JP2008001959A - 電極パターン形成方法 - Google Patents
電極パターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008001959A JP2008001959A JP2006174291A JP2006174291A JP2008001959A JP 2008001959 A JP2008001959 A JP 2008001959A JP 2006174291 A JP2006174291 A JP 2006174291A JP 2006174291 A JP2006174291 A JP 2006174291A JP 2008001959 A JP2008001959 A JP 2008001959A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- electrode
- mask
- electrode pattern
- mask material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】
本発明に係る電極パターン形成方法は、試料1の表面に対して、基材2の表面に粘着剤3が設けられたマスク材12,15を貼り付けることにより、試料1の表面の一部をマスクする工程と、マスク材12,15の上から試料1の表面に、気相成長法によって金属膜20を成膜する工程とを備え、基材2は、フッ素樹脂製であることを特徴とする。
【選択図】 図2
Description
(実施例)
(比較例)
Claims (4)
- 試料の表面に対して、基材の表面に粘着剤が設けられたマスク材を貼り付けることにより、前記試料の表面の一部をマスクする工程と、
前記マスク材の上から前記試料の表面に、気相成長法によって金属膜を成膜する工程と、
を備え、
前記基材は、フッ素樹脂製である電極パターン形成方法。 - 前記フッ素樹脂は、ポリテトラフルオロエチレンである請求項1に記載の電極パターン形成方法。
- 前記気相成長法は、真空蒸着法である請求項1又は2に記載の電極パターン形成方法。
- 前記金属は、金、銀、銅及びアルミニウムからなる群から選ばれる1の金属又はこの群から選ばれる2以上の金属の合金である請求項1〜3に記載の電極パターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006174291A JP4787088B2 (ja) | 2006-06-23 | 2006-06-23 | 電極パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006174291A JP4787088B2 (ja) | 2006-06-23 | 2006-06-23 | 電極パターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008001959A true JP2008001959A (ja) | 2008-01-10 |
JP4787088B2 JP4787088B2 (ja) | 2011-10-05 |
Family
ID=39006587
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006174291A Expired - Fee Related JP4787088B2 (ja) | 2006-06-23 | 2006-06-23 | 電極パターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4787088B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010121066A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Nitto Denko Corp | マスキング用粘着シートおよびテープならびにスパッタリングターゲットの製造方法 |
WO2013039196A1 (ja) * | 2011-09-16 | 2013-03-21 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び薄膜パターン形成方法 |
JP2013095993A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-20 | V Technology Co Ltd | マスクの製造方法 |
JP2013095992A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-20 | V Technology Co Ltd | 薄膜パターン形成方法及びマスク |
JP2013108143A (ja) * | 2011-11-22 | 2013-06-06 | V Technology Co Ltd | マスクの製造方法及びマスクの製造装置 |
JP2013173968A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | V Technology Co Ltd | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 |
US9334556B2 (en) | 2011-09-16 | 2016-05-10 | V Technology Co., Ltd. | Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern |
WO2023036200A1 (zh) * | 2021-09-10 | 2023-03-16 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种薄膜掩膜 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61123570A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-11 | Fujitsu Ltd | カラ−プリンタ |
JPS61227161A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-09 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 蒸着フイルムの製造方法 |
JPH09326388A (ja) * | 1996-06-05 | 1997-12-16 | Ulvac Japan Ltd | 低比誘電率高分子膜の形成方法及び層間絶縁膜の形成方法並びに低比誘電率高分子膜形成装置 |
JP2003193226A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-09 | Nitto Denko Corp | マスキング用粘着テープ及びその使用方法 |
JP2003286568A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Nitto Denko Corp | マスキング用粘着テープ |
JP2005133041A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Jsr Corp | 高誘電性ポリマーおよびその製造方法、ならびにフィルム |
JP2007056345A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Kansai Paint Co Ltd | 電極パターンの形成方法及び光電池モジュール |
-
2006
- 2006-06-23 JP JP2006174291A patent/JP4787088B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61123570A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-11 | Fujitsu Ltd | カラ−プリンタ |
JPS61227161A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-09 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 蒸着フイルムの製造方法 |
JPH09326388A (ja) * | 1996-06-05 | 1997-12-16 | Ulvac Japan Ltd | 低比誘電率高分子膜の形成方法及び層間絶縁膜の形成方法並びに低比誘電率高分子膜形成装置 |
JP2003193226A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-09 | Nitto Denko Corp | マスキング用粘着テープ及びその使用方法 |
JP2003286568A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Nitto Denko Corp | マスキング用粘着テープ |
JP2005133041A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Jsr Corp | 高誘電性ポリマーおよびその製造方法、ならびにフィルム |
JP2007056345A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Kansai Paint Co Ltd | 電極パターンの形成方法及び光電池モジュール |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010121066A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Nitto Denko Corp | マスキング用粘着シートおよびテープならびにスパッタリングターゲットの製造方法 |
WO2013039196A1 (ja) * | 2011-09-16 | 2013-03-21 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び薄膜パターン形成方法 |
US9334556B2 (en) | 2011-09-16 | 2016-05-10 | V Technology Co., Ltd. | Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern |
US9555434B2 (en) | 2011-09-16 | 2017-01-31 | V Technology Co., Ltd. | Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern |
US9555433B2 (en) | 2011-09-16 | 2017-01-31 | V Technology Co., Ltd. | Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern |
US9586225B2 (en) | 2011-09-16 | 2017-03-07 | V Technology Co., Ltd. | Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern |
JP2013095993A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-20 | V Technology Co Ltd | マスクの製造方法 |
JP2013095992A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-20 | V Technology Co Ltd | 薄膜パターン形成方法及びマスク |
JP2013108143A (ja) * | 2011-11-22 | 2013-06-06 | V Technology Co Ltd | マスクの製造方法及びマスクの製造装置 |
JP2013173968A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | V Technology Co Ltd | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 |
WO2023036200A1 (zh) * | 2021-09-10 | 2023-03-16 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种薄膜掩膜 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4787088B2 (ja) | 2011-10-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4787088B2 (ja) | 電極パターン形成方法 | |
JP5228586B2 (ja) | 蒸着用マスク、ならびにそれを用いる蒸着パターン作製方法、半導体ウェーハ評価用試料の作製方法、半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2008255435A (ja) | 蒸着用マスク、ならびにそれを用いる蒸着パターン作製方法、半導体ウェーハ評価用試料の作製方法、半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2008255433A (ja) | 蒸着用マスク、ならびにそれを用いる蒸着パターン作製方法、半導体ウェーハ評価用試料の作製方法、半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法 | |
US20190391103A1 (en) | Method for manufacturing a relative humidity sensor and relative humidity sensor | |
JP2010230369A (ja) | 電極構造及び当該電極構造の製造方法並びに電気化学センサ | |
JPH0340483B2 (ja) | ||
JPH06252056A (ja) | 微細物質の固定ならびに電極形成法 | |
CN112285182A (zh) | 一种高精度叉指电极、其制备方法和应用 | |
US9709453B2 (en) | Pressure sensor and method for manufacturing the same | |
JP6245036B2 (ja) | 赤外線検知装置 | |
KR102606035B1 (ko) | 레이저를 이용한 센서제조방법 및 이 방법에 의하여 제조된 센서 | |
US8879274B2 (en) | Method of manufacturing an electrical component | |
US11427731B2 (en) | Adhesive silicon oxynitride film | |
JP6319567B2 (ja) | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ | |
KR101421641B1 (ko) | 박막 증착 장치 및 박막 증착 장치의 박막 면저항 모니터링 방법 | |
RU2544864C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы датчика механических величин | |
JP2010147963A (ja) | 水晶振動子の製造方法及びその装置 | |
RU2554083C1 (ru) | Способ изготовления нано- и микроразмерной системы датчика физических величин с заданным положительным температурным коэффициентом сопротивления резистивных элементов | |
JP2003019624A (ja) | 電解放電加工を用いたキャパシタの作製方法 | |
JPH04155253A (ja) | 容量式薄膜湿度センサおよびその製造方法 | |
JPS6395347A (ja) | 湿度センサ | |
CN114459624A (zh) | 内埋式薄膜热电偶及其制备方法 | |
Munro et al. | MEMS Fabrication Process | |
JP2010035502A (ja) | 表面修飾基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090529 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110307 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110329 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110530 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110621 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110714 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4787088 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140722 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |