JP2008066399A - 超電導線材の接続構造、超電導コイルおよび超電導線材の接続方法 - Google Patents

Abstract

【課題】接続抵抗を低減できる超電導線材の接続構造、超電導コイルおよび超電導線材の接続方法を提供する。
【解決手段】超電導線材の接続構造は、基板１１，２１と、超電導層１３，２３と、安定化層１４，２４とを備える、複数の超電導線材１０，２０の接続構造である。複数の超電導線材１０，２０は、超電導層１３，２３を成長させてなる接続層１００により接続されていることを特徴としている。超電導線材の接続構造は、基板１１，２１と、超電導層１３，２３と、安定化層１４，２４とを備える、複数の超電導線材１０，２０を準備する工程と、複数の超電導線材において安定化層１４，２４を除去することにより、複数の被接続部を形成する工程と、複数の被接続部上に超電導層１３，２３を成長させてなる接続層１００を形成することにより、複数の超電導線材を接続する工程とを備えている。
【選択図】図１

Description

本発明は、超電導線材の接続構造、超電導コイルおよび超電導線材の接続方法に関し、たとえば接続抵抗を低減できる超電導線材の接続構造、超電導コイルおよび超電導線材の接続方法に関する。

従来、超電導線材は、金属からなる基板上に中間層を積層し、さらに中間層上に超電導層を積層している。中間層や超電導層は、たとえばＰＬＤ法などの物理蒸着法やＴＦＡ−ＭＯＤ法などの有機金属堆積法（ＭＯＤ法）により形成されている。

ＭＲＩ用マグネット、ＮＭＲ用マグネット、およびシリコン引き上げ炉用マグネットなどの産業用マグネットには、長尺化された上記のような超電導線材が必要となる。そのため、超電導線材を接続して、長尺化を図る必要がある。しかし、永久電流モード通電を行なう場合には、超電導線材の接続部の抵抗をゼロに近づける必要がある。

超電導線材の接続方法として、たとえば特開２０００−１３３０６７号公報（特許文献１）に、はんだ接続法として、酸化物超電導導体の接続構造および接続方法が開示されている。特許文献１には、基板と、基板上に形成された酸化物超電導層と、超電導層上に形成された安定化層とからなる複数の超電導線材の安定化層同士についてはんだを介して接続される接続構造および接続方法が開示されている。

また、たとえば特開平７−１９２８３７号公報（特許文献２）に、拡散接合法として、酸化物超電導線材の接続方法が開示されている。特許文献２には、酸化物超電導線材の外周面を導電性金属層で被覆してなる超電導線材同士の一部を重ね合わせて、重ね合わせにより対接する部分の少なくともいずれか一方の導電性金属の厚さを最大９５％除去し、除去した導電性金属層面にペースト層を被着形成し、熱処理を施して接続する方法が開示されている。

また、たとえば特開２００１−３１９７５０号公報（特許文献３）に、酸化物超電導導体の接続方法が開示されている。特許文献３には、基板と基板上に形成された超電導層とを備える２の超電導線材の端部で超電導層を除去して基板を露出させ、基板同士を接合して、露出部分に酸化物超電導層を形成する接続方法が開示されている。
特開２０００−１３３０６７号公報 特開平７−１９２８３７号公報 特開２００１−３１９７５０号公報

しかしながら、上記特許文献１に開示の酸化物超電導導体の接続方法は、はんだを介して２つの超電導線材を接続させるはんだ接続法を採用しているが、はんだを超電導層に直接接続させることは困難である。そのため、銀安定化層や銅安定化層などの安定化層を超電導層上に形成し、安定化層同士をはんだを介して接続する。この場合には、安定化層とはんだとの間に電気抵抗が残存してしまうという問題がある。このように電気抵抗が残存すると、接続部が超電導状態を保つ永久電流ジョイントは困難である。

また、上記特許文献２に開示の酸化物超電導線材の接続方法では、超電導層上に形成した安定化層同士を拡散接合させる拡散接合法を採用しているが、拡散接合法は、はんだ接合法に比べて接続抵抗値は低減されるものの、安定化層を介しての接続抵抗が低減できない。すなわち、導電性金属とペースト層との間に電気抵抗が残存してしまうという問題がある。そのため、永久電流ジョイントは困難である。

さらに、上記特許文献３に開示の酸化物超電導導体の接続方法では、超電導層を除去しているので、あらたに超電導層を形成した部分と、端部以外の超電導層の部分との接続部分において、その結晶成長をそれぞれ別に基板上に行なっている。また、基板同士を加熱圧接により接続して、接続した基板端部の上に超電導層を形成している。そのため、基板の加熱圧接によって基板の結晶性が乱れてその上に成長させた超電導層は結晶性が低下し、さらには成長した結晶の組成の相違から接続抵抗がまだ残存してしまうという問題がある。

それゆえ本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、接続抵抗を低減できる超電導線材の接続構造、超電導コイルおよび超電導線材の接続方法を提供することである。

本発明の超電導線材の接続構造は、基板と、基板上に形成された超電導層と、超電導層上に形成された安定化層とを備える、複数の超電導線材の接続構造である。複数の超電導線材は、超電導層を成長させてなる接続層により接続されていることを特徴としている。

本発明の超電導線材の接続構造によれば、超電導層と組成ずれが小さい接続層により複数の超電導線材が接続されている。そのため、超電導層と接続層との間に組成のずれから生じる接続抵抗を低減できる。

上記超電導線材の接続構造において好ましくは、接続層は、複数の超電導線材の一方または両方の端部の超電導層上に形成されていることを特徴としている。これにより、複数の超電導線材を最も長尺に接続された超電導線材の接続構造となる。

本発明の超電導コイルは、上記超電導線材の接続構造を備えている。本発明の超電導コイルによれば、接続抵抗の低減された長尺な所望の長さの超電導線材を備えている。そのため、高い超電導特性を維持した超電導コイルとなる。

本発明の超電導線材の接続方法は、準備する工程と、被接続部を形成する工程と、超電導線材を接続する工程とを備えている。準備する工程は、基板と、基板上に形成された超電導層と、超電導層上に形成された安定化層とを備える、複数の超電導線材を準備する。被接続部を形成する工程は、複数の超電導線材において安定化層を除去することにより、被接続部を形成する。超電導線材を接続する工程は、複数の被接続部上に超電導層を成長させてなる接続層を形成することにより、複数の超電導線材を接続する。

