JP2008020797A - フォトマスク、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置用基板 - Google Patents

Abstract

【課題】電気光学装置における透過率等の光学特性に寄与する部分の最適設計を短期間で特定する。
【解決手段】光学特性測定工程（ステップＳ３２０）において、検査対象部９０２ａ１及び９０２ａ２の夫々を駆動させ、当該検査対象部９０２ａ１及び９０２ａ２に画像を表示させることによって、検査対象部９０２ａ１及び９０２ａ２の夫々の輝度（即ち、光の透過率）、コントラスト、或いはフリッカの発生状態等の光学特性を測定する。情報抽出工程（ステップＳ３３０）において、検査対象部９０２ａ１及び９０２ａ２の構成の相違、言い換えれば、画素部７２の光学特性に寄与する透明電極９ａ１及び９ａ２の夫々の間隔に起因して測定された輝度、コントラスト或いはフリッカの発生状況に基づいて、高品位で画像を表示できる画素部７２の設計を特定する。
【選択図】図１０

Description

本発明は、例えば、液晶パネル等の液晶装置に適用される基板を製造する際に、当該基板上に形成される画素部の透過率等の光学特性を検査するために用いられるＴＥＧを形成するためのフォトマスク、液晶パネル等の電気光学装置の製造方法、及び当該電気光学装置に適用される電気光学装置用基板の技術分野に関する。

この種の電気光学装置の一例である液晶パネルでは、画像表示領域に形成された各種電極、電子素子等における、電気的な導通状態、電気的な絶縁状態、電気的な動作状態、電気抵抗値や電気伝導率など、様々な電気的状態を検査したり、更に、これに代えて又は加えて、周辺領域に形成された周辺回路等における様々な電気的状態を模擬的に検査するために、検査用素子（Test Element Group：以下、ＴＥＧと称する。）が設けられることが多い。このようなＴＥＧは、例えば、画素スイッチング用ＴＦＴを製造する際に、これと同一工程で同一積層構造を有するＴＦＴを有するように、液晶パネルの画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に形成される（例えば、特許文献１参照。）。

特開２００４−３４１２１６号公報

しかしながら、特許文献１に参照された技術によれば、画像表示領域に形成された各種電極等の電気特性を模擬的に検査するだけであり、画像表示領域に形成された各画素の透過率、コントラスト等の光学特性を検査することは困難である。特に、液晶パネル等の電気光学装置の各画素における透過率等の光学特性は、例えば画素部に含まれる透明電極等の設計、及び画素部を形成する際の製造プロセス条件によって変動し、所定の光学特性を有するように画素部を設計した場合であっても、製造プロセス条件の変動によって各画素部で互いに透過率等の光学特性にばらつきが生じ、液晶パネル等の表示品位を高めることが困難になる。したがって、各画素が所定の光学特性を有するように最適な設計で画素部を形成することが困難となる問題点がある。

加えて、各画素における透過率或いはコントラスト等の光学特性は、画素部を駆動するために基板上に形成された画素スイッチング用のＴＦＴ等の電子素子、画像信号を各データ線にサンプリングするためのサンプリング回路、或いは配線等の電気特性の変動に応じて変化する。より具体的には、例えば画素部の光学特性に寄与する透明な画素電極の間隔等の設計パラメータについて互いに異なる値を有するＴＥＧを形成し、当該ＴＥＧについて透過率等の光学特性を検査したとしても、画素部について設計通りに光学特性を得ることができない場合も多い。また、透明な画素電極等を形成する前に画素部に作り込まれる画素スイッチング用のＴＦＴの製造プロセス条件、或いは画素電極を形成した後に画素電極上に形成される配向膜、或いは液晶パネルを組み上げる際の各種条件に応じて画素部の光学特性は変動する。

したがって、各画素部の光学特性は、単に画素電極等の光学特性に寄与すると推測される部分の設計、及び当該部分の製造プロセス条件のみに注目して画素部を検査しただけでは所定の光学特性を得るための画素部の最適設計を特定することが困難となる、設計上及び製造プロセス上の問題点もある。

また、仮に、画素部の光学特性に変動を生じさせる各種製造プロセス条件について複数の値を組み合わせて画素部の光学特性を評価したとしても、当該評価に要するコスト及び手間が膨大なものとなり、高品位の液晶パネル等の電気光学装置を迅速に開発することが非常に困難になる。このような事態が解消されない場合、電気光学装置を開発するために要した開発コスト等を市場で回収する機会が失われ、電気光学装置を市場に提供するための更なる技術開発に支障が生じる恐れもある。

よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、液晶パネル等の電気光学装置の一部を構成する電気光学装置用基板に形成される画素部の光学特性について各種情報を抽出するためのＴＥＧ等を形成するためのフォトマスク、及び当該ＴＥＧの光学特性を測定することによって、例えば当該画素部の光学特性、及び最適設計に関する情報を抽出できる電気光学装置の製造方法、並びに電気光学装置用基板を提供することを課題とする。より高品位或いは高機能を有する。

本発明に係るフォトマスクは上記課題を解決するために、基板上に形成される画素部の光学特性に関する各種情報を抽出するために夫々の光学特性が測定される第１検査対象部及び第２検査対象部を前記基板上に形成するために用いられるフォトマスクであって、前記第１検査対象部のパターンに対応した第１マスクパターンと、前記第２検査対象部のパターンに対応した第２マスクパターンとを備え、前記第１マスクパターン及び前記第２マスクパターンの夫々は、前記画素部の光学特性に寄与する第１設計パラメータについて互いに異なる値を有するマスクパターンである。

本発明に係るフォトマスクによれば、第１検査対象部及び第２検査対象部は、基板上に形成される画素部の光学特性に関する各種情報を抽出するために、電気光学装置用基板となるべきシリコンウェハ等の基板上に形成される。

ここで、「光学特性」とは、例えば画素部における光の透過率、複数の画素部相互の輝度の差に起因するコントラスト、フリッカ、及びその他電気光学装置の表示特性を示すことが可能な指標である。

第１マスクパターンは、第１検査対象部のパターンに対応しており、第２マスクパターンは、第２検査対象部のパターンに対応している。加えて、第１マスクパターン及び第２マスクパターンの夫々は、画素部の光学特性に寄与する第１設計パラメータについて互いに異なる値を有するマスクパターンである。

「画素部の光学特性に寄与する第１設計パラメータ」とは、例えば液晶等の電気光学物質を配向制御するための透明な画素電極のサイズ、或いは形状、画素電極相互の間隔、画素部において実質的に光が透過する領域である開口領域を規定する遮光膜の幅等のように透過率等の光学特性に直接的に寄与すると想定される画素部の構成部分であって、設計者が具体的な寸法、或いは形状を設定可能な構成部分のパラメータ、或いは基板上における画素部の配列状態を規定する画素ピッチのように設計者が具体的に設定可能なパラメータを意味する。

第１マスクパターン及び第２マスクパターンの夫々は、第１設計パラメータについて互いに異なる値を有しているため、本発明に係るフォトマスクを用いて形成されたパターンを有する第１検査対象部及び第２検査対象部では、画素部の光学特性に寄与する第１設計パラメータについて互いに異なる値を有するパターンが第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々の一部として形成される。より具体的には、例えば第１マスクパターン及び第２マスクパターンの夫々を介して、第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々の一部を構成するパターンの一例として基板上の所定の領域に互いに異なる間隔で配列された複数の透明電極を形成した場合には、第１検査対象部及び第２検査対象部における透過率等の光学特性を測定することによって、複数の透明電極相互の間隔に起因する第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々における透過率等の光学特性に関する具体的な相違が判明する。

第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々は、第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々において互いに異なる値で形成された第１設計パラメータとして、第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々において相互に異なる画素ピッチとなるように互いに異なる間隔でパターニングされたデータ線等の配線を有していてもよい。

したがって、本発明に係るフォトマスクを用いて形成された第１検査対象部及び第２検査対象部の光学特性を測定することによって、製造プロセス等によって生じる当該異なる値間の設計範囲における画素部の光学特性の変動、言い換えれば画素部の光学特性のばらつきが検査でき、画素部の第１設計パラメータの設計値として設定された値が、所定の光学特性で画素部が動作するように妥当な値に設定されているか否かに関する情報を抽出できる。加えて、画素部の光学特性に要求される性能に関する許容値の幅、即ち光学特性に寄与する第１設計パラメータについて許容される最大及び最小の値を見積もるための情報も抽出できる。

