JP2007531318A - 反射器パッケージおよび半導体発光デバイスのパッケージング方法 - Google Patents

反射器パッケージおよび半導体発光デバイスのパッケージング方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2007531318A
JP2007531318A JP2007506265A JP2007506265A JP2007531318A JP 2007531318 A JP2007531318 A JP 2007531318A JP 2007506265 A JP2007506265 A JP 2007506265A JP 2007506265 A JP2007506265 A JP 2007506265A JP 2007531318 A JP2007531318 A JP 2007531318A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
encapsulant
emitting device
mote
amount
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007506265A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5209959B2 (ja
Inventor
エス.アンドリュース ピーター
ジー.コールマン トーマス
イベットソン ジェイムズ
レオン マイケル
エイチ.ネグレイ ジェラルド
ターサ エリック
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wolfspeed Inc
Original Assignee
Cree Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cree Inc filed Critical Cree Inc
Publication of JP2007531318A publication Critical patent/JP2007531318A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5209959B2 publication Critical patent/JP5209959B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

反射空洞を画定する下部側壁と上部側壁との間に位置付けされたモートを有する反射器の中に半導体発光デバイスをパッケージングする方法は、発光デバイスを備えた反射空洞の中に封入材料を分配して、発光デバイスを覆い、そして反射器の上部側壁に接触することなくモートの縁に延在する封入材料で構成された凸状メニスカスを反射空洞中に形成することを含む。反射空洞中の封入材料は硬化される。パッケージングされた半導体発光デバイスおよびそれのための反射器も提供される。

Description

本発明は、半導体発光デバイスおよびその製造方法に関し、より詳細には、半導体発光デバイスのパッケージおよびパッケージング方法に関する。
本出願は、2004年3月31日に出願された「Reflector Packages and Methods for Forming Packaging of a Semiconductor Light Emitting Device」という名称の米国仮特許出願第60/558,314号の利益および優先権を主張する。この出願の開示は、あたかもその全体が記載されたかのように参照により本明細書に組み込まれる。
発光デバイスにより放射される光に保護、色選択、集束などを与えることができるパッケージ内に半導体発光デバイス型光源を設けることは知られている。例えば、発光デバイスは、発光ダイオード(「LED」)とすることができる。光源用のパワーLEDのパッケージング中に様々な問題に遭遇することがある。そのような起こり得る問題の例を、図1および2のパワーLEDの断面図を参照して説明する。図1および2に示すように、パワーLEDパッケージ100は、一般に、発光デバイス103が取り付けられている基板部材102を備える。発光デバイス103は、例えば、基板部材102に取り付けられたLEDチップ/サブマウントアセンブリ103b、およびLEDチップ/サブマウントアセンブリ103bの上に位置付けされたLED103aを備えることができる。基板部材102は、パッケージ100を外部回路に接続するための配線または金属リード線を備えることができる。基板102は、また、動作中にLED103から熱を伝導して除去するためのヒートシンクとしても作用することができる。
反射カップ(reflector cup)104のような反射器が、基板102に取り付けられ、発光デバイス103を取り囲むことがある。図1に示す反射カップ104は、LED103で発生した光をLEDパッケージ100から上の方に向かって反射する、角度の付いた、すなわち傾斜した下部側壁106を備える。図示の反射カップ104は、また、LEDパッケージ100の中にレンズ120を保持するための溝として作用することができる上向きに延びる壁105、および水平な肩部分108を備える。
図1に図示するように、発光デバイス103が基板102に取り付けられた後で、液体シリコーンゲルのような封入材料112が、反射カップ104の内部反射空洞(interior reflector cavity)115中に分配(dispense)される。図1に示す内部反射空洞115は、基板102で画定された底面を有し、液体封入材料112を保持することができる閉じた空洞を提供する。図1にさらに示すように、封入材料112が空洞115に分配されたとき、封入材料112は、反射カップ104の側壁105の内面に沿って吸い上げられて、図示の凹面形メニスカス(meniscus)を形成することがある。
米国特許出願公開第2004/0041222号明細書 米国特許第6,201,262号明細書 米国特許第6,187,606号明細書 米国特許第6,120,600号明細書 米国特許第5,912,477号明細書 米国特許第5,739,554号明細書 米国特許第5,631,190号明細書 米国特許第5,604,135号明細書 米国特許第5,523,589号明細書 米国特許第5,416,342号明細書 米国特許第5,393,993号明細書 米国特許第5,338,944号明細書 米国特許第5,210,051号明細書 米国特許第5,027,168号明細書 米国特許第4,966,862号明細書 米国特許第4,918,497号明細書 米国特許出願公開第2003/0006418A1号明細書 米国特許出願公開第2002/0123164A1号明細書 米国特許出願第10/659,241号明細書
ついで、図2に示すように、反射空洞115中にレンズ120を封入材料112と接触して配置することができる。レンズ120が空洞115中に配置されたとき、液体封入材料112は、位置をずらされ、レンズ120と側壁105との間のギャップ117を通って移動することがある。したがって、封入剤は、レンズ120の上面および/または反射カップ104の側壁105の上面に出てくることがある。押し出し(squeeze−out)と呼ばれることがあるこの移動は、一般に、多くの理由のために望ましくない。図示のパッケージ配置では、レンズ取付けステップの前に封入剤が半球メニスカス形状で硬化されていない場合、レンズは下にある棚状部分に載る。これにより、レンズが、熱サイクル中に浮動しなくなり、そして他の表面への封入の層間剥離(delamination)、または層間剥離内の凝集破壊(cohesive failure)によって機能しなくなることがある。これらの両方とも光出力に影響を及ぼす可能性がある。封入材料またはゲルは一般に粘着性であり、部品を製造するために使用される自動処理ツールに支障を与えることがある。さらにゲルは、例えば光分布パターンを変えることによって、および/またはレンズ120の一部を遮ることによって、レンズ120からの光出力に支障を与えることがある。粘着性のゲルは、また、LEDパッケージ100からの光出力を遮るかまたは減少させる可能性のある塵、汚れ、および/または他の汚染物を引き寄せることがある。また、ゲルは、実効的なレンズの形を変えることがあり、このことで発光パターン/ビーム形状が変わることがある。
レンズ120の配置後、パッケージ100は一般に加熱硬化され、これによって、封入材料112が凝固し、レンズ120に付着するようになる。したがって、レンズ120を、硬化した封入材料112で所定の位置に保持することができる。しかし、シリコーンゲルなどの、硬化に伴う僅かな収縮率を有する封入材料は、一般に、熱硬化プロセス中に収縮する傾向がある。さらに、熱膨張係数(CTE)効果は、一般に、高温でレンズのより大きな浮動の原因となる。冷却中に、部品は層間剥離する傾向がある。図2に示したレンズ120の下の封入剤の図示の体積は比較的大きいので、この収縮によって、硬化プロセス中に、発光デバイス103、基板102の表面、反射カップ104の側壁105および/またはレンズ120を含むパッケージ100の部分から、封入材料112が層間剥離する(離れる)可能性がある。層間剥離は、特にダイからの層間剥離であるとき、内部全反射を引き起こす場合があり、光学性能に著しく影響しうる。この収縮により、封入材料112と発光デバイス103、レンズ120、および/または反射カップ104との間にギャップまたは空隙113が生じることがある。封入材料112中の3軸応力(tri−axial stress)は、また、封入材料112に凝集裂け(cohesive tear)113’を引き起こすことがある。これらのギャップ113および/または裂け113’は、発光デバイスパッケージ100で放射される光の量を実質的に減少させることがある。収縮は、すき間(crevice)(すなわち、反射器)から又はデバイス(すなわち、ダイ/サブマウント)の下から空気ポケットを引き出すこともあり、空気ポケットは、光空洞の性能に支障を与えることがある。
ランプの動作中に、発光デバイス103によって大量の熱が発生される可能性がある。この熱の大部分は、基板102および反射カップ104により放散させることができ、これらの各々はパッケージ100のヒートシンクとして作用することができる。しかし、パッケージ100の温度は、動作中に依然としてかなり上昇することがある。シリコーンゲルなどの封入材料112は、一般に、大きな熱膨張係数を有している。そのために、パッケージ100が加熱すると、封入材料112は膨張する可能性がある。レンズ120は、反射カップ104の側壁105で画定された溝の中に取り付けられているので、封入材料112が膨張収縮するときに、側壁105の中で上下に動く可能性がある。封入材料112の膨張により封入剤が空間または空洞の外に押し出され、それによって、冷却したときに空洞内に戻らない可能性がある。これにより、層間剥離、空隙、より大きな3軸応力などが生じるかもしれず、これらは、発光デバイスを余り耐久性のないものする可能性がある。そのようなレンズの動きは、例えば特許文献1にさらに記載されている。側壁105は、また、機械的な衝撃および応力からレンズ120を保護するのに役立つことがある。
