JP2007533107A - 増強されたハイブリッド固体センサ - Google Patents

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Abstract

画像からの光を電子に変換する光電陰極(54)と、光電陰極からの電子を受け取る電子倍増化デバイス(53)と、電子倍増化デバイス(53)の複数のチャネルを介することにより電子倍増化デバイスからの電子を受け取る複数の画素を含んだ固体画像センサ(56)とを含む増強された固体画像化センサ(41)である。固体画像センサ(56)は、電子倍増化デバイス(53)から受け取った電子から増強された画像信号を生成する。複数のチャネルが複数のチャネルパターンで配列され、複数の画素が複数の画素パターンで配置される。複数のチャネルパターンの各々は、複数のチャネルパターンの各々からの電子信号が、複数の画素パターンのうちのそれぞれの単一の画素パターンによって実質的に受け取られるように、複数の画素パターンのうちのそれぞれの1つにマッピングされる。

Description

(関連出願)
本出願は、発明者Rudolph G.Benz,Nils I.Thomas,およびArlynn W.Smithの利益のために2001年10月9日に出願され、INTENSIFIED HYBRID SOLID−STATE SENSOR WITH AN INSULATING LAYER題された係属中の米国特許第09/973,907号の一部係属出願である。上記出願は、本発明の譲受人に譲渡されており、参照のため、本明細書に援用される。
(技術分野)
本発明は、増強されたハイブリッド固体センサを対象としている。特に、本発明は、マイクロチャネルプレート(MCP;microchannel plate)と光電陰極とに物理的に近接して接続されたCMOSまたはCCD検出デバイスを用いた画像増強器に関する。
本発明は、例えばCMOSまたはCCDデバイスのような固体センサを用いた画像増強デバイスに関する。画像増強デバイスは、輝度が低い光を増幅するためまたは不可視光を容易に視覚可能な光に変換するために用いられる。特に、画像増強デバイスは、赤外光からの画像を提供することに有用であり、多くの産業的応用と軍事的応用とを有する。例えば、画像増強管は、飛行士の夜間視力を高めるために、天体を撮影するために、および網膜色素変性症(夜盲症)の患者に夜間視力を提供するために用いられる。
従来技術において、既知な画像増強デバイスは、3種類存在する。カメラ用の画像増強管、全固体のCMOSまたはCCDセンサ、ハイブリッドなEBCCD/CMOS(電子打ち込み式(Electronic Bombarded)CCDまたはCMOSセンサ)。
画像増強管は、良く知られており、多くの産業にわたって用いられている。図1を参照すると、現状における従来技術の第3世代(GENIII)画像増強管10が示されている。そのような従来技術におけるGENIII画像増強管の使用例は、REPLACEMENT DEVICE FOR A DRIVER’S VIEWERと題されたNaselli等による特許文献1、およびTELESCOPIC SIGHT FOR DAYLIGHT VIEWINGと題されたPhillipsによる特許文献2に例示されている。示されているGENIII画像増強管10、および両引用文献におけるGENIII画像増強管は、本明細書における譲受人であるITT Corporationによって現在製造されている種類のものである。図1に示されている画像増強管10において、赤外エネルギーは、光電陰極12に入射する。光電陰極12は、片面を反射防止層16によってコートされているガラス面プレート14、ガリウム・アルミニウム・ヒ素(GaAlAs;gallium aluminum arsenide)ウィンドウ層17、およびガリウム・ヒ素(GaAs;gallium arsenide)アクティブ層18から構成されている。赤外エネルギーは、GaAsアクティブ層18によって吸収され、これにより、電子/ホールの対が生成される。その後、生成された電子は、GaAsアクティブ層18上に存在する陰電子親和性(NEA;negative electron affinity)コート20を介して、真空の筺体22に放射される。
マイクロチャネルプレート(MCP)24は、真空の筺体22内に配置され、光電陰極12のNEAコーティング20に隣接している。従来、MCP24は、導電性の入力表面26と導電性の出力表面28とを有するガラスから形成されていた。一旦電子が光電陰極12を出ると、上記電子は、入力表面26と光電陰極12との間の約300〜900ボルトの電位差により、MCP24の入力表面26に向かって加速される。MCP24の入力表面26に電子が打ち込まれる際、MCP24内で第2の電子が生成される。MCP24は、数百の電子を生成し、各電子は、入力表面26に入る。MCP24は、典型的には約1100ボルトである入力表面26と出力表面28との間の電位差を被る。これにより、上記電位差は、電子の倍増を可能にする。
倍増された電子がMCP24を出る際、上記電子は、蛍光体スクリーン30と出力表面28との間の約4200ボルトの電位差により、真空の筺体22を介して蛍光体スクリーン30に向かって加速される。電子が蛍光体スクリーン30に入射する際、1つの電子に対して多数の光子が生成される。光子は、画像増強管10に対する出力画像を光学的変換エレメント31の出力表面28の上に生成する。
図1に示されているような画像増強器は、その他の形態の画像増強器に対する利点を有している。第1に、増強器は、対数的なゲイン曲線を有している。すなわち、ゲインは、入力光のレベルが増加するのに伴って減少する。このことは、ヒトの目が、明るい光が暗い光と同じ光景に存在するときに、特に応答することにマッチしている。ほとんどの固体デバイスは、線形応答を有する。すなわち、明るい光ほど出力信号が明るくなる。結果として、固体システムを見る人にとって、明るい光は過度に明るく見えるようになり、場面(scene)を洗い流してしまう傾向がある。固体センサは、入力光が増加するのに伴ってゲインを減少させるように改変され得るが、これには、シャッターを用いるかアンチ・ブルーミング制御を用いるかして増幅器のゲインを変化させることが必要になる。
画像増強器のその他の利点は、広範囲の入力光レベルにわたる機能性である。電力供給は、陰極の電圧を制御し、これにより、管(tube)のゲインを場面に適合するように変化させることができる。このため、管は、曇天下での星明りから日中の条件にまで機能することができる。
しかしながら、画像増強器/Iカメラは、数多くの不都合を被る。蛍光体スクリーンの電子光学素子は、低コントラスト画像を生成する。この結果、画像増強器を介して見たときに、人間の観測者または固体センサからは、対象がぼやけて見えることになる。この欠点は、さらなる画像増強器の発展によりいくぶん低減されてきたが、一般に、固体画像器(solid−state imager)は、より優れた性能を有している。
画像増強器/Iカメラに関する別の不都合は、「光輪(halo)」である。光輪は、MCPまたはスクリーンのいずれかから反射した電子から発生する。その後、反射した電子は、増幅され、オリジナル画像の周辺において、輪の形態をした光に変換される。画像管において、MCPから反射した電子からの光輪は、最近製造されている管では無視し得る程度の効果に低減されている。しかしながら、陰極の光輪はある程度存在しなくても、スクリーン部からの光輪は、依然として存在する。それにも関わらず、スクリーンの光輪は、CCDまたはCMOSの配列が画像増強器に接続されるときに、画像化システムにおいて、依然として顕著な欠陥となる。このことは、これらの配列が、スクリーンの光輪における低レベルの光を、目よりも感知することができるためである。
別の不都合は、画像増強器が電子的な読み出しを提供する方法を有していないという点である。電子的な読み出しは、熱センサからの画像を増強された画像と組み合わせ、その結果、両スペクトラムからの情報を同時に視覚され得るようにするために、必要とされる。1つの解決策は、CCDまたはCMOSの配列を画像増強管と結合させることにより、Iカメラを作ることであった。固体デバイスが画像管に結合されるとき、その結果物としてのカメラは、低コントラストな画像管の性能欠陥のすべてを有し、結合の非効率性とカメラに対する画像管の追加的な費用のために、しばしば限界分解能が低くなる。
典型的に、固体デバイスは、CCDまたはCMOSを有する。これらは、直接的に光を検出することにより、信号を固体増幅器に電気的に転送し、その後テレビ方式の受像管または液晶ディスプレイのようなディスプレイのいずれかに画像を表示する。図2aおよび2bは、典型的なCCDセンサのフローチャートとブロック図とを示している。
CCDおよびCMOSセンサは、固体デバイスである。すなわち、真空の被覆は存在せず、出力信号は、センサ内部を除くどこかに表示され得る電子信号である。固体デバイスは、5〜15ボルトの電力で動作する。光は、「s」とラベル付けされた個々の画素において検出され、複数の電子に変換される。上記電子は、画素が格納レジスタによって読み出されるまで、この画素に格納される。その後、複数の画素に格納された電子的な情報は、格納レジスタから読み出しレジスタに転送され、さらにその後、出力増幅器に、またその後、陰極線管のようなビデオ表示デバイスに転送される。
全固体デバイスの不都合な点は、低い光レベルでの性能が低いことと、明るい光源からの潜在的なブルーミングと、限界分解能が低いことと、電力消費量が高いことである。低い光レベルでの性能の低さは、信号対ノイズ比を低くする結果をもたらす暗電流と読み出しノイズとに起因する。ノイズ源に打ち勝つように十分な信号が提供されるため、読み出しに先立って信号のゲイン機構が提供される場合にこの問題点は打ち消される。通常、固体デバイスのアーキテクチャは、読み出しに先立つ増幅部を許容しない。限界分解能の低さは、画素のサイズに起因する。通常、画素のサイズは、大きな信号を収集し、これにより信号対ノイズ比を増加させるように選択される。これらの不都合は、夜間視力アプリケーションにおいて固体センサを用いることを実質的に妨げてきた。固体デバイスの利点は、特に固体センサがCMOS配列である場合における、画像増強器/Iカメラと比較して優れた画像コントラストと、電子的読み出しの可用性と、低コストである。
以上のように、画像増強器と固体センサの強さと弱さを互いに補い合い、両デバイスを理論的に組み合わせることは、より優れた性能を付与し得る。画像増強器/Iカメラの代替物として提供されるそのような組み合わせの1つは、電子打ち込み式CCD/CMOS(EBCCD/CMOS)センサである。このデバイスは、光電陰極と、画像管の被覆体(body envelope)と、この被覆体の内部に統合されたCCDまたはCMOSセンサのいずれかによって構成される。EBCCD/CMOSの説明のための例示は、図3に示されている。結果として生じる電子が、電子打ち込みにより、固体センサのシリコン内で増幅されるように、電極と固体センサとの間に高電圧が印加される。
EBCCD/CMOSデバイスの利点は、上記デバイスが電子読み出しを提供するという点である。しかしながら、不都合な点は数多く存在する。第1に、場面内のダイナミックレンジは、圧縮される。このことは、明るい物体が暗い物体と隣合っているときに、場面内の全コントラストが、画像増強器/Iカメラならびに全固体デバイスと比較して低減されるということを意味している。第2に、センサは、電子が固体センサから反射されるために、明るい光の周辺において、画像の「光輪」による劣化を被る。この光輪は、通常の画像管に存在する。しかしながら、技術的な進展は、存在しないと言ってもよい程度にまで、光輪を低減している。第3に、デバイスを動作させるために要求される超高電圧(2〜10kV)は、シリコン表面にダメージを与え、時間につれ性能の低下をもたらす。
このため、本発明の目的は、優れた信号対ノイズ比、高い対数的ゲインの画像増強器の機能と、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)または電荷結合素子(CCD)のいずれかの電子読み出し機能とを組み合わせることである。
米国特許第5,029,963号明細書 米国特許第5,084,780号明細書
(発明の要約)
本発明の例示的な実施形態にしたがうと、増強された固体画像化センサは、画像からの光を電子に変換する光電陰極を含む。増強された固体画像化センサはまた、光電陰極からの電子を受け取る電子倍増化デバイスをも含む。電子倍増化デバイスは、電子倍増化デバイスが光電陰極から受け取るよりも多数の電子を出力する。増強された固体画像化センサはまた、電子倍増化デバイスの複数のチャネルを介することにより、電子倍増化デバイスからの電子を受け取る、複数の画像を含む固体画像センサをも含む。固体画像センサは、電子倍増化デバイスから受け取った電子から増強された画像信号を生成する。複数のチャネルは、複数のチャネルパターンで配置されており、複数の画素は、複数の画素パターンで配置されている。複数のチャネルパターンの各々は、複数のチャネルパターンの各々からの電子信号が、複数の画素パターンのうちのそれぞれの単一の画素パターンによって実質的に受け取られるように、複数の画素パターンのうちのそれぞれの1つにマッピングされている。
本発明がさらに明確に理解されるようにするため、本発明は、添付の図面と関連して、さらに詳細に開示される。
(好ましい実施形態に関する詳細な記述)
本発明の実施形態の好ましい特徴は、図面を参照して以下で記述される。本発明の精神および範囲は、説明のために選択された実施形態に制限されないことが理解され得る。さらに、図面は特定の倍率または比率にはされていない。以下で記述される任意の構成および材料は、本発明の範囲内で改変され得ることを意図されている。
同時係属中のシリアル番号09/973,907号の米国特許において、本発明は、増強されたハイブリッド固体センサを提供するものとして記述されている。本発明による固体センサは、画像増強器の陰極と、マイクロチャネルプレート(MCP)と、被覆体とから組み立てられた固体センサを備える画像化デバイスを含む。このデバイスは、優れた信号対ノイズ比、高い対数的ゲインの画像強化器の最良の機能と、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)または電荷結合素子(CCD)のいずれかの電子読み出し機能とを組み合わせる。本発明の応用は、暗い光の感度が優れ高いゲインが要求される夜間視力システムが主なものである。
図4Bは、本発明にしたがう増強されたハイブリッド固体センサデバイス41のスキーム的表現である。センサ41は、標準的な画像管の光電陰極54と、マイクロチャネルプレート(MCP)53と、固体画像化センサ56とを備える。固体画像化センサ56は、任意のタイプの固体画像化センサであり得る。好ましくは、固体画像化センサ56は、CCDデバイスである。さらに好ましくは、固体画像化センサ56は、CMOS画像化センサである。図5Aは、画像化センサ56’のような背面薄板化型(back−thinned)CCD画像化デバイスを示している。本実施形態において、MCP53は、背面薄板型CCDセンサ56’に接続されている。背面薄板型CCD56’は、例えば拡散収集領域(diffusion collection area)56’のような電子受け取り表面と、読み出し領域62とを備える。図5Bは、標準的なCCD56’’に接続されたMCP53を含む、代替的な標準的CCD画像化デバイスを示している。CCD56’’は、酸化物のカバー63と複数の収集ウェル64とを含む。図5Cは、CMOS基板56’’と複数の収集ウェル65とを含むCMOSセンサのようなセンサを示している。
様々な理由により、CCDベースの画像センサは、多くの用途に対して限定的であるか、実用的ではない。第1に、CCDは、高性能を達成するために、埋め込み型チャネルの埋め込みを有する少なくとも2つのポリシリコン層を必要とする。このことは、CCDは標準的なCMOS製造工程によっては製造され得ないということを意味する。第2に、CCDベースの画像器が自らとアプリケーション内のその他のデバイスとを統合させるのに必要なデバイスを含まないために、CCDベースの画像器によって達成され得る統合のレベルが、低いということである。最後に、例えばデジタル信号プロセッサ(DSP;Digital Signal Processor)やその他の画像処理回路のような、システム基板上のその他のデバイスに対する画像配列の外にデータを転送するのに用いられる回路は、その他の回路よりも大きな容量を有し、高い電圧を必要とするということである。これらのキャパシタに対する充電と放電とに関連する電流は、通常は顕著であり、CCD画像器は、携帯型または充電動作型のアプリケーションに対して特によく適合している。
そのようなものとしては、標準的なCMOS工程を用いた集積回路から製造される低価格な画像センサが望ましい。特に、CMOSタイプの画像器センサ、光ダイオード、光トランジスタまたはその他の類似のデバイスが、光検出エレメントとして用いられる。光検出エレメントの出力は、上記エレメントによって受け取られる光の大きさにほぼ比例する大きさのアナログ信号である。CMOS画像器は、小さな電力しか用いず、製造コストが安く、CCD工程を用いて製造された画像器と比較して高いシステム統合性を提供するため、いくつかのアプリケーションに好適である。さらに、CMOS画像器は、論理トランジスタの製造に用いられるのに一般に用いられる工程を用いて製造され得るという追加的な利点を有する。本発明の好ましい実施形態は、CMOSセンサを画像センサ56として実装するが、任意の固体画像化センサが機能し、本出願の範囲内に存在し得る。
再び図4Bを参照すると、光電陰極54は、任意の既知のタイプの画像増強デバイスに用いられるのと同じ標準的な光電陰極であり得る。光電陰極54は、GaAs,Bialkali,InGaAs,および類似のものであり得るが、それらには制限されない。光電陰極54は、入力側54aと出力側54bとを含む。MCP53は、シリコン材料またはガラス材料であり得るがそれらには限定されず、好ましくは約10mm〜25mmの厚さであり得る。MCP53は、入力表面49と出力表面50との間に形成された複数のチャネル52を有する。複数のチャネル52は、任意のタイプの輪郭、例えば円形の輪郭52’(図6A)または四角い輪郭52’’(図6B)を有し得る。MCP53は、画像化センサ56の電子受け取り表面56aに接続されている。
好ましくは、MCP53の出力表面50は、画像化センサ56の電子受け取り表面56aと物理的に接触している。しかしながら、MCP53と画像化センサ56との間に絶縁が必要であり得る。したがって、薄型絶縁スペーサ55が、MCP53の出力表面50と画像化センサ56の電子受け取り面56aとの間に挿入され得る。絶縁スペース55は、厚さがわずか数ミクロンの任意の電気的絶縁材料、好ましくは薄層で形成され得、画像化センサ56の電子受け取り面56aの上に堆積される。例えば、そのような絶縁スペーサは、約10μmの薄膜であり得るが、それには制限されない。代替的に、絶縁スペーサ55は、MCP53の出力表面50の上に形成される膜(図示されず)であり得る。
CMOS画像化センサ56は、電子受け取り表面56aと出力表面56bとを含む。MCP53から放射された多数の電子47は、電子受け取り表面56aに衝突する。電子受け取り表面56aは、CMOS基板56’’’と複数の収集ウェル65とを備える(図5C)。収集ウェル65に収集される電子47(図4B)は、CMOSセンサに対する標準的な信号処理装置を用いて画像信号を生成するように処理され、上記信号は、出力56bを介することにより、画像表示デバイス46に送信される。
電気的バイアス回路44は、センサ41にバイアス電流を提供する。電気的バイアス回路44は、第1の電気的接続42と第2の電気的接続43とを含む。第1の電気的接続42は、光電陰極54とMCP53との間にバイアス電圧を提供する。第1の電気的接続42からのバイアス電圧は、CCD電圧、すなわち2〜10kVに対するEBCCD/CMOSセンサ電極のバイアス電圧に比べて好ましくは低くなるように設定される。例えば、好ましいバイアス電圧の1つは、画像管のそれと同等、例えば〜1400Vであり得る。第2の電気的接続43は、MCP53とCMOSセンサ56との間のバイアス電圧を印加する。好ましくは、第2の電気的接続43を介して印加されるバイアス電圧は、従来技術においては約4200Vである(図1参照)画像管、すなわちスクリーンよりも顕著に低い。例えば、第2の電気的接続43を介して印加されるバイアス電圧は、〜100Vであり得るが、それには制限されない。図4Aは、センサ41の潜在的な構成の1つを図示している。この構成において、光電陰極54、MCP53、および画像化センサ56は、単一ユニットとして、互いに物理的に隣接し合って真空の筺体または被覆61に維持される。
図4Bを参照すると、動作中、画像57からの光58、59は、光電陰極54の入力側54aを介することにより、増強されたハイブリッド固体センサ41に入る。光電陰極54は、光電陰極54の出力側54bからの出力である電子48への入力光を変化させる。光電陰極54を出る電子48は、MCP53の入力表面49を介して複数のチャネル52に入る。電子48は、MCP53の入力表面49に打ち込まれ、第2の電子がMCP53の複数のチャネル52内で生成される。MCP53は、複数のチャネル52の各々において、各電子が入力表面49を介して入る間に、数百の電子を生成し得る。このため、複数のチャネル52を出る電子47の数は、複数のチャネル52に入る電子48の数よりも顕著に多くなる。増強された数の電子47は、MCP53の出力表面52を介して複数のチャネル52を出、CMOS画像化デバイス56の電子受け取り表面56aに衝突する。
図6A〜6Bは、多数の電子47がいかにして複数のチャネル52(すなわち、図6Aにおける複数のチャネル52’、図6Bにおける複数のチャネル52’’)を出てCMOS画像化センサ56の特定の収集ウェル65’に衝突するかを図示している。これらの図示に見ることができるように、収集ウェル65’と電子47を放射する多数のチャネル52との間にある関係が存在する。一般に、MCP53の隣接しあう複数のチャネル52は、所定のチャネルピッチ52aによって分離されている。図6A〜6Bは、収集ウェル65’あたりに2つ以上のチャネル52をもたらすチャネルピッチ52aを図示している。
図7A〜7Cは、本発明にしたがうCMOSウェル/チャネルピッチの関係についての3つの異なる代替物を示している。図7Aは、チャネルピッチ52とCMOSウェル65’との間の1つの関係を図示している。この場合、CMOSウェル65’のサイズが比較的大きい一方で、チャネルピッチ52は比較的小さい。このことは、2つ以上のチャネル52からのいくつかの電子47がCMOS収集ウェル65’に衝突することを可能にする。図7Bは、別のCMOSウェル/チャネルピッチの関係を図示している。この実施形態において、チャネルピッチ52とCMOS収集ウェル65’のサイズとは、ほぼ1対1の関係にある。そのような単一のチャネル52からの電子47’は、単一の収集ウェル65’に衝突する。図7Cは、別のCMOSウェル/チャネルピッチの関係を図示しており、ここではチャネルピッチ52は比較的大きくCMOS収集ウェル65’のサイズは比較的小さい。この場合、単一のチャネル52からの電子47’’は、複数の収集ウェル65’に衝突する。これら構造の各々は様々な利点を提供するが、図7Aに図示されている関係が、本発明に好適である。
結果として、増強されたハイブリッド固体センサは、その他の従来技術のどの考え方によるものよりも、異なる条件下で動作する。結果として、MCP53は、ハイブリッドデバイスを与えるCMOSセンサ56の上に直接的に搭載され得る。上記ハイブリッドデバイスは、全固体デバイスと同等なコントラストであり、光輪が小さく、信号対ノイズ比が優れ、画像管の対数的ゲインを有するハイブリッドデバイスである。動作電圧が低いため、画像強化器が曇天下での星明りの条件から日中の動作までの動作を許容するのと同様に、ハイブリッドデバイスは、ゲートされ得る。ハイブリッドセンサは、MCP53とCMOSセンサ56との間の物理的ギャップの不足(lack)に由来する優れた光輪を有する。2つのコンポーネントにおけるこの物理的ギャップの不足はまた、EBCCD/CMOSまたは画像強化されたカメラと比較したときにコントラストが改良されていることの理由でもある。ハイブリッドデバイスはまた、画像管の対数的ゲイン曲線を有する。EBCCD/CMOSセンサとは異なり、ハイブリッドセンサは、低電極電圧のためにゲートされ得る。
画像増強管における多くのコンポーネントは、サンプリングデバイスに関係する。そのようなサンプリングデバイスは、入力信号の離散的な空間サンプル(spatial sample)を収集し、サンプリングされた離散的な出力信号を提供する。画像増強管におけるそのようなサンプリングデバイスの例は、マイクロチャネルプレートと光ファイバースクリーンである。例えば、MCPは、入力電子を細孔/チャネルに収集し、全く同じ正孔/チャネルから電子を出力する。光ファイバーデバイスの場合、個々のファイバーは光の空間サンプルを収集し、これにより、光をファイバー内に束縛し、サンプリングされた画像をファイバーの出力に投影する。
そのような空間的にサンプリングされた信号がいくつかのパターンのそれぞれにいつオーバーレイされるかは、出力において観察され得る。図8は、電子倍増化デバイスの複数のチャネルによってオーバーレイされた固体画像センサの画素に関係する構成800を図示している。特に、構成800は、電子倍増化デバイスのチャネル804a,804b,804c,804d,804e,804f、および804gによってオーバーレイされた固体画像センサの画素802a,802b,802cおよび802dを図示している。構成800は、固体画像センサと電子倍増化デバイスとの間のサンプリングの位置あわせミス(misalignment)を図示している。特に、チャネル804a、804b,804c,804d,804e,804fおよび804gの一部は、画素802a,802b,802c,および802dと位置あわせされている。しかしながら、チャネル804a,804b,804c,804d,804e,804fおよび804gの他の部分は、画素802a,802b,802cおよび802dと位置あわせされている。
これら位置あわせミスは、(例えばモニタを見る人によって)視覚されるとき、多くの望ましくない電気光学的パターンのうちの1つとして出現し得る。例えば、そのような電気光学的パターンは、モアレ(Moire)として知られている。モアレ(およびエイリアシングのようなその他の電気光学的パターン)は、そのような位置あわせミスされたパターンを介して実際の対象物を見ようとする人を非常に当惑させる傾向がある。
そのような光学的パターン(すなわち、位置あわせミスされたパターン)は、1つのエレメントから別のエレメントへの光学的伝送品質が非常に優れているときに、しばしば明確になる。例えば図8は、そのような高い伝送品質を図示している。図8において、画素の辺(edge)および/またはチャネルがそれほど明確ではない(すなわち、辺があいまいである)ときに、視覚されている実際の画像は、モアレパターンを表示し得ない。電子倍増化デバイス(例えば、MCP)が固体画像センサ(例えば、CMOS画像器)と接触している(または実質的に接触している)ときに、電子倍増化デバイスのチャネルと固体画像センサの画素との間で非常に高品質な伝送が発生し得る。そのような構成において、例えばモアレのような光学的位置あわせミスされたパターンは、視覚可能となる傾向がある。
本発明の例示的な実施形態にしたがうと、モアレとその他の望ましくない光学的パターンとは、以下により、無効化されるか実質的に低減される。(1)電子倍増化デバイスの複数のチャネルを複数のチャネルパターンに配置すること、(2)固体画像センサの複数の画素を複数の画素パターンに配置すること、(3)複数のチャネルパターンの各々を、複数のチャネルパターンの各々からの電子信号が複数の画素パターンのうちのそれぞれの単一の画素パターンによって実質的に受け取られるように、複数の画素パターンのそれぞれの1つにマッピングすること。この位置あわせは、複数のチャネルパターンの各々からの信号が、(図8に図示されているような)光学的位置あわせミスが発生しないように複数の画素パターンのうちのそれぞれの1つに実質的に位置あわせされている限りにおいて、多くの構成のうちの任意のものであり得る。
本発明の別の実施形態にしたがうと、複数のチャネルパターンの各々は、上記複数の画素パターンのうちのそれぞれの1つと回転的に並べられているか、並進的に並べられている。
例えば、図9Aは、例示的なマッピング900を図示しており、ここではマッピング900は、電子倍増化デバイスの複数のチャネル(4チャネルパターンとして配置され、各々のチャネルパターンは単一のチャネルを含む)によってオーバーレイされた固体画像センサの複数の画素(4画素パターンとして配置され、各々の画素パターンは単一の画素を含む)を含んでいる(図9Aにおける複数の画素パターンに対する複数のチャネルパターンののマッピング/記録により、マッピングの各々は単一の四角形として現れる。しかしながら、四角形の各々は、実際にはチャネルパターンによってオーバーレイされる画素パターンを表している)。特に、マッピング900は、複数のチャネル904a,904b,904c,および904d(各々は単一チャネルを有するチャネルパターンを表している)によってオーバーレイされた固体画像センサの画素902a,902b,902c,および902d(各々は単一画素を有する画素パターンを表している)を図示している。この実施形態において、複数のチャネル904a,904b,904c,および904dのうちの1つは、複数の画素902a,902b,902c,および902dのうちの対応する1つに位置あわせ/マッピングされている。さらに、複数のチャネル(例えばMCPの細孔)は、複数の画素と実質的に同じサイズであり、複数の画素と実質的に同じ中心間(center−to−center)スペースを有している。
本発明の特定の例示的な実施形態において、画像化センサの組み立ての間に、電子倍増化デバイスのチャネルを固体画像センサの画素と位置あわせすることが望ましい。適切な位置あわせを確実にするための組み立て方法の1つは、電子倍増化デバイスを介して光を放ち、これにより固体画像センサの反射パターンの観察を可能にする方法である。望ましくない位置あわせミスのパターン(例えばモアレ)が視覚可能であるとき、電子倍増化デバイスのチャネルは、実質的に固体画像化センサの画素と位置あわせされる。もちろん、位置あわせのためのその他の方法も利用することができる。
図9Aは、電子倍増化デバイスのチャネルパターンと固体画像センサのそれぞれの画素パターンとの位置あわせを提供する多くのマッピング構成のうちのただ1つに過ぎない。多くの追加的構成が可能である。図9B〜9Eは、そのようなマッピング構成の追加的な例である。
図9Bは、例示的なマッピング910を図示しており、ここでは、マッピング910は、電子倍増化デバイスの複数のチャネル(4チャネルパターンとして配置され、各々のチャネルパターンは単一のチャネルを含む)によってオーバーレイされた固体画像センサの複数の画素(4画素パターンとして配置され、各々の画素パターンは単一の画素を含む)を含んでいる。特に、マッピング910は、複数のチャネルパターン914a,914b,914c,および914d(各々は単一チャネルを有するチャネルパターンを表している)によってオーバーレイされた固体画像化センサの画素912a,912b,912c,および912d(各々は単一画素を有する画素パターンを表している)を図示している。この実施形態において、複数のチャネル914a,914b,914cおよび914dのうちの1つは、複数の画素912a,912b,912cおよび912dのうちの対応する1つに位置あわせされている。図9Bに図示されている実施形態は、図9Aに図示されている実施形態に類似している。図9Aにおいては、電子倍増化デバイスのチャネルと固体画像センサの画素との間に1対1の相関関係が存在する。しかしながら、図9Bにおける電子倍増化デバイスのチャネルは、固体画像センサの画素とは実質的には同じサイズおよび/または形状ではない。それにも関わらず、電子倍増化デバイスのチャネルと固体画像センサの画素とは互いに位置あわせされている。位置あわせのため、望ましくない光学的パターン(例えばモアレ)の実質的な低減が潜在的に存在する。
図9Cは、例示的なマッピング920を図示しており、ここでは、マッピング920は、電子倍増化デバイスの複数のチャネル(4チャネルパターンとして配置され、各々のチャネルパターンは単一のチャネルを含む)によってオーバーレイされた固体画像センサの複数の画素(4画素パターンとして配置され、各々の画素パターンは単一の画素を含む)を含んでいる。特に、マッピング920は、複数のチャネル924a,924b,924c,および924d(これらの4つとも、単一のチャネルパターンを表している)によってオーバーレイされた固体画像センサの複数の画素922a,922b,922c,および922d(各々は単一画素を有する画素パターンを表している)を図示している。この実施形態において、複数の画素922a,922b,922c,および922dのうちの1つは、対応するチャネルパターンにマッピング/位置あわせされている。上記チャネルパターンにおいて、各チャネルパターンは、4つのチャネル(すなわち、それぞれ924a,924b,924c,924dの4つのチャネル)を含んでいる。電子倍増化デバイスのチャネルパターンと固体画像センサの画素パターンとのマッピング/位置あわせは、望ましくない光学的パターン(例えばモアレ)の実質的な低減を潜在的に発生する。
図9Dは、例示的なマッピング930を図示しており、ここでは、マッピング930は、電子倍増化デバイスの複数のチャネル(9チャネルパターンとして配置され、各々のチャネルパターンは単一のチャネルを含む)によってオーバーレイされた固体画像センサの複数の画素(9画素パターンとして配置され、各々の画素パターンは単一の画素を含む)を含んでいる。特に、マッピング930は、複数のチャネル934a,934b,934c,934d,934e,934f,934g,934h,および934i(各々は単一のチャネルを含むチャネルパターンを表している)によってオーバーレイされた固体画像センサの複数の画素932a,932b,932c,932d,932e,932f,932g,932h,および932i(各々は単一画素を含む画素パターンを表している)を図示している。この実施形態において、複数のチャネル934a,934b,934c,934d,934e,934f,934g,934h,および934iのうちの1つは、複数の画素932a,932b,932c,932d,932e,932f,932g,932h,および932iのうちの対応する1つに位置あわせ/マッピングされている。電子倍増化デバイスのチャネルパターンと固体画像センサの画素パターンとのマッピング/位置あわせは、望ましくない光学的パターン(例えばモアレ)の実質的な低減を潜在的に発生する。
図9Eは、例示的なマッピング940を図示しており、ここでは、マッピング940は、電子倍増化デバイスの複数のチャネル(4チャネルパターンとして配置され、各々のチャネルパターンは単一のチャネルを含む)によってオーバーレイされた固体画像センサの複数の画素(4画素パターンとして配置され、各々の画素パターンは4つの画素を含む)を含んでいる。特に、マッピング940は、電子倍増化デバイスの複数のチャネル944a,944b,944c,および944d(各々は単一チャネルを有するチャネルパターンを表している)によってオーバーレイされた固体画像センサの複数の画素942a,942b,942c,および942d(これらの4つとも、単一の画素パターンを表している)を図示している。この実施形態において、複数のチャネル944a,944b,944c,および944dのうちの1つは、対応する画素パターンにマッピング/位置あわせされている。上記画素パターンにおいて、各画素パターンは、4つの画素(すなわち、それぞれ942a,942b,942c,および942d)を含んでいる。電子倍増化デバイスのチャネルパターンと固体画像センサの画素パターンとのマッピング/位置あわせは、望ましくない光学的パターン(例えばモアレ)の実質的な低減を潜在的に発生する。
図9A〜9Eに図示され上記で記述された本発明の実施形態は、本質的に例示のためのものである。様々な代替的構成が検討される。例えば、各チャネルパターンにおけるチャネルの数および/または各画素パターンにおける画素の数は、本発明にしたがって変動し得る。さらに、チャネルおよび/または画素のサイズおよび/または形状は、本発明にしたがって変動し得る。またさらに、チャネルパターンの画素パターンへのマッピングもまた、本発明にしたがって変動し得る。
本明細書において用いられているように、画素とは、電子または電子エネルギーを受け取る画像センサ(すなわち、固体画像センサ)のエレメントを参照するように意図されている。画素は、受け取った電子エネルギーを格納するためのウェルを含む。
本発明の好ましい実施形態についての上記における詳細な記述は、本出願の時点において本発明を実行するのに最良の形態であると発明者が考える形態が述べられており、例示を目的として提供されており、制限を目的としては提供されていない。したがって、本分野に関係のある当業者にとって明らかな様々な改変およびバリエーションは、以下の請求の範囲に述べられている本発明の範囲と精神との範囲内に存在するものと考えられる。
図1は、典型的な画像増強管の概略図である。 図2Aは、典型的なCCDセンサのフローチャートである。 図2Bは、典型的なCD画像化表面の概略図である。 図3は、典型的な電子打ち込み式CCDデバイスの断面図である。 図4Aは、本発明にしたがう増強されたハイブリッド固体センサの断面図である。 図4Bは、本発明にしたがう増強されたハイブリッド固体センサのスキーム的表現である。 図5Aは、本発明に用いるマイクロチャネルプレート(MCP)および背面薄板化型CCDの概略図である。 図5Bは、本発明に用いるマイクロチャネルプレート(MCP)および標準的なCCDの概略図である。 図5Cは、本発明に用いるCMOS型画像センサの透視図である。 図6Aは、円形の輪郭とCMOSウェルとを有するMCPチャネルの透視図である。 図6Bは、四角い輪郭とCMOSウェルとを有するMCPチャネルの透視図である。 図7Aは、本発明にしたがう、センサ表面の単位領域あたりにおける大きな画素/小さなMCPチャネルピッチに関するスキーム的平面図である。 図7Bは、本発明にしたがう、センサ表面の単位領域あたりにおけるMCPチャネルに対して1対1な画素のスキーム的平面図である。 図7Cは、本発明にしたがう、センサ表面の単位領域あたりにおける小さなCMOS画素のピッチ/大きなMCPチャネルに関するスキーム的平面図である。 図8は、本発明の例示的実施形態の利益を記述するための、電子倍増化デバイスのチャネルパターンと画像センサの画素パターンとの位置あわせミスを示している。 図9Aは、本発明の例示的実施形態にしたがう、電子倍増化デバイスのチャネルパターンと画像センサの画素パターンとの位置あわせを示している。 図9Bは、本発明の別の例示的実施形態にしたがう、電子倍増化デバイスのチャネルパターンと画像センサの画素パターンとの別の位置あわせを示している。 図9Cは、本発明の別の例示的実施形態にしたがう、電子倍増化デバイスのチャネルパターンと画像センサの画素パターンとのさらに別の位置あわせを示している。 図9Dは、本発明の別の例示的実施形態にしたがう、電子倍増化デバイスのチャネルパターンと画像センサの画素パターンとのさらに別の位置あわせを示している。 図9Eは、本発明の別の例示的実施形態にしたがう、電子倍増化デバイスのチャネルパターンと画像センサの画素パターンとのさらに別の位置あわせを示している。

Claims (10)

  1. 増強された固体画像化センサであって、
    画像からの光を電子に変換する光電陰極と、
    該光電陰極からの電子を受け取る電子倍増化デバイスであって、該電子倍増化デバイスは、該電子倍増化デバイスが該光電陰極から受け取るよりも多数の電子を出力する、電子倍増化デバイスと、
    該電子倍増化デバイスの複数のチャネルを介することにより、該電子倍増化デバイスからの電子を受け取る、複数の画素を含む固体画像センサであって、該固体画像センサは、該電子倍増化デバイスから受け取った電子から、増強された画像信号を生成する、固体画像センサと
    を備え、該複数のチャネルは、複数のチャネルパターンで配置されており、該複数の画素は、複数の画素パターンで配置されており、該複数のチャネルパターンの各々は、該複数のチャネルパターンの各々からの電子信号が、該複数の画素パターンのうちのそれぞれの単一の画素パターンによって実質的に受け取られるように、該複数の画素パターンのうちのそれぞれの1つにマッピングされている、固体画像化センサ。
  2. 前記複数のチャネルパターンの各々は、単一のチャネルを備え、前記複数の画素パターンの各々は、単一の画素を備える、請求項1に記載の増強された固体画像化センサ。
  3. 前記複数のチャネルパターンの各々は、前記複数の画素パターンのそれぞれの1つと実質的に同じサイズと形状である、請求項2に記載の増強された固体画像化センサ。
  4. 前記複数のチャネルパターンの各々は、複数のチャネルを備え、前記複数の画素パターンの各々は、単一の画素を備える、請求項1に記載の増強された固体画像化センサ。
  5. 前記複数のチャネルパターンの各々は、単一のチャネルを備え、前記複数の画素パターンの各々は、複数の画素を備える、請求項1に記載の増強された固体画像化センサ。
  6. 前記複数のチャネルパターンの各々は、複数のチャネルを備え、前記複数の画素パターンの各々は、複数の画素を備える、請求項1に記載の増強された固体画像化センサ。
  7. 前記複数のチャネルパターンの各々は、前記複数の画素パターンのうちのそれぞれの1つと回転的に並べられているか、または並進的に並べられている、請求項1に記載の増強された固体画像化センサ。
  8. 前記電子倍増化デバイスは、マルチチャネルのプレートを備え、前記複数のチャネルは、該マルチチャネルのプレートの複数の細孔を備える、請求項1に記載の増強された固体画像化センサ。
  9. 前記固体画像センサは、CCDデバイスである、請求項1に記載の増強された固体画像化センサ。
  10. 前記固体画像センサは、CMOSデバイスである、請求項1に記載の増強された固体画像化センサ。
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