JP2008071707A - 放電灯点灯装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】放電灯点灯装置で使用する放電灯の輝度のちらつきを低減し且つ寿命の低下を抑制する。
【解決手段】本発明による放電灯点灯装置は、第1及び第2の駆動信号(VG1,VG2)の周期よりも十分長い所定周期毎に切換信号(VSL)を出力する切換信号発生回路(21)と、切換信号発生回路(21)が切換信号(VSL)を出力した後に共振用コンデンサ(5)の電圧(VCri)を変化させる迄の切換時間を決定する切換期間信号(VCH)を出力するタイミング回路(22)と、タイミング回路(22)からの切換期間信号(VCH)の出力期間中にオン期間の比率の大きい低電位側又は高電位側MOS-FET(1,2)をオフに保持する選択回路(23)と、タイミング回路(22)が切換期間信号(VCH)の出力を終了した後に低電位側及び高電位側MOS-FET(1,2)間でオン・オフ期間の比率を互いに入れ換える期間入換回路(24)とを制御回路(10)内に備える。
【選択図】図1
【解決手段】本発明による放電灯点灯装置は、第1及び第2の駆動信号(VG1,VG2)の周期よりも十分長い所定周期毎に切換信号(VSL)を出力する切換信号発生回路(21)と、切換信号発生回路(21)が切換信号(VSL)を出力した後に共振用コンデンサ(5)の電圧(VCri)を変化させる迄の切換時間を決定する切換期間信号(VCH)を出力するタイミング回路(22)と、タイミング回路(22)からの切換期間信号(VCH)の出力期間中にオン期間の比率の大きい低電位側又は高電位側MOS-FET(1,2)をオフに保持する選択回路(23)と、タイミング回路(22)が切換期間信号(VCH)の出力を終了した後に低電位側及び高電位側MOS-FET(1,2)間でオン・オフ期間の比率を互いに入れ換える期間入換回路(24)とを制御回路(10)内に備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、蛍光灯や冷陰極蛍光放電管等の放電灯を高周波の交流電圧で高安定に点灯できる放電灯点灯装置に関する。
蛍光ランプや冷陰極蛍光放電管(CCFL:Cold Cathode Fluorescent Lamp)等の放電灯を高周波の交流電圧で点灯させる放電灯点灯装置は公知である。例えば、図11に示す従来の放電灯点灯装置は、直流電源(3)に直列に接続された第1のスイッチング素子としての高電位側MOS-FET(1)及び第2のスイッチング素子としての低電位側MOS-FET(2)と、低電位側MOS-FET(2)に対して並列に接続されたトランス(4)の1次巻線(4a)及び共振用コンデンサ(5)の直列回路と、トランス(4)の2次巻線(4b)に出力側コンデンサ(6)を介して接続された負荷としての放電灯(7)と、放電灯(7)に流れる管電流ILを検出して対応するレベルの電圧値に変換する電流検出用抵抗(8)と、高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)に第1及び第2の駆動信号VG1,VG2を付与する制御回路(10)とを備える。高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)のドレイン−ソース間には、それぞれ寄生ダイオード(1a,2a)が接続される。トランス(4)は、2次巻線(4b)に直列に接続された漏洩インダクタンス(4c)と、1次巻線(4a)に並列に接続された励磁インダクタンス(4d)とを等価的に有する。制御回路(10)は、電流検出用抵抗(8)の検出電圧値に応じて高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)に付与する各駆動信号VG1,VG2のパルス幅を制御する。
図11に示す放電灯点灯装置では、図13に示すように、各駆動信号VG1,VG2の周波数を固定すると共に、電流検出用抵抗(8)の検出電圧値に応じて各駆動信号VG1,VG2のパルス幅を制御して、放電灯(7)に流れる電流ILに応じたオン期間の比率で高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)を交互にオン・オフすることにより、放電灯(7)への供給電力を制御して管電流ILを一定に保持する。この方式では、図12に示すように、低電位側MOS-FET(2)のデューティ比が50%となるとき、即ち高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)のオン期間が共に等しくなるときに出力電圧VLが最大となり、高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)の何れか一方のオン期間を狭めると共に、他方のオン期間を広げると出力電圧VLが低下する。図13に示す例では、低電位側MOS-FET(2)のオン期間を狭めて放電灯(7)への供給電力を制御するが、逆に高電位側MOS-FET(1)のオン期間を狭めても同様に、放電灯(7)への供給電力を制御できる。
しかしながら、図11に示す従来の放電灯点灯装置では、放電灯(7)に直流成分を含む交流電圧を印加して点灯させた場合、ガラス管内の水銀が片側の電極に偏移して輝度が低下する所謂カタホリシス現象(暗端現象とも云う)が発生する。したがって、カタホリシス現象による放電灯(7)の輝度低下を回避するために、通常は正負に対称な交流電圧を放電灯(7)に印加するが、印加する交流電圧が正負に非対称の場合は、等価的に放電灯(7)に直流成分が加わるため、カタホリシス現象が発生する。つまり、図13に示すように、高電位側MOS-FET(1)と低電位側MOS-FET(2)のデューティ比を制御する方式は、放電灯(7)に印加する交流電圧が正負に非対称となり、直流電圧分を含むため、カタホリシス現象が発生し、それ故放電灯(7)の点灯装置としては不適当であった。
上記問題を解決するために、下記の特許文献1では、高電位側スイッチング素子と低電位側スイッチング素子のオン・デューティを一定時間毎に入れ換える放電灯点灯装置が開示されている。即ち、特許文献1の放電灯点灯装置では、所定の期間に高電位側スイッチング素子のオン・デューティを絞って放電灯を点灯させることにより発生するガラス管内の水銀の偏移を、次の所定の期間に低電位側スイッチング素子のオン・デューティを絞って放電灯を点灯させてガラス管内の水銀を逆方向に偏移させることにより、放電灯のガラス管内の水銀の偏移を相殺する。特許文献1に開示される各スイッチング素子の制御方式を図11に示す放電灯点灯装置に適用して、高電位側MOS-FET(1)と低電位側MOS-FET(2)のオン・デューティを所定期間毎に交互に入れ換えた場合に、放電灯(7)に流れる電流ILの波形の変化は図14に示す通りとなる。この場合は、放電灯(7)に流れる電流ILの波形が平均的に正負に対称となるため、カタホリシス現象は発生し難く、それ故放電灯(7)の点灯装置として使用することができる。
ところが、図11に示す従来の放電灯点灯装置の高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)のオン・デューティ、即ちオン期間の比率を上記の特許文献1と同様に一定時間毎に互いに入れ換えると、図15に示すように、高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)のオン期間の比率が互いに入れ換わる際に放電灯(7)に極大な管電流ILが流れる。
図11に示す従来の放電灯点灯装置では、高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)のデューティ比に基づいて共振用コンデンサ(5)の電圧VCriを制御することにより、放電灯(7)に供給する電力の制御を行う。ここで、直流電源(3)の電圧をE[V]とし、共振用コンデンサ(5)の電圧をVCri[V]とすると、高電位側MOS-FET(1)がオンで低電位側MOS-FET(2)がオフのときは、トランス(4)の1次巻線(4a)にE−VCri[V]の電圧が印加され、高電位側MOS-FET(1)がオフで低電位側MOS-FET(2)がオンのときは、トランス(4)の1次巻線(4a)にVCri[V]の電圧が印加される。したがって、トランス(4)の2次巻線(4b)から放電灯(7)に伝達されるエネルギは、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriによって変化するため、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriを調整することにより、放電灯(7)への供給電力の制御が可能となる。例えば、高電位側MOS-FET(1)のオン期間の比率を30%とすれば、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriの1周期での平均電圧は大凡0.3×E[V](E:直流電源(3)の電圧)に保持され、高電位側MOS-FET(1)のオン期間の比率を70%とすれば、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriの1周期での平均電圧は大凡0.7×E[V]に保持される。定常状態のみを考慮すれば、この2つの状態は1周期での出力電力が同じとなるが、高電位側MOS-FET(1)及び低電位側MOS-FET(2)のオン期間の比率の入れ換え時は、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriの1周期での平均電圧を0.3×E[V]から0.7×E[V]に、又は0.7×E[V]から0.3×E[V]に変化させる必要があるため、共振用コンデンサ(5)を充電又は放電する時間が必要である。しかし、共振用コンデンサ(5)に流れる電流は、トランス(4)の1次巻線(4a)のインダクタンスによって制限されるため、瞬時に共振用コンデンサ(5)を充電又は放電させることはできない。このため、高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)のオン期間の比率を互いに入れ換える際に、トランス(4)の1次巻線(4a)に高電圧を長時間印加する時期が発生し、放電灯(7)に極大な管電流ILが流れる。
例えば、高電位側MOS-FET(1)のオン期間の比率が0.3で低電位側MOS-FET(2)のオン期間の比率が0.7の場合、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriは0.3×E[V]となる。高電位側MOS-FET(1)のオン時には、デューティ比が0.3でトランス(4)の1次巻線(4a)にE−(0.3×E)=0.7×E[V]の電圧が印加され、低電位側MOS-FET(2)のオン時には、デューティ比が0.7でトランス(4)の1次巻線(4a)にE−(0.7×E)=0.3×E[V]の電圧が印加される。このとき、高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)のオン期間の比率を互いに入れ換えると、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriは略同一値に保持されているため、高電位側MOS-FET(1)のオン時にデューティ比が0.7でトランス(4)の1次巻線(4a)にはE−(0.3×E)=0.7×E[V]の電圧が印加される。このため、トランス(4)の2次巻線(4b)に伝達するエネルギが急激に大きくなり、放電灯(7)に極大な管電流ILが流れる。したがって、高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)のオン期間の比率を互いに入れ換える毎に放電灯(7)に極大な管電流ILが流れるため、放電灯(7)の出力光がちらついたり、放電灯(7)の電極に電気的なストレスが掛かり、寿命が低下する問題があった。
そこで、本発明では、放電灯の輝度のちらつきを低減し且つ寿命の低下を抑制できる放電灯点灯装置を提供することを目的とする。
本発明による放電灯点灯装置は、直流電源(3)に直列に接続された第1のスイッチング素子(1)及び第2のスイッチング素子(2)と、第1又は第2のスイッチング素子(1,2)に対して並列に接続されたトランス(4)の1次巻線(4a)及び共振用コンデンサ(5)の直列回路と、トランス(4)の2次巻線(4b)に接続された負荷としての放電灯(7)と、第1及び第2のスイッチング素子(1,2)に駆動信号(VG1,VG2)を付与する制御回路(10)とを備え、制御回路(10)により、第1及び第2のスイッチング素子(1,2)を交互にオン・オフする。制御回路(10)は、駆動信号(VG1,VG2)の周期よりも十分長い所定周期毎に切換信号(VSL)を出力する切換信号発生回路(21)と、切換信号発生回路(21)が切換信号(VSL)を出力した後に共振用コンデンサ(5)の電圧(VCri)を変化させる迄の切換時間を決定する切換期間信号(VCH)を出力するタイミング回路(22)と、タイミング回路(22)からの切換期間信号(VCH)の出力期間中にオン期間の比率の大きい第1又は第2のスイッチング素子(1,2)をオフに保持する選択回路(23)と、タイミング回路(22)が切換期間信号(VCH)の出力を終了した後に第1及び第2のスイッチング素子(1,2)間でオン・オフ期間の比率を互いに入れ換える期間入換回路(24)とを備える。
切換信号発生回路(21)が切換信号(VSL)を出力する毎にタイミング回路(22)が切換期間信号(VCH)を出力し、切換期間信号(VCH)が発生する期間中に、選択回路(23)はオン期間の比率が大きい第1又は第2のスイッチング素子(1,2)をオフに保持する。このため、共振用コンデンサ(5)が徐々に放電又は充電され、共振用コンデンサ(5)の電圧(VCri)が緩やかに低下又は上昇する。その後、タイミング回路(22)が切換期間信号(VCH)を出力しなくなると、期間入換回路(24)により第1及び第2のスイッチング素子(1,2)のオン・オフ期間の比率を互いに入れ換える。切換期間信号(VCH)は、共振用コンデンサ(5)の電圧(VCri)が十分に低下又は上昇するまで出力される。このように、共振用コンデンサ(5)の電圧(VCri)が十分に低下又は上昇してから第1及び第2のスイッチング素子(1,2)のオン・オフ期間の比率を互いに入れ換えるため、トランス(4)の2次巻線(4b)から放電灯(7)に印加される出力電圧が急激に上昇せず、輝度のちらつきを低減し、放電灯(7)の寿命低下を抑制することができる。
本発明では、第1及び第2のスイッチング素子のオン・オフ期間の比率を互いに入れ換える際に、トランスの2次巻線から放電灯に印加される出力電圧が急激に上昇しないので、放電灯の輝度のちらつきを低減して、安定した輝度で放電灯を点灯することができる。また、放電灯の電極に掛かる電気的なストレスを軽減して、放電灯の寿命低下を抑制することができる。
以下、本発明による放電灯点灯装置の各実施の形態を図1〜図10に基づいて説明する。但し、図1〜図10では、図11〜図15に示す箇所と実質的に同一の部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