本発明の実施形態は、下部側壁と上部側壁との間に位置付けされたモート(moat)を有する反射器の中に半導体発光デバイスをパッケージングする方法を提供し、この上部側壁および下部側壁は反射空洞を画定している。封入材料が、発光デバイスを備えた反射空洞の中に分配され、そして発光デバイスが覆われて封入材料で構成された凸状メニスカスが反射空洞中に形成される。凸状メニスカスは、反射器の上部側壁に接触することなくモートの縁に延在している。反射空洞中の封入材料が硬化される。発光デバイスを、反射空洞中に取り付けることができる。
本発明の他の実施形態では、封入材料を硬化させる前に、封入材料内にレンズが位置付けされ、この位置付けは、レンズで凸状メニスカスをつぶし(collapse)、封入材料の一部をモートの中に入れることを含む。封入材料の硬化で、レンズが反射空洞に取り付けられる。本発明の別の実施形態では、封入材料は、パッケージングされた発光デバイスのためのレンズを封入材料で形成するように硬化され、封入材料は、レンズの所望の形状を提供する凸状メニスカスを形成するように分配される。封入材料は、蛍光体および/またはナノ結晶のような光変換材料を含むことができる。発光デバイスは、発光ダイオード(LED)とすることができる。
本発明のさらなる実施形態では、第1の量の封入材料が分配され、そして硬化され、第1の量の封入材料の硬化の後に、第2の量の封入材料を硬化された第1の量の封入材料の上に分配し、封入材料で構成された第2の凸状メニスカスを反射空洞中に形成する。第2の凸状メニスカスは、反射器の上部側壁に接触することなくモートの縁に延在している。レンズが、反射空洞の中に、分配された第2の量の封入材料に近接して位置付けされる。いくつかの実施形態では、これによって、第2の分配されたメニスカスが壊れ(break)、レンズが「第1の」硬化された体積(volume)メニスカスの上に載ることができるようになる。レンズの高さ(または、フロートレベル)は、いくつかの実施形態でそのような方法で制御することができる。分配された第2の量の封入材料は、硬化されて、レンズを反射空洞中に取り付ける。封入材料で構成された第2の凸状メニスカスおよび第1の凸状メニスカスは、両方とも、モートの同じ縁に延在することができる。本発明の別の実施形態では、モートは内縁と外縁を有し、封入材料で構成された第2の凸状メニスカスはモートの外縁に延在し、そして封入材料で構成された第1の凸状メニスカスはモートの内縁に延在している。
本発明の他の実施形態では、反射器は、内側モートおよび外側モートを有する。内側モートは第1のリップを画定する内縁を有し、外側モートは第2のリップを画定する内縁を有している。第1の量の封入材料は、反射空洞の中に分配され、第1のリップに延在する、封入材料で構成された凸状メニスカスを反射空洞中に形成する。第2の量の封入材料は、反射空洞の中に分配され、第2のリップに延在する、封入材料で構成された凸状メニスカスを反射空洞中に形成する。レンズを位置付けすることは、レンズで第2の凸状メニスカスをつぶし、第2の量の封入材料の一部を外側モート中に入れることを含むことができる。第2のリップは、第1のリップの高さよりも大きな高さを有することができ、第2のリップの高さは、レンズに所望の位置を与えるように選ぶことができる。レンズが第2のリップに接触するまでレンズを反射空洞中に入れることによって、レンズを位置付けすることができる。
本発明のさらなる実施形態では、発光デバイスを備える反射空洞中に第1の量の封入材料を分配することは、発光デバイスを備える反射空洞中に第1の量の封入材料の第1の部分を分配することを含む。第1の部分は、発光デバイスの高さを超える水準まで反射空洞を満たすことなく発光デバイスをぬらすのに十分な量である。第1の量の第1の部分は、封入材料中に空気ポケットを形成することなく発光デバイスを実質的に覆うのに十分であってもよい。第1の部分は、約250ミクロンの高さまで反射空洞を満たすのに十分であってもよい。第1の量の封入材料の第2の部分は、第1の量の封入材料の第1の部分の上に分配される。第2の部分は、第1の部分の約2倍とすることができる。第2の量は、第1の量の第1の部分にほぼ等しくすることができる。第1の部分は、第2の部分を分配する前に硬化させてもよい。第1の量の封入材料は、蛍光体および/またはナノ結晶のような光変換材料を含むことができる。第1の量の封入材料の第2の部分には、蛍光体が実質的に含まれなくてもよい。
本発明の他の実施形態では、発光デバイスは反射空洞のほぼ中心点に取り付けることができ、封入材料は、封入材料が発光デバイスの上に直接分配されないように、中心点から空洞の側壁の方にずれた点で分配することができる。封入材料は、シリコーンゲルとすることができる。第1の量の封入材料は蛍光体を含むことができ、第2の量の封入材料は、実質的に蛍光体が含まれなくてもよい。レンズは、レンズが硬化された第1の量の封入材料に接触するまで、反射空洞の中に進めることができる。第1の量の封入材料は、レンズの所望の位置を反射空洞中に確立するのに十分であってもよい。他の実施形態では、レンズを位置付けすることは、硬化された第1の量の封入材料によって確立された位置までレンズを反射空洞の中に進めることを含み、第1の量の封入材料を分配することは、レンズの所望の位置を反射空洞中に確立するのに十分な第1の量の封入材料を分配することを含む。
本発明のさらなる実施形態では、半導体発光デバイスのための反射器は、反射空洞を画定する傾斜した下部側壁部を備える。実質的に水平な肩部が、傾斜した下部側壁部の外側に延在している。水平な肩部は、円周方向に延びているモートを有する。上部側壁部は、水平な肩部の上方に延在している。
本発明の他の実施形態では、モートの縁は、水平な肩部に沿って外へ向かう封入材料の吸い上げ(wicking)を制限し、反射空洞中に分配された封入材料で構成された凸状メニスカスの形成を可能にするように構成されている。モートの縁は、リップであってもよい。このリップは、約50マイクロメートル(μm)未満の曲率半径を有する突出部(peak)を有することができる。
本発明のさらに他の実施形態では、水平な肩部は、下部側壁部に近接して位置付けされた円周方向に延びている内側モートと、内側モートと上部側壁部との間に位置付けされた円周方向に延びている外側モートとの両方を備える。内側モートの縁は、水平な肩部に沿って外へ向かう封入材料の吸い上げを制限し、反射空洞中に分配された封入材料で構成された第1の凸状メニスカスの形成を可能にするように構成することができ、外側モートの縁は、水平な肩部に沿って外へ向かう封入材料の吸い上げを制限し、反射空洞中に分配された封入材料で構成された第2の凸状メニスカスの形成を可能にするように構成することができる。
本発明の他の実施形態では、第1のモートの縁は第1のリップであり、第2のモートの縁は第2のリップである。第1のリップは、約50マイクロメートル(μm)未満の曲率半径を有する突出部を有することができ、第2のリップは、約50μm未満の曲率半径を有する突出部を有することができる。第1のモートおよび第2のモートは、水平な肩部の押し型で付けられた特徴(stamped freature)とすることができる。第2のモートは、第2のリップから上部側壁部まで延びる幅を有することができる。
本発明のさらなる実施形態では、下部側壁部は、実質的に円錐状であり、約1.9ミリメートル(mm)から約3.2mmまでの最小直径および約2.6mmから約4.5mmまでの最大直径を有する。下部側壁部は、約0.8mmから約1.0mmまでの高さを有することができる。上部側壁部は、実質的に楕円形(oval)であり、約3.4mmから約4.2mmまでの内径を有することができる。上部側壁部は、約0.6mmから約0.7mmまでの高さを有することができる。水平な肩部は、下部側壁部から上部側壁部までの、約0.4mmから約0.7mmまでの幅を有することができる。第1のモートは、約0.3mmから約0.4mmまでの幅を有することができ、第2のモートは、約0.3mmから約0.4mmまでの幅を有することができる。
本発明の他の実施形態では、第1のモートの縁は、下部側壁部の下端に対して約0.79mmから約0.85mmまでの高さを有する第1のリップであり、第2のモートの縁は、下部側壁部の下端に対して約0.79mmから約0.85mmまでの高さを有する第2のリップである。代替実施形態では、第1のリップは、下部側壁部の下端に対して約0.79mmから約0.85mmまでの高さを有し、第2のリップは、下部側壁部の下端に対して約0.9mmから約1.0mmまでの高さを有している。
本発明のさらなる実施形態では、パッケージングされた半導体発光デバイスは、反射空洞を画定する傾斜した下部側壁部、傾斜した下部側壁部の外側に延在する実質的に水平な肩部であって円周方向に延びているモートを有する水平な肩部、および水平な肩部の上方に延在する上部側壁部を有する反射器を備える。発光デバイスは反射空洞中に位置付けされている。封入材料が反射空洞中に供給され、発光デバイスを覆っている。発光デバイスは発光ダイオード(LED)とすることができ、封入材料はシリコーンゲルとすることができる。封入材料は、蛍光体および/またはナノ結晶のような光変換材料を含むことができる。
本発明の他の実施形態では、封入材料は、発光デバイスから離れた実質的に蛍光体を含まない第1の領域、および第1の領域と発光デバイスとの間の蛍光体を含む第2の領域を備える。デバイスは、さらに、第1の領域の封入材料に取り付けられそこに延在するレンズを備えることができる。レンズは、発光デバイスを覆う封入材料に延在することができる。
本発明のさらなる実施形態では、LEDランプパッケージは、基板および基板の上に取り付けられた反射カップを備える。基板の上面の一部は、反射カップの開口の中にチップ/サブマウントアセンブリを収容するために露出されている。反射カップは、LEDチップで生成された光を反射するための傾斜した下部側壁、および下部側壁を取り囲む少なくとも1つのモートを備え、下部側壁とモートは、少なくとも1つの高いリップで分離されている。チップ空洞の中に分配されたシリコーンゲルなどの封入材料は、硬化またはレンズ取付け前はリップによって保持されることができる。レンズがLEDパッケージ中に取り付けられたときに追い出された封入材料は、パッケージまたはレンズの表面に押し出されないで、モートの中に流れ込むことができる。本発明のいくつかの実施形態は、封入材料を収容するための一対の同心のリップおよび一対の同心のモートを備える。他の実施形態では、パッケージは、内側リップ(チップ空洞により近い)および内側リップよりも高い外側リップを備える。硬化またはレンズ取付け前に封入材料を所定の位置に保持することに加えて、外側リップは、さらに、LEDチップに対するレンズのより正確な配置を可能にするレンズ止めとして作用することができる。
