JP2008071469A - 垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】所望の形状の磁極層を正確に形成でき、且つ物理的トラック幅と実効的トラック幅との差を小さくすることができるようにする。
【解決手段】磁気ヘッドは、溝部を有する収容層１２と、溝部の縁の真上に配置された側壁を有し、媒体対向面から離れた位置において収容層１２の上に配置された非磁性金属層１３と、溝部の縁の真上に配置された側壁を有し、非磁性金属層１３よりも媒体対向面に近い位置において非磁性金属層１３に隣接するように収容層１２の上に配置されたサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂと、磁極層１７とを備えている。磁極層１７は、収容層１２の溝部と非磁性金属層１３の側壁とサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの側壁とによって形成された収容部４０に収容されている。サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂは、媒体対向面において磁極層１７の端面のトラック幅方向の両側に配置された端面を有している。
【選択図】図１

Description

本発明は、垂直磁気記録方式によって記録媒体に情報を記録するために用いられる垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。

磁気記録再生装置における記録方式には、信号磁化の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）とする長手磁気記録方式と、信号磁化の向きを記録媒体の面に対して垂直な方向とする垂直磁気記録方式とがある。垂直磁気記録方式は、長手磁気記録方式に比べて、記録媒体の熱揺らぎの影響を受けにくく、高い線記録密度を実現することが可能であると言われている。

一般的に、垂直磁気記録用の磁気ヘッドとしては、長手磁気記録用の磁気ヘッドと同様に、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッドと、書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを、基板上に積層した構造のものが用いられる。記録ヘッドは、記録媒体の面に対して垂直な方向の磁界を発生する磁極層を備えている。磁極層は、例えば、一端部が記録媒体に対向する媒体対向面に配置されたトラック幅規定部と、このトラック幅規定部の他端部に連結され、トラック幅規定部よりも大きな幅を有する幅広部とを有している。トラック幅規定部は、ほぼ一定の幅を有している。

垂直磁気記録方式において、記録密度の向上に寄与するのは、主に、記録媒体の改良と記録ヘッドの改良である。高記録密度化のために記録ヘッドに要求されることは、特に、トラック幅の縮小と、記録特性の向上である。一方、トラック幅が小さくなると、記録特性、例えば重ね書きの性能を表わすオーバーライト特性は低下する。従って、トラック幅が小さくなるほど、記録特性の一層の向上が必要となる。ここで、媒体対向面に垂直な方向についてのトラック幅規定部の長さをネックハイトと呼ぶ。このネックハイトが小さいほど、オーバーライト特性が向上する。

ところで、ハードディスク装置等の磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッドは、一般的に、スライダに設けられる。スライダは、上記媒体対向面を有している。この媒体対向面は、空気流入側の端部と空気流出側の端部とを有している。そして、空気流入側の端部から媒体対向面と記録媒体との間に流入する空気流によって、スライダは記録媒体の表面からわずかに浮上するようになっている。このスライダにおいて、一般的に、磁気ヘッドは媒体対向面における空気流出側の端部近傍に配置される。磁気ディスク装置において、磁気ヘッドの位置決めは、例えばロータリーアクチュエータによって行なわれる。この場合、磁気ヘッドは、ロータリーアクチュエータの回転中心を中心とした円軌道に沿って記録媒体上を移動する。このような磁気ディスク装置では、磁気ヘッドのトラック横断方向の位置に応じて、スキューと呼ばれる、円形のトラックの接線に対する磁気ヘッドの傾きが生じる。

特に、長手磁気記録方式に比べて記録媒体への書き込み能力が高い垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置では、上述のスキューが生じると、あるトラックへの情報の書き込み時に隣接トラックの情報が消去される現象（以下、隣接トラック消去と言う。）が生じたり、隣り合う２つのトラックの間において不要な書き込みが行なわれたりするという問題が生じる。高記録密度化のためには、隣接トラック消去を抑制する必要がある。また、隣り合う２つのトラックの間における不要な書き込みは、磁気ヘッドの位置決め用のサーボ信号の検出や再生信号の信号対雑音比に悪影響を及ぼす。

上述のようなスキューに起因した問題の発生を防止する技術としては、例えば特許文献１，２に記載されているように、媒体対向面におけるトラック幅規定部の端面の形状を、記録媒体の進行方向の後側（スライダにおける空気流入端側）に配置される辺が反対側の辺よりも短い形状とする技術が知られている。磁気ヘッドでは、通常、媒体対向面において、基板から遠い端部が記録媒体の進行方向の前側（スライダにおける空気流出端側）に配置される。従って、上述の媒体対向面におけるトラック幅規定部の端面の形状は、基板に近い辺が基板から遠い辺よりも短い形状となる。

また、垂直磁気記録用の磁気ヘッドとしては、例えば特許文献３に記載されているように、磁極層とシールドとを備えた磁気ヘッドも知られている。この磁気ヘッドでは、媒体対向面において、シールドの端面は、磁極層の端面に対して、所定の小さな間隔を開けて記録媒体の進行方向の前側に配置されている。以下、このような磁気ヘッドをシールド型ヘッドと呼ぶ。このシールド型ヘッドにおいて、シールドは、磁極層の端面より発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束が記録媒体に達することを阻止する機能を有している。また、シールドは、磁極層の端面より発生されて、記録媒体を磁化した磁束を還流させる機能も有している。このシールド型ヘッドによれば、線記録密度のより一層の向上が可能になる。

また、特許文献４には、磁極層となる中央の磁性層に対する記録媒体の進行方向の前側と後側にそれぞれ磁性層を設け、中央の磁性層と前側の磁性層との間と、中央の磁性層と後側の磁性層との間に、それぞれコイルを配置した構造の磁気ヘッドが記載されている。この磁気ヘッドによれば、中央の磁性層の媒体対向面側の端部より発生される磁界のうち、記録媒体の面に垂直な方向の成分を大きくすることができる。

特開２００３−２４２６０７号公報 米国特許第６，５０４，６７５Ｂ１号明細書 米国特許第４，６５６，５４６号明細書 米国特許第４，６７２，４９３号明細書

ここで、上述のように媒体対向面におけるトラック幅規定部の端面の形状が、基板に近い辺が基板から遠い辺よりも短い形状となる磁極層の形成方法について考える。従来、このような磁極層の形成方法としては、フレームめっき法が多く用いられていた。フレームめっき法による磁極層の形成方法では、まず、磁極層の下地の上に、電極膜を形成する。次に、電極膜の上にフォトレジスト層を形成する。次に、フォトレジスト層をパターニングして、磁極層に対応した形状の溝部を有するフレームを形成する。次に、電極膜に電流を流してめっきを行い、溝部内に磁極層を形成する。次に、フレームを除去する。次に、電極膜のうち、磁極層の下に存在している部分以外の部分を除去する。次に、磁極層を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁層を形成する。次に、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、絶縁層および磁極層を研磨する。この研磨により、磁極層の上面が平坦化されると共に、磁極層の厚みが所望の値になるように調整される。

上記の磁極層の形成方法では、研磨の停止位置が所望の位置からずれると、磁極層の厚みが所望の値からずれ、その結果、上記基板から遠い辺の長さによって規定されるトラック幅が所望の値からずれるという問題が生じる。

特許文献１には、媒体対向面におけるトラック幅規定部の端面の形状を、第１の部分と第２の部分とを有する形状とする技術が記載されている。第１の部分では、空気流入端側の端部から空気流出端側の端部にかけて幅が連続的に増加する。第２の部分は、第１の部分の空気流出端側に配置され、第１の部分の空気流出端側の端部の幅と等しい一定の幅を有している。この技術によれば、トラック幅のばらつきを小さくすることができる。

しかし、特許文献１に記載された技術では、以下のような問題点がある。この技術では、磁極層は、無機絶縁膜に形成された溝部内に収容されている。溝部はエッチングによって形成される。また、溝部は、テーパー形状の部分と、内壁が無機絶縁膜の上面に対して垂直になった部分とを有している。しかしながら、無機絶縁膜に、上記の２つの部分を有する溝部をエッチングによって形成することは容易ではない。なお、特許文献１には、エッチング条件を変えることで上記の２つの部分を形成することが記載されている。

また、特許文献１に記載された技術では、磁極層と無機絶縁膜の上面は、ＣＭＰまたはエッチングによって平坦化される。しかしながら、磁極層の材料である金属磁性材料と、無機絶縁膜の材料である無機絶縁材料とでは、ＣＭＰにおける研磨の進行速度やエッチング速度が異なる。一般的に、金属磁性材料の研磨またはエッチングに適した条件では、無機絶縁材料よりも金属磁性材料の方が、研磨の進行速度またはエッチング速度が大きい。そのため、特許文献１に記載された技術では、ＣＭＰまたはエッチングによって磁極層と無機絶縁膜の上面を平坦化しようとしても、実際には、磁極層の上面が無機絶縁膜の上面よりも大きく窪んだ状態になりやすい。従って、この技術では、磁極層の形状を所望の形状に形成することが難しい。

また、特許文献１には、以下のようにして、磁極層を形成する方法も記載されている。この方法では、まず、無機絶縁膜に形成された溝部内および無機絶縁膜上に第１の磁性膜を形成する。次に、ＣＭＰまたはエッチングによって、第１の磁性膜の上面が無機絶縁膜の上面よりも窪んだ状態になるまで、第１の磁性膜を除去する。次に、第１の磁性膜および無機絶縁膜の上に第２の磁性膜を形成する。次に、第２の磁性膜の上面を平坦化して、第１の磁性膜および第２の磁性膜よりなる磁極層を形成する。しかしながら、この方法では、工程数が多くなるという問題点がある。

次に、図３９を参照して、シールド型ヘッドの基本的な構成について説明する。図３９は、シールド型ヘッドの一例における媒体対向面の一部を示す正面図である。このシールド型ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する図示しないコイルと、媒体対向面に配置された端面を有し、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層３１６と、媒体対向面に配置された端面を有し、媒体対向面から離れた位置において磁極層３１６に連結されたシールド層３２０と、磁極層３１６とシールド層３２０との間に設けられたギャップ層３１８とを備えている。なお、この例では、磁極層３１６は絶縁層３１４の上に配置されている。また、磁極層３１６の周囲には、絶縁層３１７が設けられている。磁極層３１６および絶縁層３１７の上面は平坦化され、この平坦な上面の上にギャップ層３１８が配置され、更に、ギャップ層３１８の上にシールド層３２０が配置されている。

媒体対向面における磁極層３１６の端面の形状は、ギャップ層３１８側の辺が反対側の辺よりも長い台形形状となっている。

次に、例えば図３９に示したようなシールド型ヘッドにおける問題点について説明する。図３９において、物理的トラック幅ＰＴＷは、媒体対向面に配置された磁極層３１６の端面のうち、ギャップ層３１８に接する部分の幅によって決まる。しかしながら、磁極層３１６からギャップ層３１８を越えてシールド層３２０に至る磁束３２１は、物理的トラック幅ＰＴＷよりも広がる。そのため、実効的トラック幅ＥＴＷは、物理的トラック幅ＰＴＷよりも大きくなる。一例として、物理的トラック幅ＰＴＷを０．１２μｍ、磁極層３１６の厚みを０．３μｍ、ギャップ層３１８の厚みを５０ｎｍとしたとき、従来は、実効的トラック幅ＥＴＷが、物理的トラック幅ＰＴＷよりも０．０８〜０．１２μｍも大きくなっていた。

