JP2008027927A - 真空貼り合わせ装置用静電チャック - Google Patents

真空貼り合わせ装置用静電チャック Download PDF

Info

Publication number
JP2008027927A
JP2008027927A JP2004316174A JP2004316174A JP2008027927A JP 2008027927 A JP2008027927 A JP 2008027927A JP 2004316174 A JP2004316174 A JP 2004316174A JP 2004316174 A JP2004316174 A JP 2004316174A JP 2008027927 A JP2008027927 A JP 2008027927A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dielectric layer
electrostatic
electrode
electrostatic chuck
vacuum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2004316174A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshikazu Otani
義和 大谷
Takeshi Shima
武志 島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Engineering Co Ltd
Tomoegawa Co Ltd
Original Assignee
Tomoegawa Paper Co Ltd
Shin Etsu Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tomoegawa Paper Co Ltd, Shin Etsu Engineering Co Ltd filed Critical Tomoegawa Paper Co Ltd
Priority to JP2004316174A priority Critical patent/JP2008027927A/ja
Priority to PCT/JP2005/018678 priority patent/WO2006054406A1/ja
Priority to TW094137736A priority patent/TW200631120A/zh
Publication of JP2008027927A publication Critical patent/JP2008027927A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833Details of electrostatic chucks
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65GTRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G2201/00Indexing codes relating to handling devices, e.g. conveyors, characterised by the type of product or load being conveyed or handled
    • B65G2201/02Articles
    • B65G2201/0294Vehicle bodies
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133354Arrangements for aligning or assembling substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

【課題】異物の噛み込みによる静電吸着機能部の破損を防止しながら安定した吸着保持を達成する。
【解決手段】2極以上の電極1aと、それを覆う誘電層1bとを備え、真空中で誘電層をガラス基板Bに接触させて吸着保持する真空貼り合わせ装置用静電チャックにおいて、前記誘電層の厚さ寸法Tを50〜200μmにしたことを特徴とする静電チャック。また、前記電極が2極の櫛歯型構造であり、この櫛歯型電極の幅寸法Lを0.5〜1.5mmにしたこと。または、この櫛歯型電極同士の間隔Sを0.5〜1.5mmにしたことを特徴とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、例えば液晶ディスプレー(LCD)やプラズマディスプレー(PDP)などのフラットパネルディスプレーの製造過程において、CFガラスやTFTガラスなどのガラス基板を真空中で吸着保持して貼り合わせる際に使用する真空貼り合わせ装置用静電チャックに関する。
詳しくは、2極以上の電極と、それを覆う誘電層とを備え、真空中で誘電層をガラス基板に接触させて吸着保持する真空貼り合わせ装置用静電チャックに関する。
従来、この種の真空貼り合わせ装置用静電チャックには、液晶用ガラス基板を保持搬送する手段として、ガラス製基材の表面に、Cuを0.3μm程度全面に真空蒸着した後、フォトエッチング加工により、2極の櫛歯型電極の幅寸法(線幅)80μm、該櫛歯型電極同士の間隔(ピッチ)200μmをパターンニングし、更にエアロゾルデポジション法により、酸化アルミニウムの誘電層(誘電体層)を10μm製膜するか、又はCVD法によって酸化アルミニウム、酸化珪素、ポリイミドなどの誘電層の厚みを薄くして、より低い電圧でより高い吸着力を発生可能にするか、或いはイオンプレーティング法によって酸化アルミニウム、酸化珪素などの誘電層の厚みを薄くして、より低い電圧でより高い吸着力を発生可能にしたものがある(例えば、特許文献1参照)。
特開2003−273194号公報(第2−3頁、図1−図2)
しかし乍ら、このような従来の真空貼り合わせ装置用静電チャックでは、誘電層が薄い(10μm)ために高い静電吸着力を得られるが、その物理的強度が極端に弱くなるため、この誘電層の表面をガラス基板に接触させて吸着保持する際、これら両者間に異物がガラス基板の表面に付着するなどして侵入すると、この異物の周囲に発生した静電吸着力により誘電層の中に噛み込んでしまい、その結果、薄い誘電層の表面が傷付くだけでなく、電極にもダメージを与えて静電吸着機能部が破損し易いという問題があった。
このような従来の静電チャックで上下一対のガラス基板を吸着保持したまま真空中で接近して圧着させると、異物の噛み込みによる傷で電極が露出し、この状態で電極へ通電すると、真空中のあるタイミングでプラズマ放電を引き起こし、ガラス基板へのダメージや静電吸着力の低下につながるという問題もあった。
また、従来の真空貼り合わせ装置用静電チャックでは、櫛歯電極の幅寸法が狭い(80μm)ために電界集中が起きて絶縁破壊が生じたり断線の可能性も高くなると共に、電極同士の間隔が狭い(200μm)ために高い静電吸着力を得られるが、隣同士の電圧差が大きいために絶縁破壊が起こる可能性が高く、歩留まりや信頼性に劣るという問題があった。
本発明のうち請求項1記載の発明は、異物の噛み込みによる静電吸着機能部の破損を防止しながら安定した吸着保持を達成することを目的としたものである。
請求項2、3記載の発明は、絶縁破壊や断線などの事故を防止しながら安定した吸着保持を達成することを目的としたものである。
前述した目的を達成するために、本発明のうち請求項1記載の発明は、誘電層の厚さ寸法を50〜200μmにしたことを特徴とするものである。
請求項2記載の発明は、電極が2極の櫛歯型構造であり、この櫛歯型電極の幅寸法を0.5〜1.5mmにしたことを特徴とするものである。
請求項3記載の発明は、電極が2極の櫛歯型構造であり、この櫛歯型電極同士の間隔を0.5〜1.5mmにしたことを特徴とするものである。
ここで、上述した真空貼り合わせ装置用静電チャックとは、上下一対の保持板の対向面の両方又は一方のみに設けられ、二枚のガラス基板を吸着保持して対向させ、これら両ガラス基板を真空中で接近して圧着させる真空貼り合わせ装置に用いられる静電チャックをいう。
本発明のうち請求項1記載の発明は、誘電層の厚さ寸法が薄くなるほど静電吸着力は高くなるが、50μm未満になると物理的強度が極端に弱くなって、ガラス基板との間に異物の噛み込みで電極が露出し、真空中のあるタイミングでプラズマ放電を引き起こす恐れがあり、これと逆に200μmより厚くなると、静電吸着力が低下するためにガラス基板の自重以上の吸着力が得られても、その周囲に発生する真空引き時の気流やガラス基板に対する吸着力のバラツキなどで落下の恐れがある。
従って、異物の噛み込みによる静電吸着機能部の破損を防止しながら安定した吸着保持を達成することができる。
その結果、誘電層が薄過ぎるために異物の噛み込みによって静電吸着機能部が破損し易い従来のものに比べ、プラズマ放電によるガラス基板へのダメージや静電吸着力の低下を防止でき、耐久性が向上して長期に亘り使用できて、信頼性の向上が図れる。
請求項2の発明は、櫛歯型電極の幅寸法については、0.5mmより狭いと、電界集中が起きて絶縁破壊が生じたり断線の可能性も高くなり、これと逆に1.5mmより広いと吸着力の根源となる2極電界の総量が減少するため、静電吸着力が低下して落下の恐れがある。
従って、絶縁破壊や断線などの事故を防止しながら安定した吸着保持を達成することができる。
その結果、櫛歯型電極の幅寸法が狭過ぎるために電界集中が起きて絶縁破壊が生じたり断線の可能性が高い従来のものに比べ、歩留まりや信頼性の向上が図れる。
請求項3の発明は、櫛歯型電極同士の間隔が0.5mmより狭いと、大きな吸着力が得られるものの、隣同士の電圧差が大きいために絶縁破壊や断線などが起こる可能性が高く、これと逆に1.5mmより離れると、静電吸着力が低下して落下の恐れがある。
従って、絶縁破壊や断線などの事故を防止しながら安定した吸着保持を達成することができる。
その結果、櫛歯型電極同士の間隔が狭過ぎるために電界集中が起きて絶縁破壊が生じたり断線の可能性が高い従来のものに比べ、歩留まりや信頼性の向上が図れる。
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
この実施例は、図1(a)(b)に示す如く、本発明の真空貼り合わせ装置用静電チャックAが、電極1aの表面に誘電層1bを積層した静電吸着機能部1と、この電極1aの裏面側に設けられた基材層2と、この基材層2の裏面に貼り合わせた台座部材3とからなる板状の積層構造体である場合を示すものである。
上記電極1aは、2極の櫛歯型構造であり、この櫛歯型電極1aの幅寸法Lと櫛歯型電極1a同士の間隔Sを、後述する実験から得た所定範囲(約0.5〜1.5mm)内に設定することで、絶縁破壊や断線などの事故防止とガラス基板(絶縁基板)Bの良好な吸着保持を同時に達成することが好ましい。
上記電極1aの裏面側には、粘着材又は接着剤などの接着層2aを挟んで基材層2が該電極1aを被覆するように設けられ、この基材層2の裏面と、例えばエンジニアリングプラスチックやセラミックスなどから選ばれる硬質な絶縁材料又はアルミニウムなどの金属で板状に形成された台座部材3の表面とが、粘着材又は接着剤などの接着層4を挟んで貼り付けられる。
上記誘電層1bと基材層2は、その主要構成材料として例えばポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリエチレンナフタレート(PEN)などのクッション性がある有機材料を用いることにより、後述する真空貼り合わせ装置のプレス工程で、例えばTFTガラスやCFガラスなどのガラス基板Bへダメージをできる限り低減させる共に、少なくとも誘電層1bの厚さ寸法Tを、後述する実験から得た所定範囲(約50〜200μm)内に設定することで、異物の噛み込みによる静電吸着機能部1の破損防止とガラス基板Bの良好な吸着保持を同時に達成することが好ましい。
そして、前記静電チャックAは、例えば液晶ディスプレーやプラズマディスプレーなどを製造するための真空貼り合わせ装置において、上下方向へ対向して配置された定盤などからなる保持板C,Dの対向面の両方又は一方のみの略全面或いは一部に取り付けることで組み込まれ、該静電チャックAに例えばTFTガラスやCFガラスなどのガラス基板Bを吸着保持して上下対向させると共に、これら両基板B,Bを相対的にXYθ方向へ調整移動して位置決めを行った後に、両者を真空中で接近して圧着させる。
図示例の場合には図1(a)(b)に示す如く、各静電チャックAがガラス基板Bの大きさよりも小さな矩形に形成され、上下保持板C,Dの対向面の両方に対して、複数枚の静電チャックAを互いに接近させて並列状に配置すると共に、夫々の表面を面一状に配置して加圧ムラが発生しないようにすることにより、一辺が例えば1000mm以上の大型なガラス基板B,Bの全面を夫々分割して吸着保持するようにしている。
更に、これら各静電チャックAと上下保持板C,Dと取り付け構造の一例を説明すれば、各静電チャックAの裏面には、前記電極1aと連通する入力端子(図示せず)が露出するように配設され、上下保持板C,Dの対向面側には、高電圧電源に通じる装置側の出力端子(図示せず)が、各静電チャックAの入力端子と対向するように配設され、上下保持板C,Dの対向面側に各静電チャックAを例えばボルトやネジなどで夫々着脱自在に取り付けることにより、夫々の入力端子と出力端子が接触して各静電チャックAの電極1aへ高電圧を印加するようにしている。
上述した真空貼り合わせ装置の作動を図示例に従って詳しく説明すれば、図1(a)に実線で示す如く、大気中で上下保持板C,Dの対向面に配置された上下の静電チャックA,Aに、二枚のガラス基板B,Bを夫々吸着して保持させ、上下保持板C,Dの接近移動によって両者間に上下へ開閉自在な閉空間Eが上下基板B,Bを囲むように区画形成され、この閉空間E内が所定の真空度に達してから、上下保持板C,D及び静電チャックA,Aを相対的にXYθ方向へ調整移動して、上下基板B,B同士の位置合わせが行われる。
その後、二点鎖線で示す如く、上下保持板C,Dを更に接近させるか、又は上方の静電チャックAから上基板Bを強制的に剥離して下基板B上の環状接着剤(シール材)Fへ瞬間的に圧着することにより、両者間に液晶を封止して重ね合わせ、その後は、閉空間E内の雰囲気を大気圧に戻し、それにより両基板B,Bの内外に生じる気圧差で両基板B,Bの間を所定のギャップまで加圧して貼り合わせ工程が完了する。
次に、前記静電チャックAによる良好な吸着条件を求めるために、誘電層1bの厚さ寸法Tが40〜210μmの静電チャックと、櫛歯型電極1aの幅寸法L及び櫛歯型電極1a同士の間隔Sが夫々0.4〜1.6mmの静電チャックを用意し、液晶基板用に良く使われるカラーフィルター付きのCFガラス、TFT素子付きのTFTガラス、テスト時などに用いられる素ガラスについて吸着実験を行った結果を、下記の表1〜表3に示す。
Figure 2008027927
Figure 2008027927
Figure 2008027927
この吸着実験では、上記CFガラス、TFTガラス、素ガラスで同じ大きさ(直径200mm)の試験ガラスを作成し、これら試験ガラスを各静電チャックを夫々接触させ、同じ条件で引き上げた時の静電吸着力を順次計測した。
上記計測条件として櫛歯型電極1aに3kVの電圧を印加した場合と、5kVの電圧を印加した場合と、7kVの電圧を印加した場合を夫々計測したが、その結果は、これらは全て同様な結果だったので、ここでは印加電圧が5kVの計測データのみを記載した。
表1では、各静電チャックによってCFガラスからなる試験ガラスを引き上げた時の静電吸着力(単位はmN)を記載した。
表2では、各静電チャックによってTFTガラスからなる試験ガラスを引き上げた時の静電吸着力(単位はmN)を記載した。
表3では、各静電チャックによって素ガラスからなる試験ガラスを引き上げた時の静電吸着力(単位はmN)を記載した。
その結果、誘電層1bの厚さ寸法Tについては、薄くなるほど静電吸着力は高くなるものの、50μm未満のごく薄い膜になると、その物理的強度が極端に弱くなることが別の実験で解った。
即ち、誘電層1bが50μm未満のごく薄い膜になると、この誘電層1bの表面をガラス基板Bに接触させて吸着保持する際、これら両者間に微小な異物でもガラス基板Bの表面に付着するなどして侵入すると、この異物の周囲に発生した静電吸着力により誘電層1bの中に噛み込んで、薄い誘電層1bの表面が傷付くだけでなく、電極1aにもダメージを与えて静電吸着機能部1が破損し易いと共に、電極1aが露出し、この露出状態で電極1aへ通電すると、真空中のあるタイミングでプラズマ放電を引き起こす恐れがあるため、パッシェン曲線による放電し易い圧力領域では、静電チャックAが使用できない。
これと逆に誘電層1bの厚さ寸法Tが200μmよりも厚くなると、強度的には高くなるが、静電吸着力が低下してくるため、ガラス基板Bの自重以上の吸着力が得られても、閉空間Eから真空引き時の気流や吸着力のバラツキなどで落下の恐れがある。
このような理由から、誘電層1bの厚さ寸法Tは、約50〜200μmが適当である。
更に、櫛歯型電極1aの幅寸法Lについては、0.5〜1.5mmの範囲においてガラス基板Bの自重以上の吸着力が得られるものの、0.5mmより狭くなると、電界集中が起きて絶縁破壊が生じたり断線の可能性も高くなる。
これと逆に櫛歯型電極1aの幅寸法Lが1.5mmより広いと吸着力の根源となる2極電界の総量が減少するため、静電吸着力が低下してガラス基板Bの自重以上の吸着力が得られても、その周囲に発生する真空引き時の気流やガラス基板Bに対する吸着力のバラツキなどで落下の恐れがある。
また、櫛歯型電極1a同士の間隔Sについては、0.5〜1.5mmの範囲においてガラス基板Bの自重以上の吸着力が得られ、更に狭くなるほど静電吸着力は高くなるものの、0.5mmより狭いと、双極タイプである以上、隣同士の電圧差が大きいために絶縁破壊や断線などが起こる可能性が高い。
これと逆に櫛歯型電極1a同士の間隔Sが1.5mmより離れると、静電吸着力が低下してガラス基板Bの自重以上の吸着力が得られても、その周囲に発生する真空引き時の気流やガラス基板Bに対する吸着力のバラツキなどで落下の恐れがある。
このような理由から、櫛歯型電極1aの幅寸法Lと櫛歯型電極1a同士の間隔Sは、電極パターン形成のプロセスから考えると同等程度の約0.5〜1.5mmが適当である。
しかも、上述した所定範囲内であれば、ガラス基板Bとして液晶基板用に良く使われるCFガラスやTFTガラスだけでなく、テスト時などに用いられる素ガラスであっても、略同等の吸着力で吸着できる。
このことは、ガラス基板Bの機能面、即ち静電チャックAと吸着接触している面の反対面に、強い電解がかからないことを意味しており、ガラス機能面への影響は極めて少なく、実際の真空貼り合わせ装置による生産においても、この不具合によるデバイス破壊などは起きることがない。
尚、前示実施例では、真空貼り合わせ装置用静電チャックAが、2極の櫛歯型電極1aを備えた双極型の静電チャックである場合を示したしたが、これに限定されず、電極1aとして櫛歯型以外や2極以上のものを使用しても良い。
更に、電極1aと誘電層1bとからなる静電吸着機能部1の裏面側に基材層2と台座部材3を順次貼り合わせた板状の積層構造体としたが、これも限定されず、少なくとも静電吸着機能部1が存在すれば、台座部材3と真空貼り合わせ装置の保持板C,Dとを一体化するなど、他の構造であっても良い。
また、図示例では、上下保持板C,Dの対向面に複数枚の静電チャックAを互いに接近させて並列状に配置したが、これに限定されず、保持板C,Dの対向面略全体に亘って一枚の静電チャックAを夫々配置しても良い。
また更に、静電チャックAの電極1aへ高電圧を印加する方法も、上述したものに限定されず、それ以外の通電方法でも良い。
(a)が本発明の一実施例を示す真空貼り合わせ装置用静電チャックの縦断正面図であり、(b)が要部を部分拡大して示す横断平面図である。
符号の説明
A 静電チャック B ガラス基板
C,D 保持板 E 閉空間
F 環状接着剤 L 電極の幅寸法
S 電極同士の間隔 T 誘電層の厚さ寸法
1 静電吸着機能部 1a 電極(櫛歯型電極)
1b 誘電層 2 基材層
2a 接着層 3 台座部
4 接着層

Claims (3)

  1. 2極以上の電極(1a)と、それを覆う誘電層(1b)とを備え、真空中で誘電層(1b)をガラス基板(B)に接触させて吸着保持する真空貼り合わせ装置用静電チャックにおいて、
    前記誘電層(1b)の厚さ寸法(T)を50〜200μmにしたことを特徴とする真空貼り合わせ装置用静電チャック。
  2. 2極以上の電極(1a)と、それを覆う誘電層(1b)とを備え、真空中で誘電層(1b)をガラス基板(B)に接触させて吸着保持する真空貼り合わせ装置用静電チャックにおいて、
    前記電極(1a)が2極の櫛歯型構造であり、この櫛歯型電極(1a)の幅寸法(L)を0.5〜1.5mmにしたことを特徴とする真空貼り合わせ装置用静電チャック。
  3. 2極以上の電極(1a)と、それを覆う誘電層(1b)とを備え、真空中で誘電層(1b)をガラス基板(B)に接触させて吸着保持する真空貼り合わせ装置用静電チャックにおいて、
    前記電極(1a)が2極の櫛歯型構造であり、この櫛歯型電極(1a)同士の間隔(S)を0.5〜1.5mmにしたことを特徴とする真空貼り合わせ装置用静電チャック。
JP2004316174A 2004-10-29 2004-10-29 真空貼り合わせ装置用静電チャック Withdrawn JP2008027927A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004316174A JP2008027927A (ja) 2004-10-29 2004-10-29 真空貼り合わせ装置用静電チャック
PCT/JP2005/018678 WO2006054406A1 (ja) 2004-10-29 2005-10-11 真空貼り合わせ装置用静電チャック
TW094137736A TW200631120A (en) 2004-10-29 2005-10-28 Electrostatic chuck for vacuum bonding system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004316174A JP2008027927A (ja) 2004-10-29 2004-10-29 真空貼り合わせ装置用静電チャック

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008027927A true JP2008027927A (ja) 2008-02-07

Family

ID=36406952

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004316174A Withdrawn JP2008027927A (ja) 2004-10-29 2004-10-29 真空貼り合わせ装置用静電チャック

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2008027927A (ja)
TW (1) TW200631120A (ja)
WO (1) WO2006054406A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009200393A (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 Nhk Spring Co Ltd 静電チャック及びその製造方法
WO2010047273A1 (ja) * 2008-10-23 2010-04-29 旭硝子株式会社 ガラス基板積層装置及び積層ガラス基板の製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4976911B2 (ja) * 2007-04-27 2012-07-18 新光電気工業株式会社 静電チャック

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0635870A1 (en) * 1993-07-20 1995-01-25 Applied Materials, Inc. An electrostatic chuck having a grooved surface
JP3805134B2 (ja) * 1999-05-25 2006-08-02 東陶機器株式会社 絶縁性基板吸着用静電チャック

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009200393A (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 Nhk Spring Co Ltd 静電チャック及びその製造方法
WO2010047273A1 (ja) * 2008-10-23 2010-04-29 旭硝子株式会社 ガラス基板積層装置及び積層ガラス基板の製造方法
CN102197005A (zh) * 2008-10-23 2011-09-21 旭硝子株式会社 玻璃基板层叠装置及层叠玻璃基板的制造方法
JP5500076B2 (ja) * 2008-10-23 2014-05-21 旭硝子株式会社 ガラス基板積層装置及び積層ガラス基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006054406A1 (ja) 2006-05-26
TW200631120A (en) 2006-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3995706B2 (ja) 静電チャック装置
KR101429593B1 (ko) 교류구동 정전 척
TWI423378B (zh) 靜電夾盤
JPWO2008129989A1 (ja) 基板保持機構およびこれを備えた基板組立装置
WO2013161188A1 (ja) 貼り合わせウェーハの製造方法
JP4677397B2 (ja) 静電吸着方法
JP4984921B2 (ja) 電気光学装置の製造方法
JP2008027927A (ja) 真空貼り合わせ装置用静電チャック
JP2007073892A (ja) 吸着装置、貼り合わせ装置、封着方法
JP2006066857A (ja) 双極型静電チャック
JP2855865B2 (ja) ガラス基板分断方法及びその装置
JP2004356350A (ja) 静電チャック
JP4976911B2 (ja) 静電チャック
JP2006049852A (ja) 静電チャック
JP2004253718A (ja) 静電チャック及びそれを備えた板状体貼り合わせ装置
JP2008041355A (ja) プラズマ表面処理装置及び表面処理方法
JP4631748B2 (ja) 静電吸着方法
JP2008205509A (ja) 絶縁基板搬送方法、位置合わせ方法
JP4166379B2 (ja) 基板搬送装置
JP3956620B2 (ja) 静電チャック
JP2005317727A (ja) 静電チャック
JP5236448B2 (ja) 静電チャック及びそれを備えた基板合着装置
JP4037659B2 (ja) 基板貼合装置および基板貼合方法
JP2008205508A (ja) 基板搬送装置、真空処理装置
JP2008026338A (ja) 真空貼り合わせ装置用静電チャック及びそれを用いた真空貼り合わせ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20080205