本発明は、以下で、添付の図面を参照してより完全に説明される。図面には、本発明の実施形態が示されている。しかし、本発明は、多くの異なる形で具現することができ、本明細書で明らかにされる実施形態に制限されるものとして解釈すべきでない。むしろ、これらの実施形態は、この開示を徹底的で完全なものとし、本発明の範囲を当業者に完全に伝えるために提供される。図面において、層および領域の大きさおよび相対的な大きさは、明瞭性のために誇張されていることがある。全体を通して、同様な番号は同様な要素を参照する。
層、領域または基板などの要素が、別の要素の「上に」あると言及されるとき、この要素はこの他の要素の直ぐ上にあることがあり、または介在要素も存在していることがあることを理解されたい。表面などの要素の一部が「内側の」と言及される場合、その一部は、その要素の他の部分よりもデバイスの外側から遠く離れていることを理解されたい。さらに、「下の」または「上にある」のような相対的な用語は、本明細書では、図に示されるように、基板層またはベース層を基準にして、ある層または領域のもう一方の層または領域に対する関係を記述するために使用されることがある。これらの用語は、図に示された方向付けのほかに、デバイスの異なる方向付けを含むことが意図されていることを理解されたい。最後に、「直ぐ」の用語は、介在要素がないことを意味する。本明細書で使用されるとき、用語「および/または」は、1つまたは複数の関連付けられて列挙された要素の任意のすべての組合せを含む。
第1、第2などの用語が、本明細書で、様々な要素、部品、領域、層および/または部分を記述するために使用されることがあるが、これらの要素、部品、領域、層および/または部分は、これらの用語によって限定されるべきでないことを理解されたい。これらの用語は、1つの要素、部品、領域、層または部分を別の領域、層または部分と区別するために使用されるだけである。したがって、以下で述べられる第1の要素、部品、領域、層または部分を、本発明の教示から逸脱することなく、第2の要素、部品、領域、層または部分と呼ぶこともできる。
半導体発光デバイス103をパッケージングするための本発明の様々な実施形態が、本明細書で説明される。本明細書で使用されるとき、半導体発光デバイス103は、発光ダイオード、レーザダイオードおよび/または他の半導体デバイスを含むことができ、ここで他の半導体デバイスは、シリコン、炭化珪素、窒化ガリウムおよび/または他の半導体材料を含むことができる1つまたは複数の半導体層、サファイア、シリコン、炭化珪素および/または他のマイクロエレクトロニクス基板を備えることができる基板、および金属および/または他の導電層を備えることができる1つまたは複数のコンタクト層を備える。いくつかの実施形態では、紫外線、青色および/または緑色発光ダイオード(「LED」)を設けることができる。赤色および/または琥珀色LEDもまた設けることができる。半導体発光デバイス103の設計および製造は、当業者によく知られており、本明細書で詳細に説明する必要はない。
例えば、半導体発光デバイス103は、ノースカロライナ州ダラムのCree,Inc.により製造販売されているデバイスのような、炭化珪素基板に製造された窒化ガリウムベースのLEDまたはレーザとすることができる。本発明は、特許文献2〜16に記載されているようなLEDおよび/またはレーザと共に使用するのに適している可能性がある。これらの特許文献の開示は、本明細書に完全に記載されたかのように参照により本明細書に組み込まれる。他の適切なLEDおよび/またはレーザが、特許文献17および18に記載されている。さらに、特許文献19に記載されているような蛍光体塗布(phosphor coated)LEDも、本発明の実施形態で使用するのに適している可能性がある。特許文献19の開示は、完全に記載されたかのように参照により本明細書に組み込まれる。LEDおよび/またはレーザは、発光が基板を通じて生じるように動作するよう構成することができる。そのような実施形態では、例えば前掲の特許文献18に記載されているように、基板をパターン形成しデバイスの光出力を高めることができる。
ここで、本発明の実施形態を図3〜11に示した様々な実施形態を参照して説明する。より詳細には、発光デバイス103のパッケージングに使用するための二重硬化封入プロセスのいくつかの実施形態が、図3Aから3Cに示されている。そのような二重硬化封入プロセスは、硬化中の封入材料の収縮に関連した問題を低減することができる。本明細書で説明されるように、本発明のいくつかの実施形態では、二重硬化プロセスは、3つの分配工程および2つの硬化工程を含むことができる。しかし、本発明の他の実施形態において発光デバイスをパッケージングする際に、より多くの又はより少ない分配工程および硬化工程を使用することもできることを理解されたい。また、本明細書でさらに説明するように、本発明の実施形態は、第1の硬化工程の後に、レンズを取り付けるための別の組の分配工程および硬化工程が続くことになる複数分配工程を含む。
図3Aに示すように、図示の実施形態では2つの封入材料部分112、114を含んだ第1の所定量の封入材料が、空洞115の中に分配される。封入材料112、114は、例えば、液体シリコーンゲル、エポキシなどとすることができる。第1の部分112は、発光デバイス103、より詳細には、発光デバイス103のLEDチップ/サブマウントアセンブリ101および基板102の露出表面部分をぬらすように分配することができる。また、最初の分配で反射カップ104の部分をぬらすこともできる。本発明のいくつかの実施形態では、第1の部分112として分配された封入材料の量は、発光デバイス103の高さを超える水準まで反射空洞を満たすことなく発光デバイス103をぬらすのに十分な量である。本発明のいくつかの他の実施形態では、第1の部分112として分配された封入材料の量は、封入材料112中に空気ポケットを1つも形成することなく、発光デバイス103を実質的に覆うのに十分な量である。
図3Aに示すように、発光デバイスは、反射空洞115のほぼ中心点115mに位置付けされる。封入材料は、封入材料112が発光デバイス103の上に直接分配されないように、中心点115mから反射空洞115の側壁105の方にずれた点115dで分配装置200から分配することができる。発光デバイス103の上に直接封入材料112を分配すると、封入材料112が、発光デバイス103の構造を上から通過するときに、気泡の閉じ込めが起こることがある。しかし、本発明の他の実施形態では、片寄り分配(offset dispense)に加えて、または片寄り分配の代わりに、封入材料112が、発光デバイス103のダイの上に分配される。封入材料112の分配は、分配装置200の端部に封入材料112の液滴(bead)を形成し、この形成された液滴を反射空洞115および/または発光デバイス103と接触させて、分配装置からこの液滴を分配することを含むことができる。
分配に使用される材料の粘性および/または他の特性は、例えば、気泡の形成なしにぬれが起こるように選ぶことができる。本発明のさらなる実施形態では、分配材料が接触する表面に被膜を塗布して、ぬれ速度を速める/遅くすることができる。例えば、微小な残留物が残る特定の知られた洗浄手順を使用して選択した表面を処理し、それによりぬれ作用の力学を設計するために利用することができる。
空洞115を画定する反射カップ104、発光デバイス103および封入材料112の内面の表面特性のために、空洞115の中心点115mからずれた点115dから分配されたときでも、分配された封入材料112は、依然として封入材料112中に気泡を生じさせるかもしれないような態様で空洞115の中を流れる可能性がある。特に、封入材料112は、反射カップ104の内面および発光デバイス103の側壁の近くで、発光デバイス103の上よりも速く動き又はより素早く「吸い上げられる」と予想される。その結果として、側面を流れる封入材料が出会い、そして封入材料が発光デバイス103の上を覆って流れ、このようにして空気の流れ(air flow)に側面出口(side outlet)のない状態で局部的に上から分配されるとき、空洞115の、封入材料が分配されたのと反対側に気泡が閉じ込められるかもしれない。したがって、分配される封入材料112の第1の部分の量は、そのような気泡を形成する危険を低減または防止するように選ぶことができる。本明細書で使用されるとき、発光デバイス103を「実質的に」覆うことへの言及は、第1の量の封入材料112、114の残り部分114が分配されたときそのような気泡が生じないように、発光デバイス103の構造の十分な量を覆うことを意味する。
最初に分配された封入材料112を静置させた後、第1の所定量の封入材料の第2の部分114が反射空洞115の中に分配される。本発明のいくつかの特定の実施形態では、封入材料の第2の部分は、第1の部分112の約2倍である。
第1の量の封入材料112、114すべてを分配した後、第1の量の封入材料112、114は、例えば熱処理によって硬化され、封入材料112、114が凝固する。硬化後、反射空洞115中の封入材料112、114の水準は、封入材料112、114の収縮の結果としてレベル114Aからレベル114Bに下がる可能性がある。
本発明のいくつかの実施形態では、第1の部分112は、第2の部分114が反射空洞115の中に分配される前に硬化される。例えば、パッケージ100から放射される光の特性に影響を及ぼすために、蛍光体、ナノ結晶などの光変換材料を封入材料112、114に添加することが知られている。本明細書における説明の目的のために、光変換材料として蛍光体に言及する。しかし、蛍光体の代わりに他の光変換材料を使用することができることを理解されたい。パッケージ100に対する所望の色スペクトルおよび/または色温度調整に応じて、蛍光体は、発光体103bに隣接して位置付けされたとき、言い換えると、発光デバイス103の上に直接位置付けされたとき、最も有益に利用することができる。したがって、第2の部分114に蛍光体を含み、第1の部分112に蛍光体を含まないことが望ましいことがある。しかし、第1の部分112は第2の部分114の下にあるので、蛍光体は、第2の部分114から第1の部分112に沈降し、第2の部分114への蛍光体の添加の有効性が減少する可能性がある。したがって、そのような沈降を制限するために蛍光体を第1の部分112に添加することができ、および/または第2の部分114を分配する前に第1の部分112を硬化させることができる。
複数分配(multiple dispense)の使用は、また、光変換用の所望の構成の蛍光体予備成形物(preform)/ウエハの添加を可能にすることもできる。さらに、複数分配は、異なる屈折率を有する材料を使用し、例えば埋込みレンズ(すなわち、異なる屈折率の材料の2つの分配の界面で形成されたレンズ)を設けることを可能にすることができる。
