JP2008081470A - オニウム塩化合物、光酸発生剤、カチオン重合開始剤、レジスト組成物およびカチオン重合性組成物 - Google Patents
オニウム塩化合物、光酸発生剤、カチオン重合開始剤、レジスト組成物およびカチオン重合性組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008081470A JP2008081470A JP2006266016A JP2006266016A JP2008081470A JP 2008081470 A JP2008081470 A JP 2008081470A JP 2006266016 A JP2006266016 A JP 2006266016A JP 2006266016 A JP2006266016 A JP 2006266016A JP 2008081470 A JP2008081470 A JP 2008081470A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- carbon atoms
- substituted
- ether
- halogen atom
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 0 *c(c(*)c1*)c(*)c(*)c1S(*)c1c(*)c(*)c(*)c(*)c1* Chemical compound *c(c(*)c1*)c(*)c(*)c1S(*)c1c(*)c(*)c(*)c(*)c1* 0.000 description 12
Images
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Polyethers (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
(式中、Rは、炭素数1〜8のパーフルオロアルキル基を表し、mは、0、1、2または3を表し、nは、0、1、2または3を表す。)
本発明のオニウム塩化合物のアニオン成分は、上記一般式(1)または(2)で表されるフッ素を含有するカルボキシホウ素アニオンである。当該アニオンが、光や熱等のエネルギーを受けたときのオニウム塩化合物の分解を促進し、酸発生量を増加させる。
(式中、R37〜R55は、上記のR1〜R36と同様の基を表す。)
反応フラスコに8質量%のトリフェニルスルホニウムクロライド水溶液250g、塩化メチレン80.4g、ジフルオロエタンジオナトボレートのナトリウム塩11.8gを仕込み、室温で1時間攪拌した。静置後、水相を取り除いた有機相をイオン交換水50mlで洗浄した後、溶媒を除去し、白色固体を26.5g(収率99.0%)得た。得られた白色固体については、TG−DTAによる融点、IR、1H−NMR(重ジメチルスルホキシド溶媒)、19F−NMR(重ジメチルスルホキシド溶媒)、MALDI TOFMASの測定を行い、目的物であることを確認した。
(化合物No.1)
(測定結果)
・融点:(サンプル量4.893mg、窒素100ml/分、10℃/分昇温でのDTA)89℃
・IR:図1に示す。
・1H−NMR:図2に示す。
・19F−NMR:図3に示す。
・MALDI TOFMASS
カチオン質量:263.41(理論値263.38)
アニオン質量:136.83(理論値136.82)
反応フラスコに8質量%のトリフェニルスルホニウムクロライド水溶液62.5g、塩化メチレン36.5g、テトラキス(トリフルオロアセトキシ)ボレートのナトリウム塩9.76g、イオン交換水24.3gを仕込み、室温で1時間攪拌した。静置後、水相を取り除いた有機相をイオン交換水30mlで洗浄した後、溶媒を除去し、白色固体を11.4g(収率93.8%)得た。得られた白色固体については、TG−DTAによる融点、IR、1H−NMR(重ジメチルスルホキシド溶媒、内部標準物質テトラメチルシラン)、19F−NMR(重ジメチルスルホキシド溶媒、内部標準物質ヘキサフルオロベンゼン)、MALDI TOFMASSの測定を行い、目的物であることを確認した。
(化合物No.2)
(測定結果)
・融点:(サンプル量5.133mg、窒素100ml/分、10℃/分昇温でのDTA)70℃
・IR:図4に示す。
・1H−NMR:図5に示す。
・19F−NMR:図6に示す。
・MALDI TOFMASS
カチオン質量:263.41(理論値263.38)
アニオン質量:462.64(理論値462.87)
(光酸発生剤の光照射による分解および酸発生量の評価)
上記実施例により得られた化合物No.1およびNo.2、トリフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホン酸塩(比較化合物1)およびトリフェニルスルホニウムのノナフルオロブタンスルホン酸塩(比較化合物2)について、それぞれ0.02mmol/gのアセトニトリル溶液を調製した。内径93mmのシャーレに調製したアセトニトリル溶液を5.00g入れ、蛍光ランプ(GL10、330mm:TOSHIBA製)の下、254nmの光を1.603mW/cm2で5分間露光した。露光後の溶液について、BTBを指示薬とし、0.05Nの水酸化カリウムエタノール溶液で滴定を行った。得られた滴定値について、光照射前の溶液について同様に滴定をした値をブランクとして差し引く補正を行った滴定値から、下記式により酸発生率と1gあたりの酸発生量とを求めた。また、上記と同様に光照射を行ったアセトニトリル溶液5.00gに20mlの水を加え10分攪拌した後、pHメーターで測定した。結果を下記の表1に示す。
(式)
酸発生率(%)=酸滴定値(mol)÷各化合物理論モル数(mol)×100
酸発生量(mol/g)=酸滴定値(mol)÷質量(g)
(レジストベース樹脂の調製)
重合管にメタクリル酸メチル、3−ヒドロキシ−1−アダマンチルメタクリレート、2−エチル−2−アダマンチルメタクリレートを仕込み、脱水ベンゼンを加え、十分に系中の酸素を除去した後、2,2’−アゾビス(イソブチロニトリル)を投入し、密閉後、60℃まで昇温し24時間重合反応を行った。得られたポリマーを精製する為に、反応混合物をヘキサン中に注ぎ、重合体を沈殿させた。得られた重合体をテトラヒドロフランに溶解させ、ヘキサン中に注いで重合物を沈殿させる操作を二回繰り返した後、乾燥させ白色固体を収率88.5%で得た。1H−NMRスペクトルの積分比より共重合組成比はおよそメタクリル酸メチル/3−ヒドロキシ−1−アダマンチルメタクリレート/2−エチル−2−アダマンチルメタクリレート=20/20/60であった。GPC分析による重量平均分子量はポリスチレン換算で6,700であった。
