JP2010034273A - Multilayer circuit board, and method of manufacturing the same - Google Patents

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哲也 木村
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer circuit board which has high thermal conductivity while maintaining insulation and can be baked at low temperature, and a method of manufacturing the same. <P>SOLUTION: The multilayer circuit board includes an insulating base 1 having a plurality of glass ceramic insulating layers 11, 12, 13, 14 laminated, a through conductor 2 formed in the glass ceramic insulating layers 11, 12, 13, 14, and wiring layers 3 formed on principal surfaces of the glass ceramic insulating layers 11, 12, 13, 14, wherein heat dissipating bodies each having an oxide-based ceramic coating of 0.5 to 3 μm in thickness on metal powder are dispersed and contained in the glass ceramic insulating layers 11, 12, 13, 14, and contents of the metal powder in the glass ceramic insulating layers 11, 12, 13, 14 including the heat dissipating bodies are 15 to 45% by mass. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体素子収納用パッケージや混成集積回路装置などに適した多層配線基板およびその製造方法であり、特に半導体素子等の能動素子の動作等に発生する熱を効率よく放散することが可能な多層配線基板及びその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a multilayer wiring board suitable for a semiconductor element storage package, a hybrid integrated circuit device, and the like, and a method for manufacturing the same, and in particular, can efficiently dissipate heat generated during the operation of active elements such as semiconductor elements. The present invention relates to a multilayer wiring board and a method for manufacturing the same.

近年、ガラスとセラミックスとの複合材料であるガラスセラミックスを絶縁層として用いることにより、1000℃以下の低温焼成が可能であり、且つ融点が低い低抵抗金属であるCu、Ag、Au等を配線層の形成材料として使用することを可能とした多層配線基板が開発されている。   In recent years, by using glass ceramics, which is a composite material of glass and ceramics, as an insulating layer, a low resistance metal having a low melting point, such as Cu, Ag, Au, etc., which can be fired at a low temperature of 1000 ° C. or lower is used as a wiring layer. A multilayer wiring board that can be used as a forming material has been developed.

例えば、ガラスにSiO系フィラーを添加した絶縁層と、Cu、Ag、Au等の低抵抗金属からなる配線層とを900〜1050℃の温度で同時焼成した多層配線基板が提案されている(特許文献1を参照。)。 For example, a multilayer wiring board in which an insulating layer obtained by adding a SiO 2 filler to glass and a wiring layer made of a low-resistance metal such as Cu, Ag, Au, etc., at the temperature of 900 to 1050 ° C. has been proposed ( (See Patent Document 1).

ところが、情報通信技術の発達に伴い、ICやLSI等の半導体素子の高性能化が進んでいる。この半導体素子の高性能化により、半導体素子からの発熱量が増加し、搭載する多層配線基板の熱抵抗の問題が大きくなっている。具体的には、特許文献1に記載の多層配線基板におけるガラスセラミックスでは、熱伝導率が0.5〜1.5W/m・K程度であり、低温焼成できないアルミナ材料と比較して熱伝導性(熱放散性)に劣っている。   However, with the development of information communication technology, the performance of semiconductor elements such as ICs and LSIs is increasing. Due to the high performance of the semiconductor element, the amount of heat generated from the semiconductor element is increased, and the problem of thermal resistance of the multilayer wiring board to be mounted is increased. Specifically, the glass ceramics in the multilayer wiring board described in Patent Document 1 has a thermal conductivity of about 0.5 to 1.5 W / m · K, and is more thermally conductive than an alumina material that cannot be fired at a low temperature. It is inferior to (heat dissipation).

そこで、高い熱伝導性を有するAlNとガラスとを混合して焼成したガラスセラミックスを絶縁基板として用いた多層配線基板が提案されている(特許文献2および特許文献3を参照。)。
特公平4−12639号公報 特開昭63−307182号公報 特開平4−254477号公報
Therefore, a multilayer wiring board has been proposed in which glass ceramics obtained by mixing and firing AlN having high thermal conductivity and glass is used as an insulating substrate (see Patent Document 2 and Patent Document 3).
Japanese Examined Patent Publication No. 4-12639 JP-A 63-307182 JP-A-4-254477

しかしながらAlN等の非酸化物セラミックスをガラスと混合して焼成すると、焼成中に非酸化物セラミックスとガラスが反応して非酸化物セラミックスが分解し、分解ガスが発生する。この分解ガスにより、絶縁基板(磁器)の膨張や絶縁基板(磁器)表面の膨れ(気泡)が発生し、外観上安定した磁器を得ることが困難であった。かかる現象は、酸化性雰囲気の焼成で顕著となるため、この問題を解消しようとすると焼成雰囲気中の酸素濃度を少なくする必要があり、それが原因で脱バインダー不良が起こり易くなってしまうという問題があった。脱バインダー不良が起こると、やはり絶縁基板(磁器)の膨張や絶縁基板(磁器)表面の膨れ(気泡)が発生してしまい、さらに磁器強度や誘電正接の低下につながってしまう。   However, when non-oxide ceramics such as AlN are mixed with glass and fired, the non-oxide ceramics and glass react during firing to decompose the non-oxide ceramics and generate decomposition gas. The decomposition gas causes expansion of the insulating substrate (porcelain) and swelling (bubbles) on the surface of the insulating substrate (porcelain), making it difficult to obtain a stable external porcelain. Since this phenomenon becomes prominent in firing in an oxidizing atmosphere, it is necessary to reduce the oxygen concentration in the firing atmosphere in order to solve this problem. was there. When the debinding defect occurs, the insulating substrate (porcelain) expands and the insulating substrate (porcelain) surface expands (bubbles), which leads to a decrease in porcelain strength and dielectric loss tangent.

その他の方法として、高熱伝導率の金属粉体(Cu、Ag、Au等)をガラスセラミック絶縁層中に分散させる方法が考えられるが、この方法の場合、金属粉体同士が接触して連なることで上下の配線層と配線層との間または配線層と貫通導体との間においてショートしてしまうおそれがあり、またその絶縁性を保つ観点から添加量に限界があって、ガラスセラミック絶縁層中に含まれる金属粉体の量を10質量%以下程度にしなければならず、熱伝導性(熱放散性)を向上させるための方法として、あまり効果的ではない。   As another method, a method of dispersing a metal powder having high thermal conductivity (Cu, Ag, Au, etc.) in the glass ceramic insulating layer is conceivable. In this method, the metal powders are in contact with each other and connected. In addition, there is a risk of short-circuiting between the upper and lower wiring layers and between the wiring layers or between the wiring layers and the through conductors. The amount of the metal powder contained in the metal must be about 10% by mass or less, and is not very effective as a method for improving thermal conductivity (heat dissipation).

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、絶縁性を保ちつつ高熱伝導性を有する低温焼成が可能な多層配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a multilayer wiring board capable of low-temperature firing having high thermal conductivity while maintaining insulation, and a method for manufacturing the same.

本発明は、ガラスセラミック絶縁層が複数積層された絶縁基体と、前記ガラスセラミック絶縁層に形成された貫通導体と、前記ガラスセラミック絶縁層の主面に形成された配線層とを含む多層配線基板であって、前記ガラスセラミック絶縁層の内部には金属粉体に厚み0.5〜3μmの酸化物系セラミック被膜が形成された放熱体が分散して含まれており、該放熱体を含む前記ガラスセラミック絶縁層中の前記金属粉体の含有量が15〜45質量%であることを特徴とするものである。   The present invention relates to a multilayer wiring board including an insulating substrate in which a plurality of glass ceramic insulating layers are laminated, a through conductor formed in the glass ceramic insulating layer, and a wiring layer formed on a main surface of the glass ceramic insulating layer. In the glass ceramic insulating layer, a heat radiator in which an oxide ceramic film having a thickness of 0.5 to 3 μm is formed in a metal powder is dispersed and contained. Content of the said metal powder in a glass-ceramic insulating layer is 15-45 mass%, It is characterized by the above-mentioned.

ここで、前記金属粉体がCu、AgおよびAuの群から選ばれる少なくとも1種からなる粉体であるのが望ましい。また、前記酸化物系セラミック被膜がAl、SiOおよびZrOの群から選ばれる少なくとも1種からなる被膜であるのが望ましい。 Here, it is desirable that the metal powder is a powder made of at least one selected from the group consisting of Cu, Ag and Au. Moreover, it is desirable that the oxide-based ceramic coating is a coating made of at least one selected from the group consisting of Al 2 O 3 , SiO 2 and ZrO 2 .

また本発明は、金属粉体に厚み0.5〜3μmの酸化物系セラミック被膜が形成された放熱体を作製する工程と、ガラス粉末、無機フィラーおよび前記放熱体からなる混合物を含み、該混合物中の前記金属粉体の含有量が15〜45質量%となるようにしてガラスセラミックグリーンシートを作製する工程と、該ガラスセラミックグリーンシートを貫通する貫通孔を形成して貫通導体用ペーストを充填するとともに前記ガラスセラミックグリーンシートの表面に配線層用導体ペーストを被着形成する工程と、前記貫通導体用ペーストの充填および前記配線層用導体ペーストの被着形成がなされた前記ガラスセラミックグリーンシートを複数積層して積層体を作製する工程と、該積層体を焼成する工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法である。   The present invention also includes a step of producing a radiator in which an oxide ceramic coating having a thickness of 0.5 to 3 μm is formed on a metal powder, and a mixture comprising glass powder, an inorganic filler, and the radiator. A step of producing a glass ceramic green sheet so that the content of the metal powder is 15 to 45% by mass, and a through-hole penetrating the glass ceramic green sheet is formed and filled with a paste for through conductor And a step of depositing and forming a wiring layer conductor paste on the surface of the glass ceramic green sheet, and filling the through conductor paste and depositing the wiring layer conductor paste. A multilayer wiring board comprising a step of producing a laminate by laminating a plurality and a step of firing the laminate It is a manufacturing method.

本発明の多層配線基板によれば、ガラスセラミック絶縁層の内部に、金属粉体に酸化物系セラミック被膜が形成されてなる放熱体が分散して含まれているから、絶縁性と熱伝導性(熱放散性)とを両立させた多層配線基板を実現することができる。   According to the multilayer wiring board of the present invention, the heat insulating material in which the oxide ceramic coating is formed on the metal powder is dispersed and contained inside the glass ceramic insulating layer. A multilayer wiring board that achieves both (heat dissipation) can be realized.

また本発明の多層配線基板の製造方法は、ガラスセラミック絶縁層の内部に金属粉体をショートせずに分散させることができる。したがって、多層配線基板の絶縁性を保ったまま、熱伝導性(熱放散性)を向上させることができる。   Moreover, the manufacturing method of the multilayer wiring board of this invention can disperse | distribute a metal powder to the inside of a glass ceramic insulating layer, without short-circuiting. Therefore, it is possible to improve the thermal conductivity (heat dissipation) while maintaining the insulation of the multilayer wiring board.

本発明の多層配線基板の一実施形態について説明する。   An embodiment of the multilayer wiring board of the present invention will be described.

図1は本発明の多層配線基板の一実施形態の概略断面図であり、図2は図1に示す領域Aの拡大図である。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an embodiment of the multilayer wiring board of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged view of a region A shown in FIG.

本発明は、図1に示すように、複数のガラスセラミック絶縁層11、12、13、14が積層された絶縁基体1と、ガラスセラミック絶縁層11、12、13、14にそれぞれ形成された貫通導体2と、ガラスセラミック絶縁層11、12、13、14の主面に形成された配線層3とを含む多層配線基板であって、ガラスセラミック絶縁層11、12、13、14の内部には放熱体4が分散して含まれているものである。   In the present invention, as shown in FIG. 1, an insulating substrate 1 in which a plurality of glass ceramic insulating layers 11, 12, 13, and 14 are laminated, and through holes formed in the glass ceramic insulating layers 11, 12, 13, and 14, respectively. A multilayer wiring board including a conductor 2 and a wiring layer 3 formed on the main surfaces of the glass ceramic insulating layers 11, 12, 13, and 14, wherein the glass ceramic insulating layers 11, 12, 13, and 14 The radiator 4 is included in a dispersed manner.

絶縁基体1は、複数のガラスセラミック絶縁層11、12、13、14が積層されてなるものである。ガラスセラミック絶縁層11、12、13、14は、焼成によって結晶を析出する結晶性ガラスまたは結晶を析出しない非結晶性ガラスからなるガラス粉末と無機フィラーとを原料とし、これに有機バインダー、有機溶媒などを添加して焼成することにより得られたものである。   The insulating substrate 1 is formed by laminating a plurality of glass ceramic insulating layers 11, 12, 13, and 14. The glass ceramic insulating layers 11, 12, 13, and 14 are made of a glass powder made of crystalline glass that precipitates crystals upon firing or non-crystalline glass that does not precipitate crystals and an inorganic filler, and an organic binder and an organic solvent. Etc. were added and fired.

ガラスセラミック絶縁層11、12、13、14は、例えば、クォーツ、エンスタタイト、フォルステライト、クリストバライト、コージェライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライト等の結晶を含んでいる。この結晶は、原料としてのガラス粉末から析出したものであってもよく、原料として無機フィラーとして混入されたものであってもよい。   The glass ceramic insulating layers 11, 12, 13, and 14 include, for example, crystals such as quartz, enstatite, forsterite, cristobalite, cordierite, mullite, anorthite, serdian, spinel, garnite, willemite, dolomite, and petalite. Yes. This crystal may be precipitated from glass powder as a raw material, or may be mixed as an inorganic filler as a raw material.

そして、ガラスセラミック絶縁層11、12、13、14の内部には、図2に示すように、放熱体本体としての金属粉体41に厚み0.5〜3μmの酸化物系セラミック被膜42が形成されてなる放熱体4が分散して含まれていて、放熱体4を含むガラスセラミック絶縁層11、12、13、14中の金属粉体41の含有量が15〜45質量%であることが重要である。ここで、分散して含まれている(分散状態にある)とは、ガラスセラミック絶縁層11、12、13、14のどの部分をみても金属粉体41の含有量が15〜45質量%であって、熱伝導率が2W/m・K以上の値を示すようになっていることをいう。   Then, inside the glass ceramic insulating layers 11, 12, 13, and 14, as shown in FIG. 2, an oxide ceramic coating 42 having a thickness of 0.5 to 3 μm is formed on the metal powder 41 as the heat dissipating body. The heat radiator 4 is dispersed and contained, and the content of the metal powder 41 in the glass ceramic insulating layers 11, 12, 13 and 14 including the heat radiator 4 is 15 to 45 mass%. is important. Here, being contained in a dispersed state (in a dispersed state) means that the content of the metal powder 41 is 15 to 45% by mass in any part of the glass ceramic insulating layers 11, 12, 13, and 14. It means that the thermal conductivity is a value of 2 W / m · K or more.

この放熱体4は多層配線基板の熱放散性を向上させるためのものである。酸化物系セラミック被膜42の厚みが0.5μm以上であることによって、近接する放熱体4同士が接触してもショートしてしまうことなく絶縁性を保つことができ、3μm以下であることによって、ガラスセラミックスの焼結性が阻害されず、熱放散性を向上させることができる。すなわち、酸化物系セラミック被膜42の厚みが0.5μm未満であると絶縁性の確保が十分ではなく、酸化物系セラミック被膜42の厚みが3μmを超えるとガラスセラミックスの焼結性が阻害され、ボイドによる影響から熱放散性が十分ではない。   This radiator 4 is for improving the heat dissipation of the multilayer wiring board. When the thickness of the oxide-based ceramic coating 42 is 0.5 μm or more, it is possible to maintain insulation without short-circuiting even if the adjacent radiators 4 are in contact with each other, and by being 3 μm or less, The sinterability of the glass ceramics is not hindered and the heat dissipation can be improved. That is, if the thickness of the oxide-based ceramic coating 42 is less than 0.5 μm, it is not sufficient to ensure insulation, and if the thickness of the oxide-based ceramic coating 42 exceeds 3 μm, the sinterability of the glass ceramic is hindered, Heat dissipation is not sufficient due to the effects of voids.

また、金属粉体41の含有量が15質量%以上であることによって、熱放散性を向上させることができ、45質量%以下であることによって、絶縁性を保つことができる。すなわち、金属粉体41の含有量が15質量%未満であると金属粉体41の量が少なすぎて放熱効果が十分ではなく、金属粉体41の含有量が45質量%を超えると絶縁性の確保が十分ではなくなるおそれがある。   Moreover, heat dissipation can be improved when content of the metal powder 41 is 15 mass% or more, and insulation can be maintained when it is 45 mass% or less. That is, if the content of the metal powder 41 is less than 15% by mass, the amount of the metal powder 41 is too small and the heat dissipation effect is not sufficient, and if the content of the metal powder 41 exceeds 45% by mass, the insulating property May not be sufficient.

金属粉体41は、平均粒径0.8〜5μm程度のものを用いる。ここで、金属粉体41としては、熱伝導率の高い金属、中でもCu、AgおよびAuの群から選ばれる少なくとも1種であるのが望ましい。   The metal powder 41 has an average particle size of about 0.8 to 5 μm. Here, the metal powder 41 is desirably at least one selected from the group of metals having high thermal conductivity, especially Cu, Ag and Au.

また、酸化物系セラミック被膜42は、セラミック微粉末により形成された被膜である。ここで、酸化物系セラミック被膜42は、Al、SiOおよびZrOの群から選ばれる少なくとも1種からなる被膜であるのが望ましい。 The oxide-based ceramic coating 42 is a coating formed of ceramic fine powder. Here, the oxide-based ceramic coating 42 is preferably a coating made of at least one selected from the group consisting of Al 2 O 3 , SiO 2 and ZrO 2 .

これにより、ガラスセラミックグリーンシート中に含まれる放熱体4は、金属粉体41に酸化物系セラミック被膜42が形成された状態で焼結後のガラスセラミック絶縁層11、12、13、14に含まれ、その状態を保つことができる。すなわち、被膜が酸化物系セラミックスからなるため、焼結の際にガラスセラミックグリーンシートに含まれるガラス粉末と反応することがなく、酸化物系セラミック被膜42により金属粉体41を覆って放熱体4間や貫通導体2および配線層3との絶縁を保つことができる。   Thereby, the heat radiator 4 included in the glass ceramic green sheet is included in the glass ceramic insulating layers 11, 12, 13, and 14 after sintering in a state where the oxide ceramic coating 42 is formed on the metal powder 41. And can maintain that state. That is, since the coating is made of oxide ceramics, it does not react with the glass powder contained in the glass ceramic green sheet during sintering, and the metal powder 41 is covered with the oxide ceramic coating 42 to dissipate the radiator 4. Insulation between the through conductors 2 and the wiring layer 3 can be maintained.

ここで、混合物の各元素の定量化については、ICP発光分光分析法(Inductively Coupled Plasma Atomic Emission Spectroscopy)により求めることができ、酸化物系セラミック被膜42の厚みについては、ガラスセラミック絶縁層11、12、13、14を切断した断面についての走査型電子顕微鏡(SEM)による1000倍の画像から、一つの放熱体4における酸化物系セラミック被膜42について任意の10箇所の厚みの平均値を算出して、求めることができる。   Here, the quantification of each element of the mixture can be obtained by ICP emission spectroscopy (Inductively Coupled Plasma Atomic Emission Spectroscopy), and the thickness of the oxide ceramic coating 42 is determined by the glass ceramic insulating layers 11 and 12. The average value of the thickness of any 10 locations of the oxide ceramic coating 42 in one radiator 4 is calculated from the 1000 times image obtained by scanning electron microscope (SEM) of the cross-sections obtained by cutting 13 and 14. Can be sought.

ガラスセラミック絶縁層11、12、13、14には、それぞれ一方主面(上面)から他方主面(下面)にかけて貫通するように貫通導体2が形成されている。この貫通導体2は、CuやAgなど低抵抗の金属粉末を含む導体ペーストの焼成によって形成されたものである。また、ガラスセラミック絶縁層11、12、13、14の主面には、配線層3が形成されている。この配線層3も、貫通導体2と同様に、CuやAgなどの低抵抗金属からなる金属粉末を含む導体ペーストの焼成によって形成されたものである。   A through conductor 2 is formed in each of the glass ceramic insulating layers 11, 12, 13, and 14 so as to penetrate from the one main surface (upper surface) to the other main surface (lower surface). The through conductor 2 is formed by firing a conductor paste containing a low-resistance metal powder such as Cu or Ag. A wiring layer 3 is formed on the main surfaces of the glass ceramic insulating layers 11, 12, 13, and 14. The wiring layer 3 is also formed by firing a conductor paste containing metal powder made of a low resistance metal such as Cu or Ag, like the through conductor 2.

本発明の一実施形態である多層配線基板は、以上のような構成を基本構成とするものである。   A multilayer wiring board according to an embodiment of the present invention has the above-described configuration as a basic configuration.

以下、上述の多層配線基板の製造方法について説明する。   Hereinafter, a method for manufacturing the multilayer wiring board will be described.

まず、放熱体4を作製する。放熱体4は、例えば平均粒径0.8〜5μmのCu、AgおよびAuの群から選ばれる少なくとも1種である高い熱伝導率を有する金属粉体41に、厚み0.5〜3μmの例えばAl、SiOおよびZrOの群から選ばれる少なくとも1種からなる酸化物系セラミック被膜42を形成して作製される。 First, the radiator 4 is produced. The heat radiating body 4 is, for example, a metal powder 41 having a high thermal conductivity that is at least one selected from the group of Cu, Ag, and Au having an average particle diameter of 0.8 to 5 μm, and a thickness of 0.5 to 3 μm, for example. It is produced by forming an oxide ceramic coating 42 made of at least one selected from the group consisting of Al 2 O 3 , SiO 2 and ZrO 2 .

ここで、この酸化物系セラミック被膜42は金属粉体41の周りに平均粒径0.01〜1μmのセラミック微粉末を多数付着させて形成したものであり、その形成に際しては、湿式法又は乾式法(メカノケミカル・ボンディング法)が用いられる。酸化物系セラミック被膜42の厚みの測定方法は、放熱体4を熱硬化性樹脂に埋め込んだ後、研磨することによって放熱体4の断面を露出させて、走査型電子顕微鏡(SEM)による1000倍の画像から、一つの放熱体4における酸化物系セラミック被膜42について任意の10箇所の厚みの平均値を算出して、これを酸化物系セラミック被膜42の厚みとしたものである。   Here, the oxide ceramic coating 42 is formed by adhering a large number of ceramic fine powders having an average particle diameter of 0.01 to 1 μm around the metal powder 41. Method (mechanochemical bonding method) is used. The thickness of the oxide-based ceramic coating 42 is measured by embedding the radiator 4 in a thermosetting resin and then polishing to expose the cross section of the radiator 4 and 1000 times using a scanning electron microscope (SEM). From the above image, the average value of the thickness of any 10 locations of the oxide ceramic coating 42 in one radiator 4 is calculated, and this is used as the thickness of the oxide ceramic coating 42.

なお、「平均粒径」とは、粉体の集団の全体積を100%として累積カーブを求めたとき、その累積カーブが50%となる点の粒径d50を意味する。粉体の粒度分布は、たとえばレーザー回折・散乱法によるマイクロトラック粒度分布測定装置X−100(日機装株式会社製)を用いて測定できる。   The “average particle diameter” means the particle diameter d50 at which the cumulative curve is 50% when the cumulative curve is obtained with the total volume of the powder group as 100%. The particle size distribution of the powder can be measured using, for example, a Microtrac particle size distribution measuring apparatus X-100 (manufactured by Nikkiso Co., Ltd.) using a laser diffraction / scattering method.

次に、ガラス粉末、無機フィラーおよび放熱体4からなる混合物を含み、この3種を含む混合物中の金属粉体41の含有量が15〜45質量%となるようにガラスセラミックグリーンシートを作製する。ここで、混合物中の金属粉体41の含有量が15〜45質量%となるようにするには、放熱体4を球状とみて金属粉体41の粒径および酸化物系セラミック被膜42の厚みからそれぞれの体積を算出し、体積と比重から金属粉体41の質量を求めて、調製すればよい。なお、球状とみたときの金属粉体41の粒径は、一つの放熱体4における金属粉体41について任意の10箇所の直径の平均値を算出して、これを金属粉体41の粒径とした。   Next, a glass ceramic green sheet is prepared so that the mixture of the glass powder, the inorganic filler, and the radiator 4 is included, and the content of the metal powder 41 in the mixture including the three types is 15 to 45 mass%. . Here, in order for the content of the metal powder 41 in the mixture to be 15 to 45% by mass, the heat radiating body 4 is considered to be spherical, and the particle size of the metal powder 41 and the thickness of the oxide ceramic coating 42. Each volume may be calculated from the above, and the mass of the metal powder 41 may be determined from the volume and specific gravity. In addition, the particle size of the metal powder 41 when viewed as a spherical shape is obtained by calculating an average value of the diameters of arbitrary 10 locations for the metal powder 41 in one heat radiating body 4. It was.

ガラス粉末としては、結晶性ガラスと非結晶性ガラスのどちらも採用できる。具体的には、アルカリ土類金属酸化物を含むホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸亜鉛ガラス、ホウケイ酸鉛ガラス等のホウケイ酸系ガラスの他、リチウム珪酸系ガラス等が挙げられる。ガラス粉末の平均粒径としては1〜5μmが望ましい。また、無機フィラーとしては、Al、SiO、ZrO、CaO、MgOまたはMgOなどの酸化物や、これらの酸化物の2種以上の複合酸化物等が使用できる。無機フィラーの平均粒径も1〜5μmが望ましい。 As the glass powder, either crystalline glass or amorphous glass can be employed. Specifically, borosilicate glass such as borosilicate glass, zinc borosilicate glass, lead borosilicate glass and the like containing alkaline earth metal oxides, lithium silicate glass, and the like can be given. As an average particle diameter of glass powder, 1-5 micrometers is desirable. The inorganic filler, Al 2 O 3, SiO 2 , ZrO 2, CaO, and oxides such as MgO or MgO, composite oxides of two or more of these oxides can be used. The average particle size of the inorganic filler is preferably 1 to 5 μm.

ガラス粉末と無機フィラーとの配合比率の調整により、貫通導体用ペーストおよび配線層用導体ペーストの焼結温度と整合させたり、接合強度を高めたりすることができる。混合物において、放熱体4を除いて考えた場合のガラス粉末と無機フィラーとの配合比率は、質量比で50:50〜70:30の範囲で配合されることが効果的である。   By adjusting the blending ratio of the glass powder and the inorganic filler, it is possible to match the sintering temperature of the through conductor paste and the wiring layer conductor paste, or to increase the bonding strength. In the mixture, it is effective that the mixing ratio of the glass powder and the inorganic filler when excluding the radiator 4 is mixed in a mass ratio of 50:50 to 70:30.

ガラス粉末、無機フィラーおよび放熱体4からなる混合物に、イソブチルメタクリレート樹脂、メチルメタクリレート樹脂等の有機バインダーと、テルピネオール、フタル酸ジブチル(DBP)、トルエン、アセトン等の有機溶剤を加えてボールミル、ビーズミルなどで12〜24時間混合してスラリーを得た後、ドクターブレード法、圧延法、プレス法などによりシート状に成形して、ガラスセラミックグリーンシートを作製する。   Ball mills, bead mills, etc. by adding organic binders such as isobutyl methacrylate resin and methyl methacrylate resin and organic solvents such as terpineol, dibutyl phthalate (DBP), toluene and acetone to a mixture consisting of glass powder, inorganic filler and radiator 4 The mixture is mixed for 12 to 24 hours to obtain a slurry, which is then formed into a sheet by a doctor blade method, a rolling method, a pressing method, or the like to produce a glass ceramic green sheet.

次に、作製されたガラスセラミックグリーンシートに対して、マイクロドリルやCOレーザー等により貫通孔を形成し、この貫通孔に貫通導体用ペーストをスクリーン印刷法で埋め込むとともに、ガラスセラミックグリーンシートの主面に配線層用導体ペーストをスクリーン印刷で被着形成した後、60〜100℃で1〜3時間程度かけて乾燥させる。 Next, through holes are formed in the produced glass ceramic green sheet with a micro drill, a CO 2 laser, or the like, and a paste for through conductors is embedded in the through holes by a screen printing method. After the conductor paste for wiring layer is deposited on the surface by screen printing, it is dried at 60 to 100 ° C. for about 1 to 3 hours.

ここで、配線層用導体ペーストおよび貫通導体用ペーストを構成する金属粉末としては、低抵抗のCu粉末またはAg粉末が好ましく、金属成分のマイグレーションによる信頼性低下を抑制するためにはCu粉末が最も望ましい。この金属粉末にそれぞれのペーストに適した割合で有機バインダーおよび有機溶剤などが添加されて、配線層用導体ペーストおよび貫通導体用ペーストが作製される。なお、金属粉末の平均粒径は、ペーストの粘度などの点から0.8μm以上、また微細配線形成の点から5μm以下であるのが好ましい。   Here, as the metal powder constituting the wiring layer conductor paste and the through conductor paste, low-resistance Cu powder or Ag powder is preferable, and Cu powder is the most effective for suppressing a decrease in reliability due to migration of metal components. desirable. An organic binder, an organic solvent, and the like are added to the metal powder at a ratio suitable for each paste to produce a wiring layer conductor paste and a through conductor paste. The average particle diameter of the metal powder is preferably 0.8 μm or more from the viewpoint of paste viscosity and the like, and 5 μm or less from the viewpoint of fine wiring formation.

次に、得られた貫通導体用ペーストの充填および配線層用導体ペーストの被着形成がなされたガラスセラミックグリーンシートを複数積層して積層体を作製する。
次に、得られた積層体を所定の条件(例えば窒素雰囲気中、焼成温度800〜1000℃、1時間)で焼成して、ガラスセラミックグリーンシート、貫通導体および配線層を焼結させることで、本発明の多層配線基板を得ることができる。
Next, a plurality of glass ceramic green sheets filled with the obtained through-conductor paste and coated with the wiring layer conductor paste are stacked to produce a laminate.
Next, the obtained laminate is fired under predetermined conditions (for example, in a nitrogen atmosphere, at a firing temperature of 800 to 1000 ° C. for 1 hour) to sinter the glass ceramic green sheet, the through conductor, and the wiring layer, The multilayer wiring board of the present invention can be obtained.

上述の多層配線基板の製造方法によれば、熱放散性に優れた多層配線基板を得ることができる。   According to the above-described method for manufacturing a multilayer wiring board, a multilayer wiring board having excellent heat dissipation can be obtained.

まず、放熱体本体としての金属粉体を表1に示す3種類の金属で平均粒径3μmに形成し、この金属粉体に平均粒径0.05μmの表1に示すAl粉末を乾式法(メカノケミカル・ボンディング法)により付着させて表1に示すそれぞれの厚みの酸化物系セラミック被膜を形成して、放熱体を作製した。なお、酸化物系セラミック被膜の厚みは、放熱体を熱硬化性樹脂に埋め込んだ後、研磨することによって放熱体の断面を露出させて、走査型電子顕微鏡(SEM)による1000倍の画像から、一つの放熱体における酸化物系セラミック被膜について任意の10箇所の厚みの平均値を算出して求めた。 First, a metal powder as a heat radiating body was formed with three kinds of metals shown in Table 1 to an average particle diameter of 3 μm, and Al 2 O 3 powder shown in Table 1 having an average particle diameter of 0.05 μm was formed on the metal powder. A heat radiating body was produced by forming oxide ceramic coatings having respective thicknesses shown in Table 1 by depositing them by a dry method (mechanochemical bonding method). In addition, the thickness of the oxide-based ceramic coating is obtained by embedding the radiator in a thermosetting resin and then polishing to expose the cross section of the radiator, and from a 1000 times image obtained by a scanning electron microscope (SEM), It calculated | required by calculating the average value of thickness of arbitrary 10 places about the oxide type ceramic film in one heat radiator.

そして、非結晶性のSiO−B−BaO系ホウ珪酸ガラスからなる平均粒径3μmのガラス粉末と平均粒径3μmの無機フィラー(SiOフィラー)とをそれぞれ質量比1:1の割合で混合し、さらに上記の放熱体を加えて3種を含む混合物を作製した。ここで、混合物の全体を100質量%としたときの金属粉体の含有量が表1に示す含有量となるように3種を含む混合物を作製するが、金属粉体の含有量については、放熱体を球状とみて金属粉体の粒径および酸化物系セラミック被膜の厚みからそれぞれの体積を算出し、体積と比重から金属粉体の質量を求めることで、調製した。なお、球状とみたときの金属粉体の粒径は、一つの放熱体における金属粉体について任意の10箇所の直径の平均値を算出して、これを金属粉体の粒径とした。また、ガラス粉末は、SiOが40質量%、Bが10質量%、BaOが40質量%、Alが5質量%、CaOが5質量%の組成のものを用いた。 Then, a glass powder having an average particle diameter of 3 μm and an inorganic filler (SiO 2 filler) having an average particle diameter of 3 μm made of amorphous SiO 2 —B 2 O 3 —BaO-based borosilicate glass are respectively in a mass ratio of 1: 1. The mixture was mixed at a ratio, and the above heat radiator was added to prepare a mixture containing three kinds. Here, a mixture containing three types is prepared so that the content of the metal powder when the entire mixture is 100% by mass is the content shown in Table 1, but for the content of the metal powder, The heat radiating body was assumed to be spherical, and each volume was calculated from the particle size of the metal powder and the thickness of the oxide ceramic coating, and the mass of the metal powder was determined from the volume and specific gravity. As for the particle size of the metal powder when viewed as a spherical shape, the average value of the diameters of any 10 locations of the metal powder in one heat radiator was calculated and used as the particle size of the metal powder. Furthermore, glass powder, SiO 2 is 40 wt%, B 2 O 3 is 10 mass%, BaO 40 wt%, Al 2 O 3 is 5% by mass, CaO was used as the 5% by weight of the composition.

そして、この3種を含む混合物100質量部に対してイソブチルメタクリレート系の有機バインダー15質量部および有機溶媒(トルエン)70質量部を加えてボールミルで24時間混練してガラスセラミックスラリーを作製した。その後、ドクターブレード法によりシート状に成形し、80℃×10分で乾燥後、厚み120μmのガラスセラミックグリーンシートを作製した。   Then, 15 parts by mass of an isobutyl methacrylate-based organic binder and 70 parts by mass of an organic solvent (toluene) were added to 100 parts by mass of the mixture containing these three types, and kneaded in a ball mill for 24 hours to prepare a glass ceramic slurry. Thereafter, it was formed into a sheet by a doctor blade method, dried at 80 ° C. for 10 minutes, and then a glass ceramic green sheet having a thickness of 120 μm was produced.

次に、作製されたガラスセラミックグリーンシートに対してCOレーザーにより直径50μmの貫通孔を形成し、この貫通孔に貫通導体用ペーストをスクリーン印刷法で埋め込むとともに、ガラスセラミックグリーンシートの表面に配線層用導体ペーストをスクリーン印刷で被着形成した後、80℃で2時間かけて乾燥させた。このとき用いたペーストは、平均粒径が2μmのCu粉末98質量%と平均粒径が2μmのホウ珪酸ガラス粉末2質量%とからなる混合粉末100質量部に対して、イソブチルメタクリレート系有機バインダーを5質量部、有機溶剤としてターピネオールを20質量部加え、3本ロールミルで混合したものである。 Next, a through hole having a diameter of 50 μm is formed in the produced glass ceramic green sheet by a CO 2 laser, and a paste for a through conductor is embedded in the through hole by a screen printing method, and wiring is formed on the surface of the glass ceramic green sheet. The layer conductor paste was deposited by screen printing and then dried at 80 ° C. for 2 hours. The paste used at this time was obtained by adding an isobutyl methacrylate organic binder to 100 parts by mass of a mixed powder consisting of 98% by mass of Cu powder having an average particle size of 2 μm and 2% by mass of borosilicate glass powder having an average particle size of 2 μm. 5 parts by mass, 20 parts by mass of terpineol as an organic solvent are added and mixed by a three-roll mill.

さらに、貫通導体用ペーストの充填および配線層用導体ペーストの被着形成がなされたガラスセラミックグリーンシートを6層積層して積層体を作製した。   Further, six layers of glass ceramic green sheets filled with the through-conductor paste and coated with the wiring layer conductor paste were laminated to produce a laminate.

最後に、得られた積層体を、窒素雰囲気、焼成温度900℃、1時間の保持時間で焼成して、ガラスセラミックグリーンシート、貫通導体および配線層を焼結させ、多層配線基板を得た。   Finally, the obtained laminate was fired with a nitrogen atmosphere, a firing temperature of 900 ° C., and a holding time of 1 hour to sinter the glass ceramic green sheet, the through conductor, and the wiring layer to obtain a multilayer wiring board.

一方、貫通導体用ペーストの充填および配線層用導体ペーストの被着形成がなされていないガラスセラミックグリーンシートを6層積層して積層体を作製し、この積層体の両主面(上面および下面)に配線層用導体ペーストを塗布してベタの配線パターンを形成し、多層配線基板の製造と同様の条件で焼成を行なった。そして、得られたサンプルについて、絶縁抵抗の測定を行った。具体的には、サンプルの上下面の配線層にデジタルマルチメーターを用いて10V印加して絶縁抵抗を測定し、1×10Ω以下を不良とした。その結果を表1に示す。 On the other hand, a laminated body is produced by laminating six layers of glass ceramic green sheets that are not filled with the through-conductor paste and the conductive paste for the wiring layer is formed, and both main surfaces (upper surface and lower surface) of this laminated body. A conductive paste for wiring layer was applied to form a solid wiring pattern, and firing was performed under the same conditions as in the production of the multilayer wiring board. And the insulation resistance was measured about the obtained sample. Specifically, 10 V was applied to the wiring layers on the upper and lower surfaces of the sample using a digital multimeter to measure the insulation resistance, and 1 × 10 6 Ω or less was regarded as defective. The results are shown in Table 1.

また、貫通導体用ペーストの充填および配線層用導体ペーストの被着形成がなされていないガラスセラミックグリーンシートを20層積層して積層体を作製し、この積層体を直径10mm、厚み2mmの形状に加工し、多層配線基板の製造と同様の条件で焼成を行ない、サンプルを得た。得られたサンプルについて、レーザーフラッシュ法にて熱伝導率を求め、2W/m・K未満を不良とした。その結果を表1に示す。   In addition, 20 layers of glass ceramic green sheets that are not filled with through-conductor paste and coated with conductive paste for wiring layers are laminated to produce a laminate, and the laminate is formed into a shape with a diameter of 10 mm and a thickness of 2 mm. It processed and baked on the same conditions as manufacture of a multilayer wiring board, and obtained the sample. About the obtained sample, the heat conductivity was calculated | required with the laser flash method, and less than 2 W / m * K was made into the defect. The results are shown in Table 1.

Figure 2010034273
Figure 2010034273

表1によれば、本発明範囲内の試料(試料No.3〜7,10〜13,15,16)においては絶縁抵抗および熱伝導率が良好な値を示していることがわかる。   According to Table 1, it can be seen that the samples within the scope of the present invention (Sample Nos. 3-7, 10-13, 15, 16) have good values of insulation resistance and thermal conductivity.

これに対し、本発明範囲外の試料No.1では、放熱体を含まないので、熱伝導率が悪いことがわかる。   On the other hand, sample no. No. 1 does not include a heat radiating body, so it can be seen that the thermal conductivity is poor.

また、本発明範囲外の試料No.2では、酸化物系セラミック被膜の厚みが0.1μmと薄いので、絶縁性が悪くなっていることがわかる。   In addition, sample No. No. 2 shows that the oxide ceramic coating is as thin as 0.1 μm, so that the insulating property is deteriorated.

また、本発明範囲外の試料No.8では、酸化物系セラミック被膜の厚みが4.0μmと厚いので、ガラスセラミックスの焼結が阻害され、絶縁性が悪くなっていることがわかる。   In addition, sample No. In No. 8, since the thickness of the oxide ceramic coating is as thick as 4.0 μm, it is understood that the sintering of the glass ceramic is hindered and the insulating properties are deteriorated.

また、本発明範囲外の試料No.9では、金属粉体の含有量が8質量%と少ないため、熱伝導率が悪くなっていることがわかる。   In addition, sample No. In No. 9, since the content of the metal powder is as small as 8% by mass, it can be seen that the thermal conductivity is deteriorated.

また、本発明範囲外の試料No.14では、金属粉体の含有量が50質量%と多いため、絶縁性が悪くなっていることがわかる。   In addition, sample No. No. 14 has a high metal powder content of 50% by mass, which indicates that the insulation is poor.

なお、表には示していないが、焼成後のガラスセラミック絶縁層に含まれる放熱体における酸化物系セラミック被膜の厚みについては、ガラスセラミック絶縁層を切断した断面についての走査型電子顕微鏡(SEM)による1000倍の画像から、焼成前の原料段階の放熱体における酸化物系セラミック被膜の厚みと等しいことが確認された。また、焼成後の放熱体を含むガラスセラミック絶縁層中の金属粉体の含有量は、ICP発光分光分析法により、焼成前の混合物中の金属粉体の含有量と等しいことが確認された。   Although not shown in the table, with respect to the thickness of the oxide ceramic coating in the heat dissipating body included in the fired glass ceramic insulating layer, a scanning electron microscope (SEM) of a section of the glass ceramic insulating layer cut. It was confirmed from the image of 1000 times that the thickness is equal to the thickness of the oxide-based ceramic coating in the heat radiator in the raw material stage before firing. Moreover, it was confirmed by ICP emission spectroscopic analysis that the content of the metal powder in the glass ceramic insulating layer including the heat radiating body after firing is equal to the content of the metal powder in the mixture before firing.

図1は本発明の多層配線基板の一実施形態の概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of an embodiment of a multilayer wiring board according to the present invention. 図1に示す領域Aの拡大図である。It is an enlarged view of the area | region A shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・絶縁基体
11、12、13、14・・・ガラスセラミック絶縁層
2・・・貫通導体
3・・・配線層
4・・・放熱体
41・・・金属粉体
42・・・酸化物系セラミック被膜
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Insulating base | substrate 11, 12, 13, 14 ... Glass-ceramic insulating layer 2 ... Through-conductor 3 ... Wiring layer 4 ... Radiator 41 ... Metal powder 42 ... Oxidation Physical ceramic coating

Claims (4)

ガラスセラミック絶縁層が複数積層された絶縁基体と、前記ガラスセラミック絶縁層に形成された貫通導体と、前記ガラスセラミック絶縁層の主面に形成された配線層とを含む多層配線基板であって、前記ガラスセラミック絶縁層の内部には金属粉体に厚み0.5〜3μmの酸化物系セラミック被膜が形成された放熱体が分散して含まれており、該放熱体を含む前記ガラスセラミック絶縁層中の前記金属粉体の含有量が15〜45質量%であることを特徴とする多層配線基板。 A multilayer wiring board comprising an insulating substrate in which a plurality of glass ceramic insulating layers are laminated, a through conductor formed in the glass ceramic insulating layer, and a wiring layer formed on a main surface of the glass ceramic insulating layer, The glass ceramic insulating layer includes a heat radiator in which an oxide ceramic film having a thickness of 0.5 to 3 μm is formed on a metal powder, and the glass ceramic insulating layer includes the heat radiator. A multilayer wiring board, wherein the content of the metal powder is 15 to 45 mass%. 前記金属粉体がCu、AgおよびAuの群から選ばれる少なくとも1種からなることを特徴とする請求項1に記載の多層配線基板。 The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the metal powder is made of at least one selected from the group consisting of Cu, Ag and Au. 前記酸化物系セラミック被膜がAl、SiOおよびZrOの群から選ばれる少なくとも1種からなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の多層配線基板。 3. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the oxide-based ceramic coating is made of at least one selected from the group consisting of Al 2 O 3 , SiO 2, and ZrO 2 . 金属粉体に厚み0.5〜3μmの酸化物系セラミック被膜が形成された放熱体を作製する工程と、
ガラス粉末、無機フィラーおよび前記放熱体からなる混合物を含み、該混合物中の前記金属粉体の含有量が15〜45質量%となるようにしてガラスセラミックグリーンシートを作製する工程と、
該ガラスセラミックグリーンシートを貫通する貫通孔を形成して貫通導体用ペーストを充填するとともに前記ガラスセラミックグリーンシートの表面に配線層用導体ペーストを被着形成する工程と、
前記貫通導体用ペーストの充填および前記配線層用導体ペーストの被着形成がなされた前記ガラスセラミックグリーンシートを複数積層して積層体を作製する工程と、
該積層体を焼成する工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
Producing a heat radiator in which an oxide ceramic film having a thickness of 0.5 to 3 μm is formed on a metal powder;
Including a mixture of glass powder, an inorganic filler and the radiator, and producing a glass ceramic green sheet so that the content of the metal powder in the mixture is 15 to 45% by mass;
Forming a through-hole penetrating the glass ceramic green sheet and filling with a paste for a through conductor, and forming a conductor paste for a wiring layer on the surface of the glass ceramic green sheet; and
A step of producing a laminate by laminating a plurality of the glass ceramic green sheets filled with the through conductor paste and deposited with the wiring layer conductor paste; and
And a step of firing the laminated body.
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