図3Bに示すように、反射空洞115中の硬化された第1の量の封入材料112、114の上に、第2の量の封入材料116が所定量で分配される。本発明のいくつかの特定の実施形態では、第2の量116は、第1の量の封入材料112、114の第1の部分112にほぼ等しい。第2の量116は蛍光体が実質的に含まなくてもよいが、本発明の他の実施形態では、第2の量116にも蛍光体を含むことができる。
図3Cに示すように、第2の量の封入材料116が硬化される前に、レンズ120が、反射空洞115の中に第2の量の封入材料116に接して位置付けされる。それから、第2の量の封入材料116が、例えば加熱によって硬化され、封入材料116を固めかつレンズ120を反射空洞115に取り付ける。本発明のいくつかの実施形態では、上述した二重硬化プロセスを使用して発光デバイス103をパッケージ100内に封入することにより、硬化された封入材料112、114、116の発光デバイス103、レンズ120および/または反射カップ104からの層間剥離を減少させることができる。
図3A〜3Bに示す反射カップ104を図4A〜4Bにさらに示す。図4Aは、反射カップ104の平面図であり、上部側壁105、下部側壁106、および上部側壁105と下部側壁106との間の実質的に水平な肩側壁部108の上面を示している。図4Bは、図4Aの線B−Bに沿った反射カップ104の断面図である。
本発明の様々な実施形態による代替的反射カップ構成、ならびにそのような代替的反射カップ構成を使用する発光デバイスのパッケージング方法をこれから説明する。本発明の様々な実施形態では、これらの代替的反射カップ構成により、反射カップの封入材料中にレンズを挿入するときに封入材料の押し出しの発生率および/または押し出し量を減少させることができる。図5A〜5B、6および7は、これから説明するように、様々な代替的反射器構成を示している。図5Aは、反射カップ4の平面図であり、図5Bは、図5Aの線B−Bに沿った反射カップ4の断面図である。図6は、反射カップ4Aの断面図であり、図7は反射カップ4Bの断面図である。図示の反射カップ4、4A、4Bの各々は、上部側壁5、傾斜した下部側壁6、および上部側壁5と下部側壁6との間の水平肩部8を備え、これらは一緒に反射空洞15を画定する。本明細書で肩部8に言及して使用されるとき、「水平な」は、下部側壁部6と上部側壁部8との間を肩部8が延びる大体の方向(すなわち、下部側壁部6および上部側壁部5と比較して)を意味し、肩部8の中間部分における肩部8の特定の角度を意味しない(例えば、水平肩部が、実際には、他の特徴に対応するように、下部側壁部6と上部側壁部5との間で垂直方向の高さにいくらかの変化がある図7を参照されたい)。さらに、反射カップ4、4A、4Bの各々は、下部側壁6を取り囲む少なくとも1つのモート18を備えることができ、このモート18はリップ(すなわち、突出する縁)22で下部側壁6から分離されている。モート18は、肩部8に形成されているものとして図示されている。
図5A〜5Bの実施形態では、モート18は、押し型(stamping)で形成されることができ、この場合には、モート18と下部側壁6との間のリップ22は、平らな表面ではなく尖った縁部を備えている可能性がある。しかし、使用される製造プロセスの限界に起因して、図5Bに模式的に示すリップ22の平らな表面は、実際には、より丸みのある輪郭を有する可能性があることを理解されたい。図8A〜8Cを参照してさらに説明するように、余りにも丸みのある輪郭は望ましくないことがある。
反射カップ4Aというさらなる実施形態を、図6の断面図を参照して、これから説明する。図6に示すように、第1のモート18が上部側壁5と下部側壁6との間に形成され、第1すなわち内側リップ22が下部側壁6と第1のモート18とを分離している。第2のモート24が、上部側壁5と第1のモート18との間に形成されている。第2すなわち外側リップ26が、第2のモート24を第1のモート18から分離している。
反射カップ4Bというさらにまた他の実施形態を、図7の断面図を参照して、これから説明する。図7に示すように、第1のモート18は上部側壁5と下部側壁6との間に形成され、第1すなわち内側リップ22が下部側壁6と第1のモート18とを分離している。第2のモート24は、上部側壁5と第1のモート18との間に形成されている。第2すなわち外側リップ26’が、第2のモート24を第1のモート18から分離している。図7に示すように、第2のリップ26’は、第1のリップ22に対して高くなっている。
本発明の特定の実施形態では、第1のリップ22は、約50マイクロメートル(μm)未満の曲率半径を有する突出部を有し、第2のリップ26、26’は、約50μm未満の曲率半径を有する突出部を有する。第1のモート18および第2のモート24は、水平肩部8上の押し型で付けられた特徴(stamped feature)とすることができる。図6および7に示すように、第2のモート24は、第2のリップ26、26’から上部側壁部5まで延びる幅を有することができる。
本発明のいくつかの実施形態では、傾斜した下部側壁部6は、実質的に円錐状とすることができ、500μm発光デバイスチップの場合の約1.9ミリメートル(mm)から900μm発光デバイスチップの場合の約3.2mmまでの最小直径、500μm発光デバイスチップの場合の約2.6mmから900μm発光デバイスチップの場合の約4.5mmまでの最大直径、および約0.8mmから約1.0mmまでの高さを有することができる。上部側壁部は、実質的に楕円形とすることができ、約3.4mmから約5.2mmの内径および約0.6mmから約0.7mmの高さを有することができる。水平肩部は、約0.4mmから約0.7mmの、下部側壁部から上部側壁部までの幅を有することができる。本明細書で使用されるとき、用語「楕円形」および「円錐状」は、円形、円筒形、および他の形状を包含することが意図されており、ここで他の形状は、反射カップ4、4A、4Bを形成するために使用される製造技術に基づいた不規則な形状であるが、それでも基板2との組合せでまたは別の方法で、発光デバイス103のための反射器を実現するように動作し、かつ封入材料12、14、16をその中に保持し固めることができるものを含む。
本発明のいくつかの実施形態では、第1のモート18は約0.3mmから約0.4mmの幅を有し、第2のモート24は約0.3mmから約0.4mmの幅を有する。図6に示すように、第1のモート18の縁は、下部側壁部6の下端(すなわち、基板2の上面)に対して約0.79mmから約0.85mmの高さを有する第1のリップ22とすることができ、第2のモート24の縁は、下部側壁部6の下端に対して約0.79mmから約0.85mmの高さを有する第2のリップ26とすることができる。図7に示すような本発明の他の実施形態では、第1のリップ22は、下部側壁部の下端に対して約0.79mmから約0.85mmの高さを有し、第2のリップ26’は、下部側壁部の下端に対して約0.9から約1.0mmの高さを有している。
本発明の様々な実施形態では、反射カップ4、4A、4Bは、発光デバイス103を反射カップ4、4A、4B中にパッケージングするとき、メニスカス制御(meniscus control)を可能にすることができる。さらに説明するように、上述の二重硬化方法と組み合わされたとき、封入材料の異なる分配に対して明確な凸状メニスカスを実現することもでき、その結果として、半球状に膨らむ(doming)故障の発生率を減少させることができる。本発明の他の実施形態では、実現されたメニスカス制御により、所望の深さおよび/または角度でレンズを配置することの困難さを減少し、レンズの吸い上げ(lens wicking)すなわちレンズ上への封入材料の押し出しを減少させ、かつ/またはパッケージングされた発光デバイスの光学的特性の設定(configuration)を可能にすることができる。例えば、蛍光体は、蛍光体充填封入材料をパッケージの中心点の上に半球形にすること(凸状メニスカス)によって、パッケージの中心(中心点)で濃くすることができる。
異なる光パターン(視角、カスタム(custom)色スペクトル、色温度調整など)は、プロセスにおける分配および/または硬化の変化と組み合わせて複数メニスカス制御技術を使用することによって、実現することができる。例えば、蛍光体充填材料の高い尖ったドームは、発光デバイスから蛍光体充填材料を通過する光路をより一様な長さに設けることによって、反射カップの縁に向かうにつれ黄色へずれることを減らしつつ、白色温度発光の色スペクトル一様性をより優れたものにすることができる。同様に、望ましい場合には、比較的平らなドームにより、中心点の白色から縁部の黄色までのより大きな色スペクトル変化を実現することができる。レンズ以外の特徴によって保護関連機能が実現される本発明のいくつかの他の実施形態では、メニスカス制御は、封入材料をレンズとして使用することによって、メニスカスが所望のレンズ形状を実現するように構成されている状態で、レンズなしで発光デバイスをパッケージングすることを可能にすることができる。
図8A〜8Cは、本発明のいくつかの実施形態に従って、メニスカス制御に反射カップの構造上の特徴を使用して発光デバイスをパッケージングする方法を示している。図8A〜8Cに示す工程は、図5A〜5Bに示す反射カップ、および前述した二重硬化工程を利用する。図8Aに示すように、封入材料の第1の量14が、パッケージ10Aの反射空洞15の中に堆積される。本発明のいくつかの実施形態では、第1の量14は、別個の(ぬれ)分配および第2の分配を使用して分配することができる。分配される封入材料の量を適切に制御することで、液体の封入材料14は表面張力によってリップ22に固着するようになって、図8Aに示すような14Aに示された高さの凸状メニスカスを形成する。したがって、リップ22は、分配された封入材料14が上部側壁5に接触し上部側壁5に沿って吸い上げられそして図1に示すような凹状メニスカスを形成するのを防止するために使用することができる。
分配された封入材料14は、例えば加熱することによって硬化され、14Bに示された高さまで縮む可能性がある。図8Bに示すように、第2の量16の封入材料が、空洞15の中に、硬化した第1の量14の封入材料の上に分配される。いくつかの実施形態では、図8Bに示すように、第2の量16の封入材料も、リップ22の同じ縁に固着して、凸状メニスカスを形成することができる。他の実施形態では、リップ22は内縁および外縁を有し、第2の量16の封入材料が外縁に固着し、第1の量14が内縁に固着することができる。したがって、第2の量16の封入材料も、上部側壁5に接触しないか又は上部側壁5に沿って吸い上げられず、凹状メニスカスを形成しないようにすることができる。
図8Cを参照すると、レンズ20が反射空洞15に挿入され、未硬化の液体封入材料16と接触する。したがって、封入材料16は、レンズ20の下から押し出されることがある。しかし、本発明のいくつかの実施形態では、(図2に示すように)反射カップおよびレンズの露出された上面にはみ出す代わりに、封入材料16の過剰分は、モート18の中に押し込まれてそこで収容され、それによって、レンズ20が挿入され図8Bに示す凸状メニスカスに取って代わった後でも、側壁5に沿った封入材料16の吸い上げを制限している。ついで封入材料16が硬化されて、レンズ20がパッケージ10Aに取り付けられ、また封入材料16が凝固される。