上記で得られたレジストベース樹脂100質量部、表2に示す光酸発生剤、およびトリスメトキシエチルアミン2質量部をプロピレングリコールメチルエーテルアセテートと混合して、レジストベース樹脂濃度15質量%のレジスト用樹脂組成物を調整した。得られた組成物を0.2μmのミクロフィルターで濾過し、シリコンウエハー上にスピンコーティング法により膜厚0.6μmになるように塗布した。ホットプレートにより温度100℃で90秒間プリベークした後、これにマスクを介して、193nmのArFエキシマーレーザーで露光した。次いで、ホットプレート上で温度120℃で90秒間ベーク(PEB)を行い、2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で23℃、60秒間現像し、純水で60秒間リンスした。これを乾燥しパターンを得た。得られたレジストパターンの評価は、走査型電子顕微鏡を用いてレジストの断面を観察し、ラインアンドスペースのトップとボトムを1:1で解像する露光量を最適露光量(感度:Eop、mJ/cm2)として比較した。
反応フラスコに0.1mmol/gのビス(ジフェニルスルホニオフェニル)スルフィドの硫酸塩水溶液85gと塩化メチレン30g、テトラキス(トリフルオロアセトキシ)ボレートのナトリウム塩10.2gを仕込み、室温で1時間攪拌した。静置後、水層を取り除いた有機層をイオン交換水20mlで洗浄した後、溶媒を除去し、薄黄色粘性液体を12.8g(収率99.0%)得た。これにプロピレンカーボネートを加え、50質量%のプロピレンカーボネート溶液とし、1H−NMR(重クロロホルム溶媒、内部標準物質テトラメチルシラン)、19F−NMR(重クロロホルム溶媒、内部標準物質ヘキサフルオロベンゼン)、MALDI TOFMASの測定を行い、目的物であることを確認した。
(化合物No.3)
(測定結果)
1H−NMR:図7に示す。
なお、1.5ppm、4.0ppm、4.6ppm、4.8ppm付近に見られる4本のシグナルはプロピレンカーボネートのシグナルである。
19F−NMR:図8に示す。
・MALDI TOFMASS
カチオン質量:556.84(理論値556.81)
アニオン質量:462.64(理論値462.87)
3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート80g、1,4−ブタンジオールジグリシジルエーテル20gを混合した物に上記実施例9で得た化合物No.3を4mmol添加し、よく攪拌し均一にした。これをアルミコート紙上に#3のバーコーターで塗布した。これに、ベルトコンベア付き光照射装置を使用して80W/cmの高圧水銀灯の光を照射した。ランプからベルトコンベアまでの距離は10cm、ベルトコンベアのラインスピードは8m/分とした。硬化後24時間室温に放置後、メチルエチルケトンを付けた綿棒で塗膜を擦った結果200往復しても塗膜は侵されず、硬化が十分に進行していることが確認された。
Claims (8)
- 前記オニウムカチオンがスルホニウムカチオンである請求項1に記載のオニウム塩化合物。
- 前記オニウムカチオンが下記一般式(3)〜(6)で表されるアリールスルホニウムカチオンからなる群から選ばれる請求項2に記載のオニウム塩化合物。
(式中、R1〜R36は、相互に独立して、水素原子;水酸基;ハロゲン原子;ニトロ基;シアノ基;水酸基またはハロゲン原子で置換されてもよい炭素数1〜18のアルキル基;水酸基、ハロゲン原子またはエーテル基で置換されてもよい炭素数1〜18のアシル基;水酸基、ハロゲン原子、エーテル基またはエステル基で置換されてもよい炭素数1〜18のアルコキシ基;水酸基またはハロゲン原子で置換されてもよい炭素数2〜18のエーテル基;水酸基またはハロゲン原子で置換されてもよい炭素数1〜9の有機炭酸エステル基;水酸基またはハロゲン原子で置換されてもよい炭素数2〜8のカルボニルオキシ基;水酸基またはハロゲン原子で置換されてもよい炭素数1〜8の有機スルホニルオキシ基;水酸基、ハロゲン原子またはエーテル基で置換されてもよい炭素数1〜18のアルキルチオ基;ハロゲン原子、水酸基またはカルボニルアリール基で置換されてもよい炭素数6〜30のアリールチオ基;水酸基、ハロゲン原子またはエーテル基で置換されてもよい炭素数2〜18のスルフィド基;炭素数1〜18の有機スルフィニル基;炭素数1〜18の有機スルホニル基または炭素数1〜18の有機スルホ基を表し、Xは、酸素原子、硫黄原子または単結合を表し、Arは下記一般式(7)、(8)または(9)で表されるアリール基を表す。)
(式中、R37〜R55は、上記のR1〜R36と同様の基を表す。) - 前記アリールスルホニウムカチオンが上記一般式(3)で表される請求項3に記載のオニウム塩化合物。
- 請求項1〜4のいずれかに記載のオニウム塩化合物からなることを特徴とする光酸発生剤。
- 酸の作用で現像液に対する溶解性が変化する樹脂に、請求項5記載の光酸発生剤を含むことを特徴とするレジスト組成物。
- 請求項1〜4のいずれかに記載のオニウム塩化合物からなることを特徴とするカチオン重合開始剤。
- カチオン重合性有機物と、請求項7に記載のカチオン重合開始剤とを含有することを特徴とするカチオン重合性組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006266016A JP5361030B2 (ja) | 2006-09-28 | 2006-09-28 | オニウム塩化合物、光酸発生剤、カチオン重合開始剤、レジスト組成物およびカチオン重合性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006266016A JP5361030B2 (ja) | 2006-09-28 | 2006-09-28 | オニウム塩化合物、光酸発生剤、カチオン重合開始剤、レジスト組成物およびカチオン重合性組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008081470A true JP2008081470A (ja) | 2008-04-10 |
JP5361030B2 JP5361030B2 (ja) | 2013-12-04 |
Family
