JP2003031371A - Organic electroluminescent element and blue light emitting element - Google Patents

Organic electroluminescent element and blue light emitting element

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JP2003031371A
JP2003031371A JP2001216944A JP2001216944A JP2003031371A JP 2003031371 A JP2003031371 A JP 2003031371A JP 2001216944 A JP2001216944 A JP 2001216944A JP 2001216944 A JP2001216944 A JP 2001216944A JP 2003031371 A JP2003031371 A JP 2003031371A
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light emitting
organic electroluminescent
layer
substituent
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Hideki Sato
秀樹 佐藤
Yoshiharu Sato
佳晴 佐藤
Akiko Ichinosawa
晶子 市野澤
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Mitsubishi Chemical Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To fully ensure the drive stability of an element in an organic electroluminescent element and to provide the element with high color purity. SOLUTION: This organic electroluminescent element has a luminescent layer clamped between an anode and a cathode, on a substrate, and a hole blocking layer on the cathode side interface of the luminescent layer. The hole blocking layer contains a compound expressed by a general formula (I). In the formula (I), a carbozolyl group and a phenylene group may have an arbitrary substituent, and Z shows a divalent linkage group.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は有機電界発光素子及
び青色発光素子に関するものであり、詳しくは、有機化
合物から成る発光層に電界をかけて光を放出する薄膜型
デバイスに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device and a blue light emitting device, and more particularly to a thin film type device which emits light by applying an electric field to a light emitting layer made of an organic compound.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、薄膜型の電界発光(EL)素子とし
ては、無機材料のII−VI族化合物半導体であるZnS、Ca
S、SrS等に、発光中心であるMnや希土類元素(Eu、Ce、
Tb、Sm等)をドープしたものが一般的であるが、上記の
無機材料から作製したEL素子は、 1)交流駆動が必要(50〜1000Hz)、 2)駆動電圧が高い(〜200V)、 3)フルカラー化が困難(特に青色)、 4)周辺駆動回路のコストが高い、 という問題点を有している。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a thin film type electroluminescence (EL) element, ZnS and Ca which are II-VI group compound semiconductors of inorganic materials have been used.
For S, SrS, etc., the emission center of Mn and rare earth elements (Eu, Ce,
Tb, Sm, etc.) are generally doped, but EL devices made from the above inorganic materials have the following features: 1) AC drive is required (50 to 1000 Hz), 2) High drive voltage (up to 200 V), 3) It is difficult to realize full color (especially blue), and 4) the cost of the peripheral drive circuit is high.

【0003】しかし、近年、上記問題点の改良のため、
有機薄膜を用いたEL素子の開発が行われるようになっ
た。特に、発光効率を高めるため、電極からのキャリア
ー注入の効率向上を目的として電極の種類の最適化を行
い、芳香族ジアミンから成る正孔輸送層と8-ヒドロキシ
キノリンのアルミニウム錯体から成る発光層とを設けた
有機電界発光素子の開発(Appl. Phys. Lett., 51巻, 9
13頁,1987年)により、従来のアントラセン等の単結晶
を用いたEL素子と比較して発光効率の大幅な改善がなさ
れている。また、例えば、8-ヒドロキシキノリンのアル
ミニウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレーザ
ー用蛍光色素をドープすること(J. Appl.Phys., 65巻,
3610頁,1989年)で、発光効率の向上や発光波長の変
換等も行われており、実用特性に近づいている。
However, in recent years, in order to improve the above problems,
Development of EL devices using organic thin films has started. In particular, in order to improve the light emission efficiency, the type of electrode was optimized for the purpose of improving the efficiency of carrier injection from the electrode, and a hole transport layer made of an aromatic diamine and a light emitting layer made of an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline were formed. Development of organic electroluminescent device with the structure (Appl. Phys. Lett., 51, 9
(Pp. 13, 1987), the luminous efficiency is significantly improved as compared with the conventional EL element using a single crystal such as anthracene. In addition, for example, by using an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline as a host material, doping a fluorescent dye for laser such as coumarin (J. Appl. Phys., Vol. 65,
(Page 3610, 1989), the emission efficiency has been improved and the emission wavelength has been converted.

【0004】上記の様な低分子材料を用いた電界発光素
子の他にも、発光層の材料として、ポリ(p-フェニレン
ビニレン)、ポリ[2-メトキシ-5-(2-エチルヘキシルオ
キシ)-1,4-フェニレンビニレン]、ポリ(3-アルキルチ
オフェン)等の高分子材料を用いた電界発光素子の開発
や、ポリビニルカルバゾール等の高分子に低分子の発光
材料と電子移動材料を混合した素子の開発も行われてい
る。
In addition to the electroluminescent device using the low molecular weight material as described above, poly (p-phenylene vinylene), poly [2-methoxy-5- (2-ethylhexyloxy)- 1,4-phenylene vinylene], poly (3-alkylthiophene), and other electroluminescent devices, and devices in which polymers such as polyvinylcarbazole are mixed with low-molecular emitting materials and electron transfer materials Is also being developed.

【0005】有機電界発光素子をフラットパネル・ディ
スプレイの分野に応用する際の大きな課題の一つとし
て、駆動安定性の向上が挙げられる。特に低分子材料を
積層させてなる有機電界発光素子において、青色素子の
寿命が他の発光色と比較して短いことが問題となってい
る。青色発光素子は発光色として青色を必要とするドッ
トマトリックス型フルカラー表示素子の他、白色発光素
子にも必要であり、その長寿命化は実用化において必須
の課題となっている。
One of the major problems in applying the organic electroluminescent device to the field of flat panel displays is improvement of driving stability. In particular, in an organic electroluminescence device formed by laminating a low molecular weight material, it is a problem that the life of a blue device is shorter than that of other emission colors. The blue light emitting element is required not only for the dot matrix type full-color display element that requires blue as a luminescent color but also for the white light emitting element, and the prolongation of its life is an essential issue in practical application.

【0006】また、小型文字表示素子への応用という点
では、主として、単純マトリクス駆動法が採用される。
この方法では、高デューティ比で素子を極めて短時間で
発光させるため、素子に発生する熱に対しては有利であ
るが、非常に高輝度で発光させる必要があり、そのため
寿命低下が促進されるという問題がある。
Further, in terms of application to a small character display element, the simple matrix driving method is mainly adopted.
In this method, since the element is made to emit light at a high duty ratio in an extremely short time, it is advantageous for heat generated in the element, but it is necessary to make the element emit light at extremely high brightness, which promotes shortening of life. There is a problem.

【0007】これまでに報告されている有機電界発光素
子では、基本的には正孔輸送層と電子輸送層との組み合
わせにより発光を得ている。この素子では、陽極から注
入された正孔は正孔輸送層を移動し、陰極から注入され
て電子輸送層を移動してくる電子と、両層の界面近傍で
再結合し、正孔輸送層および/または電子輸送層を励起
させて発光させるのが原理である。近年では正孔輸送層
と電子輸送層との間に発光層を設けることにより、発光
効率を向上させている素子が一般的である。
In the organic electroluminescence devices reported so far, light emission is basically obtained by a combination of a hole transport layer and an electron transport layer. In this device, the holes injected from the anode move in the hole transport layer, and recombine with the electrons injected from the cathode and move in the electron transport layer in the vicinity of the interface between both layers. And / or the principle is to excite the electron transport layer to emit light. In recent years, an element in which a light emitting layer is provided between a hole transporting layer and an electron transporting layer to improve the light emission efficiency is general.

【0008】さらに、発光層中での励起子生成を促進さ
せ、発光の高効率化と発光色の高純度化を目的に、発光
層と電子輸送層との間に正孔阻止層を設けることがあ
る。特に、青色発光素子では一般的である。これらの正
孔阻止層に関して、発光層と陰極との間に設けられる、
発光層のイオン化ポテンシャルよりも0.1eV以上大き
なイオン化ポテンシャルを有する正孔阻止層として、ト
リス(5,7-ジクロル-8-ヒドロキシキノリノ)アルミニ
ウム (特開平2-195683号公報)や、シラシクロペンタ
ジエン(特開平9- 87616号公報)よりなる正孔阻止層を
設けた素子が提案されているが、駆動安定性は十分では
なかった。この駆動劣化の要因としては、材料のガラス
転移温度(Tg)が低い事に由来する熱劣化や、電子や
正孔の注入により材料が還元・酸化されてしまう電気化
学的要因などが考えられている。
Further, a hole blocking layer is provided between the light emitting layer and the electron transporting layer for the purpose of promoting the generation of excitons in the light emitting layer and improving the efficiency of emission and the purification of emission color. There is. In particular, it is common in blue light emitting devices. With respect to these hole blocking layers, provided between the light emitting layer and the cathode,
As a hole blocking layer having an ionization potential larger than the ionization potential of the light emitting layer by 0.1 eV or more, tris (5,7-dichloro-8-hydroxyquinolino) aluminum (JP-A-2-195683) or silacyclo An element provided with a hole blocking layer made of pentadiene (Japanese Patent Laid-Open No. 9-87616) has been proposed, but the driving stability was not sufficient. As factors of this drive deterioration, thermal deterioration due to the low glass transition temperature (Tg) of the material, and electrochemical factors such that the material is reduced / oxidized by injection of electrons and holes are considered. There is.

【0009】有機電界発光素子において、高発光効率か
つ安定な素子を作製するためには、陰極から注入された
電子を効率よく発光層に輸送すること、および、発光層
を通過する正孔を阻止することが必要であり、そのため
の素子構造および材料に対して、更なる改良検討が望ま
れていた。
In the organic electroluminescent device, in order to manufacture a device having high luminous efficiency and stability, electrons injected from the cathode are efficiently transported to the light emitting layer and holes passing through the light emitting layer are blocked. Therefore, further improvement studies have been desired for the element structure and materials for that purpose.

【0010】なお、特開平8−60144号公報には
4,4’−ジ(N−カルバゾリル)ビフェニルを含む層
を、陰極界面層として用いた有機電界発光素子が記載さ
れているが、N−フェニルカルバゾール基を有する特定
構造の化合物が優れた正孔阻止作用を有することは、何
ら記載されていない。
Incidentally, Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. 8-60144 discloses an organic electroluminescence device using a layer containing 4,4'-di (N-carbazolyl) biphenyl as a cathode interface layer. It is not described at all that the compound having a specific structure having a phenylcarbazole group has an excellent hole blocking action.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、陰極から注
入された電子を効率よく発光層に輸送することができ、
また、発光層を通過する正孔を確実に阻止することがで
き、しかも耐熱劣化や電気化学的安定性にも優れた正孔
阻止層を有し、従って、目的とする発光色を高い色純度
で高効率に発光することが可能であり、更には駆動安定
性にも優れた有機電界発光素子及び青色発光素子を提供
することを目的とする。
The present invention is capable of efficiently transporting electrons injected from the cathode to the light emitting layer,
In addition, it has a hole blocking layer that can surely block holes passing through the light emitting layer and is excellent in heat deterioration and electrochemical stability. It is an object of the present invention to provide an organic electroluminescent device and a blue light emitting device which can emit light with high efficiency and have excellent driving stability.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明の有機電界発光素
子は、基板上に、陽極および陰極に挟持された発光層を
有し、該発光層の該陰極側の界面に接して正孔阻止層が
設けられた有機電界発光素子において、該正孔阻止層
が、下記一般式(I)で表わされる化合物を含むことを
特徴とする。
An organic electroluminescent device of the present invention has a light emitting layer sandwiched between an anode and a cathode on a substrate, and is in contact with an interface of the light emitting layer on the cathode side to block holes. In the organic electroluminescent device provided with a layer, the hole blocking layer contains a compound represented by the following general formula (I).

【0013】[0013]

【化7】 [Chemical 7]

【0014】(式中、カルバゾリル基およびフェニレン
基は任意の置換基を有していてもよく、また該置換基同
士が結合し、カルバゾリル基またはフェニレン基に縮合
する環を形成していてもよい。Zは2価の連結基を示
す。)
(In the formula, the carbazolyl group and the phenylene group may have arbitrary substituents, and the substituents may be bonded to each other to form a ring condensed with the carbazolyl group or the phenylene group. . Z represents a divalent linking group.)

【0015】本発明の青色発光素子は、このような本発
明の有機電界発光素子よりなるものである。
The blue light emitting device of the present invention comprises such an organic electroluminescent device of the present invention.

【0016】即ち、本発明者らは、上記目的を達成すべ
く鋭意検討した結果、正孔阻止層の材料として、上記特
定の化合物を用いることで本発明の目的を達成し得るこ
とを見出し、本発明を完成するに至った。
That is, the present inventors have conducted extensive studies to achieve the above object, and as a result, found that the object of the present invention can be achieved by using the above-mentioned specific compound as the material of the hole blocking layer. The present invention has been completed.

【0017】本発明の青色発光素子は、このような本発
明の有機電界発光素子よりなるものである。
The blue light emitting device of the present invention comprises such an organic electroluminescent device of the present invention.

【0018】正孔阻止層を構成する材料は、発光層中の
発光に寄与する物質のイオン化ポテンシャル(後述する
ように、発光層がホスト材料とドーパントを含んでいる
場合には、ホスト材料のイオン化ポテンシャル)よりも
0.1eV以上大きなイオン化ポテンシャルを有すること
が好ましい。また、安定な薄膜形状を与え、高いガラス
転移温度(Tg)を有し、電子を効率よく輸送すること
ができる化合物であることが必要である。さらに電気化
学的かつ化学的に安定であり、トラップとなったり発光
を消光したりする不純物が製造時や使用時に発生しにく
い化合物であることが要求される。
The material constituting the hole blocking layer is an ionization potential of a substance that contributes to light emission in the light emitting layer (as will be described later, when the light emitting layer contains a host material and a dopant, the ionization of the host material is carried out). It is preferable to have an ionization potential larger than the potential) by 0.1 eV or more. Further, it is necessary that the compound has a stable thin film shape, has a high glass transition temperature (Tg), and can efficiently transport electrons. Further, it is required to be a compound that is electrochemically and chemically stable, and that impurities that become traps or quench light emission are unlikely to be generated during production or use.

【0019】前記一般式(I)で表されるN−フェニル
カルバゾール骨格を有する化合物であれば、このような
要求特定をすべて満たし、従って、目的とする発光色を
高い色純度で高効率に発光することが可能であり、更に
は駆動安定性にも優れた有機電界発光素子を実現するこ
とができる。
A compound having an N-phenylcarbazole skeleton represented by the general formula (I) satisfies all such requirements, and thus emits a desired emission color with high color purity and high efficiency. In addition, it is possible to realize an organic electroluminescence device having excellent driving stability.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の有機電界発光素
子及び青色発光素子の実施の形態を詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the organic electroluminescent device and the blue light emitting device of the present invention will be described in detail below.

【0021】まず、本発明の有機電界発光素子におい
て、正孔阻止層を構成する前記一般式(I)で表される
化合物について説明する。
First, the compound represented by the above general formula (I) which constitutes the hole blocking layer in the organic electroluminescent device of the present invention will be described.

【0022】前記一般式(I)で表される化合物は、そ
のカルバゾリル基および/またはフェニレン基上に任意
の置換基を有していてもよいが、その置換基としては、
本発明の基本特性に悪影響を及ぼさないものであれば、
どのような置換基でもかまわない。また、該置換基同士
で環を形成していてもよい。
The compound represented by the general formula (I) may have an arbitrary substituent on the carbazolyl group and / or the phenylene group, and the substituent is
If it does not adversely affect the basic characteristics of the present invention,
Any substituent may be used. Further, the substituents may form a ring.

【0023】前記一般式(I)で表される化合物は、好
ましくは下記一般式(I’)で表される。
The compound represented by the above general formula (I) is preferably represented by the following general formula (I ').

【0024】[0024]

【化8】 [Chemical 8]

【0025】((I’)式中、R1〜R16は各々独立
に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル
基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、ア
ルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ
基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアル
キル基、水酸基、アリールオキシ基、置換基を有してい
てもよい芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表
し、R1とR2 、R3とR4、R5とR6、R7とR8、R9
10、R11とR12、R13とR14、R15とR16はそれぞれ
結合して環を形成してもよい。Zは2価の連結基を示
す。)
(In the formula (I '), R 1 to R 16 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, a cyano group, an amino group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group or a carboxyl group. Group, an alkoxy group, an alkylamino group, an aralkylamino group, a haloalkyl group, a hydroxyl group, an aryloxy group, an optionally substituted aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group, R 1 and R 2 , R 3 and R 4 , R 5 and R 6 , R 7 and R 8 , R 9 and R 10 , R 11 and R 12 , R 13 and R 14 , R 15 and R 16 are bonded to form a ring. It may be formed. Z represents a divalent linking group.)

【0026】(I’)式中のR1 〜R16として、具体的
には水素原子;塩素原子、フッ素原子などのハロゲン原
子;メチル基、エチル基等の炭素数1〜6のアルキル
基;ベンジル基等のアラルキル基;ビニル基等の炭素数
2〜6のアルケニル基;シアノ基;アミノ基;アシル
基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の
炭素数2〜6のアルコキシカルボニル基;カルボキシル
基;メトキシ基、エトキシ基等の炭素数1〜6のアルコ
キシ基;ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基等
のジアルキルアミノ基;ジベンジルアミノ基、ジフェネ
チルアミノ基などのジアラルキルアミノ基;トリフルオ
ロメチル基等のα−ハロアルキル基;水酸基;フェノキ
シ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基;置換
基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基等の芳香
族炭化水素環基;置換基を有していてもよいチエニル
基、ピリジル基等の芳香族複素環基が挙げられる。
Specific examples of R 1 to R 16 in the formula (I ') are hydrogen atom; halogen atom such as chlorine atom and fluorine atom; alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as methyl group and ethyl group; Aralkyl group such as benzyl group; alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms such as vinyl group; cyano group; amino group; acyl group; alkoxycarbonyl group having 2 to 6 carbon atoms such as methoxycarbonyl group and ethoxycarbonyl group; carboxyl group An alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as a methoxy group or an ethoxy group; a dialkylamino group such as a diethylamino group or a diisopropylamino group; a diaralkylamino group such as a dibenzylamino group or a diphenethylamino group; a trifluoromethyl group or the like Α-haloalkyl group; hydroxyl group; aryloxy group such as phenoxy group and benzyloxy group; Group, an aromatic hydrocarbon ring group such as a naphthyl group; an optionally substituted thienyl group, an aromatic heterocyclic group such as pyridyl group.

【0027】前記芳香族炭化水素環基および芳香族複素
環基が有し得る置換基としては、フッ素原子等のハロゲ
ン原子;メチル基、エチル基等の炭素数1〜6のアルキ
ル基;ビニル基等の炭素数2〜6のアルケニル基;メト
キシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数2
〜6のアルコキシカルボニル基;メトキシ基、エトキシ
基等の炭素数1〜6のアルコキシ基;フェノキシ基、ベ
ンジルオキシ基などのアリールオキシ基;ジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基等のアルキルアミノ基;アセチ
ル基等のアシル基;トリフルオロメチル基等のハロアル
キル基;シアノ基などが挙げられる。
The substituents which the aromatic hydrocarbon ring group and aromatic heterocyclic group may have include halogen atoms such as fluorine atom; alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms such as methyl group and ethyl group; vinyl group. An alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms such as; a carbon number 2 such as a methoxycarbonyl group and an ethoxycarbonyl group
~ 6 alkoxycarbonyl group; C1-6 alkoxy group such as methoxy group, ethoxy group; aryloxy group such as phenoxy group, benzyloxy group; alkylamino group such as dimethylamino group, diethylamino group; acetyl group, etc. An acyl group; a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group; and a cyano group.

【0028】なお、R1 とR2 、R3 とR4 、R5 とR
6 、R7 とR8 、R9 とR10、R11とR12、R13 とR
14 、R15 とR16 はそれぞれ結合し、ベンゼン環、シ
クロヘキサン環等の5〜7員環を形成してもよい。
R 1 and R 2 , R 3 and R 4 , R 5 and R
6 , R 7 and R 8 , R 9 and R 10 , R 11 and R 12 , R 13 and R
14 , R 15 and R 16 may be bonded to each other to form a 5- to 7-membered ring such as a benzene ring and a cyclohexane ring.

【0029】R1ないしR16として特に好ましいのは、
水素原子、アルキル基、またはシアノ基である。
Particularly preferred as R 1 to R 16 are
It is a hydrogen atom, an alkyl group, or a cyano group.

【0030】一般式(I)または(I’)におけるZとし
て、好ましくは以下に示す連結基、
As Z in the general formula (I) or (I '), preferably a linking group shown below,

【化9】 置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素環基ま
たは芳香族複素環基、または、以下の連結基のいずれか
が挙げられる。
[Chemical 9] Examples thereof include a divalent aromatic hydrocarbon ring group or aromatic heterocyclic group which may have a substituent, or one of the following linking groups.

【0031】[0031]

【化10】 [Chemical 10]

【0032】(上記構造中のベンゼン環部分は、いずれ
も任意の置換基を有していてよく、またAr1〜Ar6
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基または芳
香族複素環基、または以下の一般式(II)で表される基
が挙げられる。
(The benzene ring portion in the above structure may have any substituent, and Ar 1 to Ar 6 may have an aromatic hydrocarbon ring group or aromatic group which may have a substituent. Group heterocyclic groups or groups represented by the following general formula (II) can be given.

【化11】 なお、式(II)中におけるカルバゾリル基およびフェニ
レン基は、任意の置換基を有していてもよい。)
[Chemical 11] In addition, the carbazolyl group and the phenylene group in the formula (II) may have an arbitrary substituent. )

【0033】一般式(I)または(I’)におけるZの
芳香族炭化水素環基としては、例えばフェニレン基、ナ
フチレン基、アントラセン基、ナフタセン基等、5また
は6員環の単環または2〜4縮合環が挙げられる。Zの
芳香族複素環基としては、例えばチオフェン基、フラン
基、ピリジン基、ピリミジン基、キノリン基等、5また
は6員環の単環または2〜3縮合環が挙げられる。
The aromatic hydrocarbon ring group of Z in the general formula (I) or (I ') is, for example, a phenylene group, a naphthylene group, an anthracene group, a naphthacene group or the like, a 5- or 6-membered monocycle or 2 to 6-membered ring. 4 condensed rings are mentioned. As the aromatic heterocyclic group for Z, for example, a thiophene group, a furan group, a pyridine group, a pyrimidine group, a quinoline group and the like, a 5- or 6-membered monocyclic ring or a 2-3 condensed ring can be mentioned.

【0034】これらの芳香族炭化水素環基および芳香族
複素環基はいずれも置換基を有していてもよく、該置換
基としては、例えばメチル基、エチル基等の炭素数1〜
6のアルキル基、フッ素原子等のハロゲン原子、トリフ
ルオロメチル基等の炭素数1〜6のα−ハロアルキル基
等が挙げられる。
Any of these aromatic hydrocarbon ring groups and aromatic heterocyclic groups may have a substituent, and the substituent may be, for example, a methyl group, an ethyl group or the like having 1 to 10 carbon atoms.
Examples thereof include a C6 alkyl group, a halogen atom such as a fluorine atom, and a C1-C6 α-haloalkyl group such as a trifluoromethyl group.

【0035】Ar〜Arとしては、フェニル基、ナ
フチル基、アントラニル基、ナフタセン基等の、5また
は6員環の単環または2〜4縮合環である芳香族炭化水
素環基、チエニル基、フリル基、ピリジル基、ピリミジ
ル基、キノリル基等の、5または6員環の単環または2
〜3縮合環である芳香族複素環基が挙げられる。これら
はいずれも、メチル基、エチル基等の炭素数1〜6のア
ルキル基、フッ素原子等のハロゲン原子、トリフルオロ
メチル基等の炭素数1〜6のα−ハロアルキル基等の置
換基を有していても良い。
Ar 1 to Ar 6 are aromatic hydrocarbon ring groups such as phenyl group, naphthyl group, anthranyl group, naphthacene group and the like, which are 5- or 6-membered monocyclic rings or 2 to 4 condensed rings, and thienyl groups. , A furyl group, a pyridyl group, a pyrimidyl group, a quinolyl group, or a 5- or 6-membered monocycle or 2
˜3 condensed ring aromatic heterocyclic groups. Each of these has a substituent such as an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a methyl group and an ethyl group, a halogen atom such as a fluorine atom, and an α-haloalkyl group having a carbon number of 1 to 6 such as a trifluoromethyl group. You can do it.

【0036】一般式(I)または(I’)におけるZ
は、正孔阻止性の観点から、置換基を有していてもよい
フェニレン基、ナフチレン基、アントラセン基、チオフ
ェン基、フラン基、または、以下の連結基のいずれかで
あることが、さらに好ましい。
Z in the general formula (I) or (I ')
Is more preferably a phenylene group which may have a substituent, a naphthylene group, an anthracene group, a thiophene group, a furan group, or any of the following linking groups, from the viewpoint of hole blocking property. .

【0037】[0037]

【化12】 [Chemical 12]

【0038】(上記各構造中のベンゼン環部分は、いず
れも任意の置換基を有していてもよく、また、Ar3
Ar6は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基
または芳香族複素環基、または以下に示す式(II)
(The benzene ring portion in each of the above structures may have an arbitrary substituent, and Ar 3 to
Ar 6 is an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent, or a compound represented by the following formula (II)

【化13】 で表される基のいずれかである。なお、式(II)中にお
けるカルバゾリル基およびフェニレン基は、任意の置換
基を有していてもよい。)
[Chemical 13] Is one of the groups represented by. In addition, the carbazolyl group and the phenylene group in the formula (II) may have an arbitrary substituent. )

【0039】さらに、式(II)で表される構造は、好ま
しくは下記式(II’)で表される。
Further, the structure represented by the formula (II) is preferably represented by the following formula (II ').

【0040】[0040]

【化14】 [Chemical 14]

【0041】((II’)式中、R17〜R24は各々独立
に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル
基、アルケニル基、シアノ基、置換基を有していてもよ
いアミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カル
ボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラル
キルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキ
シ基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基ま
たは芳香族複素環基を表し、R17とR18、R19とR20
21とR22,R23とR24はそれぞれ隣接する置換基同士
で環を形成してもよい。)
(In the formula (II '), R 17 to R 24 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, a cyano group or an amino group which may have a substituent. , An acyl group, an alkoxycarbonyl group, a carboxyl group, an alkoxy group, an alkylamino group, an aralkylamino group, a haloalkyl group, a hydroxyl group, an aryloxy group, an aromatic hydrocarbon ring group which may have a substituent or an aromatic heterocycle. Represents a ring group, R 17 and R 18 , R 19 and R 20 ,
R 21 and R 22 , and R 23 and R 24 may form a ring with adjacent substituents. )

【0042】上記(II’)式において、R17〜R24とし
て、具体的には、水素原子;ハロゲン原子;メチル基、
エチル基等の炭素数1〜6のアルキル基;ベンジル基等
のアラルキル基;ビニル基等の炭素数2〜6のアルケニ
ル基;シアノ基;アミノ基;アシル基;メトキシカルボ
ニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数2〜6のアル
コキシカルボニル基;カルボキシル基;メトキシ基、エ
トキシ基等の炭素数1〜6のアルコキシ基;ジエチルア
ミノ基、ジイソプロピルアミノ基等のジアルキルアミノ
基;ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基などの
ジアラルキルアミノ基;トリフルオロメチル基等のα−
ハロアルキル基;水酸基;フェノキシ基、ベンジルオキ
シ基などのアリールオキシ基;置換基を有していてもよ
いフェニル基、ナフチル基等の芳香族炭化水素環基;置
換基を有していてもよいチエニル基、ピリジル基等の芳
香族複素環基が挙げられる。
In the above formula (II '), R 17 to R 24 are specifically hydrogen atom; halogen atom; methyl group;
C1-C6 alkyl group such as ethyl group; aralkyl group such as benzyl group; C2-C6 alkenyl group such as vinyl group; cyano group; amino group; acyl group; methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, etc. An alkoxycarbonyl group having 2 to 6 carbon atoms; a carboxyl group; an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as a methoxy group and an ethoxy group; a dialkylamino group such as a diethylamino group and a diisopropylamino group; a dibenzylamino group, diphenethylamino Groups such as diaralkylamino group; α-such as trifluoromethyl group
Haloalkyl group; Hydroxyl group; Aryloxy group such as phenoxy group and benzyloxy group; Aromatic hydrocarbon ring group such as phenyl group and naphthyl group which may have a substituent; Thienyl which may have a substituent Group, and an aromatic heterocyclic group such as a pyridyl group.

【0043】前記芳香族炭化水素環基および芳香族複素
環基が有し得る置換基としては、フッ素原子等のハロゲ
ン原子;メチル基、エチル基等の炭素数1〜6のアルキ
ル基;ビニル基等の炭素数2〜6のアルケニル基;メト
キシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数2
〜6のアルコキシカルボニル基;メトキシ基、エトキシ
基等の炭素数1〜6のアルコキシ基;フェノキシ基、ベ
ンジルオキシ基などのアリールオキシ基;ジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基、アセ
チル基等のアシル基;トリフルオロメチル基等のハロア
ルキル基;シアノ基などが挙げられる。
The substituents that the aromatic hydrocarbon ring group and the aromatic heterocyclic group may have include a halogen atom such as a fluorine atom; an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a methyl group and an ethyl group; a vinyl group. An alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms such as; a carbon number 2 such as a methoxycarbonyl group and an ethoxycarbonyl group
~ 6 alkoxycarbonyl group; methoxy group, ethoxy group, and other C1-6 alkoxy groups; phenoxy group, benzyloxy group, and other aryloxy groups; dimethylamino group, diethylamino group, and other dialkylamino groups, acetyl group, etc. An acyl group; a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group; and a cyano group.

【0044】なおR17とR18、R19とR20,R21
22,R23とR24はそれぞれ結合して、ベンゼン環やシ
クロヘキサン環などの5〜7員環を形成してもよい。
R 17 and R 18 , R 19 and R 20 , R 21 and R 22 , R 23 and R 24 may be bonded to each other to form a 5- to 7-membered ring such as a benzene ring or a cyclohexane ring. Good.

【0045】R17ないしR24として特に好ましいのは、
水素原子、アルキル基、またはシアノ基である。
Particularly preferred as R 17 to R 24 are
It is a hydrogen atom, an alkyl group, or a cyano group.

【0046】前記一般式(I)で表わされる化合物の好
ましい具体例を以下に示すが、これらに限定するもので
はない。
Preferred specific examples of the compound represented by the above general formula (I) are shown below, but the invention is not limited thereto.

【0047】[0047]

【化15】 [Chemical 15]

【0048】[0048]

【化16】 [Chemical 16]

【0049】[0049]

【化17】 [Chemical 17]

【0050】[0050]

【化18】 [Chemical 18]

【0051】[0051]

【化19】 [Chemical 19]

【0052】[0052]

【化20】 [Chemical 20]

【0053】[0053]

【化21】 [Chemical 21]

【0054】[0054]

【化22】 [Chemical formula 22]

【0055】[0055]

【化23】 [Chemical formula 23]

【0056】[0056]

【化24】 [Chemical formula 24]

【0057】[0057]

【化25】 [Chemical 25]

【0058】[0058]

【化26】 [Chemical formula 26]

【0059】以下、本発明の有機電界発光素子の構造に
ついて、図面を参照しながら説明する。
The structure of the organic electroluminescent device of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0060】図1〜3は本発明の有機電界発光素子の実
施の形態を模式的に示す断面図であり、1は基板、2は
陽極、3は陽極バッファ層、4は正孔輸送層、5は発光
層、6は正孔阻止層、7は電子輸送層、8は陰極を各々
表わす。
1 to 3 are cross-sectional views schematically showing an embodiment of the organic electroluminescence device of the present invention, in which 1 is a substrate, 2 is an anode, 3 is an anode buffer layer, 4 is a hole transport layer, Reference numeral 5 is a light emitting layer, 6 is a hole blocking layer, 7 is an electron transport layer, and 8 is a cathode.

【0061】基板1は有機電界発光素子の支持体となる
ものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラ
スチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラ
ス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカー
ボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好
ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性
に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎ
ると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣
化することがあるので好ましくない。このため、合成樹
脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設
けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つ
である。
The substrate 1 serves as a support for the organic electroluminescent device, and a plate of quartz or glass, a metal plate or metal foil, a plastic film or sheet, etc. is used. In particular, a glass plate and a transparent synthetic resin plate such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, and polysulfone are preferable. When using a synthetic resin substrate, it is necessary to pay attention to the gas barrier property. If the gas barrier property of the substrate is too small, the organic electroluminescent element may deteriorate due to the outside air passing through the substrate, which is not preferable. Therefore, a method of providing a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the synthetic resin substrate to secure the gas barrier property is also a preferable method.

【0062】基板1上には陽極2が設けられる。陽極2
は正孔輸送層4への正孔注入の役割を果たすものであ
る。この陽極2は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッ
ケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび/
またはスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などの
ハロゲン化金属、カーボンブラック、あるいは、ポリ
(3-メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン
等の導電性高分子などにより構成される。陽極2の形成
は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行わ
れることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅
などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物
微粒子、導電性高分子微粉末などを用いる場合には、適
当なバインダー樹脂溶液に分散し、基板1上に塗布する
ことにより陽極2を形成することもできる。さらに、導
電性高分子の場合は、電解重合により直接基板1上に薄
膜を形成したり、基板1上に導電性高分子を塗布して陽
極2を形成することもできる(Appl.Phys.Lett.,60
巻,2711頁,1992年)。
An anode 2 is provided on the substrate 1. Anode 2
Plays a role of injecting holes into the hole transport layer 4. This anode 2 is usually a metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, platinum, indium and / or
Alternatively, a metal oxide such as tin oxide, a metal halide such as copper iodide, carbon black, or a conductive polymer such as poly (3-methylthiophene), polypyrrole, or polyaniline is used. The anode 2 is usually formed by a sputtering method, a vacuum vapor deposition method, or the like. When fine particles of metal such as silver, fine particles of copper iodide, carbon black, fine particles of conductive metal oxide, fine particles of conductive polymer, etc. are used, they are dispersed in an appropriate binder resin solution and then the substrate 1 The anode 2 can also be formed by applying the composition onto the anode 2. Further, in the case of a conductive polymer, a thin film can be formed directly on the substrate 1 by electrolytic polymerization, or a conductive polymer can be applied on the substrate 1 to form the anode 2 (Appl. Phys. Lett. . 、 60
Vol. 2711, 1992).

【0063】また、陽極2は異なる材料からなる層を積
層して形成された積層構造であってもよい。
The anode 2 may have a laminated structure formed by laminating layers made of different materials.

【0064】陽極2の厚みは、必要とする透明性により
異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率
を、通常、60%以上、好ましくは80%以上とすることが
望ましく、この場合、厚みは、通常、5〜1000nm、好ま
しくは10〜500nm程度である。不透明でよい場合は陽極
2の厚みは基板1と同程度でもよい。また、さらには上
記の陽極2の上に異なる導電材料を積層することも可能
である。
The thickness of the anode 2 depends on the transparency required. When transparency is required, the visible light transmittance is usually 60% or more, preferably 80% or more, and in this case, the thickness is usually 5 to 1000 nm, preferably 10 to It is about 500 nm. When the anode 2 may be opaque, the thickness of the anode 2 may be the same as that of the substrate 1. Further, it is also possible to stack different conductive materials on the anode 2.

【0065】陽極2の上には正孔輸送層4が設けられ
る。正孔輸送層4の材料に要求される条件としては、陽
極2からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔
を効率よく輸送することができる材料であることが挙げ
られる。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さ
く、可視光の光に対して透明性が高く、しかも正孔移動
度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純
物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求される。
また、発光層5に接するために発光層5からの発光を消
光したり、発光層5との間でエキサイプレックスを形成
して効率を低下させないことが求められる。上記の一般
的要求以外に、車載表示用の応用を考えた場合、素子に
はさらに耐熱性が要求されるため、Tgとして85℃以
上の値を有する材料が望ましい。
A hole transport layer 4 is provided on the anode 2. The conditions required for the material of the hole transport layer 4 include a material having a high hole injection efficiency from the anode 2 and capable of efficiently transporting the injected holes. For that purpose, the ionization potential is low, the transparency to visible light is high, the hole mobility is high, the stability is excellent, and impurities that serve as traps are less likely to be generated during manufacturing or use. Required.
Further, it is required that the light emitted from the light emitting layer 5 is not quenched because it is in contact with the light emitting layer 5 or that the efficiency is not lowered by forming an exciplex with the light emitting layer 5. In addition to the above general requirements, when considering application for in-vehicle display, the element is required to have further heat resistance, and therefore, a material having a Tg value of 85 ° C. or higher is desirable.

【0066】このような正孔輸送材料としては、例え
ば、4,4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]
ビフェニルで代表される2個以上の3級アミンを含み2
個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジア
ミン(特開平5−234681号公報)、4,4',4"-トリス(1-
ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスタ
ーバースト構造を有する芳香族アミン化合物(J. Lumi
n., 72-74巻、985頁、1997年)、トリフェニルアミンの
四量体から成る芳香族アミン化合物(Chem.Commun., 21
75頁、1996年)、2,2',7,7'-テトラキス-(ジフェニルア
ミノ)-9,9'-スピロビフルオレン等のスピロ化合物(Syn
th. Metals, 91巻、209頁、1997年)等が挙げられる。
これらの化合物は、単独で用いてもよいし、必要に応じ
て、各々、混合して用いてもよい。
As such a hole transport material, for example, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino]
Contains two or more tertiary amines represented by biphenyl 2
Aromatic diamine in which one or more fused aromatic rings are substituted with nitrogen atoms (Japanese Patent Laid-Open No. 5-234681), 4,4 ', 4 "-tris (1-
Aromatic amine compounds with a starburst structure such as naphthylphenylamino) triphenylamine (J. Lumi
n., 72-74, 985, 1997), an aromatic amine compound consisting of a tetramer of triphenylamine (Chem.Commun., 21.
75, 1996), 2,2 ', 7,7'-tetrakis- (diphenylamino) -9,9'-spirobifluorene and other spiro compounds (Syn
th. Metals, 91, 209, 1997).
These compounds may be used alone, or may be used as a mixture if necessary.

【0067】上記の化合物以外に、正孔輸送層4の材料
として、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェ
ニルアミン(特開平7− 53953号公報)、テトラフェニ
ルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホ
ン(Polym. Adv. Tech., 7巻、33頁、1996年)等の高分
子材料も挙げられる。
In addition to the above compounds, as a material for the hole transport layer 4, polyvinylcarbazole, polyvinyltriphenylamine (JP-A-7-53953), and polyarylene ether sulfone containing tetraphenylbenzidine (Polym. Adv. Tech., Vol. 7, p. 33, 1996).

【0068】正孔輸送層4を塗布法で形成する場合は、
正孔輸送材料の1種または2種以上に、必要により正孔
のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤な
どの添加剤を添加し、溶解して塗布溶液を調製し、スピ
ンコート法などの方法により陽極2上に塗布し、乾燥し
て正孔輸送層4を形成する。バインダー樹脂としては、
ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が
挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔移動
度を低下させるので、少ない方が望ましく、通常、正孔
輸送層4中の含有量で50重量%以下が好ましい。
When the hole transport layer 4 is formed by a coating method,
If necessary, an additive such as a binder resin or a coatability improving agent that does not become a hole trap is added to one or more hole transport materials, and the mixture is dissolved to prepare a coating solution. The positive electrode 2 is coated by a method and dried to form the hole transport layer 4. As a binder resin,
Examples thereof include polycarbonate, polyarylate, polyester and the like. The addition amount of the binder resin decreases the hole mobility when it is added in a large amount. Therefore, the addition amount of the binder resin is preferably as small as possible.

【0069】正孔輸送層4を真空蒸着法で形成する場合
には、正孔輸送材料を真空容器内に設置されたルツボに
入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度に
まで排気した後、ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸
発させ、ルツボと向き合って置かれた、陽極2が形成さ
れた基板1上に正孔輸送層4を形成させる。
When the hole transport layer 4 is formed by the vacuum deposition method, the hole transport material is put in a crucible installed in a vacuum container, and the inside of the vacuum container is adjusted to about 10 −4 Pa by an appropriate vacuum pump. After evacuation to, the crucible is heated to evaporate the hole transport material and form the hole transport layer 4 on the substrate 1 on which the anode 2 is formed, facing the crucible.

【0070】正孔輸送層4の膜厚は、通常、5〜300nm、
好ましくは 10〜100nmである。このように薄い膜を一様
に形成するためには、一般に真空蒸着法がよく用いられ
る。
The thickness of the hole transport layer 4 is usually 5 to 300 nm,
It is preferably 10 to 100 nm. In order to uniformly form such a thin film, the vacuum evaporation method is often used.

【0071】正孔輸送層4の上には発光層5が設けられ
る。発光層5は、電界を与えられた電極間において、陽
極2から注入されて正孔輸送層4を移動する正孔と、陰
極8から注入されて正孔阻止層6を移動する電子との再
結合により励起されて強い発光を示す蛍光性化合物より
形成される。
A light emitting layer 5 is provided on the hole transport layer 4. The light-emitting layer 5 has a structure in which, between the electrodes to which an electric field is applied, holes that are injected from the anode 2 and move in the hole transport layer 4 and electrons that are injected from the cathode 8 and move in the hole blocking layer 6 are regenerated. It is formed of a fluorescent compound that is excited by the bond and emits strong light.

【0072】発光層5に用いられる蛍光性化合物として
は、安定な薄膜形状を有し、固体状態で高い蛍光収率を
示し、正孔および/または電子を効率よく輸送すること
ができる化合物であることが必要である。さらに電気化
学的かつ化学的に安定であり、トラップとなる不純物が
製造時や使用時に発生しにくい化合物であることが要求
される。
The fluorescent compound used for the light emitting layer 5 is a compound having a stable thin film shape, showing a high fluorescence yield in a solid state, and capable of efficiently transporting holes and / or electrons. It is necessary. Further, it is required to be a compound that is electrochemically and chemically stable and that is less likely to generate impurities that serve as traps during production or use.

【0073】このような条件を満たす材料としては、8-
ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体
(特開昭59-194393号公報)、10-ヒドロキシベンゾ[h]
キノリンの金属錯体(特開平6-322362号公報)、ビスス
チリルベンゼン誘導体(特開平1-245087号公報、同2-22
2484号公報)、ビススチリルアリーレン誘導体(特開平
2-247278号公報)、(2-ヒドロキシフェニル)ベンゾチア
ゾールの金属錯体(特開平8-315983号公報)、シロール
誘導体等が挙げられる。また、前述の正孔輸送層材料の
うち、蛍光性を有する芳香族アミン系化合物も発光層材
料として用いることができる。
As a material satisfying such a condition, 8-
Metal complex such as aluminum complex of hydroxyquinoline (JP-A-59-194393), 10-hydroxybenzo [h]
Metal complexes of quinoline (JP-A-6-322362), bisstyrylbenzene derivatives (JP-A1-245087, JP-A-2-2287)
2484), a bisstyrylarylene derivative (JP
2-247278), metal complexes of (2-hydroxyphenyl) benzothiazole (JP-A-8-315983), silole derivatives and the like. Further, among the hole transport layer materials described above, an aromatic amine compound having fluorescence can also be used as the light emitting layer material.

【0074】これらの発光層材料は、通常は真空蒸着法
により正孔輸送層上に積層されて発光層5が形成され
る。
These light emitting layer materials are usually laminated on the hole transport layer by a vacuum vapor deposition method to form the light emitting layer 5.

【0075】発光層5の膜厚は、通常3〜200 nm、好ま
しくは5〜100 nmである。
The thickness of the light emitting layer 5 is usually 3 to 200 nm, preferably 5 to 100 nm.

【0076】発光層も正孔輸送層と同様の方法で形成す
ることができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。
The light emitting layer can be formed in the same manner as the hole transporting layer, but the vacuum deposition method is usually used.

【0077】素子の発光効率を向上させるとともに発光
色を変える目的で、例えば、8-ヒドロキシキノリンのア
ルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレー
ザー用蛍光色素をドープすること(J. Appl. Phys., 65
巻, 3610頁, 1989年)等が行われている。このドーピン
グ手法は、発光層5にも適用することができ、この場合
のドープ用材料としては、クマリン以外にも各種の蛍光
色素が使用できる。青色発光を与える蛍光色素として
は、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリンおよび
それらの誘導体等が挙げられる。緑色蛍光色素として
は、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられ
る。黄色蛍光色素としては、ルブレン、ペリミドン誘導
体等が挙げられる。赤色蛍光色素としては、DCM系化合
物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチ
オキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙
げられる。
For the purpose of improving the light emission efficiency of the device and changing the light emission color, for example, doping a fluorescent dye for laser such as coumarin with aluminum complex of 8-hydroxyquinoline as a host material (J. Appl. Phys. , 65
Vol. 3610, 1989). This doping method can also be applied to the light emitting layer 5, and various fluorescent dyes other than coumarin can be used as the doping material in this case. Examples of fluorescent dyes that emit blue light include perylene, pyrene, anthracene, coumarin, and derivatives thereof. Examples of the green fluorescent dye include quinacridone derivatives and coumarin derivatives. Examples of yellow fluorescent dyes include rubrene and perimidone derivatives. Examples of red fluorescent dyes include DCM compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzothioxanthene derivatives, azabenzothioxanthene, and the like.

【0078】上記のドープ用蛍光色素以外にも、ホスト
材料に応じて、レーザー研究,8巻,694頁,803頁,958
頁(1980年);同9巻,85頁(1981年)、に列挙されて
いる蛍光色素が発光層用のドープ材料として使用するこ
とができる。
Besides the above-mentioned fluorescent dyes for doping, depending on the host material, Laser Research, Vol. 8, page 694, page 803, 958
Pp. (1980); Vol. 9, p. 85 (1981), the fluorescent dyes can be used as a doping material for the light emitting layer.

【0079】ホスト材料に対して上記蛍光色素がドープ
される量は、10-3〜10重量%が好ましい。
The amount of the fluorescent dye doped with respect to the host material is preferably 10 −3 to 10% by weight.

【0080】上述の蛍光色素を発光層のホスト材料にド
ープする方法を以下に説明する。
A method of doping the above-mentioned fluorescent dye into the host material of the light emitting layer will be described below.

【0081】塗布法で発光層を形成する場合は、前記発
光層ホスト材料と、ドープ用蛍光色素、さらに必要によ
り電子のトラップや発光の消光剤とならないバインダー
樹脂や、レベリング剤等の塗布性改良剤などの添加剤を
添加し、溶解した塗布溶液を調製し、スピンコート法な
どの方法により正孔輸送層4上に塗布し、乾燥して発光
層5を形成する。ここでバインダー樹脂としては、ポリ
カーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げ
られる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔/電子移
動度を低下させるので、少ない方が望ましく、発光層5
中の含有量で50重量%以下が好ましい。
When the light-emitting layer is formed by a coating method, the above-mentioned light-emitting layer host material, a fluorescent dye for doping, and optionally a binder resin which does not become an electron trap or a quencher of light emission, a leveling agent, etc. are improved in coatability. An additive such as an agent is added to prepare a dissolved coating solution, which is coated on the hole transport layer 4 by a method such as a spin coating method and dried to form the light emitting layer 5. Examples of the binder resin include polycarbonate, polyarylate, polyester and the like. If the addition amount of the binder resin is large, the hole / electron mobility is lowered.
The content thereof is preferably 50% by weight or less.

【0082】真空蒸着法で発光層を形成する場合には、
前記ホスト材料を真空容器内に設置されたルツボに入
れ、ドープする蛍光色素を別のルツボに入れ、真空容器
内を適当な真空ポンプで10-4Pa程度にまで排気した後、
各々のルツボを同時に加熱して蒸発させ、ルツボと向か
い合って置かれた基板の正孔輸送層4上に層を形成す
る。また、他の方法として、上記の材料を予め所定比で
混合したものを同一のルツボに入れて蒸発させてもよ
い。
When the light emitting layer is formed by the vacuum vapor deposition method,
Put the host material in the crucible installed in the vacuum container, put the fluorescent dye to be doped in another crucible, after evacuating the vacuum container to about 10 -4 Pa with a suitable vacuum pump,
Each crucible is simultaneously heated and evaporated to form a layer on the hole transport layer 4 of the substrate placed facing the crucible. As another method, a mixture of the above materials in a predetermined ratio may be put in the same crucible and evaporated.

【0083】上記各ドーパントが発光層5中にドープさ
れる場合、通常は発光層5の膜厚方向において均一にド
ープされるが、膜厚方向において濃度分布があっても構
わない。例えば、正孔輸送層4との界面近傍にのみドー
プしたり、逆に、正孔阻止層6との界面近傍にのみドー
プしてもよい。
When each of the above dopants is doped in the light emitting layer 5, it is usually doped uniformly in the thickness direction of the light emitting layer 5, but there may be a concentration distribution in the thickness direction. For example, it may be doped only near the interface with the hole transport layer 4, or conversely, may be doped only near the interface with the hole blocking layer 6.

【0084】正孔阻止層6は発光層5の上に、発光層5
の陰極側の界面に接するように積層される。正孔阻止層
6は、正孔輸送層4から移動してくる正孔が陰極8に到
達するのを阻止する役割と、陰極8から注入された電子
を効率よく発光層5の方向に輸送することができる化合
物より形成される。正孔阻止層6を構成する材料に求め
られる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低
いことが必要とされる。正孔阻止層6は正孔と電子を発
光層5内に閉じこめて、発光効率を向上させる機能を有
し、そのために正孔阻止層6のイオン化ポテンシャル
は、発光層5のイオン化ポテンシャルよりも0.1eV以
上大きいことが望まれる。
The hole blocking layer 6 is formed on the light emitting layer 5 and then on the light emitting layer 5.
Is laminated so as to be in contact with the interface on the cathode side of. The hole blocking layer 6 has a role of blocking the holes moving from the hole transport layer 4 from reaching the cathode 8, and also efficiently transports electrons injected from the cathode 8 toward the light emitting layer 5. Is formed from a compound capable of. The physical properties required for the material forming the hole blocking layer 6 are high electron mobility and low hole mobility. The hole blocking layer 6 has a function of confining holes and electrons in the light emitting layer 5 to improve the light emission efficiency. Therefore, the ionization potential of the hole blocking layer 6 is 0 than the ionization potential of the light emitting layer 5. Greater than 1 eV is desired.

【0085】本発明では正孔阻止層6の材料として、前
記一般式(I)で表される化合物を用いるが、これらの
化合物は正孔阻止層6中に、1種を単独で用いてもよ
く、また必要に応じて2種以上を混合して用いてもよ
い。正孔阻止層は、前記一般式(I)で表される化合物
のみで構成されることが望ましいが、前記一般式(I)
で表される化合物以外の物質を含有していてもよい。こ
の場合、本発明の効果を確実に得る上で、正孔阻止層6
中の前記一般式(I)で表される化合物の含有量が50
重量%以上であることが好ましく、80重量%以上であ
ることがより好ましく、実質的に一般式(I)で表され
る化合物のみから形成されている場合が最も好ましい。
In the present invention, the compound represented by the general formula (I) is used as the material of the hole blocking layer 6, but these compounds may be used alone in the hole blocking layer 6. Of course, if necessary, two or more kinds may be mixed and used. The hole blocking layer is preferably composed only of the compound represented by the general formula (I).
It may contain a substance other than the compound represented by. In this case, in order to surely obtain the effect of the present invention, the hole blocking layer 6
The content of the compound represented by the general formula (I) in the
It is preferably not less than 80% by weight, more preferably not less than 80% by weight, and most preferably substantially composed of the compound represented by formula (I).

【0086】正孔阻止層6の膜厚は、通常、0.3〜100n
m、好ましくは0.5〜50nmである。
The thickness of the hole blocking layer 6 is usually 0.3 to 100 n.
m, preferably 0.5-50 nm.

【0087】正孔阻止層6も正孔輸送層4と同様の方法
で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いら
れる。
The hole blocking layer 6 can be formed by the same method as the hole transporting layer 4, but a vacuum deposition method is usually used.

【0088】陰極8は、正孔阻止層6を介して発光層5
に電子を注入する役割を果たす。陰極8として用いられ
る材料は、前記陽極2に使用される材料を用いることが
可能であるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関
数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジ
ウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属ま
たはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグ
ネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、ア
ルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙
げられる。
The cathode 8 has the hole blocking layer 6 and the light emitting layer 5
Plays a role of injecting electrons into. The material used for the cathode 8 may be the material used for the anode 2, but a metal having a low work function is preferable for efficient electron injection, and tin, magnesium, indium, calcium, Suitable metals such as aluminum and silver or alloys thereof are used. Specific examples thereof include low work function alloy electrodes such as magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, and aluminum-lithium alloy.

【0089】陰極8の膜厚は通常、陽極2と同様であ
る。
The film thickness of the cathode 8 is usually the same as that of the anode 2.

【0090】低仕事関数金属から成る陰極を保護する目
的で、この上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安
定な金属層を積層することは素子の安定性を増す上で好
ましい。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニ
ッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。
For the purpose of protecting the cathode made of a low work function metal, it is preferable to further stack a metal layer having a high work function and stable to the atmosphere on the cathode in order to increase the stability of the device. Metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold and platinum are used for this purpose.

【0091】素子の発光効率をさらに向上させることを
目的として、図2に示す如く、正孔阻止層6と陰極8の
間に電子輸送層7を設けることが考えられる。電子輸送
層7は、電界を与えられた電極間において陰極8から注
入された電子を効率よく正孔阻止層6の方向に輸送する
ことができる化合物より形成される。
For the purpose of further improving the luminous efficiency of the device, it is conceivable to provide an electron transport layer 7 between the hole blocking layer 6 and the cathode 8 as shown in FIG. The electron transport layer 7 is formed of a compound capable of efficiently transporting electrons injected from the cathode 8 toward the hole blocking layer 6 between the electrodes to which an electric field is applied.

【0092】従って、電子輸送層7に用いられる電子輸
送性化合物としては、陰極8からの電子注入効率が高
く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率
よく輸送することができる化合物であることが必要であ
る。
Therefore, as the electron-transporting compound used in the electron-transporting layer 7, the efficiency of electron injection from the cathode 8 is high, and the injected electron having a high electron mobility can be efficiently transported. It must be a compound.

【0093】このような条件を満たす材料としては、8
−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯
体(特開昭59−194393号公報)、10-ヒドロキシベンゾ
[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジ
スチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3-または
5-ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金
属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミ
ダゾリルベンゼン(米国特許第 5,645,948号)、キノキ
サリン化合物(特開平6−207169号公報)、フェナント
ロリン誘導体(特開平5−331459号公報)、2-t-ブチル
-9,10-N,N'-ジシアノアントラキノンジイミン、n型水
素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化
亜鉛などが挙げられる。
As a material satisfying such a condition, 8
-A metal complex such as an aluminum complex of hydroxyquinoline (JP-A-59-194393), 10-hydroxybenzo
[h] Metal complexes of quinoline, oxadiazole derivatives, distyrylbiphenyl derivatives, silole derivatives, 3-or
5-hydroxyflavone metal complex, benzoxazole metal complex, benzothiazole metal complex, trisbenzimidazolylbenzene (US Pat. No. 5,645,948), quinoxaline compound (JP-A-6-207169), phenanthroline derivative (JP-A-5-331459). Gazette), 2-t-butyl
-9,10-N, N'-dicyanoanthraquinone diimine, n-type hydrogenated amorphous silicon carbide, n-type zinc sulfide, n-type zinc selenide and the like can be mentioned.

【0094】電子輸送層6の膜厚は、通常、5〜200nm、
好ましくは10〜100 nmである。
The thickness of the electron transport layer 6 is usually 5 to 200 nm,
It is preferably 10 to 100 nm.

【0095】電子輸送層7は、正孔輸送層4と同様にし
て塗布法あるいは真空蒸着法により正孔輸送層6上に積
層することにより形成される。通常は、真空蒸着法が用
いられる。
The electron transport layer 7 is formed by laminating on the hole transport layer 6 by a coating method or a vacuum deposition method in the same manner as the hole transport layer 4. Usually, a vacuum vapor deposition method is used.

【0096】また、正孔注入の効率をさらに向上させ、
かつ、有機層全体の陽極2への付着力を改善させる目的
で、図3に示す如く、正孔輸送層4と陽極2との間に陽
極バッファ層3を挿入することも行われている。陽極バ
ッファ層3を挿入することで、初期の素子の駆動電圧が
下げると同時に、素子を定電流で連続駆動した時の電圧
上昇も抑制される効果が得られる。陽極バッファ層3に
用いられる材料に要求される条件としては、陽極2との
コンタクトがよく均一な薄膜が形成でき、熱的に安定、
すなわち、融点およびガラス転移温度が高いことが挙げ
られ、融点としては 300℃以上、ガラス転移温度として
は 100℃以上が好ましい。さらに、イオン化ポテンシャ
ルが低く陽極2からの正孔注入が容易なこと、正孔移動
度が大きいことが挙げられる。
Further, the efficiency of hole injection is further improved,
In addition, for the purpose of improving the adhesion of the entire organic layer to the anode 2, as shown in FIG. 3, the anode buffer layer 3 is inserted between the hole transport layer 4 and the anode 2. By inserting the anode buffer layer 3, it is possible to obtain an effect that the driving voltage of the element in the initial stage is lowered and, at the same time, an increase in voltage when the element is continuously driven with a constant current is suppressed. The conditions required for the material used for the anode buffer layer 3 are good contact with the anode 2, a uniform thin film can be formed, and thermal stability,
That is, the melting point and the glass transition temperature are high, and the melting point is preferably 300 ° C or higher, and the glass transition temperature is preferably 100 ° C or higher. Further, it has a low ionization potential, easy hole injection from the anode 2, and high hole mobility.

【0097】この目的のために、これまでに銅フタロシ
アニン等のフタロシアニン化合物(特開昭63−295695号
公報)、ポリアニリン(Appl. Phys. Lett., 64巻、124
5頁,1994年)、ポリチオフェン(Optical Materials, 9
巻、125頁、1998年)等の有機化合物や、スパッタ・カ
ーボン膜(Synth. Met., 91巻、73頁、1997年)や、バ
ナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、モリブデン酸化物
等の金属酸化物(J.Phys. D, 29巻、2750頁、1996年)
が報告されている。
For this purpose, phthalocyanine compounds such as copper phthalocyanine (JP 63-295695 A), polyaniline (Appl. Phys. Lett., Volume 64, 124)
P. 5, 1994), Polythiophene (Optical Materials, 9
Vol., P. 125, 1998), organic compounds, sputtered carbon films (Synth. Met., Vol. 91, p. 73, 1997), metal oxides such as vanadium oxide, ruthenium oxide, molybdenum oxide. Material (J. Phys. D, 29, 2750, 1996)
Has been reported.

【0098】陽極バッファ層3も、正孔輸送層4と同様
にして薄膜形成可能であるが、無機物の場合には、さら
に、スパッタ法や電子ビーム蒸着法、プラズマCVD法
が用いられる。
The anode buffer layer 3 can also be formed into a thin film in the same manner as the hole transport layer 4, but in the case of an inorganic material, a sputtering method, an electron beam evaporation method or a plasma CVD method is further used.

【0099】以上の様にして形成される陽極バッファ層
3の膜厚は、通常、3〜100nm、好ましくは 5〜50nmであ
る。
The thickness of the anode buffer layer 3 formed as described above is usually 3 to 100 nm, preferably 5 to 50 nm.

【0100】さらに、陰極8と発光層5または電子輸送
層7との界面にLiF 、MgF、LiO等の極薄絶縁膜(膜
厚0.1〜5nm)を挿入することも、素子の効率を向上させ
る有効な方法である(Appl. Phys. Lett., 70巻,152
頁,1997年;特開平10−74586号公報;IEEETrans. Elec
tron. DeVices,44巻,1245頁,1997年)。
Further, by inserting an ultrathin insulating film (film thickness 0.1 to 5 nm) of LiF, MgF 2 , Li 2 O or the like at the interface between the cathode 8 and the light emitting layer 5 or the electron transport layer 7, it is possible to improve the efficiency of the device. (Appl. Phys. Lett., 70, 152)
Page, 1997; Japanese Patent Laid-Open No. 10-74586; IEEE Trans. Elec
tron. DeVices, 44, 1245, 1997).

【0101】なお、図1とは逆の構造、すなわち、基板
上に陰極8、正孔阻止層6、発光層5、正孔輸送層4、
陽極2の順に積層することも可能であり、既述したよう
に少なくとも一方が透明性の高い2枚の基板の間に本発
明の有機電界発光素子を設けることも可能である。同様
に、図2および図3に示した前記各層構成とは逆の構造
に積層することも可能である。更に、図1,図2および
図3に示した各層以外にも、陽極または陰極と発光層と
の間に任意の層を有していてもよい。
It should be noted that the structure opposite to that shown in FIG. 1, that is, the cathode 8, the hole blocking layer 6, the light emitting layer 5, the hole transport layer 4, is formed on the substrate.
It is also possible to stack the anodes 2 in this order, and as described above, it is also possible to provide the organic electroluminescent element of the present invention between two substrates, at least one of which is highly transparent. Similarly, it is also possible to stack in a structure opposite to the above-mentioned layer structure shown in FIGS. 2 and 3. Further, in addition to the layers shown in FIGS. 1, 2 and 3, any layer may be provided between the anode or the cathode and the light emitting layer.

【0102】本発明は、有機電界発光素子が、単一の素
子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰
極がX−Yマトリックス状に配置された構造のいずれに
おいても適用することができる。
The present invention can be applied to any organic electroluminescent device, including a single device, a device having a structure arranged in an array, and a structure having an anode and a cathode arranged in an XY matrix. You can

【0103】本発明の有機電界発光素子によれば、正孔
阻止層に特定のN−フェニルカルバゾール骨格を有する
化合物を含有させることにより、色純度が良好で駆動安
定性においても大きく改善された高発光効率の素子が得
られる。本発明によれば、特に、従来困難であった青色
発光素子で安定性に優れた素子が得られることから、フ
ルカラーあるいはマルチカラーのパネルへの応用におい
て優れた性能を発揮できる。
According to the organic electroluminescent element of the present invention, the hole blocking layer contains a compound having a specific N-phenylcarbazole skeleton, whereby the color purity is good and the driving stability is greatly improved. A device having luminous efficiency can be obtained. According to the present invention, a blue light emitting device, which has been difficult to achieve in the past, can be obtained as a device having excellent stability. Therefore, excellent performance can be exhibited in application to a full-color or multi-color panel.

【0104】[0104]

【実施例】次に、本発明を実施例によって更に具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例の記載に限定されるものではない。
EXAMPLES Next, the present invention will be described more specifically by way of examples, but the present invention is not limited to the description of the following examples unless it exceeds the gist.

【0105】実施例1 図3に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法
で作製した。
Example 1 An organic electroluminescent device having the structure shown in FIG. 3 was produced by the following method.

【0106】ガラス基板1上にインジウム・スズ酸化物
(ITO)透明導電膜を 150nm堆積したもの(ジオマテ
ック社製;電子ビーム成膜品;シート抵抗15Ω)を通常
のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて 2
mm幅のストライプにパターニングして陽極2を形成し
た。パターン形成したITO基板を、アセトンによる超
音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールに
よる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、
最後に紫外線オゾン洗浄を行って、真空蒸着装置内に設
置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った
後、装置内の真空度が2×10-6Torr(約2.7×10-4Pa)以
下になるまで液体窒素トラップを備えた油拡散ポンプを
用いて排気した。
An indium tin oxide (ITO) transparent conductive film deposited to a thickness of 150 nm on a glass substrate 1 (manufactured by Geomatec; electron beam film-formed product; sheet resistance 15 Ω) was subjected to ordinary photolithography and hydrochloric acid etching. 2
The anode 2 was formed by patterning into a stripe having a width of mm. The patterned ITO substrate is cleaned in the order of ultrasonic cleaning with acetone, pure water, and ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, and then dried by nitrogen blow.
Finally, ultraviolet ozone cleaning was performed and the device was installed in a vacuum vapor deposition device. After rough evacuation of the above equipment with an oil rotary pump, use an oil diffusion pump equipped with a liquid nitrogen trap until the degree of vacuum inside the equipment becomes 2 x 10 -6 Torr (about 2.7 x 10 -4 Pa) or less. Exhausted.

【0107】次いで、上記装置内に配置されたモリブデ
ンボートに入れた以下に示す銅フタロシアニン(結晶形
はβ型)を加熱して、真空度1.7×10-6Torr(約2.3×10
-4Pa)、蒸着速度0.14nm/秒で蒸着を行ない、膜厚10nm
の陽極バッファ層3を形成した。
Next, the following copper phthalocyanine (the crystal form is β type) placed in a molybdenum boat arranged in the above apparatus is heated to a vacuum degree of 1.7 × 10 −6 Torr (about 2.3 × 10 6 ).
-4 Pa), deposition rate is 0.14 nm / sec, deposition is 10 nm
The anode buffer layer 3 was formed.

【0108】[0108]

【化27】 [Chemical 27]

【0109】次に、上記装置内に配置されたセラミック
ルツボに入れた、以下に示す、4,4'-ビス[N-(1-ナフ
チル)-N-フェニルアミノ]ビフェニルをルツボの周囲
のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。この時
のルツボの温度は、245〜260℃の範囲で制御した。蒸着
時の真空度1.3×10-6Torr(約1.7×10-4Pa)、蒸着速度
は0.24nm/秒で膜厚60nmの正孔輸送層4を形成した。
Next, the following 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl, placed in a ceramic crucible placed in the above apparatus, was tantalum around the crucible. Vapor deposition was performed by heating with a line heater. The temperature of the crucible at this time was controlled in the range of 245 to 260 ° C. The degree of vacuum during vapor deposition was 1.3 × 10 −6 Torr (about 1.7 × 10 −4 Pa) and the vapor deposition rate was 0.24 nm / sec.

【0110】[0110]

【化28】 [Chemical 28]

【0111】引続き、発光層5の材料として、下記に示
す構造式のトリフェニルアミン誘導体(EM-1)と青色蛍
光色素のクマリン誘導体(DYE-1)とを上記正孔輸送層
4の上に同様にして100:1の割合で共蒸着を行なった。
この時のルツボの温度はそれぞれ275〜295℃、193〜198
℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度は1.1×10-6Torr
(約1.5×10-4Pa)、EM-1の蒸着速度は0.20nm/秒で、
膜厚30nmの発光層5を形成した。理研計器製の大気下光
電子分光装置(AC-1)を用いて決定した、(EM-1)(発
光層5のホスト化合物)のイオン化ポテンシャルは5.22
eVであった。以下、本願実施例中のイオン化ポテンシャ
ルはいずれも同様に決定した値である。
Subsequently, as materials for the light emitting layer 5, a triphenylamine derivative (EM-1) having the structural formula shown below and a coumarin derivative (DYE-1) of a blue fluorescent dye are provided on the hole transport layer 4. Similarly, co-evaporation was performed at a ratio of 100: 1.
The temperature of the crucible at this time is 275-295 ℃, 193-198, respectively.
The temperature was controlled in the range of ° C. The degree of vacuum during vapor deposition is 1.1 × 10 -6 Torr
(About 1.5 × 10 -4 Pa), the deposition rate of EM-1 is 0.20 nm / sec,
A light emitting layer 5 having a film thickness of 30 nm was formed. The ionization potential of (EM-1) (the host compound of the light emitting layer 5) was 5.22, which was determined by using an atmospheric photoelectron spectrometer (AC-1) manufactured by Riken Keiki.
It was eV. Hereinafter, all the ionization potentials in the examples of the present application are values similarly determined.

【0112】[0112]

【化29】 [Chemical 29]

【0113】[0113]

【化30】 [Chemical 30]

【0114】さらに、正孔阻止層6として例示化合物
(H-6)を蒸着速度0.12nm/秒で10nmの膜厚で積層した。
蒸着時の真空度は1.1×10-6Torr(約1.5×10-4Pa)であ
った。発光層5のホスト化合物と同様に決定した、例示
化合物(H-6)のイオン化ポテンシャルは5.96eVであっ
た。
Further, as the hole blocking layer 6, the exemplified compound (H-6) was laminated in a film thickness of 10 nm at a vapor deposition rate of 0.12 nm / sec.
The degree of vacuum during vapor deposition was 1.1 × 10 -6 Torr (about 1.5 × 10 -4 Pa). The ionization potential of the exemplified compound (H-6), which was determined in the same manner as the host compound of the light emitting layer 5, was 5.96 eV.

【0115】次いで、正孔阻止層6の上に、電子輸送層
7として以下の構造式に示すアルミニウムの8−ヒドロ
キシキノリン錯体、Al(CHNO)を同様にして蒸着し
た。この時のアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯
体のルツボ温度は295〜305℃の範囲で制御し、蒸着時の
真空度は8.0×10-7Torr(約1.1×10-4Pa)、蒸着速度は
0.24nm/秒で膜厚は35nmとした。
Then, on the hole blocking layer 6, an aluminum 8-hydroxyquinoline complex represented by the following structural formula, Al (C 9 H 6 NO) 3 , was vapor-deposited in the same manner as the electron transport layer 7. At this time, the crucible temperature of the aluminum 8-hydroxyquinoline complex was controlled in the range of 295 to 305 ° C, the vacuum degree during vapor deposition was 8.0 × 10 -7 Torr (approximately 1.1 × 10 -4 Pa), and the vapor deposition rate was
The film thickness was 35 nm at 0.24 nm / sec.

【0116】[0116]

【化31】 [Chemical 31]

【0117】上記の正孔輸送層4、発光層5、正孔阻止
層6および電子輸送層7を真空蒸着する時の基板温度は
室温に保持した。
The substrate temperature during vacuum deposition of the hole transport layer 4, the light emitting layer 5, the hole blocking layer 6 and the electron transport layer 7 was kept at room temperature.

【0118】ここで、電子輸送層7までの蒸着を行った
素子を一旦前記真空蒸着装置内より大気中に取り出し
て、陰極蒸着用のマスクとして 2mm幅のストライプ状シ
ャドーマスクを、陽極2のITOストライプとは直交す
るように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置
して有機層の形成時と同様にして装置内の真空度が2.2
×10-6Torr(約3.0×10-4Pa)以下になるまで排気し
た。
Here, the element on which the electron transport layer 7 has been vapor-deposited is once taken out from the vacuum vapor deposition apparatus into the atmosphere, and a 2 mm wide striped shadow mask is used as a cathode vapor deposition mask on the ITO of the anode 2. Adhere to the element so that it is orthogonal to the stripe, and install it in another vacuum deposition device, and set the degree of vacuum in the device to 2.2 in the same way as when forming the organic layer.
The gas was evacuated to below × 10 -6 Torr (about 3.0 × 10 -4 Pa).

【0119】その後、陰極8として、先ず、フッ化リチ
ウム(LiF)をモリブデンボートを用いて、蒸着速度0.0
4nm/秒、真空度4.1×10-6Torr(約5.5×10-4Pa)で、
0.5nmの膜厚で電子輸送層7の上に成膜した。次に、ア
ルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、
蒸着速度0.41nm/秒、真空度9.0×10-6Torr(約1.2×10
-3Pa)で膜厚100nmのアルミニウム層を形成して陰極8
を完成させた。以上の2層型陰極8の蒸着時の基板温度
は室温に保持した。
After that, as the cathode 8, first, lithium fluoride (LiF) was used in a molybdenum boat, and the deposition rate was 0.0
4 nm / sec, vacuum degree 4.1 × 10 -6 Torr (about 5.5 × 10 -4 Pa),
A film having a thickness of 0.5 nm was formed on the electron transport layer 7. Next, heat the aluminum in the same way with a molybdenum boat,
Deposition rate 0.41 nm / sec, vacuum degree 9.0 × 10 -6 Torr (about 1.2 × 10
-3 Pa) to form an aluminum layer with a thickness of 100 nm and form a cathode 8
Was completed. The substrate temperature during the vapor deposition of the above-mentioned two-layer type cathode 8 was kept at room temperature.

【0120】以上の様にして、2mm×2mm のサイズの発
光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この
素子の発光特性を表1に示す。表1において、発光効率
は 100cd/m2での値、輝度/電流は輝度−電流密度特性
の傾きを、電圧は 100cd/m2での値を各々示す。安定性
は電流密度0.25A/cm2でDC駆動したとき、初期輝度と60
秒後の輝度の比率から評価した。輝度比(60秒後の輝度
/初期輝度)が0.98以上を「優れる」、0.90以上0.98未
満を「良好」、0.90未満を「劣る」とした。
As described above, an organic electroluminescent device having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained. The light emission characteristics of this device are shown in Table 1. In Table 1, the luminous efficiency is a value at 100 cd / m 2 , the luminance / current is the gradient of the luminance-current density characteristic, and the voltage is the value at 100 cd / m 2 . Stability is 60% of initial brightness when driven by DC at a current density of 0.25 A / cm 2.
It was evaluated from the ratio of luminance after 2 seconds. A brightness ratio (brightness after 60 seconds / initial brightness) of 0.98 or more was “excellent”, 0.90 or more and less than 0.98 was “good”, and less than 0.90 was “inferior”.

【0121】素子の発光スペクトルの極大波長は 473nm
であり、蛍光色素(DYE-1)からのものと同定された。
また、輝度劣化は殆どなく安定性に優れる。
The maximum wavelength of the emission spectrum of the device is 473 nm.
And was identified as from a fluorescent dye (DYE-1).
In addition, there is almost no deterioration in brightness and the stability is excellent.

【0122】比較例1 正孔阻止層を設けず、電子輸送層の膜厚を45nmとした他
は実施例1と同様に素子を作製した。この素子におい
て、正孔阻止層6のかわりに発光層に接している電子輸
送層7を形成している、Al(C9H6NO)3のイオン化ポテン
シャルは5.41eVであった。この素子の発光特性を表1に
示す。
Comparative Example 1 A device was prepared in the same manner as in Example 1 except that the hole blocking layer was not provided and the thickness of the electron transport layer was 45 nm. In this device, the ionization potential of Al (C 9 H 6 NO) 3 forming the electron transport layer 7 in contact with the light emitting layer instead of the hole blocking layer 6 was 5.41 eV. The light emission characteristics of this device are shown in Table 1.

【0123】素子の発光スペクトルの極大波長は 514nm
で目的とする青色発光は得られず、電子輸送層として用
いたアルミニウムの8-ヒドロキシキノリン錯体からの緑
色発光が観測された。
The maximum wavelength of the emission spectrum of the device is 514 nm.
The desired blue luminescence was not obtained, and green luminescence was observed from the aluminum 8-hydroxyquinoline complex used as the electron transport layer.

【0124】比較例2 正孔阻止層として以下の構造式に示すシラノールアルミ
ニウムの8-ヒドリキシキノリン錯体(イオン化ポテンシ
ャル:5.51eV)を用いた他は実施例1と同様に素子を作
製した。この素子の発光特性を表1に示す。
Comparative Example 2 A device was prepared in the same manner as in Example 1 except that an 8-hydroxyquinoline complex of silanolaluminum represented by the following structural formula (ionization potential: 5.51 eV) was used as the hole blocking layer. The light emission characteristics of this device are shown in Table 1.

【0125】素子の発光スペクトルの極大波長は 473nm
で目的とする青色発光が得られたが、輝度劣化が大き
く、駆動安定性に欠ける。
The maximum wavelength of the emission spectrum of the device is 473 nm.
As a result, the desired blue light emission was obtained, but the luminance deterioration was large and the driving stability was lacking.

【0126】[0126]

【化32】 [Chemical 32]

【0127】比較例3 正孔阻止層として以下の構造式に示す4,4'-N,N'-ジカル
バゾリルビフェニル(イオン化ポテンシャル:5.93eV)
を用いた他は実施例1と同様に素子を作製した。この素
子の発光特性を表1に示す。
Comparative Example 3 4,4'-N, N'-dicarbazolylbiphenyl shown in the following structural formula as a hole blocking layer (ionization potential: 5.93 eV)
A device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that was used. The light emission characteristics of this device are shown in Table 1.

【0128】素子の発光スペクトルの極大波長は 524nm
で目的とする青色発光は得られず、電子輸送層として用
いたアルミニウムの8-ヒドロキシキノリン錯体からの緑
色発光が観測された。
The maximum wavelength of the emission spectrum of the device is 524 nm.
The desired blue luminescence was not obtained, and green luminescence was observed from the aluminum 8-hydroxyquinoline complex used as the electron transport layer.

【0129】[0129]

【化33】 [Chemical 33]

【0130】実施例2 正孔阻止層として例示化合物(H-25)を用いた他は実施
例1と同様に素子を作製した。この素子の発光特性を表
1に示す。
Example 2 A device was prepared in the same manner as in Example 1 except that the exemplified compound (H-25) was used as the hole blocking layer. The light emission characteristics of this device are shown in Table 1.

【0131】素子の発光スペクトルの極大波長は 471nm
で目的とする青色発光が得られ、輝度劣化も少なく駆動
安定性は良好であった。
The maximum wavelength of the emission spectrum of the device is 471 nm.
The desired blue light emission was obtained, and the deterioration in luminance was small and the driving stability was good.

【0132】[0132]

【表1】 [Table 1]

【0133】[0133]

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の有機電界発
光素子によれば、任意に選定された発光材料からの発光
のみを得ることが可能であり、さらには駆動安定性に優
れた発光が得ることができる。特に、従来困難であった
青色発光素子の駆動安定性の改善が顕著である。
As described in detail above, according to the organic electroluminescence device of the present invention, it is possible to obtain only light emission from a light emitting material arbitrarily selected, and further, light emission excellent in driving stability. Can be obtained. In particular, the improvement in driving stability of the blue light emitting element, which has been difficult in the past, is remarkable.

【0134】従って、本発明による有機電界発光素子は
フラットパネル・ディスプレイ(例えばOAコンピュー
タ用や壁掛けテレビ)、車載表示素子、携帯電話表示や
面発光体としての特徴を生かした光源(例えば、複写機
の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光
源)、表示板、標識灯への応用が考えられ、その技術的
価値は大きいものである。
Therefore, the organic electroluminescent device according to the present invention is a light source (for example, a copying machine) that makes use of the characteristics of a flat panel display (for OA computer or wall-mounted television, for example), an on-vehicle display device, a mobile phone display, or a surface light emitter. Light sources, backlight sources for liquid crystal displays and measuring instruments), display boards, and marker lights, and their technical value is great.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の有機電界発光素子の実施の形態の一例
を示した模式的断面図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an embodiment of an organic electroluminescence device of the present invention.

【図2】本発明の有機電界発光素子の実施の形態の別の
例を示した模式的断面図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing another example of the embodiment of the organic electroluminescent element of the present invention.

【図3】本発明の有機電界発光素子の実施の形態の別の
例を示した模式的断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing another example of the embodiment of the organic electroluminescent element of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 陽極 3 陽極バッファ層 4 正孔輸送層 5 発光層 6 正孔阻止層 7 電子輸送層 8 陰極 1 substrate 2 anode 3 Anode buffer layer 4 Hole transport layer 5 Light emitting layer 6 Hole blocking layer 7 Electron transport layer 8 cathode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 市野澤 晶子 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB04 AB06 AB11 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Akiko Ichinozawa             1000 Kamoshida-cho, Aoba-ku, Yokohama-shi, Kanagawa             Within Mitsubishi Chemical Corporation F-term (reference) 3K007 AB04 AB06 AB11 BA06 CA01                       CB01 DA01 DB03 EB00

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に、陽極および陰極に挟持された
発光層を有し、該発光層の該陰極側の界面に接して正孔
阻止層が設けられた有機電界発光素子において、 該正孔阻止層が、下記一般式(I)で表わされる化合物
を含むことを特徴とする有機電界発光素子。 【化1】 ((I)式中、カルバゾリル基およびフェニレン基は任
意の置換基を有していてもよく、また該置換基同士が結
合し、カルバゾリル基またはフェニレン基に縮合する環
を形成していてもよい。Zは2価の連結基を示す。)
1. An organic electroluminescent device comprising a substrate, a light emitting layer sandwiched between an anode and a cathode, and a hole blocking layer provided in contact with an interface of the light emitting layer on the cathode side. An organic electroluminescence device, wherein the hole blocking layer contains a compound represented by the following general formula (I). [Chemical 1] (In the formula (I), the carbazolyl group and the phenylene group may have an arbitrary substituent, and the substituents may be bonded to each other to form a ring condensed with the carbazolyl group or the phenylene group. . Z represents a divalent linking group.)
【請求項2】 一般式(I)で表される化合物が、下記
一般式(I’)で表されることを特徴とする請求項1に
記載の有機電界発光素子。 【化2】 ((I’)式中、R1〜R16は各々独立に、水素原子、
ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル
基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボ
ニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミ
ノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、
アリールオキシ基、置換基を有していてもよい芳香族炭
化水素環基または芳香族複素環基を表し、R1とR2、R
3とR4、R 5とR6、R7とR8、R9とR10、R11
12、R13とR14、R15とR16はそれぞれ結合して環を
形成してもよい。Zは2価の連結基を示す。)
2. A compound represented by the general formula (I) is
It represents with General formula (I '), It is characterized by the above-mentioned.
The organic electroluminescent element as described. [Chemical 2] (In the formula (I '), R1~ R16Are each independently a hydrogen atom,
Halogen atom, alkyl group, aralkyl group, alkenyl
Group, cyano group, amino group, acyl group, alkoxycarbo
Nyl group, carboxyl group, alkoxy group, alkylami
Group, aralkylamino group, haloalkyl group, hydroxyl group,
Aryloxy group, aromatic carbon which may have a substituent
Represents a hydrogenated ring group or an aromatic heterocyclic group, R1And R2, R
3And RFour, R FiveAnd R6, R7And R8, R9And RTen, R11When
R12, R13And R14, R15And R16Are connected to form a ring
You may form. Z represents a divalent linking group. )
【請求項3】 一般式(I)または(I’)におけるZ
が、以下に示す連結基、 【化3】 置換基を有してもよい2価の芳香族炭化水素環基または
芳香族複素環基、或いは、以下の連結基 【化4】 (上記各構造中のベンゼン環部分は、いずれも任意の置
換基を有していてもよく、また式中、Ar1〜Ar6は置
換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基または芳香
族複素環基、或いは、以下に示す一般式(II) 【化5】 で表される基のいずれかである。なお、式(II)中、カ
ルバゾリル基およびフェニレン基は任意の置換基を有し
ていてもよい。)のいずれかで表される構造であること
を特徴とする請求項1または2に記載の有機電界発光素
子。
3. Z in the general formula (I) or (I ′)
Is a linking group shown below, A divalent aromatic hydrocarbon ring group or aromatic heterocyclic group which may have a substituent, or the following linking group: (The benzene ring portion in each of the above structures may have any substituent, and in the formula, Ar 1 to Ar 6 are aromatic hydrocarbon ring groups which may have a substituent. Or an aromatic heterocyclic group, or a compound represented by the following general formula (II) Is one of the groups represented by. In the formula (II), the carbazolyl group and the phenylene group may have any substituent. The organic electroluminescent element according to claim 1 or 2, which has a structure represented by any one of (1) to (3).
【請求項4】 一般式(II)で表される構造が、下記一
般式(II’)で表される構造であることを特徴とする請
求項3に記載の有機電界発光素子。 【化6】 ((II’)式中、R17〜R24は各々独立に、水素原子、
ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル
基、シアノ基、置換基を有していてもよいアミノ基、ア
シル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ア
ルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、
ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、置換基を
有していてもよい芳香族炭化水素環基または芳香族複素
環基を表し、R17とR18、R19とR20、R21とR22、R
23とR24はそれぞれ結合して環を形成してもよい。)
4. The organic electroluminescent device according to claim 3, wherein the structure represented by the general formula (II) is a structure represented by the following general formula (II ′). [Chemical 6] (In the formula (II ′), R 17 to R 24 are each independently a hydrogen atom,
Halogen atom, alkyl group, aralkyl group, alkenyl group, cyano group, optionally substituted amino group, acyl group, alkoxycarbonyl group, carboxyl group, alkoxy group, alkylamino group, aralkylamino group,
A haloalkyl group, a hydroxyl group, an aryloxy group, an aromatic hydrocarbon ring group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group, R 17 and R 18 , R 19 and R 20 , R 21 and R 22 , R
23 and R 24 may combine with each other to form a ring. )
【請求項5】 該正孔阻止層のイオン化ポテンシャルが
発光層のイオン化ポテンシャルより0.1eV以上大きい
ことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記
載の有機電界発光素子。
5. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the ionization potential of the hole blocking layer is larger than the ionization potential of the light emitting layer by 0.1 eV or more.
【請求項6】 該正孔阻止層と陰極との間に電子輸送層
を有することを特徴とする請求項1ないし5のいずれか
1項に記載の有機電界発光素子。
6. The organic electroluminescent device according to claim 1, further comprising an electron transport layer between the hole blocking layer and the cathode.
【請求項7】 該発光層と陽極との間に正孔輸送層を有
すること特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に
記載の有機電界発光素子。
7. The organic electroluminescent device according to claim 1, further comprising a hole transport layer between the light emitting layer and the anode.
【請求項8】 請求項1ないし7のいずれか1項に記載
の有機電界発光素子よりなる青色発光素子。
8. A blue light emitting device comprising the organic electroluminescent device according to claim 1.
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