JP2008021575A - Organic electroluminescent element and manufacturing method of same - Google Patents

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敦 杉崎
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晃 川上
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL element allowing service life extension, flexibility provision, impact resistance provision, heat resistance provision, dimensional stability provision, luminance irregularity reduction, and yield improvement in a practical emission area, and having an aptitude for a backlight. <P>SOLUTION: This organic electroluminescent element has, on a substrate formed of a plastic film having a gas shielding layer, a transparent electrode layer, an organic layer including at least a luminescent layer, and a counter electrode. The organic electroluminescent element is characterized in that the plastic film contains a cross-linked resin and a glass fiber; the linear expansion coefficient of the plastic film at 30-150°C is 0-40 ppm/°C; and the luminescent layer comprises a luminescent layer host and a phosphorescent material. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子と略す)および該素子の製造方法に関し、さらに詳しくは、より低電力での駆動が可能で、有機EL素子として耐久性に優れ、周囲の温度変化の影響を受けにくい安定性が高い有機EL素子および該素子の製造方法に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescence element (hereinafter abbreviated as an organic EL element) and a method for manufacturing the element, and more specifically, can be driven with lower power, has excellent durability as an organic EL element, The present invention relates to a highly stable organic EL element that is not easily affected by temperature changes and a method for manufacturing the element.

有機EL素子は、直流電源による駆動であり、数ボルト程度の電池による低電圧化が可能で、自発光であることによる視野角依存性のないこと、応答の速いことなどから、液晶表示材料のための白色光源(バックライト)として、また液晶ディスプレイよりさらに進化した有機ELディスプレイとして研究が進められており、一部は商品化されている。   The organic EL element is driven by a DC power supply, can be lowered by a battery of about several volts, has no viewing angle dependency due to self-emission, and has a quick response. As a white light source (backlight) for this purpose, research has been advanced as an organic EL display that has evolved further than a liquid crystal display, and a part has been commercialized.

しかしながら、携帯用や薄型化のさらに厳しい要求を満たすために自発光型のフラットパネルディスプレイや自発光型でない液晶ディスプレイ用の高輝度白色光源として、軽量で、発光効率のよい、長寿命の有機EL素子が求められている。   However, as a high-intensity white light source for self-luminous flat panel displays and non-self-luminous liquid crystal displays to meet the more stringent demands of portability and thinning, it is a light-weight, light-emitting efficiency, long-life organic EL There is a need for an element.

特に薄くて、耐衝撃性のある面状光源で、均一発光を達成するものは従来技術では実現されていなかった。   A thin, impact-resistant planar light source that achieves uniform light emission has not been realized in the prior art.

その最も大きな理由として、従来の有機EL素子の基材はガラスであり、封止用の基材はガラス板や金属板の一部を掘り込んだプレートであったからである。発光面が大きくなればなるほど、ガラスを用いた場合は薄くすることが難しく、工程での取り扱いだけでなく、一般消費者の通常使用に耐えられる強度を維持することが難しい。   The most important reason is that the base material of the conventional organic EL element is glass, and the base material for sealing is a plate in which a part of a glass plate or a metal plate is dug. The larger the light emitting surface is, the more difficult it is to make it thin when glass is used, and it is difficult not only to handle in the process but also to maintain the strength that can withstand normal use by general consumers.

有機EL素子の発光機能は、その電気化学的な性質から、水分子や酸素分子によって妨害されるので、可撓性のあるプラスチックフィルムやシート状の基材を使用しても、実用的な発光素子を形成することも、長時間にわたって発光させることも、困難であった。   The light-emitting function of organic EL elements is hindered by water molecules and oxygen molecules due to their electrochemical properties. Therefore, even if a flexible plastic film or sheet-like substrate is used, practical light emission is possible. It was difficult to form an element and emit light for a long time.

有機EL素子の基材にプラスチックフィルムやプラスチックシートを用いることが出来なかった理由は、(1)プラスチックフィルムにガラス並みの耐熱性がないため、スパッタなどで透明電極を形成する際の熱に耐えられず、良好な導電性をもつ透明電極が形成できないこと、(2)プラスチックフィルムを他の材料や部品に貼り合わせたりする際に、紫外光や熱によって硬化する接着剤を用いても接着性能が十分引き出せないこと、(3)微細な発光領域を加熱条件で連続して形成する際に、ガラス基板並みの寸法精度が得られないこと、(4)プラスチック材料の水分や酸素などのガス透過性がガラスより非常に大きいため、有機EL素子の発光寿命を十分長く確保するためには、ピンホールなどのない優れたガスバリア膜がプラスチックフィルム上に形成される必要があること、などが挙げられる。   The reason why plastic films and plastic sheets could not be used as the base material for organic EL elements is that (1) the plastic film does not have the same heat resistance as glass, so it can withstand the heat when forming transparent electrodes by sputtering. Inability to form transparent electrodes with good electrical conductivity, (2) Adhesive performance even when an adhesive that cures by ultraviolet light or heat is used when bonding plastic films to other materials or components (3) When a fine light-emitting region is continuously formed under heating conditions, dimensional accuracy equivalent to that of a glass substrate cannot be obtained. (4) Gas permeation of moisture and oxygen of the plastic material Because the properties are much higher than glass, an excellent gas barrier film without pinholes is needed to ensure a sufficiently long emission life of organic EL elements. It is necessary to be formed on the click film, and the like.

これらの問題を解決するために、例えば、特許文献1にはプラスチックフィルムを多層化したり、吸湿材をプラスチックフィルム中に練り込んだり、無機粒子を含有させたり、表面粗さを制御したりしているが、いまだ十分なものは得られていない。   In order to solve these problems, for example, Patent Document 1 discloses that a plastic film is multilayered, a hygroscopic material is kneaded into the plastic film, inorganic particles are contained, and the surface roughness is controlled. There is still not enough.

さらに曲面上での発光面の達成や、製造時における基材フィルムを元巻で供給したり、加工後に巻き取ったりする、いわゆるロールツウロール加工を可能にするためには、ガラス基板はもちろん、従来のプラスチックフィルムでは、本発明の要求レベルを達成することは到底困難であった。   Furthermore, in order to achieve the light emitting surface on the curved surface, supply the base film at the time of production in the original roll, or take up after processing, so-called roll-to-roll processing, of course, glass substrate, With conventional plastic films, it has been difficult to achieve the required level of the present invention.

その実用化にあたって、軽量化、薄型化と共に曲面形状とすることが可能な形状加工性が求められており、高分子フィルムなどの可撓性を有する材料からなる基板を用いることが提案されている(例えば特許文献2や特許文献3など)。   In the practical application, there is a demand for shape workability that can be reduced in weight and thickness, and can be curved, and it is proposed to use a substrate made of a flexible material such as a polymer film. (For example, Patent Document 2 and Patent Document 3).

また有機EL素子による大面積の白色光源へ応用が強く期待されるもう一つの理由は、現在、一般に広く用いられている民生用の白熱灯、蛍光灯の欠点を改良できるからである。すなわち、白熱灯は光のスペクトルが太陽光に近く、自然の光に近いが壁面全体を均一に明るくしたりするには不向きであり、発光スペクトルを変化させることが困難な光源である。また電気エネルギーを光エネルギーに変換する効率も低い。蛍光灯は白熱灯より電気エネルギーを光エネルギーに変換する効率が優れるため、現在のところ多用されているが、蛍光灯にも欠点がいくつかある。   Another reason why application to a white light source with a large area using an organic EL element is strongly expected is that the disadvantages of incandescent lamps and fluorescent lamps that are widely used at present can be improved. That is, an incandescent lamp is a light source that has a light spectrum close to that of sunlight and close to natural light, but is not suitable for uniformly brightening the entire wall surface, and it is difficult to change the emission spectrum. Also, the efficiency of converting electrical energy into light energy is low. Fluorescent lamps are more frequently used at present because they are more efficient at converting electrical energy into light energy than incandescent lamps, but fluorescent lamps also have some drawbacks.

蛍光灯は、水銀蒸気のグロー放電を利用しているため、点灯時間が遅れるとともに、点灯直後は放電が不安定で光量が安定しない。また、低温環境下での光量低下が問題である。さらに、蛍光灯は、ガラス管に水銀蒸気を封入しているため、小型化が困難な上、水銀による環境汚染も問題である。   Since the fluorescent lamp uses the glow discharge of mercury vapor, the lighting time is delayed and the discharge is unstable immediately after the lighting and the light quantity is not stable. In addition, a decrease in the amount of light in a low temperature environment is a problem. Furthermore, since the fluorescent lamp has mercury vapor sealed in a glass tube, it is difficult to reduce the size and environmental pollution due to mercury is also a problem.

これに対して、有機EL素子は、薄膜の有機化合物からなる発光層を電極で保持した構成で、電極間に電流を供給すると発光する素子であり、薄膜である有機EL素子を光源として利用すると、小型化、軽量化が容易である上、蛍光灯に比べて発光の応答速度が速く、点灯直後の光量も比較的安定した照明装置となる。   On the other hand, an organic EL element is a structure in which a light emitting layer made of a thin organic compound is held by electrodes, and emits light when a current is supplied between the electrodes. When the organic EL element that is a thin film is used as a light source, In addition, the lighting device can be easily reduced in size and weight, has a faster light emission response speed than a fluorescent lamp, and has a relatively stable light amount immediately after lighting.

従って、破損しやすいガラスを耐衝撃性に優れたプラスチックへの置き換え、水銀を使用しない、プラスチックタイプの有機EL素子が出来れば、非常に有用である。   Accordingly, it would be very useful to replace easily fragile glass with a plastic having excellent impact resistance and to produce a plastic type organic EL element that does not use mercury.

近年の携帯電話等、携帯情報端末機器に設けられる表示装置や電子光学デバイスには、前述のように、通常ガラス等の基板が用いられており、ガラスは透湿性が小さい点で優れているが、重い、フレキシブル性(可撓性)がないために、落下により割れやすい等の欠点がある。   As described above, substrates such as glass are usually used for display devices and electro-optical devices provided in portable information terminal devices such as mobile phones in recent years, and glass is excellent in that it has low moisture permeability. However, since it is heavy and does not have flexibility (flexibility), it has drawbacks such as being easily broken by dropping.

このため、これらの普及に伴い、可撓性のある(例えば、プラスチック基板を用いた)折り曲げに強い素子が要望されており、蛍光灯に代わる照明等の発光光源においてもフレキシブルで可撓性を有する支持体上に有機EL素子を発光光源として形成し照明用途に用いようとする要望も大きい。   For this reason, a flexible element (for example, using a plastic substrate) which is strong against bending is demanded with the spread of these, and a flexible and flexible light emitting light source such as an illumination instead of a fluorescent lamp is also required. There is also a great demand for forming an organic EL element as a light emitting light source on a supporting member and using it for illumination.

実際に、特許文献4、特許文献5に開示されるようなプラスチックフィルム上に有機EL素子を形成する方法は知られている。従来、容易にガラス基板がプラスチック基板で代替できなかった理由のひとつに、熱膨張係数が、ガラスとプラスチックでは大きくことなることがあげられる。面状に均一に発光させる場合であっても、プラスチック上のガス遮蔽層や電極層は金属酸化物である場合がほとんどであり、基板であるプラスチックとの熱膨張係数の差によるタワミや変形などが製造上の加熱プロセスで生じる。   Actually, a method for forming an organic EL element on a plastic film as disclosed in Patent Documents 4 and 5 is known. Conventionally, one of the reasons why glass substrates could not be easily replaced with plastic substrates is that the coefficient of thermal expansion differs greatly between glass and plastic. Even when light is emitted evenly in a planar shape, the gas shielding layer and electrode layer on the plastic are mostly metal oxides, and are damaged or deformed due to differences in the thermal expansion coefficient from the plastic substrate. Occurs in the manufacturing heating process.

さらに、透過光を光の3原色である緑、青、赤に分割するため基板上にミクロン単位の細かな画素を形成することは、表示装置や電子光学デバイスでは、しばしば必要なプロセスであり、前述の3原色の塗り分けの際に基板の寸法変化は形成する画素のサイズよりはるかに小さいことが求められる。   Furthermore, in order to divide the transmitted light into the three primary colors of light, green, blue, and red, it is often a necessary process for display devices and electro-optical devices to form fine pixels on the substrate on the substrate. When the three primary colors are separately applied, the dimensional change of the substrate is required to be much smaller than the size of the pixel to be formed.

また、表示する画面が大きいほど、両端での位置のズレが大きくなり、画素形成のマスクパターンとのズレが大きくなるため、プラスチック基板での大面積化は非常に困難であった。たとえば、有機ELの発光画素はマスクを一定量移動させることにより、規則的に形成できるが、基板が蒸着や搬送などのプロセス中にたわんだり、ずれたりすることにより面積の大きなプラスチック基板で高精細な画素パターンを形成することは難しい。さらに通電時の発熱によりプラスチック基板が変形したり、基板上の素子が剥離して欠陥となったり、発光しなくなったりする問題も生じる。   Further, the larger the screen to be displayed, the larger the positional deviation at both ends, and the larger the deviation from the pixel formation mask pattern, so it was very difficult to increase the area of the plastic substrate. For example, organic EL light-emitting pixels can be formed regularly by moving a certain amount of mask, but the substrate can be bent and displaced during processes such as vapor deposition and transport, and high-definition can be achieved with a large plastic substrate. It is difficult to form a simple pixel pattern. In addition, there are problems that the plastic substrate is deformed by heat generated during energization, the element on the substrate is peeled off, becomes defective, and does not emit light.

また特に有機EL素子の基板として用いるには、ガラス並みの低い、水蒸気の透過性、酸素の透過性が求められ、プラスチック表面に無機材料からなるガス遮蔽層(バリア層)を形成することがよく行われるが、耐熱性の低いプラスチックでは良質なガス遮蔽層を形成することが難しい。   In particular, when used as a substrate for an organic EL device, it is required to have water vapor permeability and oxygen permeability as low as glass, and a gas shielding layer (barrier layer) made of an inorganic material is often formed on the plastic surface. Although it is performed, it is difficult to form a good gas shielding layer with a plastic having low heat resistance.

特許文献6には、バリア層を多層化してガス透過性を改善する試みの開示があるが、基板そのものが既存のプラスチックである場合には、耐熱性や低熱膨張性を確保できず、クラック(バリア層の微細な亀裂)やピンホールの生成、前述のプロセス時の熱履歴や発光時の発熱に耐えられないことによる基板の変形などが課題となる。   Patent Document 6 discloses an attempt to improve gas permeability by multilayering a barrier layer. However, when the substrate itself is an existing plastic, heat resistance and low thermal expansion cannot be ensured, and cracks ( There are problems such as generation of fine cracks in the barrier layer) and generation of pinholes, deformation of the substrate due to inability to withstand the heat history during the above-described process and heat generation during light emission.

また、基板そのものを小片に加工したり、任意の形状に切断加工したりする場合に端部の微細な破片が発光層形成時に異物となり、高い歩留まりが得られない。   In addition, when the substrate itself is processed into small pieces or cut into an arbitrary shape, fine fragments at the edges become foreign matters when the light emitting layer is formed, and a high yield cannot be obtained.

例えば、特許文献7には合成樹脂の基板を用いた液晶表示装置の例が開示されているが、耐熱性のある基板上に形成した薄膜デバイスをプラスチック基板上へ転写させることによって形成しており、これでは、プロセスが複雑となって、画素欠陥や転写ずれなどによる問題が発生する。   For example, Patent Document 7 discloses an example of a liquid crystal display device using a synthetic resin substrate, which is formed by transferring a thin film device formed on a heat-resistant substrate onto a plastic substrate. This complicates the process and causes problems due to pixel defects and transfer deviation.

また、熱膨張率を低下させるため、プラスチック中に熱膨張の小さな有機や無機のフィラーとして添加する方法は開示されているが、これらの基板を単純に有機ELの基板として使用したとしても、裁断の加工時や、水、酸素の透過性による有機EL素子への悪影響のため、到底使用できるものではなく、本発明の要求レベルをみたすことは出来なかった。
特開平2005−38661号公報 特開平2−251429号公報 特開平6−124785号公報 特開2002−175875号公報 特開2002−190384号公報 特開2003−17244号公報 特開2001−166300号公報
Moreover, in order to reduce the coefficient of thermal expansion, a method of adding an organic or inorganic filler having a small thermal expansion to a plastic is disclosed, but even if these substrates are simply used as an organic EL substrate, they are cut. Since the organic EL element was adversely affected by the permeability of water and oxygen during processing, it was not possible to use at all, and the required level of the present invention could not be met.
JP-A-2005-38661 JP-A-2-251429 JP-A-6-124785 JP 2002-175875 A JP 2002-190384 A JP 2003-17244 A JP 2001-166300 A

そこで、本発明は、このような問題点を鑑みてなされたものであり、長寿命化、可撓性付与、耐衝撃性付与、耐熱性付与、寸法安定性付与、輝度ムラ低減、実用的発光面積での歩留まり向上、バックライト適性を有する有機EL素子および該素子の製造方法を提供することを課題とする。   Therefore, the present invention has been made in view of such problems, and has a long life, flexibility, impact resistance, heat resistance, dimensional stability, luminance unevenness reduction, and practical light emission. It is an object of the present invention to provide an organic EL element having improved yield in area and suitability for backlight and a method for manufacturing the element.

本発明の他の課題は、以下の記載によって明らかとなる。   The other subject of this invention becomes clear by the following description.

本発明の上記課題は、以下の各発明によって解決される。   The above-described problems of the present invention are solved by the following inventions.

(請求項1)
ガス遮蔽性の層を有するプラスチックフィルムからなる基板上に、透明電極層と、少なくとも発光層を含む有機層と、対向電極とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記プラスチックフィルムは、架橋樹脂とガラス繊維とを含み、且つ該プラスチックフィルムの30℃から150℃における線膨張係数が、0ppm/℃以上、40ppm/℃以下であり、前記発光層が、発光層ホストとりん光材料からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
(Claim 1)
In an organic electroluminescence device having a transparent electrode layer, an organic layer including at least a light emitting layer, and a counter electrode on a substrate made of a plastic film having a gas shielding layer,
The plastic film includes a crosslinked resin and glass fiber, and the linear expansion coefficient of the plastic film at 30 ° C. to 150 ° C. is 0 ppm / ° C. or more and 40 ppm / ° C. or less, and the light emitting layer is a light emitting layer host. An organic electroluminescence device comprising a phosphorescent material.

(請求項2)
前記ガラス繊維を、プラスチックフィルム組成物に対して、1〜90重量%配合することを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(Claim 2)
2. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the glass fiber is blended in an amount of 1 to 90% by weight based on the plastic film composition.

(請求項3)
前記ガス遮蔽性の層が、少なくともガスバリア層を有することを特徴とする請求項1又は2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(Claim 3)
The organic electroluminescence element according to claim 1, wherein the gas shielding layer has at least a gas barrier layer.

(請求項4)
前記ガス遮蔽性の層を有するプラスチックフィルムの水蒸気透過率が、0.01g/m・24hr以下(JIS K7129B法に基づき40℃90%RH時の測定値)であることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(Claim 4)
The water vapor permeability of the plastic film having the gas shielding layer is 0.01 g / m 2 · 24 hr or less (measured value at 40 ° C. and 90% RH based on JIS K7129B method). The organic electroluminescent element in any one of 1-3.

(請求項5)
架橋樹脂とガラス繊維とを含むプラスチックフィルム基板を形成する工程と、
該プラスチックフィルム基板上にガス遮蔽性の層を形成する工程と、
該ガス遮蔽性の層の上に、透明電極層を設けて透明電極付き基板を形成する工程と、
該透明電極層の上に少なくとも発光層を含む有機層を形成する工程と、
該有機層の上に対向電極を形成する工程とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記プラスチックフィルム基板は、30℃から150℃における線膨張係数が、0ppm/℃以上、40ppm/℃以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
(Claim 5)
Forming a plastic film substrate containing a crosslinked resin and glass fiber;
Forming a gas shielding layer on the plastic film substrate;
Providing a transparent electrode layer on the gas-shielding layer to form a substrate with a transparent electrode;
Forming an organic layer including at least a light emitting layer on the transparent electrode layer;
Forming a counter electrode on the organic layer, and a method of manufacturing an organic electroluminescence element,
The method for producing an organic electroluminescent element, wherein the plastic film substrate has a linear expansion coefficient at 30 ° C. to 150 ° C. of not less than 0 ppm / ° C. and not more than 40 ppm / ° C.

(請求項6)
前記透明電極付き基板を形成した後、該基板をレーザーカッターにより所望の形状に切断する工程を有することを特徴とする請求項5記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
(Claim 6)
6. The method of manufacturing an organic electroluminescent element according to claim 5, further comprising a step of cutting the substrate into a desired shape with a laser cutter after forming the substrate with a transparent electrode.

(請求項7)
前記透明電極付き基板をレーザーカッターにより所望の形状に切断する工程を経た後、有機溶媒による洗浄工程と該基板の真空下での脱気工程とを経由した後、有機層を形成することを特徴とする請求項5又は6記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
(Claim 7)
After passing through the step of cutting the substrate with a transparent electrode into a desired shape with a laser cutter, the organic layer is formed after passing through a cleaning step with an organic solvent and a deaeration step under vacuum of the substrate. The manufacturing method of the organic electroluminescent element of Claim 5 or 6.

(請求項8)
前記透明電極付き基板を形成する工程後に、該透明電極層上に導電性の平坦化層を形成する工程を有し、次いで有機層を形成することを特徴とする請求項5〜7の何れかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
(Claim 8)
8. The method according to claim 5, further comprising a step of forming a conductive planarization layer on the transparent electrode layer after the step of forming the substrate with a transparent electrode, and then forming an organic layer. The manufacturing method of the organic electroluminescent element of description.

(請求項9)
前記ガラス繊維を、プラスチックフィルム組成物に対して、1〜90重量%配合することを特徴とする請求項5〜8の何れかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
(Claim 9)
The said glass fiber is mix | blended 1 to 90 weight% with respect to a plastic film composition, The manufacturing method of the organic electroluminescent element in any one of Claims 5-8 characterized by the above-mentioned.

(請求項10)
前記ガス遮蔽性の層を形成する工程が、少なくともガスバリア層を形成する工程を有することを特徴とする請求項5〜9の何れかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
(Claim 10)
The method for producing an organic electroluminescent element according to claim 5, wherein the step of forming the gas shielding layer includes at least a step of forming a gas barrier layer.

(請求項11)
前記ガス遮蔽性の層を有するプラスチックフィルムの水蒸気透過率が、0.01g/m・24hr以下(JISK7129B法に基づき40℃90%RH時の測定値)であることを特徴とする請求項5〜10の何れかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
(Claim 11)
6. The water vapor permeability of the plastic film having the gas shielding layer is 0.01 g / m 2 · 24 hr or less (measured value at 40 ° C. and 90% RH based on JISK7129B method). The manufacturing method of the organic electroluminescent element in any one of -10.

(請求項12)
発光層が、発光層ホストとりん光材料からなることを特徴とする請求項5〜11の何れかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
(Claim 12)
The method for producing an organic electroluminescent element according to claim 5, wherein the light emitting layer comprises a light emitting layer host and a phosphorescent material.

本発明によると、長寿命化、可撓性付与、耐衝撃性付与、耐熱性付与、寸法安定性付与、輝度ムラ低減、実用的発光面積での歩留まり向上、バックライト適性を有する有機EL素子および該素子の製造方法を提供することができる。   According to the present invention, an organic EL device having long life, flexibility, impact resistance, heat resistance, dimensional stability, luminance unevenness reduction, yield improvement in a practical light emitting area, and backlight suitability A method for manufacturing the element can be provided.

以下、本発明の実施の形態を説明する。   Embodiments of the present invention will be described below.

本発明に係る有機EL素子の製造方法は、架橋樹脂とガラス繊維とを含むプラスチックフィルム基板を形成する工程と、該プラスチックフィルム基板上にガス遮蔽性の層を形成する工程と、該ガス遮蔽性の層の上に、透明電極層を設けて透明電極付き基板を形成する工程と、該透明電極層の上に少なくとも発光層を含む有機層を形成する工程と、該有機層の上に対向電極を形成する工程とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記プラスチックフィルム基板は、30℃から150℃における線膨張係数が、0ppm/℃以上、40ppm/℃以下であることを特徴とする。   The method for producing an organic EL device according to the present invention includes a step of forming a plastic film substrate containing a crosslinked resin and glass fiber, a step of forming a gas shielding layer on the plastic film substrate, and the gas shielding property. Forming a transparent electrode layer on the layer, forming a substrate with a transparent electrode, forming an organic layer including at least a light emitting layer on the transparent electrode layer, and a counter electrode on the organic layer In the method of manufacturing an organic electroluminescence element having a step of forming a film, the plastic film substrate has a linear expansion coefficient at 30 ° C. to 150 ° C. of 0 ppm / ° C. or more and 40 ppm / ° C. or less.

以下、各工程毎に詳細に説明する。   Hereinafter, each process will be described in detail.

〔架橋樹脂とガラス繊維と含むプラスチックフィルム基板を形成する工程〕
本発明のプラスチックフィルムを製造するために用いられる架橋樹脂としては、(A)アクリレートなどの反応性モノマーを活性エネルギー線および/または熱によって架橋した樹脂又は(B)エポキシ樹脂が挙げられる。
[Step of forming a plastic film substrate containing a crosslinked resin and glass fiber]
Examples of the crosslinked resin used for producing the plastic film of the present invention include (A) a resin obtained by crosslinking a reactive monomer such as acrylate with active energy rays and / or heat, or (B) an epoxy resin.

本発明において、架橋させるのは後述のガラス繊維を含有せしめた後に行なうのが好ましい。   In the present invention, the crosslinking is preferably performed after glass fibers described later are contained.

前記(A)の好ましい架橋樹脂は、脂環式構造を有するアクリレート(a1)と、含イオウアクリレート及びフルオレン骨格を有するアクリレートから選ばれた少なくとも1種のアクリレート(a2)との架橋により得られる透明樹脂が挙げられる。(a1)はガラス繊維よりも屈折率の低い低屈折率モノマーであり、(a2)はガラス繊維よりも屈折率の高いモノマーである。以下にその両者について詳述する。   A preferable cross-linked resin (A) is a transparent resin obtained by cross-linking of an acrylate (a1) having an alicyclic structure and at least one acrylate (a2) selected from a sulfur-containing acrylate and an acrylate having a fluorene skeleton. Resin. (A1) is a low refractive index monomer having a lower refractive index than glass fiber, and (a2) is a monomer having a higher refractive index than glass fiber. Both are described in detail below.

(a1)低屈折率モノマー
ガラス繊維よりも屈折率の低い反応性モノマーとしては、脂環式構造や脂肪族鎖を含む各種の(メタ)アクリレートを用いることができ、特に透明性や耐熱性の面から脂環式構造を有する(メタ)アクリレートが好ましい。
(A1) Low refractive index monomer As the reactive monomer having a refractive index lower than that of the glass fiber, various (meth) acrylates containing an alicyclic structure or an aliphatic chain can be used. A (meth) acrylate having an alicyclic structure is preferred from the surface.

脂環式構造を有する(メタ)アクリレートとしては、脂環式構造を含み2つ以上の官能基を有する(メタ)アクリレートであればよく、反応性、耐熱性や透明性の点から下式(1)及び(2)から選ばれた少なくとも1種以上の(メタ)アクリレートが好ましい。   As the (meth) acrylate having an alicyclic structure, any (meth) acrylate having an alicyclic structure and having two or more functional groups may be used, and the following formula ( At least one (meth) acrylate selected from 1) and (2) is preferred.

Figure 2008021575
Figure 2008021575

(式中、R及びRは各々独立に水素原子又はメチル基を示す。aは1又は2を示し、bは0又は1を示す。) (In the formula, R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group. A represents 1 or 2, and b represents 0 or 1.)

Figure 2008021575
Figure 2008021575

(式中、Xは水素原子、−CH、−CHOH、NH、を示し、R及びRは、Hまたは−CH、pは0または1である。) (Wherein X represents a hydrogen atom, —CH 3 , —CH 2 OH, NH 2 , R 3 and R 4 are H or —CH 3 , and p is 0 or 1)

Figure 2008021575
Figure 2008021575

式(1)においては、特に、R、Rが水素で、aが1、bが0である構造を持つジシクロペンタジエニルジアクリレートが粘度などの物性から好ましい。 In formula (1), dicyclopentadienyl diacrylate having a structure in which R 1 and R 2 are hydrogen, a is 1 and b is 0 is particularly preferred from the viewpoint of physical properties such as viscosity.

また、式(2)において、特に、Xが−CHOCOCH=CH、R、Rが水素で、pが1である構造を持つパーヒドロ−1,4,5,8−ジメタノナフタレン−2,3,7−(オキシメチル)トリアクリレート、X、R、Rがすべて水素で、pが0または1である構造を持つアクリレートより選ばれた少なくとも1種以上のアクリレートが好ましい。特に、粘度等の点を考慮すると、X、R、Rがすべて水素で、pが0である構造を持つノルボルナンジメチロールジアクリレートが最も好ましい。式(2)の(メタ)アクリレートは、特開平5−70523に開示の方法にて得られる。 Further, in the formula (2), perhydro-1,4,5,8-dimethananaphthalene having a structure in which X is —CH 2 OCOCH═CH 2 , R 3 , R 4 is hydrogen and p is 1. At least one acrylate selected from acrylates having a structure in which -2,3,7- (oxymethyl) triacrylate, X, R 3 , and R 4 are all hydrogen and p is 0 or 1 is preferable. In particular, in view of viscosity and the like, norbornane dimethylol diacrylate having a structure in which X, R 3 and R 4 are all hydrogen and p is 0 is most preferable. The (meth) acrylate of the formula (2) can be obtained by the method disclosed in JP-A-5-70523.

ガラス繊維よりも屈折率の低い反応性モノマーとしては、下式(6)の環状エーテル(メタ)アクリレートも透明性や耐熱性が高いことから望ましい。   As the reactive monomer having a refractive index lower than that of the glass fiber, the cyclic ether (meth) acrylate represented by the following formula (6) is also desirable because of its high transparency and heat resistance.

Figure 2008021575
Figure 2008021575

(式中、R18及びR19は各々独立に水素原子又はメチル基を示す。) (In the formula, R 18 and R 19 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group.)

(a2)高屈折率モノマー
ガラス繊維よりも屈折率の高い反応性モノマーとしては、イオウや芳香族環を含む各種の(メタ)アクリレートを用いることができ、特に屈折率が高いことから含イオウ(メタ)アクリレートやフルオレン骨格を有する(メタ)アクリレートが好ましい。
(A2) High Refractive Index Monomer As the reactive monomer having a higher refractive index than glass fiber, various (meth) acrylates containing sulfur and aromatic rings can be used. A (meth) acrylate or a (meth) acrylate having a fluorene skeleton is preferred.

本発明で用いられる含イオウ(メタ)アクリレートとしては、イオウを含む2つ以上の官能基を有する(メタ)アクリレートであればよく、耐熱性や透明性の点から下式(3)に示す(メタ)アクリレートが好ましい。   The sulfur-containing (meth) acrylate used in the present invention may be a (meth) acrylate having two or more functional groups containing sulfur, and is represented by the following formula (3) from the viewpoint of heat resistance and transparency ( (Meth) acrylate is preferred.

Figure 2008021575
Figure 2008021575

(式中、Xはイオウ又はSOを示し、Yは酸素又はイオウを示す。R〜R10は各々独立に水素原子又はメチル基を示す。nおよびmは0〜2である。) (Wherein, X represents a sulfur or SO 2, Y is .n and m .R 5 to R 10 showing the oxygen or sulfur each independently represent a hydrogen atom or a methyl group is 0-2.)

式(3)で示される(メタ)アクリレートの中でも、反応性、耐熱性や取り扱い易さからXがイオウ、Yが酸素、R〜R10がすべて水素、n及びmがともに1であるビス[4−(アクリロイロキシエトキシ)フェニル]スルフィドが最も好ましい。 Among the (meth) acrylates represented by formula (3), X is sulfur, Y is oxygen, R 5 to R 10 are all hydrogen, and n and m are both 1 because of reactivity, heat resistance and ease of handling. [4- (acryloyloxyethoxy) phenyl] sulfide is most preferred.

本発明で用いられるフルオレン骨格を有する(メタ)アクリレートとしては、フルオレン骨格を含み2つ以上の官能基を有する(メタ)アクリレートであれば特に限定されないが、耐熱性や透明性の点から下記の式(4)および(5)より選ばれた少なくとも1種以上の(メタ)アクリレートが好ましい。   The (meth) acrylate having a fluorene skeleton used in the present invention is not particularly limited as long as it is a (meth) acrylate having a fluorene skeleton and having two or more functional groups, but the following from the viewpoint of heat resistance and transparency. At least one (meth) acrylate selected from the formulas (4) and (5) is preferred.

Figure 2008021575
Figure 2008021575

(式中、R11〜R14は各々独立に水素原子又はメチル基を示す。rおよびsは0〜2である。) (In the formula, R 11 to R 14 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group. R and s are 0 to 2.)

Figure 2008021575
Figure 2008021575

(式中、R15〜R17は各々独立に水素原子又はメチル基を示す。) (In the formula, R 15 to R 17 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group.)

これらの中でも式(4)においてR11〜R14がすべて水素で、r及びsが1であるビス[4−(アクリロイロキシエトキシ)フェニル]フルオレンが最も好ましい。 Among these, bis [4- (acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene in which R 11 to R 14 are all hydrogen and r and s are 1 in the formula (4) is most preferable.

これら低屈折率モノマーと高屈折率モノマーは、目的とする屈折率に応じて適宜の配合割合で混合して架橋を行うことができ、透明樹脂の屈折率を、これと組み合わせるガラス繊維の屈折率に合わせることができる。   These low-refractive index monomer and high-refractive index monomer can be mixed and crosslinked at an appropriate blending ratio according to the target refractive index, and the refractive index of the transparent resin is combined with the refractive index of the glass fiber. Can be adapted to

本発明で用いられる2つ以上の官能基を有する(メタ)アクリレートには柔軟性付与などのため、所望の特性を損なうことのない範囲で、単官能(メタ)アクリレートを併用してもよい。この場合、樹脂成分全体の屈折率がガラス繊維の屈折率に適合するよう配合量を調整する。   In order to impart flexibility to the (meth) acrylate having two or more functional groups used in the present invention, a monofunctional (meth) acrylate may be used in combination as long as desired properties are not impaired. In this case, the blending amount is adjusted so that the refractive index of the entire resin component matches the refractive index of the glass fiber.

(重合開始剤)
反応性モノマーを紫外線等の活性エネルギー線により架橋、硬化させるには、樹脂組成物中にラジカルを発生する光重合開始剤を加えるのが好ましい。かかる光重合開始剤としては、例えばベンゾフェノン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ジエトキシアセトフェノン、1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニルケトン、2,6−ジメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシドなどが挙げられる。これらの光重合開始剤は2種以上を併用してもよい。
(Polymerization initiator)
In order to crosslink and cure the reactive monomer with active energy rays such as ultraviolet rays, it is preferable to add a photopolymerization initiator that generates radicals in the resin composition. Examples of such photopolymerization initiators include benzophenone, benzoin methyl ether, benzoin propyl ether, diethoxyacetophenone, 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl ketone, 2,6-dimethylbenzoyl diphenylphosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoyl. Examples thereof include diphenylphosphine oxide. Two or more of these photopolymerization initiators may be used in combination.

光重合開始剤の樹脂組成物中における含有量は、適度に硬化させる量であればよく、2つ以上の官能基を有する(メタ)アクリレートの合計100重量部に対し、0.01〜2重量部が好ましく、さらに好ましくは、0.02〜1重量部であり、最も好ましくは、0.1〜0.5重量部である。光重合開始剤の添加量が多すぎると、重合が急激に進行し、複屈折の増大、着色、硬化時の割れ等の問題が発生する。また、少なすぎると組成物を充分に硬化させることができず、架橋後に型に付着して取り外せないなどの問題が発生する恐れがある。   The content of the photopolymerization initiator in the resin composition may be an appropriate amount to be cured, and 0.01 to 2 weights with respect to a total of 100 parts by weight of (meth) acrylate having two or more functional groups. Part, preferably 0.02 to 1 part by weight, and most preferably 0.1 to 0.5 part by weight. When the amount of the photopolymerization initiator added is too large, the polymerization proceeds rapidly, and problems such as increased birefringence, coloring, and cracks during curing occur. On the other hand, if the amount is too small, the composition cannot be sufficiently cured, and there is a possibility that problems such as adhesion to the mold after crosslinking and removal cannot occur.

活性エネルギー線による硬化及び/又は熱重合による架橋後に高温で熱処理する場合は、その熱処理工程の中に、線膨張係数を低減する等の目的で、窒素雰囲気下又は真空状態で、250〜300℃、1〜24時間の熱処理工程を加えるのが好ましい。   When heat treatment is performed at a high temperature after curing by active energy rays and / or crosslinking by thermal polymerization, 250 to 300 ° C. in a nitrogen atmosphere or in a vacuum state for the purpose of reducing the linear expansion coefficient during the heat treatment step. It is preferable to add a heat treatment step for 1 to 24 hours.

前記(B)のエポキシ樹脂は、使用した硬化剤によって硬化後のエポキシ樹脂の屈折率が異なるが、本発明においては、各々、硬化後の屈折率が、用いられるガラス繊維の屈折率よりも低く、或いは高くなるものであれば特に限定されない。   The epoxy resin (B) has a different refractive index of the cured epoxy resin depending on the curing agent used. In the present invention, the refractive index after curing is lower than the refractive index of the glass fiber used. Or it will not be specifically limited if it becomes high.

屈折率の低いエポキシ樹脂、或いは高いエポキシ樹脂としては、ガラス繊維として、EガラスやSガラスなど屈折率が1.52以上のガラス繊維を用いる場合、酸無水物を硬化剤として、(i)比較的屈折率の低い脂環式エポキシ樹脂(下式(3)〜(8)など)、及び屈折率が中程度であるトリグリシジルイソシアヌレート(下式(9))から選ばれた少なくとも1種のエポキシ樹脂と、(ii)比較的屈折率の高いイオウ含有エポキシ樹脂(下式(1))及びフルオレン骨格含有エポキシ樹脂(下式(2))から選ばれた少なくとも1種のエポキシ樹脂の組み合わせなどが好ましい。   As an epoxy resin having a low refractive index or a high epoxy resin, when glass fiber having a refractive index of 1.52 or more such as E glass or S glass is used as a glass fiber, an acid anhydride is used as a curing agent, and (i) comparison At least one selected from alicyclic epoxy resins having a low refractive index (such as the following formulas (3) to (8)) and triglycidyl isocyanurate having a moderate refractive index (the following formula (9)) A combination of an epoxy resin and (ii) at least one epoxy resin selected from a sulfur-containing epoxy resin having a relatively high refractive index (the following formula (1)) and a fluorene skeleton-containing epoxy resin (the following formula (2)) Is preferred.

前記成分(i)としては、それらのうち、トリグリシジルイソシアヌレートが耐熱性の点からより好ましい。   Among them, triglycidyl isocyanurate is more preferable as the component (i) from the viewpoint of heat resistance.

一方、NEガラスなど屈折率が1.52未満のガラス繊維を用いる場合、酸無水物を硬化剤として、(i)比較的屈折率の低い脂環式エポキシ樹脂(下式(3)〜(8)など)から選ばれた少なくとも1種のエポキシ樹脂と、(ii)屈折率が中程度であるトリグリシジルイソシアヌレート(下式(9))、並びに比較的屈折率の高いイオウ含有エポキシ樹脂(下式(1))及びフルオレン骨格含有エポキシ樹脂(下式(2))から選ばれた少なくとも1種のエポキシ樹脂の組み合わせなどが好ましい。   On the other hand, when glass fibers having a refractive index of less than 1.52, such as NE glass, are used, (i) an alicyclic epoxy resin having a relatively low refractive index (the following formulas (3) to (8) )) And at least one epoxy resin selected from (ii) triglycidyl isocyanurate having a medium refractive index (the following formula (9)), and a sulfur-containing epoxy resin having a relatively high refractive index (below) A combination of at least one epoxy resin selected from the formula (1)) and a fluorene skeleton-containing epoxy resin (the following formula (2)) is preferable.

前記の比較的屈折率の低いエポキシ樹脂としては、下式(3)〜(8)にて示される脂環式エポキシ樹脂などが挙げられる。   Examples of the epoxy resin having a relatively low refractive index include alicyclic epoxy resins represented by the following formulas (3) to (8).

Figure 2008021575
Figure 2008021575

(式中、Rはアルキル基またはトリメチロールプロパン残基を示し、qは1〜20である。) (In the formula, R 6 represents an alkyl group or a trimethylolpropane residue, and q is 1 to 20.)

Figure 2008021575
Figure 2008021575

(式中、R及びRは各々独立して水素原子又はメチル基を示し、rは0〜2である。) (Wherein R 7 and R 8 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and r is 0 to 2).

Figure 2008021575
Figure 2008021575

(式中、sは0〜2である。)   (In the formula, s is 0 to 2.)

また、前記の屈折率が中程度であるトリグリシジルイソシアヌレートは下式(9)にて示される。   The triglycidyl isocyanurate having a medium refractive index is represented by the following formula (9).

Figure 2008021575
Figure 2008021575

前記の比較的屈折率の高いイオウ含有エポキシ樹脂としては、イオウを含有し、2つ以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であれば特に限定されず、耐熱性や透明性の点から下式(1)に示すエポキシ樹脂が好ましい。   The sulfur-containing epoxy resin having a relatively high refractive index is not particularly limited as long as it contains sulfur and has two or more epoxy groups. From the viewpoint of heat resistance and transparency, the following formula (1 The epoxy resin shown in FIG.

Figure 2008021575
Figure 2008021575

(式中、XはSまたはSOを示し、YはOまたはSを示す。R〜Rは各々独立に水素原子又はメチル基を示し、nは0〜2である。) (In the formula, X represents S or SO 2 , Y represents O or S. R 1 to R 4 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group, and n is 0 to 2.)

式(1)で示されるエポキシ樹脂の中でも、反応性、耐熱性や取り扱い易さから、XがSO、Yが酸素、R〜R10がすべて水素、nが0〜1であるビスフェノールSが最も好ましい。 Among the epoxy resins represented by the formula (1), bisphenol S in which X is SO 2 , Y is oxygen, R 5 to R 10 are all hydrogen, and n is 0 to 1 because of reactivity, heat resistance and ease of handling. Is most preferred.

前記の比較的屈折率の高いフルオレン骨格含有エポキシ樹脂としては、フルオレン骨格を含有し、2つ以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であれば特に限定されないが、耐熱性や透明性の点から下式(2)で示されるエポキシ樹脂が好ましい。   The fluorene skeleton-containing epoxy resin having a relatively high refractive index is not particularly limited as long as it contains an fluorene skeleton and has two or more epoxy groups, but the following formula is used from the viewpoint of heat resistance and transparency. The epoxy resin represented by (2) is preferred.

Figure 2008021575
Figure 2008021575

(式中、Rは水素又はメチル基を示し、mは0〜2である。) (In the formula, R 5 represents hydrogen or a methyl group, and m is 0 to 2.)

硬化後の屈折率の異なるエポキシ樹脂は、目的とする屈折率に応じて適宜の配合割合で混合し硬化することができ、エポキシ樹脂の屈折率をガラス繊維の屈折率に調整することができる。   Epoxy resins having different refractive indexes after curing can be mixed and cured at an appropriate blending ratio according to the target refractive index, and the refractive index of the epoxy resin can be adjusted to the refractive index of the glass fiber.

本発明で用いられるエポキシ樹脂には、柔軟性付与するなどのため、所望の特性を損なうことのない範囲で、単官能のエポキシ化合物を併用してもよい。この場合、樹脂全体の屈折率をガラス繊維の屈折率に合うように配合量を調整する。   The epoxy resin used in the present invention may be used in combination with a monofunctional epoxy compound as long as desired properties are not impaired, for example, to impart flexibility. In this case, the blending amount is adjusted so that the refractive index of the entire resin matches the refractive index of the glass fiber.

本発明に用いるエポキシ樹脂は、硬化剤もしくは重合開始剤存在下、加熱又は活性エネルギー線を照射し、硬化して用いる。硬化剤は、特に限定されないが、優れた透明性の硬化物が得られやすいことから、酸無水物系の硬化剤やカチオン系触媒が好ましい。   The epoxy resin used in the present invention is used after being cured by heating or irradiation with active energy rays in the presence of a curing agent or a polymerization initiator. The curing agent is not particularly limited, but an acid anhydride-based curing agent or a cationic catalyst is preferable because an excellent transparent cured product can be easily obtained.

酸無水物の硬化剤としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチル無水ナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチル水添無水ナジック酸、水添無水ナジック酸などがあげられ、なかでも透明性が優れることからメチルヘキサヒドロ無水フタル酸やメチル水添無水ナジック酸が好ましい。   Examples of acid anhydride curing agents include phthalic anhydride, maleic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, methyl nadic anhydride, nadic anhydride, glutaric anhydride, Examples include methylhexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methyl hydrogenated nadic acid anhydride, and hydrogenated nadic acid anhydride. Among them, methyl hexahydrophthalic anhydride and methyl hydrogenated anhydrous Acid is preferred.

酸無水物系硬化剤を使用する場合は、硬化促進剤を併用することが好ましい。この硬化促進剤としては、1,8−ジアザ−ビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、トリエチレンジアミン等の三級アミン類、2−エチル−4−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート等のリン化合物、四級アンモニウム塩、有機金属塩類、およびこれらの誘導体等があげられ、これらのなかでもリン化合物が好ましい。これら硬化促進剤は、単独で用いてもよく2種以上を併用してもよい。   When using an acid anhydride curing agent, it is preferable to use a curing accelerator in combination. Examples of the curing accelerator include 1,8-diaza-bicyclo (5,4,0) undecene-7, tertiary amines such as triethylenediamine, imidazoles such as 2-ethyl-4-methylimidazole, and triphenylphosphine. And phosphorus compounds such as tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, quaternary ammonium salts, organometallic salts, and derivatives thereof, among which phosphorus compounds are preferred. These curing accelerators may be used alone or in combination of two or more.

酸無水物系硬化剤の使用量は、エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量に対して、酸無水物系硬化剤における酸無水物基を0.5〜1.5当量に設定することが好ましく、0.7〜1.2当量がより好ましい。   The amount of the acid anhydride curing agent used is preferably set to 0.5 to 1.5 equivalents of the acid anhydride group in the acid anhydride curing agent with respect to 1 equivalent of the epoxy group in the epoxy resin. 0.7-1.2 equivalent is more preferable.

また、カチオン系触媒としては、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸、三フッ化ホウ素アミン錯体、三フッ化ホウ素のアンモニウム塩、芳香族ジアゾニウム塩、芳香族スルホニウム塩、芳香族ヨウドニウム塩、アルミニウム錯体を含有するカチオン系触媒等をあげることができ、これらのなかでもアルミニウム錯体を含有するカチオン系触媒が好ましい。   Cationic catalysts include acetic acid, benzoic acid, salicylic acid, p-toluenesulfonic acid and other organic acids, boron trifluoride amine complexes, boron trifluoride ammonium salt, aromatic diazonium salt, aromatic sulfonium salt, aromatic Examples thereof include cationic catalysts containing a group iodonium salt and an aluminum complex, and among these, a cationic catalyst containing an aluminum complex is preferred.

本発明のプラスチックフィルムに配合するガラス繊維の屈折率は特に限定されるものではないが、組み合わせる樹脂の屈折率の調整が容易なように1.50〜1.57の範囲にあるのが好ましい。特にガラス繊維の屈折率が1.50〜1.54である場合は、ガラスのアッベ数に近い樹脂が選択でき好ましい。樹脂とガラスとのアッベ数が近いと広い波長領域において両者の屈折率が一致し、広い波長領域で高い光線透過率が得られる。   Although the refractive index of the glass fiber mix | blended with the plastic film of this invention is not specifically limited, It is preferable to exist in the range of 1.50-1.57 so that adjustment of the refractive index of resin to combine is easy. In particular, when the refractive index of the glass fiber is 1.50 to 1.54, a resin close to the Abbe number of the glass can be selected, which is preferable. When the Abbe numbers of the resin and glass are close, the refractive indexes of the two coincide in a wide wavelength region, and a high light transmittance is obtained in a wide wavelength region.

本発明に用いるガラス繊維は、ガラス繊維フィラメント(短繊維又は長繊維)、ガラス繊維織布、ガラス繊維不織布などのいずれでもよいが、中でもガラス繊維織布が好ましい。なお、本発明でガラス繊維という場合には、ガラスパウダー、ガラスビーズ、1mm以下のガラス繊維(短繊維)は含まない。   The glass fibers used in the present invention may be any of glass fiber filaments (short fibers or long fibers), glass fiber woven fabrics, glass fiber nonwoven fabrics, etc., among which glass fiber woven fabrics are preferred. In the present invention, glass fiber does not include glass powder, glass beads, or 1 mm or less glass fiber (short fiber).

ガラスの種類としては、Eガラス、Cガラス、Aガラス、Sガラス、Dガラス、NEガラス、Tガラス、クォーツ、低誘導率ガラス、高誘導率ガラスなどがあげられ、中でもアルカリ金属などのイオン性不純物が少なく、入手が容易なEガラス、Sガラス、Tガラス、NEガラスが好ましい。   Examples of the glass include E glass, C glass, A glass, S glass, D glass, NE glass, T glass, quartz, low inductivity glass, and high inductivity glass. E glass, S glass, T glass, and NE glass, which have few impurities and are easily available, are preferred.

ガラス繊維としてガラス繊維織布を用いる場合、フィラメントの織りかたに限定はなく、平織り、ななこ織り、朱子織り、綾織りなどが適用でき、中でも平織りが好ましい。   When a glass fiber woven fabric is used as the glass fiber, the method of weaving the filament is not limited, and plain weave, Nanako weave, satin weave, twill weave, etc. can be applied, and plain weave is preferred.

ガラス繊維織布の厚みは、通常、30〜200μmであるのが好ましく、より好ましくは40〜150μmである。   In general, the thickness of the glass fiber woven fabric is preferably 30 to 200 μm, and more preferably 40 to 150 μm.

ガラス繊維織布やガラス不織布などのガラス繊維布は1枚だけでもよく、複数枚を重ねて用いてもよい。   Only one glass fiber cloth such as a glass fiber woven cloth or a glass non-woven cloth may be used, or a plurality of glass fiber cloths may be used.

プラスチックフィルム組成物におけるガラス繊維の配合量は、1〜90重量%が好ましく、より好ましくは10〜80重量%、さらに好ましくは30〜70重量%である。ガラス繊維の配合量がこれより少ないと、線膨張係数が本発明の範囲に入らず、一方、これより多いと成形外観が低下する傾向にある。   The blending amount of the glass fiber in the plastic film composition is preferably 1 to 90% by weight, more preferably 10 to 80% by weight, and still more preferably 30 to 70% by weight. When the blending amount of the glass fiber is less than this, the linear expansion coefficient does not fall within the scope of the present invention. On the other hand, when the blending amount is larger than this, the molded appearance tends to be lowered.

以上のようにして得られたプラスチックフィルム基板は、30℃から150℃における線膨張係数が、0ppm/℃以上、40ppm/℃以下であり、好ましくは0ppm/℃以上、30ppm/℃以下の範囲である。本発明において、線膨張係数の測定方法は、以下の方法による。   The plastic film substrate thus obtained has a linear expansion coefficient at 30 ° C. to 150 ° C. of 0 ppm / ° C. or more and 40 ppm / ° C. or less, preferably 0 ppm / ° C. or more and 30 ppm / ° C. or less. is there. In the present invention, the linear expansion coefficient is measured by the following method.

JIS K7197に準じて、セイコー電子(株)製TMA/Ss120C型熱応力歪測定装置を用いて測定した。   According to JIS K7197, it measured using the TMA / Ss120C type | mold thermal stress strain measuring device by Seiko Electronics Co., Ltd.

〔プラスチックフィルム基板上にガス遮蔽性の層を形成する工程〕
本発明において、ガス遮蔽性の層を形成する工程は、少なくともガスバリア層を形成する工程を有することが好ましい。
[Process for forming a gas shielding layer on a plastic film substrate]
In the present invention, the step of forming a gas shielding layer preferably includes at least a step of forming a gas barrier layer.

ガスバリア層を有すると、プラスチックフィルムのガス透過性が大幅に低下するので、外気に含まれる水蒸気、酸素による有機EL素子へのダメージを抑制することによって、発光寿命を延ばすことができる。また、発光中に時間とともに増加する非点灯領域の拡大を抑制することができる。   When the gas barrier layer is provided, the gas permeability of the plastic film is significantly reduced. Therefore, the light emission life can be extended by suppressing damage to the organic EL element caused by water vapor and oxygen contained in the outside air. In addition, expansion of the non-lighting area that increases with time during light emission can be suppressed.

本発明の他の好ましい態様としては、プラスチックフィルム基板の透明電極側に、プラスチックフィルム基板/ガスバリア層/中間コート層/ガスバリア層を順に形成する工程を有することが好ましい。   As another preferable aspect of the present invention, it is preferable to have a step of sequentially forming a plastic film substrate / gas barrier layer / intermediate coat layer / gas barrier layer on the transparent electrode side of the plastic film substrate.

またプラスチックフィルム基板の透明電極側と反対側に、プラスチックフィルム基板/ガスバリア層/オーバーコート層を形成する工程を有することが好ましい。   Moreover, it is preferable to have the process of forming a plastic film board | substrate / gas barrier layer / overcoat layer on the opposite side to the transparent electrode side of a plastic film board | substrate.

従って、好ましい層構成としては、オーバーコート層/ガスバリア層/プラスチックフィルム基板/ガスバリア層/中間コート層/ガスバリア層/透明電極となるような態様が挙げられる。   Therefore, as a preferable layer structure, an embodiment in which an overcoat layer / gas barrier layer / plastic film substrate / gas barrier layer / intermediate coat layer / gas barrier layer / transparent electrode is used.

ガスバリア層としては、透明性を有する無機酸化物膜を設けることが好ましい。この無機酸化物膜は、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化イットリウム、酸化ゲルマニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ホウ素、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、酸化鉛、酸化ジルコニウム、酸化ナトリウム、酸化リチウム、酸化カリウム等の1種あるいは2種以上の酸化物を用いて形成することができ、特に酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタンが好適に使用できる。   As the gas barrier layer, an inorganic oxide film having transparency is preferably provided. This inorganic oxide film is composed of silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide, yttrium oxide, germanium oxide, zinc oxide, magnesium oxide, calcium oxide, boron oxide, strontium oxide, barium oxide, lead oxide, zirconium oxide, sodium oxide, oxide It can be formed using one kind or two or more kinds of oxides such as lithium and potassium oxide. In particular, silicon oxide, aluminum oxide, and titanium oxide can be preferably used.

無機酸化物膜は酸化珪素を用いた場合、スパッタロールコート装置に装填し、DCマグネトロンスパッタにより、酸素を反応性ガスに用いた反応性スパッタでSiをターゲットとして用いてSiOx膜を形成でき、厚みは、バリアー性と透明性とを考慮して10nm〜500nmの範囲で適宜設定することができる。このような無機酸化物膜は2層以上の多層構成であってもよく、また、窒化珪素等の窒化物を副成分として含有したものであってもよい。   When silicon oxide is used as the inorganic oxide film, it can be loaded into a sputtering roll coater, and a SiOx film can be formed by DC magnetron sputtering using Si as a target by reactive sputtering using oxygen as a reactive gas. Can be appropriately set in the range of 10 nm to 500 nm in consideration of barrier properties and transparency. Such an inorganic oxide film may have a multilayer structure of two or more layers, or may contain a nitride such as silicon nitride as a subcomponent.

オーバーコート層は熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、紫外線硬化樹脂などを溶液、ラテックスあるいは無溶媒のまま、ワイアーバー、イクストルージョン、マイクログラビア、リバースロールなどの塗布方法、蒸着法、スパッター法などの方法で形成することができる。   The overcoat layer is made of thermoplastic resin, thermosetting resin, UV curable resin, etc. in solution, latex, or solvent-free, wire bar, extrusion, micro gravure, reverse roll, etc. coating method, vapor deposition method, sputtering method, etc. It can form by the method of.

厚みは0.5μmから5μmの範囲が好ましい。   The thickness is preferably in the range of 0.5 μm to 5 μm.

また中間コート層は熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、紫外線硬化樹脂などを溶液、ラテックスあるいは無溶媒のまま、ワイアーバー、イクストルージョン、マイクログラビア、リバースロールなどの方法で形成することができる。   The intermediate coating layer can be formed by a method such as wire bar, extrusion, microgravure, reverse roll, etc. with a thermoplastic resin, thermosetting resin, ultraviolet curable resin, etc. in a solution, latex, or no solvent.

厚みは0.5μmから5μmの範囲が好ましい。   The thickness is preferably in the range of 0.5 μm to 5 μm.

本発明において、前記ガス遮蔽性の層を有するプラスチックフィルム基板の水蒸気透過率は、0.01g/m・24hr以下(JISK7129B法に基づき40℃90%RH時の測定値)であることが好ましい。 In the present invention, the water vapor permeability of the plastic film substrate having the gas shielding layer is preferably 0.01 g / m 2 · 24 hr or less (measured value at 40 ° C. and 90% RH based on JIS K7129B method). .

0.01g/m・24hr以下であれば、有機EL素子の発光寿命を実用的な時間で確保でき、また非発光領域(ダークスポット)の成長が目立たないレベルに抑制できる。 If it is 0.01 g / m 2 · 24 hr or less, the light emission lifetime of the organic EL element can be secured in a practical time, and the growth of the non-light-emitting region (dark spot) can be suppressed to an inconspicuous level.

〔ガス遮蔽性の層の上に、透明電極層を設けて透明電極付き基板を形成する工程〕
透明電極層は、通常、有機EL素子における陽極として機能し、陽極は、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。
[Step of providing a transparent electrode layer on a gas shielding layer to form a substrate with a transparent electrode]
The transparent electrode layer normally functions as an anode in an organic EL device, and the anode is preferably a material having a work function (4 eV or more) of a metal, an alloy, an electrically conductive compound and a mixture thereof as an electrode material.

このような電極物質の具体例としてはAuなどの金属、Cul、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnOなどの導電性透明材料が挙げられる。 Specific examples of such electrode materials include metals such as Au, conductive transparent materials such as Cul, indium tin oxide (ITO), SnO 2 , and ZnO.

上記陽極は蒸着やスパッタリングなどの方法によりこれらの電極物質の薄膜を形成させ、フォトリソグラフイー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、或いはパターン精度をあまり必要としない場合(100μm以上程度)は、上記電極物質の蒸着やスパックリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。   The anode may be formed by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering, and a pattern having a desired shape may be formed by a photolithographic method, or when pattern accuracy is not required so much (about 100 μm or more) ) May form a pattern through a mask having a desired shape at the time of vapor deposition or spucking of the electrode material.

この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、または、陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1μm、好ましくは10nm〜200nmの範囲で選ばれる。   When light emission is extracted from the anode, it is desirable that the transmittance is greater than 10%, or the sheet resistance as the anode is preferably several hundred Ω / □ or less. Further, although the film thickness depends on the material, it is usually selected in the range of 10 nm to 1 μm, preferably 10 nm to 200 nm.

本発明において、前記透明電極付き基板を形成した後、該基板をレーザーカッターを用いて所望の形状に切断する工程を有することが好ましい。基板そのものを小片に加工したり、任意の形状に切断加工したりする場合があるが、その場合に端部の微細な破片が発光層形成時に異物となり、高い歩留まりが得られない問題があるが、かかる切断において、通常の切断ナイフやハサミなどでは切り屑が生じ、特に本発明ではガラス繊維が装填されているので、そのガラス繊維の細かなガラス片が生じ、洗浄後の基板の表面に異物として残る問題があるが、レーザーカッターで切断すると、切断面の凹凸もなく、切り屑が生じない効果がある。なお、ガラス繊維が混入していないプラスチックフィルム基板をレーザーカッターで切断すると、炭化して粉が生じるが、ガラス繊維が混入している本発明の基板の場合には、炭化することなく、粉も生じない。   In this invention, after forming the said board | substrate with a transparent electrode, it is preferable to have the process of cut | disconnecting this board | substrate into a desired shape using a laser cutter. There are cases where the substrate itself is processed into small pieces or cut into an arbitrary shape, but in that case, there is a problem that fine fragments at the edges become foreign matters when the light emitting layer is formed, and high yield cannot be obtained. In such cutting, chips are generated with a normal cutting knife, scissors, etc. In particular, since glass fibers are loaded in the present invention, fine glass pieces of the glass fibers are generated, and foreign substances are generated on the surface of the substrate after cleaning. However, there is no unevenness of the cut surface when cutting with a laser cutter, and there is an effect that chips are not generated. When a plastic film substrate not mixed with glass fiber is cut with a laser cutter, it is carbonized to produce powder. However, in the case of the substrate of the present invention mixed with glass fiber, the powder is not carbonized. Does not occur.

レーザーは炭酸ガスレーザーが好ましく、エネルギーは20Wから50Wの範囲が好ましい。   The laser is preferably a carbon dioxide laser, and the energy is preferably in the range of 20W to 50W.

次に、本発明においては、前記透明電極付き基板をレーザーカッターを用いて所望の形状に切断する工程を経た後、有機溶媒による洗浄工程と該基板の真空下での脱気工程とを経由した後、有機層を形成することが好ましい。洗浄によって基板端部の切断切り屑の除去および切断部のプラスチックオリゴマーの除去による清浄化が実現し、脱気によってプラスチック基板中に拡散した有機溶媒や水分、酸素ガスの除去が実現し、得られた有機EL素子の長寿命化を図ることができるからである。   Next, in the present invention, after passing through the step of cutting the substrate with a transparent electrode into a desired shape using a laser cutter, the substrate was subjected to a cleaning step with an organic solvent and a deaeration step under vacuum of the substrate. Thereafter, it is preferable to form an organic layer. By cleaning, it is possible to remove the cutting chips at the edge of the substrate and to clean by removing the plastic oligomer at the cutting portion, and to remove organic solvent, moisture and oxygen gas diffused in the plastic substrate by degassing. This is because the lifetime of the organic EL element can be extended.

有機溶媒による洗浄工程で用いる有機溶媒としては、イソプロピルアルコール、エタノールなどのアルコール系溶媒が好ましい。なかでもイソプロピルアルコールが好ましい。   As the organic solvent used in the washing step with an organic solvent, alcohol solvents such as isopropyl alcohol and ethanol are preferable. Of these, isopropyl alcohol is preferred.

基板の真空下での脱気工程における真空度は10−3Paから10−7Paの範囲が好ましい。また、基板の内部に存在する水分や空気などのガス成分は基板内を拡散によって移動するため、基板が存在しないときの十分、排気時間を経た真空チャンバーの表示圧力と本発明の基板を設置したときの到達圧力は通常では差が生じる。基板からの放出ガスによる圧力上昇が、基板の存在しないときと同様で、実質的に無視できるくらいの圧力差となるよう、十分排気時間をとることが重要である。従って、所定の真空度に到達した直後に直ちに有機EL素子の各層の成膜を開始するのではなく、真空チャンバー内の圧力の時間変化がほとんどなくなった状態で成膜し、有機EL素子を形成することが肝要である。 The degree of vacuum in the degassing step of the substrate under vacuum is preferably in the range of 10 −3 Pa to 10 −7 Pa. In addition, since gas components such as moisture and air that exist inside the substrate move by diffusion in the substrate, the display pressure of the vacuum chamber and the substrate of the present invention that has been exhausted sufficiently are installed when there is no substrate. Usually, the ultimate pressure varies. It is important to allow sufficient evacuation time so that the pressure increase due to the gas released from the substrate becomes a pressure difference that is substantially negligible, as in the case where the substrate does not exist. Therefore, the film formation of each layer of the organic EL element is not started immediately after reaching a predetermined degree of vacuum, but the film is formed with almost no change in pressure in the vacuum chamber over time to form the organic EL element. It is important to do.

〔透明電極層の上に少なくとも発光層を含む有機層を形成する工程〕
本発明では、前記透明電極層を設けて透明電極付き基板を形成する工程後に、該透明電極層上に平坦化層を形成する工程を有し、次いで有機層を形成することが好ましい。
[Step of forming an organic layer including at least a light emitting layer on the transparent electrode layer]
In this invention, it is preferable to have the process of forming a planarization layer on this transparent electrode layer after the process of providing the said transparent electrode layer and forming a board | substrate with a transparent electrode, and then forming an organic layer.

平坦化層を形成すると、基板表面に存在する場合がある急峻な凹凸がなだらかになり、素子形成後に陽極と陰極との間で電界が集中することによるリーク電流が抑制される。有機EL素子に電圧を印加し次第に上昇させた場合、最初にショートする箇所は電界の集中する箇所であるため、平坦化層を形成した場合は、面積を拡大しても素子が焼損しにくくなり、発光の歩留まりが向上する。   When the planarization layer is formed, steep unevenness that may exist on the substrate surface becomes gentle, and leakage current due to concentration of the electric field between the anode and the cathode after the element formation is suppressed. When a voltage is applied to the organic EL element and gradually raised, the first short-circuited part is the part where the electric field concentrates. Therefore, when the planarization layer is formed, the element is not easily burned even if the area is increased. The yield of light emission is improved.

平坦化層としては、導電性材料が広く使えるが、電極から電荷を注入されやすい材料であって、分子が扁平な板状で、積み重なりやすい材料が好ましい。フタロシアニン系の材料が好ましく、特に銅フタロシアニン類(CuPC)が好ましい。平坦化層の形成は、真空中で蒸着法、スパッタ法、ケミカルベーパデポジション(CVD)法などの方法で形成することができる。   As the planarization layer, a conductive material can be widely used. However, a material in which charges are easily injected from an electrode and a molecule having a flat plate shape and easy to stack is preferable. Phthalocyanine-based materials are preferable, and copper phthalocyanines (CuPC) are particularly preferable. The planarization layer can be formed by a method such as vapor deposition, sputtering, or chemical vapor deposition (CVD) in vacuum.

平坦化層の厚みは1nmから50nmが好ましいが、厚すぎると発光電圧が高くなり、電力効率が低下する。また1nm未満では基板の表面の凹凸を十分に隠すことが出来ず、出来上がった素子に電圧を掛けた場合にリーク電流の増加と電流集中による破損の可能性が大きくなる。   The thickness of the planarization layer is preferably 1 nm to 50 nm, but if it is too thick, the light emission voltage increases and the power efficiency decreases. If the thickness is less than 1 nm, the unevenness of the surface of the substrate cannot be sufficiently hidden, and when a voltage is applied to the completed device, the leakage current increases and the possibility of damage due to current concentration increases.

なお、本発明における有機層については、後で詳しく説明するので、ここでは省略する。   In addition, since it demonstrates in detail later about the organic layer in this invention, it abbreviate | omits here.

〔有機層の上に対向電極を形成する工程〕
対向電極は、通常、陰極として機能し、陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウムーカリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al23)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属などが挙げられる。
[Step of forming counter electrode on organic layer]
The counter electrode normally functions as a cathode. As the cathode, a material having a small work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof is used. Preferably used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like.

これらの中で、電子注入性及び酸化などに対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えばマグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al23)混合物、リチウム/アルミニウム混合物などが好適である。 Among these, a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function value than this from the viewpoint of durability against electron injecting and oxidation, for example, a magnesium / silver mixture, magnesium / Aluminum mixtures, magnesium / indium mixtures, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, lithium / aluminum mixtures and the like are preferred.

上記陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。または、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜1μm、好ましくは50nm〜200nmの範囲で選ばれる。尚、発光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極の何れか一方が、透明または半透明であれば発光効率が向上するので好都合である。   The cathode can be produced by forming a thin film from these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. Alternatively, the sheet resistance as the cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 1 μm, preferably 50 nm to 200 nm. In order to transmit light, if either one of the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or translucent, the light emission efficiency is improved, which is convenient.

〔封止工程〕
本発明においては、このようにして透光性の基板上に形成された、前記有機EL素子を構成する各層の上(対向電極の上)に、別の封止部材を用いて封止する。
[Sealing process]
In this invention, it seals on each layer (on a counter electrode) which comprises the said organic EL element formed on the translucent board | substrate in this way using another sealing member.

封止部材としては、ガラス、樹脂、セラミック、金属、金属化合物、またはこれらの複合体等で形成してもよく、JIS Z−0208に準拠した試験において、その厚さが1μm以上で水蒸気透過率が1g/m2・24hr(1.013×10−1MPa、25℃)以下であることが望ましい。 The sealing member may be formed of glass, resin, ceramic, metal, metal compound, or a composite thereof. In a test based on JIS Z-0208, the thickness is 1 μm or more and the water vapor transmission rate. Is 1 g / m 2 · 24 hr (1.013 × 10 −1 MPa, 25 ° C.) or less.

また、本発明に係る透光性のプラスチックフィルム基板を用いることも好ましく、両方の基板を透湿性の低い、可撓性の高い基板とすることで、衝撃に強い有機EL素子が形成出来、また、発光面が曲面である面光源にも適用可能である。   Moreover, it is also preferable to use the light-transmitting plastic film substrate according to the present invention. By making both the substrates low in moisture permeability and highly flexible, an organic EL element resistant to impact can be formed. The present invention can also be applied to a surface light source whose light emitting surface is a curved surface.

また、対向電極側(陰極、例えばAl、Mg電極側)の封止部材(ガラス、フィルム等)においても、電界発光が吸収されたり、背面側に光が拡散するのを抑制するため、封止部材の陰極(Al、Mgなど)側に向き合う表面には白色酸化チタンを充填した顔料層を形成することが好ましい。   In addition, the sealing member (glass, film, etc.) on the counter electrode side (cathode, eg, Al, Mg electrode side) is sealed in order to prevent electroluminescence from being absorbed or light from diffusing to the back side. It is preferable to form a pigment layer filled with white titanium oxide on the surface of the member facing the cathode (Al, Mg, etc.) side.

封止は、封止部材の、例えば、対向陰極(上部電極)側と向き合う面の周辺部に塗布法や転写法等によって設けられたほぼ枠状の接着剤層(又はシール材)を介して、対向する前記有機EL素子各層が形成された透光性の基板とが互いに貼り合わされることで行われる。   Sealing is performed through a substantially frame-shaped adhesive layer (or sealing material) provided by a coating method, a transfer method, or the like on the periphery of the surface of the sealing member facing, for example, the counter cathode (upper electrode) side. This is performed by pasting together the transparent substrates on which the respective layers of the organic EL elements facing each other are formed.

接着剤層は、熱硬化型エポキシ系樹脂、紫外線硬化型エポキシ系樹脂、または反応開始剤をマイクロカプセル化して加圧することにより反応が開始する常温硬化型エポキシ系樹脂等を用いることができる。この場合、接着剤層の所定の箇所には空気逃げ用開口部等を設け(図省略)封止を完全にする。空気逃げ用開口部は、真空装置内において減圧雰囲気(真空度1.33×10−2MPa以下が好ましい)或いは窒素ガスまたは不活性ガス雰囲気中において、上記硬化型エポキシ系樹脂のいずれか、或いは紫外線硬化型樹脂等で封止される。 For the adhesive layer, a thermosetting epoxy resin, an ultraviolet curable epoxy resin, or a room temperature curable epoxy resin in which a reaction starts by microencapsulating and pressurizing a reaction initiator can be used. In this case, an air escape opening or the like is provided at a predetermined portion of the adhesive layer (not shown) to complete the sealing. The air escape opening is one of the above curable epoxy resins in a reduced pressure atmosphere (preferably a degree of vacuum of 1.33 × 10 −2 MPa or less) in a vacuum apparatus, or in a nitrogen gas or inert gas atmosphere, or Sealed with an ultraviolet curable resin or the like.

エポキシ系樹脂の例としては、ビスフェノールA形、ビスフェノールF形、ビスフェノールAD形、ビスフェノールS形、キシレノール形、フェノールノボラック形、クレゾールノボラック形、多官能形、テトラフェニロールメタン形、ポリエチレングリコール形、ポリプロピレングリコール形、ヘキサンジオール形、トリメチロールプロパン形、プロピレンオキサイドビスフェノールA形、水添ビスフェノールA形、またはこれらの混合物を主剤としたものである。   Examples of epoxy resins include bisphenol A, bisphenol F, bisphenol AD, bisphenol S, xylenol, phenol novolac, cresol novolac, polyfunctional, tetraphenylolmethane, polyethylene glycol, polypropylene A glycol type, hexanediol type, trimethylolpropane type, propylene oxide bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, or a mixture thereof is mainly used.

又、本発明において、素子内に水分を吸収する、或いは水分と反応する材料(例えば酸化バリウム等)を上記基板に層形成して封入することもできる。   In the present invention, a material that absorbs moisture or reacts with moisture (for example, barium oxide) can be formed in a layer on the substrate and sealed.

《有機EL素子の構成層とドーパント》
本発明において、有機層は少なくとも発光層を有していればよく、ここで、発光層は、広義の意味では、陰極と陽極からなる電極に電流を流した際に発光する層のことであり、具体的には、陰極と陽極からなる電極に電流を流した際に発光する化合物を含有する層のことをさす。
<< Component layer and dopant of organic EL element >>
In the present invention, the organic layer only needs to have at least a light emitting layer, and in the broad sense, the light emitting layer is a layer that emits light when a current is passed through an electrode composed of a cathode and an anode. Specifically, it refers to a layer containing a compound that emits light when an electric current is passed through an electrode composed of a cathode and an anode.

本発明において、発光層は、発光層の主材料となる発光層ホスト(以下、ホスト化合物ともいう)にりん光材料(以下、りん光性化合物ともいう)をドーパントとして含有させたものである。 In the present invention, the light emitting layer is obtained by adding a phosphorescent material (hereinafter also referred to as a phosphorescent compound) as a dopant to a light emitting layer host (hereinafter also referred to as a host compound) which is a main material of the light emitting layer.

本発明において好ましい有機層は、正孔輸送性と電子輸送性等、異なる機能を有する第1の層および第2の層の間に発光層を設けたものがよい。   In the present invention, a preferable organic layer is one in which a light emitting layer is provided between the first layer and the second layer having different functions such as hole transport property and electron transport property.

一般に、発光層を構成する材料が2種以上であるとき、主成分をホスト化合物、その他の成分をドーパントといい、本発明においては、上記のように前記リン光性ドーパントが用いられる。   In general, when there are two or more materials constituting the light emitting layer, the main component is called a host compound and the other components are called dopants. In the present invention, the phosphorescent dopant is used as described above.

その場合、主成分であるホスト化合物に対するドーパントの混合比は好ましくは質量で0.1質量%〜15質量%未満である。   In that case, the mixing ratio of the dopant to the host compound as the main component is preferably 0.1% by mass to less than 15% by mass.

(ホスト化合物)
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、ホスト化合物としては、有機EL素子に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いてもよい。また前記の正孔輸送材料や電子輸送材料の殆どが発光層ホスト化合物としても使用できる。
(Host compound)
In the organic electroluminescent device of the present invention, as the host compound, any known compound used for the organic EL device may be selected and used. Most of the above hole transport materials and electron transport materials can also be used as the light emitting layer host compound.

ホスト化合物としては、有機化合物または錯体であることが好ましい。例えば高分子材料でもよく、さらに前記ホスト化合物を高分子鎖に導入した、または前記ホスト化合物を高分子の主鎖とした高分子材料を使用してもよい。   The host compound is preferably an organic compound or a complex. For example, a polymer material may be used, and a polymer material in which the host compound is introduced into a polymer chain or the host compound is a polymer main chain may be used.

発光ホスト(ホスト化合物)との例としては、カルバゾール誘導体、ビフェニル誘導体、スチリル誘導体、ベンゾフラン誘導体、チオフェン誘導体、アリールシラン誘導体等の部分構造を単位として含む材料が挙げられる。なかでもカルバゾール誘導体とビフェニル誘導体は高い発光効率を示す好ましい発光材料である。 ホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Tg(ガラス転移温度)である化合物が好ましい。   Examples of the light-emitting host (host compound) include a material including a partial structure such as a carbazole derivative, a biphenyl derivative, a styryl derivative, a benzofuran derivative, a thiophene derivative, or an arylsilane derivative as a unit. Of these, a carbazole derivative and a biphenyl derivative are preferable light emitting materials exhibiting high light emission efficiency. As the host compound, a compound that has a hole transporting ability and an electron transporting ability, prevents the emission of light from being increased in wavelength, and has a high Tg (glass transition temperature) is preferable.

(ドーパント)
近年、プリンストン大から励起三重項からのりん光発光を用いる有機EL素子の報告がなされ(M.A.Baldo et al.,nature、395巻、151〜154頁(1998年))、励起一重項からの蛍光発光を用いる有機EL素子に比べて、原理的に発光効率が最大4倍となり注目されている。本発明においても、りん光性化合物(ドーパント)を含有することが発光効率の点で好ましい。
(Dopant)
In recent years, Princeton University has reported an organic EL device using phosphorescence emission from excited triplets (MABaldo et al., Nature, 395, 151-154 (1998)), and fluorescence emission from excited singlets. Compared with organic EL elements using the above, the luminous efficiency is four times as much in principle and has been attracting attention. Also in this invention, it is preferable from the point of luminous efficiency to contain a phosphorescent compound (dopant).

本発明におけるりん光性化合物とは励起三重項からの発光が観測される化合物であり、りん光量子収率が、25℃において0.001以上の化合物である。りん光量子収率は好ましくは0.01以上、更に好ましくは0.1以上である。   The phosphorescent compound in the present invention is a compound in which light emission from an excited triplet is observed, and is a compound having a phosphorescence quantum yield of 0.001 or more at 25 ° C. The phosphorescence quantum yield is preferably 0.01 or more, more preferably 0.1 or more.

上記りん光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中でのりん光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に用いられるりん光性化合物は、任意の溶媒の何れかにおいて上記りん光量子収率が達成されれば良い。   The phosphorescence quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 398 (1992 edition, Maruzen) of the 4th edition Experimental Chemistry Course 7. Although the phosphorescence quantum yield in a solution can be measured using various solvents, the phosphorescence compound used in the present invention only needs to achieve the above phosphorescence quantum yield in any solvent.

ドーパントの原理としては2種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをドーパントに移動させることでドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはドーパントがキャリアトラップとなり、ドーパント化合物上でキャリアの再結合が起こりドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、ドーパント化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。   There are two types of principle of the dopant. One is the recombination of the carrier on the host where the carrier is transported to generate an excited state of the host compound, and this energy is transferred to the dopant to emit light from the dopant. The other is a carrier trap type in which the dopant becomes a carrier trap, and carrier recombination occurs on the dopant compound, and light emission from the dopant is obtained. The condition is that the excited state energy of is lower than the excited state energy of the host compound.

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、ドーパントとして用いられるりん光性化合物としては、好ましくは元素の周期律表でVIII属の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくは、イリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物(白金錯体系化合物)であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。   In the organic electroluminescence device of the present invention, the phosphorescent compound used as a dopant is preferably a complex compound containing a Group VIII metal in the periodic table of elements, more preferably an iridium compound or an osmium compound. Or a platinum compound (platinum complex compound), and most preferred is an iridium compound.

以下に、本発明で用いられるりん光性化合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。これらの化合物は、例えば、Inorg.Chem.40巻、1704〜1711に記載の方法等により合成できる。なお含有するりん光性化合物は、重合性官能基または反応性官能基を有していてもいなくてもよい。   Specific examples of the phosphorescent compound used in the present invention are shown below, but are not limited thereto. These compounds can be synthesized, for example, by the method described in Inorg. Chem. 40, 1704-1711. The phosphorescent compound to be contained may or may not have a polymerizable functional group or a reactive functional group.

Figure 2008021575
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本発明の有機層は、発光層の他に、正孔輸送層、電子輸送層、陽極バッファー層及び陰極バッファー層等を有し、陰極と陽極で挟持されていることが好ましい。   The organic layer of the present invention preferably has a hole transport layer, an electron transport layer, an anode buffer layer, a cathode buffer layer, and the like in addition to the light emitting layer, and is sandwiched between the cathode and the anode.

有機層の具体的な層構成としては以下に示される構造が挙げられる。   Specific structures of the organic layer include the structures shown below.

(i)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
(ii)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(I) Anode / hole transport layer / light emitting layer / cathode (ii) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode
(Iii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode (iv) Anode / anode buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode

《発光層》
本発明の有機EL素子に係る発光層について説明する。
<Light emitting layer>
The light emitting layer according to the organic EL device of the present invention will be described.

発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子および正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であっても良い。   The light-emitting layer is a layer that emits light by recombination of electrons and holes injected from the electrode, the electron transport layer, or the hole transport layer. It may be an interface with an adjacent layer.

その形成方法としては、例えば、蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法などの公知の方法により薄膜を形成することが出来るが、本発明では、特に蒸着法が好ましい。   As the formation method, for example, a thin film can be formed by a known method such as a vapor deposition method, a spin coating method, a casting method, or an LB method. In the present invention, the vapor deposition method is particularly preferable.

一般的に発光層は正孔輸送層よりも陰極側に配置する方が素子の性能上好ましく、従って正孔輸送材料に比べれば発光層に用いられる材料は全て相対的には(本発明の定義では)電子輸送材料になる。   In general, it is preferable that the light emitting layer is disposed on the cathode side of the hole transport layer from the viewpoint of the performance of the device. Therefore, compared with the hole transport material, all the materials used for the light emitting layer are relatively (definition of the present invention). So it becomes an electron transport material.

尚、本発明において、正孔輸送材料および電子輸送材料と言う場合には、該2つの材料のうち、より最高被占分子軌道(HOMO)レベルの高い(真空順位から近い)ものが正孔輸送材料、もう一方が電子輸送材料と定義する。   In the present invention, when referring to a hole transport material and an electron transport material, a material having a higher highest occupied molecular orbital (HOMO) level (close to the vacuum order) is the hole transport. The material is defined as the electron transport material.

(発光層の膜厚)
このようにして形成された発光層の膜厚については特に制限はなく、状況に応じて適宜選択することができるが、5nm〜5μmの範囲に膜厚調整することが好ましい。
(Film thickness of the light emitting layer)
There is no restriction | limiting in particular about the film thickness of the light emitting layer formed in this way, Although it can select suitably according to a condition, It is preferable to adjust film thickness in the range of 5 nm-5 micrometers.

次に、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等、発光層と組み合わせて有機EL素子を構成するその他の層について説明する。   Next, other layers constituting the organic EL element in combination with the light emitting layer, such as a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, and an electron transport layer, will be described.

《正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層》
本発明に用いられる、正孔注入層、正孔輸送層は、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有し、この正孔注入層、正孔輸送層を陽極と発光層の間に介在させることにより、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入され、その上、)発光層に陰極、電子注入層、または電子輸送層より注入された電子は、発光層と正孔注入層もしくは正孔輸送層の界面に存在する電子の障壁により、発光層内の界面に累積され発光効率が向上するなど発光性能の優れた素子となる。
<< Hole injection layer, hole transport layer, electron injection layer, electron transport layer >>
The hole injection layer and hole transport layer used in the present invention have a function of transmitting holes injected from the anode to the light emitting layer, and the hole injection layer and hole transport layer serve as the anode and the light emitting layer. In addition, a large number of holes are injected into the light emitting layer with a lower electric field, and electrons injected from the cathode, the electron injection layer, or the electron transport layer into the light emitting layer are separated from the light emitting layer. Due to an electron barrier existing at the interface of the hole injection layer or the hole transport layer, it is accumulated at the interface in the light emitting layer, and the light emitting efficiency is improved.

《正孔注入材料、正孔輸送材料》
この正孔注入層、正孔輸送層の材料(以下、正孔注入材料、正孔輸送材料という)については、前記の陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有する性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝性材料において、正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているものやEL素子の正孔注入層、正孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
《Hole injection material, hole transport material》
The material of the hole injection layer and hole transport layer (hereinafter referred to as hole injection material and hole transport material) has the property of transmitting holes injected from the anode to the light emitting layer. If it is a thing, there will be no restriction | limiting in particular, In a photoconductive material, what is conventionally used as a charge injection transport material of a hole, and the well-known thing used for the hole injection layer of a EL element, a hole transport layer are used. Any one can be selected and used.

上記正孔注入材料、正孔輸送材料は、正孔の注入もしくは輸送、電子の障壁性の何れかを有するものであり、有機物、無機物の何れであってもよい。この正孔注入材料、正孔輸送材料としては、例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ビラゾリン誘導体及びビラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニりん系共重合体、または、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマーなどが挙げられる。正孔注入材料、正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフイリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。   The hole injection material and the hole transport material have any one of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic. Examples of the hole injection material and hole transport material include triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, virazoline derivatives and virazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazoles. Derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, or conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers. As the hole injecting material and the hole transporting material, those described above can be used, and porphyrin compounds, aromatic tertiary amine compounds, and styrylamine compounds, particularly aromatic tertiary amine compounds can be used. preferable.

上記芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′一テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−P−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−P−トリルアミノフェニル)シクロへキサン;N,N,N′,N′−テトラ−P−トリルー4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−P−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロへキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−P−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′ −ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−P−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−P−トリルアミノ)スチリル〕スチルペン;4−N,N−ジフェニルアミノー(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシー4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、更に、米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(α−NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターパースト型に連結された4,4′,4〃−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルア
ミン(MTDATA)などが挙げられる。
Representative examples of the aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ′, N ′ monotetraphenyl-4,4′-diaminophenyl; N, N′-diphenyl-N, N ′. -Bis (3-methylphenyl)-[1,1'-biphenyl] -4,4'-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-P-tolylaminophenyl) propane; Bis (4-di-P-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-P-tolyl 4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-P -Tolylaminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-P-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N'-diphenyl- N, N'-di (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di- P-tolylamino) -4 '-[4- (di-P-tolylamino) styryl] stilpene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4'-N, N-diphenyl Aminostilbenzene; N-phenylcarbazole, and those having two condensed aromatic rings described in US Pat. No. 5,061,569 in the molecule, such as 4,4′-bis [ N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (α-NPD), 4,4 ′ in which three triphenylamine units described in JP-A-4-308688 are linked in a star-perst type , 4〃-Tris [N- (3-methylpheny ) -N-phenylamino] triphenylamine (MTDATA).

更に、これらの材料を高分子鎖に導入した、または、これらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。   Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.

または、P型−Si、P型−SiCなどの無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。この正孔注入層、正孔輸送層は、上記正孔注入材料、正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法などの公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。   Alternatively, inorganic compounds such as P-type-Si and P-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material. The hole injection layer and the hole transport layer are formed by thinning the hole injection material and the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, or an LB method. Can be formed.

(正孔注入層の膜厚、正孔輸送層の膜厚)
正孔注入層、正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、5nm〜5μm程度での範囲に調整することが好ましい。この正孔注入層、正孔輸送層は、上記材料の一種または二種以上からなる一層構造であってもよく、同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
(Hole injection layer thickness, hole transport layer thickness)
Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of a positive hole injection layer and a positive hole transport layer, It is preferable to adjust to the range about 5 nm-5 micrometers. The hole injection layer and hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials, or may have a laminated structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.

《電子輸送層、電子輸送材料》
本発明に係る電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
<< Electron transport layer, electron transport material >>
The electron transport layer according to the present invention is only required to have a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer, and as the material thereof, any one of conventionally known compounds can be selected and used. Can do.

この電子輸送層に用いられる材料(以下、電子輸送材料という)の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオビランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラカルポン酸無水物、カルポジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、有機金属錯体などが挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。   Examples of materials used for this electron transport layer (hereinafter referred to as electron transport materials) include nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiobilane dioxide derivatives, heterocyclic tetracarponic anhydrides such as naphthalene perylene, carposimide, fluoreni Examples include redenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, oxadiazole derivatives, and organometallic complexes. Furthermore, in the above oxadiazole derivative, a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group can also be used as an electron transport material.

更に、これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。   Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.

または、8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えばトリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)、トリス(5,7−ジクロロー8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)など、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。   Or metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) aluminum, tris (2-Methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), etc., and the central metals of these metal complexes are In, Mg, Cu, Metal complexes replaced with Ca, Sn, Ga, or Pb can also be used as the electron transport material.

その他、メタルフリーまたはメタルフタロシアニン、更には、それらの末端がアルキル基やスルホン酸基などで置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。または、発光層の材料として例示したジスチリルビラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、n型−Si、n型−SiCなどの無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。   In addition, metal-free or metal phthalocyanine, and those having the terminal substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transport material. Alternatively, the distyrylvirazine derivative exemplified as the material for the light-emitting layer can also be used as an electron transport material, and like the hole injection layer and the hole transport layer, n-type-Si, n-type-SiC, and the like can be used. Inorganic semiconductors can also be used as electron transport materials.

この電子輸送層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法などの公知の薄膜形成法により製膜して形成することができる。   This electron transport layer can be formed by forming the above compound by a known thin film forming method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, or an LB method.

(電子輸送層の膜厚)
電子輸送層の膜厚は特に制限はないが、5nm〜5μmの範囲に調整することが好ましい。この電子輸送層は、これらの電子輸送材料一種または二種以上からなる一層構造であってもよいし、或いは、同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
(Film thickness of electron transport layer)
Although the film thickness of an electron carrying layer does not have a restriction | limiting in particular, It is preferable to adjust to the range of 5 nm-5 micrometers. This electron transport layer may have a single layer structure composed of one or two or more of these electron transport materials, or may have a laminated structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.

また、本発明においては、蛍光性化合物は発光層のみに限定することはなく、発光層に隣接した正孔輸送層、または電子輸送層に前記りん光性化合物のホスト化合物となる蛍光性化合物と同じ領域に蛍光極大波長を有する蛍光性化合物を少なくとも1種含有させてもよく、それにより更にEL素子の発光効率を高めることができる。これらの正孔輸送層や電子輸送層に含有される蛍光性化合物としては、発光層に含有されるものと同様に蛍光極大波長が350nm〜440nm、更に好ましくは390nm〜410nmの範囲にある蛍光性化合物が用いられる。   Further, in the present invention, the fluorescent compound is not limited to the light emitting layer, and the hole transport layer adjacent to the light emitting layer, or the fluorescent compound serving as a host compound of the phosphorescent compound in the electron transport layer; At least one fluorescent compound having a fluorescent maximum wavelength may be contained in the same region, whereby the luminous efficiency of the EL element can be further increased. As the fluorescent compound contained in these hole transport layer and electron transport layer, the fluorescent compound having a fluorescence maximum wavelength in the range of 350 nm to 440 nm, more preferably 390 nm to 410 nm, as in the light emitting layer. A compound is used.

次に、有機層を有する有機EL素子を作製する好適な例を説明する。例として、前記の陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極からなるEL素子の作製法について説明する。   Next, a suitable example for producing an organic EL element having an organic layer will be described. As an example, a method for manufacturing an EL element composed of the anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode will be described.

まず適当な基板上に、所望の電極用物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、1μm以下、好ましくは10〜200nmの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させて陽極を作製する。次に、この上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層/電子注入層からなる薄膜を形成させる。   First, a thin film made of a desired electrode material, for example, an anode material is formed on a suitable substrate by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably 10 to 200 nm. An anode is produced. Next, a thin film comprising a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer / electron injection layer, which is a device material, is formed thereon.

更に、陽極と発光層または正孔注入層の間、及び、陰極と発光層または電子注入層との間にはバッファー層(電極界面層)を存在させてもよい。   Further, a buffer layer (electrode interface layer) may be present between the anode and the light emitting layer or hole injection layer and between the cathode and the light emitting layer or electron injection layer.

バッファー層とは、駆動電圧低下や発光効率向上のために電極と有機層問に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(第123頁〜第166頁)に詳細に記載されており、陽極バッファー層と陰極バッファー層とがある。   The buffer layer is a layer provided on the electrode and the organic layer in order to lower the driving voltage and improve the luminous efficiency. “The organic EL element and its forefront of industrialization (November 30, 1998, NTS Corporation) Issue) ”, Chapter 2,“ Electrode Materials ”(pages 123 to 166) in detail, and includes an anode buffer layer and a cathode buffer layer.

陽極バッファー層は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルフアスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。   The details of the anode buffer layer are also described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069 and the like. As a specific example, a phthalocyanine buffer layer represented by copper phthalocyanine Examples thereof include an oxide buffer layer typified by vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, and a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) or polythiophene.

陰極バッファー層は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウム、酸化リチウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。   The details of the cathode buffer layer are also described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like, specifically, metals represented by strontium, aluminum, and the like. Examples include a buffer layer, an alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride, an alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride, an oxide buffer layer typified by aluminum oxide and lithium oxide, and the like.

上記バッファー層はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるが、その膜厚は0.1〜100nmの範囲が好ましい。   The buffer layer is preferably a very thin film, and depending on the material, the film thickness is preferably in the range of 0.1 to 100 nm.

更に上記基本構成層の他に必要に応じてその他の機能を有する層を積層してもよく、例えば特開平11−204258号公報、同11−204359号公報、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層などのような機能層を有していても良い。   Furthermore, in addition to the above basic constituent layers, layers having other functions may be laminated as required. For example, JP-A-11-204258, JP-A-11-204359, and “Organic EL devices and their industrialization most recently”. It may have a functional layer such as a hole blocking layer described on page 237 of the front line (published on November 30, 1998 by NTT).

本発明に係る有機EL素子の製法については、前述したが、以下に補足説明する。   Although the manufacturing method of the organic EL element according to the present invention has been described above, a supplementary explanation will be given below.

薄膜化の方法としては、前記の如くスピンコート法、キャスト法、蒸着法などがあるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくいなどの点から、真空蒸着法が好ましい。薄膜化に真空蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類、分子堆積膜の目的とする結晶構造、会合構造などにより異なるが、一般にボート加熱温度50〜450℃、真空度10-6〜10-3Pa、蒸着速度0.01nm/秒〜50nm/秒、基板温度−50℃〜300℃、膜厚5nm〜5μmの範囲で適宜選ぶことが望ましい。 As the thinning method, there are a spin coating method, a casting method, a vapor deposition method and the like as described above, but a vacuum vapor deposition method is preferable because a homogeneous film can be easily obtained and pinholes are hardly generated. When the vacuum deposition method is adopted for thinning, the deposition conditions vary depending on the type of compound used, the target crystal structure of the molecular deposition film, the association structure, etc., but generally the boat heating temperature is 50 to 450 ° C., the degree of vacuum It is desirable to select appropriately within a range of 10 −6 to 10 −3 Pa, a deposition rate of 0.01 nm / second to 50 nm / second, a substrate temperature of −50 ° C. to 300 ° C., and a film thickness of 5 nm to 5 μm.

前記の様に、プラスチックフィルム基板上に所望の電極用物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させて陽極を作製した後、該陽極上に前記の通り正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層/電子注入層からなる各層薄膜を形成させた後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、例えば蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させて陰極を設け、所望の有機EL素子が得られる。   As described above, a desired electrode material, for example, a thin film made of an anode material is formed on the plastic film substrate by a method such as vapor deposition or sputtering, and then an anode is prepared. Then, holes are injected onto the anode as described above. After forming each layer thin film composed of a layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer / electron injection layer, a thin film composed of a cathode material is formed thereon by a method such as vapor deposition or sputtering, for example. A desired organic EL element can be obtained.

この有機EL素子の作製は、一回の真空引きで一貫してこの様に正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、発光層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた有機EL素子に、直流電圧を印加する場合には、陽極を+、陰極を−の極性として電圧5〜40V程度を印加すると、発光が観測できる。または、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。更に、交流電圧を印加する場合には、陽極が+、陰極が−の状態になったときのみ発光する。尚、印加する交流の波形は任意でよい。   The organic EL device is preferably produced from the hole injection layer to the cathode in this manner consistently by a single evacuation. However, the production order is reversed so that the cathode, the electron injection layer, the light emitting layer, It is also possible to produce the hole injection layer and the anode in this order. In the case of applying a DC voltage to the organic EL device thus obtained, light emission can be observed by applying a voltage of about 5 to 40 V with the positive polarity of the anode and the negative polarity of the cathode. Or even if a voltage is applied with the opposite polarity, no current flows and no light emission occurs. Further, when an AC voltage is applied, light is emitted only when the anode is in the + state and the cathode is in the-state. The alternating current waveform to be applied may be arbitrary.

以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples.

実施例1
《ガラス繊維含有架橋樹脂入りプラスチックシートの作製》
下記多官能アクリレート樹脂(架橋後の屈折率1.560)を下記ガラス繊維に含浸した後に紫外線硬化装置により連続的に硬化し、樹脂60重量%、ガラス繊維40重量%、幅30cm、長さ100m、厚さ100μmのプラスチックフィルム(1)を得た。
Example 1
<Production of glass sheet containing glass fiber-containing crosslinked resin>
The following glass fiber is impregnated with the following polyfunctional acrylate resin (refractive index after cross-linking: 1.560), and then continuously cured by an ultraviolet curing device, resin 60% by weight, glass fiber 40% by weight, width 30 cm, length 100 m. A plastic film (1) having a thickness of 100 μm was obtained.

<多官能アクリレート樹脂>
ジシクロペンタジエニルジアクリレート(式1)
(東亞合成(株)製M−203、架橋後の屈折率1.527) 58重量部
ビス[4−(アクリロイロキシエトキシ)フェニル]スルフィド(式3)
(東亞合成(株)試作品TO−2066、架橋後の屈折率1.606) 42重量部
光重合開始剤(1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン
(チバスペシャリティケミカル製、イルガキュア184) 0.5重量部
<Multifunctional acrylate resin>
Dicyclopentadienyl diacrylate (Formula 1)
(M-203 manufactured by Toagosei Co., Ltd., refractive index 1.527 after crosslinking) 58 parts by weight Bis [4- (acryloyloxyethoxy) phenyl] sulfide (Formula 3)
(Toagosei Co., Ltd. prototype TO-2066, refractive index after crosslinking 1.606) 42 parts by weight Photopolymerization initiator (1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone (manufactured by Ciba Specialty Chemicals, Irgacure 184) 0.5 Parts by weight

<ガラス繊維>
Eガラス系のガラスクロス(厚さ50μm、屈折率1.560、ユニチカクロス製E06B(#1080))
<Glass fiber>
E glass-based glass cloth (thickness 50 μm, refractive index 1.560, Unitika cloth E06B (# 1080))

得られたプラスチックフィルム(1)の30℃から150℃における線膨張係数は、18ppmであった。   The obtained plastic film (1) had a linear expansion coefficient of 18 ppm at 30 ° C. to 150 ° C.

またこのプラスチックフィルム(1)のガラス転移温度は、tanδmaxで評価したところ300℃以上であった。このプラスチックフィルム(1)の全光線透過率は90%であった。   Further, the glass transition temperature of this plastic film (1) was 300 ° C. or higher as evaluated by tan δmax. The total light transmittance of this plastic film (1) was 90%.

次に、図1に示すように、このプラスチックフィルム(符号1)を、スパッタロールコート装置に装填し、DCマグネトロンスパッタにより、酸素を反応性ガスに用いた反応性スパッタでSiをターゲットとして用いて、プラスチックフィルム(符号1)上に膜厚60nmのSiOx(x=1.8,XPSによる)の成膜を行って、これをガスバリア層(符号2)を形成した。   Next, as shown in FIG. 1, this plastic film (reference numeral 1) is loaded into a sputtering roll coater, and DC magnetron sputtering is used to perform reactive sputtering using oxygen as a reactive gas, using Si as a target. Then, a 60 nm-thick SiOx film (x = 1.8, based on XPS) was formed on a plastic film (reference numeral 1) to form a gas barrier layer (reference numeral 2).

次に、ガスバリア層(符号2)の上に、ロール巻き出し装置、マイクログラビアコーター、乾燥炉、UV照射装置、ロール巻取り装置を備える連続塗工機にて、エポキシアクリレートプレポリマー100重量部、ジエチレングリコール200重量部、酢酸エチル100重量部、ベンゼンエチルエーテル2重量部、シランカップリング剤1重量部の均一混合溶液を、連続塗工機のマイクログラビアコーターで塗布し、120℃の乾燥ゾーンを通過させた後、紫外線を照射して、2μmの厚さのオーバーコート層(符号3)を形成した。   Next, 100 parts by weight of an epoxy acrylate prepolymer in a continuous coating machine provided with a roll unwinding device, a micro gravure coater, a drying furnace, a UV irradiation device, and a roll winding device on the gas barrier layer (reference numeral 2), Apply a homogeneous mixed solution of 200 parts by weight of diethylene glycol, 100 parts by weight of ethyl acetate, 2 parts by weight of benzene ethyl ether, and 1 part by weight of silane coupling agent with a micro gravure coater of a continuous coating machine, and pass through a 120 ° C drying zone. Then, an ultraviolet ray was irradiated to form an overcoat layer (reference numeral 3) having a thickness of 2 μm.

次に、このオーバーコート層(符号3)を形成したプラスチックフィルム(符号1)をこのオーバーコート層(符号3)と反対面にガスバリア層(符号4)を成膜するために、スパッタロールコート装置に装填し、DCマグネトロンスパッタにより、酸素を反応性ガスに用いた反応性スパッタでSiをターゲットとして用いて、ガスバリア層1の対面に膜厚60nmのSiOx(x=1.8,XPSによる)の成膜を行って、これをガスバリア層(符号4)を形成した。   Next, in order to form a gas barrier layer (symbol 4) on the surface opposite to the overcoat layer (symbol 3) on the plastic film (symbol 1) on which the overcoat layer (symbol 3) is formed, a sputter roll coater is used. And 60 m thick SiOx (x = 1.8, XPS) on the opposite side of the gas barrier layer 1 by DC magnetron sputtering, using Si as a target by reactive sputtering using oxygen as a reactive gas. Film formation was performed to form a gas barrier layer (reference numeral 4).

次に、ガスバリア層(符号4)の上に中間コート層(符号5)をオーバーコート層(符号3)と同様に2μm形成し、これを中間コート層(符号5)とした。   Next, 2 μm of an intermediate coat layer (reference numeral 5) was formed on the gas barrier layer (reference numeral 4) in the same manner as the overcoat layer (reference numeral 3), and this was used as an intermediate coat layer (reference numeral 5).

最後に、この中間コート層(符号5)の上にバリア層(符号2)及び(符号4)と同様にSiOx(x=1.8,XPSによる) を膜厚60nm成膜し、これをガスバリア層(符号6)を形成した。   Finally, a SiOx film (x = 1.8, based on XPS) having a film thickness of 60 nm is formed on the intermediate coat layer (reference numeral 5) in the same manner as the barrier layers (reference numeral 2) and (reference numeral 4). A layer (symbol 6) was formed.

上記のようにガスバリア層(符号6)まで形成したプラスチックフィルム基板(符号10)をJISK7129B法に基づき40℃90%RH時の水蒸気透過率を測定したところ、0.01g/(m・24hr)以下であった。 When the water vapor permeability at 40 ° C. and 90% RH was measured on the plastic film substrate (reference numeral 10) formed up to the gas barrier layer (reference numeral 6) as described above according to the JISK7129B method, it was 0.01 g / (m 2 · 24 hr). It was the following.

《ITOの成膜と基板の裁断と洗浄》
上記基板のバリア層(符号6)の上に、酸化インジウムスズ(ITO)の透明電極(符号7)をスパッタにより100nmの厚みとなるように形成した。
《ITO film formation and substrate cutting and cleaning》
A transparent electrode (symbol 7) of indium tin oxide (ITO) was formed on the barrier layer (symbol 6) of the substrate so as to have a thickness of 100 nm by sputtering.

このときITOがスパッタされない部分をシャドーマスクを用いて同時に形成し、通電時の電極の形状を基板上に作成した。   At this time, a portion where ITO was not sputtered was simultaneously formed using a shadow mask, and the shape of the electrode when energized was created on the substrate.

これをレーザーカッター(炭酸ガスレーザー:エネルギー30W)をもちいて、30mm角の個片に切断した。   This was cut into 30 mm square pieces using a laser cutter (carbon dioxide laser: energy 30 W).

このITOパターン付きのプラスチック基板を純水、5%界面活性剤水溶液、アンモニア性過酸化水素水、イソプロピルアルコール(IPA)で逐次洗浄し、清浄な窒素雰囲気下で乾燥させた。(基板1)   This plastic substrate with an ITO pattern was sequentially washed with pure water, a 5% surfactant aqueous solution, ammoniacal hydrogen peroxide solution, and isopropyl alcohol (IPA), and dried in a clean nitrogen atmosphere. (Substrate 1)

〈本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の作製〉
<緑色りん光標準構成>
次に、本発明のITO電極付き基板(基板1)上に、銅フタロシアニン類(CuPC)を平坦化層(図示せず)として20nm蒸着し、その上に有機層(符号8)を形成した。
<Preparation of the organic electroluminescence device of the present invention>
<Green phosphorescence standard configuration>
Next, 20 nm of copper phthalocyanines (CuPC) was vapor-deposited as a planarizing layer (not shown) on the substrate with ITO electrodes (substrate 1) of the present invention, and an organic layer (reference numeral 8) was formed thereon.

有機層は、最初に平坦化層の上に、正孔輸送材料NPDを真空蒸着後、発光層ホストCBPと発光層ドーパントIr(ppy)3(例示Ir−1)を共蒸着で成膜した。次いで正孔阻止材料としてBAlq、電子輸送材料Alqを各10nm、40nmの厚さになるように成膜した。 As the organic layer, a hole transport material NPD was first vacuum-deposited on the planarizing layer, and then a light emitting layer host CBP and a light emitting layer dopant Ir (ppy) 3 (illustration Ir-1) were formed by co-evaporation. Then BAlq as the hole blocking material, was deposited to the electron transporting material Alq 3 becomes each 10 nm, a 40nm thick.

その上に対向電極(符号9)として、LiFを0.5nm、およびアルミニウムを150nm蒸着して積層型素子を形成した。   On top of this, LiF was deposited to 0.5 nm and aluminum was deposited to 150 nm as a counter electrode (symbol 9) to form a multilayer element.

この素子を窒素雰囲気下でステンレス製封止缶(符号10)と紫外線硬化性接着剤(符号11)を用いてはりあわせた。   This element was bonded using a stainless steel sealing can (symbol 10) and an ultraviolet curable adhesive (symbol 11) in a nitrogen atmosphere.

なお封止缶と素子の間には酸化バリウムを脱水剤として入れた。この素子にインジウムチンオキシド側を正、アルミニウム側を負として10Vの電圧を印加すると、ピーク波長510nmの緑色の発光が観察された。この素子をOLED1−1とする。   Barium oxide was added as a dehydrating agent between the sealing can and the element. When a voltage of 10 V was applied to this device with the indium tin oxide side being positive and the aluminum side being negative, green light emission having a peak wavelength of 510 nm was observed. This element is referred to as OLED1-1.

Figure 2008021575
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比較例1
<PETのITO基板の場合>
市販の0.2mm厚みのポリエチレンテレフタレート基板上に、酸化インジウムスズ(ITO)の透明電極をスパッタにより100nmの厚みとなるように形成した。このときITOがスパッタされない部分をシャドーマスクを用いて同時に形成し、通電時の電極の形状をポリエチレンテレフタレート基板上に作成した。
Comparative Example 1
<PET ITO substrate>
A transparent electrode of indium tin oxide (ITO) was formed on a commercially available 0.2 mm thick polyethylene terephthalate substrate by sputtering so as to have a thickness of 100 nm. At this time, a portion where ITO was not sputtered was simultaneously formed using a shadow mask, and the shape of the electrode when energized was formed on a polyethylene terephthalate substrate.

ポリエチレンテレフタレート基板の30℃から150℃における線膨張係数は、60 ppm/℃である。   The linear expansion coefficient of the polyethylene terephthalate substrate at 30 ° C. to 150 ° C. is 60 ppm / ° C.

次いで、各パターンを30×30mmの個片にナイフカッターで切り出し、このITOパターン付きのポリエチレンテレフタレート基板を純水、5%界面活性剤水溶液、アンモニア性過酸化水素水、イソプロピルアルコールで逐次洗浄し、清浄な窒素雰囲気下で乾燥させた。これを基板2とする。   Next, each pattern was cut into 30 × 30 mm pieces with a knife cutter, and the polyethylene terephthalate substrate with the ITO pattern was sequentially washed with pure water, 5% surfactant aqueous solution, ammoniacal hydrogen peroxide solution, isopropyl alcohol, Dry under a clean nitrogen atmosphere. This is called substrate 2.

〈比較用有機エレクトロルミネッセンス素子の作製〉
基板2上(インジウムチンオキシド透明電極(ITO電極)を有する洗浄済みポリエチレンテレフタレート基板)にCuPCを平坦化層として20nm蒸着し、正孔輸送材料NPDを真空蒸着後、発光層ホストCBPと発光層ドーパントIr(ppy)3を共蒸着で成膜し、次いで正孔阻止材料としてBAlq、電子輸送材料Alq3を各10nm、40nmの厚さになるように成膜し、次いで、LiFを0.5nmおよびAlを150nm膜厚で蒸着して陰極を形成して、有機EL素子を作製した。
<Production of comparative organic electroluminescence device>
On the substrate 2 (washed polyethylene terephthalate substrate having an indium tin oxide transparent electrode (ITO electrode)), CuPC is deposited as a planarizing layer to a thickness of 20 nm, the hole transport material NPD is vacuum deposited, and then the light emitting layer host CBP and the light emitting layer dopant are deposited. Ir (ppy) 3 was deposited by co-evaporation, then BAlq as the hole blocking material and electron transporting material Alq 3 were deposited to a thickness of 10 nm and 40 nm, respectively, and then LiF was 0.5 nm and Al was vapor-deposited with a film thickness of 150 nm to form a cathode to produce an organic EL device.

この素子を窒素雰囲気下でステンレス製封止缶と紫外線硬化性接着剤を用いてはりあわせた。なお封止缶と素子の間には酸化バリウムを脱水剤として入れた。   This element was bonded using a stainless steel sealing can and an ultraviolet curable adhesive in a nitrogen atmosphere. Barium oxide was added as a dehydrating agent between the sealing can and the element.

このようにして作製した有機EL素子OLED2−1とした。   Thus, it was set as the organic EL element OLED2-1 produced.

実施例2
実施例1の電極付きガラス繊維含有樹脂基板(基板1)を用いて、実施例1のレーザーカット後の基板洗浄のイソプロピルアルコールの代わりに純水で洗浄を行なった他は実施例1と同様にして、積層型素子を形成した。実施例1と同様に封止を施し、素子OLED1−2を得た。
Example 2
The same procedure as in Example 1 was performed except that the glass fiber-containing resin substrate with electrode of Example 1 (Substrate 1) was cleaned with pure water instead of isopropyl alcohol for cleaning the substrate after laser cutting in Example 1. Thus, a multilayer element was formed. Sealing was performed in the same manner as in Example 1 to obtain element OLED1-2.

実施例3
実施例1の電極付きガラス繊維含有樹脂基板(基板1)を用いて、真空排気を5×10−4Paの圧力で試作し、実施例1と同様な方法で封止を施し、素子OLED1−2を作製した。
Example 3
Using the glass fiber-containing resin substrate with an electrode of Example 1 (substrate 1), vacuum evacuation was prototyped at a pressure of 5 × 10 −4 Pa, sealing was performed in the same manner as in Example 1, and the element OLED1- 2 was produced.

実施例4
実施例1において、レーザーカットの代わりにナイフカットを採用した以外は、同様にして素子OLED1−4を作製した。
Example 4
In Example 1, the element OLED1-4 was produced similarly except having adopted the knife cut instead of the laser cut.

実施例5
実施例1において、レーザーカットの代わりにナイフカットを採用し、IPA洗浄を省略し、更に平坦化層を設けず、真空排気圧を表1のように高くした以外は同様にして素子OLED1−5を作製した。
Example 5
In Example 1, instead of laser cutting, knife cutting was adopted, IPA cleaning was omitted, a flattening layer was not provided, and the element OLED1-5 was similarly made except that the vacuum exhaust pressure was increased as shown in Table 1. Was made.

比較例2
比較例1において、基板2のITOパターニング後の断裁加工をレーザーカッターを用い、成膜時の真空排気を5×10−3Paで行った他は、比較例1と全く同様にして、積層型素子を形成し、素子OLED2−2を作製した。
Comparative Example 2
In Comparative Example 1, the laminated type was cut in the same manner as in Comparative Example 1, except that the cutting process after ITO patterning of the substrate 2 was performed using a laser cutter and the vacuum evacuation was performed at 5 × 10 −3 Pa. An element was formed to prepare an element OLED2-2.

比較例3
比較例1において、0.2mm厚みのポリカーボネート(線膨張係数は70ppm/℃)を基板にもちいて基板2と同様の方法で、ITOパターニング済みの基板3を作製した。比較例1とまったく同様にして、積層型素子を形成し、素子OLED3−1を作製した。
Comparative Example 3
In Comparative Example 1, an ITO patterned substrate 3 was produced in the same manner as the substrate 2 using a 0.2 mm thick polycarbonate (linear expansion coefficient is 70 ppm / ° C.). In exactly the same manner as in Comparative Example 1, a multilayer element was formed to produce an element OLED3-1.

〈有機エレクトロルミネッセンス素子の評価〉
以下のようにして得られた有機EL素子の評価を行い、結果を表1に示す。
<Evaluation of organic electroluminescence device>
The organic EL device obtained as described below was evaluated, and the results are shown in Table 1.

(発光輝度)
有機EL素子OLED1−1では、初期駆動電圧4Vで電流が流れ始め、緑色の発光を示した。有機EL素子OLED1−1の温度23℃、10V直流電圧を印加した時の発光輝度(cd/m2)、発光効率(lm/W)を測定した。
(Luminance brightness)
In the organic EL element OLED1-1, a current started to flow at an initial driving voltage of 4 V, and green light emission was displayed. The light emission luminance (cd / m 2 ) and light emission efficiency (lm / W) when a temperature of 23 ° C. and a 10 V DC voltage were applied to the organic EL element OLED1-1 were measured.

発光輝度、発光効率は有機エレクトロルミネッセンス素子OLED1−1を100とした時の相対値で表した。発光輝度については、CS−1000(ミノルタ製)を用いて測定した。   Luminance and luminous efficiency were expressed as relative values when the organic electroluminescence element OLED1-1 was 100. The light emission luminance was measured using CS-1000 (Minolta).

(耐久性・ダークスポット成長)
10mA/cm2の一定電流で200時間駆動させた後に、6mm×15mm四方の範囲での目視で確認できる非発光点(ダークスポット)の面積を測定した。
(Durability / Dark spot growth)
After driving for 200 hours at a constant current of 10 mA / cm 2 , the area of the non-emission point (dark spot) that can be visually confirmed in the range of 6 mm × 15 mm square was measured.

(輝度ムラ)
6mm×15mmの発光面を3mm×3mmの領域10箇所に区分けし、各領域の中央部の輝度を前述の発光輝度測定法で計測した後、輝度のバラツキを10個の測定値の最大輝度と最小輝度の差を10個の平均輝度で除して、変動率(輝度バラツキ)とした。
(Luminance unevenness)
After dividing the 6 mm × 15 mm light emitting surface into 10 3 mm × 3 mm regions and measuring the luminance of the central part of each region by the above-mentioned light emission luminance measurement method, the luminance variation is the maximum luminance of the ten measured values. The difference in minimum luminance was divided by 10 average luminances to obtain a variation rate (luminance variation).

(発光歩留まり)
各実施例、比較例の素子を10個同様に作製し、試作直後の最初の通電時に電流が流れるにもかかわらず、全面発光しないものを除き、良品として選定し、試作の容易性と異物欠陥の頻度の指標とした。
(Luminescence yield)
10 elements of each example and comparative example were produced in the same way, and they were selected as non-defective products except those that did not emit light even though current flowed at the first energization immediately after the trial production. It was used as an index of frequency.

Figure 2008021575
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表1から明らかなように、本発明の基板を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子ではダークスポットが大幅に減少し、特に断裁工程、洗浄工程を改良することで良品の収率(歩留まり)も向上することが明らかになった。   As is apparent from Table 1, dark spots are greatly reduced in the organic electroluminescence device using the substrate of the present invention, and the yield (yield) of non-defective products is also improved by improving the cutting process and the cleaning process. Became clear.

本発明の基板を使用することにより、発光歩留まりを向上させる効果があることがわかる(実施例1−5及び比較例2)。また実施例1−3ではレーザーカッターを使用しているため、ナイフを使用している実施例4−5に比べ、発光歩留まりが向上しており、本発明特有の基板とレーザーカッターを組み合わせることで相乗効果が得られることがわかる。   It turns out that there exists an effect which improves the light emission yield by using the board | substrate of this invention (Example 1-5 and Comparative Example 2). Moreover, since the laser cutter is used in Example 1-3, the light emission yield is improved as compared with Example 4-5 using a knife, and by combining the substrate unique to the present invention and the laser cutter. It turns out that a synergistic effect is acquired.

また、本発明の基板では有機溶媒での洗浄を併用することで、輝度ムラを低減できることがわかる(実施例1−4と実施例5)。更に実施例2と実施例1を対比すると、純水よりも有機溶媒の方が輝度ムラ低減効果が高いことがわかる。   Moreover, it turns out that brightness nonuniformity can be reduced by using together the washing | cleaning with an organic solvent in the board | substrate of this invention (Example 1-4 and Example 5). Further, when Example 2 and Example 1 are compared, it can be seen that the organic solvent has a higher luminance unevenness reducing effect than pure water.

さらに、本発明の基板と平坦化層を併用すると、実施例5と実施例1−4の対比から明らかなように、発光歩留まりが向上し、また実施例3−5と実施例1,2の対比から、蒸着時の真空排気圧をより高真空とすることで、長寿命化、即ちダークスポット成長が抑制されることがわかる。従って、発光歩留まりが向上し、輝度ムラが低減し、ダークスポット成長が抑制されることにより、複合的な効果として実用可能な可撓性のある耐衝撃性に優れたプラスチック製のバックライトが得られる。   Further, when the substrate of the present invention and the planarization layer are used in combination, as is clear from the comparison between Example 5 and Example 1-4, the light emission yield is improved. From the comparison, it can be seen that the lifetime is increased, that is, the dark spot growth is suppressed by setting the vacuum exhaust pressure at the time of vapor deposition to a higher vacuum. Therefore, the yield of light emission is improved, the unevenness of brightness is reduced, and the growth of dark spots is suppressed, so that a flexible and impact-resistant plastic backlight can be obtained as a combined effect. It is done.

また、本発明の30℃から150℃における線膨張係数が小さいプラスチック基板を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子では、発光輝度が高い場合であっても、発熱による変形や短絡による消灯が発生しにくいことが確認された。   In addition, in the organic electroluminescence device using a plastic substrate having a small linear expansion coefficient at 30 ° C. to 150 ° C. of the present invention, even when the emission luminance is high, it is difficult to cause deformation due to heat generation or turn off due to short circuit. confirmed.

本発明の有機EL素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用しても良いし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接祝認するタイプの表示装置(ディスプレイ)として使用しても良い。動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス(パッシブマトリクス)方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでも良い。または、異なる発光色を有する本発明の有機EL素子を2種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。   The organic EL device of the present invention may be used as a kind of lamp such as an illumination or exposure light source, a projection device that projects an image, or a display that directly celebrates a still image or a moving image. It may be used as a device (display). When used as a display device for reproducing moving images, the driving method may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method. Alternatively, a full color display device can be produced by using two or more organic EL elements of the present invention having different emission colors.

本発明の有機EL素子の一例を示す概略断面図Schematic sectional view showing an example of the organic EL device of the present invention

符号の説明Explanation of symbols

1:プラスチックフィルム
2:ガスバリア層
3:オーバーコート層
4:バリア層
5:中間コート層
6:ガスバリア層
7:透明電極
8:有機層
9:対向電極
10:ステンレス製封止缶
11:接着剤
1: Plastic film 2: Gas barrier layer 3: Overcoat layer 4: Barrier layer 5: Intermediate coat layer 6: Gas barrier layer 7: Transparent electrode 8: Organic layer 9: Counter electrode 10: Stainless steel sealing can 11: Adhesive

Claims (12)

ガス遮蔽性の層を有するプラスチックフィルムからなる基板上に、透明電極層と、少なくとも発光層を含む有機層と、対向電極とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記プラスチックフィルムは、架橋樹脂とガラス繊維とを含み、且つ該プラスチックフィルムの30℃から150℃における線膨張係数が、0ppm/℃以上、40ppm/℃以下であり、前記発光層が、発光層ホストとりん光材料からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
In an organic electroluminescence device having a transparent electrode layer, an organic layer including at least a light emitting layer, and a counter electrode on a substrate made of a plastic film having a gas shielding layer,
The plastic film includes a crosslinked resin and glass fiber, and the linear expansion coefficient of the plastic film at 30 ° C. to 150 ° C. is 0 ppm / ° C. or more and 40 ppm / ° C. or less, and the light emitting layer is a light emitting layer host. An organic electroluminescence device comprising a phosphorescent material.
前記ガラス繊維を、プラスチックフィルム組成物に対して、1〜90重量%配合することを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   2. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the glass fiber is blended in an amount of 1 to 90% by weight based on the plastic film composition. 前記ガス遮蔽性の層が、少なくともガスバリア層を有することを特徴とする請求項1又は2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescence element according to claim 1, wherein the gas shielding layer has at least a gas barrier layer. 前記ガス遮蔽性の層を有するプラスチックフィルムの水蒸気透過率が、0.01g/m・24hr以下(JIS K7129B法に基づき40℃90%RH時の測定値)であることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The water vapor permeability of the plastic film having the gas shielding layer is 0.01 g / m 2 · 24 hr or less (measured value at 40 ° C. and 90% RH based on JIS K7129B method). The organic electroluminescent element in any one of 1-3. 架橋樹脂とガラス繊維とを含むプラスチックフィルム基板を形成する工程と、
該プラスチックフィルム基板上にガス遮蔽性の層を形成する工程と、
該ガス遮蔽性の層の上に、透明電極層を設けて透明電極付き基板を形成する工程と、
該透明電極層の上に少なくとも発光層を含む有機層を形成する工程と、
該有機層の上に対向電極を形成する工程とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記プラスチックフィルム基板は、30℃から150℃における線膨張係数が、0ppm/℃以上、40ppm/℃以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
Forming a plastic film substrate containing a crosslinked resin and glass fiber;
Forming a gas shielding layer on the plastic film substrate;
Providing a transparent electrode layer on the gas-shielding layer to form a substrate with a transparent electrode;
Forming an organic layer including at least a light emitting layer on the transparent electrode layer;
Forming a counter electrode on the organic layer, and a method of manufacturing an organic electroluminescence element,
The method for producing an organic electroluminescent element, wherein the plastic film substrate has a linear expansion coefficient at 30 ° C. to 150 ° C. of not less than 0 ppm / ° C. and not more than 40 ppm / ° C.
前記透明電極付き基板を形成した後、該基板をレーザーカッターにより所望の形状に切断する工程を有することを特徴とする請求項5記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   6. The method of manufacturing an organic electroluminescent element according to claim 5, further comprising a step of cutting the substrate into a desired shape with a laser cutter after forming the substrate with a transparent electrode. 前記透明電極付き基板をレーザーカッターにより所望の形状に切断する工程を経た後、有機溶媒による洗浄工程と該基板の真空下での脱気工程とを経由した後、有機層を形成することを特徴とする請求項5又は6記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   After passing through the step of cutting the substrate with a transparent electrode into a desired shape with a laser cutter, the organic layer is formed after passing through a cleaning step with an organic solvent and a deaeration step under vacuum of the substrate. The manufacturing method of the organic electroluminescent element of Claim 5 or 6. 前記透明電極付き基板を形成する工程後に、該透明電極層上に導電性の平坦化層を形成する工程を有し、次いで有機層を形成することを特徴とする請求項5〜7の何れかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   8. The method according to claim 5, further comprising a step of forming a conductive flattening layer on the transparent electrode layer after the step of forming the substrate with a transparent electrode, and then forming an organic layer. The manufacturing method of the organic electroluminescent element of description. 前記ガラス繊維を、プラスチックフィルム組成物に対して、1〜90重量%配合することを特徴とする請求項5〜8の何れかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   The said glass fiber is mix | blended 1 to 90 weight% with respect to a plastic film composition, The manufacturing method of the organic electroluminescent element in any one of Claims 5-8 characterized by the above-mentioned. 前記ガス遮蔽性の層を形成する工程が、少なくともガスバリア層を形成する工程を有することを特徴とする請求項5〜9の何れかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   The method for producing an organic electroluminescent element according to claim 5, wherein the step of forming the gas shielding layer includes at least a step of forming a gas barrier layer. 前記ガス遮蔽性の層を有するプラスチックフィルムの水蒸気透過率が、0.01g/m・24hr以下(JISK7129B法に基づき40℃90%RH時の測定値)であることを特徴とする請求項5〜10の何れかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 6. The water vapor permeability of the plastic film having the gas shielding layer is 0.01 g / m 2 · 24 hr or less (measured value at 40 ° C. and 90% RH based on JISK7129B method). The manufacturing method of the organic electroluminescent element in any one of -10. 発光層が、発光層ホストとりん光材料からなることを特徴とする請求項5〜11の何れかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。


The method for producing an organic electroluminescent element according to claim 5, wherein the light emitting layer comprises a light emitting layer host and a phosphorescent material.


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