第１検査対象部及び第２検査対象部では、画素部に形成される透明な画素電極上に形成される配向膜等を含む積層構造と同様の構造が、第１マスクパターン及び第２マスクパターンを介して第１設計パラメータに対応したパターンを所定の値で形成した段階で、第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々が有する透明電極上に形成されていてもよく、このような積層構造が形成された状態で第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々の光学特性が測定されてもよい。また、第１検査対象部及び第２検査対象部では、例えば画素部と同様の構造が透明電極の下層に予め画素部と共通の工程によって形成されていてもよい。

これにより、画素部の光学特性に寄与する第１設計パラメータについて互いに異なる値のみに起因して生じる光学特性の相違だけでなく、第１設計パラメータの各値に対応する部分を第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々に形成する工程以前の各種製造工程と、当該工程以後の各種製造工程とによって生じる第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々の光学特性の変動或いはばらつきに関する情報も抽出することが可能である。このような光学特性の変動、或いはばらつきに関する情報を抽出することによって、画素部の光学特性に寄与する第１設計パラメータに関して、製造プロセスの変動に対して当該光学特性の変動、或いはばらつきが低減できる値を見積もるための情報を抽出することが可能である。

よって、本発明に係るフォトマスクによれば、画素部の光学特性に寄与する第１設計パラメータについて互いに異なる値を有する第１検査対象部及び第２検査対象部を形成できるため、製造プロセス等によって生じる当該異なる値間の設計範囲における画素部の光学特性の変動、言い換えれば画素部の光学特性のばらつきが検査できる。これにより、画素部の第１設計パラメータの設計値として設定された値が、所定の光学特性で画素部が動作するように妥当な値に設定されているか否か、言い換えれば、画素部が所定の光学特性を有することが可能である第１設計パラメータの値に関するマージン、或いは製造プロセスの限界値を特定するための情報を抽出でき、ばらつきが低減された光学特性に基づいて高品位の画像表示が可能である液晶パネル等の電気光学装置を構成できる電気光学装置用基板を製造できる。

加えて、本発明に係るフォトマスクを用いて形成された第１検査対象部及び第２検査対象部の光学特性を測定することによって得られた各種情報によれば、製造プロセス条件、及び設計パラメータについて複数の値の組み合わせに応じた複数の実験を行うことによって光学特性のばらつきが相対的に小さい第１設計パラメータの値を特定する場合に比べて、短期間で相対的にばらつきが小さく、且つ画素部の光学特性として要求される性能を有する画素部を形成するための第１設計パラメータの値を特定することが短期間で可能となる。これにより、液晶パネル等の電気光学装置の開発期間を短縮することが可能である。

本発明に係るフォトマスクの一の態様では、前記第１設計パラメータに対応したパターンを前記画素部の一部として前記基板上に形成するためのマスクパターンである第３マスクパターンを備えていてもよい。

この態様によれば、第３マスクパターンを介して、画素部の一部として画素部の光学特性に寄与する第１設計パラメータに対応した、例えば透明な画素電極等のパターンを、第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々のパターンを形成する工程と共通の工程で形成できる。したがって、第１設計パラメータに対応したパターンを画素部に形成する際の製造プロセスの変動、及びばらつきは、第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々のパターンにそのまま反映される。このため、第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々の光学特性を測定して得られた測定結果は、第１設計パラメータに対応したパターンを画素部に形成する製造プロセスの変動、及びばらつきが考慮された状態で、第１設計パラメータについて互いに異なる値を有する第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々のパターンの値の相違を反映する。

第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々について測定された光学特性によれば、第１設計パラメータに対応したパターンを形成する製造プロセスについて、当該第１設計パラメータに関する設計マージン及び製造プロセス条件の限界に関する情報を抽出できる。より具体的には、第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々の透過率等の光学特性を比較することによって、例えば画素部の一部として形成される透明な画素電極相互の間隔等の設計マージンに関する情報、或いは、当該透明な画素電極相互の間隔の相違に応じた透過率の変動及びばらつきの変化に関する情報を抽出できる。

この態様によれば、第１設計パラメータに対応するパターンを画素部の一部として形成するための製造プロセス条件を振って実験を行うことなく、画素部の光学特性を見極めることができ、且つ当該光学特性についてばらつきを相対的に小さくできる第１設計パラメータの値の範囲を特定できる。したがって、第１設計パラメータについて、画素部を形成するための製造プロセスの条件の変動に対して、光学特性のばらつきが相対的に小さい値を特定でき、高品位の表示特性を有する電気光学装置が製造可能となる。

加えて、例えば基板上に画素部を形成する製造工程と共通の工程、言い換えれば、画素部に透明な画素電極等を形成するのと並行して第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々に透明電極を形成できるため、基板上に画素部を形成する工程、或いは当該工程を含む電気光学装置用基板の製造工程にシリコンウェハ等の基板を一度流動させることによって、第１設計パラメータについて、画素部を形成するための製造プロセスの条件の変動に対して、光学特性のばらつきが相対的に小さい値を特定できる。したがって、高品位の電気光学装置を短期間で開発可能である。

本発明に係る電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に形成される画素部の光学特性に関する各種情報を抽出するために前記基板上に形成されており、前記画素部の光学特性に寄与する第１設計パラメータについて互いに異なる値を有する第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々の光学特性を測定する第１工程と、該測定された前記第１検査対象部及び前記第２検査対象部の夫々の光学特性に基づいて、前記画素部の光学特性に関する各種情報を抽出する第２工程とを備える。

本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、第１工程に先立ち、電気光学装置用基板となるべき、例えばシリコンウェハ等の基板上において、画素部が形成される表示領域とは別の領域にＴＥＧの一部として形成される第１検査対象部及び第２検査対象部の一部として第１設計パラメータについて互いに異なるパターンが形成されている。このような第１検査対象部及び第２検査対象部は、基板上に形成される画素部の光学特性に関する各種情報を抽出するために形成されており、電気光学装置を組み上げた際に電気光学装置用基板にそのまま残されていてもよいし、第１検査対象部及び第２検査対象部の光学特性が測定された後に基板から除去されていてもよい。尚、「第１設計パラメータ」及び「光学特性」とは、上述した本発明に係るフォトマスクにおける「第１設計パラメータ」及び「光学特性」と同様の意味である。

第１工程では、第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々の光学特性を測定する。ここで、第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々は、画素部の光学特性に寄与する第１設計パラメータについて互いに異なる値を有するパターンを有しているため、例えば第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々の一部を構成するパターンの一例として基板上の所定の領域に互いに異なる間隔で配列された透明電極を形成した場合には、第１検査対象部及び第２検査対象部における透過率等の光学特性を測定することによって、透明電極相互の間隔に起因する第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々における透過率等の光学特性に関する具体的な相違が判明する。

第２工程では、測定された第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々の光学特性に基づいて、画素部の光学特性に関する各種情報を抽出する。ここで、「各種情報」とは、製造プロセス等によって生じる当該異なる値間の範囲における画素部の光学特性の変動、言い換えれば画素部の光学特性のばらつきに関する情報である。加えて、「各種情報」は、画素部の第１設計パラメータの設計値として設定された値が、所定の光学特性で画素部が動作するように妥当な値に設定されているか否かに関する情報、或いは、画素部の光学特性に要求される性能に関する許容値の幅、即ち光学特性に寄与する設計パラメータについて許容される最大及び最小の値を見積もるための情報も含む。したがって、第２工程において抽出された各種情報に基づいて、画素部の光学特性に寄与する第１設計パラメータが、所定の光学特性を画素部に発揮させるように妥当な、或いは最適な設計値に設定されているか否かを判定できる。

加えて、第１検査対象部及び第２検査対象部では、第１検査対象部及び第２検査対象部に透明電極等を第１設計パラメータの所定の値で形成した段階で、或いは画素部に形成される透明な画素電極上に形成される配向膜等を含む積層構造と同様の構造が、第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々が有する透明電極上に形成されていてもよく、このような積層構造が形成された状態で第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々の光学特性が測定されてもよい。また、第１検査対象部及び第２検査対象部の設計パラメータの一例である透明電極の下層には、例えば画素部と同様の構造が予め画素部と共通の工程によって形成されていてもよい。

これにより、第２工程において、画素部の光学特性に寄与する透明電極の間隔等の設計パラメータについて互いに異なる値のみに起因して生じる光学特性の相違だけでなく、透明電極の間隔等の第１設計パラメータについて、第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々に形成する透明電極形成工程以前の各種製造工程と、当該透明電極形成工程以後の各種製造工程とによって生じる第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々の光学特性の変動或いはばらつきに関する情報も抽出することが可能である。このような光学特性の変動、或いはばらつきに関する情報を抽出することによって、画素部の光学特性に寄与する第１設計パラメータに関して、製造プロセスの変動に対して当該光学特性の変動、或いはばらつきが低減できる値を見積もるための情報を抽出することも可能である。

また、第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々の光学特性を測定することによって、画素部が所定の光学特性を有することが可能である第１設計パラメータの値に関するマージン、或いは製造プロセスの限界値を特定するための情報も抽出できる。

よって、本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、画素部の光学特性に寄与する第１設計パラメータについて互いに異なる値を有する第１検査対象部及び第２検査対象部の光学特性を測定することによって得られた各種情報に基づいて、ばらつきが低減された高品位の画像表示が可能である液晶パネル等の電気光学装置を製造可能である。

加えて、第１検査対象部及び第２検査対象部の光学特性を測定することによって得られた各種情報によれば、製造プロセス条件、及び設計パラメータの複数の値の組み合わせに応じた複数の実験を行うことによって光学特性のばらつきが相対的に小さい第１設計パラメータの値を特定する場合に比べて、短期間で相対的にばらつきが小さく、且つ画素部の光学特性として要求される性能を有する画素部を形成するための第１設計パラメータの値を特定することが短期間で可能となる。これにより、高品位の表示特性を有する電気光学装置の開発期間を短縮できる。

この態様では、前記第１工程に先んじて、前記第１設計パラメータについて互いに異なる値を有する第１マスクパターン及び第２マスクパターンの夫々を有するフォトマスクを用いて前記基板上に前記第１検査対象部及び前記第２検査対象部の夫々のパターンを形成する第３工程を備えていてもよい。

この態様によれば、第１設計パラメータについて互いに異なる値を有する第１マスクパターン及び第２マスクパターンの夫々を有するフォトマスクを用いて、第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々のパターンを並行して形成できる。したがって、第１検査対象部及び第２検査対象部相互の関係について、製造プロセス条件の変動及びばらつきに起因して光学特性の変動及びばらつきが生じることが、殆どなく光学特性の相違は第１設計パラメータの値の相違に起因する。

この態様では、前記フォトマスクは、前記第１設計パラメータに対応したパターンを前記画素部の一部として前記基板上に形成するためのマスクパターンである第３マスクパターンを有しており、前記第３工程において、前記第１マスクパターン、前記第２マスクパターン、及び前記第３マスクパターンの夫々を介して、前記第１検査対象部及び前記第２検査対象部の夫々のパターン、及び前記一部を形成してもよい。

この態様によれば、第３マスクパターンを介して、画素部の一部として画素部の光学特性に寄与する第１設計パラメータに対応した、例えば透明な画素電極等のパターンを、第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々のパターンを形成する工程と共通の工程で形成できる。したがって、第１設計パラメータに対応したパターンを画素部に形成する製造プロセスの変動、及びばらつきは、第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々のパターンにそのまま反映される。このため、第２工程において第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々の光学特性を測定して得られた測定結果の相違は、第１設計パラメータに対応したパターンを画素部に形成する製造プロセスの変動、及びばらつきが考慮された状態で、第１設計パラメータについて互いに異なる値を有する第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々のパターンの値の相違に起因する。

このような測定結果によれば、第１設計パラメータに対応したパターンを形成する製造プロセスについて、当該第１設計パラメータに関する設計マージン及び製造プロセス条件の限界に関する情報を抽出できる。より具体的には、第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々の透過率等の光学特性を比較することによって、例えば画素部の一部とし形成される透明な画素電極相互の間隔等の設計マージンに関する情報、或いは、透過率の変動及びばらつきの変化に関する情報を抽出できる。

この態様によれば、第１設計パラメータに対応するパターンを画素部の一部として形成するための製造プロセス条件を振って実験を行うことなく、画素部の光学特性を見極めることができ、且つ当該光学特性についてばらつきを相対的に小さくできる第１設計パラメータの値の範囲を特定できる。したがって、第１設計パラメータについて、画素部を形成するための製造プロセスの条件の変動に対して、光学特性のばらつきが相対的に小さい値を特定でき、高品位の表示特性を有する電気光学装置を製造可能となる。

加えて、例えば基板上に画素部を形成する製造工程と共通の工程、言い換えれば、画素部に透明な画素電極等を形成すると同時に第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々に透明電極を形成できることから、基板上に画素部を形成する工程、或いは当該工程を含む電気光学装置用基板の製造工程に基板を一度通すことによって、第１設計パラメータについて、画素部を形成するための製造プロセスの条件の変動に対して、光学特性のばらつきが相対的に小さい値を特定できる。したがって、高品位の電気光学装置を短期間で開発可能である。

本発明に係る電気光学装置の製造方法の一の態様では、前記第３工程に先んじて、前記画素部の電気特性に寄与する第２設計パラメータについて互いに異なる値を有するパターンを第３検査対象部及び第４検査対象部の夫々の一部として形成する第４工程と、前記第３検査対象部及び前記第４検査対象部の夫々の電気特性を測定する第５工程と、該第５工程で測定された電気特性に基づいて、前記画素部の電気特性に関する各種情報を抽出する第６工程とを備えていてもよい。

この態様によれば、第３検査対象部及び第４検査対象部は、基板上において、例えば画素部が形成される領域とは別の領域に形成されるＴＥＧに作り込まれた部分である。このような第３検査対象部及び第４検査対象部は、基板上に形成される画素部の電気特性に関する各種情報を抽出するために、電気光学装置用基板となるべきシリコンウェハ等の基板上に形成される。

ここで、「電気特性」とは、基板上に形成される各種電子素子の動作特性及び配線の電気抵抗のように画素部の光学特性に間接的に寄与する特性を意味する。このような電気特性としては、例えば画素スイッチング用ＴＦＴのプッシュダウン電圧、当該ＴＦＴにおけるチャージアップ、画素部に供給された画像信号を保持する蓄積容量の容量値、サンプリング回路に含まれるＴＦＴのスイッチング特性等が挙げられる。加えて、「電気特性」は、基板上に形成される多層構造中で経時的に発生する構造的欠陥であって、ＴＦＴ等の電子素子の動作特性及び配線の電気抵抗に間接的に寄与するクラック等の構造的欠陥、及び当該多層構造に含まれる絶縁膜の経時的な絶縁性能の劣化のように、各種電子素子及び各種回路部の動作特性、並びに配線の電気特性に間接的に寄与する特性をも含む。

この態様において、「画素部の電気特性に寄与する第２設計パラメータ」とは、基板上に形成された各種電子素子、配線、或いは画素部の構成要素の具体的な構造、サイズ、形状等のように具体的に設計者が設定可能なパラメータを意味する。

第３検査対象部及び第４検査対象部では、画素部の電気特性に寄与する第２設計パラメータについて互いに異なる値を有するパターンが第３検査対象部及び第４検査対象部の夫々の一部として形成される。

より具体的には、例えば、第３検査対象部及び第４検査対象部の夫々の一部を構成するパターンの一例として、画素スイッチング用ＴＦＴのチャネル長或いはチャネル幅を規定する電極が挙げられる。このような電極のサイズ等は、第３検査対象部及び第４検査対象部の夫々において互いに異なる値に設定される。したがって、第３検査対象部及び第４検査対象部の夫々において、画素スイッチング用ＴＦＴに入力されるスイッチング信号に対するプッシュダウン電圧が当該電極のサイズ或いは形状等の値に応じて相互に相違し、各検査対象部における透過率等の光学特性に変動を生じさせる。

第５工程では、例えば、画素部の光学特性に寄与する第１設計パラメータについて互いに異なる値を有するパターンが第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々に形成される前に、或いは形成された後に、第３検査対象部及び第４検査対象部の夫々の電気特性を測定する。第６工程では、第５工程によって得られた電気特性に基づいて、第２設計パラメータの値について安定して画素部を駆動できる値を特定できる情報を抽出できる。

より具体的には、第２設計パラメータに対応したパターンを形成する製造プロセスについて、当該第２設計パラメータに関する設計マージン及び製造プロセス条件の限界に関する情報を抽出できる。例えば、第３検査対象部及び第４検査対象部の夫々における画素スイッチング用ＴＦＴにおけるプッシュダウン電圧を比較することによって、例えば画素部の一部である画素スイッチング用ＴＦＴにおけるチャネル長等の設計マージンに関する情報、或いは、当該チャネル長等のサイズの相違に応じたプッシュダウン電圧の変動及びばらつきに関する情報を抽出できる。

この態様によれば、第２設計パラメータに対応するパターンを画素部の一部として形成するための製造プロセス条件を振って実験を行うことなく、画素部の電気特性を見極めることができ、且つ当該電気特性についてばらつきを相対的に小さくできる第２設計パラメータの値の範囲を特定できる。したがって、第２設計パラメータについて、画素部を形成するための製造プロセスの条件の変動に対して、電気特性のばらつきが相対的に小さい値を特定でき、当該電気特性に連動する画素部の光学特性が高められた、或いは画素部の光学特性のばらつきが低減された高品位の電気光学装置を短期間で開発可能である。

本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記第１工程に先んじて、前記画素部の電気特性に寄与する第２設計パラメータについて互いに異なる値を有するパターンを前記第１検査対象部及び前記第２検査対象部の夫々の一部として形成する第７工程と、前記第１検査対象部及び前記第２検査対象部の夫々の電気特性を測定する第８工程と、該測定された前記第１検査対象部及び前記第２検査対象部の夫々の電気特性に基づいて、前記画素部の電気特性に関する各種情報を抽出する第９工程とを備えていてもよい。

この態様によれば、第１設計パラメータについて互いに異なる値と、第２設計パラメータについて互いに異なる値との交互作用に起因する光学特性の相違を検出できる。第２工程において、画素部の光学特性に寄与する第１設計パラメータに関する互いに異なる値と、画素部の電気特性に寄与する第２設計パラメータに関する互いに異なる値との交互作用によって生じる第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々の光学特性の相違を抽出することが可能である。

この態様では、例えば、第１設計パラメータの一例である透明電極相互の間隔と、第２設計パラメータの一例である画素スイッチング用ＴＦＴのチャネル長等とを品質工学における制御因子として予め選択しておき、当該制御因子における互いに異なる値の組み合わせを直交表に割付ける。第１検査対象部及び第２検査対象部は、第３工程及び第７工程によって、当該直交表に割り付けられた各条件に応じた構造が作り込まれる。したがって、電気光学装置の組み上げる組み上げ工程までの一連の製造工程に、第１検査対象部及び第２検査対象部が形成された基板を一度通すことによって、例えば、測定された第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々の光学特性から、画素部の光学特性のばらつきを低減可能な第１設計パラメータ及び第２設計パラメータの夫々の最適な値を特定できる。

したがって、この態様によれば、画素部における光学特性のばらつきを低減できる画素部の第１設計パラメータ及び第２設計パラメータの夫々の値を特定でき、高品位の画像表示が可能な電気光学装置を短期間で製造できる。

本発明に係る電気光学装置用基板は上記課題を解決するために、基板と、前記基板上に形成された画素部の光学特性に関する各種情報を抽出するために前記基板上に形成されており、前記画素部の光学特性に寄与する第１設計パラメータについて互いに異なる値を有する第１検査対象部及び第２検査対象部とを備える。

本発明に係る電気光学装置用基板によれば、上述した電気光学装置の製造方法と同様に、電気光学装置の表示性能を高めることができる電気光学装置用基板を提供できる。

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。

以下、図面を参照しながら、本発明に係るフォトマスク、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置用基板の各実施形態を説明する。

＜１：電気光学装置の全体構成＞
先ず、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法を用いて製造可能な電気光学装置の構成を説明し、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法における各設計パラメータの具体例を明示しておく。ここに、図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。

図１及び図２において、液晶装置１では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素部が設けられる画素領域たる画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。複数の配線１０５が二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。

対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜１６が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜２２が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる画素電極９ａ及び対向電極２１は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電膜からなり、配向膜１６及び２２は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板である。対向基板２０もＴＦＴアレイ基板１０と同様に透明基板である。

このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が形成されている。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜により所定の配向状態をとる。

尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するために、後に説明するＴＥＧが取り除かれることなく、検査回路としてＴＦＴアレイ基板１０上に残されてもよい。

＜２：画素部の電気的な接続構成＞
次に、図３を参照しながら、液晶装置１の画素部の電気的な接続構成を詳細に説明する。図３は、液晶装置１の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。

図３において、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素部７２の夫々には、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置１の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１ａが電気的に接続されており、液晶装置１は、所定のタイミングで、走査線１１ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。

液晶層５０を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置１からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に、蓄積容量７０が電気的に接続されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。

＜３：画素部の具体的な構成＞
次に、図４乃至図７を参照しながら、液晶装置１の画素部の具体的な構成を説明する。図４乃至図６は、ＴＦＴアレイ基板１０上の画素部に係る部分構成を表す平面図である。図４及び図５は、夫々、後述する積層構造のうち下層部分（図４）と上層部分(図５)に相当する。図６は、積層構造を拡大した平面図であり、図４及び図５を重ね合わせたようになっている。図７は、図４及び図５を重ね合わせた場合のＶＩＩ−ＶＩＩ´線断面図である。尚、図７においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。

図４乃至図７では、上述した画素部７２の各回路要素が、パターン化され、積層された導電膜としてＴＦＴアレイ基板１０上に構築されている。各回路要素は、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ＴＦＴ３０等を含む第２層、データ線６ａ等を含む第３層、保持容量７０等を含む第４層、画素電極９ａ等を含む第５層からなる。また、第１層−第２層間には下地絶縁膜１２、第２層−第３層間には第１層間絶縁膜４１、第３層−第４層間には第２層間絶縁膜４２、第４層−第５層間には第３層間絶縁膜４３がそれぞれ設けられ、前述の各要素間が短絡することを防止している。尚、このうち、第１層から第３層が下層部分として図４に示され、第４層から第５層が上層部分として図５に示されている。

（第１層の構成―走査線等―）
第１層は、走査線１１ａで構成されている。走査線１１ａは、図４のＸ方向に沿って延びる本線部と、データ線６ａが延在する図４のＹ方向に延びる突出部とからなる形状にパターニングされている。走査線１１ａは、例えば導電性ポリシリコンからなり、その他にもチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等により形成することができる。本実施形態では特に、走査線１１ａは、ＴＦＴ３０の下層側に、チャネル領域１ａに対向する領域を含むように配置された導電膜である。

（第２層の構成―ＴＦＴ等―）
第２層は、ＴＦＴ３０で構成されている。ＴＦＴ３０は、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とされ、例えば導電性ポリシリコンで形成されたゲート電極３ａ、半導体層１ａ、ゲート電極３ａと半導体層１ａを絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜２を備えている。半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅからなる。ＴＦＴ３０のゲート電極３ａは、その一部分３ｂにおいて、例えばシリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２ｃｖを介して走査線１１ａに電気的に接続されている。ＴＦＴ３０のチャネル長Ｌｃｈは、本発明の「第２設計パラメータ」の一例である。

（第３層の構成―データ線等―）
第３層は、データ線６ａ及び中継層６００で構成されている。データ線６ａは、下から順にアルミニウム、窒化チタン、窒化シリコンの３層膜として形成されている。データ線６ａは、第１層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと電気的に接続されている。

中継層６００は、データ線６ａと同一膜として形成されている。中継層６００とデータ線６ａとは、図４に示したように、夫々が分断されるように形成されている。また、中継層６００は、第１層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８３を介して、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと電気的に接続されている。

第１層間絶縁膜４１は、例えばＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等によって形成されている。

（第４層の構成―蓄積容量等―）
第４層は、蓄積容量７０で構成されている。保持容量７０は、容量電極３００と下部電極７１とが誘電体膜７５を介して対向配置された構成となっている。容量電極３００の延在部は、第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８４を介して、中継層６００と電気的に接続されている。

容量電極３００及び下部電極７１は、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライドこれらを積層したものからなる。蓄積容量７０の容量値は、容量電極３００、下部電極７１及び誘電体膜７５相互の重なり面積の大きさに比例しており、後に説明するように、図５中Ｙ方向に沿った容量電極３００の幅Ｗが、本発明の「第２設計パラメータ」の一例である。図５に示すように、誘電体膜７５は、シリコン窒化膜、酸化ハフニュウム（ＨｆＯ_２）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）等の単層膜又は多層膜から構成されている。

（第５層の構成―画素電極等―）
第４層の全面には第３層間絶縁膜４３が形成され、更にその上に、第５層として画素電極９ａが形成されている。第３層間絶縁膜４３は、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等によって形成されている。

画素電極９ａ（図５中、破線９ａ´で輪郭が示されている）は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電性膜からなり、縦横に区画配列された画素領域の各々に配置され、その境界にデータ線６ａ及び走査線１１ａが格子状に配列するように形成されている（図４及び図５参照）。これら画素電極９ａ相互の間隔Ｌが、本発明の「第１設計パラメータ」の一例である。画素電極９ａは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール８５を介して、容量電極３００の延在部と電気的に接続されている（図７参照）。

容量電極３００の延在部及び中継層６００と、中継層６００及びＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとは、夫々コンタクトホール８４及び８３を介して、電気的に接続されている。画素電極９ａの上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。以上が、ＴＦＴアレイ基板１０側の画素部の構成である。

他方、対向基板２０には、その対向面の全面に対向電極２１が設けられており、更にその上（図７では対向電極２１の下側）に配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、画素電極９ａと同様、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。尚、対向基板２０と対向電極２１の間には、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生等を防止するため、少なくともＴＦＴ３０と正対する領域を覆うように遮光膜が設けられていてもよい。

以上に説明した画素部の構成は、図４及び図５に示すように、各画素部に共通である。画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されていることになる。

＜４：電気光学装置の製造方法＞
次に、図８乃至図１６を参照しながら、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法を説明する。図８は、シリコンウェハ等の基板においてＴＦＴアレイ基板１０が形成される領域と、画素部７２の電気特性或いは光学特性に関する各種情報を抽出するためのＴＥＧが形成される領域とを示した図式的平面図である。図９は、ＴＥＧに含まれる各検査対象部を図式的に示した平面図である。図１０は、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法のフローチャートである。図１１は、図１０における積層構造形成工程を詳細に示したフローチャートである。図１２は、フォトマスクを用いて画素電極をパターンニングする工程の概要を示した概略斜視図である。図１３は、フォトマスクにおいて互いに異なるマスクパターンが形成された領域を図式的に示した平面図である。図１４は、ＴＥＧの一例を詳細に示した平面図である。図１５は、ＴＥＧの他の例を詳細に示した平面図である。図１６は、ＴＥＧの他の例を詳細に示した平面図である。図１７は、画素部の光学特性に寄与する複数の設計パラメータを制御因子として取り上げた直交表の一例である。

尚、以下では、上述した図１乃至図７に図示された部分と共通の構成とされる部分に共通の参照符号を付し、詳細な説明を省略する。

＜４−１：ＴＦＴアレイ基板が形成される基板の構成＞
図８及び図９を参照しながら、シリコンウェハ等の基板においてＴＦＴアレイ基板１０になる部分と、画素部７２の電気特性或いは光学特性に関する各種情報を抽出するためのＴＥＧが形成される部分とを説明する。

図８において、シリコンウェハ等の基板９００は、ＴＦＴアレイ基板１０となる部分を含む領域９０１と、ＴＦＴアレイ基板１０が有する画素部７２の電気特性或いは光学特性に関する各種情報を抽出するためのＴＥＧが形成される複数の領域９０２を有している。

領域９０１には、スクライブ等の分離方法によって基板９００の他の部分と分離されるＴＦＴアレイ基板１０が、後に詳細に説明する本実施形態に係る電気光学装置の製造方法によって形成される。領域９０２の夫々には、ＴＦＴアレイ基板１０に含まれる積層構造が形成される工程と並行して、画素部７２の電気特性及び光学特性に関する各種情報を抽出するための検査対象部が形成される。より具体的には、領域９０２の夫々は、基本的にはＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造と同様の回路構成が形成されるが、当該積層構造のうち画素部７２の電気特性或いは光学特性に寄与する各設計パラメータが互いに異なる値を有するようなパターンが夫々形成されている。

例えば、図９に示すように、領域９０２ａには、領域９０１に画素電極９ａを形成する工程と並行して、或いは共通の工程で互いに間隔が異なる複数の透明電極が形成された、本発明の「第１検査対象部」及び「第２検査対象部」の夫々一例となる検査対象部９０２ａ１及び９０２ａ２が形成され、検査対象部９０２ａ１及び９０２ａ２が画素部７２の光学特性に関する各種情報を抽出するためのＴＥＧを構成する。

ここで、図１６を参照しながら、検査対象部９０２ａ１及び９０２ａ２の具体的な構成を説明する。尚、図１６では、複数の透明電極９ａ１及び９ａ２の夫々の下層側に形成されるデータ線６ａ及び走査線１１ａも合わせて図示している。図１６（ａ）及び（ｂ）に示すように、設計パラメータの一例である透明電極同士の間隔Ｌ１とＬ２とが互いに異なっている。すなわち、検査対象部９０２ａ１が有する複数の透明電極９ａ１相互の間隔Ｌ１と、検査対象部９０２ａ２が有する複数の透明電極９ａ２相互の間隔Ｌ２とは、画素電極９ａの間隔Ｌについての互いに異なる値となっている具体例である。

再び、図９において、領域９０２ｂには、領域９０１に画素スイッチング用のＴＦＴ３０を形成する工程と並行して、或いは共通の工程で互いにチャネル長が異なる画素スイッチング用のＴＦＴが形成された、本発明の「第３検査対象部」及び「第４検査対象部」の夫々一例となる検査対象部９０２ｂ１及び９０１ｂ２が形成され、これら検査対象部９０２ｂ１及び９０２ｂ２が画素部７２の電気特性に関する各種情報を抽出するためのＴＥＧを構成する。

ここで、図１４を参照しながら、検査対象部９０２ｂ１及び９０２ｂ２の具体的な構成を説明する。図１４（ａ）及び（ｂ）に示すように、検査対象部９０２ｂ１が有する複数のＴＦＴ３０−１のチャネル長Ｌｃｈ１は、検査対象部９０２ｂ２が有する複数のＴＦＴ３０−２のチャネル長Ｌｃｈ２より短く、チャネル長Ｌｃｈ１及びＬｃｈ２がＴＦＴ３０のチャネル長Ｌｃｈについての互いに異なる値となっている具体例である。

再び、図９において、領域９０２ｃには、領域９０１に蓄積容量７０を形成する工程と並行して、或いは共通の工程で互いに容量が互いに異なる、より具体的には容量電極の幅が互いに異なる蓄積容量が形成された、本発明の「第３検査対象部」及び「第４検査対象部」の夫々一例となる検査対象部９０２ｃ１及び９０１ｃ２が形成される。これら検査対象部９０２ｃ１及び９０２ｃ２が画素部７２の電気特性に関する各種情報を抽出するためのＴＥＧを構成する。

ここで、図１５を参照しながら、検査対象部９０２ｃ１及び９０２ｃ２の具体的な構成を説明する。図１５（ａ）及び（ｂ）に示すように、検査対象部９０２ｃ１が有する複数の蓄積容量７０−１の容量値と、検査対象部９０２ｃ２が有する複数の蓄積容量７０−２の容量値とは、蓄積容量７０の容量値についての互いに異なる値の一例である。より具体的には、容量電極３００−１及び３００−２の夫々の幅Ｗ１及びＷ２は相互に異なっており、各蓄積容量７０−１及び７０−２の容量値を規定する容量電極、誘電体膜及び下部電極の重なり面積Ｃｓ１及びＣｓ２は、幅Ｗ１及びＷ２の相違に応じて相互に異なる値に設定される。これにより、蓄積容量７０−１及び７０−２の容量値が相互に異なる値に設定される。

＜４−２：電気光学装置の製造方法＞
次に、図１０乃至図１３、及び図１７を参照しながら、上述した検査対象部において各設計パラメータの値に対応した構造が作り込まれる工程を含んだ、本実施形態に係る電気装置の製造方法を説明する。

図１０において、ＴＦＴアレイ基板１０上に画素電極９ａを最上層とする積層構造（図７参照。）を形成する（ステップＳ１００）。より詳細には、図１１に示すように、積層構造形成工程（ステップＳ１００）は、ＴＦＴアレイ基板１０にＴＦＴ３０を形成するＴＦＴ形成工程（ステップＳ１０１）、蓄積容量７０を形成する蓄積容量形成工程（ステップＳ１０２）、画素電極９ａを形成する画素電極形成工程（ステップ１０３）、第１ＴＥＧ形成工程（ステップＳ１０４）、第２ＴＥＧ形成工程（ステップＳ１０５）、及び第３ＴＥＧ形成工程（ステップＳ１０６）を有している。

図１１において、ＴＦＴ形成工程（Ｓ１０１）では、図４、図６及び図７に示したＴＦＴ３０を形成する。これと並行して、基板９００上の領域９０２ｂに互いにチャネル長が異なる（即ち、チャネル長Ｌｃｈ１及びＬｃｈ２を有するＴＦＴ３０−１及び３０−２の夫々を形成し、検査対象部９０２ｂ１及び９０２ｂ２からなる第１ＴＥＧを形成する（ステップＳ１０４）。より具体的は、ＴＦＴ３０−１及び３０−２、並びに７０の夫々のゲート電極３ａ−１、３ａ−２、及び３ａをパターニング可能なマスクパターンを備えたマスクを用いて基板９００に形成された導電性ポリシリコンをパターニングすることによって、各ＴＦＴに対応したゲート電極のパターンを形成する。第１ＴＥＧを形成するステップＳ１０４が、本発明の「第４工程」の一例に相当する。

ＴＦＴ形成工程、及びこれと並行して実行される第１ＴＥＧ形成工程によれば、ゲート電極３ａ、３ａ−１及び３ａ−２が並行して形成されるため、ゲート電極を形成する際に製造プロセス条件の変動及びばらつきの影響がゲート電極３ａ、３ａ−１、及び３ａ−２の電気抵抗、及びチャネル長等に共通に反映される。したがって、後に説明する電気特性測定工程において、例えばＴＦＴ３０、３０−１及び３０−２の夫々の走査信号に対するスイッチング特性等の電気特性を測定することによって、ＴＦＴアレイ基板１０を形成する一連の工程において、プッシュダウン等が殆ど生じないチャネル長の最適値、或いは、限界値を見極めることが可能となる。

図１１において、蓄積容量形成工程（Ｓ１０２）では、所定の平面形状にパターニングされた下部電極７１及び誘電体７５上に容量電極３００を形成し、蓄積容量７０を形成する。これと並行して、基板９００上の領域９０２ｃに互いに容量値が相互に異なる（即ち、相互に異なる幅Ｗ１及びＷ２の夫々を有する容量電極３００−１及び３００−２のパターンを形成）蓄積容量７０−１及び７０−２の夫々を有する検査対象部９０２ｃ１及び９０２ｃ２からなる第２ＴＥＧを形成する（ステップＳ１０５）。より具体的は、蓄積容量７０−１及び７０−２、並びに７０の夫々の容量電極３００−１、３００−２、及び３００をパターニング可能なマスクパターンを備えたフォトマスクを用いて基板９００に形成された導電膜を所定の形状にパターニングすることによって、各蓄積容量に対応した容量電極のパターンを形成する。第２ＴＥＧを形成するステップＳ１０５も、本発明の「第４工程」の一例に相当する。

蓄積容量形成工程、及びこれと並行して実行される第２ＴＥＧ形成工程によれば、容量電極３００、３００−１及び３００−２が並行して形成されるため、容量電極を形成する際の製造プロセス条件の変動及びばらつきの影響が蓄積容量７０、７０−１、及び７０−２の容量値に反映される。したがって、ＴＦＴ形成工程及び第１ＴＥＧ形成工程と同様に、例えば蓄積容量７０、７０−１、及び７０−２の夫々の容量値を測定することによって、ＴＦＴアレイ基板１０を形成する一連の工程において、設計通りの容量値が形成できる容量電極の設計値の最適値、或いは、限界値を見極めることが可能となる。尚、本実施形態うでは、容量電極の幅を例に挙げているが、下部電極７１及び誘電体膜７５のパターンを互いに異なる値に設定しても同様である。

次に、図１１において、画素電極形成工程（Ｓ１０３）では、基板９００上に第３層間絶縁膜４３までが形成された状態で、領域９０１に形成されたＩＴＯ等の透明導電膜をパターニングし、各画素部７２に対応した画素電極９ａを形成する。これと並行して、基板９００上の領域９０２ａに互いに異なる間隔で配列された（即ち、相互に異なる間隔Ｌ１及びＬ２の夫々を有する）複数の透明電極９ａ１及び９ａ２を形成し、検査対象部９０２ａ１及び９０２ａ２からなる第３ＴＥＧを形成する（ステップＳ１０６）。画素電極９ａを形成する画素電極形成工程（ステップＳ１０３）と、これと並行して実行される第３ＴＥＧを形成するステップＳ１０６の両方を含んだ工程が、本発明の「第３工程」の一例に相当する。

ここで、図１２を参照しながら、画素電極９ａ、透明電極９ａ１及び９ａ２を形成する工程を詳細に説明する。

図１２に示すように、本発明の「フォトマスク」の一例であるマスク８００は、不図示の光学系と共にフォトリソグラフィ技術を用いることによって、基板９００の領域９０１に画素電極９ａを形成すると共に、領域９０２ａに透明電極９ａ１及び９ａ２を形成する。より具体的には、マスク８００の領域８０１には、領域９０１に形成されたＩＴＯ等の透明導電膜をパターニングするための、本発明の「第３マスクパターン」の一例であるマスクパターンが形成されており、領域９０１に形成された透明導電膜を当該マスクパターンを介して露光することによって、画素電極９ａを形成する。加えて、図１３に示すように、マスク８００の領域８０２ａは、本発明の「第１マスクパターン」及び「第２マスクパターン」の夫々の一例に相当するマスクパターンが形成された領域８０２ａ１及び８０２ａ２を有している。

マスク８００は、領域８０２ａ１及び８０２ａ２に形成されたマスクパターンを介して基板９００上の領域９０２ａに露光することによって、領域９０２ａに形成された透明導電膜に対して、画素電極９ａをパターニングするのと並行してパターニングを施し、透明電極９ａ１及び９ａ２を形成する。画素電極９ａ、透明電極９ａ１及び９ａ２は並行して形成されるため、画素電極９ａを形成する製造プロセスにおけるプロセス条件の変動及びばらつきが透明電極９ａ１及び９ａ２にそのまま反映される。したがって、例えば後に説明する光学特性測定工程で検査対象部９０１ａ１及び９０１ａ１における光の透過率、コントラスト及びフリッカ等の光学特性を測定することによって、ＴＦＴアレイ基板１０を形成する一連の工程において、設計通りの光学特性を得ることができる画素電極の最適値、或いは、限界値を見極めることが可能となる。尚、本実施形態では、画素電極９ａの間隔を第１設計パラメータの一例としているが、画素電極のサイズ、画素ピッチ等を第１設計パラメータの具体例としてもよい。

再び、図１０において、本発明の「第５工程」の一例である電気特性測定工程（Ｓ１１０）において、検査対象部９０２ｂ１、９０２ｂ２、９０２ｃ１、及び９０２ｃ２の電気特性を測定する。より具体的には、検査対象部９０２ｂ１及び９０２ｂ２については、ＴＦＴ３０−１及び３０−２のスイッチング特性を測定する。検査対象部９０２ｃ１及び９０２ｃ２については、蓄積容量７０−１及び７０−２の容量値を測定する。これに加えて、検査対象部９０２ｃ１及び９０２ｃ２は、基本的にはＴＦＴアレイ基板１０における積層構造と同様な電気的接続構成を有しているため、検査対象部９０２ｃ１及び９０２ｃ２の夫々におけるフリッカの発生状態を測定することによって、ＴＦＴ及び蓄積容量の夫々最適設計或いは限界設計を見極めることも可能である。

次に、本発明の「第６工程」の一例である各種情報抽出工程において、ステップＳ１１０で測定された電気特性に基づいて、画素部７２に関する電気特性に関する各種情報を抽出する。より具体的には、例えばＴＦＴ３０−１及び３０−２の夫々のスイッチング特性を測定して得られた測定結果に基づいて、スイッチング用ＴＦＴのチャネル長及びスイッチング特性に関する情報を抽出し、プッシュダウン等が生じない最適なチャネル長、或いは安定したスイッチング動作が可能なチャネル長の限界値を特定する。検査対象９０２ｃ１及び９０２ｃ２の電気特性を測定して得られた測定結果に基づいて、フリッカ等が生じない、或いは安定した画像表示が可能な蓄積容量の最適容量値、或いは限界容量値に関する情報を抽出することもできる。

ここで、検査対象部９０２ｂ１、９０２ｂ２、９０２ｃ１及び９０２ｃ２の夫々では、画素スイッチング用ＴＦＴのチャネル長、及び蓄積容量の容量値が画素部７２におけるＴＦＴのチャネル長及び蓄積容量の容量値の夫々と異なるのみであり、画素部７２と並行して共通の工程で、ＴＦＴ３０−１及び３０−２、並びに蓄積容量７０−１及び７０−２が形成されている。したがって、これら各部を形成する際に生じる製造プロセス条件の変動及びばらつきは、ＴＦＴアレイ基板１０と各検査対象部を含むＴＥＧとの間で共通である。ＴＦＴアレイ基板１０を製造する際に、上述した各検査対象部を含むＴＥＧを基板９００上に作り込み、当該検査対象部の電気特性を測定することによって、画素部７２を構成する部分のうち電気特性に寄与する部分について最適設計に関する情報が抽出可能となる。つまり、ＴＦＴアレイ基板１０を製造する製造工程に基板９００を一度流動させることによって、当該製造工程について最適な画素部７２の設計条件に関する情報を取得できる。したがって、当該抽出された情報を画素部７２の設計に反映させることによって、高品位の画像表示が可能となる電気光学装置の開発期間を格段に短縮できる。

尚、電気特性測定工程（ステップＳ１１０）及び電気特性に関する各種情報を抽出する情報抽出工程（ステップＳ１２０）は、後述する光学特性測定工程（ステップＳ３２０）及び光学特性に関する各種情報を抽出する情報抽出工程（ステップＳ或いはその後に実行されてもよい。

次に、画素電極９ａ、透明電極９ａ１及び９ａ２までが形成された基板９００上に配向膜１６を形成する（ステップＳ１３０）。３３０）と並行して、
尚、ステップＳ１００乃至ステップ１３０と並行して、或いは相前後して対向基板２０側に対向電極２１及び遮光膜２３を形成し（ステップＳ２１０）、対向基板２側に設けられる配向膜２２を形成する（ステップＳ２２０）。

次に、基板９００及び対向基板２０を貼り合わせ（ステップＳ３００）、基板９００及び対向基板２０間に液晶を注入する（ステップＳ３１０）。次に、本発明の「第１工程」の一例に相当する光学特性測定工程（ステップＳ３２０）において、検査対象部９０２ａ１及び９０２ａ２の夫々を駆動させ、当該検査対象部９０２ａ１及び９０２ａ２に画像を表示させることによって、検査対象部９０２ａ１及び９０２ａ２の夫々の輝度（即ち、光の透過率）、コントラスト、或いはフリッカの発生状態等の光学特性を測定する。

次に、本発明の「第２工程」の一例である光学特性に関する各種情報を抽出する情報抽出工程（ステップＳ３３０）において、検査対象部９０２ａ１及び９０２ａ２の構成の相違、言い換えれば、画素部７２の光学特性に寄与する透明電極９ａ１及び９ａ２の夫々の間隔に起因して測定された輝度、コントラスト或いはフリッカの発生状況に基づいて、高品位で画像を表示できる画素部７２の設計を特定する。より具体的には、情報抽出工程（ステップＳ３３０）では、画素電極９ａの間隔等に関して最適な設計、限界値、或いは設計マージンを特定することが可能である。

加えて、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法によれば、領域９０１にＴＦＴアレイ基板１０を形成する一連の製造工程と並行して検査対象部９０２ａ１及び９０２ａ２が形成されているため、このような画素部７２の光学特性に寄与する第１設計パラメータに関する最適な設計値、或いは限界値を、例えば基板９００を一度ＴＦＴアレイ基板１０の一連の製造工程に流動させるだけで特定可能である。したがって、高品位の表示性能を有する液晶装置１等の電気光学装置を開発するための開発期間を格段に短縮できる。

基板９００のうち領域９０１を含む部分は、当該領域９０１上に形成される複数の画素電極９ａを含む積層構造と共にＴＦＴアレイ基板１０となる部分であり、光学特性に関する各種情報が抽出された後、対向基板２０のうち領域９０１と対向する部分と共に基板９００の他の部分と分離され、液晶装置１が形成される。

尚、本実施形態では、第２設計パラメータの一例として、画素スイッチング用ＴＦＴのチャネル長、及び蓄積容量の容量値を例に挙げているが、画素部７２の電気特性に寄与する設計パラメータは、本実施形態で挙げた例に限定されるものではなく、例えば、画素部７２に供給される画像信号をサンプリングするためのサンプリング回路に含まれるＴＦＴのチャネル長、或いはチャネル幅等でもよい。また、本発明の「第２設計パラメータ」としては、例えば、基板９００上に形成される多層構造中で経時的に発生する構造的欠陥であって、各種電子素子の動作特性及び配線の電気抵抗に間接的に寄与するクラック等の構造的欠陥、及び当該多層構造に含まれる第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２、第３層間絶縁膜４２の経時的な絶縁性能の劣化のような画素部の信頼性に影響するものであってもよい。また、本発明の「第２設計パラメータ」としては、基板９００上に形成される各種電子素子、配線、或いは画素部の構成要素の具体的な構造、サイズ、形状等のように具体的に設計者が設定可能なパラメータであってもよい。

同様に、本発明の「第１設計パラメータ」は、画素ピッチ、遮光膜及び画素電極相互の重なり幅等のように、画素部を構成する構成要素のうち電気光学装置の設計者が画素部の光学特性に寄与すると想定するものであれば如何なるものであってもよい。

本実施形態では、検査対象部９０２ａ１及び９０２ａ２について、当該検査対象部に形成される透明電極の間隔のみについて互いに異なる値で形成する場合を例に挙げたが、図１７に示すように、画素部の光学特性に寄与すると想定される画素ピッチ、透明電極の間隔、透明電極及びデータ線相互の重なり幅等の複数の制御因子を第１設計パラメータとしてもよい。より具体的には、図１７に示すように、画素ピッチが２水準（Ａ１、Ａ２）、透明電極の間隔が２水準（Ｂ１、Ｂ２）、透明電極及びデータ線相互の重なり幅が２水準（Ｃ１、Ｃ２）によって構成されるＬ８の直交表を用い、これらＬ１乃至Ｌ８の夫々の割付条件に対応する構造が形成された検査対象部を、画素部７２を形成する工程と並行して形成する。そして、光学特性測定工程（Ｓ３２０）において、これら検査対象部の夫々の透過率等の光学特性を測定し、情報抽出工程（Ｓ３３０）において、光学特性に関する各種情報を抽出する。これにより、画素ピッチ、透明電極の間隔、透明電極及びデータ線の重なり幅等の各水準間の交互作用に起因する透過率等の光学特性に関する各種情報を抽出することも可能である。

（変形例）
次に、図１８及び図１９を参照しながら、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法の変形例を説明する。図１８は、本例に係る電気光学装置の製造方法のフローチャートである。図１９は、本例に係る電気光学装置の製造方法に応用可能な直交表の一例である。

図１８に示すように、本例に係る電気光学装置の製造方法は、液晶装置１を組み上げた後に、図１８に示す直交表に対応する構造が形成された各検査対象部の光学特性及び電気特性を測定することによって、画素部の光学特性に寄与する第１設計パラメータに関して互いに異なる値と、画素部の電気特性に寄与する第２設計パラメータに関して互いに異なる値との交互作用に起因して生じる光学特性の相違に関する情報を抽出できる点に特徴がある。

より具体的には、図１８に示す各工程のうち積層構造形成工程（ステップＳ１００）において、図１９に示す直交表の各割付条件に対応した積層構造を複数の検査対象部に形成する。より具体的には、図１９に示した直交表（Ｌ８）、即ち画素部の光学特性に寄与する第１設計パラメータの一例である画素ピッチについて２水準（Ａ１、Ａ２）、画素部の光学特性に寄与する第１設計パラメータの一例である透明電極及びデータ線の重なり幅について２水準（Ｃ１、Ｃ２）、画素部の電気特性に寄与する第２設計パラメータの一例である画素スイッチング用ＴＦＴのチャネル長について２水準（Ｄ１、Ｄ２）の夫々の組み合わせに応じた８通りの積層構造を有する検査対象部を画素部７２と並行して形成する。

このような積層構造は、例えば、領域９０１に画素電極９ａを形成する工程に先んじて、画素ピッチが互いに異なるように検査対象部９０２ａ１及び９０２ａ２にデータ線を形成し、その後、互いにチャネル長の異なるＴＦＴを形成する。当該チャネル長が相互に異なるＴＦＴを検査対象部９０２ａ１及び９０２ａ２に形成する工程が、本発明の「第７工程」の一例に相当する。そして、画素電極９ａを領域９０１に形成する工程と並行して、検査対象部９０２ａ１及び９０２ａ２に透明電極９ａ１及び９ａ２とデータ線６ａの重なり幅が相互に異なるように当該透明電極９ａ１及び９Ａ１２を形成する。

本発明の「第８工程」及び「第９工程」の夫々一例に相当する、図１８における電気特性測定工程（ステップＳ１１０）及び各種情報抽出工程（ステップＳ１２０）では、直交表の各割付条件に対応する検査対象部の電気特性を測定し、画素部の電気特性について各種情報を抽出する。ここで、ステップＳ１１０及びステップＳ１２０と並行して各検査対象部の透過率等の光学特性が測定され（ステップＳ３２０）、光学特性に関する各種情報が抽出される（ステップＳ３３０）。

したがって、本例に係る電気光学装置の製造方法によれば、ステップＳ３３０において、画素部の光学特性に寄与する第１設計パラメータに関する互いに異なる値と、画素部の電気特性に寄与する第２設計パラメータに関する互いに異なる値との交互作用によって各検査対象部間に生じる光学特性の相違に関する情報を抽出することが可能である。

よって、本例に係る電気光学装置の製造方法によれば、液晶装置１を組み上げるまでの全ての製造プロセスの変動及びばらつきが考慮された状態で透過率等の光学特性を評価できる。これにより、例えば、画素スイッチング用ＴＦＴ等のスイッチング特性を個別に評価する場合に比べて、画素部の光学特性を高めるために最適な設計、或いは画素部の設計の限界値、又は設計マージンを短期間で評価でき、高品位の表示性能を有する電気光学装置の開発期間を格段に短縮することが可能である。

＜５：電気光学装置用基板＞
次に、図２０を参照しながら、本実施形態に係る電気光学装置用基板を説明する。図２０は、本実施形態に係る電気光学装置用基板を備える液晶装置１Ａの構成を示す平面図である。本実施形態に係る電気光学装置用基板は、上述した液晶装置１が備えるＴＦＴアレイ基板１０に適用可能である。

図２０に示すように、液晶装置１Ａは、本発明に係る電気光学装置用基板の一例であるＴＦＴアレイ基板１０Ａを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０Ａの端部には、上述した検査対処部９０２ａ１及び９０２ａ２の夫々と同様の構成を有する検査対象部を有するＴＥＧ５００が形成されている。このようなＴＥＧ５００によれば、液晶装置１Ａが組み上げられた状態で、各画素部７２の透過率等の光学特性を検査でき、当該検査結果に基づいて、表示性能に優れた液晶装置１のみを選別することが可能である。

本実施形態に係る電気光学装置の製造方法によって製造される電気光学装置の平面図である。 図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。 本実施形態に係る電気光学装置の製造方法によって製造される電気光学装置の複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。 ＴＦＴアレイ基板上の画素部に係る部分構成を表す平面図（その１）である。 ＴＦＴアレイ基板上の画素部に係る部分構成を表す平面図（その２）である。 ＴＦＴアレイ基板上の画素部に係る部分構成を表す平面図（その３）である。 図４及び図５を重ね合わせた場合のＶＩＩ−ＶＩＩ´線断面図である。 シリコンウェハ等の基板において、ＴＦＴアレイ基板が形成される領域とＴＥＧが形成される領域とを示した図式的平面図である。 ＴＥＧに含まれる各検査対象部を図式的に示した平面図である。 本実施形態に係る電気光学装置の製造方法のフローチャートである。 図１０における積層構造形成工程を詳細に示したフローチャートである。 フォトマスクを用いて画素電極をパターンニングする工程の概要を示した概略斜視図である。 フォトマスクにおいて互いに異なるマスクパターンが形成された領域を図式的に示した平面図である。 ＴＥＧの一例を詳細に示した平面図である。 ＴＥＧの他の例を詳細に示した平面図である。 ＴＥＧの他の例を詳細に示した平面図である。 画素部の光学特性に寄与する複数の設計パラメータを制御因子として取り上げた直交表の一例である。 本実施形態に係る電気光学装置の製造方法の変形例のフローチャートである。 本実施形態に係る電気光学装置の製造方法の変形例に応用可能な直交表の一例である。 本実施形態に係る電気光学装置用基板を備える液晶装置の構成を示す平面図である。

符号の説明

１，１Ａ・・・液晶装置、１０，１０Ａ・・・ＴＦＴアレイ基板、２０・・・対向基板、３０，３０−１，３０−１・・・ＴＦＴ、７０，７０−１，７０−２・・・蓄積容量、９ａ・・・画素電極、９ａ１，９ａ２・・・透明電極、８００・・・フォトマスク、９００・・・基板

Claims (8)

1. 基板上に形成される画素部の光学特性に関する各種情報を抽出するために夫々の光学特性が測定される第１検査対象部及び第２検査対象部を前記基板上に形成するために用いられるフォトマスクであって、
   前記第１検査対象部のパターンに対応した第１マスクパターンと、
   前記第２検査対象部のパターンに対応した第２マスクパターンとを備え、
   前記第１マスクパターン及び前記第２マスクパターンの夫々は、前記画素部の光学特性に寄与する第１設計パラメータについて互いに異なる値を有するマスクパターンであること
   を特徴とするフォトマスク。
2. 前記第１設計パラメータに対応したパターンを前記画素部の一部として前記基板上に形成するためのマスクパターンである第３マスクパターンを備えたこと
   を特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
3. 基板上に形成される画素部の光学特性に関する各種情報を抽出するために前記基板上に形成されており、前記画素部の光学特性に寄与する第１設計パラメータについて互いに異なる値を有する第１検査対象部及び第２検査対象部の夫々の光学特性を測定する第１工程と、
   該測定された前記第１検査対象部及び前記第２検査対象部の夫々の光学特性に基づいて、前記画素部の光学特性に関する各種情報を抽出する第２工程と
   を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
4. 前記第１工程に先んじて、前記第１設計パラメータについて互いに異なる値を有する第１マスクパターン及び第２マスクパターンの夫々を有するフォトマスクを用いて前記基板上に前記第１検査対象部及び前記第２検査対象部の夫々のパターンを形成する第３工程を備えたこと
   を特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の製造方法。
5. 前記フォトマスクは、前記第１設計パラメータに対応したパターンを前記画素部の一部として前記基板上に形成するためのマスクパターンである第３マスクパターンを有しており、
   前記第３工程において、前記第１マスクパターン、前記第２マスクパターン、及び前記第３マスクパターンの夫々を介して、前記第１検査対象部及び前記第２検査対象部の夫々のパターン、及び前記一部を形成すること
   を特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
6. 前記画素部の電気特性に寄与する第２設計パラメータについて互いに異なる値を有するパターンを第３検査対象部及び第４検査対象部の夫々の一部として形成する第４工程と、
   前記第３検査対象部及び前記第４検査対象部の夫々の電気特性を測定する第５工程と、該第５工程で測定された電気特性に基づいて、前記画素部の電気特性に関する各種情報を抽出する第６工程と
   を備えたことを特徴とする請求項３から５の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
7. 前記第１工程に先んじて、前記画素部の電気特性に寄与する第２設計パラメータについて互いに異なる値を有するパターンを前記第１検査対象部及び前記第２検査対象部の夫々の一部として形成する第７工程と、
   前記第１検査対象部及び前記第２検査対象部の夫々の電気特性を測定する第８工程と、
   該測定された前記第１検査対象部及び前記第２検査対象部の夫々の電気特性に基づいて、前記画素部の電気特性に関する各種情報を抽出する第９工程と
   を備えたことを特徴とする請求項３から５の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
8. 基板と、
   前記基板上に形成された画素部の光学特性に関する各種情報を抽出するために前記基板上に形成されており、前記画素部の光学特性に寄与する第１設計パラメータについて互いに異なる値を有する第１検査対象部及び第２検査対象部と
   を備えたことを特徴とする電気光学装置用基板。

Images