JP2008021665A - 発光装置、及びそれを用いた電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】芳香族炭化水素のように、窒素原子を含まない、つまりアリールアミン骨格を含まない有機化合物と金属酸化物とを含む混合層を、電極間に有することを特徴としている。また、該混合層は、吸収スペクトルを測定したときに、450〜650nmの波長帯域において、1μm当たりの吸光度が1以下、または明確な吸収ピークを有さないことを特徴としている。
【選択図】図1
Description
ン等が挙げられる。また、金属酸化物としては、芳香族炭化水素に対し電子受容性を示すものが好ましい。このような金属酸化物として、例えば、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、レニウム酸化物等が挙げられる。芳香族炭化水素と金属酸化物とは、これらの物質を含む層を電子スピン共鳴法で測定したときに不対電子の共鳴に由来したピークを示すと共に、450nm〜650nmの波長帯域における透過率が80%以上、具体的には80%〜95%、若しくは450nm〜650nmの波長帯域における1μm当たりの吸光度が1以下、具体的には0.3〜0.8となるように混合されていることが好ましい。
む層を電子スピン共鳴法で測定したときに不対電子の共鳴に由来したピークを示すと共に、450nm〜650nmの波長帯域における透過率が80%以上、具体的には80%〜95%、若しくは450nm〜650nmの波長帯域における1μm当たりの吸光度が1以下、具体的には0.3〜0.8となるように混合されていることが好ましい。
60である芳香族炭化水素が挙げられる。これら炭素数14〜60の芳香族炭化水素の中でも特に炭素数26〜60の芳香族炭化水素を用いることが好ましく、炭素数34〜60を用いることがさらに好ましい。また、金属酸化物としては、芳香族炭化水素に対し電子受容性を示すものが好ましい。このような金属酸化物として、例えば、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、レニウム酸化物等が挙げられる。芳香族炭化水素と金属酸化物とは、これらの物質を含む層を電子スピン共鳴法で測定したときに不対電子の共鳴に由来したピークを示すと共に、450nm〜650nmの波長帯域における透過率が80%以上、具体的には80〜100%となるように混合されていることが好ましい。
金属フッ化物としては、フッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)等が挙げられる。また、アルカリ土類金属フッ化物としては、フッ化マグネシウム(MgF2)、フッ化カルシウム(CaF2)等が挙げられる。また、第2の混合層は、芳香族炭化水素と金属酸化物とを含む層である。ここで、芳香族炭化水素について特に限定はないが、1×10−6cm2/Vs以上の正孔移動度を有するものが好ましい。このような正孔移動度の良好な芳香族炭化水素として、例えば、2−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン、9,10−ジ(ナフタレン−1−イル)−2−tert−ブチルアントラセン、アントラセン、9,10−ジフェニルアントラセン、9,10−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)アントラセン、9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン、2−tert−ブチルアントラセン、9,10−ジ(4−メチルナフタレン−1−イル)アントラセン、9,10−ビス[2−(ナフタレン−1−イル)フェニル]アントラセン、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(ナフタレン−1−イル)アントラセン、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン、ビアントリル、10,10’−ジ(2−フェニルフェニル)−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス[(2,3,4,5,6−ペンタフェニル)フェニル]−9,9’−ビアントリル、9,10−ジ(4−フェニルフェニル)−2−tert−ブチルアントラセン等のアントラセン骨格を含み、炭素数14〜60である芳香族炭化水素が挙げられる。これら炭素数14〜60の芳香族炭化水素の中でも特に炭素数26〜60の芳香族炭化水素を用いることが好ましく、炭素数34〜60を用いることがさらに好ましい。また、金属酸化物としては、芳香族炭化水素に対し電子受容性を示すものが好ましい。このような金属酸化物として、例えば、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、レニウム酸化物等が挙げられる。芳香族炭化水素と金属酸化物とは、これらの物質を含む層を電子スピン共鳴法で測定したときに不対電子の共鳴に由来したピークを示すと共に、450nm〜650nmの波長帯域における透過率が80%以上、具体的には80〜100%となるように混合されていることが好ましい。
ラセン、9,10−ビス[2−(ナフタレン−1−イル)フェニル]アントラセン、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(ナフタレン−1−イル)アントラセン、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン、ビアントリル、10,10’−ジ(2−フェニルフェニル)−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス[(2,3,4,5,6−ペンタフェニル)フェニル]−9,9’−ビアントリル、9,10−ジ(4−フェニルフェニル)−2−tert−ブチルアントラセン等のアントラセン骨格を含み、炭素数14〜60である芳香族炭化水素が挙げられる。これら炭素数14〜60の芳香族炭化水素の中でも特に炭素数26〜60の芳香族炭化水素を用いることが好ましく、炭素数34〜60を用いることがさらに好ましい。また、金属酸化物としては、芳香族炭化水素に対し電子受容性を示すものが好ましい。このような金属酸化物として、例えば、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、レニウム酸化物等が挙げられる。芳香族炭化水素と金属酸化物とは、これらの物質を含む層を電子スピン共鳴法で測定したときに不対電子の共鳴に由来したピークを示すと共に、450nm〜650nmの波長帯域における透過率が80%以上、具体的には80〜100%となるように混合されていることが好ましい。
(実施の形態1)
本発明の発光素子の一態様について図1を用いて説明する。
Au)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、窒化タンタル等の仕事関数の高い物質の他、アルミニウム、またはマグネシウム等の仕事関数の低い物質を用いることができる。これは、本発明の発光素子では、電圧を印加したときに、混合層111から正孔が発生される為である。
するが、本形態のように、金属酸化物と混合することによって、結晶化し難くなる。また、金属酸化物の中でも特にモリブデン酸化物は、それのみからなる層にしたときに結晶化し易いが、本形態のように、芳香族炭化水素と混合することによって、結晶化し難くなる。このように、芳香族炭化水素と金属酸化物とを混合することによって、芳香族炭化水素と金属酸化物とは互いに結晶化を阻害し、結晶化し難い層を形成することができる。また、芳香族炭化水素はガラス転移温度が高い為、混合層111のような芳香族炭化水素を含む構成とすることによって、4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、4,4’−ビス{N−[4−(N,N−ジ−m−トリルアミノ)フェニル]−N−フェニルアミノ}ビフェニル(略称:DNTPD)等を用いて形成された正孔注入層よりも耐熱性に優れ、さらに正孔輸送層112へも良好に正孔を注入する機能を有する層を得ることができる。ここで、参考として本発明の実施に用いられる芳香族炭化水素の一つであるt−BuDNAのガラス転移温度について述べると、t−BuDNAのガラス転移温度は127℃であり、特許文献1に記載されているα−NPDのガラス転移温度98℃よりも高いことが分かる。
2−イソプロピル−6−[2−(1,1,7,7−テトラメチル−9−ジュロリジル)エテニル]−4H−ピラン(略称:DCJTI)、4−ジシアノメチレン−2−メチル−6−[2−(1,1,7,7−テトラメチル−9−ジュロリジル)エテニル]−4H−ピラン(略称:DCJT)、4−ジシアノメチレン−2−tert−ブチル−6−[2−(1,1,7,7−テトラメチル−9−ジュロリジル)エテニル]−4H−ピラン(略称:DCJTB)やペリフランテン、2,5−ジシアノ−1,4−ビス[2−(10−メトキシ−1,1,7,7−テトラメチル−9−ジュロリジル)エテニル]ベンゼン等、600nmから680nmの波長帯域に発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を発光物質として用いることができる。また緑色系の発光を得たいときは、N,N’−ジメチルキナクリドン(略称:DMQd)、クマリン6やクマリン545T、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq3)等、500nmから550nmの波長帯域に発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を発光物質として用いることができる。また、青色系の発光を得たいときは、9,10−ビス(2−ナフチル)−tert−ブチルアントラセン(略称:t−BuDNA)、9,9’−ビアントリル、9,10−ジフェニルアントラセン(略称:DPA)、9,10−ビス(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−フェニルフェノラト−ガリウム(略称:BGaq)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−フェニルフェノラト−アルミニウム(略称:BAlq)等、420nmから500nmの波長帯域に発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を発光物質として用いることができる。以上のように、蛍光を発光する物質の他、ビス[2−(3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)ピコリナート(略称:Ir(CF3ppy)2(pic))、ビス[2−(4,6−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:FIr(acac))、ビス[2−(4,6−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)ピコリナート(略称:FIr(pic))、トリス(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリジウム(略称:Ir(ppy)3)等の燐光を発光する物質も発光物質として用いることができる。
孔移動度)が100よりも大きい物質をいう。電子輸送性物質の具体例としては、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq3)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Almq3)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]−キノリナト)ベリリウム(略称:BeBq2)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−フェニルフェノラト−アルミニウム(略称:BAlq)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX)2)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BTZ)2)等の金属錯体の他、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)、TAZ、p−EtTAZ、BPhen、BCP、4,4−ビス(5−メチルベンズオキサゾリル−2−イル)スチルベン(略称:BzOs)等が挙げられる。また、バイポーラ性物質については、先に説明したとおりである。なお、電子輸送層114と正孔輸送層112とを同じバイポーラ性物質を用いて形成してもよい。
に換えて電子発生層116等を設けられた構成であってもよい。電子発生層116は、電子を発生する層であり、電子輸送性物質およびバイポーラ性物質から選ばれる少なくとも一の物質と、これらの物質に対し電子供与性を示す物質とを混合して形成することができる。ここで、電子輸送性物質およびバイポーラ性物質の中でも特に1×10−6cm2/Vs以上(より好ましくは、1×10−6〜1×100cm2/Vs)の電子移動度を有する物質であることが好ましい。電子輸送性物質およびバイポーラ性物質については、それぞれ、上記したものを用いることができる。また、電子供与性を示す物質としては、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の中から選ばれた物質、具体的にはリチウム(Li)、カルシウム(Ca)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)、マグネシウム(Mg)等を用いることができる。また、アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物等、具体的にはリチウム酸化物(Li2O)、カルシウム酸化物(CaO)、ナトリウム酸化物(Na2O)、カリウム酸化物(K2O)、マグネシウム酸化物(MgO)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF2)等から選ばれる少なくとも一の物質も電子供与性を示す物質として用いることができる。
112、発光層113、電子輸送層114、電子注入層115等を順に積層した後、第2の電極102を形成する方法で作製してもよいし、または、第2の電極102上に、電子注入層115、電子輸送層114、発光層113、正孔輸送層112、混合層111を順に積層した後、第1の電極101を形成する方法で作製してもよい。後者の方法のように、発光層113を形成後に混合層111を形成することで、第1の電極101をスパッタリング法を用いて形成した場合でも、混合層111が保護層として機能し、発光層113等の有機化合物を用いて形成された層のスパッタリングに因る損傷が生じ難く良好な発光素子を作製できる。
本発明の発光素子の一態様について図4を用いて説明する。
光した光を透過できるように形成されていることが好ましい。
子輸送性物質およびバイポーラ性物質に関する記載を準用し、ここでは説明を省略する。また、電子輸送性物質およびバイポーラ性物質に対し電子供与性を示す物質についても、実施の形態1における電子供与性を示す物質に関する記載を準用するものとし、ここでは説明を省略する。
第2の混合層216において、金属酸化物は、芳香族炭化水素に対して質量比が0.5〜2若しくはモル比が1〜4(=金属酸化物/芳香族炭化水素)となるように含まれていることが好ましい。芳香族炭化水素は、一般的に、結晶化し易いという性質を有するが、本形態のように、金属酸化物と混合することによって、結晶化し難くなる。また、金属酸化物の中でも特にモリブデン酸化物は、それのみからなる層にしたときに結晶化し易いが、本形態のように、芳香族炭化水素と混合することによって、結晶化し難くなる。このように、芳香族炭化水素と金属酸化物とを混合することによって、芳香族炭化水素と金属酸化物とは互いに結晶化を阻害し、結晶化し難い層を形成することができる。
設けなくても電極からの正孔注入が良好に行える場合等は、必ずしもこれらの層を設ける必要がない。
本発明の発光素子の一態様について、図7を用いて説明する。
図7には、第1の電極401と第2の電極402との間に、複数の発光層、具体的には第1発光層413aと第2発光層413bと第3発光層413cとを有する発光素子が示されている。この発光素子は、第1発光層413aと第2発光層413bとの間には第1の混合層421aと第2の混合層422aとを有し、第2発光層413bと第3発光層413cとの間には第1の混合層421bと第2の混合層422bとを有する。第1の混合層421a、421bは、アルカリ金属、及びアルカリ土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物の中から選ばれた物質と、電子輸送性物質とを含む層である。第2の混合層422a、422bは、芳香族炭化水素と金属酸化物とを含む層である。なお、第1の混合層421aは第2の混合層422aよりも第1の電極401側に設けれ、第1の混合層421bは第2の混合層422bよりも第1の電極401側に設けられている。第1の電極401と第1発光層413aとの間、第2の混合層422aと第2発光層413bとの間、第2の混合層422bと第3発光層413cとの間には、それぞれ、正孔輸送層412a、412b、412cが設けられている。また第1発光層413aと第1の混合層421aとの間、第2発光層413bと第1の混合層421bとの間、第3発光層413cと第2の電極402との間には、それぞれ、電子輸送層414a、414b、414cが設けられている。そして、第1の電極401と正孔輸送層412aとの間には正孔注入層411が、第2の電極402と電子輸送層414cとの間には電子注入層415が、それぞれ設けられている。第
1発光層413a及び第2発光層413b、第3発光層413cには発光物質が含まれており、第1の電極401の電位が第2の電極402の電位よりも高くなるように、それぞれの電極に電圧を印加したときに、それぞれの発光層において、正孔と電子とが再結合し、再結合によって生成された励起エネルギーによって、それぞれの発光層に含まれた発光物質は励起される。励起された発光物質は、基底状態に戻るときに発光する。なお、それぞれの発光層に含まれる発光物質は、同じでもよいし、または異なっていてもよい。
本発明の発光素子の一態様について図8を用いて説明する。
発光素子において、第1の電極3101の電位が第2の電極3102の電位よりも高くなるように第1の電極3101と第2の電極3102とに電圧を印加したとき、発光層3113には、第1の電極3101側から正孔が注入され、第2の電極3102側から電子が注入される。そして、発光層3113に注入された正孔と電子とは再結合する。発光層3113には発光物質が含まれており、再結合によって生成された励起エネルギーによって発光物質は励起状態となる。励起状態となった発光物質は、基底状態に戻るときに発光する。
族炭化水素の中でも特に炭素数26〜60の芳香族炭化水素を用いることが好ましく、炭素数34〜60を用いることがさらに好ましい。炭素数26〜60である芳香族炭化水素を用いることによって混合層の耐熱性が向上し、特に炭素数34〜60の芳香族炭化水素を用いた場合には非常に良好な耐熱性を有する混合層3111を得ることができる。このような混合層3111の耐熱性の向上は、電流によって発生するジュール熱に起因した抵抗の増加などの電気的特性の低下が抑制された発光素子を作製する上で非常に有効である。また、金属酸化物としては、芳香族炭化水素に対し電子受容性を示すものが好ましい。このような金属酸化物として、例えば、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、レニウム酸化物等が挙げられる。また、この他、チタン酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、タングステン酸化物、銀酸化物等の金属酸化物を用いることもできる。このように金属酸化物と芳香族炭化水素とを混合させることによって、電荷移動を生じさせることができ、その結果、電荷移動錯体を生成させることができる。このように電荷移動錯体が生成された混合層3111には不対電子が含まれている。また、金属酸化物と芳香族炭化水素とを含む混合層3111は、先に記載した先行技術文献(特開2005−123095公報)に記載されているような5酸化2バナジウムとα−NPDとが混合された混合膜、及び7酸化2レニウムとα−NPDとが混合された混合膜よりも可視光領域(450nm〜650nmの領域)における吸収波長に依存した吸光度の変化が少ない(つまり、透過率の変化が少ない)為、混合層3111への吸収されることによって生じる発光の損失量の発光波長依存性が少ない。その為、混合層3111を設けることによって発光色ごとに発光の取り出し効率が異なってしまうことを防ぐことができる。混合層3111において、金属酸化物は、芳香族炭化水素に対して質量比(重量比)が0.5〜2若しくはモル比が1〜4(=金属酸化物/芳香族炭化水素)となるように含まれていることが好ましい。このような混合比で金属酸化物と芳香族炭化水素とを含むことによって、混合層3111における450nm〜650nmの波長帯域における光の透過率を80%以上、具体的には80〜100%とすることができる。そして、このような透過率とすることによって、より効率よく発光を取り出すことができる。また、芳香族炭化水素は、一般的に、結晶化し易いという性質を有するが、本形態のように、金属酸化物と混合することによって、結晶化し難くなる。また、金属酸化物の中でも特にモリブデン酸化物は、それのみからなる層にしたときに結晶化し易いが、本形態のように、芳香族炭化水素と混合することによって、結晶化し難くなる。このように、芳香族炭化水素と金属酸化物とを混合することによって、芳香族炭化水素と金属酸化物とは互いに結晶化を阻害し、結晶化し難い層を形成することができる。また、芳香族炭化水素はガラス転移温度が高い為、混合層3111のような芳香族炭化水素を含む構成とすることによって、4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、4,4’−ビス{N−[4−(N,N−ジ−m−トリルアミノ)フェニル]−N−フェニルアミノ}ビフェニル(略称:DNTPD)等を用いて形成された正孔注入層よりも耐熱性に優れ、さらに正孔輸送層3112へも良好に正孔を注入する機能を有する層を得ることができる。
ス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)、4,4’−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:TPD)、1,3,5−トリス[N,N−ジ(m−トリル)アミノ]ベンゼン(略称:m−MTDAB)、4,4’,4’’−トリス(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン(略称:TCTA)、等が挙げられる。また、バイポーラ性物質とは、電子の移動度と正孔の移動度とを比較したときに、一方のキャリアの移動度に対する他方のキャリアの移動度の比の値が100以下、好ましくは10以下である物質をいう。バイポーラ性の物質として、例えば、2,3−ビス(4−ジフェニルアミノフェニル)キノキサリン(略称:TPAQn)、2,3−ビス{4−[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]フェニル}−ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:NPADiBzQn)等が挙げられる。バイポーラ性の物質の中でも特に、正孔及び電子の移動度が1×10−6cm2/Vs以上(より好ましくは、1×10−6〜1×100cm2/Vs)の物質を用いることが好ましい。
−N,C2’)イリジウム(略称:Ir(ppy)3)等の燐光を発光する物質も発光物質として用いることができる。
アルカリ土類金属のフッ化物、リチウム酸化物(Li2O)、ナトリウム酸化物(Na2O)、カリウム酸化物(K2O)、のアルカリ金属の酸化物、カルシウム酸化物(CaO)、マグネシウム酸化物(MgO)等のアルカリ土類金属の酸化物等の無機物が挙げられる。これらの物質は薄膜として設けたときにエネルギーバンドが曲がるため好ましい。また、無機物の他、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−(4−エチルフェニル)−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(略称:p−EtTAZ)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−フェニル−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)等の電子輸送層3114を形成するのに用いることのできる有機物も、これらの物質の中から、電子輸送層3114の形成に用いる物質よりも電子親和力が大きい物質を選択することによって、電子注入層3115を形成する物質として用いることができる。つまり、電子注入層3115における電子親和力が電子輸送層3114における電子親和力よりも相対的に大きくなるように物質を選択し、電子注入層3115を形成すればよい。なお、電子注入層3115を設ける場合、第2の電極3102は、アルミニウム等の仕事関数の低い物質を用いて形成することが好ましい。
7におけるイオン化ポテンシャルが電子輸送層3114におけるイオン化ポテンシャルよりも相対的に大きくなるように物質を選択して形成されていればよい。同様に、発光層3113と正孔輸送層3112との間にも、発光層3113を突き抜けて第2の電極3102の方に電子が流れていくのを阻止するための層を設けても構わない。
本発明の発光素子の一態様について図11を用いて説明する。
へ正孔が注入され、さらに、第1の電極3201から正孔注入層3211へは正孔が注入される。そして、第1の電極3201側から発光層3213へ注入された正孔と、第2の電極3202側から発光層3213へ注入された電子とは再結合し、再結合によって生成された励起エネルギーによって、発光層3213に含まれた発光物質は励起される。励起された発光物質は、基底状態に戻るときに発光する。
から形成された層であってもよいが、濃度消光を生じる場合は、発光物質の有するエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する物質からなる層中に、発光物質が分散するように混合された層であることが好ましい。発光層3213に発光物質を分散して含ませることで、発光が濃度に起因して消光してしまうことを防ぐことができる。ここで、エネルギーギャップとはLUMO準位とHOMO準位との間のエネルギーギャップをいう。発光物質及び発光物質を分散状態にするために用いられる物質については、実施の形態4における発光物質及び発光物質を分散状態にするために用いられる物質に関する記載を準用し、本形態では説明を省略する。
4〜60の芳香族炭化水素を用いた場合には非常に良好な耐熱性を有する第2の混合層3216を得ることができる。このような第2の混合層3216の耐熱性の向上は、電流によって発生するジュール熱に起因した抵抗の増加などの電気的特性の低下が抑制された発光素子を作製する上で非常に有効である。また、金属酸化物としては、芳香族炭化水素に対し電子受容性を示すものが好ましい。このような金属酸化物として、例えば、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、レニウム酸化物等が挙げられる。また、この他、チタン酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、タングステン酸化物、銀酸化物等の金属酸化物を用いることもできる。このように金属酸化物と芳香族炭化水素とを混合させることによって、電荷移動を生じさせることができる。また、金属酸化物と芳香族炭化水素とを含む第2の混合層3216は、可視光領域(450nm〜650nmの領域)における吸収波長に依存した吸光度の変化が少ない(つまり、透過率の変化が少ない)為、第2の混合層3216への吸収されることによって生じる発光の損失量の発光波長依存性が少ない。その為、第2の混合層3216を設けることによって発光色ごとに発光の取り出し効率が異なってしまうことを防ぐことができる。
第2の混合層3216において、金属酸化物は、芳香族炭化水素に対して質量比(重量比)が0.5〜2若しくはモル比が1〜4(=金属酸化物/芳香族炭化水素)となるように含まれていることが好ましい。芳香族炭化水素は、一般的に、結晶化し易いという性質を有するが、本形態のように、金属酸化物と混合することによって、結晶化し難くなる。また、金属酸化物の中でも特にモリブデン酸化物は、それのみからなる層にしたときに結晶化し易いが、本形態のように、芳香族炭化水素と混合することによって、結晶化し難くなる。このように、芳香族炭化水素と金属酸化物とを混合することによって、芳香族炭化水素と金属酸化物とは互いに結晶化を阻害し、結晶化し難い層を形成することができる。
が良くなる長さとなるように、発光した光が通る光路の長さ(光路長)を調節することが容易である。また、第2の混合層3216の厚さを厚くすることによって第2の電極3202の表面の凹凸を緩和し、電極間の短絡を低減することができる。
本発明の発光素子の一態様について、図14を用いて説明する。
図14には、第1の電極3401と第2の電極3402との間に、複数の発光層、具体的には第1発光層3413aと第2発光層3413bと第3発光層3413cとを有する発光素子が示されている。この発光素子は、第1発光層3413aと第2発光層3413bとの間には第1の混合層3421aと第2の混合層3422aとを有し、第2発光層3413bと第3発光層3413cとの間には第1の混合層3421bと第2の混合層3422bとを有する。第1の混合層3421a、3421bは、アルカリ金属、及びアルカリ土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物の中から選ばれた物質と、電子輸送性物質とを含む層である。第2の混合層3422a、3422bは、芳香族炭化水素と金属酸化物とを含む層である。なお、第1の混合層3421aは第2の混合層3422aよりも第1の電極3401側に設けれ、第1の混合層3421bは第2の混合層3422bよりも第1の電極3401側に設けられている。第1の電極3401と第1発光層3413aとの間、第2の混合層3422aと第2発光層3413bとの間、第2の混合層3422bと第3発光層3413cとの間には、それぞれ、正孔輸送層3412a、3412b、3412cが設けられている。また第1発光層3413aと第1の混合層3421aとの間、第2発光層3413bと第1の混合層3421bとの間、第3発光層3413cと第2の電極3402との間には、それぞれ、電子輸送層3414a、3414b、3414cが設けられている。そして、第1の電極3401と正孔輸送層3412aとの間には正孔注入層3411が、第2の電極3402と電子輸送層3414cとの間には電子注入層3415が、それぞれ設けられている。第1発光層3413a及び第2発光層3413b、第3発光層3413cには発光物質が含まれており、第1の電極3401の電位が第2の電極3402の電位よりも高くなるように、それぞれの電極に電圧を印加したときに、それぞれの発光層において、正孔と電子とが再結合し、再結合によって生成された励起エネルギーによって、それぞれの発光層に含まれた発光物質は励起される。励起された発光物質は、基底状態に戻るときに発光する。なお、それぞれの発光層に含まれる発光物質は、同じでもよいし、または異なっていてもよい。
)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、窒化タンタル等の仕事関数の高い物質であることが好ましい。なお、正孔注入層3411に換えて、芳香族炭化水素と金属酸化物とを含む層を設けた場合、アルミニウム、及びマグネシウム等の仕事関数の低い物質を用いて第1の電極3401を形成することもできる。
本発明の発光素子は、電極間に設けられた層の結晶化に起因した動作不良を低減できるものである。また、電極間に設けられ、芳香族炭化水素と金属酸化物を含む混合層の厚さを厚くすることによって電極間の短絡を防ぐことができるものである。また、混合層の厚さを変えることで光路長を調整し、発光の外部取り出し効率を高めたり、色純度の良い発光を得ることができるものである。その為、本発明の発光素子を画素として用いることで、発光素子の動作不良に起因した表示欠陥の少ない良好な発光装置を得ることができる。また、本発明の発光素子を画素として用いることで、表示色が良好な画像を提供できる発光装置を得ることができる。また、本発明の発光素子を光源として用いることで、発光素子の動作不良に起因した不具合が少なく良好に照明することができる発光装置を得ることができる。
板6500上には、画素部6511と、ソース信号線駆動回路6512と、書込用ゲート信号線駆動回路6513と、消去用ゲート信号線駆動回路6514とが設けられている。ソース信号線駆動回路6512と、書込用ゲート信号線駆動回路6513と、消去用ゲート信号線駆動回路6514とは、それぞれ、配線群を介して、外部入力端子であるFPC(フレキシブルプリントサーキット)6503と接続している。そして、ソース信号線駆動回路6512と、書込用ゲート信号線駆動回路6513と、消去用ゲート信号線駆動回路6514とは、それぞれ、FPC6503からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。またFPC6503にはプリント配線基盤(PWB)6504が取り付けられている。なお、駆動回路部は、上記のように必ずしも画素部6511と同一基板上に設けられている必要はなく、例えば、配線パターンが形成されたFPC上にICチップを実装したもの(TCP)等を利用し、基板外部に設けられていてもよい。
Levelの信号が入力されることによって発光素子903は非発光となる。
本発明の発光素子を含む発光装置の一態様について、図19の断面図を用いて説明する。
結晶格子に由来するとされる(111)、(220)の回折ピークが観測される。未結合手(ダングリングボンド)を終端するために水素またはハロゲンを少なくとも1原子%またはそれ以上含ませている。所謂微結晶半導体(マイクロクリスタル半導体)とも言われている。SiH4、Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、またはSiF4などの気体をグロー放電分解(プラズマCVD)して形成する。これらの気体はH2、又は、H2とHe、Ar、Kr、Neから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈されても良い。希釈率は2〜1000倍の範囲。圧力は概略0.1Pa〜133Paの範囲、電源周波数は1MHz〜120MHz、好ましくは13MHz〜60MHz。基板加熱温度は300℃以下でよく、好ましくは100〜250℃。膜中の不純物元素として、酸素、窒素、炭素などの大気成分の不純物は1×1020/cm3以下とすることが望ましく、特に、酸素濃度は5×1019/cm3以下、好ましくは1×1019/cm3以下とする。
る物質については、特に限定はなく、ここに述べたもの以外のものを用いてもよい。また、これら以外の物質から成る層をさらに組み合わせてもよい。このように、第2層間絶縁膜19は、無機物または有機物の両方を用いて形成されたものでもよいし、または無機膜と有機膜のいずれか一で形成されたものでもよい。
電極間に設けられ、芳香族炭化水素と金属酸化物とを有する層が設けられた発光素子は、電極間に設けられた層の結晶化によって形成された凹凸、或いは電極表面の凹凸に起因した電極間の短絡に因る動作不良が低減されたものである為、このような発光素子を画素として用いた発光装置は表示欠陥が少なく良好に表示動作する。その為、このような発光装置を表示部に適用することによって、表示欠陥に起因した表示画像の誤認等の少ない電子機器を得ることができる。また、本発明の発光素子を光源として用いた発光装置は、発光素子の動作不良に起因した不具合が少なく良好に照明することができる。その為、このような発光装置をバックライト等の照明部として用いることによって、このように本発明の発光装置を実装することによって、発光素子の不具合に起因して局所的に暗部が形成されるような動作不良が低減され、良好に表示することができる。また、発光層と電極との
間の距離を、芳香族炭化水素と金属酸化物とを有する層の厚さを変えて調整した発光素子は、層の厚さに起因した駆動電圧の変化が少なく、低駆動電圧で動作させると共に、色純度の良い色を発する発光装置を得ることができる。その為、このような発光装置を表示部に適用することで、消費電力が少なく、また色彩の優れた画像を提供できる電子機器を得ることができる。
とモリブデン酸化物との重量比は1:0.5(モル比は、1:1.7)(=t−BuDNA:モリブデン酸化物)となるようにし、発光素子(2)に含まれるt−BuDNAとモリブデン酸化物との重量比は1:0.75(モル比は、1:2.5)(=t−BuDNA:モリブデン酸化物)となるようにした。なお、共蒸着とは、一つの処理室内に設けられた複数の蒸着源からそれぞれ原料を気化させ、気化した原料を被処理物上に堆積させて複数の物質が混合された層を形成する蒸着法をいう。
実施例1で作製した発光素子に対する比較例として、電極間に、t−BuDNAのみからなる層を設けた発光素子について説明する。なお、比較例の発光素子は、t−BuDNAとモリブデン酸化物とを含む第1の層311の代わりにt−BuDNAのみからなる層を設けた点で、実施例1に記載の発光素子(1)、(2)と異なるが、その他の構成については、実施例1に記載の発光素子(1)、(2)と同じである。従って、比較例の発光素子の作製方法については、記載を省略する。比較例の発光素子を動作させたところ、図24〜26において、△でプロットされたような結果が得られた。
るのに必要な印加電圧も低く、低駆動電圧で動作する良好な発光素子を得られることが分かる。また、電極間に、芳香族炭化水素と金属酸化物とを含む層を設けることによって、任意の輝度で発光させたときの電流効率が高く、良好な発光素子が得られることも分かる。
なお、本実施例では、芳香族炭化水素としてt−BuDNAを、金属酸化物として三酸化モリブデンを用いて重量比が4:2(=t−BuDNA:モリブデン酸化物)、厚さが100nmとなるように試料(5)における混合層を形成した。また、芳香族炭化水素としてt−BuDNAを用い、厚さが100nmとなるように試料(6)における層を形成した。
各試料についての吸収スペクトルの測定結果を図28に示す。図28において、横軸は波長(nm)、縦軸は吸光度(単位なし)を表す。また太い曲線は試料(5)についての吸収スペクトル、細い曲線は試料(6)についての吸収スペクトルである。図29は、図28のデータを基に混合層における1μmの厚さ当たりの吸光度(単位なし)について表した図である。図29において、横軸は波長(nm)、縦軸は1μmの厚さ当たりの吸光度(単位なし)を表す。図29から、450nm〜650nmの波長帯域において1μmの厚さ当たりの吸光度は0.3〜0.8であることが分かる。また、図30は吸収スペクトルの測定結果を基にして求めた透過率の波長依存性について表す図である。図29において横軸は波長(nm)、縦軸は透過率(%)を表す。図30から、450nm〜650nmの波長帯域における光に対する透過率は83〜93%であり、透過率の最大値と最小値の差は10%以下であること、つまり透過光の波長に依存した透過率の変化が非常に小
さいことが分かる。
なお、本実施例では、芳香族炭化水素としてt−BuDNAを、金属酸化物として三酸化モリブデンを用いて重量比が4:2(=t−BuDNA:モリブデン酸化物)、厚さが200nmとなるように試料(7)における混合層を形成した。また、芳香族炭化水素としてt−BuDNAを用い、厚さが200nmとなるように試料(8)における層を形成した。
各試料についての測定結果を図31、32に示す。図31は試料(7)についてのESRスペクトル、図32は試料(8)についてのESRスペクトルを表している。図31、32から、試料(7)では、不対電子の存在を示すESRスペクトルが検出されていることが分かる。また、ESR測定によって、試料(7)におけるg値は2.0027、線幅(ΔH)は0.58mT、スピン濃度は1.7×1020spin/cm3であることが分かった。なお、スピン濃度は混合層の厚さを200nmとして計算したときの値である。
て行った。作製した発光素子を窒素雰囲気下のグローブボックス内に移動し、同グローブボックスにてシール材を用いて封止を行った。そして、先ず、初期状態において3000cd/m2の輝度で発光させる為に必要な電流密度について調べ、次に初期状態において3000cd/m2の輝度で発光させる為に必要な電流密度の電流を一定時間流して発光させ続け、経過時間ごとの発光輝度及び印加電圧をプロットした。なお、3000cd/m2の輝度で発光させる為に必要な電流密度は、本実施例では、発光素子(4)、(6)、(7)のいずれについても24mA/cm2であった。なお測定は、室温(約25℃)の雰囲気で行った。
図43(A)から、発光素子(4)、(6)、(7)のいずれについても発光時間の蓄積に伴った輝度の低下が少なく、本発明の発光素子は素子寿命が良好であること分かる。また、図43(B)から、発光素子(4)、(6)、(7)のいずれについても、発光時間の蓄積に伴った電圧の増加が少ないこと、つまり本発明の発光素子は発光時間の蓄積に伴った抵抗の増加が少ない良好な素子であることが分かる。
にした。これによって、クマリン6はAlq3からなる層の中に分散して含まれた状態となる。このようにして形成された第3の層313は、発光素子を駆動させたときに、発光層として機能する。
トは発光素子(10)、○のプロットは発光素子(11)、◆のプロットは発光素子(12)の特性を表す。図45から、第1の層311に含まれるモリブデン酸化物の割合に依存した電圧−輝度特性の変化は殆ど見られず、4〜10体積%でモリブデン酸化物が含まれた発光素子(10)〜(12)は何れも良好に動作することが分かった。
るように成膜し、第2の電極302を形成した。
11 トランジスタ
12 発光素子
13 第1の電極
14 第2の電極
15 層
16 層間絶縁膜
17 配線
18 隔壁層
19 層間絶縁膜
101 第1の電極
102 第2の電極
111 混合層
112 正孔輸送層
113 発光層
114 電子輸送層
115 電子注入層
116 電子発生層
117 正孔阻止層
201 第1の電極
202 第2の電極
211 正孔注入層
212 正孔輸送層
213 発光層
214 電子輸送層
215 第1の混合層
216 第2の混合層
217 層
218 正孔阻止層
223 正孔輸送層
300 基板
301 第1の電極
302 第2の電極
311 第1の層
312 第2の層
313 第3の層
314 第4の層
315 第5の層
401 第1の電極
402 第2の電極
411 正孔注入層
412a 正孔輸送層
413a 第1発光層
413b 第2発光層
413c 第3発光層
414a 電子輸送層
414c 電子輸送層
415 電子注入層
421a 第1の混合層
421b 第1の混合層
422a 第2の混合層
422b 第2の混合層
501 サブフレーム
502 サブフレーム
503 サブフレーム
504 サブフレーム
901 トランジスタ
902 トランジスタ
903 発光素子
911 ゲート信号線
912 ソース信号線
913 書込用ゲート信号線駆動回路
914 消去用ゲート信号線駆動回路
915 ソース信号線駆動回路
916 電源
917 電流供給線
918 スイッチ
919 スイッチ
920 スイッチ
951 基板
952 電極
953 絶縁層
954 隔壁層
955 層
956 電極
1001 トランジスタ
1002 トランジスタ
1003 ゲート信号線
1004 ソース信号線
1005 電流供給線
1006 発光素子の電極
3101 第1の電極
3102 第2の電極
3111 混合層
3112 正孔輸送層
3113 発光層
3114 電子輸送層
3115 電子注入層
3116 電子発生層
3117 正孔阻止層
3201 第1の電極
3202 第2の電極
3211 正孔注入層
3212 正孔輸送層
3213 発光層
3214 電子輸送層
3215 第1の混合層
3216 第2の混合層
3217 層
3218 正孔阻止層
3401 第1の電極
3402 第2の電極
3411 正孔注入層
3415 電子注入層
501a 書き込み期間
502a 書き込み期間
503a 書き込み期間
504a 書き込み期間
501b 保持期間
502b 保持期間
503b 保持期間
504b 保持期間
504c 消去期間
504d 非発光期間
5511 筐体
5512 液晶装置
5513 発光装置
5514 筐体
5515 外部入力端子
5516 外部入力端子
5521 本体
5522 筐体
5523 表示部
5524 キーボード
5531 表示部
5532 筐体
5533 スピーカー
5551 表示部
5552 本体
5553 アンテナ
5554 音声出力部
5555 音声入力部
5556 操作スイッチ
6500 基板
6503 FPC
6504 プリント配線基盤(PWB)
6511 画素部
6512 ソース信号線駆動回路
6513 書込用ゲート信号線駆動回路
6514 消去用ゲート信号線駆動回路
3412a 正孔輸送層
3413a 第1発光層
3413b 第2発光層
3413c 第3発光層
3414a 電子輸送層
3414b 電子輸送層
3414c 電子輸送層
3421a 第1の混合層
3421b 第1の混合層
3422a 第2の混合層
3422b 第2の混合層
Claims (19)
- 第1の電極と第2の電極との間に、発光層と、混合層とを有し、
前記混合層は、芳香族炭化水素と、前記芳香族炭化水素に対し電子受容性を示す金属酸化物とを含み、
前記芳香族炭化水素はアントラセン骨格を含むことを特徴とする発光装置。 - 前記芳香族炭化水素は、炭素数14〜60であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記芳香族炭化水素は、2−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン、9,10−ジ(ナフタレン−1−イル)−2−tert−ブチルアントラセン、アントラセン、9,10−ジフェニルアントラセン、9,10−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)アントラセン、9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン、2−tert−ブチルアントラセン、9,10−ジ(4−メチルナフタレン−1−イル)アントラセン、9,10−ビス[2−(ナフタレン−1−イル)フェニル]アントラセン、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(ナフタレン−1−イル)アントラセン、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン、ビアントリル、10,10’−ジ(2−フェニルフェニル)−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス[(2,3,4,5,6−ペンタフェニル)フェニル]−9,9’−ビアントリル、及び9,10−ジ(4−フェニルフェニル)−2−tert−ブチルアントラセンの中から選ばれたいずれか一であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記混合層と前記発光層との間に正孔輸送層を含むことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記正孔輸送層は、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル、4,4’−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル、1,3,5−トリス[N,N−ジ(m−トリル)アミノ]ベンゼン、4,4’,4’’−トリス(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン、及び2,3−ビス(4−ジフェニルアミノフェニル)キノキサリン、2,3−ビス{4−[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]フェニル}−ジベンゾ[f,h]キノキサリンの中から選ばれるいずれか一の物質であることを特徴とする請求項4に記載の発光装置。
- 前記混合層は、前記第1の電極に接していることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の発光装置。
- 第1の電極と第2の電極との間に、発光層と、混合層とを有し、
前記混合層は、芳香族炭化水素と、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、およびレニウム酸化物の中から選ばれたいずれか一の金属酸化物と、を含み、
前記芳香族炭化水素はアントラセン骨格を含むことを特徴とする発光装置。 - 前記芳香族炭化水素は、炭素数14〜60であることを特徴とする請求項7に記載の発光装置。
- 前記芳香族炭化水素は、2−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン、9,10−ジ(ナフタレン−1−イル)−2−tert−ブチルアントラセン、アントラセン、9,10−ジフェニルアントラセン、9,10−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)アントラセン、9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン、2−tert−ブチルアントラセン、9,10−ジ(4−メチルナフタレン−1−イル)アン
トラセン、9,10−ビス[2−(ナフタレン−1−イル)フェニル]アントラセン、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(ナフタレン−1−イル)アントラセン、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン、ビアントリル、10,10’−ジ(2−フェニルフェニル)−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス[(2,3,4,5,6−ペンタフェニル)フェニル]−9,9’−ビアントリル、及び9,10−ジ(4−フェニルフェニル)−2−tert−ブチルアントラセンの中から選ばれたいずれか一である
ことを特徴とする請求項7に記載の発光装置。 - 前記混合層と前記発光層との間に正孔輸送層を含むことを特徴とする請求項7乃至請求項9のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記正孔輸送層は、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル、4,4’−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:TPD)、1,3,5−トリス[N,N−ジ(m−トリル)アミノ]ベンゼン、4,4’,4’’−トリス(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン、及び2,3−ビス(4−ジフェニルアミノフェニル)キノキサリン、2,3−ビス{4−[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]フェニル}−ジベンゾ[f,h]キノキサリンの中から選ばれるいずれか一の物質であることを特徴とする請求項10に記載の発光装置。
- 前記混合層は、前記第1の電極に接していることを特徴とする請求項7乃至請求項11のいずれか一項に記載の発光装置。
- 第1の電極と第2の電極との間に、n(nは2以上の任意の自然数)層の発光層を有し、
m層目(mは任意の自然数であり、1≦m≦n−1である。)の発光層とm+1層目の発光層との間に、第1の混合層と第2の混合層とを有し、
前記第1の混合層は、前記第2の混合層よりも前記第1の電極に近設され、
前記第1の混合層は、電子輸送性物質またはバイポーラ性物質と、アルカリ土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属フッ化物、及びアルカリ土類金属フッ化物の中から選ばれた一の物質と、を含み、
前記第2の混合層は、芳香族炭化水素と、前記芳香族炭化水素に対し電子受容性を示す金属酸化物と、を含み、
前記芳香族炭化水素はアントラセン骨格を含むことを特徴とする発光装置。 - 前記芳香族炭化水素は、炭素数14〜60であることを特徴とする請求項13に記載の発光装置。
- 前記芳香族炭化水素は、2−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン、9,10−ジ(ナフタレン−1−イル)−2−tert−ブチルアントラセン、アントラセン、9,10−ジフェニルアントラセン、9,10−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)アントラセン、9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン、2−tert−ブチルアントラセン、9,10−ジ(4−メチルナフタレン−1−イル)アントラセン、9,10−ビス[2−(ナフタレン−1−イル)フェニル]アントラセン、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(ナフタレン−1−イル)アントラセン、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン、ビアントリル、10,10’−ジ(2−フェニルフェニル)−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス[(2,3,4,5,6−ペンタフェニル)フェニル]−9,9’−ビアントリル、及び9,10−ジ(4−フェニルフェニル)−2−tert−ブチルアントラセンの中から選ばれたいずれか一であることを特徴とする請求項13に記載の発光装置。
- 第1の電極と第2の電極との間に、n(nは2以上の任意の自然数)層の発光層を有し、
m層目(mは任意の自然数であり、1≦m≦n−1である。)の発光層とm+1層目の発光層との間に、第1の混合層と第2の混合層とを有し、
前記第1の混合層は、前記第2の混合層よりも前記第1の電極に近設され、
前記第1の混合層は、電子輸送性物質またはバイポーラ性物質と、アルカリ土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属フッ化物、及びアルカリ土類金属フッ化物の中から選ばれた一の物質と、を含み、
前記第2の混合層は、芳香族炭化水素と、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、およびレニウム酸化物の中から選ばれたいずれか一の金属酸化物と、を含み、
前記芳香族炭化水素はアントラセン骨格を含むことを特徴とする発光装置。 - 前記芳香族炭化水素は、炭素数14〜60であることを特徴とする請求項16に記載の発光装置。
- 前記芳香族炭化水素は、2−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン、9,10−ジ(ナフタレン−1−イル)−2−tert−ブチルアントラセン、アントラセン、9,10−ジフェニルアントラセン、9,10−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)アントラセン、9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン、2−tert−ブチルアントラセン、9,10−ジ(4−メチルナフタレン−1−イル)アントラセン、9,10−ビス[2−(ナフタレン−1−イル)フェニル]アントラセン、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(ナフタレン−1−イル)アントラセン、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン、ビアントリル、10,10’−ジ(2−フェニルフェニル)−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス[(2,3,4,5,6−ペンタフェニル)フェニル]−9,9’−ビアントリル、及び9,10−ジ(4−フェニルフェニル)−2−tert−ブチルアントラセンの中から選ばれたいずれか一であることを特徴とする請求項16に記載の発光装置。
- 請求項1乃至請求項18のいずれか一項に記載の発光装置を含むことを特徴とする電子機器。
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