ID=39352670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006266016A Active JP5361030B2 (ja) | 2006-09-28 | 2006-09-28 | オニウム塩化合物、光酸発生剤、カチオン重合開始剤、レジスト組成物およびカチオン重合性組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5361030B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009151259A (ja) * | 2007-04-09 | 2009-07-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 化合物、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
WO2011052327A1 (ja) | 2009-10-26 | 2011-05-05 | 株式会社Adeka | 芳香族スルホニウム塩化合物 |
US8865919B2 (en) | 2011-01-03 | 2014-10-21 | Korea Kumho Petrochemical Co., Ltd. | Sulfonium compound, photo-acid generator, and method for manufacturing the same |
US8940476B2 (en) | 2011-02-18 | 2015-01-27 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film |
WO2019160079A1 (ja) | 2018-02-16 | 2019-08-22 | 株式会社Adeka | ラジカル重合開始剤、これを含有する組成物、その硬化物、その製造方法、および化合物 |
JP2019211629A (ja) * | 2018-06-05 | 2019-12-12 | 株式会社日本触媒 | 化学増幅型レジスト用光ルイス酸発生剤、および化学増幅型レジスト組成物 |
WO2021095711A1 (ja) | 2019-11-14 | 2021-05-20 | 株式会社Adeka | 重合性組成物、ビヒクル、ならびに硬化物およびその製造方法 |
CN115304629A (zh) * | 2022-10-09 | 2022-11-08 | 江苏国泰超威新材料有限公司 | 一种二氟草酸硼酸钠的制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001181282A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | テトラアシルボレートおよび置換オニウムテトラアシルボレートの合成法 |
JP2001261684A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-09-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | テトラキス(アシロキシ)ボレート(1−)及び置換オニウムテトラキス(アシロキシ)ボレート(1−)の合成方法 |
JP2002138092A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | テトラキス(アシロキシ)ボレート(1−)及び置換オニウムテトラキス(アシロキシ)ボレート(1−)の合成方法 |
JP2002138091A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | テトラキス(アシロキシ)ボレート(1−)及び置換オニウムテトラキス(アシロキシ)ボレート(1−)の合成方法 |
JP2002167390A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | テトラキス(アシロキシ)ボレート(1−)及び置換オニウムテトラキス(アシロキシ)ボレート(1−)の合成方法 |
-
2006
- 2006-09-28 JP JP2006266016A patent/JP5361030B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001181282A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | テトラアシルボレートおよび置換オニウムテトラアシルボレートの合成法 |
JP2001261684A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-09-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | テトラキス(アシロキシ)ボレート(1−)及び置換オニウムテトラキス(アシロキシ)ボレート(1−)の合成方法 |
JP2002138092A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | テトラキス(アシロキシ)ボレート(1−)及び置換オニウムテトラキス(アシロキシ)ボレート(1−)の合成方法 |
JP2002138091A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | テトラキス(アシロキシ)ボレート(1−)及び置換オニウムテトラキス(アシロキシ)ボレート(1−)の合成方法 |
JP2002167390A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | テトラキス(アシロキシ)ボレート(1−)及び置換オニウムテトラキス(アシロキシ)ボレート(1−)の合成方法 |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
JPN6012006368; NENAJDENKO,V.G. et al: 'Perfluoroacylation of alkenes' Tetrahedron Vol.50, No.37, 1994, p.11023-38 * |
JPN6012006369; NENAJDENKO,V.G. et al: 'The perfluoroacylation of cyclopropyl-containing alkenes' Tetrahedron Vol.50, No.3, 1994, p.775-82 * |