上述のように、実効的トラック幅ＥＴＷが物理的トラック幅ＰＴＷよりもかなり大きくなると、隣接トラック消去が生じたり、隣り合う２つのトラックの間において不要な書き込みが行なわれたりするという問題が生じる。また、実効トラック幅ＥＴＷを小さくするために物理的トラック幅ＰＴＷを小さくすると、物理的トラック幅ＰＴＷの制御が難しくなったり、オーバーライト特性が低下するという問題が生じる。

ギャップ層３１８の厚みを小さくすることにより、磁極層３１６からギャップ層３１８を越えてシールド層３２０に至る磁束がトラック幅方向に広がることを抑制することができる。しかしながら、この場合には、オーバーライト特性が低下するという問題が生じる。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、磁極層とシールド層がギャップ層を介して対向する構造の垂直磁気記録用磁気ヘッドであって、所望の形状の磁極層を正確に形成でき、且つ物理的トラック幅と実効的トラック幅との差を小さくすることができるようにした垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。

本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドは、
記録媒体に対向する媒体対向面と、
記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
媒体対向面に配置された端面を有し、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
磁性材料よりなり、媒体対向面において磁極層の端面に対して記録媒体の進行方向の前側に配置された端面を有し、媒体対向面から離れた位置において磁極層に連結された主シールド層と、
非磁性材料よりなり、媒体対向面に配置された端面を有し、磁極層と主シールド層との間に設けられたギャップ層と、
非磁性材料よりなり、上面で開口する溝部を有する収容層と、
非磁性金属材料よりなり、溝部の縁の真上に配置された側壁を有し、媒体対向面から離れた位置において収容層の上面の上に配置された非磁性金属層と、
金属磁性材料よりなり、溝部の縁の真上に配置された側壁を有し、非磁性金属層よりも媒体対向面に近い位置において、非磁性金属層に隣接するように収容層の上面の上に配置された２つのサイドシールド層と、
溝部と非磁性金属層の側壁とサイドシールド層の側壁とによって形成され、磁極層の少なくとも一部を収容する収容部と、
非磁性材料よりなり、磁極層とサイドシールド層の側壁との間に配置された非磁性膜とを備え、
２つのサイドシールド層は、媒体対向面において磁極層の端面のトラック幅方向の両側に配置された２つの端面を有している。

本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドでは、サイドシールド層によって、磁極層からギャップ層を越えて主シールド層に至る磁束がトラック幅方向に広がることを抑制することができる。

本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、媒体対向面に配置された磁極層の端面は、ギャップ層から遠ざかるに従って小さくなる幅を有する部分を含んでいてもよい。

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、媒体対向面に配置された磁極層の端面は、第１の領域と、この第１の領域とギャップ層の端面との間に配置され、且つ第１の領域に接続された第２の領域とを有していてもよい。この場合、第１の領域は、ギャップ層から遠ざかるに従って小さくなる幅を有している。第２の領域は、トラック幅を規定する一定の幅を有している。第１の領域と第２の領域との境界位置において、第１の領域の幅と第２の領域の幅は等しい。また、媒体対向面において、第２の領域のトラック幅方向の両側に、サイドシールド層の端面が配置されている。

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドでは、媒体対向面において、ギャップ層の端面におけるトラック幅方向の両端は、サイドシールド層の側壁よりもトラック幅方向の外側に配置されていてもよい。

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、サイドシールド層の飽和磁束密度は、磁極層の飽和磁束密度よりも小さくてもよい。

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、サイドシールド層は主シールド層に接続されていてもよいし、接続されていなくてもよい。

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドは、更に、収容層、非磁性金属層、サイドシールド層、非磁性膜、磁極層、ギャップ層、主シールド層およびコイルが積層される基板を備えていてもよい。この場合、磁極層は、媒体対向面に配置された端面を有する第１の部分と、第１の部分よりも媒体対向面から遠い位置に配置され、第１の部分よりも大きな厚みを有する第２の部分とを有し、第１の部分における基板から遠い面は、第２の部分における基板から遠い面よりも基板に近い位置に配置されていてもよい。

本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、
後に溝部が形成されることにより収容層となる非磁性層を形成する工程と、
後に非磁性金属層となる非磁性金属膜を、非磁性層の上面の一部の上に形成する工程と、
非磁性金属膜を形成する工程の後で、後に２つのサイドシールド層となる磁性膜を、非磁性層の上面のうち非磁性金属膜が形成されていない部分の上に形成する工程と、
非磁性金属膜および磁性膜の上面を平坦化する工程と、
非磁性金属膜が非磁性金属層となると共に磁性膜が２つのサイドシールド層となるように、非磁性金属膜および磁性膜を選択的にエッチングする工程と、
溝部が形成されることによって非磁性層が収容層となり、且つ溝部と非磁性金属層の側壁とサイドシールド層の側壁とによって収容部が形成されるように、非磁性金属層およびサイドシールド層をマスクとして非磁性層を選択的にエッチングする工程と、
非磁性層を選択的にエッチングする工程の後で、非磁性膜を形成する工程と、
磁極層の少なくとも一部が収容部内に収容され、且つ磁極層とサイドシールド層の側壁との間に非磁性膜が配置されるように、磁極層を形成する工程と、
磁極層の上にギャップ層を形成する工程と、
ギャップ層の上に主シールド層を形成する工程と、
コイルを形成する工程とを備えている。

本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、非磁性金属膜および磁性膜の上面を平坦化する工程では、非磁性金属膜の上面が研磨の停止位置となるように、磁性膜の上面を研磨してもよい。この場合、研磨は化学機械研磨であってもよい。

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、磁性膜を形成する工程では、非磁性層の上面のうち非磁性金属膜が形成されていない部分の上および非磁性金属膜の上面の上に磁性膜を形成してもよい。

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、非磁性金属膜を形成する工程は、後にパターニングされることにより非磁性金属膜となる被パターニング膜を形成する工程と、被パターニング膜の上にエッチングマスクを形成する工程と、被パターニング膜が非磁性金属膜となるように、エッチングマスクを用いて被パターニング膜を選択的にエッチングする工程とを含んでいてもよい。この場合、磁性膜を形成する工程は、エッチングマスクを残したままで磁性膜を形成する工程と、磁性膜の形成後、エッチングマスクを除去する工程とを含んでいてもよい。

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、非磁性膜を形成する工程では、収容層、非磁性金属層およびサイドシールド層と磁極層との間に配置されるように非磁性膜を形成してもよい。この場合、非磁性膜は、１原子層毎の成膜を繰り返す化学的気相成長法を用いて形成されてもよい。

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、媒体対向面に配置された磁極層の端面は、ギャップ層から遠ざかるに従って小さくなる幅を有する部分を含んでいてもよい。

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、媒体対向面に配置された磁極層の端面は、第１の領域と、この第１の領域とギャップ層の端面との間に配置され、且つ第１の領域に接続された第２の領域とを有していてもよい。この場合、第１の領域は、ギャップ層から遠ざかるに従って小さくなる幅を有している。第２の領域は、トラック幅を規定する一定の幅を有している。第１の領域と第２の領域との境界位置において、第１の領域の幅と第２の領域の幅は等しい。また、媒体対向面において、第２の領域のトラック幅方向の両側に、サイドシールド層の端面が配置されている。

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法では、媒体対向面において、ギャップ層の端面におけるトラック幅方向の両端は、サイドシールド層の側壁よりもトラック幅方向の外側に配置されてもよい。

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、サイドシールド層の飽和磁束密度は、磁極層の飽和磁束密度よりも小さくてもよい。

また、本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、サイドシールド層は主シールド層に接続されてもよいし、接続されなくてもよい。

また、本発明の製造方法によって製造される垂直磁気記録用磁気ヘッドは、更に、収容層、非磁性金属層、サイドシールド層、非磁性膜、磁極層、ギャップ層、主シールド層およびコイルが積層される基板を備えていてもよい。この場合、磁極層は、媒体対向面に配置された端面を有する第１の部分と、第１の部分よりも媒体対向面から遠い位置に配置され、第１の部分よりも大きな厚みを有する第２の部分とを有し、第１の部分における基板から遠い面は、第２の部分における基板から遠い面よりも基板に近い位置に配置されてもよい。

本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドまたはその製造方法では、収容部を容易に形成することが可能になると共に、少なくとも一部が収容部に収容される磁極層を精度よく形成することが可能になる。これにより、本発明によれば、所望の形状の磁極層を正確に形成することが可能になるという効果を奏する。また、本発明では、サイドシールド層によって、磁極層からギャップ層を越えて主シールド層に至る磁束がトラック幅方向に広がることを抑制することができる。これにより、本発明によれば、物理的トラック幅と実効的トラック幅との差を小さくすることができるという効果を奏する。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図５および図６を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る垂直磁気記録用磁気ヘッドの構成について説明する。図５は、本実施の形態に係る垂直磁気記録用磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。図６は本実施の形態に係る垂直磁気記録用磁気ヘッドの構成を示す断面図である。なお、図６は媒体対向面および基板の面に垂直な断面を示している。また、図６において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。

図５および図６に示したように、本実施の形態に係る垂直磁気記録用磁気ヘッド（以下、単に磁気ヘッドと記す。）は、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる基板１と、この基板１の上に配置されたアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の絶縁材料よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に配置された磁性材料よりなる下部シールド層３と、この下部シールド層３の上に配置された絶縁膜である下部シールドギャップ膜４と、この下部シールドギャップ膜４の上に配置された再生素子としてのＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ素子５の上に配置された絶縁膜である上部シールドギャップ膜６と、この上部シールドギャップ膜６の上に配置された磁性材料よりなる上部シールド層７とを備えている。

ＭＲ素子５の一端部は、記録媒体に対向する媒体対向面３０に配置されている。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。ＧＭＲ素子としては、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ平行な方向に流すＣＩＰ（Current In Plane）タイプでもよいし、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ垂直な方向に流すＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）タイプでもよい。

磁気ヘッドは、更に、上部シールド層７の上に順に配置された非磁性層８１および中間磁性層８２を備えている。非磁性層８１は、アルミナ等の非磁性材料によって形成されている。中間磁性層８２は、磁性材料によって形成されている。下部シールド層３から中間磁性層８２までの部分は、再生ヘッドを構成する。なお、中間磁性層８２は、再生ヘッドにおけるシールド層の機能と、後述する記録ヘッドにおける補助磁極としての機能、すなわち記録媒体を磁化した磁束を還流させる機能とを有している。

磁気ヘッドは、更に、中間磁性層８２の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層８３と、この絶縁層８３の上に配置されたコイル９と、コイル９の巻線間および周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層１０と、絶縁層１０の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層１１とを備えている。コイル９は、平面渦巻き形状をなしている。コイル９および絶縁層１０，１１の上面は平坦化されている。絶縁層８３，１１は、例えばアルミナによって形成されている。絶縁層１０は、例えばフォトレジストによって形成されている。コイル９は、銅等の導電材料によって形成されている。

磁気ヘッドは、更に、平坦化されたコイル９および絶縁層１０，１１の上面の上に配置された非磁性材料よりなる収容層１２を備えている。収容層１２は、上面で開口する溝部１２ａを有している。収容層１２の材料としては、例えば、アルミナ、シリコン酸化物（ＳｉＯ_Ｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）等の絶縁材料でもよいし、Ｒｕ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＣｕ、ＮｉＢ、ＮｉＰ等の非磁性金属材料でもよい。

磁気ヘッドは、更に、非磁性金属層１３と２つのサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂとを備えている。非磁性金属層１３は、非磁性金属材料よりなり、媒体対向面３０から離れた位置において収容層１２の上面の上に配置されている。また、非磁性金属層１３は、収容層１２の溝部１２ａの縁の真上に配置された側壁１３ａを有している。サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂは、金属磁性材料よりなり、非磁性金属層１３よりも媒体対向面３０に近い位置において、非磁性金属層１３に隣接するように収容層１２の上面の上に配置されている。また、サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂはそれぞれ、収容層１２の溝部１２ａの縁の真上に配置された側壁１４Ａａ，１４Ｂａを有している。

非磁性金属層１３の材料としては、例えば、Ｒｕ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、ＮｉＣｒ、ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＮｉＣｕ、ＷＳｉ_２、ＴａＳｉ_２、ＴｉＳｉ_２、ＴｉＮ、ＴｉＷのいずれかを用いることができる。サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。

磁気ヘッドは、更に、収容層１２の溝部１２ａと非磁性金属層１３の側壁１３ａとサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの側壁１４Ａａ，１４Ｂａとによって形成され、後述する磁極層の少なくとも一部を収容する収容部４０を備えている。

磁気ヘッドは、更に、収容部４０内に配置された非磁性膜１５、研磨停止層１６および磁極層１７を備えている。非磁性膜１５は、非磁性材料よりなり、収容部４０の表面に接するように配置されている。磁極層１７は、磁性材料よりなり、収容部４０の表面から離れるように配置されている。研磨停止層１６は、非磁性膜１５と磁極層１７の間に配置されている。研磨停止層１６は、磁極層１７をめっき法で形成する際に用いられるシード層を兼ねている。磁極層１７は、収容部４０の表面に近い位置に配置された第１層１６１と、収容部４０の表面から遠い位置に配置された第２層１６２とを有している。なお、第１層１６１は省略してもよい。

非磁性膜１５の材料としては、例えば絶縁材料または半導体材料を用いることができる。非磁性膜１５の材料としての絶縁材料としては、例えばアルミナ、シリコン酸化物（ＳｉＯ_Ｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）のいずれかを用いることができる。非磁性膜１５の材料としての半導体材料としては、例えば多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンを用いることができる。

研磨停止層１６は、非磁性導電材料によって形成されている。研磨停止層１６の材料としては、例えば、非磁性金属層１３の材料と同じものを用いることができる。

第１層１６１と第２層１６２は、いずれも金属磁性材料によって形成されている。第１層１６１の材料としては、例えば、ＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。第２層１６２の材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。

磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、非磁性膜１５、研磨停止層１６および磁極層１７の上面の上に配置されたギャップ層１８を備えている。ギャップ層１８は、平坦な層になっている。ギャップ層１８には、媒体対向面３０から離れた位置において、開口部が形成されている。ギャップ層１８の材料は、アルミナ等の絶縁材料でもよいし、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、Ｔａ、Ｗ、ＮｉＢ、ＮｉＰ等の非磁性金属材料でもよい。

サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂは、媒体対向面３０において磁極層１７の端面のトラック幅方向の両側に配置された端面を有している。磁極層１７とサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂとの間には、非磁性膜１５と研磨停止層１６とが配置されている。また、媒体対向面３０において、ギャップ層１８の端面におけるトラック幅方向の両端１８ａ，１８ｂは、サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの側壁１４Ａａ，１４Ｂａよりもトラック幅方向の外側に配置されている。また、媒体対向面３０において、ギャップ層１８の端面は、トラック幅方向に直線状に延びる形状をなしている。

磁気ヘッドは、更に、主シールド層２０を備えている。主シールド層２０は、サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂおよびギャップ層１８の上に配置された第１層２０Ａと、ギャップ層１８の開口部が形成された位置において磁極層１７の上に配置されたヨーク層２０Ｂと、第１層２０Ａとヨーク層２０Ｂとを連結するように配置された第２層２０Ｃとを有している。第２層２０Ｃは、媒体対向面３０に配置された端部を有している。第１層２０Ａ、ヨーク層２０Ｂおよび第２層２０Ｃは、いずれも磁性材料によって形成されている。これらの層２０Ａ〜２０Ｃの材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。

磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、ヨーク層２０Ｂの周囲に配置された非磁性層２１を備えている。非磁性層２１の一部は、第１層２０Ａの側方に配置されている。非磁性層２１は、例えば、アルミナや塗布ガラス等の無機絶縁材料によって形成されている。あるいは、非磁性層２１は、非磁性金属材料よりなる層とその上に配置された絶縁材料よりなる層とで構成されていてもよい。この場合、非磁性金属材料としては、例えば、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｒ、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、Ｐｄ、Ｈｆ等の高融点金属が用いられる。

磁気ヘッドは、更に、ヨーク層２０Ｂおよび非磁性層２１の上面のうち、後述するコイル２３が配置される領域の上に配置された絶縁層２２と、この絶縁層２２の上に配置されたコイル２３と、このコイル２３の巻線間およびコイル２３の周囲に配置された絶縁層２４とを備えている。コイル２３は、平面渦巻き形状をなしている。コイル２３の一部は、第２層２０Ｃとヨーク層２０Ｂの間を通過している。コイル２３は、銅等の導電材料によって形成されている。絶縁層２４は、例えばフォトレジストによって形成されている。

中間磁性層８２から主シールド層２０の第２層２０Ｃまでの部分は、記録ヘッドを構成する。磁気ヘッドは、更に、主シールド層２０を覆うように形成された保護層２５を備えている。保護層２５は、例えばアルミナによって形成されている。

以上説明したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面３０と再生ヘッドと記録ヘッドとを備えている。再生ヘッドと記録ヘッドは、基板１の上に積層されている。再生ヘッドは記録媒体の進行方向Ｔの後側（スライダにおける空気流入端側）に配置され、記録ヘッドは記録媒体の進行方向Ｔの前側（スライダにおける空気流出端側）に配置されている。

再生ヘッドは、再生素子としてのＭＲ素子５と、媒体対向面３０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層７と、ＭＲ素子５と下部シールド層３との間に配置された下部シールドギャップ膜４と、ＭＲ素子５と上部シールド層７との間に配置された上部シールドギャップ膜６とを備えている。

記録ヘッドは、コイル９、収容層１２、非磁性金属層１３、サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂ、非磁性膜１５、研磨停止層１６、磁極層１７、ギャップ層１８、主シールド層２０およびコイル２３を備えている。コイル９，２３は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。なお、コイル９は、記録ヘッドにおける必須の構成要素ではなく、設けられていなくてもよい。

磁極層１７は、媒体対向面３０に配置された端面を有し、コイル２３によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。

主シールド層２０は、媒体対向面３０に配置された端面を有し、媒体対向面３０から離れた位置において磁極層１７に連結されている。ギャップ層１８は、非磁性材料よりなり、媒体対向面３０に配置された端面を有し、磁極層１７と主シールド層２０との間に設けられている。

媒体対向面３０において、主シールド層２０の端面は、磁極層１７の端面に対して、ギャップ層１８の厚みによる所定の間隔を開けて記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置されている。ギャップ層１８の厚みは、例えば、２０〜５０ｎｍの範囲内である。コイル２３の少なくとも一部は、磁極層１７と主シールド層２０との間に、磁極層１７および主シールド層２０に対して絶縁された状態で配置されている。コイル２３の厚みは、例えば１．５〜３μｍの範囲内である。

磁極層１７は、収容部４０内に、非磁性膜１５および研磨停止層１６を介して配置されている。非磁性膜１５の厚みは、例えば２０〜８０ｎｍの範囲内である。しかし、この範囲内に限らず、非磁性膜１５の厚みは、トラック幅に応じて任意に設定することができる。研磨停止層１６の厚みは、例えば２０〜８０ｎｍの範囲内である。

磁極層１７は、収容部４０の表面に近い位置に配置された第１層１７１と、収容部４０の表面から遠い位置に配置された第２層１７２とを有している。第１層１７１の厚みは、例えば０〜１００ｎｍの範囲内である。第１層１７１の厚みが０というのは、第１層１７１がない場合である。

主シールド層２０は、ギャップ層１８に隣接するように配置された第１層２０Ａと、ギャップ層１８の開口部が形成された位置において磁極層１７の上に配置されたヨーク層２０Ｂと、第１層２０Ａとヨーク層２０Ｂとを連結するように配置された第２層２０Ｃとを有している。第２層２０Ｃの一部は、媒体対向面３０とコイル２３の少なくとも一部との間に配置されている。

第１層２０Ａは、媒体対向面３０に配置された第１の端部とその反対側の第２の端部とを有している。スロートハイトＴＨは、媒体対向面３０から見て磁極層１７と主シールド層２０との間隔が大きくなり始める位置から媒体対向面３０までの距離となる。本実施の形態では、スロートハイトＴＨは、第１層２０Ａの媒体対向面３０から遠い端部から媒体対向面３０までの距離となる。スロートハイトＴＨは、例えば０．０５〜０．３μｍの範囲内である。

ここで、図１ないし図４を参照して、磁極層１７、サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂおよびギャップ層１８について詳しく説明する。図１は、磁極層１７およびサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂのうちの媒体対向面３０の近傍における一部を示す斜視図である。図２は、磁極層１７、サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂおよびギャップ層１８のうちの媒体対向面３０の近傍における一部を示す斜視図である。図３は、磁極層１７、非磁性金属層１３およびサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂを示す平面図である。図４は、磁極層１７、サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂ、第１層２０Ａおよびヨーク層２０Ｂを示す平面図である。

図１に示したように、磁極層１７の少なくとも一部は、収容層１２の溝部１２ａと非磁性金属層１３の側壁１３ａとサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの側壁１４Ａａ，１４Ｂａとによって形成された収容部４０内に収容されている。

