JP4703212B2 - Wiring board and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
本発明は、配線基板及びその製造方法に関し、特に、高周波信号を使用する多層配線基板及び半導体素子収納用パッケージ、混成集積回路装置等に好適に使用できる配線基板及びその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a wiring board and a manufacturing method thereof, and more particularly to a wiring board that can be suitably used for a multilayer wiring board using a high-frequency signal, a package for housing semiconductor elements, a hybrid integrated circuit device, and the like, and a manufacturing method thereof.
近年、高集積化が進むICやLSI等の半導体素子を搭載する半導体素子収納用パッケージや、各種電子部品が搭載される混成集積回路装置等に適用される配線基板においては、低抵抗化が要求されており、配線導体として銅等の低抵抗金属を用いることができることから、ガラスセラミック配線基板が注目されている。 In recent years, low resistance is required for semiconductor element storage packages that mount semiconductor elements such as ICs and LSIs, which are becoming increasingly highly integrated, and wiring boards that are applied to hybrid integrated circuit devices on which various electronic components are mounted. Since a low-resistance metal such as copper can be used as a wiring conductor, a glass ceramic wiring board has attracted attention.
なお、ガラスセラミックは、一般的にガラスとフィラーとを組み合わせることにより得られるが、そのなかでもガラスに結晶化ガラスを用いることにより、所望の特性をもつ結晶を析出させ、種々の特性を有するガラスセラミックを得られる可能性があり、近年では重点的に研究が行われている。本発明で言う結晶化ガラスとは、焼成前にはガラス状態であり、焼成後に結晶化するガラスを指す。 Glass ceramics are generally obtained by combining glass and filler. Among them, crystals having desired characteristics are precipitated by using crystallized glass for the glass, and glass having various characteristics. There is a possibility of obtaining ceramics, and in recent years, intensive research has been conducted. The crystallized glass referred to in the present invention refers to glass that is in a glass state before firing and crystallizes after firing.
また、導体の低抵抗化とともに、電子部品の特性を十分に引き出すために、低損失化が強く求められている。アルミナ系セラミック材料に比較して低い誘電率が得られるガラスセラミックスは低損失であるが、さらなる低損失化を図るため、配線導体の改善が求められている。即ち、基板を通る電気信号は、高周波になると、表皮効果によって導体と絶縁体の界面付近に集中するため、導体界面の導電率が損失に影響を及ぼすが、この導電率の低下を抑制するためには、導体と絶縁体の界面が平滑であることが求められる。 In addition to reducing the resistance of conductors, a reduction in loss is strongly demanded in order to fully exploit the characteristics of electronic components. Glass ceramics that have a lower dielectric constant than alumina ceramic materials have a low loss, but in order to further reduce the loss, improvement of the wiring conductor is required. That is, when the electrical signal passing through the substrate becomes high frequency, it concentrates near the interface between the conductor and the insulator due to the skin effect, so the conductivity at the conductor interface affects the loss, but to suppress this decrease in conductivity. Is required to have a smooth interface between the conductor and the insulator.
ところで、従来のガラスセラミック配線基板は、セラミック絶縁基板のスルーホール部あるいは表面に配線導体層が配設された構造からなる。このようなガラスセラミック配線基板において、スルーホール部および/または表面に銅、銀、金等を主成分とする配線導体層を形成する具体的方法としては、ガラスセラミック原料粉末、有機バインダに溶剤を添加して調製したスラリーをドクターブレード法などによってシート状に成形し、得られたグリーンシートにスルーホールを打ち抜き加工し、該スルーホールに銅、銀、金等を主成分とする導体ペーストを充填してスルーホール導体を形成し、同時にグリーンシート上に銅、銀、金等を主成分とする導体ペーストを配線パターン状にスクリーン印刷法などで印刷形成し、スルーホール導体や配線パターンが形成されたグリーンシートを複数枚加圧積層し、800〜1000℃で焼成することにより作製されていた(例えば特許文献1参照)。 By the way, the conventional glass-ceramic wiring board has a structure in which a wiring conductor layer is disposed on the through-hole portion or the surface of the ceramic insulating substrate. In such a glass ceramic wiring board, as a specific method for forming a wiring conductor layer mainly composed of copper, silver, gold, etc. on the through-hole portion and / or the surface, a glass ceramic raw material powder, a solvent is added to the organic binder. The slurry prepared by addition is formed into a sheet by the doctor blade method, etc., and through holes are punched into the obtained green sheet, and the through holes are filled with a conductive paste mainly composed of copper, silver, gold, etc. Through-hole conductors are formed, and at the same time, a conductor paste mainly composed of copper, silver, gold, etc. is printed on the green sheet in the form of a wiring pattern by screen printing, etc., and through-hole conductors and wiring patterns are formed. A plurality of green sheets were stacked under pressure and fired at 800 to 1000 ° C. (for example, patent document) Reference).
ところが、特許文献1記載のガラスセラミックは、フィラーが配線パターンとの界面に存在すると界面の粗さが大きくなり、また、界面に結晶がガラスから析出すると界面形状の粗さが大きくなり、その結果、高周波の導通距離が実質的に長くなり、即ち、配線パターンの実質的な大型化につながり、損失が増大するという問題があった。
However, in the glass ceramic described in
そこで、ガラスセラミック基板表面の粗さを低減することを目的に、ガラスセラミック積層体の両面に、前記ガラスセラミック材料の焼結温度よりも低い温度で焼結する平滑層を形成する手法が提案されている。平滑層によってガラスセラミック積層体の焼成収縮が抑制されるため、焼成収縮挙動が局所的に異なることによって発生する基板表面の凹凸が改善される。また、平滑層には、ガラスセラミック材料中のガラス成分の重量比よりも大きい重量比でガラス成分を含んでいるため、平滑層に導体を形成した場合には、導体と絶縁体(平滑層)の界面の粗さは改善される(例えば、特許文献2参照)。
しかしながら、特許文献2に記載の手法は、基板表面を平滑にでき、平滑層に導体を形成した場合には、導体との界面の粗さが改善されるという利点があるものの、配線導体と絶縁体の界面を十分に平滑化することができないという問題があった。
However, the technique described in
従って、本発明は、高周波帯での導体界面付近の導電率が高く、低損失な配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a wiring board having a high conductivity near a conductor interface in a high frequency band and a low loss, and a method for manufacturing the same.
本発明は、ガラス材料がフィラーや結晶相を含み、それらが界面付近に存在すると界面に凹凸が発生し、界面の平滑性を低下させるとの新規な知見に基づき、配線基板のセラミック絶縁層と配線導体との界面に、実質的に結晶相を含まないガラスからなる中間層を設けることで、セラミック絶縁層と配線導体との界面の平滑性を改善したものである。 The present invention is based on the novel knowledge that when a glass material contains a filler or a crystal phase and they are present in the vicinity of the interface, unevenness is generated at the interface and the smoothness of the interface is lowered. The smoothness of the interface between the ceramic insulating layer and the wiring conductor is improved by providing an intermediate layer made of glass that does not substantially contain a crystal phase at the interface with the wiring conductor.
即ち、本発明の配線基板は、800〜1000℃で焼成されたガラスセラミックスからなる、結晶相を含むセラミック絶縁基板の表面にセラミック絶縁基板と同時焼成されてなる配線導体を具備する配線基板であって、前記セラミック絶縁基板と、前記配線導体との間に、軟化点が600〜900℃である実質的に結晶相を含まないガラスからなる中間層を具備することを特徴とする。
That is, the wiring board according to the present invention is a wiring board comprising a wiring conductor made of glass ceramic fired at 800 to 1000 ° C., and having a wiring conductor formed on the surface of a ceramic insulating board containing a crystal phase and simultaneously fired with the ceramic insulating board. An intermediate layer made of glass having a softening point of 600 to 900 ° C. and containing substantially no crystal phase is provided between the ceramic insulating substrate and the wiring conductor.
また、本発明の他の配線基板は、800〜1000℃で焼成されたガラスセラミックスからなる、結晶相を含むセラミック絶縁層を複数積層したセラミック絶縁基板の表面及び内部に配線導体を具備する配線基板であって、前記セラミック絶縁基板の内部に設けられたセラミック絶縁層の少なくとも1層が、該セラミック絶縁層の表面に形成された配線導体との間に、軟化点が600〜900℃である実質的に結晶相を含まないガラスからなる中間層を具備することを特徴とする。
Further, another wiring board of the present invention, made of a glass ceramic fired at 800 to 1000 ° C., comprising a surface and internal wiring conductor of the ceramic insulating base plate and the ceramic insulating layer is stacked containing a crystal phase wiring A softening point is 600 to 900 ° C. between at least one ceramic insulating layer provided inside the ceramic insulating substrate and a wiring conductor formed on the surface of the ceramic insulating layer. An intermediate layer made of glass substantially free of a crystal phase is provided.
前記配線導体と中間層の界面粗さRmaxが3μm以下であることが好ましい。 It is preferable that the interface roughness R max between the wiring conductor and the intermediate layer is 3 μm or less.
前記中間層の厚みが10μm以下であることが好ましい。 The intermediate layer preferably has a thickness of 10 μm or less.
前記配線導体が、導体ペーストをグリーンシートに印刷することにより形成され、該導体ペーストに含有される金属粉末の平均粒径が5μm以下であることが好ましい。 It is preferable that the wiring conductor is formed by printing a conductive paste on a green sheet, and the average particle size of the metal powder contained in the conductive paste is 5 μm or less.
前記配線導体に100MHz以上の電磁波を流すことが好ましい。 It is preferable to flow an electromagnetic wave of 100 MHz or more through the wiring conductor.
また、本発明の配線基板の製造方法は、ガラス粉末を具備するグリーンシートの上に、軟化点が600〜900℃である、焼成時に実質的に結晶を析出しないガラス粉末を含むガラスペーストを塗布して非結晶化ガラス層を形成した後に、導体ペーストを前記非結晶化ガラス層の上に印刷して配線パターンを形成し、さらに導体パターンの上に非結晶化ガラス層を形成し、しかる後に800〜1000℃で同時焼成することを特徴とする。
Moreover, the manufacturing method of the wiring board of this invention apply | coats the glass paste containing the glass powder which does not precipitate a crystal | crystallization substantially at the time of baking whose softening point is 600-900 degreeC on the green sheet which comprises glass powder. After forming the non-crystallized glass layer, the conductor paste is printed on the non-crystallized glass layer to form a wiring pattern, and further, the non-crystallized glass layer is formed on the conductor pattern. It is characterized by co- firing at 800 to 1000 ° C.
本発明は、配線導体の界面に発生する凹凸の原因が、配線導体が接するセラミック絶縁基板又はセラミック絶縁層に含まれる結晶相によるものであり、中間層を設けることにより、配線導体の界面を平滑にすることができるとの知見に基づくものである。 In the present invention, the cause of unevenness occurring at the interface of the wiring conductor is due to the crystal phase contained in the ceramic insulating substrate or ceramic insulating layer in contact with the wiring conductor, and by providing an intermediate layer, the interface of the wiring conductor is smoothed. It is based on the knowledge that it can be made.
即ち、配線導体と接するセラミック基板には、結晶相が含まれる。例えば、ガラスセラミックスには、ガラス及び結晶化ガラス、ガラス及びセラミックフィラー、ガラス、結晶化ガラス及びセラミックフィラー、結晶化ガラス、結晶化ガラス及びセラミックフィラーなどから構成され、原料中にガラスを含み、焼結体中に結晶相を含むものであり、ガラスセラミックスは結晶相を含む。 That is, the ceramic substrate in contact with the wiring conductor contains a crystal phase. For example, glass ceramics is composed of glass and crystallized glass, glass and ceramic filler, glass, crystallized glass and ceramic filler, crystallized glass, crystallized glass and ceramic filler, etc. A crystal phase is included in the bonded body, and glass ceramics include a crystal phase.
このようなガラスセラミックスを含むグリーンシートに、Cu、Ag、Au等の低融点の低抵抗金属を含有した導体ペーストを印刷し、同時焼成を行うと、焼成中に軟化した低抵抗金属の流動性が高いのに対して、フィラーや析出結晶等の結晶相は流動性が低いため、その界面は結晶相の配列によって決定され、大きな凹凸が発生する。 When a conductive paste containing a low-resistance metal such as Cu, Ag, or Au is printed on a green sheet containing such glass ceramics and co-fired, the fluidity of the low-resistance metal softened during firing On the other hand, since crystal phases such as fillers and precipitated crystals have low fluidity, the interface is determined by the arrangement of crystal phases, and large irregularities are generated.
