JP2008016205A - 光学装置および電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】塗布領域への液状の材料の塗布により形成されてそれぞれ光を射出する複数の塗布層の厚みを塗布領域の全域にわたって均一とする。
【解決手段】有機EL装置10を提供する。有機EL装置10は、基板11と、基板11上に形成され、基板11上の塗布領域Rの一部をそれぞれ占める複数の形成領域を画定するバンク16と、それぞれ光を射出し、複数の形成領域にインクを塗布し真空乾燥により一括して乾燥させて形成された複数の発光機能層14とを備える。複数の発光機能層14の各々から射出された光は有機EL装置10から射出される。有機EL装置10では、塗布領域Rの端部における形成領域の体積は、塗布領域Rの中央部における形成領域の体積よりも大きい。
【選択図】図2

Description

本発明は、光学装置および電子機器に関する。
それぞれ光を射出する複数の塗布層を有する光学装置が知られている。塗布層は、その形成領域に液状の材料を塗布し真空乾燥により一括して乾燥させて形成される。この光学装置の一種に、複数の有機EL(Electro Luminescent)素子を有する有機EL装置がある。この有機EL装置では、有機EL素子の発光層が上記の塗布層に相当する。複数の発光層の形成では、まず、各発光層を形成する有機EL材料を溶質として含むインクを当該発光層の形成領域に塗布する。次に、塗布されたインクを一括して乾燥させる。インクの乾燥の方法としては真空乾燥が好適である。
従来の有機EL装置では、インクの乾燥速度(乾燥に要する時間)が不均一となる。具体的には、複数の形成領域がそれぞれ一部を占める塗布領域において、中央部に塗布されたインクは遅く乾き、端部に塗布されたインクは早く乾く。インクの乾燥速度が不均一となると、従来の有機EL装置では、発光層の厚みが不均一となる。つまり、発光層の膜厚ムラが生じる。これは、有機EL素子の輝度ムラや発光色ムラの原因となる。
そこで、塗布領域の端部の発光層からの光を射出することのない有機EL装置が提案されている(特許文献1〜特許文献3参照)。この種の有機EL装置では、発光層の厚みが略均一の有機EL素子からの光のみが射出される。したがって、上記の輝度ムラや発光色ムラは抑制される。
特開2006−3870号公報 特開2002−222695号公報 特開2002−252083号公報
しかし、特許文献1〜特許文献3に記載の有機EL装置では、光の出射に寄与しない発光層、すなわち無駄な発光層を形成する必要がある。このような無駄が生じるのは、塗布領域の中央部と端部とで発光層の厚みが不均一となるからである。つまり、発光層の膜厚ムラが解消されていないからである。塗布層の厚みが不均一となることは、特定の波長の光を選択的に透過させる着色層を含む機能領域を複数備えたカラーフィルタ基板にもあてはまる。
そこで、本発明は、複数の塗布層の厚みが塗布領域の全域にわたって均一となる光学装置および電子機器を提供する。
本発明は、基板と、前記基板上の塗布領域に形成され、それぞれ光を出射する複数の塗布層と、前記基板上に形成され、前記複数の塗布層の形成領域を画定する隔壁とを備え、
前記複数の塗布層の各々から射出された光を射出する光学装置であって、前記形成領域のうち前記塗布領域の端部における第1形成領域の体積は、前記形成領域のうち前記塗布領域の中央部における第2形成領域の体積よりも大きい、ことを特徴とする光学装置(第1光学装置)を提供する。
本発明において、基板としては、例えばガラス製の透明基板を挙げることができる。また、塗布層としては、例えば光を発する発光層や光を透過させる透光層が挙げられる。発光層としては、例えば電気エネルギによる励起子の励起を経て発光する層を例示することができる。透光層としては、例えば特定の波長の光のみを透過させる着色層を例示することができる。また、隔壁としては、例えば塗布層が発光層の場合のバンクや塗布層が着色層の場合のブラックマトリクスを挙げることができる。
また、本発明において、複数の塗布層は、複数の形成領域に液状の材料を塗布し真空乾燥により一括して乾燥させて形成してもよい。この乾燥では、液状の材料に含まれている液体が蒸発するが、その蒸発速度は、基板上の塗布領域の端部で速く、中央部で遅い。したがって、端部の形成領域に塗布する液状の材料の量が塗布領域の全域にわたって均一の場合には、中央部に塗布された材料よりも端部に塗布された材料の方が早く乾燥し、塗布層の厚みが不均一となってしまう。
そこで、第1光学装置では、形成領域の体積を、塗布領域の中央部よりも端部において大きくしている。このため、第1光学装置では、端部の形成領域に塗布する液状の材料の量を中央部よりも端部で多くすることが可能であり、そうすることにより、液状の材料の乾燥速度を塗布領域の全域にわたって均一とすることができる。よって、第1光学装置によれば、塗布領域の全域にわたって塗布層の厚みを均一とすることができる。