本発明の第1の実施の形態による放電灯点灯装置は、図1に示すように、電流検出用抵抗(8)の検出電圧値に応じたパルス幅のPWM信号VPWMを出力する出力制御回路(9)と、第1及び第2の駆動信号VG1,VG2の周期よりも十分に長い所定の周期毎に切換信号VSLを出力する切換信号発生回路(21)と、切換信号発生回路(21)が切換信号VSLを出力した後に共振用コンデンサ(5)の電圧VCriを変化させる迄の切換時間を決定する切換期間信号VCHを出力するタイミング回路(22)と、タイミング回路(22)からの切換期間信号VCHの出力期間中にオン期間の比率の大きい高電位側又は低電位側MOS-FET(1,2)をオフに保持する第1及び第2の選択信号VOR1,VOR2を出力する選択回路(23)と、タイミング回路(22)が切換期間信号VCHの出力を終了した後に高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)間でオン・オフ期間の比率を互いに入れ換える期間入換信号VEX,-VEXを出力する期間入換回路(24)と、選択回路(23)からの第1及び第2の選択信号VOR1,VOR2と期間入換回路(24)からの期間入換信号VEX,-VEXとの論理積信号VAD1,VAD2により第1及び第2の駆動信号VG1,VG2を発生する駆動回路(25)とを図11に示す制御回路(10)内に設ける。
出力制御回路(9)は、電流検出用抵抗(8)の検出電圧と図示しない基準電圧とを比較してそれらの誤差信号を生成し、その誤差信号と図示しない所定の周波数(数十〜数百kHz)を有する三角波信号とを比較して、それらの比較信号からPWM(パルス幅変調)信号VPWM(図4)を生成して出力する。切換信号発生回路(21)は、第1及び第2の駆動信号VG1,VG2の周期よりも十分に長い所定の周期毎に単発のパルス信号を発生する単発パルス発生器から成り、そのパルス信号を切換信号VSL(図4)として出力する。
タイミング回路(22)は、一端が切換信号発生回路(21)の出力端子に接続された期間設定用抵抗(31)と、期間設定用抵抗(31)の他端と接地端子との間に接続された期間設定用コンデンサ(32)と、期間設定用抵抗(31)に並列に接続されたダイオード(33)と、期間設定用抵抗(31)及び期間設定用コンデンサ(32)の接続点に接続されて期間設定用コンデンサ(32)の電圧VRCの反転信号を切換期間信号VCHとして出力する反転器(34)とから構成される。切換信号発生回路(21)からタイミング回路(22)に切換信号VSLが入力されると、反転器(34)から出力される切換期間信号VCH(図4)が高電圧(H)レベルから低電圧(L)レベルに切り換えられると共に、期間設定用コンデンサ(32)の電圧VRC(図4)が期間設定用抵抗(31)の抵抗値と期間設定用コンデンサ(32)の静電容量で決まる時定数で低下し、反転器(34)の閾値電圧VTHV以下になると、反転器(34)から出力される切換期間信号VCHが低電圧(L)レベルから高電圧(H)レベルに切り換えられる。これにより、期間設定用抵抗(31)と期間設定用コンデンサ(32)による時定数に応じた第1及び第2の駆動信号VG1,VG2の周期よりも数倍長い所定の期間だけ低電圧(L)レベルとなる切換期間信号VCHがタイミング回路(22)から出力される。
期間入換回路(24)は、タイミング回路(22)からトリガ入力端子(T)に入力される切換期間信号VCHが低電圧(L)レベルから高電圧(H)レベルに切り換わるときに信号出力端子(Q)から出力する出力信号VTFの電圧レベルを反転するTフリップフロップ(以降、T-F/Fと略記する)(42)と、T-F/F(42)からの出力信号VTFと出力制御回路(9)からのPWM信号VPWMとの排他的論理和信号を期間入換信号VEX(図4)として出力するEx-ORゲート(排他的ORゲート)(43)と、Ex-ORゲート(43)の期間入換信号VEXの反転信号-VEXを出力する反転器(44)とから構成される。タイミング回路(22)から入力される切換期間信号VCHが低電圧(L)レベルから高電圧(H)レベルに切り換わると、T-F/F(42)の出力信号VTFが低電圧(L)レベルから高電圧(H)レベルに切り換えられる。このとき、出力制御回路(9)のPWM信号VPWMのデューティ比を反転した期間入換信号VEX、即ちPWM信号VPWMのオン期間とオフ期間の比率を互いに入れ換えた期間入換信号VEXがEx-ORゲート(43)から出力される。
選択回路(23)は、一端が期間入換回路(24)のEx-ORゲート(43)の出力端子に接続された第1の電圧検出用抵抗(35)と、第1の電圧検出用抵抗(35)の他端と接地端子との間に接続された平均電圧検出用コンデンサ(36)と、平均電圧検出用コンデンサ(36)の電圧VAVと基準電源(37)の閾値電圧VTHとを比較する比較器(38)と、比較器(38)の比較出力信号VCP1の反転信号-VCP1を出力する反転器(39)と、比較器(38)からの比較出力信号VCP1とタイミング回路(22)からの切換期間信号VCHとの論理和信号を第1の選択信号VOR1として出力する第1のORゲート(40)と、反転器(39)からの出力信号-VCP1とタイミング回路(22)からの切換期間信号VCHとの論理和信号を第2の選択信号VOR2として出力する第2のORゲート(41)とから構成される。基準電源(37)の閾値電圧VTHは、出力制御回路(9)から出力されるPWM信号VPWMのデューティ比が50%のときの平均電圧に設定される。期間入換回路(24)のEx-ORゲート(43)から出力される期間入換信号VEXが第1の電圧検出用抵抗(35)を介して平均電圧検出用コンデンサ(36)に入力され、平均電圧検出用コンデンサ(36)の両端に期間入換信号VEXの平均電圧VAVが発生する。例えば、期間入換回路(24)のEx-ORゲート(43)から出力される期間入換信号VEXのデューティ比が50%よりも小さく、平均電圧検出用コンデンサ(36)の電圧VAVが基準電源(37)の閾値電圧VTHよりも低いときは、比較器(38)から高電圧(H)レベルの比較出力信号VCP1が出力される。また、期間入換回路(24)のEx-ORゲート(43)から出力される期間入換信号VEXのデューティ比が50%よりも大きく、平均電圧検出用コンデンサ(36)の電圧VAVが基準電源(37)の閾値電圧VTHよりも高いときは、比較器(38)から低電圧(L)レベルの比較出力信号VCP1が出力される。比較器(38)の比較出力信号VCP1は、タイミング回路(22)からの切換期間信号VCHと共に第1のORゲート(40)に直接入力され、或いはタイミング回路(22)からの切換期間信号VCHと共に反転器(39)を介して第2のORゲート(41)に入力される。これにより、第1のORゲート(40)から出力される第1の選択信号VOR1が高電圧(H)レベルに保持されると共に、タイミング回路(22)の切換期間信号VCHが低電圧(L)レベルの期間中に第2のORゲート(41)から出力される第2の選択信号VOR2が低電圧(L)レベルに保持される。
駆動回路(25)は、選択回路(23)からの第1の選択信号VOR1と期間入換回路(24)からの期間入換信号VEXとの第1の論理積信号VAD1を出力する第1のANDゲート(45)と、選択回路(23)からの第2の選択信号VOR2と期間入換回路(24)からの期間入換信号VEXの反転信号-VEXとの第2の論理積信号VAD2を出力する第2のANDゲート(46)と、第1及び第2のANDゲート(45,46)から出力される各論理積信号VAD1,VAD2にそれぞれデッドタイムを付加して第1及び第2の駆動信号VG1,VG2を形成する駆動信号形成回路(47)とから構成される。これにより、期間入換回路(24)からの期間入換信号VEXと略同一の第1の論理積信号VAD1が第1のANDゲート(45)から出力され、タイミング回路(22)が低電圧(L)レベルの切換期間信号VCHを出力する期間中に低電圧(L)レベルを保持する第2の論理積信号VAD2が第2のANDゲート(46)から出力される。第1及び第2のANDゲート(45,46)から出力される第1及び第2の論理積信号VAD1,VAD2は、駆動信号形成回路(47)にてデッドタイム、即ち第1及び第2の論理積信号VAD1,VAD2の電圧レベルの切換時に共に低電圧(L)レベルとなる期間が付加され、高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)の各ゲート端子に付与する第1及び第2の駆動信号VG1,VG2が形成される。その他の構成は、図11に示す従来の放電灯点灯装置と略同様である。
上記の構成において、高電位側MOS-FET(1)がオンで低電位側MOS-FET(2)がオフのときは、直流電源(3)→高電位側MOS-FET(1)→トランス(4)の1次巻線(4a)→共振用コンデンサ(5)→直流電源(3)の経路で電流が流れて共振用コンデンサ(5)が充電され、その後、高電位側MOS-FET(1)がオフして低電位側MOS-FET(2)がオンすると、共振用コンデンサ(5)→トランス(4)の1次巻線(4a)→低電位側MOS-FET(2)→共振用コンデンサ(5)の経路で電流が流れて共振用コンデンサ(5)が放電される。したがって、通常動作時において、高電位側MOS-FET(1)のオン期間の比率(オン・デューティ)が小さく且つ低電位側MOS-FET(2)のオン期間の比率が大きい場合は、共振用コンデンサ(5)の充電期間が短くなると共に放電期間が長くなるため、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriが低下する。前記とは逆に、高電位側MOS-FET(1)のオン期間の比率が大きく且つ低電位側MOS-FET(2)のオン期間の比率が小さい場合は、共振用コンデンサ(5)の充電期間が長くなると共に放電期間が短くなるため、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriが上昇する。本実施の形態では、第1及び第2の駆動信号VG1,VG2を形成するEx-ORゲート(43)の出力信号VEXの平均電圧を検出することにより、オン期間の比率の大きい低電位側又は高電位側MOS-FET(2,1)を決定し、高電位側MOS-FET(1)及び低電位側MOS-FET(2)のオン・オフ期間の比率を互いに入れ換える際に、タイミング回路(22)が低電圧(L)レベルの切換期間信号VCHを出力する期間中に、オン期間の比率の大きい低電位側又は高電位側MOS-FET(2,1)をオフに保持すると共に、高電位側又は低電位側MOS-FET(1,2)がオンする毎に共振用コンデンサ(5)を充電又は放電して、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriを上昇又は低下させる。
切換信号発生回路(21)から高電圧(H)レベルの切換信号VSLが出力されると、タイミング回路(22)の切換期間信号VCHが高電圧(H)レベルから低電圧(L)レベルに切り換えられ、期間設定用抵抗(31)と期間設定用コンデンサ(32)による時定数に応じた期間だけ低電圧(L)レベルを保持する。タイミング回路(22)の切換期間信号VCHは、期間入換回路(24)のT-F/F(42)のトリガ入力端子(T)に入力されるが、T-F/F(42)は切換期間信号VCHの立ち上がり時に出力信号VTFの電圧レベルを反転するため、切換期間信号VCHの立ち下がり時はT-F/F(42)の出力信号VTFの電圧レベルは変化せず、低電圧(L)レベルを保持する。したがって、Ex-ORゲート(43)から出力される期間入換信号VEXは、出力制御回路(9)から出力されるPWM信号VPWMと略同一となる。
期間入換回路(24)のEx-ORゲート(43)から出力される期間入換信号VEXは、駆動回路(25)へ出力されると共に、選択回路(23)の第1の電圧検出用抵抗(35)を通じて平均電圧検出用コンデンサ(36)に入力され、平均電圧検出用コンデンサ(36)の両端に期間入換信号VEXの平均電圧に相当する電圧VAVが発生する。平均電圧検出用コンデンサ(36)の電圧VAVは、比較器(38)の反転入力端子(-)に入力され、非反転入力端子(+)に入力される基準電源(37)の閾値電圧VTHと比較される。平均電圧検出用コンデンサ(36)の電圧VAVが基準電源(37)の閾値電圧VTHより低いときは比較器(38)から高電圧(H)レベルの比較出力信号VCP1が出力され、平均電圧検出用コンデンサ(36)の電圧VAVが基準電源(37)の閾値電圧VTHより高いときは比較器(38)から低電圧(L)レベルの比較出力信号VCP1が出力される。即ち、基準電源(37)の閾値電圧VTHは期間入換回路(24)のEx-ORゲート(43)から出力される期間入換信号VEXのデューティ比が50%のときの平均電圧を示し、期間入換回路(24)のEx-ORゲート(43)から出力される期間入換信号VEXのデューティ比が50%よりも小さいときは、平均電圧検出用コンデンサ(36)の電圧VAVが基準電源(37)の閾値電圧VTHよりも低くなるため、比較器(38)から出力される比較出力信号VCP1が高電圧(H)レベルとなる。また、期間入換回路(24)のEx-ORゲート(43)から出力される期間入換信号VEXのデューティ比が50%よりも大きいときは、平均電圧検出用コンデンサ(36)の電圧VAVが基準電源(37)の閾値電圧VTHよりも高くなるため、比較器(38)から出力される比較出力信号VCP1が低電圧(L)レベルとなる。
比較器(38)の比較出力信号VCP1は、第1のORゲート(40)の一方の入力端子に入力されると共に、反転器(39)を介して第2のORゲート(41)の一方の入力端子に入力される。これと共に、タイミング回路(22)から第1及び第2のORゲート(40,41)の各々の他方の入力端子に低電圧(L)レベルの切換期間信号VCHが入力される。したがって、平均電圧検出用コンデンサ(36)の電圧VAVが基準電源(37)の閾値電圧VTHより低いときは、比較器(38)の比較出力信号VCP1が高電圧(H)レベルとなるため、第1のORゲート(40)から出力される第1の選択信号VOR1が高電圧(H)レベルとなり、第2のORゲート(41)から出力される第2の選択信号VOR2が低電圧(L)レベルとなる。第1のORゲート(40)から出力される高電圧(H)レベルの第1の選択信号VOR1は、駆動回路(25)の第1のANDゲート(45)の一方の入力端子に入力され、期間入換回路(24)のEx-ORゲート(43)から他方の入力端子に入力される期間入換信号VEXとの第1の論理積信号VAD1が第1のANDゲート(45)から出力される。これにより、期間入換回路(24)のEx-ORゲート(43)からの期間入換信号VEXと略同一の波形を有する第1の論理積信号VAD1が第1のANDゲート(45)から出力され、駆動信号形成回路(47)にてデッドタイムが付加されて第1の駆動信号VG1として高電位側MOS-FET(1)のゲート端子に付与される。このため、図2に示すように、タイミング回路(22)から出力される切換期間信号VCHが低電圧(L)レベルの期間中においても、高電位側MOS-FET(1)はオン・オフ動作を継続する。一方、第2のORゲート(41)から出力される低電圧(L)レベルの第2の選択信号VOR2は、駆動回路(25)の第2のANDゲート(46)の一方の入力端子に入力され、期間入換回路(24)のEx-ORゲート(43)から反転器(44)を介して他方の入力端子に入力される期間入換信号VEXの反転信号-VEXとの第2の論理積信号VAD2が第2のANDゲート(46)から出力される。これにより、低電圧(L)レベルの第2の論理積信号VAD2が第2のANDゲート(46)から出力され、駆動信号形成回路(47)を介して第2の駆動信号VG2として低電位側MOS-FET(2)のゲート端子に付与される。このため、図2に示すように、タイミング回路(22)から出力される切換期間信号VCHが低電圧(L)レベルの期間中において、低電位側MOS-FET(2)はオフを保持する。
また、平均電圧検出用コンデンサ(36)の電圧VAVが基準電源(37)の閾値電圧VTHより高いときは、比較器(38)の比較出力信号VCP1が低電圧(L)レベルとなるため、第1のORゲート(40)から出力される第1の選択信号VOR1が低電圧(L)レベルとなり、第2のORゲート(41)から出力される第2の選択信号VOR2が高電圧(H)レベルとなる。第1のORゲート(40)から出力される低電圧(L)レベルの第1の選択信号VOR1は、駆動回路(25)の第1のANDゲート(45)の一方の入力端子に入力され、期間入換回路(24)のEx-ORゲート(43)から他方の入力端子に入力される期間入換信号VEXとの第1の論理積信号VAD1が第1のANDゲート(45)から出力される。これにより、低電圧(L)レベルの第1の論理積信号VAD1が第1のANDゲート(45)から出力され、駆動信号形成回路(47)を介して第1の駆動信号VG1として高電位側MOS-FET(1)のゲート端子に付与される。このため、タイミング回路(22)から出力される切換期間信号VCHが低電圧(L)レベルの期間中において、高電位側MOS-FET(1)はオフを保持する。一方、第2のORゲート(41)から出力される高電圧(H)レベルの第2の選択信号VOR2は、駆動回路(25)の第2のANDゲート(46)の一方の入力端子に入力され、期間入換回路(24)のEx-ORゲート(43)から反転器(44)を介して他方の入力端子に入力される期間入換信号VEXの反転信号-VEXとの第2の論理積信号VAD2が第2のANDゲート(46)から出力される。これにより、期間入換回路(24)のEx-ORゲート(43)からの期間入換信号VEXと略同一の波形を有する第2の論理積信号VAD2が第2のANDゲート(46)から出力され、駆動信号形成回路(47)にてデッドタイムが付加されて第2の駆動信号VG2として低電位側MOS-FET(2)のゲート端子に付与される。このため、タイミング回路(22)から出力される切換期間信号VCHが低電圧(L)レベルの期間中においても、低電位側MOS-FET(2)はオン・オフ動作を継続する。
つまり、低電位側MOS-FET(2)のオン期間の比率が大きいときは、平均電圧検出用コンデンサ(36)の電圧VAVが基準電源(37)の閾値電圧VTHより低くなるため、タイミング回路(22)から出力される切換期間信号VCHが低電圧(L)レベルの期間中に、高電位側MOS-FET(1)はオン・オフ動作を継続し、低電位側MOS-FET(2)はオフを保持する。また、高電位側MOS-FET(1)のオン期間の比率が大きいときは、平均電圧検出用コンデンサ(36)の電圧VAVが基準電源(37)の閾値電圧VTHより高くなるため、タイミング回路(22)から出力される切換期間信号VCHが低電圧(L)レベルの期間中に、高電位側MOS-FET(1)はオフを保持し、低電位側MOS-FET(2)はオン・オフ動作を継続する。
その後、タイミング回路(22)の切換期間信号VCHが低電圧(L)レベルから高電圧(H)レベルに切り換えられると、選択回路(23)の第1及び第2のORゲート(40,41)の各々の他方の入力端子に高電圧(H)レベルの切換期間信号VCHが入力されるため、第1及び第2のORゲート(40,41)から出力される第1及び第2の選択信号VOR1,VOR2が共に高電圧(H)レベルとなる。これにより、駆動回路(25)の第1のANDゲート(45)から出力される第1の論理積信号VAD1が期間入換回路(24)のEx-ORゲート(43)から出力される期間入換信号VEXと略同一となり、第2のANDゲート(46)から出力される第2の論理積信号VAD2が期間入換回路(24)のEx-ORゲート(43)から反転器(44)を介して出力される期間入換信号VEXの反転信号-VEXと略同一となる。タイミング回路(22)からの切換期間信号VCHが低電圧(L)レベルから高電圧(H)レベルに切り換わるとき、即ち切換期間信号VCHの立ち上がり時に期間入換回路(24)のT-F/F(42)の出力信号VTFの電圧レベルが反転して低電圧(L)レベルから高電圧(H)レベルとなるため、Ex-ORゲート(43)からの期間入換信号VEXのデューティ比が反転する。デューティ比を反転した期間入換信号VEXは、駆動回路(25)の第1のANDゲート(45)に直接入力されると共に反転器(44)を介して第2のANDゲート(46)に入力され、駆動信号形成回路(47)を介して出力される第1及び第2の駆動信号VG1,VG2により、高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)を交互にオン・オフ駆動する。このため、図2に示すように、タイミング回路(22)の切換期間信号VCHを低電圧(L)レベルに切り換える以前とはオン・オフ期間の比率を互いに入れ換えた状態で高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)がオン・オフ動作する。
高電位側MOS-FET(1)のオン期間の比率(オン・デューティ)を0.3から0.7に切り換え且つ低電位側MOS-FET(2)のオン期間の比率を0.7から0.3に切り換える際に、放電灯(7)に流れる管電流ILと、駆動回路(25)から出力される第1及び第2の駆動信号VG1,VG2と、タイミング回路(22)から出力される切換期間信号VCHと、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriの各波形を図2に示す。高電位側MOS-FET(1)のオン期間の比率が0.3で且つ低電位側MOS-FET(2)のオン期間の比率が0.7でそれぞれオン・オフ動作するときに、タイミング回路(22)から低電圧(L)レベルの切換期間信号VCHが出力されると、高電位側MOS-FET(1)は同一のオン期間の比率でオン・オフ動作を継続するが、第2の駆動信号VG2が低電圧(L)レベルに保持されるため、低電位側MOS-FET(2)はオン・オフ動作を停止する。このため、低電位側MOS-FET(2)のオンにより共振用コンデンサ(5)を放電する期間が無くなり、高電位側MOS-FET(1)のオンにより共振用コンデンサ(5)を充電する期間のみとなるため、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriが緩やかに上昇する。その後、タイミング回路(22)の切換期間信号VCHが低電圧(L)レベルから高電圧(H)レベルになると、高電位側MOS-FET(1)及び低電位側MOS-FET(2)の各々のオン期間の比率が反転(VG1:0.3→0.7,VG2:0.7→0.3)してオン・オフ動作する。このとき、共振用コンデンサ(5)は十分な電圧VCriに充電されているため、高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)のオン期間の比率の切換時に、図15に示すような極大な管電流ILが放電灯(7)に流れない。
図1に示す第1の実施の形態の放電灯点灯装置では、切換信号発生回路(21)が高電圧(H)レベルの切換信号VSLを出力する毎にタイミング回路(22)が低電圧(L)レベルの切換期間信号VCHを出力し、低電圧(L)レベルの切換期間信号VCHが発生する期間中に、選択回路(23)はオン期間の比率が大きい低電位側又は高電位側MOS-FET(2,1)をオフに保持する。このため、共振用コンデンサ(5)が徐々に充電又は放電され、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriが緩やかに上昇又は低下する。その後、タイミング回路(22)の切換期間信号VCHが低電圧(L)レベルから高電圧(H)レベルになると、期間入換回路(24)により高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)の各々のオン期間の比率を互いに入れ換える。低電圧(L)レベルの切換期間信号VCHは、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriが十分に上昇又は低下するまで出力される。このように、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriが十分に低下又は上昇してから高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)の各々のオン期間の比率を互いに入れ換えるため、トランス(4)の2次巻線(4b)から放電灯(7)に印加される出力電圧が急激に上昇しない。このため、放電灯(7)の輝度のちらつきを低減できると共に、寿命の低下を抑制することができる。
図1に示す放電灯点灯装置は変更が可能である。例えば、本発明の第2の実施の形態による放電灯点灯装置は、図3に示すように、図1に示す選択回路(23)内の第1の電圧検出用抵抗(35)の上端の接続箇所を共振用コンデンサ(5)の上端に変更すると共に平均電圧検出用コンデンサ(36)を第2の電圧検出用抵抗(48)に変更し、第1及び第2の電圧検出用抵抗(35,48)の接続点に発生する検出電圧VDTを比較器(38)により基準電源(37)の閾値電圧VTHと比較し、タイミング回路(22)が低電圧(L)レベルの切換期間信号VCHを出力する期間中に、検出電圧VDTが閾値電圧VTHより低いとき、低電位側MOS-FET(2)をオフに保持し、検出電圧VDTが閾値電圧VTHより高いとき、高電位側MOS-FET(1)をオフに保持する。即ち、図4に示すように、基準電源(37)の閾値電圧VTHを0.5×E[V](E:直流電源(3)の電圧)とし、高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)のオン期間の比率がそれぞれ0.3及び0.7でオン・オフ動作するとき、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriは0.3×E[V]となり、比較器(38)の比較出力信号VCP1が高電圧(H)レベルとなるため、タイミング回路(22)が低電圧(L)レベルの切換期間信号VCHを出力する期間中は、低電位側MOS-FET(2)がオフに保持される。また、高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)のオン期間の比率がそれぞれ0.7及び0.3でオン・オフ動作するとき、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriは0.7×E[V]となり、比較器(38)の比較出力信号VCP1が低電圧(L)レベルとなるため、タイミング回路(22)が低電圧(L)レベルの切換期間信号VCHを出力する期間中は、高電位側MOS-FET(1)がオフに保持される。
図3に示す放電灯点灯装置では、図4に示すように、タイミング回路(22)が低電圧(L)レベルの切換期間信号VCHを出力する期間中に、選択回路(23)の比較器(38)の比較出力信号VCP1の電圧レベルが反転すると、低電位側又は高電位側MOS-FET(2,1)のオフ保持動作が入れ換わる。即ち、タイミング回路(22)が低電圧(L)レベルの切換期間信号VCHを出力する期間中に低電位側MOS-FET(2)をオフに保持する場合、その期間よりも短い期間T1の経過後に選択回路(23)の比較器(38)の比較出力信号VCP1の電圧レベルが反転すると、残りの期間T2にて低電位側MOS-FET(2)がオン・オフ動作を開始し、高電位側MOS-FET(1)がオフに保持される。この期間T2が長い場合、デューティ比を切り換えるために期間T1にて所定の電圧VCriまで充電又は放電された共振用コンデンサ(5)が期間T2にて放電又は充電されて共振用コンデンサ(5)の電圧VCriが変動するため、期間T2が長くならないように設定する必要がある。具体的には、タイミング回路(22)から低電圧(L)レベルの切換期間信号VCHを出力する時間を共振用コンデンサ(5)が十分に充電又は放電するための所要時間と同一又は僅かに長い時間に設定すればよい。これにより、選択回路(23)の比較器(38)の比較出力信号VCP1の電圧レベルが反転した後に共振用コンデンサ(5)が放電又は充電されても、高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)のデューティ比の切換動作に及ぼす影響を最小限に抑えることができる。上記以外の基本的な動作は、図1に示す放電灯点灯装置と略同様であるから、説明は省略する。
図3に示す第2の実施の形態の放電灯点灯装置では、切換信号発生回路(21)が高電圧(H)レベルの切換信号VSLを出力する毎にタイミング回路(22)が低電圧(L)レベルの切換期間信号VCHを出力し、低電圧(L)レベルの切換期間信号VCHが発生する期間中に、選択回路(23)は、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriの検出電圧VDTが基準電源(37)の閾値電圧VTHより低いとき、低電位側MOS-FET(2)をオフに保持し、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriの検出電圧VDTが基準電源(37)の閾値電圧VTHより高いとき、高電位側MOS-FET(1)をオフに保持する。即ち、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriが閾値電圧VTHより低いときは共振用コンデンサ(5)を充電し、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriが閾値電圧VTHより高いときは共振用コンデンサ(5)を放電するように、タイミング回路(22)が低電圧(L)レベルの切換期間信号VCHを出力する間、低電位側又は高電位側MOS-FET(2,1)をオフに保持して、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriを所定の値に調整する。その後、タイミング回路(22)の切換期間信号VCHが低電圧(L)レベルから高電圧(H)レベルになると、期間入換回路(24)により高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)の各々のオン期間の比率を互いに入れ換える。このとき、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriが所定の値に放電又は充電されているため、高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)のオン・オフ期間の比率を互いに入れ換えても、トランス(4)の2次巻線(4b)から放電灯(7)に印加される出力電圧が急激に上昇しない。このため、放電灯(7)の輝度のちらつきを低減できると共に、寿命の低下を抑制することができる。
また、本発明の第3の実施の形態による放電灯点灯装置は、図5に示すように、図3に示す選択回路(23)内の基準電源(37)及び比較器(38)を複数の閾値電圧VTH1,VTH2を発生する基準電源(49)及びヒステリシスコンパレータ(50)に変更したものである。基準電源(49)は、ヒステリシスコンパレータ(50)の比較出力信号VCP2を高電圧(H)レベルから低電圧(L)レベルに切り換えるときは高電位の閾値電圧VTH1(例えば0.7×E[V])を発生し、ヒステリシスコンパレータ(50)の比較出力信号VCP2を低電圧(L)レベルから高電圧(H)レベルに切り換える ときは低電位の閾値電圧VTH2(例えば0.3×E[V])を発生する。その他の構成は、図3に示す第2の実施の形態の放電灯点灯装置と略同様である。
