Lc>La>4Lc
    に設定されていることを特徴とする請求項4または5に記載の液晶表示素子。
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