第1光学装置において、形成領域の体積を塗布領域の中央部よりも端部において大きくする手法としては、例えば、前記基板に略平行で前記複数の形成領域を横切る一または複数の平面において、前記第1形成領域が占める面積は前記第2形成領域が占める面積よりも広くなるようにしても良いし、前記第1形成領域の厚みが、前記第2形成領域の厚みよりも厚くなるようにしてもよい。
第1光学装置において、前記隔壁は、前記形成領域の下部を画定する第1隔壁と、前記第1隔壁上に形成され、前記形成領域の上部を画定する第2隔壁とを有し、前記塗布領域の端部における前記第2隔壁の底面積は、前記塗布領域の中央部における前記第2隔壁の底面積よりも広い、ようにしてもよい。この態様では、塗布領域の端部において形成領域の上面の面積を広くすることなく形成領域の体積を大きくすることが可能である。つまり、この態様では、ただでさえ速い端部の蒸発速度が更に速くなってしまう事態を回避することが可能である。よって、端部の形成領域に塗布する材料の量を少なく抑えることができる。
また、本発明は、基板と、前記基板上の塗布領域に形成され、それぞれ光を出射する複数の塗布層と、前記基板上に形成され、前記複数の塗布層の形成領域を画定する隔壁とを備え、前記複数の塗布層の各々から射出された光を射出する光学装置であって、前記隔壁は、前記形成領域の下部を画定する親液性の第1隔壁と、前記第1隔壁上に形成され、前記形成領域の上部を画定する撥液性の第2隔壁とを有し、前記塗布領域の端部における前記第1隔壁の厚みは、前記塗布領域の中央部における前記第1隔壁の厚みよりも厚い、ことを特徴とする光学装置(第2光学装置)を提供する。
前述のように、液体の蒸発速度は中央部よりも端部において速い。そのため、塗布する材料の量を中央部と端部とで等しくした場合には、中央部の材料はその上面が十分に凹んでから乾燥を終えるのに対し、端部の材料はその上面が十分に凹まないうちに乾燥を終えてしまう。これにより、塗布領域において発光層の厚みが不均一となってしまう。しかし、第2光学装置では、形成領域の下部の厚み(親液性の第1隔壁の厚み)が塗布領域の中央部よりも端部において長いから、材料の上面を凹ませる力が中央部よりも端部において強くなる。したがって、端部において短時間で乾燥する材料の上面を十分に凹ませることができる。よって、第2光学装置によれば、塗布する材料の量が塗布領域の全域にわたって均一であっても、塗布領域の全域にわたって塗布層の厚みを均一とすることができる。
また、本発明は、基板と、前記基板上の塗布領域に形成され、それぞれ光を出射する複数の塗布層と、前記基板上に形成され、前記複数の塗布層の形成領域を画定する隔壁とを備え、前記複数の塗布層の各々から射出された光を射出する光学装置であって、前記隔壁は、前記形成領域の下部を画定する第1隔壁と、前記第1隔壁上に形成され、前記形成領域の上部を画定する第2隔壁とを有し、前記塗布領域の端部における前記第2隔壁の厚みは、前記塗布領域の中央部における前記第2隔壁の厚みよりも薄い、ことを特徴とする光学装置(第3光学装置)を提供する。
前述のように、塗布する材料の量を中央部と端部とで等しくした場合には、中央部の材料はその上面が十分に凹んでから乾燥するのに対し、端部の材料はその上面が十分に凹まないうちに乾燥してしまう。しかし、第2光学装置では、形成領域の上部の厚み(撥液性の第2隔壁の厚み)が塗布領域の中央部よりも端部において短いから、中央部においては形成領域から溢れず、端部においては形成領域から溢れるように、等量の材料を塗布することが可能であり、そのようにすることにより、端部において短時間で乾燥する材料の上面を十分に凹ませることができる。よって、第3光学装置によれば、塗布する材料の量が塗布領域の全域にわたって均一であっても、塗布領域の全域にわたって塗布層の厚みを均一とすることができる。
上記の各光学装置において、形成領域の底面積を塗布領域の全域にわたって均一としてもよい。一般に、塗布層の形成領域の底面積は出射光量を規定するから、形成領域の底面積を塗布領域の全域にわたって均一とすることにより、塗布層の出射光量を塗布領域の全域にわたって均一とすることができる。
また、本発明は、上記の各光学装置を備える電子機器を提供する。この電子機器によれば、上述した各種の効果に起因する各種の効果を得ることができる。
以下、添付の図面を参照しながら、本発明に係る実施の形態を説明する。これらの図面においては、各層や各部材の寸法の比率は、実際のものとは適宜に異なっている。また、以下の説明における具体的な数値や材料は一例に過ぎず、本発明の技術的範囲がこれらの数値や材料に限定されることはない。これは、層の形成方法や各種処理の方法についても同様である。
<A:第1の実施の形態>
本発明の第1の実施の形態では、液状の材料の乾燥速度を塗布領域の全域にわたって均一とすることにより、塗布領域の全域にわたる塗布層の厚みの均一化を図っている。