本発明は、800〜1000℃で焼成されたガラスセラミックスからなる、結晶相を含むセラミック絶縁基板と、このセラミック絶縁基板と同時焼成されてなる配線導体との間に、非晶質の中間層を設けることにより、または、配線基板が、結晶相を含むセラミック絶縁層を複数積層したセラミック絶縁基板からなる場合には、高周波の通過する配線導体と隣接するセラミック絶縁層の間に軟化点が600〜900℃である実質的に結晶相を含まないガラスからなる非晶質の中間層を設けることにより、配線導体の界面を平滑にせしめ、高周波帯での導体界面付近の導電率が高く、低損失な配線基板及びその製造方法を実現することができる。
According to the present invention, an amorphous intermediate layer is formed between a ceramic insulating substrate including a crystal phase , which is made of glass ceramics fired at 800 to 1000 ° C., and a wiring conductor simultaneously fired with the ceramic insulating substrate. When the wiring substrate is made of a ceramic insulating substrate in which a plurality of ceramic insulating layers including a crystal phase are laminated, the softening point is 600 to 600 between the wiring conductor through which a high frequency passes and the adjacent ceramic insulating layer. By providing an amorphous intermediate layer made of glass that is substantially free of crystalline phase at 900 ° C., the interface of the wiring conductor is smoothed, and the conductivity near the conductor interface in the high frequency band is high, and the low loss It is possible to realize a simple wiring board and a manufacturing method thereof.
ここで、高周波帯での導体界面付近の導電率は、配線導体の比抵抗値と、配線導体とセラミック絶縁層との界面の形状に影響を受けるが、特に界面の形状が重要である。これは、導体を流れる電磁波の周波数が高くなると、表皮効果によって導体とセラミック絶縁層との界面を流れる電流密度が大きくなるためである。導体とセラミック絶縁層との界面の凹凸が大きいと、平滑な時と比較して電荷の移動距離が長くなり、また、凹凸の先端部に電荷が集中し、電荷の移動が滞るため、導電率が低下する。 Here, the electrical conductivity in the vicinity of the conductor interface in the high frequency band is affected by the specific resistance value of the wiring conductor and the shape of the interface between the wiring conductor and the ceramic insulating layer, but the shape of the interface is particularly important. This is because when the frequency of the electromagnetic wave flowing through the conductor increases, the current density flowing through the interface between the conductor and the ceramic insulating layer increases due to the skin effect. If the unevenness at the interface between the conductor and the ceramic insulation layer is large, the distance of charge movement will be longer than when the surface is smooth, and the charge will concentrate at the tip of the unevenness, resulting in a slow movement of charge. Decreases.
従って、800〜1000℃で焼成されたガラスセラミックスからなるセラミック絶縁基板と配線導体との間に、軟化点が600〜900℃である実質的に結晶相を含まないガラスからなる中間層を設けることにより、800〜1000℃の焼成温度でガラスが軟化流動し、セラミック絶縁基板表面の凹凸を中間層が吸収し、中間層と配線導体との界面が平滑になるため、配線導体の界面を平滑にすることができる。また、配線基板が、複数のセラミック絶縁層を積層したセラミック絶縁基板からなる場合には、セラミック絶縁基板を構成するセラミック絶縁層と配線導体との界面に、実質的に結晶相を含まないガラスからなる中間層を設けることにより、同様に配線導体の界面を平滑にすることができる。それによって、導体界面の導電率を向上させることが可能となる。
Therefore, an intermediate layer made of glass substantially free of crystal phase having a softening point of 600 to 900 ° C. is provided between the ceramic insulating substrate made of glass ceramic fired at 800 to 1000 ° C. and the wiring conductor. As a result, the glass softens and flows at a firing temperature of 800 to 1000 ° C., the intermediate layer absorbs irregularities on the surface of the ceramic insulating substrate, and the interface between the intermediate layer and the wiring conductor becomes smooth. can do. In addition, when the wiring board is made of a ceramic insulating substrate in which a plurality of ceramic insulating layers are laminated, the glass substantially does not contain a crystal phase at the interface between the ceramic insulating layer and the wiring conductor constituting the ceramic insulating substrate. By providing the intermediate layer, the interface of the wiring conductor can be similarly smoothed. Thereby, the electrical conductivity of the conductor interface can be improved.
本発明の配線基板は、結晶相を含むセラミック絶縁基板の表面に配線導体を具備する配線基板である。また、結晶相を含むセラミック絶縁層を積層したセラミック絶縁基板の表面及び内部に配線導体を具備する配線基板である。以下に、後者を例として取り上げ、さらにセラミック絶縁層としてガラスセラミックスを用いた場合について説明する。 The wiring board of the present invention is a wiring board having a wiring conductor on the surface of a ceramic insulating substrate containing a crystal phase. In addition, the wiring board includes a wiring conductor on the surface and inside of a ceramic insulating board in which ceramic insulating layers containing crystal phases are laminated. In the following, the latter will be taken as an example, and a case where glass ceramics is used as the ceramic insulating layer will be described.
なお、ガラスセラミックスを取り上げたのは、Cu等の低抵抗金属からなる配線導体と低温で同時焼成ができ、しかも、ガラスとセラミックフィラーの組み合わせによって様々な特性を得ることができるという特徴を持っており、多層配線基板、半導体素子収納用パッケージ、及び混成集積回路装置に使用できる配線基板に好適に適応することができるためである。 Glass ceramics are featured because they can be fired at a low temperature with a wiring conductor made of a low-resistance metal such as Cu, and various characteristics can be obtained by combining glass and ceramic filler. This is because it can be suitably applied to a wiring board that can be used in a multilayer wiring board, a package for housing semiconductor elements, and a hybrid integrated circuit device.
図1は、本発明の配線基板の構造を示す部分断面図である。 FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing the structure of the wiring board of the present invention.