特に上記特許文献３と異なり、本発明の超電導線材の接続方法では元々形成されている超電導層をそのまま維持し、その上に超電導層を成長させてなる接続層を形成している。この結果、本発明の超電導線材の接続方法によれば、準備された複数の超電導線材の超電導層上に接続層を形成するので、接続層と超電導層との組成ずれが小さい。そのため、複数の超電導層の表面上に形成される接続層と、超電導層との間の接続抵抗を低減できる。

上記超電導線材の接続方法において好ましくは、被接続部は、超電導線材の端部に形成され、２の被接続部を並列または対向させて、２の被接続部に接続層を形成することを特徴としている。これにより、準備した超電導線材を最も長尺に接続することができる。

上記超電導線材の接続方法において好ましくは、被接続部の表面粗さＲａを５０ｎｍ以下に平坦化する工程をさらに備えている。これにより、被接続部上に、良好な超電導特性を有する接続層を形成できる。

なお、上記「表面粗さＲａ」とは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１に準拠して測定される値である。

上記超電導線材の接続方法において好ましくは、接続層は、物理蒸着法またはフッ素を含まない有機金属堆積法により形成されることを特徴としている。これにより、超電導層の組成ずれが小さいとともに、優れた品質の結晶からなる接続層を容易に形成できる。

本発明の超電導線材の接続構造によれば、超電導層を成長させてなる接続層により、複数の超電導層上で複数の超電導線材を接続しているので、接続抵抗を低減できる。

また、本発明の超電導線材の接続方法によれば、複数の超電導層上に超電導層を成長させてなる接続層を形成することにより、接続抵抗を低減できる。

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には、同一の参照符号を付し、その説明は繰り返さない。

（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における超電導線材の接続構造を示す概略斜視図である。図１を参照して、本発明の実施の形態１における超電導線材の接続構造を説明する。

図１に示すように、実施の形態１における超電導線材の接続構造は、基板１１，２１と、基板１１，２１上に形成された超電導層１３，２３と、超電導層１３，２３上に形成された安定化層１４，２４とを備える、複数の超電導線材１０，２０の接続構造である。複数の超電導線材１０，２０は、超電導層１３，２３を成長させてなる接続層１００により接続されていることを特徴としている。

実施の形態１では、超電導線材の接続構造は、２の超電導線材１０，２０の接続構造である。超電導線材の接続構造は、２の超電導線材１０，２０と、接続層１００とからなる。接続層１００は、複数の超電導線材１０，２０の端部において、超電導層１３，２３上に、超電導線材１０，２０の幅方向にまたがるように形成されている。

具体的には、超電導線材１０は、基板１１と、基板１１上に形成された中間層１２と、中間層１２上に形成された超電導層１３と、超電導層１３上に形成された安定化層１４とを備えている。超電導線材２０は、基板２１と、基板２１上に形成された中間層２２と、中間層２２上に形成された超電導層２３と、超電導層２３上に形成された安定化層２４とを備えている。

基板１１，２１の中間層１２，２２と対向する側（中間層１２，２２が形成されていない場合には超電導層１３，２３と対向する側）の面は平坦であることが好ましい。たとえば基板１１，２１の当該面の表面粗さＲａは、５０ｎｍ以下であることが好ましい。５０ｎｍ以下とすることによって、当該面上に優れた中間層１２，２２または超電導層１３，２３を形成できる。

基板１１，２１を構成する材料は金属であることが好ましい。基板１１，２１は、配向金属基板を用いることがさらに好ましい。なお、配向金属基板とは、基板表面の面内の２軸方向に関して、結晶方位が揃っている基板を意味する。配向金属基板としては、たとえばＮｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｃｏ（コバルト）、Ｆｅ（鉄）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｃｕ（銅）、Ａｇ（銀）、およびＡｕ（金）のうち２以上の金属からなる合金が好適に用いられる。これらの金属を他の金属または合金と積層することもでき、たとえば高強度材料であるＳＵＳなどの合金を用いることもできる。なお、基板１１，２１の材料は特にこれに限定されず、たとえば金属以外の材料を用いてもよい。基板１１，２１は、たとえば長尺な帯状の形状を有している。

中間層１２，２２は、基板１１，２１上に形成されている。なお、超電導層１０，２０は、中間層１２，２２を備えていなくてもよい。中間層１２，２２を備えていると、超電導層１３，２３の結晶が良好になるとともに、基板１１，２１と超電導層１３，２３との間に元素拡散反応が生じないので、超電導線材１０，２０は、中間層１２，２２を備えていることが好ましい。

中間層１２，２２の超電導層１３，２３が形成される側の表面は平坦であることが好ましい。たとえば、中間層１２の当該表面の表面粗さは５０ｎｍ以下とすることが好ましい。表面粗さＲａを５０ｎｍ以下とすることによって、その表面上に優れた超電導層１３，２３を形成できる。

中間層１２，２２を構成する材料は、岩塩型、蛍石型、ペロブスカイト型、およびパイロクロア型の少なくともいずれか１つの結晶構造を有する酸化物であることが好ましい。このような結晶構造を有する酸化物として、酸化セリウム（ＣｅＯ₂）、酸化ホルミニウム（Ｈｏ₂Ｏ₃）、酸化イットリウム（Ｙ₂Ｏ₃）、および酸化イッテルビウム（Ｙｂ₂Ｏ₃）などの希土類元素酸化物、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、およびチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ₃）、ＢＺＯ（ＢａＺｒＯ₃）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）などのＬｎ−Ｍ−Ｏ化合物（Ｌｎは１種以上のランタノイド元素、ＭはＳｒ、Ｚｒ、およびＧａの中から選ばれる１種以上の元素、Ｏは酸素）が挙げられる。特に、中間層１２，２２を構成する材料が、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、酸化セリウム（ＣｅＯ₂）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、およびチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ₃）などが結晶定数および結晶配向の観点から好適に用いられる。これらの材料は、超電導層１３，２３との反応性が極めて低く、超電導層１３，２３と接触している境界面においても超電導層１３，２３の超電導特性を低下させない。特に、基板１１，２１を構成する材料として金属を用いる場合には、表面に結晶配向性を有する基板１１，２１と超電導層１３、２３との差を緩和して、超電導層１３，２３を高温で形成する際に、表面に結晶配向性を有する配向金属からなる基板１１，２１から超電導層１３，２３への金属原子の流出を防止する役割を果たすことができる。なお、中間層１２，２２を構成する材料は特にこれに限定されない。

また、中間層１２，２２は、良好な結晶配向性を有していることが好ましい。良好な結晶配向性を有する材料としては、上記材料が挙げられる。

また、中間層１２，２２は、複数の層により構成されていてもよい。中間層１２，２２が複数の層により構成される場合、中間層１２，２２を構成するそれぞれの層は互いに異なる材質または一部が同じ材質により構成されていてもよい。

超電導層１３，２３は、中間層１２，２２上に形成される。中間層１２，２２が存在しない場合には、超電導層１３，２３は、基板１１，２１上に形成される。

超電導層１３，２３の端部の接続層１００と対向する表面は、平坦であることが好ましい。たとえば、超電導層１３，２３の当該表面の表面粗さは５０ｎｍ以下とすることが好ましい。表面粗さＲａを５０ｎｍ以下とすることによって、その表面上に優れた接続層１００を形成できる。

超電導層１３，２３を構成する材料は特に限定されないが、たとえばＲＥ−１２３系の超電導体とすることが好ましい。なお、ＲＥ−１２３系の超電導体とは、ＲＥＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_y（ｙは６〜８、より好ましくはほぼ７、ＲＥとはイットリウム、またはＧｄ、Ｓｍ、Ｈｏなどの希土類元素を意味する）として表される超電導体を意味する。このようにすれば、フレキシブルな金属からなる基板１１，２１上に中間層１２，２２および超電導層１３，２３を形成すると、大きな臨界電流値および臨界電流密度を示す超電導線材１０，２０を実現できる。

安定化層１４，２４は、超電導線材１０，２０において、接続層１００が形成されている端部を除いた超電導層１３，２３の上に形成されている。なお、接続層１００上に安定化層１４，２４を形成してもよい。

安定化層１４，２４は、超電導層１３，２３の表面保護のために、超電導層１３，２３上にＡｇ（銀）安定化層やＣｕ（銅）安定化層などの表面保護層や安定化層を設けている。

接続層１００は、２の超電導線材１０，２０の一方の端部の超電導層１３，２３上に形成されている。実施の形態１では、２の超電導線材１０，２０の接続構造としているので、超電導線材１０，２０の一方の端部に接続層１００を形成することにより、超電導線材１０，２０の長尺化を図ることができる。なお、３以上の超電導線材の接続構造であれば、接続層１００は、複数（３以上）の超電導線材の一方または両方の端部の超電導層上に形成されていることが好ましい。

接続層１００は、超電導層１３，２３を成長させてなる。すなわち、接続層１００を構成する材料は、超電導層１３，２３を構成する材料と同じとなる。また接続層１００は、超電導層１３，２３を成長させてなるので、接続層１００の組成と、超電導層１３，２３の組成とのずれが小さくなる。そのため、接続層１００と超電導層１３，２３との間の接続抵抗は低減できるとともに、超電導層１３，２３の超電導特性の低下を防止できる。

超電導線材１０，２０の延びる方向（長さ方向）である接続層１００の長さＬは、１０ｍｍ〜１００ｍｍとすることが好ましく、超電導線材１０，２０の幅方向である接続層１００の幅Ｗは、３ｍｍ〜５０ｍｍとすることが好ましく、接続層１００の厚さＤは、０．２μｍ〜１０μｍとすることが好ましい。

次に、図１および図２を参照して、本発明の実施の形態１における超電導線材の接続方法について説明する、なお、図２は、本発明の実施の形態１における超電導線材の接続方法を示すフローチャートである。

図２に示すように、まず、基板１１，２１と、基板１１，２１上に形成された超電導層１３，２３と、超電導層１３，２３上に形成された安定化層１４，２４とを備える、複数の超電導線材１０，２０を準備する工程（Ｓ１０）を実施する。実施の形態１では、２の超電導線材１０，２０を準備する。

具体的には、たとえば長尺な帯状の基板１１，２１を準備する。たとえばＮｉ合金やＣｕ合金などの配向金属からなる基板１１，２１を準備することが好ましい。

そして、基板１１，２１の表面上にそれぞれ中間層１２，２２を形成する。中間層１２、２２としては、たとえばＹＳＺやＣｅＯ₂などからなる層を形成する。また、成膜方法としては、任意の成膜方法を用いることができるが、たとえばパルスレーザ蒸着法（Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＬＤ法）などの物理蒸着法を用いることができる。なお、中間層１２，２２を形成する工程は省略されてもよい。

そして、中間層１２，２２（中間層１２，２２が形成されていない場合には、基板１１，２１）の表面上に、超電導層１３，２３を、たとえば気相法および液相法、またはそれらの組み合わせにより形成する。超電導層１３，２３としては、たとえばＨｏＢＣＯなどからなる層を形成する。気相法としては、たとえばレーザ蒸着法、スパッタリング法、および電子ビーム蒸着法などが挙げられる。液相法としては、たとえば有機金属堆積法などが挙げられる。レーザ蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム法、および有機金属堆積法の少なくとも１つの方法により行なわれると、結晶配向性および表面平滑性に優れた表面を有する超電導層１３，２３を形成することができる。

そして、超電導層１３，２３の表面上に、安定化層１４，２４をたとえば物理蒸着法や電気めっき法などにより形成する。安定化層１４，２４は、たとえばＡｇまたはＣｕなどからなる層を形成する。

準備する工程（Ｓ１０）では、基板１１，２１、中間層１２，２２、または超電導層１３，２３の表面を平坦化することが好ましい。平坦化する方法は、任意の平坦化方法を用いることができ、たとえばメカノケミカル法、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法、ウエットエッチング法、または機械研磨法などを用いることができる。具体的には、基板１１，２１、中間層１２，２２、または超電導層１３，２３の表面粗さＲａを５０ｎｍ以下にする平坦化することが好ましい。５０ｎｍ以下とすることによって、超電導層１３，２３の特性を向上できる。

次に、複数の超電導線材１０，２０において安定化層１４，２４を除去することにより、複数の被接続部を形成する工程（Ｓ２０）を実施する。この工程（Ｓ２０）で、安定化層１４，２４を除去すると、除去された安定化層１４，２４下の超電導層１３，２３が露出する。この露出した部分を被接続部としている。

この工程（Ｓ２０）では、被接続部は、超電導線材１０，２０の端部に形成されることが好ましい。具体的には、超電導線材１０，２０の一方の端部において、安定化層１４，２４を除去する。安定化層１４，２４の除去方法は、任意の方法を用いることができるが、たとえば機械的研磨、化学的研磨、ウエットエッチング、またはこれらの組み合わせなどにより行なうことができる。特に、超電導層の膜厚と臨界電流（Ｉｃ）特性を維持し、かつ安定化層のみを除去する観点から、安定化層のみを選択的に溶解できるウエットエッチング法により行なうことが好ましい。

次に、被接続部の表面粗さＲａを５０ｎｍ以下に平坦化する工程を実施することが好ましい。具体的には、平坦化する方法は、任意の方法を用いることができるが、たとえばメカノケミカル、機械的研磨、化学的研磨、ウエットエッチング、またはこれらの組み合わせなどにより行なうことができる。特に、被接続部を中心とした領域に限定して平滑化する観点から、メカノケミカル研磨や機械的研磨により行なうことが好ましい。

平坦化する工程において、被接続部の表面粗さＲａは、５０ｎｍ以下とすることが好ましく、２０ｎｍ以下とすることがより好ましい。Ｒａを５０ｎｍ以下とすることによって、被接続部上に、超電導層１３，２３と同じ組成の結晶が成長しやすくなるとともに、接続層１００の超電導特性を向上できる。Ｒａを２０ｎｍ以下とすることによって、接続層１００の超電導特性をより向上できる。なお、被接続部の表面粗さＲａは、接続層１００が形成される側の面の表面粗さＲａを意味する。

次に、複数の被接続部上に超電導層１３，２３を成長させてなる接続層１００を形成することにより、複数の超電導線材１０，２０を接続する工程（Ｓ３０）を実施する。接続層１００は、元々の超電導層１３，２３の超電導特性を損なうことなく成長可能な物理蒸着法またはフッ素を含まない有機金属堆積法により形成されることが好ましい。実施の形態１では、物理蒸着法により形成している。

具体的には、たとえば複数の被接続部を横に並べる。この際、超電導層１３，２３が水平になるように並列に配置することがより好ましい。そして、複数の被接続部上に接続層１００を形成する。実施の形態１のように、被接続部を超電導線材１０，２０の端部に形成した場合には、２の被接続部を並列させて、２の被接続部に物理蒸着法により接続層１００を形成する。

接続層１００の成膜方法は、任意の成膜方法を用いることができるが、物理蒸着法としては、たとえば成長速度が高速である観点から、ＰＬＤ法により接続層１００を形成することが好ましい。ＰＬＤ法によれば、たとえば接続層１００の厚みＤを１０μｍ程度に容易に形成できる。

以上の工程（Ｓ１０〜Ｓ３０）を実施することにより、図１に示す超電導線材１０，２０の接続構造を得ることができる。

なお、実施の形態１では、準備する工程（Ｓ１０）で２の超電導線材１０，２０を準備しているが、３以上（たとえばｎ個）の超電導線材を準備する場合には、（ｎ−２）枚の超電導線材については、両端部について安定化層を除去し、残りの２枚の超電導線材については一方の端部について安定化層を除去する（Ｓ２０）ことが好ましい。この場合には、ｎ枚の超電導線材のうち、２の被接続部ごとに並列または対向させて、２の被接続部ごとに接続層１００を形成することが好ましい。そして、被接続部を一方端にのみ形成した２枚の超電導線材が、超電導線材の接続構造の両端に配置されるように、接続層を形成することが好ましい。これにより、（ｎ−１）枚の接続層により接続された超電導線材の接続構造が得られる。

以上説明したように、本発明の実施の形態１における超電導線材の接続構造によれば、基板１１，２１と、基板１１，２１上に形成された超電導層１３，２３と、超電導層１３，２３上に形成された安定化層１４，２４とを備える、複数の超電導線材の接続構造であって、複数の超電導線材１０，２０は、超電導層１３，２３を成長させてなる接続層１００により接続されていることを特徴としている。接続層１００は、超電導層１３，２３上に形成されているので、超電導層１３，２３の影響を受けて成長するので、超電導層１３，２３と接続層１００との間に、組成の相違から生じる接続抵抗を低減できる。このような接続層１００により超電導層１３，２３上をまたぐように接続しているので、超電導層１３，２３と接続層１００との間に生じる接続抵抗を低減できる。そのため、超電導層１３，２３の臨界電流値および臨界電流密度などの超電導特性の低下を防止できる。

上記超電導線材の接続構造において好ましくは、接続層１００は、複数の超電導線材１０，２０の一方または両方の端部の超電導層１３，２３上に形成されていることを特徴としている。これにより、複数の超電導線材１０，２０を最も長尺に接続できるので、複数の超電導線材１０，２０の長さを有効に利用した超電導線材の接続構造となる。

本発明の実施の形態１における超電導線材の接続方法によれば、基板１１，２１と、基板１１，２１上に形成された超電導層１３，２３と、超電導層１３，２３上に形成された安定化層１４，２４とを備える、複数の超電導線材１０，２０を準備する工程（Ｓ１０）と、複数の超電導線材１０，２０において安定化層１４，２４を除去することにより、複数の被接続部を形成する工程（Ｓ２０）と、複数の被接続部上に超電導層１３，２３を成長させてなる接続層１００を形成することにより、複数の超電導線材１０，２０を接続する工程（Ｓ３０）とを備えている。準備された複数の超電導線材１０，２０の超電導層１３，２３上に接続層１００を形成するので、接続層１００の組成と超電導層１３，２３の組成とのずれが小さくなる。そのため、複数の超電導層１３，２３をまたがって形成される接続層１００と、超電導層１３，２３との間の接続抵抗を低減できる。よって、超電導層１３，２３の臨界電流値および臨界電流密度などの特性の低下を防止できる。なお、本発明の実施の形態１における超電導線材の接続方法では、複数の超電導線材１０，２０において元々形成されている超電導層１３，２３をそのまま維持するとともに、超電導層１３，２３上にエピタキシャル法により超電導層１３，２３を成長させてなる接続層１００を形成する点において、上記特許文献３に記載の酸化物超電導導体の接続方法と大きく相違している。

上記超電導線材の接続方法において好ましくは、被接続部は、超電導線材１０，２０の端部に形成され、２の被接続部を並列または対向させて、２の被接続部に接続層を形成することを特徴としている。これにより、準備した超電導線材１０，２０を最も長尺に接続することができるので、複数の超電導線材１０，２０の長さを有効に利用した超電導線材の接続構造となる。

上記超電導線材の接続方法において好ましくは、被接続部の表面粗さＲａを５０ｎｍ以下に平坦化する工程をさらに備えている。これにより、被接続部上に、超電導層１３，２３との組成ずれが小さいとともに、超電導層１３，２３の特性を維持する接続層１００を形成しやすくなる。そのため、複数の超電導層１３，２３と接続層１００との接続抵抗をより低減できる。

上記超電導線材の接続方法において好ましくは、接続層１００は、物理蒸着法またはフッ素を含まないＭＯＤ法により形成されることを特徴としている。これにより、局所的に非常に速く、結晶性に優れた接続層１００を形成できる。また、特にＰＬＤ法などの物理蒸着法は成長速度が速いので、接続層１００の膜厚を厚くして、複数の超電導層１３，２３と接続層１００との接続抵抗をより低減できる。

（実施の形態２）
図３を参照して、本発明の実施の形態２における超電導線材の接続構造について説明する。なお、図３は、本発明の実施の形態２における超電導線材の接続構造を示す概略斜視図である。

図３に示すように、実施の形態２における超電導線材の接続構造は、実施の形態１と同様の２の超電導線材１０，２０の接続構造である。接続層１１０は、複数の超電導線材１０，２０の端部において、超電導層１３，２３上に、超電導線材１０，２０が重なるように形成されている。すなわち、超電導線材１０，２０は、接続層１１０を中心として対向させて配置されている。その他の構成については、実施の形態１と同様であるので、その説明は繰り返さない。

次に、実施の形態２における超電導線材の接続方法について説明する。まず、基板１１，２１と、基板１１，２１上に形成された超電導層１３，２３と、超電導層１３，２３上に形成された安定化層１４，２４とを備える、複数の超電導線材１０，２０を準備する工程（Ｓ１０）を実施する。この工程（Ｓ１０）は、実施の形態１と同様であるので、その説明は繰り返さない。

次に、複数の超電導線材１０，２０において安定化層１４，２４を除去することにより、複数の被接続部を形成する工程（Ｓ２０）を実施する。この工程（Ｓ２０）は、実施の形態１と同様であるので、その説明は繰り返さない。

次に、被接続部の表面粗さＲａを５０ｎｍ以下に平坦化する工程を実施してもよい。この工程は、実施の形態１と同様であるので、その説明は繰り返さない。なお、本実施の形態で後述する接続する工程（Ｓ３０）でフッ素を含まないＭＯＤ法を適用する場合には、被接続部の表面粗さＲａを必ずしも５０ｎｍ以下とする必要はない。その理由は、フッ素を含まないＭＯＤ法では、無フッ素系ＭＯＤ溶液から結晶成長を出発させるので、被接続部の表面の平滑性が大きくても良好な超電導層の形成が可能であるからである。

次に、複数の被接続部上に超電導層１３，２３を成長させてなる接続層１１０を形成することにより、複数の超電導線材１０，２０を接続する工程（Ｓ３０）を実施する。実施の形態２では、接続層１１０は、フッ素を含まない有機金属堆積法（無フッ素系ＭＯＤ法）により形成されている。

具体的には、たとえば２の被接続部を対向させる。２の被接続部は接触していることが好ましい。また、被接続部を密着させておくことがより好ましい。なお、特にこの配置に限定されず、たとえば同一平面内に配置しておいてもよい。

そして、対向させた被接続部の接触界面に無フッ素系ＭＯＤ溶液を浸漬させる。浸漬させる方法は特に限定されないが、たとえば対向させた状態の２の被接続部を無フッ素系ＭＯＤ溶液に浸漬させる。また、たとえば被接続部を対向させる前に、被接続部の表面に無フッ素系ＭＯＤ溶液を塗布してから、被接続部を対向などさせる。無フッ素系ＭＯＤ溶液を浸漬させることにより、非接続部の表面（表面が凹凸状態であれば凹凸の隙間も含む）に無フッ素系ＭＯＤ溶液を付着できる。

ここで、無フッ素系ＭＯＤ溶液とは、超電導層１３，２３と同じ組成からなる層を成長させるための溶液である。たとえばＨｏＢＣＯからなる層を成長させる場合には、無フッ素系ＭＯＤ溶液は、ＨｏとＢａとＣｕとが１：２：３の割合で含まれているアセチルアセトナート系ＭＯＤ溶液を用いる。無フッ素系ＭＯＤ法を用いることにより、無フッ素系ＭＯＤ溶液は中性溶液であるため、超電導層１３，２３や中間層１２，２２にダメージを与えず、超電導層１３，２３や中間層１２，２２の結晶を維持できるとともに、フッ素を含んでいないので人体や環境への負荷が非常に軽減される。

そして、４００℃以上５００℃以下の温度範囲で熱処理を行なう仮焼成工程を実施する。仮焼成工程により、有機成分を除去できる。そして、７００℃以上９００℃以下の温度範囲で熱処理を行なう本焼成工程を実施する。本焼成工程により、超電導層１３と超電導層２３との界面にエピタキシャル成長させて接続層１１０を形成できる。そして、３５０℃〜５５０℃において、酸素分圧０．１気圧〜酸素１気圧の雰囲気において、超電導層１３，２３および接続層１１０に酸素をドープする酸素アニール工程を実施する。酸素アニール工程では、７７Ｋで高い臨界電流値を得ることができる。

仮焼成工程および本焼成工程では、超電導線材１０，２０に０．５ｋｇｆ〜１０ｋｇｆの圧力を印加して行なうことが好ましい。０．５ｋｇｆ以上の圧力を印加することによって、ＭＯＤ膜（接続層１１０）の焼成時の大きな体積変化を吸収でき、接続される２つの超電導層１３，２３間に良好にエピタキシャル成長してなる接続層１１０を得ることができる。１０ｋｇｆ以下の圧力を印加することによって、超電導層１３，２３および接続層１１０の超電導特性の低下を防止できる。

以上説明したように、実施の形態２における超電導線材の接続方法によれば、接続層１１０は、フッ素を含まない有機金属堆積法により形成されている。たとえば超電導層１３，２３の原料を含むフッ素系有機酸を用いて有機酸塩を被接続部の上に塗布（または浸漬）して焼成して接続層を形成するＴＦＡ−ＭＯＤ法を用いると、原料中のフッ素が抜けていく状態で結晶成長する。しかも、フッ化物の溶液は反応性に富むので、超電導層１３，２３や安定化層１４，２４を溶かしてしまう場合があった。しかし、実施の形態２における中性溶液であるフッ素を含まない有機金属堆積法により接続層１１０を形成することにより、超電導層１３，２３の影響を受けてエピタキシャル成長するため、超電導層１３，２３の表面上に超電導層１３，２３と組成のずれが小さい共通の新たな超電導層である接続層１１０を形成できる。そのため、超電導層１３，２３と接続層１１０との間に生じる接続抵抗を低減できる。よって、超電導層１３，２３の臨界電流値および臨界電流密度などの特性の低下を防止できる。

また、フッ素を含まない有機金属堆積法により接続層１１０を形成する場合には、非真空系の雰囲気で超電導線材を接続できる。そのため、大型機器への適用が可能となり、接続方法の自由度が大きい点で有利となる。

（実施の形態３）
図４を参照して、本発明の実施の形態３における超電導コイルについて説明する。実施の形態３における超電導コイルは、実施の形態１または実施の形態２における超電導線材の接続構造を備えている。なお、図４は、本発明の実施の形態３における超電導コイルを示す概略斜視図である。

具体的には、図４に示すように、超電導コイル２００は、ダブルパンケーキ型コイルとしている。超電導コイル２００は、超電導線材１０を長さ方向において２分割に切断された超電導線材１０ａ，１０ｂを、円筒状の巻枠２０１ａ，２０１ｂに巻装され、巻線である超電導線材１０ａ，１０ｂの最外周において、接続層２２０により接続されている。接続層２２０は、実施の形態１における接続層１００または実施の形態２における接続層１１０と同様である。

接続層２２０と超電導層との接続抵抗が低減されて、永久電流ジョイントとすることができるので、超電導コイル２００は、永久電流モード通電を行なうことができる。

なお、実施の形態３では、ダブルパンケーキ型コイルとしているが、特にこれに限定されない。たとえば超電導線材がらせん状に巻かれてなる超電導コイルを形成することもできる。また、複数の超電導線材を用いて、実施の形態１または２における超電導線材の接続構造を備えている場合には、所望の長さの超電導線材を備える超電導コイル２００となる。

次に、実施の形態３における超電導コイル２００の製造方法について説明する。まず、超電導線材１０ａ，１０ｂにより巻枠２０１ａ，２０１ｂに巻装する。

次に、接続したい超電導線材の端末部を引き出す工程を実施する。実施の形態３では、巻線である超電導線材１０ａ，１０ｂの最外周の端部を引き出す。

次に、２つの端末部の安定化層を除去することにより、被接続部を形成する工程を実施する。この工程により、端末部の超電導層の表面（被接続部）を露出させて、並列または対向に配置させる。実施の形態３では、被接続部を対向させて配置させている。また、巻線である超電導線材１０ａ，１０ｂの最外周の端部において、安定化層１４を除去することにより、複数の被接続部を形成する工程（Ｓ２０）を実施する。この工程（Ｓ２０）は、実施の形態１または２と同様である。

次に、複数の被接続部上に超電導層１３を成長させてなる接続層２２０を形成する工程（Ｓ３０）を実施する。工程（Ｓ２０，Ｓ３０）は、実施の形態１または実施の形態２と同様である。なお、超電導コイル２００のような大型機器において超電導線材１０ａ，１０ｂを接続する場合には、実施の形態２におけるフッ素を含まない有機金属堆積法により接続層２２０を形成することが好ましい。

次に、必要に応じて、接続層２２０上に安定化層を形成する工程、仮焼成工程、本焼成工程、または酸素アニール工程などを実施する。

以上の工程を実施することにより、図４に示す実施の形態３における超電導コイルを製造できる。なお、超電導コイルは、図４に示す超電導コイル２００に限定されず、たとえば図５に示すように超電導線材１０ａ、１０ｂの端部を並べて接続される超電導コイル３００としてもよい。超電導コイル２００，３００は、密に巻くことができる。また、図６に示すように、超電導線材１０ａ，１０ｂは隙間を設けて接続された超電導コイル４００としてもよい。超電導コイル４００は、意図的に磁場を変化させることができる。

以上説明したように、本発明の実施の形態３における超電導コイル２００，３００，４００によれば、実施の形態１または２における超電導線材の接続構造を備えている。従来、たとえば物理蒸着法を用いて超電導コイルにおける超電導線材を接続する場合には、超電導コイルをすべて真空チャンバに配置しなければ、永久電流ジョイントは得られなかったが、超電導コイルを真空チャンバ内に配置することは、物理的に不可能であった。しかし、実施の形態３における超電導コイル２００，３００，４００によれば、複数の超電導線材の端末部のみを引き出して、永久電流ジョイントを実現できる接続層２２０を形成することにより、永久電流通電モードが実現できる超電導コイル２００，３００，４００を得ることができる。また、フッ素を含まないＭＯＤ法を適用することによって、非真空雰囲気下で大型マグネットの端末を低抵抗で接続することが可能となる。

また、超電導コイル２００，３００，４００は、実施の形態１または２における超電導線材の接続方法により接続されているので、長尺な超電導線材１０ａ，１０ｂを用いて接続しても接続抵抗を低減して、超電導状態とすることができる。また、超電導線材を複数接続することにより必要な所望の長さにして、超電導コイル２００，３００，４００を得ることもできる。

〔実施例〕
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

（実施例１）
実施例１では、実施の形態１における超電導線材の接続方法にしたがって、図１に示す超電導線材の接続構造を得た。

具体的には、まず、基板と、基板上に形成された超電導層と、超電導層上に形成された安定化層とを備える、複数の超電導線材を準備する工程（Ｓ１０）を実施した。この工程（Ｓ１０）では、基板として、Ｎｉ合金からなり、厚さ１００μｍ、幅１ｃｍ、長さ１００ｃｍを準備した。そして、基板上に酸化セリウムからなる中間層を電子ビーム蒸着法により形成した。そして、中間層上に、ＰＬＤ法により、酸素分圧２００ｍＴｏｒｒの雰囲気で８２０℃の基板温度で、２μｍの厚さのＨｏＢＣＯからなる超電導層を形成した。そして、超電導層上に、真空蒸着法により、１０μｍの厚さのＡｇからなる安定化層を形成した。そして、酸素１００％の雰囲気で、５００℃で１時間の熱処理を実施した。これにより、超電導線材を得た。そして、得られた超電導線材を２枚準備した。

次に、複数の超電導線材において安定化層を除去することにより、複数の被接続部を形成する工程（Ｓ２０）を実施した。この工程（Ｓ２０）では、２枚の超電導線材の一方端から超電導線材の長さ方向までの５ｃｍの領域について安定化層を化学エッチングにより除去した。

次に、複数の被接続部上に超電導層を成長させてなる接続層を形成することにより、複数の超電導線材を接続する工程（Ｓ３０）を実施した。この工程（Ｓ３０）では、超電導層の水平面を厳密に保ちながら、２枚の超電導線材の端部を並べて固定した。そして、ＰＬＤ法により、長さＬを５ｃｍ、幅Ｗを２ｃｍ、厚さＤを１μｍとして、ＨｏＢＣＯからなる接続層を形成した。そして、接続層の表面上にＡｇからなる安定化層を１０μｍ形成した。そして、酸素１００％の雰囲気で、５００℃で１時間、熱処理を行なった。これにより、実施例１における超電導線材の接続構造を得た。

（評価方法）
準備する工程（Ｓ１０）で準備した１の超電導線材および実施例１における超電導線材の接続構造について、臨界電流を測定した。臨界電流は、７７Ｋの条件で測定した。なお、測定値は、１ｃｍ長当たり１μＶの電圧を印加したときの発生した電流値とした。なお、実施例１における超電導線材の接続構造では、２の超電導線材の接続されていない（接続層が形成されていない）側の端部に電流リードを取り付けて、さらに接続層を含むように電圧タップを取り付けて、電流−電圧特性を測定した。

（測定結果）
実施例１における超電導線材の接続構造での臨界電流は、１４０Ａであった。一方、準備した超電導線材の臨界電流は、１６０Ａであった。この結果から、接続前の臨界電流とほぼ同様の特性を示すことが確認できた。

（実施例２）
実施例２では、実施の形態２における超電導線材の接続方法にしたがって超電導線材の接続構造を得た。

具体的には、まず、基板と、基板上に形成された超電導層と、超電導層上に形成された安定化層とを備える、複数の超電導線材を準備する工程（Ｓ１０）を実施した。この工程（Ｓ１０）は、実施例１と同様の超電導線材を２枚準備した。

次に、複数（２枚）の超電導線材において安定化層を除去することにより、複数の被接続部を形成する工程（Ｓ２０）を実施した。この工程（Ｓ２０）は、実施例１と同様に、２枚の超電導線材の一方の端部の安定化層を除去した。

次に、複数の被接続部上に超電導層を成長させてなる接続層を形成することにより、複数の超電導線材を接続する工程（Ｓ３０）を実施した。この工程では、無フッ素系ＭＯＤ法により行なった。具体的には、被接続部同士を合わせて密着させて固定した。そして、ＨｏとＢａとＣｕとが１：２：３の割合で含まれているアセチルアセトナート系ＭＯＤ溶液（フッ素が含まれていないフッ素フリーＭＯＤ溶液）に被接続部を浸漬させた。そして、５２０度で１時間、空気中で熱処理を行なう仮焼成工程を実施した。そして、酸素２００ｐｐｍを含むＡｒ雰囲気で８５０℃で１．５時間の熱処理を行なう本焼成工程を実施した。これにより、ＨｏＢＣＯからなる接続層を形成した。そして、酸素１００％の雰囲気で５００℃で１時間、熱処理を行なう酸素アニール工程を実施した。これにより、実施例２における超電導線材の接続構造を得た。

（評価方法）
実施例１と同様にして、実施例２における超電導線材の接続構造について臨界電流を測定した。具体的には、実施例２における超電導線材の接続構造では、２の超電導線材の接続されていない（接続層が形成されていない）側の端部に電流リードを取り付けて、さらに接続層を含むように電圧タップを取り付けて、電流−電圧特性を測定した。また、実施例２における超電導線材の接続構造において、接続層において長さＬ５ｃｍの両端１ｃｍを除く中央部の３ｃｍの領域について臨界電流を測定した。

（測定結果）
実施例２における超電導線材の接続構造での臨界電流は、１５２Ａであった。また、接続層の中央部の臨界電流は、１８０Ａであった。準備した超電導線材の臨界電流は、１６０Ａであったため、接続前の臨界電流とほぼ同様の特性を示すことが確認できた。また、無フッ素系ＭＯＤ法により超電導層が増加したため、接続層の中央部では、臨界電流が向上し、非常に良い結果を得られた。

（実施例３）
実施例３では、実施例１の超電導線材の接続方法において、被接続部の表面粗さＲａを５０ｎｍ以下に平坦化する工程をさらに実施した。具体的には、実施例１における安定化層を除去する工程（Ｓ２０）を実施した後に、被接続部を、メカノケミカル手法を用いて、表面粗さＲａを１０ｎｍ以下に平坦化した。

（評価方法）
実施例１と同様に、実施例３における超電導線材の接続構造の臨界電流を測定した。

（測定結果）
実施例３における超電導線材の接続構造での臨界電流は、１５５Ａであった。一方、準備した超電導線材の臨界電流は、１６０Ａであったため、接続前の臨界電流とほぼ同様の特性を示すことが確認できた。また、実施例１の臨界電流と比較して、平坦化する工程を実施することにより、接続抵抗は１ｎΩ以下となり、より低減できることが確認できた。

（実施例４）
実施例４では、実施例２の超電導線材の接続方法において、仮焼成工程および本焼成工程で圧力を印加する工程、および被接続部の表面粗さＲａを５０ｎｍ以下に平坦化する工程をさらに実施した。具体的には、安定化層を除去する工程（Ｓ２０）を実施後に、実施例３と同様にして被接続部の表面粗さＲａを２０ｎｍ以下にメカノケミカル法で研磨した。また、実施例２の接続層を形成する工程における仮焼成工程および本焼成工程において、被接続部に２ｋｇｆの圧力を印加して行なった。

（評価方法）
実施例２と同様に、実施例４における超電導線材の接続構造について、端部間および接続層の中央部間の臨界電流を測定した。

（測定結果）
実施例４における超電導線材の接続構造での臨界電流は、１６０Ａであった。また、接続層の中央部の臨界電流は、２１０Ａであった。一方、準備した超電導線材の臨界電流は、１６０Ａであったため、接続前の臨界電流とほぼ同様の特性を示すことが確認できた。また、実施例２の臨界電流と比較して、平坦化する工程を実施することにより、接続層での接続抵抗をより低減できることが確認できた。

（実施例５）
実施例５では、実施の形態３における超電導コイルの製造方法にしたがって超電導コイルを製造した。具体的には、基板と、基板上に形成された超電導層と、超電導層上に形成された安定化層とを備える、複数の超電導線材を準備する工程を実施した。この工程（Ｓ１０）では、Ｎｉ合金からなり、厚さ１００μｍ、幅１ｃｍ、長さ２５ｍの基板を準備した。そして、基板上に酸化セリウムからなる中間層を電子ビーム蒸着法により形成した。中間層を構成する酸化セリウムは、表面粗さＲａを１２ｎｍ以下、面内配向性を５°とした。そして、中間層上に、ＰＬＤ法により、実施例１と同じ条件で、１．８μｍの厚さのＨｏＢＣＯからなる超電導層を形成した。そして、超電導層上に、実施例１と同様に、１０μｍの厚さのＡｇからなる安定化層を形成した。これにより、得られた超電導線材を２分割して、１２．５ｍ長の超電導線材を２枚準備した。

次に、２枚の超電導線材を、内径８ｃｍ、高さ２ｃｍのＦＲＰ巻枠に巻いて、２つのＷパンケーキ型コイルを製作した。そして、巻いた２枚の超電導線材の端部１０ｍ長を実施例２と同じ手法で、２の超電導線材において安定化層を除去することにより、２の被接続部を形成する工程（Ｓ２０）を実施した。次に、実施例２と同様に無フッ素系ＭＯＤ法を用いて、２枚の被接続部上に超電導層を成長させてなる接続層を形成することにより、２枚の超電導線材を接続する工程（Ｓ３０）を実施した。これにより、実施例５における超電導コイルを得た。

（評価方法）
準備する工程（Ｓ１０）で分割する前の超電導線材について、実施例１と同様に臨界電流を測定した。また、実施例５における超電導コイルにおいて、接続層により接続した端部と反対の端部に電流リードを取り付けて、液体窒素中で通電試験を実施して、臨界電流を測定した。

（測定結果）
実施例５における超電導コイルの臨界電流の臨界電流は、１４５Ａであった。一方、準備した超電導線材の両端末部の臨界電流は２２５Ａであった。この超電導コイルは１４５Ａの通電電流において約０．０５Ｔの自己磁界を発生することがわかっている。０．０５Ｔでは、臨界電流は磁場がゼロのときに比べて約６５％であることから、超電導コイルにおける超電導線材の臨界電流値は１４６Ａ（２２５Ａ×０．６５）となる。このことから、超電導線材の接続構造を備えている実施例５の超電導コイルは、超電導状態での通電が可能であることが確認できたとともに、超電導特性をほぼ１００％維持できる接続が得られることが確認できた。実施例５によれば、長尺の超電導線材を備える場合においても実際の機器に適用できることがわかった。

今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明の実施の形態１における超電導線材の接続構造を示す概略斜視図である。 本発明の実施の形態１における超電導線材の接続方法を示すフローチャートである。 本発明の実施の形態２における超電導線材の接続構造を示す概略斜視図である。 本発明の実施の形態３における超電導コイルを示す概略斜視図である。 本発明の実施の形態３における別の超電導コイルを示す概略斜視図である。 本発明の実施の形態３におけるさらに別の超電導コイルを示す概略斜視図である。

符号の説明

１０，１０ａ，１０ｂ，２０ 超電導線材、１１，２１ 基板、１２，２２ 中間層、１３，２３ 超電導層、１４，２４ 安定化層、１００，１１０，２２０ 接続層、２００，３００，４００ 超電導コイル、２０１ａ，２０１ｂ 巻枠、Ｌ 長さ、Ｗ 幅、Ｄ 厚さ。

Claims (6)

1. 基板と、前記基板上に形成された超電導層と、前記超電導層上に形成された安定化層とを備える、複数の超電導線材の接続構造であって、
   前記複数の超電導線材は、前記超電導層を成長させてなる接続層により接続されていることを特徴とする、超電導線材の接続構造。
2. 前記接続層は、前記複数の超電導線材の一方または両方の端部の前記超電導層上に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の超電導線材の接続構造。
3. 請求項１または２に記載の超電導線材の接続構造を備える、超電導コイル。
4. 基板と、前記基板上に形成された超電導層と、前記超電導層上に形成された安定化層とを備える、複数の超電導線材を準備する工程と、
   前記複数の超電導線材において前記安定化層を除去することにより、複数の被接続部を形成する工程と、
   前記複数の被接続部上に前記超電導層を成長させてなる接続層を形成することにより、前記複数の超電導線材を接続する工程とを備える、超電導線材の接続方法。
5. 前記被接続部は、前記超電導線材の端部に形成され、
   ２の前記被接続部を並列または対向させて、前記２の被接続部に接続層を形成することを特徴とする、請求項４に記載の超電導線材の接続方法。
6. 前記被接続部の表面粗さＲａを５０ｎｍ以下に平坦化する工程をさらに備える、請求項４または５に記載の超電導線材の接続方法。

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