JP2008066555A - 半導体装置と半導体装置の製造法 - Google Patents

Abstract

【課題】電子と正孔の空間分離を抑制することを可能とする半導体装置と半導体装置の製造法を提供すること。
【解決手段】サファイア基板上にＡｌＮを堆積し、その上にｎ-Ａｌ_０．８Ｇａ_０．２Ｎ層を堆積し、その上に、障壁層がＩｎ_０．１３Ａｌ_０．８７Ｎからなり、井戸層がＡｌ_０．５８Ｇａ_０．４２Ｎからなる超格子層を活性層として堆積し、その上にｐ-Ａｌ_０．８Ｇａ_０．２Ｎ層を堆積し、ｐ-Ａｌ_０．８Ｇａ_０．２Ｎ層上にＰｄ/Ａｕ電極を形成し、ｎ-Ａｌ_０．８Ｇａ_０．２Ｎ層上にＴｉ/Ａｌ/Ｎｉ/Ａｕ電極を形成してなる紫外発光ダイオードを構成する。
【選択図】図９

Description

本発明は導体装置と半導体装置の製造法に関する。

窒化物半導体は、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ等のIII族元素のうち少なくとも一つ以上の元素と、Ｖ族元素である窒素との化合物であり、例えば、一般式Ａｌ_{１−ａ−ｂ}Ｇａ_ａＩｎ_ｂＮで表される。窒化物半導体は、直接遷移型であり、その組成により最大６．２ｅＶから０．８ｅＶまでの幅広い禁止帯幅を有する。また、広い禁止帯幅を有する組成においては、熱的安定性、絶縁破壊電界、飽和電子速度が大きい。以上の特性から、窒化物半導体を用いて、遠赤外から紫外領域での受光・発光デバイス、および、耐高温・高出力・高周波トランジスタ等の電子デバイスヘの応用が期待され、開発が進められている。

例えば、発光デバイスとして、紫外・深紫外発光ダイオード（ＬＥＤ）のさらなる短波長化が様々な研究機関において検討されている（下記非特許文献１参照）。紫外・深紫外ＬＥＤの実用化のためには、発光効率の向上が必要である。

上記で述べた紫外ＬＥＤ用のエピ構造（エピタキシャル構造）を図１１に示す。この構造は従来構造の一例であるが、Ａｌ_ｆＧａ_１−ｆＮ/Ａｌ_ｇＧａ_１−ｇＮ超格子層を活性層として有し、ｐ型Ａｌ_ｈＧａ_１−ｈＮ層とｎ型Ａｌ_ｅＧａ_１−ｅＮ層をその上下に有していること、結晶方位はｃ軸が上方向になっていることは他の例でも同様である。

この時、活性層であるＡｌ_ｆＧａ_１−ｆＮ/Ａｌ_ｇＧａ_１−ｇＮ超格子層のバンドダイアグラムは図１２のようになる。窒化物半導体のヘテロ構造では、自発分極とピエゾ分極がｃ軸方向に発生するため、内部電界が生じる。この内部電界により、価電子帯と伝導帯は図１２に示したように傾く。そのため、Ａｌ_ｆＧａ_１−ｆＮ/Ａｌ_ｇＧａ_１−ｇＮ超格子層にキャリアが送り込まれた場合、電子はＡｌ_ｇＧａ_１−ｇＮ井戸層の伝導帯の表面側に局在し、正孔はＡｌ_ｇＧａ_１−ｇＮ井戸層の価電子帯の表面側に局在する。この空間的な分離のために、電子と正孔の再結合が生じにくくなるために、発光効率はバンドが傾いていない構造と比較し低下する。Ａｌ_ｆＧａ_１−ｆＮ障壁層とＡｌ_ｇＧａ_１−ｇＮ井戸層のＡｌ組成を近づければ、自発分極とピエゾ分極は滅少するのでバンドの傾きは小さくなる。しかし、この場合、障壁層の高さも小さくなるために、井戸層でのキャリア閉じ込めが弱くなり、この場合も発光効率が低下する。

また、ａ面等の無極性面方向に紫外ＬＥＤ用のエピ構造を積層する構造も開発されている。しかし、無極性方向への窒化物半導体の成長は困難であり、転位、点欠陥、不純物等の欠陥密度は、ｃ軸方向への成長時と比べ、１桁から３桁ほど多いのが現状である。これらの高密度の欠陥は、非発光再結合中心となるので、平坦なバンドダイアグラムは得られるものの、発光効率はｃ軸方向成長の場合と比べ低い。

以上のように、紫外ＬＥＤに用いられるＡｌＧａＮ層からなる従来構造においては、ｃ軸方向では分極効果により、バンドが傾斜する傾向の影響で発光効率が低い。ａ面等の無極性面に沿ったＡｌＧａＮ層の結晶品質は、ｃ軸方向へのＡｌＧａＮ層と比べ、大幅に低く、発光効率が低い。そのため、実用化に必要な強い輝度を有する紫外ＬＥＤは現在得られていないのが現状である。
V. Adivarahanet al., Appl. Phys. Lett. 85(2004) 2175. O. Ambacher et al., phys. stat. sol. (b) 216, 381 (1999). M. Lerox et al., Physical Review B60 (1999) 1496. R. Cingoraniet al., Physical Review B61 (2000) 2711.

上述のように、紫外ＬＥＤでは、分極効果による井戸層内での電子と正孔の空間分離のため、発光効率が低く、実用化に必要な強い輝度が得られていないという課題がある。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、本発明が解決しようとする課題は、超格子層における電子と正孔の空間分離を抑制することを可能とする半導体装置と半導体装置の製造法を提供することである。

上記課題を解決するために、本発明においては、請求項１に記載したように、
超格子層を有する半導体装置において、前記超格子層の井戸層の半導体と障壁層の半導体のピエゾ分極電界の差が 0.005C/m^２ 以下であることを特徴とする半導体装置を構成する。

また、本発明においては、請求項２に記載したように、
超格子層を有する半導体装置において、前記超格子層の障壁層の組成と井戸層の組成とが相異なり、前記障壁層がＡｌ又はＩｎを含む窒化物半導体であり、前記井戸層がＡｌ又はＧａを含む窒化物半導体であることを特徴とする半導体装置を構成する。

また、本発明においては、請求項３に記載したように、
前記超格子層が紫外発光ダイオードの活性層であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置を構成する。

また、本発明においては、請求項４に記載したように、
前記超格子層がｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に挟まれ、前記ｎ型半導体層の組成が、０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ａ＋ｂ≦１としたときに、Ａｌ_{１−ａ−ｂ}Ｇａ_ａＩｎ_ｂＮで表され、前記ｐ型半導体層の組成が、０≦ｃ≦１、０≦ｄ≦１、０≦ｃ＋ｄ≦１としたときに、Ａｌ_{１−ｃ−ｄ}Ｇａ_ｃＩｎ_ｄＮで表されることを特徴とする請求項１、２または３記載の半導体装置を構成する。

また、本発明においては、請求項５に記載したように、
半導体装置の製造法において、障壁層の組成が、０≦ｘ≦１としたときに、Ｉｎ_ｘＡｌ_１−ｘＮで表され、井戸層の組成が、０≦ｙ≦１としたときに、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮで表される超格子層を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造法を構成する。

本発明の特徴は、超格子層を有する半導体装置において、前記超格子層の障壁層の組成と井戸層の組成とが相異なり、前記障壁層がＡｌ又はＩｎを含む窒化物半導体であり、前記井戸層がＡｌ又はＧａを含む窒化物半導体であることにあり、それによって、超格子層における電子と正孔の空間分離を抑制することを可能とする半導体装置と半導体装置の製造法を提供することができる。

本発明を紫外発光ダイード（ＬＥＤ）に適用すれば、活性層である超格子層における電子と正孔の空間分離を抑制することが可能となり、その結果として、ＬＥＤの輝度が向上する。

上記の課題を解決するために、本発明では、エピ構造（エピタキシャル構造）として、障壁層の組成と井戸層の組成とが相異なり、障壁層がＡｌ又はＩｎを含む窒化物半導体であり、井戸層がＡｌ又はＧａを含む窒化物半導体である超格子構造を構成するという手段をとっている。

本発明によれば、結晶品質の制御が比較的容易なｃ軸方向への成長を行いつつ、活性層内のピエゾ分極と自発分極により発生する内部電界を従来構造に比べ抑制することが可能である。その結果として、紫外ＬＥＤにおける発光効率の向上が可能である。

以下の説明においては、本発明に係る半導体装置の超格子層が紫外ＬＥＤにおける活性層である場合について説明するが、本発明は、これに限られるものではない。

図１は、Ａｌ_０．５８Ｇａ_０．４２Ｎを井戸層として、障壁層にＩｎＡｌＮ層とＡｌＧａＮ層とを用いた場合の、バンド不連続量と分極電界の関係を比較して示したグラフである。同じバンド不連続量であれば、ＩｎＡｌＮ障壁層はＡｌＧａＮ障壁層よりも分極電界が小さい。同じバンド不連続量であれば、分極が小さい方が発光効率は高く、本発明のＩｎＡｌＮ/ＡｌＧａＮ超格子はＡｌＧａＮ/ＡｌＧａＮ超格子よりも発光効率が高いことが期待できる。なお、図中の点線で示した、バンド不連続量 0.05eV(分極電界 -0.003C/m^２)以上、バンド不連続量 0.25eV(分極電界 0.005C/m^２)以下の範囲が望ましい。

なお、図１においては、一例としてＡｌ_０．５８Ｇａ_０．４２Ｎ井戸層の場合を示したが、ＡｌＧａＮ井戸層のＡｌ組成に対しＩｎＡｌＮ障壁層のバンドギャッブが高い図２に示した点線より上の範囲において、本発明は有効である。なお、バンド不連続量 0.05eV(分極電界 -0.003C/m^２)以上、バンド不連続量 0.25eV(分極電界 0.005C/m^２)以下となる、図２において塗りつぶした範囲が望ましい。

なお、分極電界は、上記非特許文献２に記載の物性定数を基に算出を行った。

上述の量子井戸構造において、井戸層の膜厚が １.5nm、障壁層の膜厚が 1.5nm以上の時に、分極電界による電子と正孔の空間分離が観測される。また、井戸層の膜厚が 10nm 以下の時に量子効果がみられる。したがって、本発明においては、井戸層の膜厚が 1.5nm 以上 10nm 以下の範囲で有効である。また、障壁層の上限の厚さは、井戸層と障壁層の格子定数が異なること（格子不整合）により制限される。この格子不整を有する結晶においては、結晶の膜厚の増加に伴い結晶内に発生する歪が増加して、膜厚が臨界膜厚を超えると結晶に欠陥や転位が導入され、結晶の品質が劣化する。

図３に、井戸層にＡｌＧａ(Ｉｎ)Ｎ、障壁層にＩｎＡｌ(Ｇａ)Ｎを用いた場合の臨界膜厚の格子不整依存性を示す。ここで、(Ｉｎ)、(Ｇａ)は、それぞれ、Ｉｎ、Ｇａが含まれていない場合があることを示す。格子不整は井戸層、障壁層の組成によって決まる。例えば、上述の図２における本発明の適用領域（塗りつぶし領域）において、井戸層ＡｌＧａＮのＡｌ組成が 0.0(すなわちＧａＮ）かつ障壁層ＩｎＡｌＮのＡｌ組成が 0.64 の時が格子不整 +2.4% に相当し、この適用領域において最大の格子不整となる。図３より、格子不整 +2.4% の時の膜厚が 5nm であることから、井戸層ＡｌＧａＮのＡｌ組成が 0.0(すなわちＧａＮ）かつ障壁層ＩｎＡｌＮのＡｌ組成が 0.64 の時の障壁層厚の上限は 5nm であることがわかる。また、この領域において、井戸層ＡｌＧａＮのＡｌ組成が 0.96 かつ障壁層ＩｎＡｌＮのＡｌ組成が 1.0 の時に格子不整が -0.1% になり、通常量子井戸構造の障壁層に用いられる膜厚が 100nm 以下であることを考慮すれば、井戸層ＡｌＧａＮのＡｌ組成が 0.96 かつ障壁層ＩｎＡｌＮのＡｌ組成が 1.0 の時に格子不整による障壁層の膜厚の制限はほぼなくなることがわかる。

図４に、一例として、従来構造での紫外ＬＥＤの活性層の構造を示す。図において、Ａｌ_０．６５Ｇａ_０．３５Ｎ障壁層とＡｌ_０．５８Ｇａ_０．４２Ｎ井戸層の超格子構造となっている。堆積方向はｃ軸を向く結晶方位となっている。Ａｌ_０．６５Ｇａ_０．３５Ｎの禁止帯幅はおよそ 5.17eV であり、Ａｌ_０．５８Ｇａ_０．４２Ｎの禁止帯幅はおよそ 4.97eV であり、バンド不連続量はおよそ 0.2eV である。この時、障壁層と井戸層の分極電界の差はおよそ 0.007C/m^２である。

図５に、一例として、本発明構造での紫外ＬＥＤの活性層の構造を示す。図において、Ｉｎ_０．１３Ａｌ_０．８７Ｎ障壁層とＡｌ_０．５８Ｇａ_０．４２Ｎ井戸層の超格子構造という形態をとっている。堆積方向がｃ軸を向く結晶方位となっている。本実施の形態例におけるＩｎ_０．１３Ａｌ_０．８７Ｎの禁止帯幅はおよそ 5.20eV であり、Ａｌ_０．５８Ｇａ_０．４２Ｎの禁止帯幅はおよそ 4.97eV であり、バンド不連続量はおよそ 0.23eV である。この時、障壁層と井戸層の分極電界の差は 0.004C/m^２ である。超格子のバンド不連続量が大きく、分極電界の差が小さいほど発光効率は向上する。本発明構造は、図４で示した従来構造に比べ超格子のバンド不連続量が大きく、分極電界の差が小さいため、従来構造に比べて発光効率を向上させられることが分かる。

なお、図５に示した構造は、あくまでも本発明における実施の形態の一例である。Ｉｎ_ｘＡｌ_１−ｘＮ層とＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層の各組成を変えても、それは、図２に示した範囲においては、本発明の効果が現れることに何ら影響を与えるものではない。また、Ｉｎ_ｘＡｌ_１−ｘＮ層とＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層の各膜厚を変えても、それは、本発明の効果が現れることに何ら影響を与えるものではない。

図６の（ａ）と（ｂ）は、各々、従来構造であるＡｌ_ｆＧａ_１−ｆＮ/Ａｌ_ｇＧａ_１−ｇＮ超格子構造のバンドギャップダイアグラムと、井戸層に蓄積される電子と正孔の分布を示す。図７の（ａ）と（ｂ）は、各々、本発明構造であるＩｎ_ｘＡｌ_１−ｘＮ/Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ超格子構造のバンドギャップダイアグラムと、井戸層に蓄積される電子と正孔の分布を示す。井戸層と障壁層のバンド不連続量が等しいとき、本発明においては分極電界によるバンドの傾きが、従来構造と比較し、抑制されている。そのため、キャリアが注入された時、井戸層での電子と正孔の空間分離が抑制されるため、発光効率を向上させることが可能である。ここで、電子と正孔の空間分離による電子の分布のピークと正孔の分布のピークの位置が層方向において、従来構造においては 4nm 程度離れており、本発明構造においてはほぼ一致する。この電子の分布のピークと正孔の分布のピークの位置は一致するか又は 2nm 以内の範囲内にあれば、本発明の効果が現れる。

図８に、本発明による紫外ＬＥＤのエピ構造を示す。基板の上に、ＡｌＮ核形成層、ｎ型のＡｌ_０．８Ｇａ_０．２Ｎ層を有し、その上にＩｎ_０．１３Ａｌ_０．８７Ｎ層とＡｌ_０．５８Ｇａ_０．４２Ｎ層の超格子層を有し、その上に、ｐ型のＡｌ_０．８Ｇａ_０．２Ｎ層を有する形態となっている。なお、ｎ型のＡｌ_０．８Ｇａ_０．２Ｎ層は、一般に、Ａｌ_{１−ａ−ｂ}Ｇａ_ａＩｎ_ｂＮ層（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ａ＋ｂ≦１）であり、超格子層は、一般に、Ｉｎ_ｘＡｌ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）層とＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０≦ｙ≦１）層の超格子層であり、ｐ型のＡｌ_０．８Ｇａ_０．２Ｎ層は、一般に、Ａｌ_{１−ｃ−ｄ}Ｇａ_ｃＩｎ_ｄＮ層（０≦ｃ≦１、０≦ｄ≦１、０≦ｃ＋ｄ≦１）であってもよい。

図８に示した構造の作製法の一例を示す。ＭＯＣＶＤ法により、サファイア基板上に、核形成層を堆積した後、Ｓｉを１×１０^１８ｃｍ^−３ドープしたｎ型のＡｌ_０．８Ｇａ_０．２Ｎ層を 500nm 成長し、3nm のＡｌ_０．５８Ｇａ_０．４２Ｎ井戸層と 3nm のＩｎ_０．１３Ａｌ_０．８７Ｎ障壁層からなる超格子を３周期成長した後に、Ｍｇを１×１０^１９ｃｍ^−３ドーブしたｐ型のＡｌ_０．８Ｇａ_０．２Ｎ層を 300nm 成長するという手順をとっている。原料としてはトリメチルアルミニウム、トリメチルガリウムとアンモニアを用いた。500℃から 1200℃の範囲内の成長温度において、上記の成長を行った。

なお、基板の種類は、本発明の効果が現れることに何ら影響を与えない。また、基板上にＡｌＧａＮ層を堆積するために、核形成層あるいは緩衝層を用いたときでも、それらの種類、作製法は、本発明の効果が現れることに何らの影響を与えるものではない。また、ＡｌＧａＮ層に含まれるＳｉ濃度、ＡｌＧａＮ層に含まれるＭｇ濃度は、本発明の効果が現れることに何ら影響を与えない。また、不純物の種類を変えても、それは、本発明の効果が現れることに何ら影響を与えない。また、各層の膜厚、組成も、本発明の効果が現れることに何ら影響を与えるものではない。

図９に、本発明による構造を用いた紫外ＬＥＤの模式図を示す。図８のエピ構造より、所定の領域のｐ-Ａｌ_０．８Ｇａ_０．２Ｎ層とＩｎ_０．１３Ａｌ_０．８７Ｎ/Ａｌ_０．５８Ｇａ_０．４２Ｎ超格子構造、ｎ-Ａｌ_０．８Ｇａ_０．２Ｎ層の上部を除去し、それにより表出したｎ-Ａｌ_０．８Ｇａ_０．２Ｎ上にＴｉ/Ａｌ/Ｎｉ/Ａｕ電極を堆積し、所定の領域以外の除去されていないｐ-Ａｌ_０．８Ｇａ_０．２Ｎ上にＰｄ/Ａｕ電極を堆積した形態をとっている。

図１０に、本発明および従来技術により作製したＬＥＤの特性を示す。この特性は室温でパルス電流注入により測定した。その結果、本発明におけるＬＥＤにおいては、従来技術によるものに比べて２倍程度高い光出力が得られた。

本実施の形態例においては、井戸層にＡｌＧａＮ、障壁層にＩｎＡｌＮを用いたが、これらの層が３種類以上のIII族元素を含んでいても、障壁層の組成と井戸層の組成とが相異なり、障壁層がＡｌ又はＩｎを含む窒化物半導体であり、井戸層がＡｌ又はＧａを含む窒化物半導体であれば、本発明の効果は同様に現れる。例えば、井戸層にＡｌ_{１−ａ−ｂ}Ｇａ_ａＩｎ_ｂＮ（０≦ａ＜１、０≦ｂ＜１、０≦ａ＋ｂ＜１）、障壁層にＡｌ_{１−ｃ−ｄ}Ｇａ_ｃＩｎ_ｄＮ（０≦ｃ＜１、０≦ｄ＜１、０≦ｃ＋ｄ＜１）を用いても同様の効果が得られる。この場合、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎの各組成比は、井戸層のバンドギャップが障壁層のバンドギャップよりも小さくなるように設定される必要がある。例えば、井戸層のＧａ組成比(a)は障壁層のもの(c)より高く、障壁層のＩｎ組成比(d)は井戸層のもの(b)よりも高いようにすればよい。

さらに、本実施の形態例において、超格子構造の上下の層に一定の組成のＡｌＧａＮを用いたが、一定の組成のＡｌＧａＩｎＮを用いても構わない。また、一定の組成のものではなく、層方向にＡｌＧａ(Ｉｎ)Ｎの組成が変化するものであっても構わない。この場合、この層の基板と接する部分がＡｌＧａＮであって、層方向に徐々にＡｌ組成、Ｇａ組成、Ｉｎ組成が変化するＡｌＧａＩｎＮであって、超格子構造の障壁層に接する部分が障壁層と同じ組成のＩｎＡｌＮ又はＡｌＧａＩｎＮであることが望ましい。

なお、除去する手段、深さ、領域、形態、電極の種類や構造等を変えても、それらは、本発明の効果が現れることに何ら影響を与えるものではない。

Ａｌ_０．５８Ｇａ_０．４２Ｎ井戸層と、ＩｎＡｌＮ、ＡｌＧａＮ障壁層のバンド不連続量と分極電界の関係を示す図である。 ＡｌＧａＮ量子井戸層のＡｌ組成に対し、本発明のＩｎＡｌＮ障壁層の有効なＡｌ組成の範囲を示す図である。 井戸層にＡｌＧａ(Ｉｎ)Ｎ、障壁層にＩｎＡｌ(Ｇａ)Ｎを用いた場合の臨界膜厚の格子不整依存性を示す図である。 従来構造におけるＡｌ_０．６５Ｇａ_０．３５Ｎ/Ａｌ_０．５８Ｇａ_０．４２Ｎ超格子活性層の断面模式図である。 本発明におけるＩｎ_０．１３Ｇａ_０．８７Ｎ/Ａｌ_０．５８Ｇａ_０．４２Ｎ超格子活性層の断面模式図である。 従来構造であるＡｌ_ｆＧ_１−ｆＮ/Ａｌ_ｇＧａ_１−ｇＮ超格子構造のバンドギャップダイアグラム模式図(ａ)と、井戸層に蓄積される電子と正孔の分布を示す図(ｂ)である。 本発明構造であるＩｎ_ｘＡｌ_１−ｘＮ/Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ超格子構造のバンドギャップダイアグラム模式図(ａ)と、井戸層に蓄積される電子と正孔の分布を示す図(ｂ)である。 本発明における紫外ＬＥＤ用のエピ構造の断面模式図である。 本発明におけるエピ構造を用いて作製された紫外ＬＥＤの断面模式図である。 本発明および従来技術により作製したＬＥＤの特性を示す図である。 従来構造における紫外ＬＥＤ用のエピ構造の断面模式図である。 従来構造における紫外ＬＥＤのＡｌ_ｆＧａ_１−ｆＮ/Ａｌ_ｇＧａ_１−ｇＮ超格子構造のバンドダイアグラム模式図である。

Claims (5)

1. 超格子層を有する半導体装置において、前記超格子層の井戸層の半導体と障壁層の半導体のピエゾ分極電界の差が 0.005C/m^２ 以下であることを特徴とする半導体装置。
2. 超格子層を有する半導体装置において、前記超格子層の障壁層の組成と井戸層の組成とが相異なり、前記障壁層がＡｌ又はＩｎを含む窒化物半導体であり、前記井戸層がＡｌ又はＧａを含む窒化物半導体であることを特徴とする半導体装置。
3. 前記超格子層が紫外発光ダイオードの活性層であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
4. 前記超格子層がｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に挟まれ、前記ｎ型半導体層の組成が、０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ａ＋ｂ≦１としたときに、Ａｌ_{１−ａ−ｂ}Ｇａ_ａＩｎ_ｂＮで表され、前記ｐ型半導体層の組成が、０≦ｃ≦１、０≦ｄ≦１、０≦ｃ＋ｄ≦１としたときに、Ａｌ_{１−ｃ−ｄ}Ｇａ_ｃＩｎ_ｄＮで表されることを特徴とする請求項１、２または３記載の半導体装置。
5. 半導体装置の製造法において、障壁層の組成が、０≦ｘ≦１としたときに、Ｉｎ_ｘＡｌ_１−ｘＮで表され、井戸層の組成が、０≦ｙ≦１としたときに、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮで表される超格子層を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造法。

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