図1(a)によれば、本発明の配線基板Aは、7層のセラミック絶縁層1a〜1gから構成され、配線基板Aの表面には表面導体2aが形成されている。また、セラミック絶縁層1a〜1g間には内部導体2bが形成されている。またセラミック絶縁層1a〜1gにはその厚み方向に、内部導体2b間を接続するため、また表面導体2aと内部導体2bとを接続するためのビア導体4が形成されている。
According to FIG. 1A, the wiring board A of the present invention is composed of seven ceramic insulating layers 1a to 1g, and a
本発明によれば、セラミック絶縁層1a〜1gと、セラミック絶縁層1a〜1gの表面に形成された表面導体2a及び内部導体2bからなる配線導体2と、の界面に、実質的に結晶相を含まないガラスからなる中間層3を具備することが重要である。
According to the present invention, a crystal phase is substantially formed at the interface between the ceramic insulating layers 1a to 1g and the
例えば、図1(b)に示したように、内部配線2bとセラミック絶縁層1fとの界面、及び内部配線2bとセラミック絶縁層1gとの界面にそれぞれ中間層3が設けられていることが重要である。
For example, as shown in FIG. 1B, it is important that the
このように、配線導体2と800〜1000℃で焼成されたガラスセラミックスからなるセラミック絶縁層(1f,1g)との界面に、軟化点が600〜900℃である実質的に結晶相を含まないガラスからなる中間層3を設けることにより、焼成温度でガラスが軟化流動し、セラミック絶縁基板1の凹凸を中間層3が吸収するため、配線導体2とセラミック絶縁基板1の界面を平滑にすることができる。それにより、導体界面の導電率を向上させることが可能となる。
As described above, the interface between the
即ち、結晶化ガラスやフィラーを含有するため、中間層3とセラミック絶縁層1f、1gとの界面5aは凹凸が大きいが、中間層3が結晶相を含まないガラスで構成されているため、中間層3と内部配線2bとの界面5bは、界面5aに比べて平滑性が改善されている。
That is, since it contains crystallized glass and a filler, the
なお、本発明の配線基板Aは、図1に示したように、セラミック絶縁層1a〜1gを複数積層して積層体からなるセラミック絶縁基板1を形成し、内部配線2bとセラミック絶縁層1a〜1gとの間にガラス層3を設けても、また、表面配線2aとセラミック絶縁層1a〜1gとの界面にガラス層3を設けてもよい。
In addition, as shown in FIG. 1, the wiring board A of the present invention forms a ceramic insulating
特に、近年の配線基板では、低損失が要求される伝送線路を、積層体からなるセラミック絶縁基板1の内部に設けることが多いため、中間層3をセラミック絶縁基板1の内部に設けることが、より低損失な配線基板を実現できる上で好ましい。
In particular, in recent wiring boards, a transmission line that requires low loss is often provided inside the ceramic insulating
配線導体2と中間層3の界面5bの最大粗さRmaxは、信号の損失をより低減するために、3μm以下、特に2.5μm以下、更には2μm以下であることが好ましい。ここで、配線導体2と中間層3の界面5bの最大粗さRmaxは、配線基板Aの断面をSEMによって観察し、配線の長さ方向に対して100μmの長さを測定範囲とし、算出した。具体的には、配線導体2と中間層3の界面に平均線を引き、界面で最も高い山頂を通る平均線に平行な線と、界面で最も低い谷底を通る平均線に平行な線の距離をRmaxとした。
The maximum roughness R max of the
また、配線導体2直下にのみ中間層3を形成する場合、配線導体層6の端部で、セラミック絶縁層1f、1g間の積層不良が発生することを効果的に抑制するため、中間層3の厚みは薄いことが望ましい。また、ガラスは一般的に誘電正接の値が高いため、低損失化を考えると、中間層3の厚みは薄い方が望ましい。具体的には、中間層3の厚みが、10μm以下、特に9μm以下、更には8μm以下であることが好ましい。
Further, when the
また、中間層3のガラスの軟化点は、600〜900℃、特に620〜880℃、更には650〜870℃であることが好ましい。即ち、セラミック絶縁層1a〜1gと配線導体2との界面に形成される凹凸を中間層3が吸収し、配線導体2と中間層3との界面を平滑にするためには、ガラスセラミックスの焼成温度で、中間層3のガラスに適度な流動性を持たせることが必要であり、具体的には、中間層3に用いるガラスの軟化点は、用いるガラスセラミックスの種類にもよるが、一般的には600〜900℃であることが望ましい。
Moreover, it is preferable that the softening point of the glass of the intermediate |
中間層3に用いるガラス粉末としては、例えば、ホウケイ酸系ガラス、ホウケイ酸亜鉛系ガラス、SiO2−Al2O3−BaO−CaO−B2O3系ガラスを例示できる。これらのガラスを用いるのは、金属粉末と同時焼成した際に、金属粉末との濡れ性に優れており、特に、ホウケイ酸系ガラス、中でもSiO2−Al2O3−BaO−CaO−B2O3系ガラスを用いるのが好ましい。
Examples of the glass powder used for the
また、配線導体2を形成する導体ペーストに含有される金属粉末の粒径が小さいことが好ましい。金属粉末の粒径が大きいと、ペースト中の金属粒子間の空間が大きくなり、この空間は、焼成後の導体起因の凹凸に大きく影響する。具体的には、導体ペーストに用いる金属粉末の粒径は小さいことが望ましい。
Moreover, it is preferable that the particle size of the metal powder contained in the conductor paste forming the
即ち、配線導体2は、平均粒径が5μm以下、特に4μm以下、更には3μm以下の金属粉末を含む導体ペーストをグリーンシートに印刷することにより形成してなることが好ましい。
That is, the
また、配線導体2に100MHz以上、特に500MHz以上、さらには1GHz以上の電磁波を流すことが好ましい。信号の損失に対して配線導体2とセラミック絶縁層1a〜1gの界面が影響するのは、配線導体2を流れる電磁波が高周波になると表皮効果が発生するためである。そのため、配線導体2とセラミック絶縁層1a〜1gの間に中間層3を設ける効果を十分に引き出すには、配線導体2に流れる電磁波の周波数が高いことが好ましい。
Further, it is preferable to flow an electromagnetic wave of 100 MHz or more, particularly 500 MHz or more, and further 1 GHz or more to the
次に、本発明の配線基板の製造方法について説明する。図1の配線基板を作製する方法を例として取り上げて説明する。 Next, the manufacturing method of the wiring board of this invention is demonstrated. A method for manufacturing the wiring substrate of FIG. 1 will be described as an example.
図1のような配線基板は、ガラス粉末を具備するグリーンシートの上に、焼成時に実質的に結晶を析出しないガラス粉末を含むガラスペーストを塗布して非結晶化ガラス層を形成した後に、導体ペーストを前記非結晶化ガラス層の上に印刷して配線パターンを形成し、さらに導体パターンの上に非結晶化ガラス層を形成し、しかる後に焼成することが重要である。 The wiring board as shown in FIG. 1 is formed by applying a glass paste containing glass powder that does not substantially precipitate crystals upon firing onto a green sheet having glass powder to form an amorphous glass layer. It is important that the paste is printed on the non-crystallized glass layer to form a wiring pattern, and further the non-crystallized glass layer is formed on the conductor pattern and then fired.