JPN6012006372; NENAJDENKO,V.G. et al: 'Perfluoroacylation of alkynes' Tetrahedron Vol.50, No.43, 1994, p.12407-14 * |
JPN6012006375; NENAIDENKO,V.G. et al: 'Perfluoroacylation of alkenes' Zhurnal Organicheskoi Khimii Vol.28, No.3, 1992, p.600-2 * |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009151259A (ja) * | 2007-04-09 | 2009-07-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 化合物、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
WO2011052327A1 (ja) | 2009-10-26 | 2011-05-05 | 株式会社Adeka | 芳香族スルホニウム塩化合物 |
US8865919B2 (en) | 2011-01-03 | 2014-10-21 | Korea Kumho Petrochemical Co., Ltd. | Sulfonium compound, photo-acid generator, and method for manufacturing the same |
US8940476B2 (en) | 2011-02-18 | 2015-01-27 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film |
WO2019160079A1 (ja) | 2018-02-16 | 2019-08-22 | 株式会社Adeka | ラジカル重合開始剤、これを含有する組成物、その硬化物、その製造方法、および化合物 |
JP2019211629A (ja) * | 2018-06-05 | 2019-12-12 | 株式会社日本触媒 | 化学増幅型レジスト用光ルイス酸発生剤、および化学増幅型レジスト組成物 |
JP7117900B2 (ja) | 2018-06-05 | 2022-08-15 | 株式会社日本触媒 | 化学増幅型レジスト用光ルイス酸発生剤、および化学増幅型レジスト組成物 |
WO2021095711A1 (ja) | 2019-11-14 | 2021-05-20 | 株式会社Adeka | 重合性組成物、ビヒクル、ならびに硬化物およびその製造方法 |
CN115304629A (zh) * | 2022-10-09 | 2022-11-08 | 江苏国泰超威新材料有限公司 | 一种二氟草酸硼酸钠的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5361030B2 (ja) | 2013-12-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5367572B2 (ja) | 芳香族スルホニウム塩化合物 | |
EP2524914B1 (en) | Sulfonic acid derivative compound and naphthalic acid derivative compound | |
JP6211001B2 (ja) | 新規スルホン酸誘導体化合物、光酸発生剤、カチオン重合開始剤、レジスト組成物およびカチオン重合性組成物 | |
JP5361030B2 (ja) | オニウム塩化合物、光酸発生剤、カチオン重合開始剤、レジスト組成物およびカチオン重合性組成物 | |
JP5558103B2 (ja) | 塩化合物、カチオン重合開始剤およびカチオン重合性組成物 | |
JP5717959B2 (ja) | 芳香族スルホニウム塩化合物 | |
KR20130028891A (ko) | 방향족 술포늄염 화합물 | |
JP6274655B2 (ja) | スルホン酸誘導体化合物、光酸発生剤、レジスト組成物、カチオン重合開始剤、およびカチオン重合性組成物 | |
JP6605820B2 (ja) | オキシムスルホネート化合物、光酸発生剤、レジスト組成物、カチオン重合開始剤、およびカチオン重合性組成物 | |
JP5448157B2 (ja) | 芳香族スルホニウム塩化合物 | |
JP5547790B2 (ja) | 芳香族スルホニウム塩化合物 | |
KR102406214B1 (ko) | 술폰산 유도체 화합물, 광산 발생제, 레지스트 조성물, 양이온 중합 개시제, 및 양이온 중합성 조성물 | |
KR20170129230A (ko) | 방향족 술포늄염 화합물, 광산 발생제, 레지스트 조성물, 양이온 중합 개시제 및 양이온 중합성 조성물 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090724 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120210 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120410 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130108 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130308 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130329 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130507 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130830 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130902 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5361030 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |