JP2008016572A - Wiring substrate, and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring substrate and a method for manufacturing the same with which delamination and voids are never concentrated at the area near the junction area between wiring conductors and via conductors, and a higher conductivity can be attained in a high frequency region. <P>SOLUTION: In the wiring substrate 1, a wiring conductor 2 and a via conductor 3 are formed in insulating layers 1a to 1g formed of a glass ceramics obtained with the baking process. A wiring conductor 2 is formed with a copper foil, a conductive layer 4b is formed including a metallic element in the amount more than non-metallic element that is formed by baking a conductor powder layer on the surface perpendicular to the thickness direction of the copper foil, and this conductor layer 4b is joined with the via conductor 3 and insulating layers 1a to 1g. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、配線基板およびその製造方法に関し、特に、多層配線基板および半導体素子収納用パッケージ、混成集積回路装置などに好適に使用できる配線基板およびその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a wiring board and a manufacturing method thereof, and more particularly to a wiring board that can be suitably used for a multilayer wiring board, a package for housing a semiconductor element, a hybrid integrated circuit device, and the like, and a manufacturing method thereof.

高集積化が進むIC(Integrated Circuit)やLSI(Large Scale Integration)などの半導体素子を搭載する半導体素子収納用パッケージや、各種電子部品が搭載される混成集積回路装置などに適用される配線基板としては、アルミナ焼結体を絶縁材料とした配線基板が多く用いられている。近年では、高集積化が進むICやLSIなどを実装するために、配線抵抗の低抵抗化が要求されるようになり、1050℃程度で溶融する銅、銀、金などの低導体抵抗の金属を主成分とした配線導体を絶縁層と同時焼成して使用するために、1050℃以下の低温で焼結が可能なガラスセラミックスが配線基板の絶縁材料として用いられるようになってきている。   As a wiring board applied to semiconductor element storage packages that mount semiconductor elements such as IC (Integrated Circuit) and LSI (Large Scale Integration), which are becoming increasingly integrated, and hybrid integrated circuit devices that are equipped with various electronic components In many cases, a wiring board using an alumina sintered body as an insulating material is used. In recent years, in order to mount ICs and LSIs that are becoming increasingly integrated, low wiring resistance is required, and metals with low conductor resistance such as copper, silver, and gold that melt at about 1050 ° C. Therefore, glass ceramics that can be sintered at a low temperature of 1050 ° C. or lower have been used as insulating materials for wiring boards.

ガラスセラミックスは、ガラスを焼成するか、あるいは、ガラスとフィラーとを混合して焼成することにより得られるが、その中でも焼成により結晶化するガラスを用いることにより、所望の特性をもつ結晶を析出させ、種々の特性を有するガラスセラミックスが得られることから、近年では重点的に研究が行われている。   Glass ceramics can be obtained by firing glass, or by mixing and firing glass and filler. Among them, by using glass that crystallizes by firing, crystals having desired characteristics are precipitated. Since glass ceramics having various characteristics can be obtained, research has been conducted intensively in recent years.

このような従来のガラスセラミック配線基板は、絶縁層のスルーホール部あるいは表面に銅、銀、金などを主成分とする配線導体が配設された構造からなる。   Such a conventional glass-ceramic wiring board has a structure in which a wiring conductor mainly composed of copper, silver, gold or the like is disposed on a through-hole portion or a surface of an insulating layer.

最近では、直流抵抗を低減させ、かつボイドを減らす目的で、配線導体に銅箔を用いたガラスセラミック配線基板が注目されている。   Recently, for the purpose of reducing direct current resistance and reducing voids, a glass ceramic wiring board using a copper foil as a wiring conductor has attracted attention.

たとえば、特許文献1では、表面粗さを3μm以上に加工した銅箔をパターン形成後、加工した面をグリーンシートとの接着面となるように積層圧着することを特徴とするガラスセラミック多層配線回路基板の製造方法について開示されている。   For example, Patent Document 1 discloses a glass ceramic multilayer wiring circuit characterized in that after a copper foil having a surface roughness of 3 μm or more is formed into a pattern, the processed surface is laminated and pressure-bonded so as to be an adhesive surface with a green sheet. A method for manufacturing a substrate is disclosed.

そして特許文献2では、転写する銅箔の表面に銅の結晶粒成長を阻害する効果を有するZn、Zr、Snの少なくとも1種類を含む金属層もしくは粒子を電着させることにより、高温長時間の焼結後においても銅箔の粗化処理面の形状を保持できることについて開示されている。   And in patent document 2, by electrodepositing the metal layer or particle | grains containing at least 1 sort (s) of Zn, Zr, Sn which has the effect which inhibits the crystal grain growth of copper on the surface of the copper foil to transfer, It is disclosed that the shape of the roughened surface of the copper foil can be maintained even after sintering.

また、特許文献3には金属箔などの高純度金属からなる配線導体層と絶縁基板との界面にガラス中に金属粒子を分散した接着層を形成することによって配線導体層と絶縁基板との接着強度を高めることができることについて開示されている。   Patent Document 3 discloses adhesion between a wiring conductor layer and an insulating substrate by forming an adhesive layer in which metal particles are dispersed in glass at the interface between the wiring conductor layer made of a high-purity metal such as a metal foil and the insulating substrate. It is disclosed that the strength can be increased.

これらのガラスセラミック配線基板を作製する具体的方法としては、まず、ガラスセラミックスとなる原料粉末および有機バインダーに溶剤を加えて調製したスラリーをドクターブレード法などによってシート状に成形し、グリーンシートを作製する。次に、得られたグリーンシートにビアホールを打ち抜き加工する。   As a specific method for producing these glass ceramic wiring boards, first, a raw material powder to become glass ceramics and a slurry prepared by adding a solvent to an organic binder are formed into a sheet shape by a doctor blade method or the like to produce a green sheet. To do. Next, a via hole is punched into the obtained green sheet.

次いで、このビアホールに銅、銀、金などを主成分とするビア導体ペーストを充填する。続いてグリーンシート上に銅、銀、金などを主成分とする導体ペーストを配線パターン状にスクリーン印刷法などで印刷する。もしくは電解銅箔または圧延銅箔を所望のパターン形状に成形後、グリーンシートに圧着する。   Next, the via hole is filled with a via conductor paste mainly composed of copper, silver, gold or the like. Subsequently, a conductor paste mainly composed of copper, silver, gold or the like is printed on the green sheet in a wiring pattern by a screen printing method or the like. Alternatively, an electrolytic copper foil or a rolled copper foil is formed into a desired pattern shape and then pressed onto a green sheet.

最後に、作製したグリーンシート複数枚を加圧積層し、800℃〜1000℃で焼成することによってガラスセラミック配線基板が作製できる。   Finally, a plurality of produced green sheets are pressure-laminated and fired at 800 ° C. to 1000 ° C., whereby a glass ceramic wiring substrate can be produced.

特開平11−330697号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-330697 特開2000−200969号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2000-200909 特開2002−50865号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2002-50865

銅箔などの金属箔は実質的に焼成収縮しないことが知られている。このような金属箔を配線導体に用いると、焼成中に、焼成収縮する絶縁層と金属箔との間に挙動の不一致が起こり、金属箔の剥離や絶縁層の変形などの問題が生じてしまう。   It is known that metal foil such as copper foil does not substantially shrink by firing. When such a metal foil is used as a wiring conductor, a mismatch in behavior occurs between the insulating layer that shrinks during firing and the metal foil during firing, causing problems such as peeling of the metal foil and deformation of the insulating layer. .

そのため、配線導体に金属箔を用いる場合には、焼成収縮を抑制する無収縮焼成を行う必要がある。無収縮焼成において配線基板は、配線基板の厚み方向に垂直な方向には焼成収縮せず、厚み方向にのみ焼成収縮する。   Therefore, when using a metal foil for the wiring conductor, it is necessary to perform non-shrinkage firing that suppresses firing shrinkage. In non-shrinkage firing, the wiring board is not fired and shrunk in the direction perpendicular to the thickness direction of the wiring board, and is fired and shrunk only in the thickness direction.

この無収縮焼成の際、絶縁層とビア導体との間で焼結挙動の不一致が起こると、絶縁層とビア導体との厚み方向に垂直な面が一致せず、ビア導体が大きく突起、または陥没してしまう。   During this non-shrinkage firing, if a mismatch in sintering behavior occurs between the insulating layer and the via conductor, the surfaces perpendicular to the thickness direction of the insulating layer and the via conductor do not match, and the via conductor has a large protrusion, or It will sink.

具体的には、絶縁層と比較してビア導体の収縮量が小さい場合やビア導体の焼成終了温度が絶縁層の焼成終了温度よりも低い場合などにはビア導体が突起する。   Specifically, the via conductor protrudes when the shrinkage amount of the via conductor is smaller than that of the insulating layer or when the firing end temperature of the via conductor is lower than the firing end temperature of the insulating layer.

また、絶縁層と比較してビア導体の収縮量が大きい場合やビア導体の焼成収縮温度が絶縁層の焼成収縮温度よりも高い場合などにはビア導体が陥没する。   In addition, the via conductor is depressed when the amount of shrinkage of the via conductor is larger than that of the insulating layer, or when the firing shrinkage temperature of the via conductor is higher than the firing shrinkage temperature of the insulating layer.

一方、金属箔とビア導体との接合部付近では、金属箔には可塑性がなく、また焼成収縮しないために、上記のようなビア導体の変形により、デラミネーションやボイドの集中が発生してしまう。   On the other hand, in the vicinity of the joint between the metal foil and the via conductor, the metal foil is not plastic and does not shrink by firing. Therefore, the deformation of the via conductor as described above causes concentration of delamination and voids. .

また、高周波領域における配線導体の導電率は、配線導体の比抵抗値や配線導体と絶縁層との界面の形状に影響を受けるため、高周波領域において高い導電率を得るには界面の形状が重要になる。   In addition, the electrical conductivity of the wiring conductor in the high-frequency region is affected by the specific resistance of the wiring conductor and the shape of the interface between the wiring conductor and the insulating layer. become.

これは、配線導体を流れる電磁波の周波数が高くなると、表皮効果によって配線導体と絶縁層との界面付近を流れる電流密度が高くなるためである。配線導体と絶縁層との界面の凹凸が大きい場合、界面が平滑な場合と比較して電荷の移動距離が長くなり、また凹凸の先端部付近に電荷が集中するために電荷の移動が滞り、導電率が低下する。   This is because when the frequency of the electromagnetic wave flowing through the wiring conductor increases, the current density flowing near the interface between the wiring conductor and the insulating layer increases due to the skin effect. When the unevenness of the interface between the wiring conductor and the insulating layer is large, the movement distance of the charge becomes longer than when the interface is smooth, and the movement of the charge is delayed because the charge is concentrated near the tip of the unevenness, The conductivity decreases.

さらに、最近の研究結果から、配線導体の厚み方向の面である端面の凹凸も導電率に大きな影響を及ぼすことが確認されている。   Furthermore, recent research results have confirmed that the unevenness of the end surface, which is the surface in the thickness direction of the wiring conductor, has a large effect on the conductivity.

特許文献1および特許文献2では、配線導体として表面を粗化形状にした銅箔が用いられている。これは、銅箔単体では絶縁層と充分な接着強度を保持するのが難しいためであり、表面を粗化形状にすることにより、銅箔が絶縁層とアンカー接合し充分な接着強度を保持することができる。   In Patent Document 1 and Patent Document 2, a copper foil having a roughened surface is used as a wiring conductor. This is because it is difficult for a copper foil alone to maintain sufficient adhesive strength with the insulating layer, and by making the surface rough, the copper foil anchors to the insulating layer and maintains sufficient adhesive strength. be able to.

しかしこの方法では、粗化処理により界面の凹凸は大きくなってしまうため、銅箔の導電率は大きく低下してしまう。   However, in this method, the roughness of the interface increases due to the roughening treatment, and the conductivity of the copper foil is greatly reduced.

特許文献3では、接着層におけるガラスおよびフィラー成分の含有量が多いため、接着層の抵抗値が高くなり、導電率が低下してしまう。   In patent document 3, since there is much content of the glass and filler component in a contact bonding layer, the resistance value of a contact bonding layer will become high and electrical conductivity will fall.

また、特許文献1〜3においては、金属箔とビア導体とが直接接合するために、接合部付近にデラミネーションやボイドの集中が発生してしまうという問題がある。   Moreover, in patent documents 1-3, since metal foil and a via conductor join directly, there exists a problem that concentration of a delamination and a void will generate | occur | produce in the vicinity of a junction part.

本発明の目的は、上記課題を解決し、配線導体とビア導体との接合部付近のデラミネーションやボイドの集中がなく、かつ高周波領域での導電率が高い配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。   The object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and to provide a wiring board having no delamination or void concentration near the junction between the wiring conductor and the via conductor and having high conductivity in the high frequency region, and a method for manufacturing the same. For the purpose.

本発明は、ガラスセラミックスで構成される絶縁層に配線導体およびビア導体が同時焼成により形成された配線基板において、前記配線導体が金属箔によって形成され、前記金属箔の厚み方向に垂直な面のどちらか一方の面に導体粉末層を焼成することで得られ、金属成分が非金属成分よりも多く含まれる第1の導体層が形成され、前記第1の導体層が前記ビア導体および前記絶縁層と接合していることを特徴とする配線基板である。   The present invention provides a wiring board in which a wiring conductor and a via conductor are formed by simultaneous firing on an insulating layer made of glass ceramics, wherein the wiring conductor is formed of a metal foil and has a surface perpendicular to the thickness direction of the metal foil. A first conductive layer obtained by firing a conductive powder layer on one of the surfaces and containing a metal component more than a non-metallic component is formed, and the first conductive layer includes the via conductor and the insulation. A wiring board characterized by being bonded to a layer.

また本発明の配線基板は、前記第1の導体層の金属成分と非金属成分との比率を100:Xとしたときに、Xが20以下であることを特徴とする。   The wiring board of the present invention is characterized in that X is 20 or less when the ratio of the metal component to the non-metal component of the first conductor layer is 100: X.

また本発明の配線基板は、前記金属箔の厚み方向に垂直な面のどちらか一方の面であって、前記第1の導体層が形成された面と反対の面に導体粉末層を焼成することで得られ、金属成分が非金属成分よりも多く含まれる第2の導体層が形成され、前記第2の導体層が前記絶縁層と接合していることを特徴とする。   In the wiring board of the present invention, the conductor powder layer is fired on one of the surfaces perpendicular to the thickness direction of the metal foil and opposite to the surface on which the first conductor layer is formed. A second conductor layer containing a metal component more than a non-metal component is formed, and the second conductor layer is bonded to the insulating layer.

また本発明の配線基板は、前記第1の導体層および前記第2の導体層の金属成分と非金属成分との比率を100:Yとしたときに、Yが20以下であることを特徴とする。   The wiring board of the present invention is characterized in that Y is 20 or less when the ratio of the metal component and the non-metal component of the first conductor layer and the second conductor layer is 100: Y. To do.

また本発明の配線基板は、前記配線基板の主面に垂直な方向から平面視した場合に、前記金属箔と前記第1または第2の導体層とが同じ大きさであり、前記第1または第2の導体層は前記金属箔が形成された範囲内に形成されていることを特徴とする。   In the wiring board of the present invention, the metal foil and the first or second conductor layer have the same size when viewed in a plan view from a direction perpendicular to the main surface of the wiring board. The second conductor layer is formed in a range where the metal foil is formed.

また本発明は、(a)ガラス粉末を含むグリーンシートに貫通孔を形成し、前記貫通孔にビア導体ペーストを充填する工程と、
(b)前記グリーンシートに導体ペーストを塗布して第1の導体粉末層を形成する工程と、
(c)前記第1の導体粉末層の上に金属箔を転写する工程と、
(d)前記金属箔が形成された前記グリーンシートを含む複数の前記グリーンシートを積層して積層体を作製する工程と、
(e)前記積層体を、前記金属箔を形成する金属の融点よりも低い温度で、積層体の厚み方向に垂直な方向の収縮を抑制して焼成する工程とを具備することを特徴とする配線基板の製造方法である。
The present invention also includes (a) a step of forming a through hole in a green sheet containing glass powder, and filling the through hole with a via conductor paste;
(B) applying a conductive paste to the green sheet to form a first conductive powder layer;
(C) transferring a metal foil onto the first conductor powder layer;
(D) a step of laminating a plurality of the green sheets including the green sheet on which the metal foil is formed to produce a laminate;
And (e) firing the laminated body at a temperature lower than the melting point of the metal forming the metal foil while suppressing shrinkage in a direction perpendicular to the thickness direction of the laminated body. It is a manufacturing method of a wiring board.

また本発明の配線基板の製造方法は、前記導体ペーストに含まれる金属粉末の平均粒径が5μm以下であることを特徴とする。   Moreover, the manufacturing method of the wiring board of the present invention is characterized in that the average particle size of the metal powder contained in the conductor paste is 5 μm or less.

本発明によれば、ガラスセラミックスで構成される絶縁層に配線導体およびビア導体が形成された配線基板において、配線導体が金属箔によって形成され、この金属箔の厚み方向に垂直な面のどちらか一方の面に導体粉末層を焼成することで得られ、金属成分が非金属成分よりも多く含まれる第1の導体層が形成され、この第1の導体層がビア導体と接合していることによって、ビア導体と配線導体との接合部において、ビア導体と導体層とが接合されるために、無収縮焼成時において導体粉末層がビア導体の変形を吸収し、デラミネーションやボイドの集中の発生を低減することができる。   According to the present invention, in a wiring board in which a wiring conductor and a via conductor are formed on an insulating layer made of glass ceramics, the wiring conductor is formed of a metal foil, and one of the surfaces perpendicular to the thickness direction of the metal foil. Obtained by firing a conductor powder layer on one surface, a first conductor layer containing a metal component more than a non-metal component is formed, and the first conductor layer is bonded to a via conductor Because the via conductor and the conductor layer are joined at the joint between the via conductor and the wiring conductor, the conductor powder layer absorbs the deformation of the via conductor during non-shrinkage firing, and delamination and void concentration occur. Generation can be reduced.

また、第1の導体層が絶縁層と接合していることによって、金属箔を粗化することなく、金属箔と絶縁層との接着強度を高めることができる。   Moreover, since the first conductor layer is bonded to the insulating layer, the adhesive strength between the metal foil and the insulating layer can be increased without roughening the metal foil.

さらに、絶縁層と配線導体との界面を導体層により平滑化できるために、高周波領域において高い導電率を得ることができる。   Furthermore, since the interface between the insulating layer and the wiring conductor can be smoothed by the conductor layer, high conductivity can be obtained in the high frequency region.

また本発明によれば、第1の導体層の金属成分と非金属成分との比率を100:Xとしたときに、Xを20以下にすることによって、第1の導体層の抵抗値が低くなるために、高周波領域においてさらに高い導電率を得ることができる。   Further, according to the present invention, when the ratio of the metal component to the non-metal component of the first conductor layer is 100: X, the resistance value of the first conductor layer is reduced by setting X to 20 or less. Therefore, higher electrical conductivity can be obtained in the high frequency region.

また本発明によれば、金属箔の厚み方向に垂直な面のどちらか一方の面であって、第1の導体層が形成された面と反対の面に導体粉末層を焼成することで得られ、金属成分が非金属成分よりも多く含まれる第2の導体層が形成され、この第2の導体層が絶縁層と接合していることによって、金属箔の表面を粗化することなく、金属箔と絶縁層との接着強度をさらに高めることができる。   Further, according to the present invention, the conductive powder layer is obtained by firing on one of the surfaces perpendicular to the thickness direction of the metal foil and on the surface opposite to the surface on which the first conductor layer is formed. The second conductor layer containing a metal component more than the non-metal component is formed, and the second conductor layer is bonded to the insulating layer without roughening the surface of the metal foil. The adhesive strength between the metal foil and the insulating layer can be further increased.

また、絶縁層と配線導体との界面を導体層により平滑化できるために、高周波領域においてさらに高い導電率を得ることができる。   Further, since the interface between the insulating layer and the wiring conductor can be smoothed by the conductor layer, higher conductivity can be obtained in the high frequency region.

また本発明によれば、第1の導体層および第2の導体層の金属成分と非金属成分との比率を100:Yとしたときに、Yを20以下にすることによって、第1の導体層及び第2の導体層の抵抗値が低くなるために、高周波領域においてさらに高い導電率を得ることができる。   Further, according to the present invention, when the ratio of the metal component and the non-metal component of the first conductor layer and the second conductor layer is 100: Y, the first conductor is reduced by setting Y to 20 or less. Since the resistance values of the layer and the second conductor layer are low, higher conductivity can be obtained in the high frequency region.

また本発明によれば、配線基板の主面に垂直な方向から平面視した場合に、金属箔と第1または第2の導体層とが同じ大きさあり、これらの第1または第2の導体層は金属箔が形成された範囲内に形成されていることにより、端面を流れる高周波領域の電流が金属箔部分のみを流れるようになるため、高い導電率を有する端面を得ることができる。   Further, according to the present invention, the metal foil and the first or second conductor layer have the same size when viewed in a plan view from a direction perpendicular to the main surface of the wiring board, and these first or second conductors Since the layer is formed within the range in which the metal foil is formed, the current in the high-frequency region flowing through the end surface flows only through the metal foil portion, so that an end surface having high conductivity can be obtained.

また本発明の配線基板は、第1の導体粉末層および金属箔が形成されたグリーンシートを含む複数のグリーンシートを積層して積層体を作製した後、金属箔を形成する金属の融点よりも低い温度で、積層体の厚み方向に垂直な方向の収縮を抑制して焼成することにより製造される。   In addition, the wiring board of the present invention has a laminate formed by laminating a plurality of green sheets including the first conductor powder layer and the green sheet on which the metal foil is formed, and then the melting point of the metal forming the metal foil. It is manufactured by firing at a low temperature while suppressing shrinkage in the direction perpendicular to the thickness direction of the laminate.

上記製造方法において、積層体の厚み方向に垂直な方向の収縮を抑制して焼成することにより、配線導体とビア導体との接合部付近のデラミネーションやボイドの集中がなく、高周波領域での導電率が高い配線基板を提供できる。   In the manufacturing method described above, by firing while suppressing shrinkage in the direction perpendicular to the thickness direction of the laminate, there is no delamination or void concentration near the junction between the wiring conductor and the via conductor, and conduction in the high-frequency region. A wiring board having a high rate can be provided.

また本発明によれば、導体ペーストに含まれる金属粉末の平均粒径が5μm以下であることにより、絶縁層と配線導体との界面の凹凸の影響が小さくなるために、高周波領域においてより高い導電率を得られる配線基板を提供できる。   According to the present invention, since the average particle size of the metal powder contained in the conductor paste is 5 μm or less, the influence of the unevenness at the interface between the insulating layer and the wiring conductor is reduced, so that higher conductivity in the high frequency region. It is possible to provide a wiring board capable of obtaining a rate.

本発明の配線基板は、絶縁層に配線導体およびビア導体が形成されたガラスセラミック配線基板である。   The wiring board of the present invention is a glass ceramic wiring board in which wiring conductors and via conductors are formed in an insulating layer.

図1(a)は、本発明の配線基板の構造を示す部分断面図であり、図1(b)は、図1(a)の配線基板の内部導体2bとビア導体3との接合部付近の構造を示す部分断面図である。   FIG. 1A is a partial cross-sectional view showing the structure of the wiring board of the present invention, and FIG. 1B shows the vicinity of the junction between the internal conductor 2b and the via conductor 3 of the wiring board of FIG. It is a fragmentary sectional view showing the structure.

図1(a)に示すように、本発明の配線基板1は7層の絶縁層1a〜1gから構成され、配線基板1の表面に位置する絶縁層1aおよび1gには表面導体2aが形成されている。また、絶縁層1a〜1gの層間には内部導体2bが形成されている。また、絶縁層1a〜1gにはその厚み方向に表面導体2aと内部導体2bとを接続するための、または内部導体2b同士を接続するためのビア導体3が形成されている。   As shown in FIG. 1A, a wiring board 1 of the present invention is composed of seven insulating layers 1a to 1g, and a surface conductor 2a is formed on the insulating layers 1a and 1g located on the surface of the wiring board 1. ing. An internal conductor 2b is formed between the insulating layers 1a to 1g. The insulating layers 1a to 1g are formed with via conductors 3 for connecting the surface conductor 2a and the internal conductor 2b in the thickness direction or for connecting the internal conductors 2b.

本発明の配線基板1では、たとえば、図1(b)に示すように、表面導体2aおよび内部導体2bで構成される配線導体2は、主に金属箔4aによって形成されている。
この金属箔4aの厚み方向に垂直な面に、導体粉末層を焼成することで得られ、金属成分が非金属成分よりも多く含まれる導体層4bが形成され、この導体層4bは、絶縁層1c〜1eおよびビア導体3と接合している。
In the wiring board 1 of the present invention, for example, as shown in FIG. 1B, the wiring conductor 2 composed of the surface conductor 2a and the internal conductor 2b is mainly formed of a metal foil 4a.
A conductive layer 4b obtained by firing a conductive powder layer on a surface perpendicular to the thickness direction of the metal foil 4a and containing a metal component more than a non-metallic component is formed. The conductive layer 4b is an insulating layer. 1c-1e and the via conductor 3 are joined.

焼成過程において、導体粉末層は金属箔4aと比較してやわらかく変形するため、導体層4bとビア導体3との接合部において、無収縮焼成時に発生するビア導体3の変形を導体粉末層が吸収でき、配線導体2とビア導体3との接合部付近に発生するデラミネーションやボイドの集中を低減することができる。   In the firing process, the conductor powder layer is softly deformed compared to the metal foil 4a, so that the conductor powder layer absorbs the deformation of the via conductor 3 that occurs at the time of non-shrink firing at the joint between the conductor layer 4b and the via conductor 3. It is possible to reduce the concentration of delamination and voids generated near the junction between the wiring conductor 2 and the via conductor 3.

また金属箔4aと絶縁層1c〜1eとの間に導体層4bを設けることにより、金属箔4aを粗化することなく、金属箔4aと絶縁層1c〜1eとの接着強度を高めることができる。   Moreover, by providing the conductor layer 4b between the metal foil 4a and the insulating layers 1c to 1e, the adhesive strength between the metal foil 4a and the insulating layers 1c to 1e can be increased without roughening the metal foil 4a. .

さらに、絶縁層1c〜1eと配線導体2との界面を導体層4bにより平滑化できるために、粗化された金属箔4aと比較して配線導体2と絶縁層1c〜1eとの界面の凹凸を低減することができ、高周波領域において高い導電率を得ることができる。   Furthermore, since the interface between the insulating layers 1c to 1e and the wiring conductor 2 can be smoothed by the conductor layer 4b, the unevenness of the interface between the wiring conductor 2 and the insulating layers 1c to 1e compared to the roughened metal foil 4a. And high conductivity can be obtained in a high frequency region.

また導体層4bの金属成分と非金属成分との比率を質量部の比で100:Xとしたときに、Xが20以下であることが好ましい。これにより、導体層4bの抵抗値が低くなるために、高周波領域においてさらに高い導電率を得ることができる。   Further, when the ratio of the metal component and the non-metal component of the conductor layer 4b is 100: X in terms of mass part ratio, X is preferably 20 or less. Thereby, since the resistance value of the conductor layer 4b becomes low, higher conductivity can be obtained in the high frequency region.

なお、本発明においては、金属箔4aは粗化されていても、されていなくてもよい。しかし、金属箔4aの厚み方向に垂直な面の表面粗さが大きくなると、導体層4bによって表面粗さをなくすことが難しくなり、配線導体2の界面付近の導電率が低くなってしまうことから、金属箔4aの粗化は行わないことが好ましい。   In the present invention, the metal foil 4a may or may not be roughened. However, if the surface roughness of the surface perpendicular to the thickness direction of the metal foil 4a is increased, it is difficult to eliminate the surface roughness by the conductor layer 4b, and the conductivity near the interface of the wiring conductor 2 is decreased. It is preferable not to roughen the metal foil 4a.

また、配線基板1の主面に垂直な方向から平面視した場合に、金属箔4aと導体層4bとがほぼ同じ大きさであり、導体層4bは金属箔4aが形成された範囲内に形成されていることが好ましい。すなわち導体層4bの幅5が金属箔4aの幅6以下の大きさであることが好ましい。   Further, when viewed in a plan view from a direction perpendicular to the main surface of the wiring board 1, the metal foil 4a and the conductor layer 4b are substantially the same size, and the conductor layer 4b is formed within the range where the metal foil 4a is formed. It is preferable that That is, it is preferable that the width 5 of the conductor layer 4b is not more than the width 6 of the metal foil 4a.

金属箔4aによって配線導体2を形成する際には、金属箔4aをエッチングすることによりパターンニングするため、端面の形状は平滑である。   When the wiring conductor 2 is formed with the metal foil 4a, the patterning is performed by etching the metal foil 4a, so that the shape of the end face is smooth.

一方、導体層4bは粗化された金属箔4aと比較して界面の凹凸は小さいが、配線導体2を形成する際にはスクリーン印刷法などを用いるため、スクリーンのメッシュの影響を受け、端面の凹凸が大きくなってしまう。   On the other hand, the conductor layer 4b has less irregularities at the interface than the roughened metal foil 4a. However, since the screen conductor is used when the wiring conductor 2 is formed, the conductor layer 4b is affected by the mesh of the screen. The unevenness of becomes large.

したがって、高周波領域において高い導電率を有する端面を得るためには、端面を流れる電流が端面の形状が平滑な金属箔4aのみを流れるようにする必要があり、したがって金属箔4aの幅6と導体層4bの幅5との差が30μm以下の大きさであるようにすることにより、高い導電率を有する端面を得ることができる。   Therefore, in order to obtain an end face having high conductivity in the high frequency region, it is necessary that the current flowing through the end face flows only through the metal foil 4a having a smooth end face shape, and therefore the width 6 of the metal foil 4a and the conductor By setting the difference from the width 5 of the layer 4b to be 30 μm or less, an end face having high conductivity can be obtained.

これにより、導体層4bにより配線導体2の絶縁層1a〜1gとの界面を平滑にでき、さらに金属箔4aの幅6と導体層4bの幅5との差が30μm以下の大きさであるようにすることにより配線導体2の端面を平滑にできるために、配線導体2の高い導電率を得ることができる。   As a result, the conductor layer 4b can smooth the interface of the wiring conductor 2 with the insulating layers 1a to 1g, and the difference between the width 6 of the metal foil 4a and the width 5 of the conductor layer 4b is 30 μm or less. Since the end surface of the wiring conductor 2 can be made smooth by making the above, a high conductivity of the wiring conductor 2 can be obtained.

なお、本発明においては配線基板1の用途や配線導体2の設計によっては、配線導体1の特に高い導電率が必要な部分を金属箔4aと導体層4bで構成される層にし、その他の部分を金属箔4aのみまたは導体層4bのみで構成される層としてもよい。その場合、それらの一方のみで構成される層としては、配線導体とビア導体の接合部分のデラミネーションやボイドの集中を抑制するため、導体層のみで構成される層であることが好ましい。   In the present invention, depending on the use of the wiring board 1 and the design of the wiring conductor 2, the portion of the wiring conductor 1 that requires particularly high conductivity is made a layer composed of the metal foil 4a and the conductor layer 4b, and other portions. It is good also as a layer comprised only by the metal foil 4a or the conductor layer 4b. In that case, the layer constituted by only one of them is preferably a layer constituted only by a conductor layer in order to suppress delamination and concentration of voids at the joint portion between the wiring conductor and the via conductor.

また、他の実施形態として、図2に示すように、金属箔4aの厚み方向に垂直な面のうち、ビア導体と接合している面と反対の面に導体層4bが形成されていない構成であってもよい。   Further, as another embodiment, as shown in FIG. 2, a configuration in which the conductor layer 4 b is not formed on the surface perpendicular to the thickness direction of the metal foil 4 a opposite to the surface bonded to the via conductor. It may be.

本発明の配線基板1の製造方法は、図3に示すようにグリーンシートを作製する工程、ビアホールを作製し、ビア導体ペーストを充填する工程、第1の導体粉末層を形成する工程、金属箔および第2の導体粉末層を形成する工程、積層体を作製する工程および焼成工程からなる。
以下に、本発明の配線基板1の製造方法について詳細に説明する。
The manufacturing method of the wiring board 1 of the present invention includes a step of producing a green sheet, a step of producing a via hole and filling a via conductor paste, a step of forming a first conductor powder layer, a metal foil, as shown in FIG. And a step of forming a second conductor powder layer, a step of producing a laminate, and a firing step.
Below, the manufacturing method of the wiring board 1 of this invention is demonstrated in detail.

(グリーンシートを作製する工程)
まず、グリーンシートを作製するためのスラリーを調製するために、原料粉末としてガラス粉末とセラミックフィラー粉末とを準備する。
(Process for producing green sheets)
First, in order to prepare a slurry for producing a green sheet, a glass powder and a ceramic filler powder are prepared as raw material powders.

ガラス粉末としては、SiOと、さらにB、Al、ZnO、PbO、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物のうちの少なくとも1種以上とを含有するものであって、たとえば、SiO−B系、SiO−B−Al系、SiO−B−Al−MO系(MはCa、Sr、Mg、Ba、ZnまたはPbを示す。)などのホウケイ酸ガラス、アルカリ珪酸ガラス、Ba系ガラス、Pb系ガラス、Bi系ガラスなどが挙げられる。 The glass powder contains SiO 2 and at least one of B 2 O 3 , Al 2 O 3 , ZnO, PbO, alkaline earth metal oxide, and alkali metal oxide. For example, SiO 2 —B 2 O 3 system, SiO 2 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 system, SiO 2 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 —MO system (M is Ca, Sr, Mg, Borosilicate glass, alkali silicate glass, Ba glass, Pb glass, Bi glass, and the like.

これらの中でも焼成処理後に、リチウムシリケート、クォーツ、クリストバライト、コージェライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガ−ナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライト、ディオプサイドおよびこれらの置換誘導体の結晶を少なくとも1種類以上を析出するものが好ましく、さらには配線基板の抗折強度が高くなる点でディオプサイドの析出するガラスが好ましく、また、配線基板を低誘電率化できる点および低熱膨張化できる点でコージェライトの析出するガラスが好ましい。   Among these, after baking treatment, at least one kind of crystals of lithium silicate, quartz, cristobalite, cordierite, mullite, anorthite, serdian, spinel, garnite, willemite, dolomite, petalite, diopside and substituted derivatives thereof. The glass that precipitates the above is preferable, and glass in which diopside is precipitated is preferable in that the flexural strength of the wiring board is increased, and the cordage is provided in that the dielectric constant and the thermal expansion of the wiring board can be reduced. Glass from which light is deposited is preferred.

セラミックフィラー粉末としては、特に限定されるものではないが、クォーツ、クリストバライトなどのSiOや、Al、ZrO、コージェライト、ムライト、フォルステライト、エンスタタイト、スピネル、マグネシアなどが好適である。 The ceramic filler powder is not particularly limited, and SiO 2 such as quartz and cristobalite, Al 2 O 3 , ZrO 2 , cordierite, mullite, forsterite, enstatite, spinel, magnesia and the like are suitable. is there.

これらの中でも、高強度化に優れる点および低コストである点でアルミナが好ましく、また配線基板を高熱膨張化できる点でクォーツが好ましい。   Among these, alumina is preferable in terms of excellent strength and low cost, and quartz is preferable in that the wiring board can be highly thermally expanded.

上記の原料粉末を所定量秤量し、有機バインダーおよび溶剤、さらに所望により可塑剤などを加えてスラリーを調製した後、ドクターブレード法、圧延法、プレス法などの周知の成形法によりシート状に成形し、厚さ20μm〜500μmのグリーンシートを作製する。   A predetermined amount of the above raw material powder is weighed and a slurry is prepared by adding an organic binder, a solvent, and optionally a plasticizer, and then formed into a sheet by a known forming method such as a doctor blade method, a rolling method, or a pressing method. Then, a green sheet having a thickness of 20 μm to 500 μm is produced.

(ビアホールを作製し、ビア導体ペーストを充填する工程)
続いて、作製したグリーンシートにレーザーやマイクロドリル、パンチングなどにより、直径80μm〜200μmのビアホール(貫通孔)を形成する。
(Process for making via holes and filling via conductor paste)
Subsequently, via holes (through holes) with a diameter of 80 μm to 200 μm are formed in the produced green sheet by laser, micro drill, punching, or the like.

次いで、ビアホールに充填するためのビア導体ペーストを調製するために、原料粉末として、金属粉末とガラス粉末とを準備する。   Next, in order to prepare a via conductor paste for filling the via hole, a metal powder and a glass powder are prepared as raw material powders.

金属粉末としては、特に限定されるものではないが、銅、銀、または金が低抵抗に優れる点から好ましい。   Although it does not specifically limit as metal powder, Copper, silver, or gold | metal | money is preferable from the point which is excellent in low resistance.

ガラス粉末としては、特に限定されるものではないが、ホウケイ酸系ガラス、ホウケイ酸亜鉛系ガラス、およびホウケイ酸鉛系ガラスなどが挙げられる。特に、800℃〜1100℃における金属粉末との同時焼成性に優れ、ガラスセラミックスとの接着強度を向上させる点で、SiO−B−Al−BaO−CaO系ガラスが好ましい。 The glass powder is not particularly limited, and examples thereof include borosilicate glass, zinc borosilicate glass, and lead borosilicate glass. In particular, SiO 2 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 —BaO—CaO-based glass is preferable because it is excellent in co-firing with metal powder at 800 ° C. to 1100 ° C. and improves the adhesive strength with glass ceramics. .

ただし、ガラス粉末はビア導体の焼結挙動の調整や、ガラスセラミックスとの接着強度の向上の目的で添加されるので、これらの必要が少ない場合には、除くことも可能である。   However, since the glass powder is added for the purpose of adjusting the sintering behavior of the via conductor and improving the adhesive strength with the glass ceramic, it can be removed if these requirements are small.

また、金属粉末、ガラス粉末以外にも、アルミナ、シリカなどのフィラー成分や、樹脂ビーズなどの有機成分を添加することにより、焼結挙動を調整することも可能である。   In addition to metal powder and glass powder, the sintering behavior can be adjusted by adding filler components such as alumina and silica and organic components such as resin beads.

上記の原料粉末を所定量秤量し、有機バインダーおよび溶剤、さらに所望により分散剤などを加えてビア導体ペーストを調製する。   A predetermined amount of the above raw material powder is weighed, and an organic binder and a solvent, and further, a dispersant as required are added to prepare a via conductor paste.

ビア導体ペーストの粘度としては、ビアホールへの充填性を考慮して、100Pa・s〜350Pa・sであることが好ましい。   The viscosity of the via conductor paste is preferably 100 Pa · s to 350 Pa · s in consideration of the filling property to the via hole.

次いで、スクリーン印刷などの充填法を用いて、ビア導体ペーストをビアホールに充填する。   Next, the via conductor paste is filled into the via hole by using a filling method such as screen printing.

(第1の導体粉末層を形成する工程)
続いて、第1の導体粉末層を形成するためのパターン印刷に用いる導体ペーストを調製する。
(Step of forming the first conductor powder layer)
Subsequently, a conductor paste used for pattern printing for forming the first conductor powder layer is prepared.

導体ペーストの調製方法は、ビア導体ペーストの調製方法と同様である。
ここで、導体ペーストに用いる金属粉末の粒径は小さいことが望ましく、平均粒径が5μm以下であることが好ましい。
The method for preparing the conductor paste is the same as the method for preparing the via conductor paste.
Here, the particle size of the metal powder used for the conductor paste is desirably small, and the average particle size is preferably 5 μm or less.

金属粉末の粒径が大きいと、導体ペースト中の金属粒子で囲まれた空間が大きくなり、この空間は焼成後の導体層の凹凸に大きく影響する。そのため、平均粒径が5μm以下であることにより、配線導体と絶縁層との界面の凹凸の影響が小さくなり、高周波領域においてより高い導電率を得ることができる。   When the particle size of the metal powder is large, the space surrounded by the metal particles in the conductor paste becomes large, and this space greatly affects the unevenness of the conductor layer after firing. Therefore, when the average particle diameter is 5 μm or less, the influence of the unevenness at the interface between the wiring conductor and the insulating layer is reduced, and higher conductivity can be obtained in the high frequency region.

第1の導体粉末層は、主に金属粉末で構成される層であり、形状を保つために有機バインダーなどが含まれてもよい。第1の導体粉末層は、導体ペーストを乾燥することにより作製できるが、他の方法により金属粉末を成形して作製しても良い。   The first conductor powder layer is a layer mainly composed of metal powder, and may contain an organic binder or the like in order to maintain the shape. The first conductor powder layer can be produced by drying the conductor paste, but may be produced by molding metal powder by other methods.

第1の導体粉末層中の無機成分としては、金属粉末の他にガラス粉末やセラミックフィラーなどが含まれてもよい。第1の導体粉末層中の無機成分における金属成分は非金属成分よりも多く含まれることが好ましいが、金属成分と非金属成分との比率を質量部の比で100:Xとしたときに、Xが20以下であれば、第1の導体粉末層を焼成した第1の導体層の抵抗値が低くなり、界面導電率がより高くなる。界面導電率をさらに高くするためには、Xは15以下であることがより好ましく、さらに、8以下であることが好ましい。   As an inorganic component in the first conductor powder layer, glass powder, ceramic filler, and the like may be included in addition to the metal powder. It is preferable that the metal component in the inorganic component in the first conductor powder layer is contained more than the nonmetal component, but when the ratio of the metal component and the nonmetal component is 100: X in terms of parts by mass, If X is 20 or less, the resistance value of the first conductor layer obtained by firing the first conductor powder layer will be low, and the interface conductivity will be higher. In order to further increase the interface conductivity, X is more preferably 15 or less, and further preferably 8 or less.

なお、第1の導体粉末層を焼成することで得られる第1の導体層の金属成分と非金属成分との比率は、第1の導体粉末層中の無機成分における金属成分と非金属成分との比率と同じである。   The ratio of the metal component and the nonmetal component of the first conductor layer obtained by firing the first conductor powder layer is the ratio of the metal component and the nonmetal component in the inorganic component in the first conductor powder layer. The ratio is the same.

また、導体ペーストの粘度としては印刷性、レベリング性およびペーストを薄く塗布するという観点から、10Pa・s〜100Pa・s、特に15Pa・s〜80Pa・s、さらには20Pa・s〜60Pa・sであることが好ましい。   In addition, the viscosity of the conductor paste is 10 Pa · s to 100 Pa · s, particularly 15 Pa · s to 80 Pa · s, more preferably 20 Pa · s to 60 Pa · s, from the viewpoint of printing properties, leveling properties, and thin application of the paste. Preferably there is.

次いで、導体ペーストをグリーンシートの表面に、スクリーン印刷などの塗布法を用いて塗布し、第1の導体粉末層を形成する。
第1の導体粉末層の厚みとしては5μm〜10μmであることが好ましい。
Next, the conductor paste is applied to the surface of the green sheet by using an application method such as screen printing to form a first conductor powder layer.
The thickness of the first conductor powder layer is preferably 5 μm to 10 μm.

(金属箔および第2の導体粉末層を形成する工程)
続いて、第1の導体粉末層の上に金属箔を形成する。
(Process of forming metal foil and second conductor powder layer)
Subsequently, a metal foil is formed on the first conductor powder layer.

金属箔の形成方法の1つとして、グリーンシートの表面に金属箔を接着した後にフォトエッチング法などの手法によって所望の配線パターン状の金属箔を形成させる方法が知られているが、かかる方法ではエッチング液によってグリーンシートを変質させてしまうため、本発明においては、転写法を用いることが好ましい。   As a method for forming a metal foil, a method of forming a metal foil having a desired wiring pattern by a technique such as a photo etching method after bonding the metal foil to the surface of a green sheet is known. In the present invention, it is preferable to use a transfer method because the green sheet is altered by the etching solution.

転写法による金属箔の形成方法としては、まず高分子材料からなる転写フィルム上に金属箔を接着した後、この金属箔の表面に鏡像のレジストを配線パターン状に塗布し、エッチング処理およびレジスト除去を行って配線パターン状の金属箔を形成する。   As a method for forming a metal foil by the transfer method, first, a metal foil is bonded onto a transfer film made of a polymer material, and then a mirror image resist is applied to the surface of the metal foil in the form of a wiring pattern, and etching treatment and resist removal are performed. To form a wiring pattern-like metal foil.

次いで、鏡像の配線パターン状の金属箔を形成した転写フィルムを第1の導体粉末層が形成された側のグリーンシートの表面に位置合わせして積層圧着した後、転写フィルムを剥がすことにより金属箔を形成する。   Next, the transfer film on which the metal foil of the mirror image wiring pattern is formed is aligned with the surface of the green sheet on the side on which the first conductor powder layer is formed, laminated and pressed, and then the transfer film is peeled off to remove the metal foil. Form.

このとき、第1の導体粉末層が形成された範囲よりも金属箔が形成された範囲を大きくすることにより、高周波領域において高い導電率を有する配線導体2の端面を得ることができる。   At this time, the end surface of the wiring conductor 2 having high conductivity in the high frequency region can be obtained by increasing the range in which the metal foil is formed in comparison with the range in which the first conductor powder layer is formed.

第1の導体粉末層を形成する際にスクリーン印刷法などを用いると、第1の導体粉末層の幅は10μm程度ばらつくため、このようなばらつきを考慮すると、金属箔の幅は第1の導体粉末層の幅よりも15μm以上大きくすることが好ましい。   If a screen printing method or the like is used when forming the first conductor powder layer, the width of the first conductor powder layer varies by about 10 μm. Therefore, considering such variations, the width of the metal foil is the first conductor powder layer. It is preferable to make it 15 μm or more larger than the width of the powder layer.

しかし、金属箔の幅が大きくなりすぎると導体層4bを設けることによる界面付近の導電率の改善効果が小さくなるため、金属箔の幅は、第1の導体粉末層よりも30μm以下の大きさであることが好ましい。   However, if the width of the metal foil becomes too large, the effect of improving the conductivity in the vicinity of the interface due to the provision of the conductor layer 4b is reduced. Therefore, the width of the metal foil is 30 μm or less than that of the first conductor powder layer. It is preferable that

したがって、金属箔の幅は、第1の導体粉末層の幅と比較して15μm〜30μm大きいことが好ましい。   Therefore, the width of the metal foil is preferably 15 μm to 30 μm larger than the width of the first conductor powder layer.

金属箔としては、特に限定されるものではないが、銅、銀、または金が低抵抗に優れる点から好ましい。   Although it does not specifically limit as metal foil, Copper, silver, or gold | metal | money is preferable from the point which is excellent in low resistance.

金属箔の厚みとしては、8μm〜20μmであることが好ましい。
次いで、金属箔の上に、再び導体ペーストで第2の導体粉末層を形成する。形成方法は、第1の導体粉末層の形成方法と同様である。
The thickness of the metal foil is preferably 8 μm to 20 μm.
Next, a second conductor powder layer is again formed on the metal foil with a conductor paste. The formation method is the same as the formation method of the first conductor powder layer.

第2の導体粉末層は、主に金属粉末で構成される層であり、形状を保つために有機バインダーなどが含まれてもよい。第2の導体粉末層は、導体ペーストを乾燥することにより作製できるが、他の方法により金属粉末を成形して作製しても良い。   The second conductor powder layer is a layer mainly composed of metal powder, and may contain an organic binder or the like in order to maintain the shape. The second conductor powder layer can be produced by drying the conductor paste, but may be produced by molding metal powder by other methods.

第2の導体粉末層中の無機成分としては、金属粉末の他にガラス粉末やセラミックフィラーなどが含まれてもよい。第2の導体粉末層中の無機成分における金属成分は非金属成分よりも多く含まれることが好ましいが、金属成分と非金属成分との比率を質量部の比で100:Yとしたときに、Yが20以下であれば、第2の導体粉末層を焼成した第2の導体層の抵抗値が低くなり、界面導電率がより高くなる。界面導電率をさらに高くするためには、Yは15以下であることがより好ましく、さらに、8以下であることが好ましい。   The inorganic component in the second conductor powder layer may include glass powder, ceramic filler, and the like in addition to the metal powder. The metal component in the inorganic component in the second conductor powder layer is preferably contained more than the non-metal component, but when the ratio of the metal component to the non-metal component is 100: Y by mass part ratio, If Y is 20 or less, the resistance value of the second conductor layer obtained by firing the second conductor powder layer becomes low, and the interface conductivity becomes higher. In order to further increase the interface conductivity, Y is more preferably 15 or less, and further preferably 8 or less.

なお、第2の導体粉末層を焼成することで得られる第2の導体層の金属成分と非金属成分との比率は、第2の導体粉末層中の無機成分における金属成分と非金属成分との比率と同じである。   The ratio of the metal component and the nonmetal component of the second conductor layer obtained by firing the second conductor powder layer is the ratio of the metal component and the nonmetal component in the inorganic component in the second conductor powder layer. The ratio is the same.

(積層体を作製する工程)
続いて、配線基板1のように多層配線基板を作製する場合には、上記のように導体粉末層および金属箔を形成したグリーンシート複数枚を積層圧着してグリーンシート積層体を作製する。
(Process for producing a laminate)
Then, when producing a multilayer wiring board like the wiring board 1, the green sheet laminated body is produced by laminating and pressing a plurality of green sheets on which the conductor powder layer and the metal foil are formed as described above.

グリーンシートの積層方法としては特に限定されるものではないが、たとえば、積み重ねられたグリーンシートに熱と圧力を加えて熱圧着する方法や、有機バインダー、可塑剤、溶剤などで構成される接着剤をシート間に塗布して熱圧着する方法などが挙げられる。   The method for laminating the green sheets is not particularly limited. For example, a method of applying heat and pressure to the stacked green sheets and thermocompression bonding, or an adhesive composed of an organic binder, a plasticizer, a solvent, etc. The method of apply | coating between sheets and carrying out thermocompression bonding etc. is mentioned.

積層体を焼成する際に、金属箔自体は焼成により収縮しないため、収縮するグリーンシートと金属箔との収縮率の差により発生する配線基板の変形を抑制するため、配線基板の厚み方向に垂直な方向の収縮を抑制する必要がある。   When the laminate is fired, the metal foil itself does not shrink by firing, and therefore, in order to suppress the deformation of the wiring board caused by the difference in shrinkage between the shrinking green sheet and the metal foil, it is perpendicular to the thickness direction of the wiring board. It is necessary to suppress the shrinkage in the correct direction.

収縮を抑制する方法としては、積層体に、焼成により収縮しない拘束シートを積層して焼成する方法や、焼成収縮温度の異なる原料を主成分としたグリーンシートを積層して積層体を作製し、一方のグリーンシートが収縮する温度域で他方のグリーンシートが収縮しないことにより、互いの収縮を抑制し合うようにする方法や、焼成時に積層体の主面全体に圧力を加える方法などが例示できるが、他の方法によって収縮を抑制してもかまわない。   As a method for suppressing the shrinkage, a method of laminating and firing a constraining sheet that does not shrink by firing on the laminate, or a laminate of green sheets mainly composed of raw materials having different firing shrinkage temperatures, Examples thereof include a method for preventing the other green sheet from contracting in a temperature range where one green sheet contracts, and a method for applying pressure to the entire main surface of the laminate during firing. However, contraction may be suppressed by other methods.

これらの中でも、拘束シートを用いる方法や異なる原料のグリーンシートを積層する方法は、特殊な焼成設備を必要としないため製造コストが低くなりより好ましい。   Among these, a method using a constraining sheet and a method of laminating green sheets of different raw materials are more preferable because they do not require special firing equipment and the manufacturing cost is low.

拘束シートを用いる方法は、拘束シートが焼成によりほとんど収縮しないため、積層体の配線基板の厚み方向に垂直な方向の収縮がより少なくなるためより好ましい。   The method using a constraining sheet is more preferable because the constraining sheet hardly shrinks due to firing, and therefore shrinkage in the direction perpendicular to the thickness direction of the wiring board of the laminate is less.

異なる原料のグリーンシートを積層する方法は、積層体にキャビティなどが形成されていて積層体が単純な平板の形状でない場合でも、変形することなく積層体の配線基板の厚み方向に垂直な方向の収縮が抑制できるためより好ましい。   The method of laminating green sheets of different raw materials is that the cavities are formed in the laminate and the laminate is not a simple flat plate shape. Since shrinkage | contraction can be suppressed, it is more preferable.

拘束シート付き積層体の作成方法としては、グリーンシートの積層後に、積層体の焼成温度において難焼結性であるセラミック材料を主成分とする拘束シートを積層体の両面または片面に加圧積層して拘束シート付き積層体を作製する。   As a method for producing a laminate with a restraint sheet, after laminating green sheets, a restraint sheet mainly composed of a ceramic material that is hardly sinterable at the firing temperature of the laminate is pressure-laminated on both sides or one side of the laminate. To produce a laminate with a constraining sheet.

拘束シートの作製方法としては、難焼結性セラミック材料とガラス粉末で構成される無機成分に、有機バインダー、可塑剤、溶剤などを加えたスラリーをシート状に成形して作製する。   As a method for producing the constraining sheet, a slurry obtained by adding an organic binder, a plasticizer, a solvent and the like to an inorganic component composed of a hardly sinterable ceramic material and glass powder is formed into a sheet shape.

難焼結性セラミック材料としては、具体的には1000℃以下の温度で緻密化しないようなセラミック組成物から構成され、たとえば、Al、SiO、MgO、ZrO、BN、TiOの少なくとも1種以上を含む粉末またはそれらの化合物(フォルステライト、エンスタタイトなど)の粉末などが挙げられる。 Specifically, the hardly sinterable ceramic material is composed of a ceramic composition that does not become dense at a temperature of 1000 ° C. or less. For example, Al 2 O 3 , SiO 2 , MgO, ZrO 2 , BN, TiO 2 Or powders of these compounds (forsterite, enstatite, etc.).

また、有機バインダー、可塑剤および溶剤としては、特に制限されるものではないが、たとえば、グリーンシートの作製時に使用した材料と同様のものを使用できる。   In addition, the organic binder, plasticizer, and solvent are not particularly limited, and for example, the same materials as those used for producing the green sheet can be used.

このように焼成時における積層体の厚み方向に垂直な方向の収縮を抑制することにより、配線導体2とビア導体3との接合部付近のデラミネーションやボイドの集中がなく、高周波領域での導電率が高い配線基板を提供できる。   In this way, by suppressing shrinkage in the direction perpendicular to the thickness direction of the laminated body during firing, there is no delamination or void concentration near the junction between the wiring conductor 2 and the via conductor 3, and conduction in a high-frequency region. A wiring board having a high rate can be provided.

(焼成工程)
焼成に先立って、積層体を100℃〜800℃、好ましくは400℃〜750℃で加熱処理して積層体中の有機成分を分解除去してもよい。
(Baking process)
Prior to firing, the laminate may be heat-treated at 100 ° C. to 800 ° C., preferably 400 ° C. to 750 ° C. to decompose and remove organic components in the laminate.

また、焼成は800℃〜1000℃、好ましくは850℃〜950℃で同時焼成することが好ましく、この条件で焼成することにより焼結を充分に行い、かつ過焼結を防止することができる。   Further, the firing is preferably performed at 800 ° C. to 1000 ° C., preferably 850 ° C. to 950 ° C., and firing under these conditions can sufficiently perform sintering and prevent oversintering.

このとき、導体中の金属として銅を用いる場合は、銅の酸化を防止するという観点から、窒素雰囲気下で焼成を行うのが好ましい。   At this time, when copper is used as the metal in the conductor, firing is preferably performed in a nitrogen atmosphere from the viewpoint of preventing copper oxidation.

上記に示したような製造方法によって、配線導体2と導体層4bとの接合部付近のデラミネーションやボイドの集中がなく、かつ高周波領域での導電率が高い配線基板を得ることができる。   By the manufacturing method as described above, it is possible to obtain a wiring substrate having no delamination or void concentration near the joint between the wiring conductor 2 and the conductor layer 4b and having high conductivity in the high frequency region.

以下に実施例および比較例を挙げ、本発明を具体的に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、特に限定されるものではない。   EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not particularly limited as long as it does not exceed the gist thereof.

〔評価方法〕
次のようにして、本発明の配線基板の無収縮焼成におけるデラミネーションやボイドの有無を評価するための配線基板の断面の観察、配線導体の絶縁層との界面付近および端面の導電率ならびに導体の伝送特性の測定を行った。
〔Evaluation methods〕
In the following manner, the cross section of the wiring board for evaluating the presence or absence of delamination and voids in the non-shrinkage firing of the wiring board of the present invention, the vicinity of the interface with the insulating layer of the wiring conductor and the conductivity of the end face and the conductor The transmission characteristics were measured.

(断面の観察)
配線導体とビア導体との接合部付近のデラミネーションやボイドの集中の有無を確認するために、断面観察用基板を作製した。
(Section observation)
In order to confirm the presence of delamination and void concentration near the junction between the wiring conductor and the via conductor, a cross-sectional observation substrate was prepared.

断面観察用基板は、幅25mm×25mm、厚み100μmの絶縁層に直径100μmのビア導体が500μmの間隔で5行×5列の25個形成され、10mm角のランドパターン状の導体層が配された基板である。   The cross-sectional observation substrate is formed of 25 via conductors having a diameter of 100 μm at an interval of 500 μm in an insulating layer having a width of 25 mm × 25 mm and a thickness of 100 μm, and a conductor layer having a land pattern shape of 10 mm square is disposed. Substrate.

断面観察は、断面観察用基板を破断し、100倍の光学顕微鏡によりその破断面の観察を行った。デラミネーションやボイドの集中の有無の評価基準としては、銅箔と絶縁層、もしくは絶縁層同士の層間で剥離が見られた際には、デラミネーションが有ると判断した。また、ビア導体と銅箔との接合部付近のボイド率と、接合部以外のビア導体周辺部のボイド率とを比較し、前者のボイド率が高かった際には、ボイドの集中が有ると判断した。ボイド率は、サンプルの断面を500倍の電子顕微鏡で観察し、0.05mmの範囲のボイド率を算出した。 For cross-sectional observation, the cross-sectional observation substrate was broken and the broken cross-section was observed with a 100 × optical microscope. As an evaluation standard for the presence or absence of delamination or void concentration, it was judged that delamination was present when peeling was observed between the copper foil and the insulating layer or between the insulating layers. Also, comparing the void ratio in the vicinity of the joint between the via conductor and the copper foil and the void ratio in the periphery of the via conductor other than the joint, and when the former void ratio is high, there is a concentration of voids It was judged. The void ratio was obtained by observing the cross section of the sample with a 500-fold electron microscope and calculating a void ratio in the range of 0.05 mm 2 .

(配線導体の絶縁層との界面付近の導電率測定)
高周波領域における配線導体の絶縁層との界面付近の導電率(以下、界面導電率とする。)を測定するために、界面導電率評価基板を作製した。
(Conductivity measurement near the interface with the insulation layer of the wiring conductor)
In order to measure the electrical conductivity in the vicinity of the interface with the insulating layer of the wiring conductor in the high-frequency region (hereinafter referred to as the interface conductivity), an interface conductivity evaluation board was produced.

界面導電率評価基板は、幅52mm×52mm、厚み200μmの絶縁層が積層され、層間に銅から構成される直径40mmの導体層を具備したものである。   The interfacial conductivity evaluation board is provided with a conductor layer having a diameter of 40 mm, in which an insulating layer having a width of 52 mm × 52 mm and a thickness of 200 μm is laminated, and is made of copper between the layers.

界面導電率の測定は、特開2000−46756号公報に開示されている方法を用いて、測定周波数2GHzの条件で行った。具体的には、ネットワークアナライザーを用い、円柱共振器法で行った。なお、界面導電率は、銅の導電率5.8×10/Ω・mで規格化してある。 The interface conductivity was measured using the method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-46756 under the condition of a measurement frequency of 2 GHz. Specifically, it was performed by a cylindrical resonator method using a network analyzer. The interface conductivity is standardized by copper conductivity 5.8 × 10 7 / Ω · m.

評価基準としては界面導電率が50%以上であれば良好、50%未満42%以上であれば利用可、42%未満であれば不良とした。   Evaluation criteria were good if the interface conductivity was 50% or more, acceptable if it was less than 50% and 42% or more, and poor if it was less than 42%.

(端面導電率測定)
高周波領域における配線基板の端面の導電率を比較するために端面導電率評価基板を作製した。
(Measurement of end face conductivity)
In order to compare the conductivity of the end face of the wiring board in the high frequency region, an end face conductivity evaluation board was prepared.

端面導電率測定基板は、幅30mm×30mm、厚み300μmの絶縁層の表面に直径10mm、リング幅1mmのリングパターン状の導体層が形成された基板と、幅30mm×30mm、厚み300μmの絶縁層にグラウンドとなるベタパターン状の導体層が配された基板とを積層した第1の測定基板と、前記第1の測定基板とリング幅0.1mmのみが異なる第2の測定基板である。   The end face conductivity measurement substrate includes a substrate in which a ring pattern conductor layer having a diameter of 10 mm and a ring width of 1 mm is formed on the surface of an insulating layer having a width of 30 mm × 30 mm and a thickness of 300 μm, and an insulating layer having a width of 30 mm × 30 mm and a thickness of 300 μm. And a second measurement substrate that is different from the first measurement substrate only in a ring width of 0.1 mm.

端面導電率の測定は、特開2005−308716号公報に開示されている方法を用いて、測定周波数2GHzの条件で行った。具体的には、ネットワークアナライザーを用い、リング共振器法で行った。端面導電率の規格化については上記界面導電率測定のときと同様に、銅の導電率5.8×10/Ω・mを用いて行った。 The end face conductivity was measured under the condition of a measurement frequency of 2 GHz using the method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-308716. Specifically, it was performed by a ring resonator method using a network analyzer. The standardization of the end face conductivity was performed using copper conductivity of 5.8 × 10 7 / Ω · m, as in the case of the interface conductivity measurement.

評価基準としては端面導電率が32%以上であれば良好、32%未満であれば不良とした。   As an evaluation standard, if the end face conductivity is 32% or more, it is good, and if it is less than 32%, it is regarded as defective.

(伝送特性測定)
高周波領域における配線基板の伝送特性(Sパラメーター)を測定するために、伝送特性評価基板を作製した。
(Transmission characteristics measurement)
In order to measure the transmission characteristic (S parameter) of the wiring board in the high frequency region, a transmission characteristic evaluation board was prepared.

伝送特性評価基板は、幅60mm×60mm、厚み200μmの絶縁層が4層積層され、内層に線幅0.1mmで、長さが10mm、11mm、12mm、20mm、30mm、のストリップラインと、途中を断線させ、反射を測定するラインの計6本を形成したものである。ラインの端部にビアを接合させ、これと表層パッドとを接合させた。   The transmission characteristic evaluation board is composed of four insulating layers with a width of 60 mm × 60 mm and a thickness of 200 μm, a strip width of 0.1 mm and a length of 10 mm, 11 mm, 12 mm, 20 mm, and 30 mm on the inner layer, Is formed, and a total of six lines for measuring reflection are formed. A via was joined to the end of the line, and this was joined to the surface layer pad.

伝送特性の測定は、ネットワークアナライザーを用い、表層のパッドにプローブを接触させて、測定周波数2GHzの条件で測定を行った。
評価基準としては、―0.12dB/cm以上であれば良好とした。
The transmission characteristics were measured using a network analyzer with a probe in contact with the surface layer pad and under a measurement frequency of 2 GHz.
As an evaluation standard, a value of −0.12 dB / cm or more was considered good.

〔製造方法〕
以下に、上記の断面観察用基板、界面導電率評価基板、端面導電率評価基板および伝送特性評価基板の製造方法について示す。
〔Production method〕
Below, it shows about the manufacturing method of said board | substrate for cross-sectional observation, an interface conductivity evaluation board | substrate, an end surface conductivity evaluation board | substrate, and a transmission characteristic evaluation board | substrate.

(グリーンシートを作製する工程)
まず、グリーンシートを作製するためのスラリーを調製した。
(Process for producing green sheets)
First, a slurry for producing a green sheet was prepared.

最初に、SiO:43質量%、B:8質量%、Al:6質量%、CaO:5質量%、BaO:38質量%から構成される組成のガラス粉末を調製した。 First, a glass powder having a composition composed of SiO 2 : 43% by mass, B 2 O 3 : 8% by mass, Al 2 O 3 : 6% by mass, CaO: 5% by mass, and BaO: 38% by mass was prepared. .

次いで、調製したガラス粉末を50質量%、セラミックフィラー粉末としてクォーツを48質量%およびZrOを2質量%秤量して混合し、原料粉末であるガラスセラミック組成物を作製した。 Next, 50% by mass of the prepared glass powder, 48% by mass of quartz and 2% by mass of ZrO 2 as a ceramic filler powder were weighed and mixed to prepare a glass ceramic composition as a raw material powder.

次いで、上記原料粉末100質量部に、有機バインダーとしてアクリル樹脂を4質量部、可塑剤としてジブチルフタレートを4.5質量部、溶剤としてトルエンを35質量部加えてグリーンシート作製用スラリーを調製した。   Next, 4 parts by mass of an acrylic resin as an organic binder, 4.5 parts by mass of dibutyl phthalate as a plasticizer, and 35 parts by mass of toluene as a solvent were added to 100 parts by mass of the raw material powder to prepare a slurry for producing a green sheet.

次いで、調製したグリーンシート作製用スラリーを用いてドクターブレード法により、厚み170μm、330μm、500μmの3種類のグリーンシートを作製した。   Next, three types of green sheets having thicknesses of 170 μm, 330 μm, and 500 μm were produced by the doctor blade method using the prepared slurry for producing green sheets.

(ビアホールを作製し、ビア導体ペーストを充填する工程)
続いて、厚み170μmのグリーンシートに、パンチングにより直径100μmのビアホールを500μmの間隔で5行×5列の25個形成した。
(Process for making via holes and filling via conductor paste)
Subsequently, 25 via holes having a diameter of 100 μm were formed by punching in a green sheet having a thickness of 170 μm in 5 rows × 5 columns at intervals of 500 μm.

次いで、ビアホールに充填するためのビア導体ペーストを調製した。
ビア導体ペーストの調製方法としては、銅粉末100質量部に対して、SiO−B−Al−CaO−BaO系ガラス粉末を12質量部添加し、また有機バインダーとしてアクリル樹脂を4質量部、溶剤としてテルピネオールとジブチルフタレートの混合溶液(質量比で80:20)を6質量部添加後混練し、粘度180Pa・sのビア導体ペーストを調製した。粘度の測定は、ピスコテスターを用い、室温中で行った。
Next, a via conductor paste for filling the via hole was prepared.
As a method for preparing the via conductor paste, 12 parts by mass of SiO 2 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 —CaO—BaO-based glass powder is added to 100 parts by mass of copper powder, and acrylic resin is used as an organic binder. 4 parts by mass, 6 parts by mass of a mixed solution of terpineol and dibutyl phthalate (80:20 by mass ratio) as a solvent was added and kneaded to prepare a via conductor paste having a viscosity of 180 Pa · s. The viscosity was measured at room temperature using a pisco tester.

次いで調製したビア導体ペーストを厚み170μmのグリーンシートに設けたビアホールに、スクリーン印刷法により充填した。   Next, the prepared via conductor paste was filled into a via hole provided in a green sheet having a thickness of 170 μm by a screen printing method.

(第1の導体粉末層を形成する工程)
続いて、第1の導体粉末層を形成するための導体ペーストを調整した。
(Step of forming the first conductor powder layer)
Subsequently, a conductor paste for forming the first conductor powder layer was prepared.

最初に、表1に示した平均粒径を有する銅粉末とSiO−B−Al−CaO−BaO系ガラス粉末とを準備し、銅粉末100質量部に対して、ガラス粉末を表1に示す添加量で添加した。また有機バインダーとしてアクリル樹脂を5.3質量部、溶剤としてテルピネオールとジブチルフタレートの混合溶液を(重量比で80:20)1質量部添加後混練して、粘度60Pa・sの導体ペーストを調製した。 First, a copper powder having an average particle size shown in Table 1 and a SiO 2 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 —CaO—BaO-based glass powder were prepared. The powder was added in the amount shown in Table 1. Further, 5.3 parts by mass of an acrylic resin as an organic binder and 1 part by mass of a mixed solution of terpineol and dibutyl phthalate as a solvent (80:20 by weight) were added and kneaded to prepare a conductor paste having a viscosity of 60 Pa · s. .

次いで、調製した導体ペーストを用いてスクリーン印刷法によりグリーンシートに厚み6μmのベタパターン状の第1の導体粉末層を印刷した。すなわち、厚み170μmのグリーンシートには10mm角のベタパターン状の第1の導体粉末層を、厚み330μmのグリーンシートには直径40mmのベタパターン状の第1の導体粉末層を、厚み500μmのグリーンシートには直径が10mmでリング幅が1mmと0.1mmの2種類のリングパターン状の第1の導体粉末層を、さらに厚み500μmの別のグリーンシートには全面にベタパターン状の第1の導体粉末層を印刷した。   Next, a solid conductor-shaped first conductor powder layer having a thickness of 6 μm was printed on the green sheet by screen printing using the prepared conductor paste. That is, a 10 mm square solid pattern first conductive powder layer is formed on a 170 μm thick green sheet, and a solid pattern first conductive powder layer having a diameter of 40 mm is formed on a 330 μm thick green sheet. The sheet is provided with two types of ring pattern-shaped first conductor powder layers having a diameter of 10 mm and a ring width of 1 mm and 0.1 mm, and another green sheet having a thickness of 500 μm has a solid pattern-shaped first layer on the entire surface. A conductor powder layer was printed.

(銅箔および第2の導体粉末層を形成する工程)
まず、高分子フィルムに純度99.5%以上の銅箔を接着し、この銅箔の表面に鏡像のレジストを配線パターン状に塗布し、エッチング処理およびレジスト除去を行って配線パターン状の銅箔を形成し転写シートを作製した。
(Process of forming copper foil and second conductor powder layer)
First, a copper foil having a purity of 99.5% or more is bonded to a polymer film, a mirror image resist is applied to the surface of the copper foil in a wiring pattern, etching treatment and resist removal are performed, and the wiring pattern-shaped copper foil is applied. To form a transfer sheet.

次いで、第1の導体粉末層を印刷した側のグリーンシートの表面に、位置合わせを行いながら転写シートを積層し、60℃、3MPaで熱圧着した後、転写シートを剥がし、厚み15μmの銅箔を形成した。   Next, the transfer sheet is laminated on the surface of the green sheet on the side where the first conductor powder layer is printed, while being aligned, and after thermocompression bonding at 60 ° C. and 3 MPa, the transfer sheet is peeled off, and a copper foil having a thickness of 15 μm Formed.

次いで、この銅箔の上に第2の導体粉末層を第1の導体粉末層と同様に印刷した。
なお、銅箔の厚み方向に垂直な面の粗化処理の有無ならびに銅箔の幅と第1および第2の導体粉末層の幅との差を表1に示すように調整した。
Next, the second conductor powder layer was printed on the copper foil in the same manner as the first conductor powder layer.
In addition, the presence or absence of the roughening process of the surface perpendicular to the thickness direction of the copper foil and the difference between the width of the copper foil and the width of the first and second conductor powder layers were adjusted as shown in Table 1.

(積層体を作製する工程)
上記のように作製した第1および第2の導体粉末層および銅箔を形成したグリーンシートを用い、積層体を作製した。
(Process for producing a laminate)
A laminate was produced using the first and second conductor powder layers produced as described above and the green sheet on which the copper foil was formed.

断面観察用基板は、ビア導体と10mm角のベタパターン状の導体粉末層および銅箔とを形成した厚み170μmのグリーンシートを4層積層して作製した。このとき、グリーンシート間に接着剤を均一に塗布し、45℃、4MPaの条件で加圧積層を行った。   The cross-sectional observation substrate was prepared by laminating four layers of 170 μm thick green sheets on which a via conductor, a 10 mm square solid-pattern conductor powder layer, and a copper foil were formed. At this time, an adhesive was uniformly applied between the green sheets, and pressure lamination was performed under the conditions of 45 ° C. and 4 MPa.

界面導電率評価基板は、直径40mmのベタパターン状の導体粉末層および銅箔を形成した厚み330μmのグリーンシート上に、導体粉末層および銅箔が形成されていない厚み330μmのグリーンシートを積層して作製した。積層条件は断面観察用基板の条件と同様である。   The interfacial conductivity evaluation substrate is obtained by laminating a 330 μm thick green sheet on which a conductive powder layer and copper foil are not formed on a solid powder having a solid pattern shape of 40 mm in diameter and a copper foil having a thickness of 330 μm. Made. The lamination conditions are the same as those for the cross-sectional observation substrate.

端面導電率評価基板は、全面にベタパターン状の導体粉末層および銅箔を形成した厚み500μmのグリーンシート上に、リングパターン状の導体粉末層および銅箔を形成した厚み500μmのグリーンシートを積層して作製した。積層条件は断面観察用基板の条件と同様である。   The end face conductivity evaluation board is formed by laminating a 500 μm-thick green sheet having a ring pattern-shaped conductor powder layer and a copper foil on a 500 μm-thick green sheet having a solid pattern-shaped conductor powder layer and a copper foil formed on the entire surface. And produced. The lamination conditions are the same as those for the cross-sectional observation substrate.

次いで、拘束シートを作製した。
まず、純度99.99%以上のアルミナ95質量%と、SiO−B−Al−CaO−BaO系ガラス粉末5質量%とを秤量後混合し、原料粉末を作製した。
Next, a restraint sheet was produced.
First, 95% by mass of alumina having a purity of 99.99% or more and 5% by mass of SiO 2 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 —CaO—BaO glass powder were weighed and mixed to prepare a raw material powder.

この原料粉末に、有機バインダーとしてアクリル樹脂を9質量部、可塑剤としてジブチルフタレートを4.5質量部、溶剤としてトルエンを15質量部加えてスラリーを調製し、ドクターブレード法により厚み300μmの拘束シートを作製した。   A slurry is prepared by adding 9 parts by mass of an acrylic resin as an organic binder, 4.5 parts by mass of dibutyl phthalate as a plasticizer, and 15 parts by mass of toluene as a solvent to the raw material powder, and a restraint sheet having a thickness of 300 μm by a doctor blade method. Was made.

次いで、作製した拘束シートをそれぞれの積層体の上下両面に45℃、4MPaの条件で加圧積層を行い、拘束シート付き積層体を作成した。   Subsequently, the produced constraining sheet was subjected to pressure laminating on the upper and lower surfaces of each laminate under the conditions of 45 ° C. and 4 MPa to prepare a laminate with constraining sheets.

(焼成工程)
続いて、これらの拘束シート付き積層体をAlの台板上に載置して、有機バインダーなどの有機成分を分解除去するために、窒素雰囲気下770℃で1時間加熱処理した後、900℃で1時間焼成を行った。
(Baking process)
Subsequently, after these laminates with constraining sheets were placed on an Al 2 O 3 base plate and subjected to heat treatment at 770 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere in order to decompose and remove organic components such as organic binders. And calcination at 900 ° C. for 1 hour.

拘束シートは900℃の焼成ではほとんど焼成収縮しないため、積層体の厚み方向に垂直な方向の収縮率は1%以下に抑制され、積層体の収縮は主に積層体の厚み方向に起こった。   Since the restraint sheet hardly burns and shrinks when fired at 900 ° C., the shrinkage rate in the direction perpendicular to the thickness direction of the laminate is suppressed to 1% or less, and the shrinkage of the laminate occurs mainly in the thickness direction of the laminate.

焼成後、拘束シートをブラスト処理で除去し、目的とする断面観察用基板、界面導電率評価基板および端面導電率評価基板を作製した。   After firing, the constraining sheet was removed by blasting to produce the intended cross-sectional observation substrate, interface conductivity evaluation substrate, and end surface conductivity evaluation substrate.

以上のようにして作製した本発明による実施例1〜15の配線基板ならびに本発明の範囲外である比較例1および2の配線基板における断面の観察結果、界面導電率測定結果、端面導電率測定結果および伝送特性であるSパラメーター(S21)の測定結果を表1に示す。   Cross-sectional observation results, interface conductivity measurement results, and end face conductivity measurements of the wiring boards of Examples 1 to 15 and the wiring boards of Comparative Examples 1 and 2 that are outside the scope of the present invention manufactured as described above. Table 1 shows the results and the measurement results of the S parameter (S21), which is the transmission characteristic.

比較例1では配線導体が銅箔のみから形成された配線基板を、また比較例2では導体層のみから形成された配線基板を用いた。比較性1および比較例2の配線導体の厚みは、実施例の配線導体の厚みと同じとなるように27μmにした。また、比較例1では、銅箔単体では基板との接着強度が充分に得られないため、表面をブラスト処理により粗化した銅箔を使用した。   In Comparative Example 1, a wiring board in which the wiring conductor was formed only from a copper foil was used, and in Comparative Example 2, a wiring board formed from only a conductor layer was used. The thickness of the wiring conductor of Comparative Example 1 and Comparative Example 2 was set to 27 μm so as to be the same as the thickness of the wiring conductor of the example. Moreover, in Comparative Example 1, since the copper foil alone cannot provide sufficient adhesive strength with the substrate, a copper foil whose surface was roughened by blasting was used.

また、比較例3〜6は、配線基板の導体粉末層にあたる部分に、金属成分とガラス成分(非金属成分)との比率を質量部の比で100:150あるいは100:230のガラス粉末層を形成して配線基板を作製した。ただし、この場合、ガラス粉末層が焼結した部分は、主にガラスからなる層となり、抵抗値が高くなる。そこで、比較例4と6では、ビア導体と銅箔が接合する部分には、ガラス粉末層を形成しないで、ビア導体と銅箔が直接接合するようにした。   In Comparative Examples 3 to 6, the ratio of the metal component and the glass component (non-metal component) to the portion corresponding to the conductor powder layer of the wiring board is 100: 150 or 100: 230 by mass part. The wiring board was produced by forming. However, in this case, the portion where the glass powder layer is sintered becomes a layer mainly made of glass, and the resistance value becomes high. Therefore, in Comparative Examples 4 and 6, the via conductor and the copper foil were directly joined without forming a glass powder layer at the portion where the via conductor and the copper foil were joined.

さらに、比較例7として、焼成後の配線基板上の導体粉末層が焼成された導体層に厚さ21μmの銅メッキしたものを作製した。   Furthermore, as Comparative Example 7, a conductor layer obtained by firing the conductor powder layer on the fired wiring board was produced by copper plating with a thickness of 21 μm.

なお、銅箔と導体粉末層の形成方法およびビア導体と金属箔との接合の有無を表1に示した。   Table 1 shows the method of forming the copper foil and the conductor powder layer and the presence or absence of the bonding between the via conductor and the metal foil.

Figure 2008016572
Figure 2008016572

表1に示した結果から、本発明による各実施例1〜15で作製した配線基板は、比較例1,4,6の配線基板と比べて、配線導体とビア導体との接合部付近のデラミネーションやボイドの集中がなく、また高周波領域において界面導電率は42%以上、端面導電率は38%以上であり、配線導体の絶縁層との界面付近および端面において高い導電率を得ることができた。   From the results shown in Table 1, the wiring board produced in each of Examples 1 to 15 according to the present invention has a device near the junction between the wiring conductor and the via conductor as compared with the wiring boards of Comparative Examples 1, 4 and 6. There is no concentration of lamination and voids, and the interface conductivity is 42% or more and the end surface conductivity is 38% or more in the high frequency region, and high conductivity can be obtained near the interface with the insulating layer of the wiring conductor and at the end surface. It was.

たとえば、本発明の実施例2による配線基板は、配線導体とビア導体との接合部付近のデラミネーションやボイドの集中がなく、また高周波領域において界面導電率は69%、端面導電率は50%と高い導電率を示し、また伝送特性も−0.115B/cmであり、良好な性能が得られた。   For example, the wiring board according to Example 2 of the present invention has no delamination or void concentration near the joint between the wiring conductor and the via conductor, and has an interface conductivity of 69% and an end surface conductivity of 50% in the high frequency region. High conductivity was exhibited, and the transmission characteristics were -0.115 B / cm, and good performance was obtained.

また、実施例3、4、5、7も実施例2と同様に全ての項目において良好な性能が得られた。   In Examples 3, 4, 5, and 7, good performance was obtained in all items as in Example 2.

実施例1は、導体ペーストに用いられる銅粉末の平均粒径が10.2μmと大きかったために、配線導体の絶縁層との界面における凹凸が多くなり、界面導電率が若干低下したものの、充分に利用可能な性能であった。   In Example 1, since the average particle diameter of the copper powder used for the conductor paste was as large as 10.2 μm, the unevenness at the interface with the insulating layer of the wiring conductor was increased, and the interface conductivity was slightly decreased, It was available performance.

実施例6は、金属箔の幅が第1および第2の導体粉末層の幅より40μm大きくなったために、導体層を設けることによる配線基板の絶縁層との界面付近の導電率の改善効果が小さくなったために界面導電率が若干低下したものの、充分に利用可能な性能であった。   In Example 6, since the width of the metal foil is 40 μm larger than the width of the first and second conductor powder layers, there is an effect of improving the conductivity in the vicinity of the interface with the insulating layer of the wiring board by providing the conductor layer. Although the interfacial conductivity slightly decreased due to the reduction, the performance was sufficiently usable.

実施例8および実施例9は、金属箔の幅が第1および第2の導体粉末層の幅よりそれぞれ10μm、20μm小さくなったために、配線導体の端面における凹凸が多くなり、端面導電率が若干低下したものの、充分に利用可能な性能であった。   In Example 8 and Example 9, since the width of the metal foil was 10 μm and 20 μm smaller than the width of the first and second conductor powder layers, the irregularities on the end face of the wiring conductor increased, and the end face conductivity was slightly Although it decreased, it was a fully usable performance.

実施例10は、金属箔の厚み方向に垂直な面の粗化処理を行ったものの、導体層により絶縁層と配線導体との界面を平滑化できるために良好な性能が得られた。   In Example 10, the surface perpendicular to the thickness direction of the metal foil was roughened, but the interface between the insulating layer and the wiring conductor could be smoothed by the conductor layer, so that good performance was obtained.

また、実施例11および実施例12はガラス粉末の添加量が25質量部および30質量部と多くなっため、界面伝導率が若干低下したものの、銅粉末のほうが多く含まれているため、充分に利用可能な性能であった。   In addition, in Example 11 and Example 12, the addition amount of the glass powder was increased to 25 parts by mass and 30 parts by mass, and although the interface conductivity was slightly reduced, the copper powder was more contained, so that It was available performance.

実施例11〜15は、非金属成分であるガラス粉末の添加量が多くなったものの、金属成分である銅粉末がガラス粉末よりも多く含まれていたために、良好な性能が得られた。   In Examples 11 to 15, although the addition amount of the glass powder that is a non-metal component was increased, the copper powder that was a metal component was contained more than the glass powder, and thus good performance was obtained.

また、ガラス粉末添加量が20質量部以下である実施例1〜13では伝送特性が−0.12dB/cm以上であり特に良好な性能が得られた。   In Examples 1 to 13 in which the amount of glass powder added was 20 parts by mass or less, the transmission characteristics were −0.12 dB / cm or more, and particularly good performance was obtained.

一方、本発明の範囲外であり、配線導体を銅箔のみで形成した比較例1では、配線導体とビア導体との接合部付近にデラミネーションが発生していた。   On the other hand, in Comparative Example 1, which was outside the scope of the present invention and the wiring conductor was formed only of copper foil, delamination occurred near the junction between the wiring conductor and the via conductor.

また、配線導体を導体層のみで形成した比較例2では、銅箔を用いていないので、配線導体とビア導体との接合部付近にデラミネーションやボイドの集中は見られず、界面導電率も83%と高かったが、端面導電率は28%と低かった。伝送特性は、−0.143dB/cmと低かった。界面導電率が良好であったとしても、端面導電率に劣る場合は、高周波信号の伝送特性が低下することがわかる。   Further, in Comparative Example 2 in which the wiring conductor is formed only of the conductor layer, no copper foil is used, so that no delamination or void concentration is observed near the junction between the wiring conductor and the via conductor, and the interface conductivity is also low. Although it was as high as 83%, the end face conductivity was as low as 28%. The transmission characteristics were as low as -0.143 dB / cm. It can be seen that even if the interface conductivity is good, the transmission characteristics of the high-frequency signal deteriorate if the end-face conductivity is inferior.

比較例3および5では、配線導体とビア導体との接合部付近のデラミネーションやボイドの集中はなかったものの、銅箔とビア導体との間に非金属成分の多い主にガラスからなる層があるため、銅箔とビア導体との間の抵抗が大きく、界面導電率、単面導電率および伝送特性を測定することができなかった。   In Comparative Examples 3 and 5, there was no delamination or void concentration in the vicinity of the junction between the wiring conductor and the via conductor, but a layer mainly made of glass having a large amount of nonmetallic components between the copper foil and the via conductor. For this reason, the resistance between the copper foil and the via conductor is large, and interface conductivity, single-surface conductivity, and transmission characteristics cannot be measured.

比較例4および6では、銅箔とビア導体が直接接合されているため、比較例1の場合と同じように配線導体とビア導体との接合部付近にデラミネーションが発生していた。   In Comparative Examples 4 and 6, since the copper foil and the via conductor were directly joined, delamination was generated in the vicinity of the junction between the wiring conductor and the via conductor as in Comparative Example 1.

比較例7では、銅箔を用いる代わりに、配線基板の表面の導体粉末層を焼成した配線導体に銅メッキを施したものである。なお、配線基板の内部に銅箔の配線導体を形成することはできないので、焼成後の銅メッキは配線基板の表面に露出している導体層形成した。界面導電率は83%と高かったが、焼成後の配線導体上に形成された銅メッキの幅のバラツキは10μmとメッキの下地である導体粉末層が焼成された導体層と同程度であるため端面導電率は30%と低かった。伝送特性は、−0.142dB/cmと低かった。比較例7も比較例2と同様に、界面導電率が良好であったが、端面導電率に劣っており、高周波信号の伝送特性が低下した。   In Comparative Example 7, instead of using the copper foil, the wiring conductor obtained by firing the conductive powder layer on the surface of the wiring board is subjected to copper plating. In addition, since a copper foil wiring conductor cannot be formed inside the wiring board, the copper layer after firing was formed with a conductor layer exposed on the surface of the wiring board. The interfacial conductivity was as high as 83%, but the variation in the width of the copper plating formed on the fired wiring conductor was 10 μm, which is almost the same as that of the fired conductor layer of the conductor powder layer. The end face conductivity was as low as 30%. Transmission characteristics were as low as -0.142 dB / cm. In Comparative Example 7, as in Comparative Example 2, the interface conductivity was good, but the end surface conductivity was inferior, and the high-frequency signal transmission characteristics were deteriorated.

以上、本発明による実施例1〜10ならびに比較例1および2の配線基板を対比した結果の総評として、本発明の配線基板は、配線導体が金属箔によって形成され、金属箔の厚み方向に垂直な面に導体粉末層を焼成することで、金属成分が非金属成分よりも多く含まれる導体層が形成され、この導体層がビア導体および前記絶縁層と接合しているために配線導体とビア導体との接合部付近のデラミネーションやボイドの集中がなく、また高周波領域において高い導電率を得ることができる。   As described above, as a general review of the results obtained by comparing the wiring boards of Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 and 2 according to the present invention, the wiring board of the present invention has a wiring conductor formed of a metal foil and is perpendicular to the thickness direction of the metal foil. By firing the conductor powder layer on the surface, a conductor layer containing more metal component than non-metal component is formed, and this conductor layer is joined to the via conductor and the insulating layer. There is no delamination or void concentration near the junction with the conductor, and high conductivity can be obtained in the high frequency region.

また、導体層の金属成分と非金属成分との比率を100:Xとしたときに、Xが20以下であることにより、高周波領域においてさらに高い導電率を得ることができる。   Further, when the ratio of the metal component to the nonmetal component of the conductor layer is 100: X, when X is 20 or less, higher conductivity can be obtained in the high frequency region.

本発明の配線基板の構造を示すもので、図1(a)は部分断面図、図1(b)は配線導体とビア導体との接合部付近の構造を示す部分断面図である。FIGS. 1A and 1B show a structure of a wiring board according to the present invention, and FIG. 1B is a partial cross-sectional view showing a structure in the vicinity of a junction between a wiring conductor and a via conductor. 本発明の他の実施形態の配線基板の構造を示すもので、配線導体とビア導体との接合部付近の構造を示す部分断面図である。The structure of the wiring board of other embodiment of this invention is shown, and it is a fragmentary sectional view which shows the structure of the junction part vicinity of a wiring conductor and a via conductor. 本発明の配線基板の製造方法を説明する工程図である。It is process drawing explaining the manufacturing method of the wiring board of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 配線基板
1a〜1g 絶縁層
2 配線導体
2a 表面導体
2b 内部導体
3 ビア導体
4a 金属箔
4b 導体層
5 導体層の幅
6 金属箔の幅
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wiring board 1a-1g Insulating layer 2 Wiring conductor 2a Surface conductor 2b Inner conductor 3 Via conductor 4a Metal foil 4b Conductor layer 5 Conductor layer width 6 Metal foil width

Claims (7)

ガラスセラミックスで構成される絶縁層に配線導体およびビア導体が同時焼成により形成された配線基板において、前記配線導体が金属箔によって形成され、前記金属箔の厚み方向に垂直な面のどちらか一方の面に導体粉末層を焼成することで得られ、金属成分が非金属成分よりも多く含まれる第1の導体層が形成され、前記第1の導体層が前記ビア導体および前記絶縁層と接合していることを特徴とする配線基板。   In a wiring board in which a wiring conductor and a via conductor are formed by simultaneous firing on an insulating layer made of glass ceramics, the wiring conductor is formed of a metal foil, and one of the surfaces perpendicular to the thickness direction of the metal foil A first conductive layer obtained by firing a conductive powder layer on a surface and containing a metal component more than a non-metallic component is formed, and the first conductive layer is bonded to the via conductor and the insulating layer. A wiring board characterized by the above. 前記第1の導体層の金属成分と非金属成分との比率を100:Xとしたときに、Xが20以下であること特徴とする請求項1に記載の配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein X is 20 or less when a ratio of a metal component and a non-metal component of the first conductor layer is 100: X. 前記金属箔の厚み方向に垂直な面のどちらか一方の面であって、前記第1の導体層が形成された面と反対の面に導体粉末層を焼成することで得られ、金属成分が非金属成分よりも多く含まれる第2の導体層が形成され、前記第2の導体層が前記絶縁層と接合していることを特徴とする請求項1または2に記載の配線基板。   It is obtained by firing a conductor powder layer on one of the surfaces perpendicular to the thickness direction of the metal foil and opposite to the surface on which the first conductor layer is formed. The wiring board according to claim 1, wherein a second conductor layer containing more than a nonmetallic component is formed, and the second conductor layer is bonded to the insulating layer. 前記第1の導体層および前記第2の導体層の金属成分と非金属成分との比率を100:Yとしたときに、Yが20以下であることを特徴とする請求項3に記載の配線基板。   4. The wiring according to claim 3, wherein Y is 20 or less when the ratio of the metal component and the non-metal component of the first conductor layer and the second conductor layer is 100: Y. 5. substrate. 前記配線基板の主面に垂直な方向から平面視した場合に、前記金属箔と前記第1または第2の導体層とが同じ大きさであり、前記第1または第2の導体層は前記金属箔が形成された範囲内に形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の配線基板。   When viewed in plan from a direction perpendicular to the main surface of the wiring board, the metal foil and the first or second conductor layer have the same size, and the first or second conductor layer is the metal The wiring board according to claim 1, wherein the wiring board is formed within a range where the foil is formed. (a)ガラス粉末を含むグリーンシートに貫通孔を形成し、前記貫通孔にビア導体ペーストを充填する工程と、
(b)前記グリーンシートに導体ペーストを塗布して第1の導体粉末層を形成する工程と、
(c)前記第1の導体粉末層の上に金属箔を転写する工程と、
(d)前記金属箔が形成された前記グリーンシートを含む複数の前記グリーンシートを積層して積層体を作製する工程と、
(e)前記積層体を、前記金属箔を形成する金属の融点よりも低い温度で、積層体の厚み方向に垂直な方向の収縮を抑制して焼成する工程とを具備することを特徴とする配線基板の製造方法。
(A) forming a through hole in a green sheet containing glass powder, and filling the through hole with a via conductor paste;
(B) applying a conductive paste to the green sheet to form a first conductive powder layer;
(C) transferring a metal foil onto the first conductor powder layer;
(D) a step of laminating a plurality of the green sheets including the green sheet on which the metal foil is formed to produce a laminate;
And (e) firing the laminated body at a temperature lower than the melting point of the metal forming the metal foil while suppressing shrinkage in a direction perpendicular to the thickness direction of the laminated body. A method for manufacturing a wiring board.
前記導体ペーストに含まれる金属粉末の平均粒径が5μm以下であることを特徴とする請求項6に記載の配線基板の製造方法。   The method for manufacturing a wiring board according to claim 6, wherein an average particle diameter of the metal powder contained in the conductor paste is 5 μm or less.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2018052579A1 (en) * 2016-09-16 2018-03-22 Qualcomm Incorporated Partial metal fill for preventing extreme-low-k dielectric delamination
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