具体的には、まず、焼成後に結晶相を含むグリーンシートを作製する。そのようなグリーンシートを作製するためには、結晶化ガラス粉末単体、或いは、原料粉末としてガラス粉末とセラミックフィラー粉末、結晶化ガラス粉末とガラス粉末、結晶化ガラス粉末とセラミックフィラー粉末、結晶化ガラス粉末とガラス粉末とセラミックフィラー粉末、などの組合せが可能である。 Specifically, first, a green sheet containing a crystal phase is produced after firing. In order to produce such a green sheet, crystallized glass powder alone, or glass powder and ceramic filler powder, crystallized glass powder and glass powder, crystallized glass powder and ceramic filler powder, crystallized glass as raw material powder Combinations of powder, glass powder, ceramic filler powder, and the like are possible.
ガラス粉末としては、少なくともSiO2を含み、Al2O3、B2O3、ZnO、PbO、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物のうちの少なくとも1種以上を含有したものであって、例えば、SiO2−B2O3系、SiO2−B2O3−Al2O3系−MO系(但し、MはCa、Sr、Mg、BaまたはZnを示す)等のホウケイ酸ガラス、アルカリ珪酸ガラス、Ba系ガラス、Pb系ガラス、Bi系ガラス等が挙げられる。 The glass powder contains at least SiO 2 and contains at least one of Al 2 O 3 , B 2 O 3 , ZnO, PbO, alkaline earth metal oxide, and alkali metal oxide. For example, borosilicate glass such as SiO 2 —B 2 O 3 system, SiO 2 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 system—MO system (where M represents Ca, Sr, Mg, Ba or Zn) , Alkali silicate glass, Ba glass, Pb glass, Bi glass, and the like.
これらのガラスは焼成処理することによっても非晶質ガラスであるもの、また焼成処理によってリチウムシリケート、クォーツ、クリストバライト、コ−ジェライト、ムライト、アノ−サイト、セルジアン、スピネル、ガ−ナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライト、ディオプサイドやその置換誘導体の結晶を少なくとも1種類を析出するものが用いられる。 These glasses are amorphous glass even when fired, and lithium silicate, quartz, cristobalite, cordierite, mullite, anosite, serdian, spinel, garnite, willemite, dolomite by firing. In this case, one that precipitates at least one kind of crystal of petalite, diopside or a substituted derivative thereof is used.
これらのうち、高強度化という点で、ディオプサイド系結晶化ガラスが、低誘電率化、低熱膨張化という点で、コージェライト系結晶化ガラスが好ましい。 Of these, cordierite-based crystallized glass is preferable from the viewpoint of increasing strength, and cordierite-based crystallized glass is preferable from the viewpoint of low dielectric constant and low thermal expansion.
また、セラミックフィラー粉末としては、クォーツ、クリストバライト等のSiO2や、Al2O3、ZrO2、コージェライト、ムライト、フォルステライト、エンスタタイト、スピネル、マグネシア等が好適に用いられる。これらの中でも、高強度、低コスト等の点でアルミナが好ましい。 As the ceramic filler powder, SiO 2 such as quartz and cristobalite, Al 2 O 3 , ZrO 2 , cordierite, mullite, forsterite, enstatite, spinel, magnesia and the like are preferably used. Among these, alumina is preferable in terms of high strength and low cost.
上記の原料粉末を所定量秤量し、さらに有機バインダ、有機溶剤、及び所望により可塑剤等を加えてスラリーを調製した後、ドクターブレード法、圧延法、プレス法等の周知の成形法によりシート状に成形して厚さ50〜500μmのセラミック配線基板をなすグリーンシートを作製する。 A predetermined amount of the above raw material powder is weighed, and a slurry is prepared by adding an organic binder, an organic solvent, and a plasticizer if necessary. Then, a sheet shape is formed by a known forming method such as a doctor blade method, a rolling method, or a pressing method. A green sheet forming a ceramic wiring board having a thickness of 50 to 500 μm is formed.
次に、中間層を形成するためのガラスペーストを作製する。原料粉末として、ガラス粉末を準備する。ガラス粉末は、焼成時に実質的に結晶を析出しないものであることが重要であり、具体的にはホウケイ酸系ガラス、ホウケイ酸亜鉛系ガラス、及びホウケイ酸鉛系ガラス等を例示できる。特に、800〜1100℃での金属粉末との同時焼成性に優れているという点で、SiO2−Al2O3−BaO−CaO−B2O3系ガラスが好ましい。 Next, a glass paste for forming the intermediate layer is prepared. Glass powder is prepared as a raw material powder. It is important that the glass powder does not substantially precipitate crystals during firing, and specific examples include borosilicate glass, zinc borosilicate glass, and lead borosilicate glass. In particular, SiO 2 —Al 2 O 3 —BaO—CaO—B 2 O 3 -based glass is preferable in that it is excellent in co-firing with metal powder at 800 to 1100 ° C.
ここで、実質的に結晶を析出しないとは、焼成中に結晶を析出せず、焼成後もガラス状態で存在しているという意味である。 Here, substantially not precipitating crystals means that crystals are not precipitated during firing and are still in a glass state after firing.
また、ガラスペーストに含まれるガラス粉末の軟化点は、600〜900℃、特に620〜880℃、更には650〜870℃であることが好ましい。 Moreover, it is preferable that the softening point of the glass powder contained in a glass paste is 600-900 degreeC, especially 620-880 degreeC, Furthermore, it is preferable that it is 650-870 degreeC.
この温度に設定すると、導体と絶縁層との焼結タイミングのずれによって発生する基板反りやうねりを抑制することができる。この基板反りやうねりは、ガラスが導体に拡散し、拡散したガラスが導体の焼結を促進し、導体と絶縁体との焼結タイミングのずれを大きくすることによって発生する。軟化点を前記温度に設定することで、低い温度からのガラスの拡散を抑制できるため、基板反りやうねりを抑制できる。また、ガラスの軟化点を前記温度に設定すると、ガラスが絶縁層の凹凸を吸収するために十分粘度が下がることができるために、より平滑化を達成することが容易になる。 When the temperature is set, it is possible to suppress substrate warpage and undulation caused by a difference in sintering timing between the conductor and the insulating layer. This substrate warpage or undulation occurs when glass diffuses into the conductor, the diffused glass accelerates the sintering of the conductor, and the difference in sintering timing between the conductor and the insulator increases. By setting the softening point to the above temperature, it is possible to suppress glass diffusion from a low temperature, and thus it is possible to suppress substrate warpage and swell. Further, when the softening point of the glass is set to the above temperature, the glass can sufficiently reduce the viscosity in order to absorb the unevenness of the insulating layer, so that it becomes easier to achieve smoothing.