図9A〜9Cは、本発明のいくつかの実施形態に従って、メニスカス制御のために反射カップの構造上の特徴を使用して発光デバイスをパッケージングする方法を示している。図9A〜9Cに示した工程は、図6に示した反射カップ4A、および上述した二重硬化工程を利用する。図9Aに示すように、第1の量14の封入材料が、パッケージ10Bの反射空洞15中に堆積される。本発明のいくつかの実施形態では、第1の量14は、別個の第1の(ぬれ)分配および発光デバイスをぬらした後の第2の分配を使用して分配することができる。分配される封入材料の量を適切に制御することで、液体の封入材料14は表面張力によって内側リップ22に固着するようになって、図9Aに示すような14Aに示された高さの凸状メニスカスを形成する。したがって、内側リップ22を使用して、分配された封入材料14が上部側壁5に接触し上部側壁5に沿って吸い上げられそして図1に示すような凹状メニスカスを形成するのを防止することができる。
分配された封入材料14は、例えば加熱することによって硬化され、14Bに示された高さまで縮む可能性がある。図9Bに示すように、第2の量16の封入材料が、反射空洞15の中に、硬化した第1の量14の封入材料の上に分配される。いくつかの実施形態では、図9Bに示すように、第2の量16の封入材料は外側リップ26に固着して、凸状メニスカスを形成する。したがって、外側リップ26を使用して、分配された第2の量16の封入材料が上部側壁5に接触し上部側壁5に沿って吸い上げられそして図1に示すような凹状メニスカスを形成するのを防止することができる。
図9Cを参照すると、レンズ20が反射空洞15の中に挿入され、未硬化の液体封入材料16と接触する。したがって、封入材料16は、レンズ20の下から押し出されることがある。しかし、本発明のいくつかの実施形態では、(図2に示すように)反射カップおよびレンズの露出された上面にはみ出す代わりに、封入材料16の過剰分は、第2のモート24の中に押し込められそこで収容されて、それによって、レンズ20が挿入されて図9Bに示す凸状メニスカスに取って代わった後でも側壁5に沿った封入材料16の吸い上げを制限している。それから、封入材料16が硬化されて、レンズ20がパッケージ10Bに取り付けられ、また封入材料16が凝固される。
本発明のいくつかの実施形態では、硬化された封入材料14は、レンズ20のレベル(配置の深さ)制御を可能にする止め具(stop)として使用することができることを、図9Cはさらに示している。レンズ20の位置付けに対するそのような制御は、いっそう一定した光学的性能を有する部品の製造を容易にすることができる。
図9Cに示すように、本発明のいくつかの実施形態では、レンズ20は、硬化した第1の量14の封入材料に接触するまで空洞の中に進むことなく、封入材料16の膜がレンズと第1との量の間に残っている状態で、位置付けされる。このようにして、本発明のいくつかの実施形態で、デバイスは、レンズ20が第1の量の封入材料14で確立された位置まで進むことができるように構成され、この位置は、本発明の様々な実施形態で、レンズ20が硬化封入材料14に接触した状態で、または接触しない状態で確立することができる。
図10A〜10Cは、本発明のいくつかの実施形態に従って、メニスカス制御のために反射カップの構造上の特徴を使用して発光デバイスをパッケージングする方法を示している。図10A〜10Cに示した工程は、図7に示した反射カップ4B、および上述した二重硬化工程を利用する。図10Aに示すように、第1の量14の封入材料はパッケージ10Cの反射空洞15中に堆積される。本発明のいくつかの実施形態では、第1の量14は、別個の(ぬれ)分配および第2の分配を使用して分配することができる。分配される封入材料の量を適切に制御することで、液体の封入材料14が表面張力によって内側リップ22に固着するようになって、図10Aに示すような14Aに示された高さの凸状メニスカスを形成する。したがって、内側リップ22を使用して、分配された封入材料14が上部側壁5に接触し上部側壁5に沿って吸い上げられそして図1に示すような凹状メニスカスを形成するのを防止することができる。
分配された封入材料14は、例えば加熱することによって硬化され、14Bに示された高さまで縮む可能性がある。図10Bに示すように、第2の量16の封入材料が、反射空洞15の中に、硬化した第1の量14の封入材料の上に分配される。いくつかの実施形態では、図10Bに示すように、第2の量16の封入材料が、外側リップ26’に固着して、凸状メニスカスを形成する。したがって、外側リップ26’により、分配された第2の量16の封入材料が上部側壁5に接触し上部側壁5に沿って吸い上げられそして図1に示すような凹状メニスカスを形成するのを防止することができる。
図10Cを参照すると、レンズ20が反射空洞15に挿入され、未硬化の液体封入材料16と接触する。したがって、封入材料16は、レンズ20の下から押し出されることがある。しかし、本発明のいくつかの実施形態では、(図2に示すように)反射カップおよびレンズの露出された上面にはみ出す代わりに、封入材料16の過剰分は、第2のモート24の中に押し込められそこで収容されて、それによって、レンズ20が挿入されて図10Bに示す凸状メニスカスと置き換わった後でも側壁5に沿った封入材料16の吸い上げを制限している。それから、封入材料16が硬化されて、レンズ20がパッケージ10Cに取り付けられ、また封入材料16が凝固される。
本発明のいくつかの実施形態では、外側リップ26’は、レンズ20のレベル(配置の深さ)制御を可能にする止め具として使用することができることを、図10Cはさらに示している。レンズ20の位置付けに対するそのような制御は、いっそう一定した光学的性能を有する部品の製造を容易にすることができる。この実施形態では、レンズの配置は、第1の硬化ステップ中の封入材料の収縮量に依存しない。図10Cに示す実施形態では、配置の深さが外側リップ26’の高さによって画定されるので、図9Cに示すものと違って、レンズ20の配置は、第1の量14の封入材料の収縮量に依存する必要がない。したがって、本発明のいくつかの実施形態では、配置をいっそう正確にすることができ、このことは、パッケージ10Cの光学的性能の改善をもたらす可能性がある。
本発明のいくつかの実施形態による、第1の(ぬれ)分配を使用して発光デバイスをパッケージングする方法を、これから、図11の流れ図を参照してさらに説明する。図11に示すように、工程は、発光デバイスを反射空洞の底面に取り付けることによって、ブロック1100で始まることができる。取り付けられた発光デバイスは、反射空洞の底面に対して関連した高さを有している。発光デバイスを備えた反射空洞の中に、第1の量の封入材料が分配される(ブロック1120)。
第1の量は、封入材料中に空気ポケットを1つも形成することなく発光デバイスを実質的に覆うのに十分な量とすることができる。本発明のいくつかの実施形態では、第1の量は、発光デバイスの高さを超える水準まで反射空洞を満たすことなく、発光デバイスをぬらすのに十分な量とすることができる。本発明の他の実施形態では、封入材料の分配の時間/速度は、封入材料中の空気ポケットの形成を減少させるために変えることができる。さらにまた他の実施形態では、例えば低分配速度、低圧力で小さな分配針から、などの条件で単一の分配を使用して、空気ポケットがことによると生じ、そのときは十分な封入材料が分配されて空気ポケットのつぶれを防止する前にへこみ/つぶれるようにすることができる。したがって、第1の(ぬれ)分配および第2の分配は、生じた空気ポケットが分配工程中にへこむ/つぶれることを可能とする選ばれた粘性の封入材料を選ばれた速度で連続的に分配することで提供することができる。第1の量は、発光デバイスの高さを超える水準まで反射空洞を満たすことなく発光デバイスをぬらすのに十分な量とすることができる。
第2の量の封入材料が、第1の量の封入材料の上に分配される(ブロック1130)。それから、分配された第1および第2の量の封入材料が硬化される(ブロック1140)。本発明のいくつかの実施形態では、第1の分配されたぬれ量(wetting quantity)の封入材料は、封入材料の残り部分が分配される前に硬化することができる。
第1の量12、14および第2の量16の封入材料は、同じ材料であっても、または異なる材料であってもよい。同様に、第1の量の封入材料の第1の部分12および第2の部分14は、同じ材料であっても、または異なる材料であってもよい。本発明の様々な実施形態で封入材料として使用することができる材料の例にシリコーンがある。
メニスカス制御を使用する本発明のいくつかの実施形態による半導体発光デバイスのパッケージングに関連した工程を、これから、図12の流れ図を参照して説明する。図12に示すように、工程は、反射器5の反射空洞15中に発光デバイス103を取り付けることで、ブロック1200で始まることができる。封入材料が、発光デバイス103を備えた反射空洞15の中に分配されて発光デバイス103を覆い、そして反射器4、4A、4Bの上部側壁5に接触することなくモートの縁に延在する封入材料で構成された凸状メニスカスを反射空洞中に形成する(ブロック1210)。より一般的には、ブロック1210の工程は、メニスカスの外縁を反射空洞15内に位置付けする高さである、メニスカスの外縁に延在する凸状メニスカスの形成を可能にする。例えば、上部側壁5および封入材料12、14、16に使用される材料を選ぶことで、反射空洞15の中に延びる凹状でなく凸状のメニスカスの形成を容易にすることができる。封入材料12、14、16は反射空洞15の中にある(ブロック1220)。レンズ20がパッケージ10A、10B、10C中に備えられている実施形態では、レンズ20の挿入は、レンズ20で凸状メニスカスをつぶし封入材料12、14、16の一部をモート18、24の中に入れ、そして封入材料12、14、16を硬化してレンズ20を反射空洞15に取り付けることを含むことができる。あるいは、封入材料12、14、16を硬化して、パッケージングされた発光デバイス103のレンズを封入材料12、14、16から形成することができ、また、封入材料12、14、16を分配して、レンズの所望の形状を実現する凸状メニスカスを形成することができる。
複数分配および/または硬化工程を使用して、反射空洞15を画定する下部側壁6と上部側壁5との間に位置付けされたモート18、24を有する反射器4、4A、4Bに半導体発光デバイス103をパッケージングする方法の実施形態を、これから、図13を参照してさらに説明する。図13の実施形態に示すように、工程は、第1の量14の封入材料を反射空洞15の中に分配することによって第1の凸状メニスカスを形成することで、ブロック1300で始まる。第1の量14の封入材料が硬化される(ブロック1310)。第2の量16の封入材料が、硬化された第1の量14の封入材料の上に分配されて、反射器4、4A、4Bの上部側壁5に接触することなくモート18、24の縁に延在する封入材料で構成された第2の凸状メニスカスを反射空洞15の中に形成する(ブロック1320)。
図8Bに示すように、封入材料で構成された第2の凸状メニスカスおよび第1の凸状メニスカスは、両方とも、モート18の同じ縁に延在することができる。しかし、本発明の他の実施形態では、モート18、24は、第1のリップ22および第2のリップ26、26’のような内縁および外縁を有することができ、封入材料で構成された第2の凸状メニスカスはモート18、24の外縁(第2のリップ26、26’)に延在し、封入材料で構成された第1の凸状メニスカスはモート18、24の内縁(第1のリップ22)に延在している。したがって、第1のリップ22を使用して、水平肩部8に沿って外へ向かう封入材料14の吸い上げを制限して、反射空洞15の中に分配された封入材料で構成された第1の凸状メニスカスの形成を可能にするように、内側モート18を構成することができる。第2のリップ26、26’を使用して、水平肩部8に沿って外へ向かう封入材料の吸い上げを制限して反射空洞15の中に分配された封入材料で構成された第2の凸状メニスカスの形成を可能にするように、外側モート24を構成することができる。
レンズを備えた本発明のいくつかの実施形態では、レンズ20は、反射空洞15の中に、分配された第2の量16の封入材料に近接して位置付けされる(ブロック1330)。レンズ20の位置付けは、図9Cおよび10Cに示すように、レンズ20で第2の凸状メニスカスをつぶし第2の量16の封入材料の一部を外側モート24の中に入れることを含むことができる。さらに、図10Cに示すように、第2のリップ26’の高さを、第1のリップ22の高さよりも大きくすることができる。第2のリップ26’の高さは、レンズ20に所望の位置を与えるように選ぶことができ、レンズ20は、第2のリップ26’に接触するまで反射空洞15の中に入れることができる。本発明の他の実施形態では、図9Cに示すように、レンズ20は、硬化された第1の量14の封入材料に接触するまで反射空洞15の中に進められ、分配された第1の量14の封入材料は、反射空洞15の中にレンズ20の所望の位置を確立するのに十分な量である。分配された第2の量16の封入材料が硬化されて、反射空洞15の中にレンズ20が取り付けられる(ブロック1340)。
図11〜13の流れ図、ならびに図8A〜8C、9A〜9Cおよび10A〜10Cの模式的な図は、本発明のいくつかの実施形態による発光デバイスをパッケージングする方法の可能な実施の機能および工程を示している。留意すべきことであるが、いくつかの代替的実施では、図を説明する際に指摘された動作は、図で指摘された順序から外れて行われることがある。例えば、連続して示された2つのブロック/工程は、実際には、関係している機能に応じて、実質的に同時に実行するか、または逆の順序で実行することができる。
前述したものは、本発明の例示であり、本発明を限定するものと解釈すべきでない。本発明のいくつかの例示的実施形態を説明したが、本発明の新規な教示および利点から実質的に逸脱することなく例示的実施形態に多くの修正が可能であることを、当業者は容易に理解するだろう。したがって、全てのそのような修正は、特許請求の範囲で定義される本発明の範囲内に含まれることが意図されている。それゆえ、前述したものは、本発明を例示するものであり、開示された特定の実施形態に限定されるように解釈すべきでなく、また、他の実施形態だけでなく開示された実施形態の修正も添付の特許請求の範囲の範囲内に含まれることが意図されていることを理解されたい。本発明は、添付の特許請求の範囲、および特許請求の範囲に含まれるべき均等物(equivalents)によって定義される。
従来の発光デバイスパッケージを示す断面側面図である。 従来の発光デバイスパッケージを示す断面側面図である。 本発明のいくつかの実施形態による、発光デバイスをパッケージングする方法を示す断面側面図である。 本発明のいくつかの実施形態による、発光デバイスをパッケージングする方法を示す断面側面図である。 本発明のいくつかの実施形態による、発光デバイスをパッケージングする方法を示す断面側面図である。 本発明のいくつかの実施形態と共に使用するのに適した発光デバイスパッケージを示す上面図である。 図4Aの発光デバイスパッケージを示す断面側面図である。 本発明のいくつかの実施形態による発光デバイスパッケージを示す上面図である。 図5Aの発光デバイスパッケージを示す断面側面図である。 本発明のさらなる実施形態による発光デバイスパッケージを示す断面側面図である。 本発明の他の実施形態による発光デバイスパッケージを示す断面側面図である。 本発明のさらなる実施形態による発光デバイスをパッケージングする方法を示す断面側面図である。 本発明のさらなる実施形態による発光デバイスをパッケージングする方法を示す断面側面図である。 本発明のさらなる実施形態による発光デバイスをパッケージングする方法を示す断面側面図である。 本発明の他の実施形態による発光デバイスをパッケージングする方法を示す断面側面図である。 本発明の他の実施形態による発光デバイスをパッケージングする方法を示す断面側面図である。 本発明の他の実施形態による発光デバイスをパッケージングする方法を示す断面側面図である。 本発明のさらにまた他の実施形態による発光デバイスをパッケージングする方法を示す断面側面図である。 本発明のさらにまた他の実施形態による発光デバイスをパッケージングする方法を示す断面側面図である。 本発明のさらにまた他の実施形態による発光デバイスをパッケージングする方法を示す断面側面図である。 本発明のいくつかの実施形態による発光デバイスをパッケージングする工程を示す流れ図である。 本発明のいくつかの他の実施形態による発光デバイスをパッケージングする工程を示す流れ図である。 本発明のさらにまた他の実施形態による発光デバイスをパッケージングする工程を示す流れ図である。

Claims (47)

  1. 下部側壁と上部側壁との間に位置付けされたモートを有する反射器の中に半導体発光デバイスをパッケージングする方法であって、前記上部側壁および下部側壁は反射空洞を画定しており、
    前記発光デバイスを備えた前記反射空洞中に封入材料を分配して、前記発光デバイスを覆い、そして前記反射器の前記上部側壁に接触することなく、前記モートの縁に延在する封入材料で構成された凸状メニスカスを前記反射空洞中に形成するステップと、
    前記反射空洞中の前記封入材料を硬化させるステップと
    を含むことを特徴とする方法。
  2. 前記封入材料を硬化させるステップは、前記封入材料中にレンズを位置付けするステップであって、前記レンズで前記凸状メニスカスをつぶし前記封入材料の一部を前記モートの中に入れることを含むステップに先行され、さらに、前記封入材料を硬化させるステップは、前記レンズを前記反射空洞に取り付けることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. 前記封入材料を硬化させるステップは、前記封入材料を硬化させて前記パッケージングされた発光デバイスのレンズを前記封入材料で形成するステップを含み、封入材料を分配するステップは、前記封入材料を分配して、前記レンズの所望の形状を実現する凸状メニスカスを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  4. 前記封入材料は、光変換材料を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  5. 前記発光デバイスは、発光ダイオード(LED)を備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  6. 封入材料を分配するステップは、第1の量の封入材料を分配するステップを含み、前記第1の量の封入材料を硬化させるステップの後に、
    第2の量の封入材料を前記硬化された第1の量の封入材料の上に分配して、前記反射器の前記上部側壁に接触することなく前記モートの縁に延在する封入材料で構成された第2の凸状メニスカスを前記反射空洞中に形成するステップと、
    前記反射空洞の中に、前記分配された第2の量の封入材料に近接してレンズを位置付けするステップと、
    前記分配された第2の量の封入材料を硬化して前記レンズを前記反射空洞に取り付けるステップと
    が続くことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  7. 封入材料で構成された前記第2の凸状メニスカスおよび前記第1の凸状メニスカスは、両方とも、前記モートの同一の縁に延在することを特徴とする請求項6に記載の方法。
  8. 前記モートは、内縁および外縁を有し、封入材料で構成された前記第2の凸状メニスカスは前記モートの前記外縁に延在し、封入材料で構成された前記第1の凸状メニスカスは前記モートの前記内縁に延在することを特徴とする請求項6に記載の方法。
  9. 前記モートは、内側モートおよび外側モートを備え、前記内側モートは第1のリップを画定する内縁を有し、前記外側モートは第2のリップを画定する内縁を有し、
    前記第1の量の封入材料を分配するステップは、前記第1の量の封入材料を前記反射空洞中に分配して前記第1のリップに延在する封入材料で構成された凸状メニスカスを前記反射空洞中に形成するステップを含み、
    前記第2の量の封入材料を分配するステップは、前記第2の量の封入材料を前記反射空洞中に分配して、前記第2のリップに延在する封入材料で構成された凸状メニスカスを前記反射空洞中に形成するステップを含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。
  10. 前記レンズを位置付けするステップは、前記レンズで前記第2の凸状メニスカスをつぶし前記第2の量の封入材料の一部を前記外側モートの中に入れるステップを含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。
  11. 前記第2のリップは、前記第1のリップの高さよりも大きな高さを有し、前記第2のリップの高さは、前記レンズに所望の位置を与えるように選ばれ、前記レンズを位置付けするステップは、前記レンズが前記第2のリップに接触するまで前記レンズを前記反射空洞の中に入れるステップを含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。
  12. 前記発光デバイスを前記反射空洞中に取り付けるステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  13. 第1の量の封入材料を、前記発光デバイスを備える前記反射空洞中に分配するステップは、
    前記第1の量の封入材料の第1の部分を、前記発光デバイスを備える前記反射空洞中に分配するステップであって、前記第1の部分は、前記発光デバイスの高さを超える水準まで前記反射空洞を満たすことなく前記発光デバイスをぬらすのに十分な量であるステップと、