図5に示す放電灯点灯装置では、図6に示すように、タイミング回路(22)が低電圧(L)レベルの切換期間信号VCHを出力する期間中に共振用コンデンサ(5)の充電電圧VCriの検出電圧VDTが高電位の閾値電圧VTH1を超えたとき、選択回路(23)内のヒステリシスコンパレータ(50)の比較出力信号VCP2の電圧レベルを高電圧(H)レベルから低電圧(L)レベルに切り換え、高電位側MOS-FET(1)をオフに保持した後、高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)のオン・オフ期間の比率を互いに入れ換える。また、図7に示すように、タイミング回路(22)が低電圧(L)レベルの切換期間信号VCHを出力する期間中に共振用コンデンサ(5)の放電電圧VCriの検出電圧VDTが低電位の閾値電圧VTH2を下回ったとき、選択回路(23)内のヒステリシスコンパレータ(50)の比較出力信号VCP2の電圧レベルを低電圧(L)レベルから高電圧(H)レベルに切り換え、低電位側MOS-FET(2)をオフに保持した後、高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)のオン・オフ期間の比率を互いに入れ換える。なお、図5に示す放電灯点灯装置においても、図3に示す場合と同様に、タイミング回路(22)が低電圧(L)レベルの切換期間信号VCHを出力する期間よりも短い期間T1の経過後に選択回路(23)のヒステリシスコンパレータ(50)の比較出力信号VCP2の電圧レベルが反転すると、図6及び図7に示すように、残りの期間T2にて低電位側又は高電位側MOS-FET(2,1)のオフ保持動作が入れ換わり、高電位側又は低電位側MOS-FET(1,2)がオフに保持されると共に、低電位側又は高電位側MOS-FET(2,1)がオン・オフ動作を開始する。期間T2が長くなると、高電位側又は低電位側MOS-FET(1,2)のデューティ比を切り換えるために所定の電圧まで充電又は放電された共振用コンデンサ(5)が放電又は充電されて共振用コンデンサ(5)の電圧VCriが変動する不具合が発生するため、タイミング回路(22)から低電圧(L)レベルの切換期間信号VCHを出力する時間を共振用コンデンサ(5)が十分に充電又は放電するための所要時間と同一又は僅かに長い時間に設定することにより、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriの変動を抑制し、高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)のデューティ比の切換動作に及ぼす影響を最小限に抑えている。上記以外の基本的な動作は、図1に示す放電灯点灯装置と略同様であるから、説明は省略する。
図5に示す第3の実施の形態の放電灯点灯装置では、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriを略0.7×E[V]又は0.3×E[V]に調整してから、高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)のオン・オフ期間の比率を互いに入れ換えるので、共振用コンデンサ(5)の充電時及び放電時に、それぞれ図3に示す第2の実施の形態の場合よりもより高い電圧及びより低い電圧まで共振用コンデンサ(5)の電圧VCriを調整できる。このため、トランス(4)の2次巻線(4b)から放電灯(7)に印加される出力電圧の急変を更に抑制することができる。
また、本発明の第4の実施の形態による放電灯点灯装置は、図8に示すように、図5に示す選択回路(23)とタイミング回路(22)との間に、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriが所定の電圧に達したときにタイミング回路(22)の切換期間信号VCHをリセットするリセット信号VRTを出力するリセット回路(26)を設け、トリガ入力端子(I)に切換信号発生回路(21)の切換信号VSLが入力されたときに出力端子(Q)から所定のパルス幅を有する切換期間信号VCHを発生し、リセット端子(R)にリセット回路(26)のリセット信号VRTが入力されたときに出力端子(Q)から出力する切換期間信号VCHをリセットするワンショットマルチバイブレータ(51)でタイミング回路(22)を構成したものである。リセット回路(26)は、一端が選択回路(23)内のヒステリシスコンパレータ(50)の出力端子に接続された遅延用抵抗(52)と、遅延用抵抗(52)の他端と接地端子との間に接続された遅延用コンデンサ(53)と、一方の入力端子がヒステリシスコンパレータ(50)の出力端子に接続され、他方の入力端子が遅延用抵抗(52)及び遅延用コンデンサ(53)の接続点に接続され、出力端子がタイミング回路(22)を構成するワンショットマルチバイブレータ(51)のリセット端子(R)に接続されたEx-ORゲート(54)とから構成される。その他の構成は、図5に示す第3の実施の形態の放電灯点灯装置と略同様である。
図8に示す放電灯点灯装置では、図9及び図10に示すように、選択回路(23)内のヒステリシスコンパレータ(50)の比較出力信号VCP2の電圧レベルが反転する毎に、リセット回路(26)内の遅延用抵抗(52)の抵抗値及び遅延用コンデンサ(53)の静電容量で決まる時定数に応じた短いパルス幅のリセット信号VRTがEx-ORゲート(54)から出力され、タイミング回路(22)を構成するワンショットマルチバイブレータ(51)がリセットされる。これにより、タイミング回路(22)から出力される切換期間信号VCHがリセットされ、切換期間信号VCHの電圧レベルが低電圧(L)レベルから高電圧(H)レベルに切り換えられるため、期間入換回路(24)のEx-ORゲート(43)から出力される期間入換信号VEXのオン・オフ期間の比率が入れ換わる。即ち、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriを選択回路(23)内の第1及び第2の電圧検出用抵抗(35,48)で分圧した電圧VDTが基準電源(49)の閾値電圧VTH1,VTH2に達すると、ヒステリシスコンパレータ(50)から出力される比較出力信号VCP2の電圧レベルが反転して、第2及び第1のORゲート(41,40)から出力する第2及び第1の選択信号VOR2,VOR1の電圧レベルを反転すると同時に、タイミング回路(22)の切換期間信号VCHがリセットされてその電圧レベルが低電圧(L)レベルから高電圧(H)レベルに切り換えられる。これにより、選択回路(23)内の第1及び第2のORゲート(40,41)から出力される第1及び第2の選択信号VOR1,VOR2が共に高電圧(H)レベルになると共に、期間入換回路(24)内のEx-ORゲート(43)から出力される期間入換信号VEXのオン・オフ期間の比率が入れ換わるため、オン・オフ期間の比率を互いに入れ換えた状態で高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)がオン・オフ動作する。上記以外の基本的な動作は、図1に示す放電灯点灯装置と略同様であるから、説明は省略する。
図8に示す第4の実施の形態の放電灯点灯装置では、共振用コンデンサ(5)の電圧VCriを検出して所定の電圧に達したときに、リセット回路(26)によりタイミング回路(22)の切換期間信号VCHをリセットするので、高電位側及び低電位側MOS-FET(1,2)間でのオン・オフ期間の比率の切り換えに要する時間Tを第1〜第3の実施の形態の場合よりも短縮することができる。
本発明の実施態様は前記の各実施の形態に限定されず、更に種々の変更が可能である。例えば、第1〜第3の実施の形態では、期間設定用抵抗(31)の抵抗値と期間設定用コンデンサ(32)の静電容量で決まる時定数に応じた所定の期間だけ低電圧(L)レベルとなる切換期間信号VCHをタイミング回路(22)から出力したが、商用周波数(50〜60Hz)やスイッチング周波数(数十〜数百kHz)を分周したり、第1又は第2の駆動信号VG1,VG2のパルス数をパルスカウンタ等で計数する等して切換期間信号VCHの出力期間T1+T2を決定してもよい。特に、高電位側又は低電位側MOS-FET(1,2)のオン期間が十分に長い場合は、高電位側又は低電位側MOS-FET(1,2)をオン駆動させる回数を1回としてもよい。また、第1の実施の形態では、期間入換回路(24)内のEx-ORゲート(43)から出力される期間入換信号VEXのパルス電圧を選択回路(23)内の第1の電圧検出用抵抗(35)及び平均電圧検出用コンデンサ(36)で平均化し、その平均電圧によりオン期間の比率の大きい高電位側MOS-FET(1)又は低電位側MOS-FET(2)を決定したが、駆動回路(25)内の駆動信号形成回路(47)から出力される第1及び第2の駆動信号VG1,VG2のパルス幅を直接比較して、オン期間の比率の大きい高電位側MOS-FET(1)又は低電位側MOS-FET(2)を決定してもよい。また、上記の各実施の形態では、低電位側MOS-FET(2)に対して並列にトランス(4)の1次巻線(4a)及び共振用コンデンサ(5)の直列回路を接続したが、これに限定されず、高電位側MOS-FET(1)に対して並列にトランス(4)の1次巻線(4a)及び共振用コンデンサ(5)の直列回路を接続してもよい。
本発明は、2つのスイッチング素子の各々のオン期間の比率を可変して放電灯に供給する出力を制御する放電灯点灯装置に良好に適用できる。
(1)・・高電位側MOS-FET(第1のスイッチング素子)、 (2)・・低電位側MOS-FET(第2のスイッチング素子)、 (3)・・直流電源、 (4)・・トランス、 (4a)・・1次巻線、 (4b)・・2次巻線、 (4c)・・漏洩インダクタンス、 (4d)・・励磁インダクタンス、 (5)・・共振用コンデンサ、 (6)・・出力側コンデンサ、 (7)・・放電灯、 (8)・・電流検出用抵抗、 (9)・・出力制御回路、 (10)・・制御回路、 (21)・・切換信号発生回路、 (22)・・タイミング回路、 (23)・・選択回路、 (24)・・期間入換回路、 (25)・・駆動回路、 (26)・・リセット回路、 (31)・・期間設定用抵抗、 (32)・・期間設定用コンデンサ、 (33)・・ダイオード、 (34)・・反転器、 (35)・・第1の電圧検出用抵抗、 (36)・・平均電圧検出用コンデンサ、 (37)・・基準電源、 (38)・・比較器、 (39)・・反転器、 (40)・・第1のORゲート、 (41)・・第2のORゲート、 (42)・・Tフリップフロップ(T-F/F)、 (43)・・Ex-ORゲート(排他的ORゲート)、 (44)・・反転器、 (45)・・第1のANDゲート、 (46)・・第2のANDゲート、 (47)・・駆動信号形成回路、 (48)・・第2の電圧検出用抵抗、 (49)・・基準電源、 (50)・・ヒステリシスコンパレータ、 (51)・・ワンショットマルチバイブレータ、 (52)・・遅延用抵抗、 (53)・・遅延用コンデンサ、 (54)・・Ex-ORゲート
Claims (7)
- 直流電源に直列に接続された第1のスイッチング素子及び第2のスイッチング素子と、前記第1又は第2のスイッチング素子に対して並列に接続されたトランスの1次巻線及び共振用コンデンサの直列回路と、前記トランスの2次巻線に接続された負荷としての放電灯と、前記第1及び第2のスイッチング素子に駆動信号を付与する制御回路とを備え、該制御回路により、前記第1及び第2のスイッチング素子を交互にオン・オフする放電灯点灯装置において、
前記制御回路は、前記駆動信号の周期よりも十分長い所定周期毎に切換信号を出力する切換信号発生回路と、該切換信号発生回路が切換信号を出力した後、前記共振用コンデンサの電圧を変化させる迄の切換時間を決定する切換期間信号を出力するタイミング回路と、該タイミング回路からの切換期間信号の出力期間中にオン期間の比率の大きい前記第1又は第2のスイッチング素子をオフに保持する選択回路と、前記タイミング回路が切換期間信号の出力を終了した後、前記第1及び第2のスイッチング素子間でオン・オフ期間の比率を互いに入れ換える期間入換回路とを備えたことを特徴とする放電灯点灯装置。 - 前記選択回路は、前記第1又は第2のスイッチング素子の駆動信号の平均電圧を検出することにより、オン期間の比率の大きい前記第1又は第2のスイッチング素子を決定する請求項1に記載の放電灯点灯装置。
- 直流電源に直列に接続された第1のスイッチング素子及び第2のスイッチング素子と、前記第1又は第2のスイッチング素子に対して並列に接続されたトランスの1次巻線及び共振用コンデンサの直列回路と、前記トランスの2次巻線に接続された負荷としての放電灯と、前記第1及び第2のスイッチング素子に駆動信号を付与する制御回路とを備え、該制御回路により、前記第1及び第2のスイッチング素子を交互にオン・オフする放電灯点灯装置において、
前記制御回路は、前記駆動信号の周期よりも十分長い所定周期毎に切換信号を出力する切換信号発生回路と、該切換信号発生回路が切換信号を出力した後、前記共振用コンデンサの電圧を変化させる迄の切換時間を決定する切換期間信号を出力するタイミング回路と、該タイミング回路からの切換期間信号の出力期間中に、前記共振用コンデンサの電圧が閾値電圧より低いとき、前記第1及び第2のスイッチング素子の一方をオフに保持し、前記共振用コンデンサの電圧が前記閾値電圧より高いとき、前記第1及び第2のスイッチング素子の他方をオフに保持する選択回路と、前記タイミング回路が切換期間信号の出力を終了した後、前記第1及び第2のスイッチング素子間でオン・オフ期間の比率を互いに入れ換える期間入換回路とを備えたことを特徴とする放電灯点灯装置。 - 前記駆動信号の周期よりも十分長い所定期間毎に前記第1及び第2のスイッチング素子間で各々のオン・オフ期間の比率を入れ換える請求項1〜3の何れか1項に記載の放電灯点灯装置。
- 前記制御回路は、互いに異なるオン・オフ期間の比率で前記第1及び第2のスイッチング素子を交互にオン・オフする請求項1〜4の何れか1項に記載の放電灯点灯装置。
- 前記選択回路は、タイミング回路からの切換期間信号の出力期間中に、前記共振用コンデンサの充電電圧が第1の閾値電圧を超えたとき、前記第1及び第2のスイッチング素子の一方をオフに保持し、前記共振用コンデンサの放電電圧が第2の閾値電圧に満たないとき、前記第1及び第2のスイッチング素子の他方をオフに保持する請求項3〜5の何れか1項に記載の放電灯点灯装置。
- 前記共振用コンデンサの電圧が所定の電圧に達したときに、タイミング回路の切換期間信号をリセットするリセット回路を備えた請求項3〜6の何れか1項に記載の放電灯点灯装置。
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JPH05326179A (ja) * | 1992-05-26 | 1993-12-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 放電灯点灯装置 |
JP2000012260A (ja) * | 1998-06-25 | 2000-01-14 | Matsushita Electric Works Ltd | 放電灯点灯装置 |
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- 2006-09-15 JP JP2006251518A patent/JP2008071707A/ja active Pending
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