上記のガラス粉末と、有機バインダと、有機溶剤と、所望により分散剤とを加えてガラスペーストを調整する。ペーストの粘度としては、ぺ−ストの印刷性、ペーストのレベリング性、ペーストを薄く塗布するという観点から、100〜1000ポイズ、特に150〜800ポイズ、更には200〜600ポイズであることが好ましい。 The glass paste is prepared by adding the above glass powder, an organic binder, an organic solvent, and a dispersant as required. The viscosity of the paste is preferably 100 to 1000 poise, particularly 150 to 800 poise, more preferably 200 to 600 poise, from the viewpoint of paste printability, paste leveling property, and thin paste application.
また、導体ペーストを作製する。原料粉末として、金属粉末を準備する。金属粉末としては、Cu、Ag、Au、Pd、Pt等の金属及びこれらの合金を例示できる。これらのうち、低抵抗、低コストという点でCuが、大気焼成が可能であるという点で、Ag、Au、Pd、Ptが好ましい。 Moreover, a conductor paste is produced. A metal powder is prepared as a raw material powder. Examples of the metal powder include metals such as Cu, Ag, Au, Pd, and Pt, and alloys thereof. Of these, Cu is preferable in terms of low resistance and low cost, and Ag, Au, Pd, and Pt are preferable in that it can be fired in the atmosphere.
導体ペーストに含まれる金属粉末の平均粒径は5μm以下、特に4μm以下、更には3μm以下であることが好ましい。金属粉末の平均粒径を5μm以下、特に4μm以下、更には3μm以下に小さくすることにより、非結晶化ガラス層と導体パターンの界面の粗さをより小さくでき、非結晶化ガラス層のガラスが、導体パターンの気孔を通って内部に浸透するのをより効果的に抑制し、また、界面に形成される大きなボイドにガラスが流れ込んで界面粗さを大きくするのをより効果的に抑制することができる。 The average particle size of the metal powder contained in the conductor paste is preferably 5 μm or less, particularly 4 μm or less, and more preferably 3 μm or less. By reducing the average particle size of the metal powder to 5 μm or less, particularly 4 μm or less, and further 3 μm or less, the roughness of the interface between the non-crystallized glass layer and the conductor pattern can be further reduced. , More effectively suppress penetration into the pores of the conductor pattern, and more effectively prevent the glass from flowing into the large void formed at the interface and increasing the interface roughness. Can do.
そして、上記ガラスペーストを、グリーンシートの表面に、スクリーン印刷法等の塗布法を用いて非結晶化ガラス層を塗布する。非結晶化ガラス層の厚みは、焼成後に10μm以下、特に9μm以下、更には8μm以下であるように調製することが、導体の端部に発生する積層不良を抑制でき、また、誘電正接の値が高いガラス層を薄くするという理由で望ましい。 And the non-crystallized glass layer is apply | coated to the surface of a green sheet using coating methods, such as a screen printing method, with the said glass paste. The thickness of the non-crystallized glass layer can be adjusted to 10 μm or less, particularly 9 μm or less, and more preferably 8 μm or less after firing. Is desirable because it makes the glass layer high.
ただし、マイクロ波の領域では、絶縁体起因の損失よりも、導体起因の損失が支配的であるため、本発明の基板をマイクロ波で使用する場合は、ガラス層の誘電正接の影響は小さい。しかし、ミリ波帯などのさらに高周波の領域で使用する場合は、その影響が大きくなるため、ガラス層起因の損失を低くするということから、ガラス層をより薄くするのが望ましい。この時、非結晶化ガラス層は、後に形成する配線導体と同一パターンで印刷することも、グリーンシート全体に印刷することも可能である。 However, since the loss due to the conductor is more dominant than the loss due to the insulator in the microwave region, the influence of the dielectric loss tangent of the glass layer is small when the substrate of the present invention is used in the microwave. However, when it is used in a higher frequency region such as a millimeter wave band, the influence is increased, and therefore it is desirable to make the glass layer thinner because the loss due to the glass layer is reduced. At this time, the non-crystallized glass layer can be printed in the same pattern as a wiring conductor to be formed later, or can be printed on the entire green sheet.
さらに、ガラス層の表面に、スクリーン印刷法等で、焼成後に配線導体となる導体パターン層を形成する。即ち、グリーンシート上の非結晶化ガラス層の表面に上記導体ペーストをスクリーン印刷し、配線パターンを形成する。 Furthermore, a conductor pattern layer that becomes a wiring conductor after firing is formed on the surface of the glass layer by screen printing or the like. That is, the conductor paste is screen-printed on the surface of the non-crystallized glass layer on the green sheet to form a wiring pattern.
なお、グリーンシートには所望によりビアホールを形成し、ビアホールの内部にビア導体を充填することができる。ビアホール及びビア導体は、非結晶化ガラス層の形成前であっても、形成後であっても作製できる。 Note that via holes can be formed in the green sheet as desired, and via conductors can be filled into the via holes. The via hole and the via conductor can be produced either before or after the non-crystallized glass layer is formed.
本発明によれば、このように、グリーンシートと導体パターンとの間にガラス層を形成すること、そして、このような非結晶化ガラス層と配線パターンとを形成したグリーンシート又はその積層体を焼成して、セラミック絶縁基板の表面に中間層を介して配線導体を形成することが重要である。 According to the present invention, thus forming a glass layer between a green sheet and a conductor pattern, and a green sheet or a laminate thereof formed with such an amorphous glass layer and a wiring pattern. It is important to form a wiring conductor through an intermediate layer on the surface of the ceramic insulating substrate by firing.
グリーンシートを焼成してセラミック絶縁基板を作製する過程において、グリーンシートは、ガラスが液相となって軟化流動し、それによってフィラーが再配列することにより焼結する。この際に、中間層との界面付近では、フィラーの形状にならうように凹凸が発生するとともに、結晶化ガラスが結晶となって析出し、中間層との界面付近に大きな凹凸が発生する。一方、中間層として非結晶化ガラス層が存在するため、中間層に含まれる非結晶化ガラスが軟化流動し、中間層は、配線パターンとの界面がガラスペーストの形成面にならった境界となり、更に表面張力によってその境界が平滑な界面となるため、セラミック絶縁基板表面の大きな凹凸を吸収することができる。 In the process of firing the green sheet to produce a ceramic insulating substrate, the green sheet is softened and fluidized in a liquid phase of glass, and thereby sintered by rearranging the filler. At this time, irregularities are generated in the vicinity of the interface with the intermediate layer so as to follow the shape of the filler, and crystallized glass is precipitated as crystals, and large irregularities are generated in the vicinity of the interface with the intermediate layer. On the other hand, since the non-crystallized glass layer exists as an intermediate layer, the non-crystallized glass contained in the intermediate layer softens and flows, and the intermediate layer becomes a boundary where the interface with the wiring pattern is aligned with the formation surface of the glass paste, Furthermore, since the boundary becomes a smooth interface due to surface tension, large irregularities on the surface of the ceramic insulating substrate can be absorbed.
また、配線パターンは、界面平滑性への影響は少ないが、導体ペースト中の金属粉末の粒径を小さくすることによって、さらに一層の界面平滑性を得ることができる。即ち、導体ペースト中の金属粉末の粒径を5μm以下、特に4μm以下、更には3μm以下とすることが好ましい。 Further, the wiring pattern has little influence on the interface smoothness, but further interface smoothness can be obtained by reducing the particle size of the metal powder in the conductor paste. That is, the particle size of the metal powder in the conductor paste is preferably 5 μm or less, particularly 4 μm or less, and more preferably 3 μm or less.
このように、中間層が結晶化ガラスを含まない非結晶化ガラスからなるため、界面の凹凸を大きくする結晶の析出がなく、配線導体と中間層との界面を平滑にすることができる。 Thus, since the intermediate layer is made of non-crystallized glass that does not contain crystallized glass, there is no precipitation of crystals that increase the unevenness of the interface, and the interface between the wiring conductor and the intermediate layer can be made smooth.
なお、焼成に先立って、所望によりグリーンシート又はその積層体を100〜800℃、特に400〜750℃で加熱処理して絶縁基板中の有機成分を分解除去することができる。また、焼成は800〜1000℃、特に850〜950℃で同時焼成するのが、十分に焼結させる、また過焼結を防止するという点で好ましい。このとき、導体中の金属としてCuを用いる場合は、Cuの酸化を防止するという観点から、窒素雰囲気中で焼成を行うのが好ましい。 Prior to firing, the organic sheet in the insulating substrate can be decomposed and removed by subjecting the green sheet or laminate thereof to heat treatment at 100 to 800 ° C., particularly 400 to 750 ° C., if desired. Further, it is preferable that the firing is performed at 800 to 1000 ° C., particularly 850 to 950 ° C., from the viewpoint of sufficient sintering and prevention of oversintering. At this time, when Cu is used as the metal in the conductor, firing is preferably performed in a nitrogen atmosphere from the viewpoint of preventing oxidation of Cu.
このような製造方法によって、高周波信号の流れる配線導体とセラミック絶縁基板の界面を平滑にすることができ、高周波帯での導体界面付近の導電率が高く、低損失な配線基板を得ることができる。 By such a manufacturing method, the interface between the wiring conductor through which the high-frequency signal flows and the ceramic insulating substrate can be smoothed, and a low-loss wiring substrate having high conductivity near the conductor interface in the high-frequency band can be obtained. .
図2の導電率評価用配線基板を作成した。図2の配線基板は、厚み200μmのセラミック絶縁層8a、8bを積層してセラミック絶縁基板8を形成し、層間に直径40mmの導体層9を埋設したものである。この時、本実施例の試料No.2〜23には、セラミック絶縁層8a、8bと導体層9の界面に、実質的に結晶相を含まないガラスからなる中間層を設け、比較例の試料No.1には、この中間層を形成しなかった。図2の基板の作製手順について、以下に示した。
The wiring board for conductivity evaluation shown in FIG. 2 was prepared. The wiring board of FIG. 2 is formed by laminating ceramic insulating
まず、セラミック絶縁層を構成するグリーンシートを作製した。原料粉末を準備し、SiO2を50質量%、MgOを18.5質量%、CaOを26質量%、Al2O3を5.5質量%の組成を有する結晶化ガラス粉末を60質量%と、セラミックフィラー成分としてAl2O3を40質量%秤量し、ガラスセラミック組成物を作製した。 First, the green sheet which comprises a ceramic insulating layer was produced. A raw material powder is prepared, and a crystallized glass powder having a composition of 50% by mass of SiO 2 , 18.5% by mass of MgO, 26% by mass of CaO, and 5.5% by mass of Al 2 O 3 is 60% by mass. Then, 40% by mass of Al 2 O 3 as a ceramic filler component was weighed to prepare a glass ceramic composition.
上記ガラスセラミック組成物に、バインダとしてアクリル樹脂、可塑剤としてジブチルフタレート、溶媒としてトルエンとイソプロピルアルコールを加えて調製したスラリーを用いて、ドクターブレード法により成形し、縦及び横が200mm、厚さが250μmのグリーンシートを作製した。 Using the slurry prepared by adding acrylic resin as a binder to the glass ceramic composition, dibutyl phthalate as a plasticizer, and toluene and isopropyl alcohol as a solvent, the glass ceramic composition was molded by a doctor blade method. A 250 μm green sheet was prepared.
次に、中間層を作製した。即ち、表1に示した軟化点を有するガラス粉末に対して、有機バインダとしてアクリル樹脂を、溶媒としてテルピネオールとジブチルフタレートの混合溶液(重量比で80:20)を添加、混練して、中間層となるガラスペーストを作製した。 Next, an intermediate layer was produced. That is, an acrylic resin as an organic binder and a mixed solution of terpineol and dibutyl phthalate (80:20 by weight) as a solvent were added to a glass powder having a softening point shown in Table 1, and kneaded. A glass paste was prepared.
さらに、導体ペーストを作製した。即ち、表1に示した平均粒径を有する導電性粉末、即ち、Cu粉末、平均粒径2μmのAg粉末、及び平均粒径2μmのCu−Ag合金粉末(Cu:Ag比率は90:10)を用意し、それぞれの金属粉末に対して、それに有機バインダとしてアクリル樹脂を、溶媒としてテルピネオールとジブチルフタレートの混合溶液(質量比で80:20)を添加、混練して、導体ペースト試料を作製した。 Furthermore, a conductor paste was produced. That is, conductive powder having the average particle size shown in Table 1, that is, Cu powder, Ag powder having an average particle size of 2 μm, and Cu—Ag alloy powder having an average particle size of 2 μm (Cu: Ag ratio is 90:10). A conductive paste sample was prepared by adding and kneading each metal powder with an acrylic resin as an organic binder and a mixed solution of terpineol and dibutyl phthalate (80:20 by mass) as a solvent. .
続いて、先に得られたガラスペーストを、印刷法により、上記グリーンシートの表面に直径65mmの円形のガラス層を形成した。この時のガラス層の厚みを5〜15μmとした。次に、作製したガラス層の上に、上記作製した導体ペーストを印刷し、直径60mm、厚み20μmの円形の配線パターンを形成した。さらに、上記ガラス層の上に、配線パターンを覆うようにガラスペーストを印刷し、ガラス層を形成し、ガラス層内部に配線パターンを埋設するように形成した。 Subsequently, a circular glass layer having a diameter of 65 mm was formed on the surface of the green sheet by printing the previously obtained glass paste. The thickness of the glass layer at this time was 5 to 15 μm. Next, the produced conductor paste was printed on the produced glass layer to form a circular wiring pattern having a diameter of 60 mm and a thickness of 20 μm. Further, a glass paste was printed on the glass layer so as to cover the wiring pattern, a glass layer was formed, and the wiring pattern was embedded in the glass layer.
このようにして得られた配線パターンをガラス層の内部に埋設したグリーンシート上に、表面にガラス層も配線パターンも形成されていない他のグリーンシート(以下、単にグリーンシート単体と言う)を積層し、積層体を作製した。この時、グリーンシート間に接着剤を均一に塗布し、45℃、4MPaの条件で加圧積層を行った。 On the green sheet in which the wiring pattern thus obtained is embedded in the glass layer, another green sheet (hereinafter simply referred to as a green sheet alone) having no glass layer or wiring pattern formed on the surface is laminated. Thus, a laminate was produced. At this time, an adhesive was uniformly applied between the green sheets, and pressure lamination was performed under the conditions of 45 ° C. and 4 MPa.
また、試料No.1は、比較例として、中間層を設けず、グリーンシート上に直接パターンを形成し、その上にグリーンシート単体を積層し、積層体を作製した。 Sample No. As a comparative example, No. 1 was prepared by forming a pattern directly on a green sheet without providing an intermediate layer, and laminating a single green sheet on the green sheet to produce a laminate.
続いて、これらの積層体をAl2O3の台板上に載置して有機バインダ等の有機成分を分解除去するために、窒素雰囲気中、720℃で加熱処理し、次に窒素雰囲気中、900℃で1時間焼成を行った。 Subsequently, these laminates are placed on an Al 2 O 3 base plate and subjected to heat treatment at 720 ° C. in a nitrogen atmosphere in order to decompose and remove organic components such as an organic binder, and then in a nitrogen atmosphere. And calcination at 900 ° C. for 1 hour.
得られた導電率評価用配線基板を2枚用意し、円柱共振器法を用いて導体と絶縁体の界面の導電率を測定した。導電率は、銅の導電率5.8×107/Ω・mで規格化している。測定法の詳細については、特開平12−46756号公報に開示されている方法を用いた。 Two obtained wiring boards for electrical conductivity evaluation were prepared, and the electrical conductivity at the interface between the conductor and the insulator was measured using a cylindrical resonator method. The conductivity is standardized by copper conductivity of 5.8 × 10 7 / Ω · m. For the details of the measurement method, the method disclosed in JP-A-12-46756 was used.
次に基板反りの評価を行うために、反り評価用配線基板を作製した。即ち、グリーンシートに焼成後の形状が10mm×10mmとなるガラスペースト及び導体ペーストを順番にグリーンシートの全面に印刷した。得られたグリーンシートを最上層として、配線パターンが表面に形成されるように、グリーンシート単体4枚を積層圧着した。 Next, in order to evaluate the board warpage, a wiring board for warpage evaluation was produced. That is, a glass paste and a conductor paste having a fired shape of 10 mm × 10 mm were sequentially printed on the entire surface of the green sheet. Using the obtained green sheet as the uppermost layer, four green sheets alone were laminated and pressure-bonded so that a wiring pattern was formed on the surface.
反りの測定は、10mm×10mmの導体パターンを形成したセラミック基板に対し、表面粗さ計を用いて行った。 The warpage was measured using a surface roughness meter on a ceramic substrate on which a conductor pattern of 10 mm × 10 mm was formed.
また、積層不良の有無を、基板の断面組織をSEMにて観察することにより判断した。その際、パターン端部に積層不良のないものを○、有るものを×として表1に表示した。 Moreover, the presence or absence of a stacking failure was determined by observing the cross-sectional structure of the substrate with an SEM. At that time, those having no stacking faults at the pattern end portions are indicated as “◯”, and those having the pattern are indicated as “×” in Table 1.
Rmaxは、導電率評価用配線基板に対して厚み方向に荷重をかけて破断し、破断面が鏡面になるまで研磨を行い、その断面を、SEMを用いて2000倍の倍率で観察し、前記Rmax算出法にて算出した。 Rmax is broken by applying a load in the thickness direction to the wiring board for conductivity evaluation, polished until the fracture surface becomes a mirror surface, and the cross section is observed at a magnification of 2000 using an SEM, It calculated by Rmax calculation method.
結果を表1に示した。
本発明の試料No.2〜23は、導電率が75%以上、反りが120μm以下であった。特に、金属粉末の粒径が5μm以下、中間層のガラスの軟化点が600〜900℃とした試料では、導電率が85%以上、反りが100μm以下であった。 Sample No. of the present invention. In Nos. 2 to 23, the conductivity was 75% or more and the warpage was 120 μm or less. In particular, in a sample in which the particle size of the metal powder was 5 μm or less and the softening point of the intermediate layer glass was 600 to 900 ° C., the conductivity was 85% or more and the warp was 100 μm or less.
一方、中間層を設けなかった本発明の範囲外の試料No.1では、導電率が70%と低かった。 On the other hand, a sample No. outside the scope of the present invention in which no intermediate layer was provided. 1, the conductivity was as low as 70%.
1・・・セラミック絶縁基板
1a〜1g・・・セラミック絶縁層
2・・・配線導体
2a・・・表面導体
2b・・・内部導体
3・・・中間層
4・・・ビア導体
5a・・・セラミック絶縁基板と中間層の界面
5b・・・中間層と配線導体の界面
6・・・中間層を含めた配線導体層
8・・・セラミック絶縁基板
8a、8b・・・セラミック絶縁層
9・・・配線導体(導体層)
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8 ... Ceramic insulating
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