<A−1:構成>
図1は、本発明の実施の形態に係る有機EL装置(光学装置)の平面図である。図2は、本発明の第1の実施の形態に係る有機EL装置10の断面図であり、図1のA−A線矢視断面図でもある。この有機EL装置10は、図1の塗布領域Rの全域にわたって均等に配置された複数の発光素子12を有する。各発光素子12は、発光可能な素子であり、具体的には、有機EL素子すなわちOLED(Organic Light Emitting Diode)である。塗布領域Rは、その中央部の領域R1と、領域R1を囲む領域R2と、領域R2を囲む端部の領域R3とに分かれている。領域R1〜R3には、それぞれ、複数の発光素子12が配置されている。
基板11は、厚みが500μmのガラス基板を有する。このガラス基板上には、発光素子12を駆動するための配線層や絶縁層などの各種の層が形成されている。基板11上には、複数の発光素子12が形成されている。各発光素子12からの光は基板11側から有機EL装置10外へ出射する。各発光素子12は、基板11上に形成された円盤状の第1電極13と、第1電極13上に形成された発光機能層(塗布層)14と、発光機能層14上に形成された第2電極15とを有する。第1電極13は、ITO(Indium Tin Oxide)等の光透過率の高い材料から形成されている。
発光機能層14は、発光可能であり、正孔と電子との再結合による励起子の励起を経て発光する発光層E12を、発光層E12に正孔を注入する正孔注入層E11上に積層させて形成されている。このことから明らかなように、本実施の形態では、第1電極13が陽極となり、第2電極15が陰極となる。なお、本実施の形態を変形し、発光機能層14が発光層E12のみを含むようにしてもよいし、第1電極13と第2電極15との間で陰陽を逆転させてもよい。
正孔注入層E11は、例えば、PEDOT/PSS(ポリエチレンシオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物)から形成されており、その厚みは50nmである。発光層E12は、例えば、公知の青色蛍光材料から形成されており、その厚みは100nmである。もちろん、他の色の蛍光材料から形成することも可能である。第2電極15は、全ての発光素子12に共通し、全ての発光機能層14を覆っている。第2電極15は単層構成であっても複数層構成であってもよい。複数層構成の場合には、発光層E12側の薄い下層を仕事関数が小さい材料(例えばカルシウム)から形成し、厚い上層を仕事関数が大きい材料(例えばアルミニウム)から形成することが好ましい。この場合、下層の厚みは例えば5nm、上層の厚みは例えば300nmとなる。
一方、基板11および第1電極13上には、発光機能層14が形成される領域(以降、「形成領域」と称する)を発光素子12毎に区画するバンク16が形成されている。バンク16は、全ての発光素子12とともに、第2電極15に覆われている。各形成領域は回転体状をなし、その回転軸は基板11に略垂直である。前述の塗布領域Rは基板11上の層状の領域であり、各形成領域は塗布領域Rの一部を占めている。形成領域の体積は塗布領域Rにおける形成領域の位置によって異なる。すなわち、領域R1における各形成領域の体積:領域R2における各形成領域の体積:領域R3における各形成領域の体積=1:1.1:1.3となっている。
バンク16は、各形成領域の下部(以降、「下部領域」と称する)を画定する第1バンクB11上に、各形成領域の上部(以降、「上部領域」と称する)を画定する第2バンクB12を積層して形成されている。各形成領域において、当該形成領域内の下部領域の回転軸と当該形成領域内の上部領域の回転軸は略一致しており、当該上部領域の底面の一部が各下部領域の上面となっている。各上部領域はテーパを有し、底面よりも上面の方が広くなっている。
第1バンクB11は二酸化珪素から形成されており、その厚みは100nmである。第1バンクB11は各第1電極13の周縁部を覆っており、発光機能層14の下部側面(正孔注入層E11の側面および発光層E12の下部側面)は第1バンクB11の表面のみに接触している。この接触面には親液性の加工が施されている。各第1電極13の上面のうち第1バンクB11に覆われていない領域(開口)は、下部領域の底面に一致しており、その直径は100μmである。
第2バンクB12はアクリル系樹脂から形成されており、その厚みは約2μmである。第2バンクB12は第1バンクB11および基板11上に形成されており、発光機能層14の上部側面(発光層E12の上部側面)は第2バンクB12の表面のみに接触している。この接触面には撥液性の加工が施されている。第2バンクB12に画定される各上部領域は、テーパを有し、底面よりも上面の方が広くなっている。また、上部領域の上面の直径(J)は全ての上部領域に共通である。一方、上部領域の底面の直径は塗布領域Rにおける形成領域の位置によって異なる。すなわち、領域R1内ではT1、領域R2内ではT2、領域R3内ではT3であり、T1<T2<T3である。T1、T2およびT3は、直径がT1の円の面積:直径がT2の円の面積:直径がT3の円の面積=1:1.1:1.3となるように定められている。
図示を略すが、第2電極15上には封止層が設けられ、この封止層によって全ての発光素子12が封止されている。この封止により、全ての発光素子12が外気から保護されている。なお、封止の方法は任意である。
<A−2:製造方法>
次に、有機EL装置10の製造工程について説明する。
まず、基板11を形成する。具体的には、ガラス基板上に、発光素子12を駆動するための配線層や絶縁層などの各種の層を形成して基板11とする。次に、基板11上に複数の第1電極13を形成する。
次に、図3に示すように、基板11および複数の第1電極13上に複数の形成領域を確定するバンク16を形成する。バンク16の形成では、まず、基板11および複数の第1電極13上に二酸化珪素を100nm厚で蒸着する。次に、上記二酸化珪素上に、アクリル系樹脂を約2μm厚で積層し、フォトリソグラフィによりパターニングし、第2バンクB12を形成し、複数の上部領域が画定される。次に上部領域によって露出した二酸化珪素をフォトリソグラフィによりパターニングすることにより、第1バンクB11を形成し、複数の下部領域が画定される。
次に、バンク16の露出面に親液化処理を施す。具体的には、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理(O2プラズマ処理)を行う。この処理により、バンク16の露出面に水酸基が導入されて親液性が付与される。次に、バンク16の露出面に撥液化処理を施す。具体的には、大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理(CF4プラズマ処理)を行う。この処理により、第2バンクB12の露出面にフッ素基が導入されて撥液性が付与される。なお第1バンクB11は無機物である二酸化珪素で形成されているため、この撥液化処理によって第1バンクB11の露出面が撥液化されることはない。また撥液化処理のためのプラズマ処理は第2バンクB12の露出面のみに選択的に行ってもよい。
次に、図4に示すように、各下部領域の底部に発光機能層E11を形成する。この形成では、各下部領域の底部に、正孔注入層E11を形成してから発光層E12を形成する。
正孔注入層E11の形成手順は以下の通りである。
まず、液状の第1インクを塗布して各下部領域の底部に溜める。第1インクは、溶質として固形分濃度が0.5%で重量比が1:50のPEDOT/PSSを含み、溶媒の50%としてジエチレングリコールモノブチルエーテルと、溶媒の残量として純水(具体的には超純水)とを含む。塗布の方法としては、インクジェット装置(液滴吐出装置)を用いたインクジェット法を用いる。すなわち、インクジェット装置のヘッドのノズルから第1インクの液滴を吐出させる。なお、第1インクの塗布では、領域R1内の各下部領域に塗布する量:領域R2内の各下部領域に塗布する量:領域R3内の各下部領域に塗布する量=1:1.1:1.3となるようにする。
次に、塗布された第1インクを一括して乾燥させる。
具体的には、まず、真空乾燥を行う。すなわち、基板11が置かれている空間を減圧して第1インク中の溶媒の沸点を下げ、当該溶媒を低温で蒸発させる。これにより、PEDOT/PSSが濃縮されて析出し、正孔注入層E11が形成される。ところで、真空乾燥における第1インクの溶媒の蒸発速度は、領域R1では遅く、領域R2ではより速く、領域R3では最も速い。しかし、第1インクの塗布量は、領域R1では少なく、領域R2ではより多く、領域R3では最も多くなっている。よって、塗布された第1インクの乾燥速度は、塗布領域Rの全域にわたって均一となる。つまり、正孔注入層E11の厚み(50nm)は塗布領域Rの全域にわたって均一となる。なお、図示を略すが、正孔注入層E11の上面には凹凸があり、本実施の形態では、正孔注入層E11の中央部の厚みを「正孔注入層E11の厚み」としている。
次に、200℃で10分間程度熱する熱処理を行う。これにより、正孔注入層E11から残存する溶媒が除去される。なお、第1インクの塗布では、正孔注入層E11の厚みが50nmとなるように、塗布する第1インクの量を調節する。
発光層E12の形成手順は以下の通りである。
まず、液状の第2インクを塗布して各形成領域の底部に溜める。各形成領域の底部には既に正孔注入層E11が形成されているから、第2インクは正孔注入層E11上に溜まる。第2インクは、溶質として青色蛍光材料を含み、溶媒としてシクロヘキシルベンゼンを含む。この塗布でもインクジェット法を用いる。なお、第2インクの塗布では、領域R1内の各形成領域に塗布する量:領域R2内の各形成領域に塗布する量:領域R3内の各形成領域に塗布する量=1:1.1:1.3となるようにする。
次に、塗布された第2インクを一括して乾燥させる。
具体的には、まず、真空乾燥を行う。すなわち、基板11が置かれている空間を減圧して第2インク中の溶媒の沸点を下げ、当該溶媒を低温で蒸発させる。これにより、青色蛍光材料が濃縮されて析出し、発光層E12が形成される。ところで、真空乾燥における第2インクの溶媒の蒸発速度は、領域R1では遅く、領域R2ではより速く、領域R3では最も速い。しかし、第2インクの塗布量は、領域R1では少なく、領域R2ではより多く、領域R3では最も多くなっている。よって、塗布された第2インクの乾燥速度は、塗布領域Rの全域にわたって均一となる。その結果、発光層E12の厚み(100nm)は塗布領域Rの全域にわたって均一となる。なお、図示を略すが、正孔注入層E11の上面には凹凸があり、本実施の形態では、発光層E12の中央部の厚みを「発光層E12の厚み」としている。
次に、窒素雰囲気中で130℃で1時間程度熱する熱処理を行う。これにより、発光層E12から残存する溶媒が除去される。なお、第2インクの塗布では、発光層E12の厚みが100nmとなるように、塗布する第2インクの量を調節する。
次に、バンク16および全ての発光層E12を覆うように、第2電極15を形成する。この形成は蒸着によって行われる。例えば、カルシウムを5nm厚で蒸着し、その上にアルミニウムを300nm厚で蒸着する。次に、第2電極15上に封止層を設け、全ての発光素子12を外気から保護する。こうして、図2の有機EL装置10が得られる。
<A−3:効果>
以上説明したように、有機EL装置10では、上部領域の底面の面積は、塗布領域Rにおける位置によって異なり、領域R1よりも領域R2で広く、領域R2よりも領域R3で広くなっている。このため、形成領域の体積は、領域R1よりも領域R2で大きく、領域R2よりも領域R3で大きくなっている。その結果、領域R1の形成領域に塗布するインクの量を、領域R1よりも領域R2で多くし、領域R2よりも領域R3で多くすることが可能であり、そうすることによって、インクの乾燥速度を塗布領域Rの全域にわたって均一とし、塗布領域Rの全域にわたって発光機能層14の厚みを均一としている。
また、有機EL装置10では、上部領域の上面の面積が塗布領域Rの全域にわたって均一である。したがって、上部領域の上面をも、領域R1よりも領域R2で広く、領域R2よりも領域R3で広くする形態に比較すると、有機EL装置10には、領域R3および領域R2における溶媒の蒸発速度を速くせずに済むという利点がある。この利点は、塗布するインクの量を少なく抑えることができるという効果につながる。
また、有機EL装置10では、形成領域の底面積が塗布領域Rの全域にわたって均一である。したがって、発光素子12からの出射光量を塗布領域の全域にわたって均一とすることができる。
<A−4:変形>
なお、領域R1〜R3において形成領域の体積を異ならせるために面積を異ならせる形成領域の面を、上部領域の底面以外の面としてもよい。例えば、下部領域の上面としてもよいし、上部領域の底面および下部領域の上面としてもよい。要は、基板11に平行で全ての形成領域を横切る一または複数の平面において各形成領域が占める領域であればよい。ただし、上記の平面に、各形成領域の発光機能層14が形成されない部分を横切る面は含まれない。
また、形成領域の体積を異ならせるために、上部領域の底面の面積ではなく、形成領域の厚みを塗布領域Rにおける位置によって異ならせてもよい。具体的には、形成領域の厚みを、領域R1よりも領域R2で厚く、領域R2よりも領域R3で厚くしてもよい。
<B:第2の実施の形態>
本発明の第2の実施の形態では、液状の材料の上面を凹ませる力を塗布領域の中央部よりも端部において強くすることにより、乾燥後の塗布層の上面の形状が塗布領域の全域にわたって均一となるようにし、その結果として、塗布領域の全域にわたる塗布層の厚みの均一化を図っている。
図5は、本発明の第2の実施の形態に係る有機EL装置20の断面図であり、図1のA−A線矢視断面図でもある。この有機EL装置20は、図1の塗布領域Rの全域にわたって均等に配置された複数の発光素子22を有する。発光素子22は、発光可能な素子であり、具体的には有機EL素子である。
図5に示すように、基板11上には、複数の発光素子22が形成されている。各発光素子22からの光は基板11側から有機EL装置20外へ出射する。各発光素子22は、基板11上に形成された第1電極(陽極)13と、第1電極13上に形成された発光機能層(塗布層)24と、発光機能層24上に形成された第2電極(陰極)15とを有する。
発光機能層24は、発光可能であり、発光層E22を正孔注入層E11上に積層させて形成されている。発光層E22の厚み、機能および形成材料は発光層E12と同様である。一方、基板11および第1電極13上には、発光機能層24が形成される領域(本実施の形態における形成領域)を発光素子22毎に区画するバンク26が形成されている。第2電極15は、全ての発光素子22に共通し、バンク26および全ての発光機能層24を覆っている。
本実施の形態においても、各形成領域は、回転体状をなし、その回転軸は基板11に略垂直であり、基板11上の塗布領域Rの一部を占めている。バンク26は、各形成領域の下部(本実施の形態における下部領域)を画定する第1バンクB21上に、各形成領域の上部(本実施の形態における上部領域)を画定する第2バンクB22を積層して形成されている。各形成領域において、当該形成領域内の下部領域の回転軸と当該形成領域内の上部領域の回転軸は略一致しており、当該上部領域の底面の一部が各下部領域の上面となっている。各上部領域はテーパを有し、底面よりも上面の方が広くなっている。
第1バンクB21は第1バンクB11と同様であり、第2バンクB22は第2バンクB12と同様である。ただし、第1バンクB21の厚みは、塗布領域Rにおける形成領域の位置によって異なる。すなわち、領域R1内ではH1、領域R2内ではH2、領域R3内ではH3であり、H1<H2<H3である。第2バンクB22に画定される上部領域の底面の直径は全ての上部領域に共通である。
有機EL装置20の製造工程は有機EL装置10の製造工程と同様である。ただし、第1バンクB21の形成では、第1バンクB21の厚みが、領域R1内ではH1、領域R2内ではH2、領域R3内ではH3となるように、蒸着した等厚の二酸化珪素をエッチングする。また、発光層E22の形成では、形成領域に塗布する第2インクの量を、全ての形成領域に共通とする。
ところで、溶媒の蒸発速度は中央部よりも端部において速い。そのため、本実施の形態のように塗布する第2インクの量を塗布領域Rの中央部と端部とで等しくすると、通常、中央部の第2インクはその上面が十分に凹んでから乾燥を終えるのに対し、端部の第2インクはその上面が十分に凹まないうちに乾燥を終えてしまう。つまり、発光層の上面の形状が塗布領域の中央部と端部とで著しく異なってしまい、塗布領域における発光層の厚み(発光層の中央部の厚み)が不均一となってしまう。
これに対し、有機EL装置20では、下部領域の厚み(親液性の第1バンクB21の厚み)が、領域R1よりも領域R2において厚く、領域R2よりも領域R3において厚いから、その製造工程において、第2インクの上面を凹ませる力が、領域R1よりも領域R2において強く、領域R2よりも領域R3において強くなる。したがって、発光層E22の上面の形状を塗布領域Rの全域にわたって均一とすることができる。よって、有機EL装置20によれば、塗布領域Rの全域にわたって発光層E22の厚みを均一とすることができる。
以上説明したことから明らかなように、有機EL装置20によれば、塗布領域Rの全域にわたって発光機能層24の厚みを均一とすることができる。また、有機EL装置20によれば、有機EL装置10に比較して、その製造に要する第2インクの量を減らすことができる。また、有機EL装置20によれば、発光素子22からの出射光量を塗布領域の全域にわたって均一とすることができる。
<C:第3の実施の形態>
本発明の第3の実施の形態では、液状の材料を塗布領域Rの端部において形成領域から溢れさせることにより、乾燥後の塗布層の上面の形状が塗布領域の全域にわたって均一となるようにし、その結果として、塗布領域の全域にわたる塗布層の厚みの均一化を図っている。
図6は、本発明の第3の実施の形態に係る有機EL装置30の断面図であり、図1のA−A線矢視断面図でもある。この有機EL装置30は、図1の塗布領域Rの全域にわたって均等に配置された複数の発光素子32を有する。発光素子32は、発光可能な素子であり、具体的には有機EL素子である。
図6に示すように、基板11上には、複数の発光素子32が形成されている。各発光素子32からの光は基板11側から有機EL装置30外へ出射する。各発光素子32は、基板11上に形成された第1電極(陽極)13と、第1電極13上に形成された発光機能層(塗布層)34と、発光機能層34上に形成された第2電極(陰極)15とを有する。
発光機能層34は、発光可能であり、発光層E32を正孔注入層E11上に積層させて形成されている。発光層E32の厚み、機能および形成材料は発光層E12と同様である。一方、基板11および第1電極13上には、発光機能層34が形成される領域(本実施の形態における形成領域)を発光素子32毎に区画するバンク36が形成されている。第2電極15は、全ての発光素子32に共通し、バンク36および全ての発光機能層34を覆っている。
本実施の形態においても、各形成領域は、回転体状をなし、その回転軸は基板11に略垂直であり、基板11上の塗布領域Rの一部を占めている。バンク36は、各形成領域の下部(本実施の形態における下部領域)を画定する第1バンクB11上に、各形成領域の上部(本実施の形態における上部領域)を画定する第2バンクB32を積層して形成されている。各形成領域において、当該形成領域内の下部領域の回転軸と当該形成領域内の上部領域の回転軸は略一致しており、当該上部領域の底面の一部が各下部領域の上面となっている。各上部領域はテーパを有し、底面よりも上面の方が広くなっている。