図３に示したように、磁極層１７は、媒体対向面３０に配置された端面を有するトラック幅規定部１７Ａと、このトラック幅規定部１７Ａよりも媒体対向面３０から遠い位置に配置され、トラック幅規定部１７Ａよりも大きな幅を有する幅広部１７Ｂとを有している。トラック幅規定部１７Ａは、媒体対向面３０からの距離に応じて変化しない幅を有している。幅広部１７Ｂの幅は、例えば、トラック幅規定部１７Ａとの境界位置ではトラック幅規定部１７Ａの幅と等しく、媒体対向面３０から遠ざかるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。本実施の形態では、磁極層１７のうち、媒体対向面３０に配置された端面から、磁極層１７の幅が大きくなり始める位置までの部分を、トラック幅規定部１７Ａとする。ここで、媒体対向面３０に垂直な方向についてのトラック幅規定部１７Ａの長さをネックハイトＮＨと呼ぶ。ネックハイトＮＨは、例えば０．１〜０．３μｍの範囲内である。

図１および図２に示したように、媒体対向面３０に配置された磁極層１７の端面は、第１の領域４１と、この第１の領域４１と媒体対向面３０に配置されたギャップ層１８の端面との間に配置され、且つ第１の領域４１に接続された第２の領域４２とを有している。第１の領域４１は、ギャップ層１８から遠ざかるに従って小さくなる幅を有している。第２の領域４２は、トラック幅を規定する一定の幅を有している。第１の領域４１と第２の領域４２との境界位置において、第１の領域４１の幅と第２の領域４２の幅は等しい。

第１の領域４１は、基板１に近い第１の辺Ａ１と、第１の辺Ａ１とは反対側の第２の辺Ａ２と、第１の辺Ａ１の一端と第２の辺Ａ２の一端とを結ぶ第３の辺Ａ３と、第１の辺Ａ１の他端と第２の辺Ａ２の他端とを結ぶ第４の辺Ａ４とを有している。第３の辺Ａ３と第４の辺Ａ４がそれぞれ基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度は、例えば、５°〜１５°の範囲内とする。

第２の領域４２は、第２の辺Ａ２の長さに等しく且つトラック幅を規定する一定の幅を有している。第２の領域４２の幅、すなわちトラック幅は、例えば０．０５〜０．２０μｍの範囲内である。また、第２の領域４２における幅方向の両側の２つの辺は、基板１の上面に対して垂直になっている。媒体対向面３０において、第２の領域４２のトラック幅方向の両側には、サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの各端面が配置されている。磁極層１７の厚みは、例えば０．１５〜０．３５μｍの範囲内である。

非磁性膜１５および研磨停止層１６は、いずれも、非磁性材料よりなり、磁極層１７とサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの側壁１４Ａａ，１４Ｂａとの間に配置されている。非磁性膜１５および研磨停止層１６は、いずれも、本発明における非磁性膜に対応する

図３に示したように、非磁性金属層１３は、媒体対向面３０から離れた位置において収容層１２の上面の上に配置されている。サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂは、非磁性金属層１３よりも媒体対向面３０に近い位置において、非磁性金属層１３に隣接するように収容層１２の上面の上に配置されている。また、サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの側壁１４Ａａ，１４Ｂａは、トラック幅規定部１７Ａの両側部および幅広部１７Ｂの一部における両側部に対向するように配置されている。媒体対向面３０に垂直な方向についてのサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの長さは、磁極層１７から遠ざかるに従って大きくなっている。

図５に示したように、媒体対向面３０において、ギャップ層１８の端面におけるトラック幅方向の両端１８ａ，１８ｂは、各サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの側壁１４Ａａ，１４Ｂａよりもトラック幅方向の外側に配置されている。

サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの厚みは、磁極層１７の厚み以下である。また、サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの厚みは、磁極層１７の厚みの１５〜７０％であることが好ましい。サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの厚みは、例えば３０〜１００ｎｍの範囲内である。また、サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの飽和磁束密度は、磁極層１７の飽和磁束密度よりも小さいことが好ましい。それは、サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの飽和磁束密度が大きい場合には、サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂから磁束の漏れが生じ、これに起因して隣接トラック消去が発生し易くなるためである。

サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂは、主シールド層２０の第１層２０Ａに接続されていている。図４に示したように、第１層２０Ａは、ギャップ層１８を介して磁極層１７と対向する部分を含む中央部分２０Ａ１と、この中央部分２０Ａ１の幅方向の外側に配置された２つの側方部分２０Ａ２，２０Ａ３とを有している。媒体対向面３０に垂直な方向についての中央部分２０Ａ１の長さは一定である。媒体対向面３０に垂直な方向についての側方部分２０Ａ２，２０Ａ３の最大の長さは、媒体対向面３０に垂直な方向についての中央部分２０Ａ１の長さよりも大きい。第１層２０Ａの厚みは、例えば０．２５〜０．４５μｍの範囲内である。また、第２層２０Ｃの厚みは、例えば０．５〜１．５μｍの範囲内である。

次に、図７ないし図２０を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。図７、図１０、図１４、図１６、図１８は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造過程における積層体の平面図である。なお、これらの図において、符号３０で示す破線は、媒体対向面３０が形成される位置を表している。図８、図９、図１１、図１２、図１３、図１５、図１７、図１９、図２０において、（ａ）は積層体の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示す断面図であり、（ｂ）は積層体の、媒体対向面が形成される位置における断面を示す断面図である。なお、図８、図９、図１１、図１２、図１３、図１５、図１７、図１９、図２０では、収容層１２よりも基板１側の部分を省略している。また、図８、図９、図１１、図１２、図１３、図１５、図１７、図１９、図２０の（ａ）において、符号３０で示す破線は、媒体対向面３０が形成される位置を表している。

本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、まず、図５および図６に示したように、基板１の上に、絶縁層２、下部シールド層３、下部シールドギャップ膜４を順に形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上にＭＲ素子５と、このＭＲ素子５に接続される図示しないリードとを形成する。次に、ＭＲ素子５およびリードを、上部シールドギャップ膜６で覆う。次に、上部シールドギャップ膜６の上に、上部シールド層７、非磁性層８１、中間磁性層８２および絶縁層８３を順に形成する。次に、絶縁層８３の上に、コイル９および絶縁層１０，１１を形成する。次に、コイル９および絶縁層１０，１１の上面を、例えばＣＭＰによって平坦化する。

図７および図８は、次の工程を示す。この工程では、まず、平坦化されたコイル９および絶縁層１０，１１の上面の上に、後に溝部１２ａが形成されることによって収容層１２となる非磁性層１２Ｐを形成する。次に、例えばスパッタ法によって、非磁性層１２Ｐの上に、後に非磁性金属層１３となる非磁性金属膜１３Ｐを、例えば５０〜１００ｎｍの厚みで形成する。次に、非磁性層１２Ｐの上面のうち、後にサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂが配置される部分を含む部分が露出するように、非磁性金属膜１３Ｐの一部を選択的にエッチングする。このエッチングは、例えば反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングを用いて行われる。このようにして、非磁性金属膜１３Ｐが非磁性層１２Ｐの上面の一部の上に形成される。

図９は、次の工程を示す。この工程では、非磁性層１２Ｐの上面のうち非磁性金属膜１３Ｐが形成されていない部分の上および非磁性金属膜１３Ｐの上面の上に、後にサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂとなる磁性膜１４Ｐを形成する。磁性膜１４Ｐは、例えばめっき法を用いて形成される。この場合には、まず、例えばスパッタ法によって、積層体の上面全体の上にシード層を形成する。次に、このシード層の上に、めっき法によって磁性膜１４Ｐを形成する。この時点における磁性膜１４Ｐの厚みは、例えば７０〜１５０ｎｍである。

図１０および図１１は、次の工程を示す。この工程では、例えばＣＭＰによって、非磁性金属膜１３Ｐの上面が研磨の停止位置となるように磁性膜１４Ｐの上面を研磨して、非磁性金属膜１３Ｐおよび磁性膜１４Ｐの上面を平坦化する。

図１２は、次の工程を示す。この工程では、まず、非磁性金属膜１３Ｐおよび磁性膜１４Ｐの上に、例えば１．０μｍの厚みのフォトレジスト層を形成する。次に、このフォトレジスト層をパターニングして、収容部４０を形成するためのマスク３１を形成する。このマスク３１は、収容部４０に対応した形状の開口部を有している。次に、マスク３１を用いて、非磁性金属膜１３Ｐおよび磁性膜１４Ｐを選択的にエッチングする。これにより、非磁性金属膜１３Ｐおよび磁性膜１４Ｐに対して、マスク３１の開口部に対応した形状の開口部が形成される。その結果、非磁性金属膜１３Ｐは側壁１３ａを有する非磁性金属層１３となり、磁性膜１４Ｐは、それぞれ側壁１４Ａａ，１４Ｂａを有するサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂとなる。非磁性金属膜１３Ｐおよび磁性膜１４Ｐのエッチングは、例えばイオンビームエッチングまたは反応性イオンエッチングを用いて行われる。非磁性金属膜１３Ｐおよび磁性膜１４Ｐのエッチングでは、エッチングによって形成される側壁１３ａ，１４Ａａ，１４Ｂａが、基板１の上面に対して垂直になるようにする。

図１３は、次の工程を示す。この工程では、非磁性金属層１３およびサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂをマスクとして、非磁性層１２Ｐを選択的にエッチングする。これにより、非磁性層１２Ｐに溝部１２ａが形成され、非磁性層１２Ｐは収容層１２となる。また、収容層１２の溝部１２ａと非磁性金属層１３の側壁１３ａとサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの側壁１４Ａａ，１４Ｂａとによって収容部４０が形成される。非磁性層１２Ｐのエッチングは、例えば、Ｃｌ_２およびＢＣｌ_３を含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングによって行われる。非磁性層１２Ｐのエッチングでは、磁極層１７のトラック幅規定部１７Ａの両側部に対応する溝部１２ａの壁面が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度が、例えば５°〜１５°の範囲内になるようにする。次に、図１４に示したように、マスク３１を除去する。

図１５は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、非磁性膜１５を形成する。非磁性膜１５は、収容部４０内にも形成される。非磁性膜１５は、例えば、スパッタ法またはＣＶＤによって形成される。非磁性膜１５の厚みは、精度よく制御することができる。ＣＶＤを用いて非磁性膜１５を形成する場合には、特に、１原子層毎の成膜を繰り返すＣＶＤ、いわゆるアトミックレイヤーＣＶＤ（以下、ＡＬＣＶＤと記す。）を用いることが好ましい。この場合には、非磁性膜１５の厚みの制御をより精度よく行うことができる。また、ＡＬＣＶＤを用いて非磁性膜１５を形成する場合には、非磁性膜１５の材料としては、特にアルミナが好ましい。半導体材料を用いて非磁性膜１５を形成する場合には、特に、低温（２００℃程度）でのＡＬＣＶＤまたは低温での低圧ＣＶＤを用いて非磁性膜１５を形成することが好ましい。また、非磁性膜１５の材料としての半導体材料は、不純物をドープしない多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンであることが好ましい。

次に、例えばスパッタ法またはＡＬＣＶＤによって、積層体の上面全体の上に研磨停止層１６を形成する。研磨停止層１６は、収容部４０内にも形成される。研磨停止層１６は、後に行われる研磨工程における研磨の停止位置を示す。

次に、積層体の上面全体の上に、磁極層１７の第１層１７１となる第１の磁性層１７１Ｐを形成する。この第１の磁性層１７１Ｐは、例えばスパッタ法またはイオンビームデポジション法によって形成される。スパッタ法によって第１の磁性層１７１Ｐを形成する場合には、コリメーションスパッタやロングスロースパッタを用いることが好ましい。なお、前述のように第１層１７１は省略してもよいので、第１の磁性層１７１Ｐは形成しなくてもよい。次に、第１の磁性層１７１Ｐの上に、磁極層１７の第２層１７２となる第２の磁性層１７２Ｐを形成する。第２の磁性層１７２Ｐは、その上面が非磁性金属層１３、サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂ、非磁性膜１５および研磨停止層１６の各上面よりも上方に配置されるように形成される。この第２の磁性層１７２Ｐは、例えばフレームめっき法によって形成される。その際、第１の磁性層１７１Ｐは、めっき用の電極として用いられる。研磨停止層１６が導電性の材料によって形成されている場合には、研磨停止層１６も、めっき用の電極として用いられる。なお、第２の磁性層１７２Ｐは、パターニングしていないめっき層を形成した後、このめっき層をエッチングによってパターニングして形成してもよい。

図１６および図１７は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる、図示しない被覆層を、例えば０．５〜１．２μｍの厚みに形成する。次に、例えばＣＭＰによって、研磨停止層１６が露出するまで被覆層、第２の磁性層１７２Ｐおよび第１の磁性層１７１Ｐを研磨して、研磨停止層１６、第１の磁性層１７１Ｐおよび第２の磁性層１７２Ｐの上面を平坦化する。ＣＭＰによって被覆層、第２の磁性層１７２Ｐおよび第１の磁性層１７１Ｐを研磨する場合には、研磨停止層１６が露出した時点で研磨が停止するようなスラリー、例えばアルミナ系のスラリーを用いる。

次に、例えばイオンビームエッチング、スパッタエッチングまたは反応性イオンエッチングによって、第１の磁性層１７１Ｐおよび第２の磁性層１７２Ｐの上面をエッチングする。この工程では、少なくとも、研磨停止層１６および非磁性膜１５のうち、非磁性金属層１３およびサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの上に配置されている部分が除去されるように、第１の磁性層１７１Ｐおよび第２の磁性層１７２Ｐの上面と共に、研磨停止層１６および非磁性膜１５をエッチングする。この工程により、第１の磁性層１７１Ｐ、第２の磁性層１７２Ｐは、それぞれ第１層１７１、第２層１７２となって、磁極層１７が形成される。

また、この工程では、非磁性金属層１３およびサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの上面が露出した状態から更にエッチングを続けて、第１の磁性層１７１Ｐおよび第２の磁性層１７２Ｐの上面と共に、非磁性金属層１３、サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂ、研磨停止層１６および非磁性膜１５のそれぞれの一部をエッチングしてもよい。この工程により、非磁性金属層１３、サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂ、第１層１７１および第２層１７２の上面が平坦化されると共に、媒体対向面における磁極層１７の厚みが調整される。この工程では、特にイオンビームエッチングを用いてエッチングを行うことにより、磁極層１７の厚みを精度よく制御することができる。

図１８および図１９は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、ギャップ層１８を形成する。ギャップ層１８は、例えば、スパッタ法またはＣＶＤによって形成される。ＣＶＤを用いてギャップ層１８を形成する場合には、特にＡＬＣＶＤを用いることが好ましい。また、ＡＬＣＶＤを用いてギャップ層１８を形成する場合には、ギャップ層１８の材料としては、特にアルミナが好ましい。

次に、ギャップ層１８を選択的にエッチングして、ギャップ層１８をパターニングする。これにより、ギャップ層１８に、後にヨーク層２０Ｂが配置される位置に開口部が形成されると共に、２つのサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの上面を露出させる２つのコンタクトホール１８ｃが形成される。

次に、ギャップ層１８の上に第１層２０Ａを形成すると共に、磁極層１７の上にヨーク層２０Ｂを形成する。第１層２０Ａとヨーク層２０Ｂは、フレームめっき法によって形成してもよいし、スパッタ法によって磁性層を形成した後、この磁性層を選択的にエッチングすることによって形成してもよい。第１層２０Ａは、コンタクトホール１８ｃを通してサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂに接続される。

図２０は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、非磁性層２１を、例えば１．０〜１．５μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１層２０Ａおよびヨーク層２０Ｂが露出するまで非磁性層２１を研磨して、第１層２０Ａ、ヨーク層２０Ｂおよび非磁性層２１の上面を平坦化する。

次に、図５および図６に示したように、ヨーク層２０Ｂおよび非磁性層２１の上面のうち、コイル２３が配置される領域の上に、絶縁層２２を例えば０．２〜０．３μｍの厚みで形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、コイル２３の少なくとも一部が絶縁層２２の上に配置されるように、コイル２３を形成する。コイル２３を覆うように絶縁層２４を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第２層２０Ｃを形成する。次に、積層体の上面全体を覆うように保護層２５を形成する。次に、保護層２５の上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面３０の研磨、浮上用レールの作製等を行って、磁気ヘッドが完成する。

次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの作用および効果について説明する。この磁気ヘッドでは、記録ヘッドによって記録媒体に情報を記録し、再生ヘッドによって、記録媒体に記録されている情報を再生する。記録ヘッドにおいて、コイル２３は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。磁極層１７および主シールド層２０は、コイル２３が発生する磁界に対応した磁束を通過させる磁路を形成する。磁極層１７は、コイル２３によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。主シールド層２０は、磁気ヘッドの外部から磁気ヘッドに印加された外乱磁界を取り込む。これにより、外乱磁界が磁極層１７に集中して取り込まれることによって記録媒体に対して誤った記録が行なわれることを防止することができる。

また、本実施の形態では、媒体対向面３０において、主シールド層２０の端面は、磁極層１７の端面に対して、ギャップ層１８による所定の小さな間隔を開けて記録媒体の進行方向Ｔの前側（スライダにおける空気流出端側）に配置されている。記録媒体に記録されるビットパターンの端部、すなわち磁化遷移領域の位置は、媒体対向面３０における磁極層１７のギャップ層１８側の端部の位置によって決まる。主シールド層２０は、磁極層１７の媒体対向面３０側の端面より発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込むことにより、この磁束が記録媒体に達することを阻止する。これにより、記録媒体に既に記録されているビットパターンにおける磁化の方向が上記磁束の影響によって変化することを防止することができる。これにより、本実施の形態によれば、線記録密度を向上させることができる。

また、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂを備えている。このサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂは、媒体対向面３０において磁極層１７の端面のトラック幅方向の両側に配置された端面を有している。サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂは、磁極層１７の端面より発生されてトラック幅方向に広がる磁束を取り込む。これにより、本実施の形態によれば、サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂがない場合に比べて、磁極層１７からギャップ層１８を越えて主シールド層２０に至る磁束がトラック幅方向に広がることを抑制することができる。その結果、本実施の形態によれば、物理的トラック幅と実効的トラック幅との差を小さくすることができる。

また、本実施の形態では、収容層１２の上面の上に、非磁性金属層１３と２つのサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂとが配置されている。サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂは、非磁性金属層１３よりも媒体対向面３０に近い位置において、非磁性金属層１３に隣接するように配置されている。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法において、収容層１２、非磁性金属層１３およびサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂは、以下のようにして形成される。まず、後に溝部１２ａが形成されることによって収容層１２となる非磁性層１２Ｐが形成される。次に、後に非磁性金属層１３となる非磁性金属膜１３Ｐが非磁性層１２Ｐの上面の一部の上に形成される。次に、後にサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂとなる磁性膜１４Ｐが、非磁性層１２Ｐの上面のうち非磁性金属膜１３Ｐが形成されていない部分の上に形成される。次に、非磁性金属膜１３Ｐおよび磁性膜１４Ｐの上面が平坦化される。次に、非磁性金属膜１３Ｐが非磁性金属層１３となると共に磁性膜１４Ｐがサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂとなるように、非磁性金属膜１３Ｐおよび磁性膜１４Ｐが選択的にエッチングされる。次に、溝部１２ａが形成されることによって非磁性層１２Ｐが収容層１２となり、且つ溝部１２ａと非磁性金属層１３の側壁１３ａとサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの側壁１４Ａａ，１４Ｂａとによって収容部４０が形成されるように、非磁性金属層１３およびサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂをマスクとして非磁性層１２Ｐが選択的にエッチングされる。

本実施の形態によれば、非磁性金属層１３の厚みとサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの厚みが一致するようにサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂを形成することができる。従って、本実施の形態によれば、サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの厚みを精度よく制御することができる。

ここで、図２１を参照して、非磁性金属層１３がない場合の不具合について説明する。図２１は、非磁性金属層１３がない比較例の磁気ヘッドにおけるサイドシールド層および磁極層の一部を示す平面図である。この比較例の磁気ヘッドは、本実施の形態における非磁性金属層１３を備えていない。また、比較例の磁気ヘッドは、本実施の形態におけるサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの代わりにサイドシールド層１１４Ａ，１１４Ｂを備えている。サイドシールド層１１４Ａ，１１４Ｂは、収容層１２の溝部１２ａの縁の真上に配置された側壁１１４Ａａ，１１４Ｂａを有している。この側壁１１４Ａａ，１１４Ｂａは、磁極層１７の両側部に対向するように配置されている。ここで、側壁１１４Ａａ，１１４Ｂａにおける媒体対向面３０とは反対側の端部から媒体対向面３０までの距離を、サイドシールドハイトと呼び、記号ＳＳＨで表す。サイドシールドハイトＳＳＨの大きさは、記録ヘッドの特性に影響を与える。

比較例において、サイドシールド層１１４Ａ，１１４Ｂは、以下のようにして形成される。まず、後に溝部１２ａが形成されることによって収容層１２となる非磁性層１２Ｐが形成される。次に、後にサイドシールド層１１４Ａ，１１４Ｂとなる磁性膜が、非磁性層１２Ｐの上面の上に形成される。次に、磁性膜が選択的にエッチングされ、磁性膜に開口部が形成される。次に、溝部１２ａが形成されることによって非磁性層１２Ｐが収容層１２となるように、磁性膜をマスクとして非磁性層１２Ｐが選択的にエッチングされる。次に、収容層１２の溝部１２ａ内および磁性膜の開口部内に、非磁性膜１５、研磨停止層１６および磁極層１７が形成される。次に、例えばイオンビームエッチングによって磁性膜が選択的にエッチングされて、サイドシールド層１１４Ａ，１１４Ｂが形成される。

上述のように、比較例では、磁極層１７の形成後、磁性膜を選択的にエッチングすることによって、サイドシールド層１１４Ａ，１１４Ｂをパターニングする。この場合、図２１に示したように、サイドシールド層１１４Ａ，１１４Ｂのうち、側壁１１４Ａａ，１１４Ｂａにおける媒体対向面３０とは反対側の端部の近傍の部分を精度よく形成することが難しい。そのため、比較例では、サイドシールドハイトＳＳＨを精度よく制御することが難しいという不具合がある。

図２２は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおけるサイドシールド層および磁極層の一部を示す平面図である。本実施の形態においても、サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの側壁１４Ａａ，１４Ｂａにおける媒体対向面３０とは反対側の端部から媒体対向面３０までの距離を、サイドシールドハイトと呼び、記号ＳＳＨで表す。本実施の形態では、磁極層１７の形成後にエッチングによってサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂをパターニングすることはない。本実施の形態では、非磁性層１２Ｐを選択的にエッチングして収容層１２を形成する前に、非磁性金属膜１３Ｐおよび磁性膜１４Ｐを選択的にエッチングして、非磁性金属層１３およびサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂを形成する。この時点で、サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの側壁１４Ａａ，１４Ｂａにおける媒体対向面３０とは反対側の端部の位置は、非磁性金属層１３とサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂとの境界の位置によって明確に決定されている。従って、本実施の形態によれば、サイドシールドハイトＳＳＨを精度よく制御することができる。

また、本実施の形態では、図１に示したように、媒体対向面３０に配置された磁極層１７の端面は、ギャップ層１８から遠ざかるに従って小さくなる幅を有する部分を含んでいる。これにより、本実施の形態によれば、スキューに起因した問題の発生を防止することができる。

また、本実施の形態では、溝部１２ａを有する収容層１２の上面の上に、非磁性金属層１３およびサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂが配置され、収容層１２の溝部１２ａと非磁性金属層１３の側壁１３ａとサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの側壁１４Ａａ，１４Ｂａとによって収容部４０が形成されている。そして、磁極層１７の少なくとも一部は、収容部４０内に収容されている。エッチングによって、非磁性金属層１３とサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂに、側壁１３ａ，１４Ａａ，１４Ｂａを形成することは、同様の形状の側壁を、無機絶縁材料によって形成された層に形成する場合に比べて容易である。また、本実施の形態では、非磁性金属層１３およびサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂをマスクとして、非磁性層１２Ｐを選択的にエッチングして、テーパー形状の溝部１２ａを形成している。このようにして溝部１２ａを形成することも容易である。従って、本実施の形態によれば、収容部４０を容易に形成することが可能になる。

また、それぞれ金属磁性材料よりなる磁極層１７およびサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂと非磁性金属材料よりなる非磁性金属層１３のエッチング速度は、ほぼ等しい。そのため、本実施の形態によれば、磁極層１７、非磁性金属層１３およびサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの上面を精度よくエッチングすることができる。従って、本実施の形態によれば、磁極層１７の厚みを精度よく制御することが可能になる。

また、本実施の形態では、媒体対向面３０に配置された磁極層１７の端面は、第１の領域４１と、この第１の領域４１と媒体対向面３０に配置されたギャップ層１８の端面との間に配置され、且つ第１の領域４１に接続された第２の領域４２とを有している。そして、第２の領域４２は、トラック幅を規定する一定の幅を有している。従って、本実施の形態によれば、トラック幅を精度よく制御することが可能になる。これらのことから、本実施の形態によれば、少なくとも一部が収容部４０に収容される磁極層１７を精度よく形成することが可能になる。従って、本実施の形態によれば、所望の形状の磁極層１７を正確に形成することが可能になる。

また、本実施の形態では、収容部４０内に、非磁性膜１５および研磨停止層１６を介して磁極層１７が配置される。そのため、磁極層１７の幅は収容部４０の幅よりも小さくなる。これにより、収容部４０を容易に形成することが可能になると共に、磁極層１７の幅、特にトラック幅を規定するトラック幅規定部１７Ａの上面の幅を容易に小さくすることが可能になる。従って、本実施の形態によれば、フォトリソグラフィによって形成可能なトラック幅の下限値よりも小さなトラック幅を、容易に実現でき、且つ正確に制御することができる。

［変形例］
以下、図２３を参照して、本実施の形態における変形例について説明する。図２３は、変形例の磁気ヘッドにおける磁極層、サイドシールド層およびギャップ層のうちの媒体対向面の近傍における一部を示す斜視図である。この変形例では、ギャップ層１８に、サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂと主シールド層２０の第１層２０Ａとを接続するためのコンタクトホールは形成されていない。そのため、この変形例では、サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂは、第１層２０Ａに接続されていない。この場合においても、サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂは、前述の機能を発揮する。変形例におけるその他の構成、作用および効果は、図１ないし図６に示した磁気ヘッドと同様である。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。始めに、図２４ないし図２７を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成について説明する。図２４は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁極層およびサイドシールド層のうちの媒体対向面の近傍における一部を示す斜視図である。図２５は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁極層、サイドシールド層およびギャップ層のうちの媒体対向面の近傍における一部を示す斜視図である。図２６は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。図２７は本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。なお、図２７は媒体対向面および基板の面に垂直な断面を示している。また、図２７において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。

本実施の形態では、媒体対向面３０から離れた位置において、絶縁層８３にコンタクトホールが形成されている。そして、このコンタクトホールが形成されている位置において、中間磁性層８２の上に連結層９１が配置されている。連結層９１は、磁性材料によって形成されている。コイル９は、この連結層９１を中心として巻回されている。連結層９１の周囲には、絶縁層１１が配置されている。

コイル９、絶縁層１０，１１および連結層９１の上面は平坦化されている。連結層９１の上には、連結層９２が配置されている。連結層９２は、磁性材料によって形成されている。コイル９および絶縁層１０，１１の上には、絶縁層９３が配置されている。絶縁層９３は、アルミナ等の絶縁材料によって形成されている。連結層９２および絶縁層９３の上面は平坦化されている。そして、絶縁層９３の上面の上に収容層１２が配置されている。

連結層９２の上方の位置において、収容層１２の溝部１２ａの底部にはコンタクトホールが形成されている。磁極層１７は、このコンタクトホールを通して連結層９２に接続されている。従って、磁極層１７は、連結層９１，９２を介して中間磁性層８２に接続されている。

本実施の形態における磁極層１７は、媒体対向面３０に配置された端面を有する第１の部分１７Ｃと、この第１の部分１７Ｃよりも媒体対向面３０から遠い位置に配置され、第１の部分１７Ｃよりも大きな厚みを有する第２の部分１７Ｄとを有している。第１の部分１７Ｃは、媒体対向面３０からの距離に応じて変化しない厚みを有している。

第１の部分１７Ｃと第２の部分１７Ｄとの境界の位置は、トラック幅規定部１７Ａと幅広部１７Ｂとの境界の位置と一致していてもよいし、トラック幅規定部１７Ａと幅広部１７Ｂとの境界の位置よりも媒体対向面３０に近い位置、あるいはトラック幅規定部１７Ａと幅広部１７Ｂとの境界の位置よりも媒体対向面３０から遠い位置であってもよい。第１の部分１７Ｃと第２の部分１７Ｄとの境界の位置と媒体対向面３０との間の距離は、例えば０．１〜０．５μｍの範囲内である。

第１の部分１７Ｃにおける基板１から遠い面（上面）１７Ｃａは、第２の部分１７Ｄにおける基板１から遠い面（上面）１７Ｄａよりも基板１に近い位置に配置されている。また、第２の部分１７Ｄは、第１の部分１７Ｃにおける基板１から遠い面１７Ｃａと第２の部分１７Ｄにおける基板１から遠い面１７Ｄａとを結ぶ前端面１７Ｄｂを有している。前端面１７Ｄｂは、基板１の上面に対してほぼ垂直になっていてもよい。ここで、前端面１７Ｄｂが基板１の上面に対してほぼ垂直というのは、前端面１７Ｄｂが基板１の上面に対してなす角度が８０°〜９０°の範囲内であることを言う。なお、前端面１７Ｄｂが基板１の上面に対してなす角度が８０°以上、９０°未満のとき、面１７Ｃａと面１７Ｄｂがなす角度および面１７Ｄａと面１７Ｄｂがなす角度は、いずれも鈍角である。あるいは、前端面１７Ｄｂは、前端面１７Ｄｂが配置された領域において媒体対向面３０から離れるに従って磁極層１７の厚みが徐々に大きくなるように、基板１の上面に垂直な方向に対して傾いていてもよい。この場合、前端面１７Ｄｂが基板１の上面に対してなす角度は、３０°以上、８０°未満であることが好ましい。面１７Ｃａと面１７Ｄａとの間の段差は、例えば０．１〜０．３μｍの範囲内である。ギャップ層１８は、磁極層１７の上面に沿って屈曲している。主シールド層２０の第１層２０Ａは、面１７Ｃａの上方に配置されている。

次に、図２８ないし図３８を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。図２８、図３４、図３６は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造過程における積層体の平面図である。なお、これらの図において、符号３０で示す破線は、媒体対向面３０が形成される位置を表している。図２９ないし図３３、図３５、図３７、図３８において、（ａ）は積層体の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示す断面図であり、（ｂ）は積層体の、媒体対向面が形成される位置における断面を示す断面図である。なお、図２９ないし図３３、図３５、図３７、図３８では、連結層９２および絶縁層９３よりも基板１側の部分を省略している。また、図２９ないし図３３、図３５、図３７、図３８の（ａ）において、符号３０で示す破線は、媒体対向面３０が形成される位置を表している。

本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、絶縁層８３を形成する工程までは第１の実施の形態と同様である。本実施の形態では、次に、絶縁層８３にコンタクトホールを形成する。次に、このコンタクトホールが形成されている位置において、中間磁性層８２の上に連結層９１を形成する。次に、絶縁層８３の上に、コイル９および絶縁層１０，１１を形成する。次に、コイル９，絶縁層１０，１１および連結層９１の上面を、例えばＣＭＰによって平坦化する。

図２８および図２９は、次の工程を示す。この工程では、まず、連結層９１の上に連結層９２を形成する。次に、積層体の上面全体を覆うように、後に溝部１２ａが形成されることによって収容層１２となる非磁性層１２Ｐを形成する。次に、例えばスパッタ法によって、非磁性層１２Ｐの上に、後にパターニングされることにより非磁性金属膜１３Ｐとなる被パターニング膜１３Ｑを、例えば５０〜１００ｎｍの厚みで形成する。次に、被パターニング膜１３Ｑの上にエッチングマスク５１を形成する。このエッチングマスク５１は、例えばアンダーカットを有している。このようなアンダーカットを有するエッチングマスク５１は、例えば、現像液によって溶解される材料よりなる下層と、この下層の上に配置されたフォトレジスト層からなる２層レジスト層を露光および現像することによって形成される。

図３０は、次の工程を示す。この工程では、エッチングマスク５１を用いて、被パターニング膜１３Ｑを選択的にエッチングする。このエッチングは、例えばイオンビームエッチングを用いて行われる。このエッチングによって、被パターニング膜１３Ｑは、パターニングされて非磁性金属膜１３Ｐとなる。

図３１は、次の工程を示す。この工程では、エッチングマスク５１を残したままで、非磁性層１２Ｐの上面のうちエッチングマスク５１が配置されていない部分の上およびエッチングマスク５１の上に、後にサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂとなる磁性膜１４Ｐを形成する。磁性膜１４Ｐは、例えばスパッタ法によって形成される。また、磁性膜１４Ｐの厚みは、例えば５０〜１００ｎｍの範囲内で、且つ非磁性金属膜１３Ｐの厚みとほぼ等しくなるようにする。次に、エッチングマスク５１を除去する。

図３２は、次の工程を示す。この工程では、例えばＣＭＰによって、非磁性金属膜１３Ｐおよび磁性膜１４Ｐの上面をわずかに研磨して、非磁性金属膜１３Ｐおよび磁性膜１４Ｐの上面を平坦化する。

図３３は、次の工程を示す。この工程では、まず、第１の実施の形態と同様に、非磁性金属膜１３Ｐおよび磁性膜１４Ｐの上にマスク３１を形成する。このマスク３１は、収容部４０に対応した形状の開口部を有している。次に、マスク３１を用いて、非磁性金属膜１３Ｐおよび磁性膜１４Ｐを選択的にエッチングする。これにより、非磁性金属膜１３Ｐおよび磁性膜１４Ｐに対して、マスク３１の開口部に対応した形状の開口部が形成される。その結果、非磁性金属膜１３Ｐは側壁１３ａを有する非磁性金属層１３となり、磁性膜１４Ｐは、それぞれ側壁１４Ａａ，１４Ｂａを有するサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂとなる。非磁性金属膜１３Ｐおよび磁性膜１４Ｐのエッチングでは、エッチングによって形成される側壁１３ａ，１４Ａａ，１４Ｂａが、基板１の上面に対して垂直になるようにする。

次に、第１の実施の形態と同様に、非磁性金属層１３およびサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂをマスクとして、非磁性層１２Ｐを選択的にエッチングする。これにより、非磁性層１２Ｐに溝部１２ａが形成され、非磁性層１２Ｐは収容層１２となる。また、収容層１２の溝部１２ａと非磁性金属層１３の側壁１３ａとサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの側壁１４Ａａ，１４Ｂａとによって収容部４０が形成される。更に、溝部１２ａの底部のうち、連結層９２の上に配置された部分を選択的にエッチングして、収容層１２にコンタクトホールを形成する。次に、マスク３１を除去する。

図３４および図３５は、次の工程を示す。この工程では、まず、第１の実施の形態と同様に、積層体の上面全体の上に、非磁性膜１５と研磨停止層１６を順に形成する。非磁性膜１５および研磨停止層１６は、収容部４０内にも形成される。次に、非磁性膜１５および研磨停止層１６のうち、連結層９２の上に配置された部分を選択的にエッチングして、非磁性膜１５および研磨停止層１６にコンタクトホールを形成する。

次に、第１の実施の形態と同様に、積層体の上面全体の上に、第１の磁性層１７１Ｐと第２の磁性層１７２Ｐを順に形成する。次に、第１の実施の形態と同様に、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる、図示しない被覆層を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、研磨停止層１６が露出するまで被覆層、第２の磁性層１７２Ｐおよび第１の磁性層１７１Ｐを研磨して、研磨停止層１６、第１の磁性層１７１Ｐおよび第２の磁性層１７２Ｐの上面を平坦化する。図３４および図３５では、第１の磁性層１７１Ｐと第２の磁性層１７２Ｐからなる積層体を符号１７Ｐで示す。積層体１７Ｐは、収容層１２、非磁性膜１５および研磨停止層１６に形成されたコンタクトホールを通して、連結層９２に接続される。

図３６および図３７は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、例えば１．０μｍの厚みのフォトレジスト層を形成する。次に、このフォトレジスト層をパターニングして、磁性層１７１Ｐ，１７２Ｐの一部をエッチングするためのマスク５２を形成する。マスク５２の媒体対向面３０に近い端部と媒体対向面３０との間の距離は、例えば０．０５〜０．３μｍの範囲内である。マスク５２は、磁性層１７１Ｐ，１７２Ｐの上面のうち、面１７Ｃａおよび前端面１７Ｄｂが形成される領域以外の領域の上方に配置されている。次に、マスク５２を用いて、例えばイオンビームエッチングによって磁性層１７１Ｐ，１７２Ｐの一部をエッチングする。これにより、磁性層１７１Ｐ，１７２Ｐの上面に、面１７Ｃａ，１７Ｄａおよび前端面１７Ｄｂが形成されて、磁性層１７１Ｐ，１７２Ｐがそれぞれ第１層１７１、第２層１７２となる。イオンビームエッチングによって磁性層１７１Ｐ，１７２Ｐの一部をエッチングする際には、イオンビームの進行方向が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度を例えば４０〜５５°の範囲内とする。これにより、前端面１７Ｄｂが基板１の上面に対してなす角度を８０°〜９０°の範囲内とすることができる。また、このエッチングは、媒体対向面３０に配置される磁極層１７の端面における基板１から遠い辺が、形成当初のサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの上面の高さと下面の高さとの間の範囲内の高さの位置に配置されるように行う。従って、サイドシールド層１４Ａ，１４Ｂは、このエッチングの停止位置の基準となる。このように磁性層１７１Ｐ，１７２Ｐの一部のエッチングを行うことにより、媒体対向面３０における磁極層１７の厚みおよびトラック幅を、ほぼ一定になるように制御することができる。これにより、磁極層１７の厚みおよびトラック幅を精度よく制御することができる。次に、マスク５２を除去する。

図３８は、次の工程を示す。この工程では、まず、第１の実施の形態と同様に、積層体の上面全体の上に、ギャップ層１８を形成する。以下の工程は、第１の実施の形態と同様である。すなわち、まず、ギャップ層１８を選択的にエッチングして、ギャップ層１８をパターニングする。これにより、ギャップ層１８に、後にヨーク層２０Ｂが配置される位置に開口部が形成されると共に、２つのサイドシールド層１４Ａ，１４Ｂの上面を露出させる２つのコンタクトホール１８ｃが形成される。次に、ギャップ層１８の上に第１層２０Ａを形成すると共に、磁極層１７の上にヨーク層２０Ｂを形成する。次に、積層体の上面全体の上に、非磁性層２１を形成する。次に、第１層２０Ａおよびヨーク層２０Ｂが露出するまで非磁性層２１を研磨して、第１層２０Ａ、ヨーク層２０Ｂおよび非磁性層２１の上面を平坦化する。

次に、図２６および図２７に示したように、ヨーク層２０Ｂおよび非磁性層２１の上面のうち、コイル２３が配置される領域の上に、絶縁層２２を形成する。次に、コイル２３の少なくとも一部が絶縁層２２の上に配置されるようにコイル２３を形成する。コイル２３を覆うように絶縁層２４を形成する。次に、第２層２０Ｃを形成する。次に、積層体の上面全体を覆うように保護層２５を形成する。次に、保護層２５の上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面３０の研磨、浮上用レールの作製等を行って、磁気ヘッドが完成する。

本実施の形態では、磁極層１７の第２の部分１７Ｄは、第１の部分１７Ｃよりも大きな厚みを有している。従って、本実施の形態によれば、媒体対向面３０における磁極層１７の厚みを小さくしながら、磁極層１７によって多くの磁束を媒体対向面３０まで導くことができる。これにより、本実施の形態によれば、十分なオーバーライト特性を実現することができる。

ところで、磁極層１７において、厚みが変化する部分すなわち前端面１７Ｄｂの近傍では、磁極層１７からの磁束の漏れが発生しやすい。この厚みが変化する部分から漏れた磁束が媒体対向面３０に達し、更に媒体対向面３０から外部に漏れると、実効的なトラック幅が大きくなったり、スキューに起因した問題が発生したりする。本実施の形態では、主シールド層２０は、磁極層１７の第２の部分１７Ｄにおける基板１から遠い面１７Ｄａよりも基板１に近い位置において前端面１７Ｄｂと媒体対向面３０との間に配置された部分を有している。従って、本実施の形態では、磁極層１７において厚みが変化する部分から漏れた磁束は、主シールド層２０によって取り込まれる。従って、本実施の形態によれば、磁極層１７の途中から漏れた磁束が媒体対向面３０から外部に漏れることを防止することができる。

また、本実施の形態では、磁極層１７の第２の部分１７Ｄにおける基板１から遠い面に接するヨーク層２０Ｂを備えている。このヨーク層２０Ｂの媒体対向面３０に近い端部は、磁極層１７の面１７Ｄａと面１７Ｄｂの境界位置よりも、媒体対向面３０から遠い位置に配置されている。従って、磁極層１７とヨーク層２０Ｂとを合わせた磁性層を考えると、この磁性層の厚みは、媒体対向面３０に近づくに従って２段階で小さくなる。これにより、磁性層の途中における磁束の飽和を防止しながら、多くの磁束を媒体対向面３０まで導くことが可能になる。

また、本実施の形態では、媒体対向面３０の近傍において、磁極層１７の上面が屈曲している。これにより、本実施の形態によれば、記録動作後において、磁極層１７の媒体対向面３０の近傍の部分において、媒体対向面３０に垂直な方向の残留磁化が生成されることを抑制することが可能になる。その結果、本実施の形態によれば、記録動作後における磁極層１７の残留磁化に起因して記録媒体に記録されている情報が消去される現象の発生を抑制することが可能になる。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、変形例も含めて、第１の実施の形態と同様である。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、各実施の形態において、平面渦巻き形状のコイル９，２３の代わりに、磁極層１７を中心にして螺旋状に配置されたコイルを設けてもよい。

また、実施の形態では、基体側に再生ヘッドを形成し、その上に、記録ヘッドを積層した構造の磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。

本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁極層およびサイドシールド層のうちの媒体対向面の近傍における一部を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁極層、サイドシールド層およびギャップ層のうちの媒体対向面の近傍における一部を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁極層、非磁性金属層およびサイドシールド層を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁極層、サイドシールド層、主シールド層の第１層および主シールド層のヨーク層を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法の一工程における積層体の平面図である。 図７に示した積層体の断面図である。 図８に示した工程に続く工程における積層体の断面図である。 図９に示した工程に続く工程における積層体の平面図である。 図１０に示した積層体の断面図である。 図１１に示した工程に続く工程における積層体の断面図である。 図１２に示した工程に続く工程における積層体の断面図である。 図１３に示した工程に続く工程における積層体の平面図である。 図１４に示した工程に続く工程における積層体の断面図である。 図１５に示した工程に続く工程における積層体の平面図である。 図１６に示した積層体の断面図である。 図１６に示した工程に続く工程における積層体の平面図である。 図１８に示した積層体の断面図である。 図１９に示した工程に続く工程における積層体の断面図である。 比較例の磁気ヘッドにおけるサイドシールド層および磁極層の一部を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおけるサイドシールド層および磁極層の一部を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態の変形例の磁気ヘッドにおける磁極層、サイドシールド層およびギャップ層のうちの媒体対向面の近傍における一部を示す斜視図である。 本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁極層およびサイドシールド層のうちの媒体対向面の近傍における一部を示す斜視図である。 本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁極層、サイドシールド層およびギャップ層のうちの媒体対向面の近傍における一部を示す斜視図である。 本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法の一工程における積層体の平面図である。 図２８に示した積層体の断面図である。 図２９に示した工程に続く工程における積層体の断面図である。 図３０に示した工程に続く工程における積層体の断面図である。 図３１に示した工程に続く工程における積層体の断面図である。 図３２に示した工程に続く工程における積層体の断面図である。 図３３に示した工程に続く工程における積層体の平面図である。 図３４に示した積層体の断面図である。 図３４に示した工程に続く工程における積層体の平面図である。 図３６に示した積層体の断面図である。 図３７に示した工程に続く工程における積層体の断面図である。 シールド型ヘッドの一例における媒体対向面の一部を示す正面図である。

符号の説明

１２…収容層、１２ａ…溝部、１３…非磁性金属層、１３ａ…側壁、１４Ａ，１４Ｂ…サイドシールド層、１４Ａａ，１４Ｂａ…側壁、１５…非磁性膜、１６…研磨停止層、１７…磁極層、１８…ギャップ層、２０…主シールド層、２３…コイル、４０…収容部。

Claims (22)

1. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
   前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
   前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
   磁性材料よりなり、前記媒体対向面において前記磁極層の前記端面に対して記録媒体の進行方向の前側に配置された端面を有し、前記媒体対向面から離れた位置において前記磁極層に連結された主シールド層と、
   非磁性材料よりなり、前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記磁極層と主シールド層との間に設けられたギャップ層と、
   非磁性材料よりなり、上面で開口する溝部を有する収容層と、
   非磁性金属材料よりなり、前記溝部の縁の真上に配置された側壁を有し、前記媒体対向面から離れた位置において前記収容層の上面の上に配置された非磁性金属層と、
   金属磁性材料よりなり、前記溝部の縁の真上に配置された側壁を有し、前記非磁性金属層よりも前記媒体対向面に近い位置において、前記非磁性金属層に隣接するように前記収容層の上面の上に配置された２つのサイドシールド層と、
   前記溝部と前記非磁性金属層の側壁と前記サイドシールド層の側壁とによって形成され、前記磁極層の少なくとも一部を収容する収容部と、
   非磁性材料よりなり、前記磁極層と前記サイドシールド層の側壁との間に配置された非磁性膜とを備え、
   前記２つのサイドシールド層は、前記媒体対向面において前記磁極層の前記端面のトラック幅方向の両側に配置された２つの端面を有することを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッド。
2. 前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端面は、前記ギャップ層から遠ざかるに従って小さくなる幅を有する部分を含むことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
3. 前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端面は、第１の領域と、この第１の領域と前記ギャップ層の前記端面との間に配置され、且つ第１の領域に接続された第２の領域とを有し、
   前記第１の領域は、前記ギャップ層から遠ざかるに従って小さくなる幅を有し、
   前記第２の領域は、トラック幅を規定する一定の幅を有し、
   前記第１の領域と第２の領域との境界位置において、前記第１の領域の幅と第２の領域の幅は等しく、
   前記媒体対向面において、前記第２の領域のトラック幅方向の両側に、前記サイドシールド層の前記端面が配置されていることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
4. 前記媒体対向面において、前記ギャップ層の前記端面におけるトラック幅方向の両端は、前記サイドシールド層の前記側壁よりもトラック幅方向の外側に配置されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
5. 前記サイドシールド層の飽和磁束密度は、前記磁極層の飽和磁束密度よりも小さいことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
6. 前記サイドシールド層は前記主シールド層に接続されていることを特徴とする特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
7. 前記サイドシールド層は前記主シールド層に接続されていないことを特徴とする特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
8. 更に、前記収容層、非磁性金属層、サイドシールド層、非磁性膜、磁極層、ギャップ層、主シールド層およびコイルが積層される基板を備え、
   前記磁極層は、前記媒体対向面に配置された前記端面を有する第１の部分と、前記第１の部分よりも媒体対向面から遠い位置に配置され、前記第１の部分よりも大きな厚みを有する第２の部分とを有し、
   前記第１の部分における基板から遠い面は、前記第２の部分における基板から遠い面よりも基板に近い位置に配置されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
9. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
   前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
   前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
   磁性材料よりなり、前記媒体対向面において前記磁極層の前記端面に対して記録媒体の進行方向の前側に配置された端面を有し、前記媒体対向面から離れた位置において前記磁極層に連結された主シールド層と、
   非磁性材料よりなり、前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記磁極層と主シールド層との間に設けられたギャップ層と、
   非磁性材料よりなり、上面で開口する溝部を有する収容層と、
   非磁性金属材料よりなり、前記溝部の縁の真上に配置された側壁を有し、前記媒体対向面から離れた位置において前記収容層の上面の上に配置された非磁性金属層と、
   金属磁性材料よりなり、前記溝部の縁の真上に配置された側壁を有し、前記非磁性金属層よりも前記媒体対向面に近い位置において、前記非磁性金属層に隣接するように前記収容層の上面の上に配置された２つのサイドシールド層と、
   前記溝部と前記非磁性金属層の側壁と前記サイドシールド層の側壁とによって形成され、前記磁極層の少なくとも一部を収容する収容部と、
   非磁性材料よりなり、前記磁極層と前記サイドシールド層の側壁との間に配置された非磁性膜とを備え、
   前記２つのサイドシールド層は、前記媒体対向面において前記磁極層の前記端面のトラック幅方向の両側に配置された２つの端面を有する垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法であって、
   後に前記溝部が形成されることにより前記収容層となる非磁性層を形成する工程と、
   後に前記非磁性金属層となる非磁性金属膜を、前記非磁性層の上面の一部の上に形成する工程と、
   前記非磁性金属膜を形成する工程の後で、後に２つの前記サイドシールド層となる磁性膜を、前記非磁性層の上面のうち前記非磁性金属膜が形成されていない部分の上に形成する工程と、
   前記非磁性金属膜および前記磁性膜の上面を平坦化する工程と、
   前記非磁性金属膜が前記非磁性金属層となると共に前記磁性膜が２つの前記サイドシールド層となるように、前記非磁性金属膜および磁性膜を選択的にエッチングする工程と、
   前記溝部が形成されることによって前記非磁性層が前記収容層となり、且つ前記溝部と前記非磁性金属層の側壁と前記サイドシールド層の側壁とによって前記収容部が形成されるように、前記非磁性金属層および前記サイドシールド層をマスクとして前記非磁性層を選択的にエッチングする工程と、
   前記非磁性層を選択的にエッチングする工程の後で、前記非磁性膜を形成する工程と、
   前記磁極層の少なくとも一部が前記収容部内に収容され、且つ前記磁極層と前記サイドシールド層の側壁との間に前記非磁性膜が配置されるように、前記磁極層を形成する工程と、
   前記磁極層の上に前記ギャップ層を形成する工程と、
   前記ギャップ層の上に前記主シールド層を形成する工程と、
   前記コイルを形成する工程とを備えたことを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
10. 前記非磁性金属膜および前記磁性膜の上面を平坦化する工程では、前記非磁性金属膜の上面が研磨の停止位置となるように、前記磁性膜の上面を研磨することを特徴とする請求項９記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
11. 前記研磨は化学機械研磨であることを特徴とする請求項１０記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
12. 前記磁性膜を形成する工程では、前記非磁性層の上面のうち前記非磁性金属膜が形成されていない部分の上および前記非磁性金属膜の上面の上に前記磁性膜を形成することを特徴とする請求項９ないし１１のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
13. 前記非磁性金属膜を形成する工程は、後にパターニングされることにより前記非磁性金属膜となる被パターニング膜を形成する工程と、前記被パターニング膜の上にエッチングマスクを形成する工程と、前記被パターニング膜が前記非磁性金属膜となるように、前記エッチングマスクを用いて前記被パターニング膜を選択的にエッチングする工程とを含み、
    前記磁性膜を形成する工程は、前記エッチングマスクを残したままで前記磁性膜を形成する工程と、前記磁性膜の形成後、前記エッチングマスクを除去する工程とを含むことを特徴とする請求項９ないし１１のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
14. 前記非磁性膜を形成する工程では、前記収容層、非磁性金属層およびサイドシールド層と前記磁極層との間に配置されるように前記非磁性膜を形成することを特徴とする請求項９ないし１３のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
15. 前記非磁性膜は、１原子層毎の成膜を繰り返す化学的気相成長法を用いて形成されることを特徴とする請求項１４記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
16. 前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端面は、前記ギャップ層から遠ざかるに従って小さくなる幅を有する部分を含むことを特徴とする請求項９ないし１５のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
17. 前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端面は、第１の領域と、この第１の領域と前記ギャップ層の前記端面との間に配置され、且つ第１の領域に接続された第２の領域とを有し、
    前記第１の領域は、前記ギャップ層から遠ざかるに従って小さくなる幅を有し、
    前記第２の領域は、トラック幅を規定する一定の幅を有し、
    前記第１の領域と第２の領域との境界位置において、前記第１の領域の幅と第２の領域の幅は等しく、
    前記媒体対向面において、前記第２の領域のトラック幅方向の両側に、前記サイドシールド層の前記端面が配置されていることを特徴とする請求項９ないし１５のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
18. 前記媒体対向面において、前記ギャップ層の前記端面におけるトラック幅方向の両端は、前記サイドシールド層の前記側壁よりもトラック幅方向の外側に配置されることを特徴とする請求項９ないし１７のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
19. 前記サイドシールド層の飽和磁束密度は、前記磁極層の飽和磁束密度よりも小さいことを特徴とする請求項９ないし１８のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
20. 前記サイドシールド層は前記主シールド層に接続されることを特徴とする特徴とする請求項９ないし１９のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
21. 前記サイドシールド層は前記主シールド層に接続されないことを特徴とする特徴とする請求項９ないし１９のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
22. 垂直磁気記録用磁気ヘッドは、更に、前記収容層、非磁性金属層、サイドシールド層、非磁性膜、磁極層、ギャップ層、主シールド層およびコイルが積層される基板を備え、
    前記磁極層は、前記媒体対向面に配置された前記端面を有する第１の部分と、前記第１の部分よりも媒体対向面から遠い位置に配置され、前記第１の部分よりも大きな厚みを有する第２の部分とを有し、
    前記第１の部分における基板から遠い面は、前記第２の部分における基板から遠い面よりも基板に近い位置に配置されることを特徴とする請求項９ないし２１のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。

Images