第2バンクB32は第2バンクB12と同様である。ただし、第1バンクB32の厚みは、塗布領域Rにおける形成領域の位置によって異なる。すなわち、領域R1内ではK1、領域R2内ではK2、領域R3内ではK3であり、K1>K2>K3である。第2バンクB32に画定される上部領域の底面の直径は全ての上部領域に共通である。また、第2バンクB32のテーパの角度は全ての上部領域に共通である。
有機EL装置30の製造工程は有機EL装置10の製造工程と同様である。ただし、第2バンクB32の形成では、第2バンクB32の厚みが、領域R1内ではK1、領域R2内ではK2、領域R3内ではK3となるように、蒸着した等厚のアクリル系樹脂をエッチングする。また、発光層E32の形成では、形成領域に塗布する第2インクの量を、全ての形成領域に共通とする。
前述したように、本実施の形態のように塗布する第2インクの量を塗布領域Rの中央部と端部とで等しくすると、通常、発光層の上面の形状が塗布領域の中央部と端部とで著しく異なってしまう。これに対し、有機EL装置30では、上部領域の厚み(撥液性の第2バンクB32の厚み)が、領域R1よりも領域R2において薄く、領域R2よりも領域R3において薄くなっており、その製造工程において、第1インクが、領域R1では形成領域から溢れず、領域R2では形成領域から少し溢れ、領域R3では形成領域から多く溢れる。形成領域から溢れた第1インクの上面は凹み、その凹みの程度は、溢れる量が多いほど大きくなる。したがって、発光層E32の上面の形状を塗布領域Rの全域にわたって均一とすることができる。よって、有機EL装置30によれば、塗布領域Rの全域にわたって発光層E32の厚みを均一とすることができる。
以上説明したことから明らかなように、有機EL装置30によれば、塗布領域Rの全域にわたって発光機能層34の厚みを均一とすることができる。また、有機EL装置30によれば、有機EL装置10に比較して、その製造に要する第2インクの量を減らすことができる。また、有機EL装置30によれば、発光素子32からの出射光量を塗布領域の全域にわたって均一とすることができる。
<D:変形>
以上の説明では、いわゆるボトムエミッション型の有機EL装置を例示したが、本発明は、トップエミッション型の有機EL装置やデュアルエミッション型の有機EL装置にも適用可能である。また、以上の説明では、塗布領域Rを領域R1、R2およびR3の三つに分けた例を示したが、2つに分けてもよいし、4つ以上に分けてもよい。また、本発明は、有機EL素子に代えて無機EL素子を有する無機EL装置にも適用可能である。また、上記の各有機EL装置を変形し、光の三原色に対応した有機EL素子を配列してフルカラー画像を表示可能な表示装置としてもよい。この表示装置は本発明の範囲に含まれる。
また、本発明を適用可能な光学装置は、有機EL装置や無機EL装置などの発光装置に限らない。例えば、特定の波長の光を選択的に透過させる着色層を含む機能領域を複数備えたカラーフィルタ基板にも適用可能である。この場合、バンクに代わる隔壁としてブラックマトリクスが用いられる。ただし、本発明を適用可能なカラーフィルタ基板は、液状の材料を塗布し真空乾燥により一括して乾燥させて複数の着色層が形成されるものに限る。
<E:応用>
上述した上記の各有機EL装置は様々な電子機器に応用可能である。画像を示す画像データの供給を受けて当該画像データに応じた輝度で各発光素子を発光させることによって当該画像を表示する表示装置や、画像形成装置の像担持体の感光面に光を照射するライン型の露光装置として利用可能である。表示装置として利用される場合には、発光素子12がマトリクス状に配置されることになる。露光装置として利用される場合には、発光素子12が像担持体の感光面の進行方向を横切る方向に並ぶことになる。
[表示装置]
図7は、有機EL装置10を表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す図である。パーソナルコンピュータ2000は、表示装置としての有機EL装置10と本体部2010とを備える。本体部2010には、電源スイッチ2001およびキーボード2002が設けられている。
図8は、有機EL装置10を表示装置として採用した携帯電話機の構成を示す図である。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001およびスクロールボタン3002、ならびに表示装置としての有機EL装置10を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、有機EL装置10に表示される画面がスクロールされる。
図9は、有機EL装置10を表示装置として採用した携帯情報端末(PDA:Personal Digital Assistant)の構成を示す図である。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン4001および電源スイッチ4002、ならびに表示装置としての有機EL装置10を備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機EL装置10に表示される。
なお、本発明に係る発光装置が適用される表示装置、または当該表示装置を有する電子機器としては、図7から図9に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
本発明の実施の形態に係る有機EL装置(光学装置)の平面図である。 本発明の第1の実施の形態に係る有機EL装置10の断面図である。 有機EL装置10の製造工程を説明するための図である。 有機EL装置10の製造工程を説明するための図である。 本発明の第2の実施の形態に係る有機EL装置20の断面図である。 本発明の第3の実施の形態に係る有機EL装置30の断面図である。 有機EL装置10を表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す図である。 有機EL装置10を表示装置として採用した携帯電話機の構成を示す図である。 有機EL装置10を表示装置として採用した携帯情報端末の構成を示す図である。
符号の説明
10,20,30…有機EL装置(光学装置)、12,22,32…発光素子、11…基板、13…第1電極(陽極)、14,24,34…発光機能層(塗布層)、15…第2電極(陰極)、16,26,36…バンク(隔壁)、B11,B21…第1バンク(第1隔壁)、B12,B22,B32…第2バンク(第2隔壁)、E11…正孔注入層、E12,E22,E32…発光層。

Claims (8)

  1. 基板と、
    前記基板上の塗布領域に形成され、それぞれ光を出射する複数の塗布層と、
    前記基板上に形成され、前記複数の塗布層の形成領域を画定する隔壁とを備え、
    前記複数の塗布層の各々から射出された光を射出する光学装置であって、
    前記形成領域のうち前記塗布領域の端部における第1形成領域の体積は、前記形成領域のうち前記塗布領域の中央部における第2形成領域の体積よりも大きい、
    ことを特徴とする光学装置。
  2. 前記基板に略平行で前記複数の形成領域を横切る一または複数の平面において、前記第1形成領域が占める面積は前記第2形成領域が占める面積よりも広い、
    ことを特徴とする請求項1に記載の光学装置。
  3. 前記第1形成領域の厚みは、前記第2形成領域の厚みよりも厚い、
    ことを特徴とする請求項1に記載の光学装置。
  4. 前記隔壁は、
    前記形成領域の下部を画定する第1隔壁と、
    前記第1隔壁上に形成され、前記形成領域の上部を画定する第2隔壁とを有し、
    前記塗布領域の端部における前記第2隔壁の底面積は、前記塗布領域の中央部における前記第2隔壁の底面積よりも広い、
    ことを特徴とする請求項1に記載の光学装置。
  5. 基板と、
    前記基板上の塗布領域に形成され、それぞれ光を出射する複数の塗布層と、
    前記基板上に形成され、前記複数の塗布層の形成領域を画定する隔壁とを備え、
    前記複数の塗布層の各々から射出された光を射出する光学装置であって、
    前記隔壁は、
    前記形成領域の下部を画定する親液性の第1隔壁と、
    前記第1隔壁上に形成され、前記形成領域の上部を画定する撥液性の第2隔壁とを有し、
    前記塗布領域の端部における前記第1隔壁の厚みは、前記塗布領域の中央部における前記第1隔壁の厚みよりも厚い、
    ことを特徴とする光学装置。
  6. 基板と、
    前記基板上の塗布領域に形成され、それぞれ光を出射する複数の塗布層と、
    前記基板上に形成され、前記複数の塗布層の形成領域を画定する隔壁とを備え、
    前記複数の塗布層の各々から射出された光を射出する光学装置であって、
    前記隔壁は、
    前記形成領域の下部を画定する第1隔壁と、
    前記第1隔壁上に形成され、前記形成領域の上部を画定する第2隔壁とを有し、
    前記塗布領域の端部における前記第2隔壁の厚みは、前記塗布領域の中央部における前記第2隔壁の厚みよりも薄い、
    ことを特徴とする光学装置。
  7. 前記形成領域の底面積は前記塗布領域の全域にわたって均一である、
    ことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の光学装置。
  8. 請求項1ないし7のいずれか1項に記載の光学装置を備える電子機器。
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