    前記第1の量の封入材料の第2の部分を、前記第1の量の封入材料の前記第1の部分の上に分配するステップと
    を含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。
  14. 第1の量の封入材料を、前記発光デバイスを備える前記反射空洞中に分配するステップは、
    前記第1の量の封入材料の第1の部分を、前記発光デバイスを備える前記反射空洞中に分配するステップであって、前記第1の量の前記第1の部分は、前記封入材料中に空気ポケットを形成することなく前記発光デバイスを実質的に覆うのに十分な量であるステップと、
    前記第1の量の封入材料の第2の部分を、前記第1の量の封入材料の前記第1の部分の上に分配するステップと
    を含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。
  15. 前記第2の部分は、前記第1の部分の約2倍であることを特徴とする請求項14に記載の方法。
  16. 前記第2の量は、前記第1の量の前記第1の部分にほぼ等しいことを特徴とする請求項15に記載の方法。
  17. 前記第1の量の封入材料を硬化させるステップは、前記第1の量の封入材料の前記第2の部分を分配する前に、前記第1の量の封入材料の前記第1の部分を硬化させるステップを含み、さらに、前記第1の量の封入材料の前記第1の部分は蛍光体を含み、前記第1の量の封入材料の前記第2の部分は蛍光体を実質的に含まないことを特徴とする請求項14に記載の方法。
  18. 前記発光デバイスを取り付けるステップは、前記発光デバイスを前記反射空洞のほぼ中心点に取り付けるステップを含み、第1および第2の量の封入材料を分配するステップは、前記封入材料が前記発光デバイスの上に直接分配されないように、前記中心点から前記空洞の側壁の方にずれた点で前記封入材料を分配するステップを含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。
  19. 前記封入材料は、シリコーンゲルを含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。
  20. 前記レンズを位置付けするステップは、前記レンズが前記硬化された第1の量の封入材料に接触するまで前記レンズを前記反射空洞の中に進めるステップを含み、前記第1の量の封入材料を分配するステップは、前記レンズの所望の位置を前記反射空洞中に確立するのに十分な第1の量の封入材料を分配するステップを含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。
  21. 前記レンズを位置付けするステップは、前記硬化された第1の量の封入材料によって確立された位置まで前記レンズを前記反射空洞の中に進めるステップを含み、前記第1の量の封入材料を分配するステップは、前記レンズの所望の位置を前記反射空洞中に確立するのに十分な第1の量の封入材料を分配するステップを含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。
  22. 前記第1の量の封入材料は、蛍光体を含み、前記第2の量の封入材料は、蛍光体を実質的に含まないことを特徴とする請求項6に記載の方法。
  23. 半導体発光デバイス用の反射器であって、
    反射空洞を画定する下部側壁部と、
    傾斜した前記下部側壁部の外側に延在する実質的に水平な肩部であって、円周方向に延びているモートを有する水平な肩部と、
    前記水平な肩部の上方に延在する上部側壁部と
    を備えることを特徴とする反射器。
  24. 前記下部側壁部は、傾斜していることを特徴とする請求項23に記載の反射器。
  25. 前記モートの縁は、前記水平な肩部に沿って外へ向かう封入材料の吸い上げ(wicking)を制限し、前記反射空洞中に分配された封入材料で構成された凸状メニスカスの形成を可能にするように構成されていることを特徴とする請求項23に記載の反射器。
  26. 前記モートの前記縁は、リップを備えることを特徴とする請求項25に記載の反射器。
  27. 前記リップは、約50マイクロメートル未満の曲率半径を有する突出部を有していることを特徴とする請求項25に記載の反射器。
  28. 前記モートは、前記下部側壁部に近接して位置付けされた円周方向に延びている内側モートと、前記内側モートと前記上部側壁部との間に位置付けされた円周方向に延びている外側モートとを備えていることを特徴とする請求項23に記載の反射器。
  29. 前記内側モートの縁は、前記水平な肩部に沿って外へ向かう封入材料の吸い上げを制限し、前記反射空洞中に分配された封入材料で構成された第1の凸状メニスカスの形成を可能にするように構成され、前記外側モートの縁は、前記水平な肩部に沿って外へ向かう封入材料の吸い上げを制限し、前記反射空洞中に分配された封入材料で構成された第2の凸状メニスカスの形成を可能にするように構成されていることを特徴とする請求項28に記載の反射器。
  30. 前記第1のモートの前記縁は、第1のリップを備え、前記第2のモートの前記縁は第2のリップを備えることを特徴とする請求項29に記載の反射器。
  31. 前記第1のリップは、約50マイクロメートル未満の曲率半径を有する突出部を有し、前記第2のリップは、約50マイクロメートル未満の曲率半径を有する突出部を有していることを特徴とする請求項29に記載の反射器。
  32. 前記第1のモートおよび前記第2のモートは、前記水平な肩部の押し型で付けられた特徴であることを特徴とする請求項29に記載の反射器。
  33. 前記第2のモートは、前記第2のリップから前記上部側壁部まで延びる幅を有していることを特徴とする請求項29に記載の反射器。
  34. 前記下部側壁部は、実質的に円錐状であり、約1.9ミリメートル(mm)から約3.2mmまでの最小直径および約2.6mmから約4.5mmまでの最大直径および約0.8mmから約1.0mmまでの高さを有していることを特徴とする請求項29に記載の反射器。
  35. 前記上部側壁部は、実質的に楕円形であり、約3.4ミリメートル(mm)から約4.2mmまでの内径および約0.6mmから約0.7mmまでの高さを有していることを特徴とする請求項34に記載の反射器。
  36. 前記水平な肩部は、前記下部側壁部から前記上部側壁部までの、約0.4mmから約0.7mmまでの幅を有することを特徴とする請求項34に記載の反射器。
  37. 前記第1のモートは、約0.3ミリメートル(mm)から約0.4mmまでの幅を有し、前記第2のモートは、約0.3mmから約0.4mmまでの幅を有することを特徴とする請求項36に記載の反射器。
  38. 前記第1のモートの前記縁は、前記下部側壁部の下端に対して約0.3ミリメートル(mm)から約0.4mmまでの高さを有する第1のリップを備え、前記第2のモートの前記縁は、前記下部側壁部の下端に対して約0.79mmから約0.85mmまでの高さを有する第2のリップを備えることを特徴とする請求項37に記載の反射器。
  39. 前記第1のモートの前記縁は、前記下部側壁部の下端に対して約0.79ミリメートル(mm)から約0.85mmまでの高さを有する第1のリップを備え、前記第2のモートの前記縁は、前記下部側壁部の下端に対して約0.9mmから約1.0mmまでの高さを有する第2のリップを備えることを特徴とする請求項37に記載の反射器。
  40. パッケージングされた半導体発光デバイスであって、
    反射空洞を画定する下部側壁部、前記下部側壁部の外側に延在する実質的に水平な肩部であって円周方向に延びているモートを有する水平な肩部、および前記水平な肩部の上方に延在する上部側壁部を有する反射器と、
    前記反射空洞中に位置付けされた発光デバイスと、
    前記反射空洞中の、前記発光デバイスを覆う封入材料と
    を備えることを特徴とするデバイス。
  41. 前記下部側壁部は、傾斜していることを特徴とする請求項40に記載のデバイス。
  42. 前記発光デバイスは、発光ダイオード(LED)を備えることを特徴とする請求項40に記載のデバイス。
  43. 前記封入材料は、シリコーンゲルを備えることを特徴とする請求項40に記載のデバイス。
  44. 前記封入材料は、光変換材料を含むことを特徴とする請求項40に記載のデバイス。
  45. 前記封入材料は、前記発光デバイスから離れた実質的に蛍光体を含まない第1の領域と、前記第1の領域と前記発光デバイスとの間の蛍光体を含む第2の領域とを含むことを特徴とする請求項40に記載のデバイス。
  46. 前記デバイスは、前記封入材料の前記第1の領域に取り付けられ前記第1の領域に延在するレンズをさらに備えることを特徴とする請求項45に記載のデバイス。
  47. 前記発光デバイスを覆う封入材料に延在するレンズをさらに備えることを特徴とする請求項40に記載のデバイス。
JP2007506265A 2004-03-31 2005-03-24 反射器パッケージおよび半導体発光デバイスのパッケージング方法 Active JP5209959B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US55831404P 2004-03-31 2004-03-31
US60/558,314 2004-03-31
US11/044,779 2005-01-27
US11/044,779 US7326583B2 (en) 2004-03-31 2005-01-27 Methods for packaging of a semiconductor light emitting device
PCT/US2005/009779 WO2005098977A2 (en) 2004-03-31 2005-03-24 Reflector packages and methods for packaging of a semiconductor light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007531318A true JP2007531318A (ja) 2007-11-01
JP5209959B2 JP5209959B2 (ja) 2013-06-12

Family

ID=35054897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007506265A Active JP5209959B2 (ja) 2004-03-31 2005-03-24 反射器パッケージおよび半導体発光デバイスのパッケージング方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7326583B2 (ja)
EP (1) EP1730794B1 (ja)
JP (1) JP5209959B2 (ja)
TW (1) TWI442578B (ja)
WO (1) WO2005098977A2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014194044A1 (en) * 2013-05-29 2014-12-04 Venntis Technologies LLC Volumetric light emitting device

Families Citing this family (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7517728B2 (en) * 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
KR100580753B1 (ko) * 2004-12-17 2006-05-15 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
JP3955065B2 (ja) * 2005-01-18 2007-08-08 シャープ株式会社 光結合器
US7939842B2 (en) * 2005-01-27 2011-05-10 Cree, Inc. Light emitting device packages, light emitting diode (LED) packages and related methods
US8669572B2 (en) * 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
TWM284076U (en) * 2005-06-17 2005-12-21 Arima Optoelectronics Corp The structure of the base of the package of a semiconductor device
KR101161383B1 (ko) * 2005-07-04 2012-07-02 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법
US8835952B2 (en) 2005-08-04 2014-09-16 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting devices and methods of forming packaged light emitting devices including dispensed encapsulants
US7365371B2 (en) * 2005-08-04 2008-04-29 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants
MY152857A (en) * 2005-09-01 2014-11-28 Dominant Opto Tech Sdn Bhd Surface mount optoelectronic component with lens
JP5066333B2 (ja) * 2005-11-02 2012-11-07 シチズン電子株式会社 Led発光装置。
KR20080106402A (ko) 2006-01-05 2008-12-05 일루미텍스, 인크. Led로부터 광을 유도하기 위한 개별 광학 디바이스
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
US7928462B2 (en) 2006-02-16 2011-04-19 Lg Electronics Inc. Light emitting device having vertical structure, package thereof and method for manufacturing the same
US7816697B1 (en) * 2006-02-24 2010-10-19 Cypress Semiconductor Corporation System and method for mounting an optical component to an integrated circuit package
KR100746749B1 (ko) * 2006-03-15 2007-08-09 (주)케이디티 광 여기 시트
US7808004B2 (en) * 2006-03-17 2010-10-05 Edison Opto Corporation Light emitting diode package structure and method of manufacturing the same
DE102006014247B4 (de) * 2006-03-28 2019-10-24 Robert Bosch Gmbh Bildaufnahmesystem und Verfahren zu dessen Herstellung
US20070228331A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-04 Haitko Deborah A Q silicone-containing composition, optoelectronic encapsulant thereof and device thereof
JP2007300069A (ja) * 2006-04-04 2007-11-15 Toyoda Gosei Co Ltd 発光素子、この発光素子を用いた発光装置及びこの発光素子の製造方法
JP2007311445A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
US7989823B2 (en) * 2006-06-08 2011-08-02 Hong-Yuan Technology Co., Ltd. Light emitting system, light emitting apparatus and forming method thereof
US8044418B2 (en) 2006-07-13 2011-10-25 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices
US7960819B2 (en) * 2006-07-13 2011-06-14 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state emitting devices
TWI321857B (en) * 2006-07-21 2010-03-11 Epistar Corp A light emitting device
US7804147B2 (en) * 2006-07-31 2010-09-28 Cree, Inc. Light emitting diode package element with internal meniscus for bubble free lens placement
US20080029775A1 (en) * 2006-08-02 2008-02-07 Lustrous Technology Ltd. Light emitting diode package with positioning groove
CN101553928B (zh) * 2006-10-02 2011-06-01 伊鲁米特克有限公司 Led系统和方法
US20090275266A1 (en) * 2006-10-02 2009-11-05 Illumitex, Inc. Optical device polishing
US7808013B2 (en) 2006-10-31 2010-10-05 Cree, Inc. Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies
US7889421B2 (en) * 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
US20080121911A1 (en) * 2006-11-28 2008-05-29 Cree, Inc. Optical preforms for solid state light emitting dice, and methods and systems for fabricating and assembling same
CN101636675B (zh) * 2007-03-16 2011-11-23 欧姆龙株式会社 光传输路径封装、光传输模块、电子设备及光传输模块的制造方法
WO2008151009A1 (en) * 2007-05-31 2008-12-11 Lumination Llc Environmentally robust lighting devices and methods of manufacturing same
KR101623422B1 (ko) 2007-06-27 2016-05-23 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 고 효율 백색 발광 다이오드들을 위한 광학 설계들
US7652297B2 (en) * 2007-09-11 2010-01-26 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting device
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US9754926B2 (en) 2011-01-31 2017-09-05 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies
US9660153B2 (en) 2007-11-14 2017-05-23 Cree, Inc. Gap engineering for flip-chip mounted horizontal LEDs
US8940561B2 (en) * 2008-01-15 2015-01-27 Cree, Inc. Systems and methods for application of optical materials to optical elements
US8058088B2 (en) 2008-01-15 2011-11-15 Cree, Inc. Phosphor coating systems and methods for light emitting structures and packaged light emitting diodes including phosphor coating
EP2240968A1 (en) * 2008-02-08 2010-10-20 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
US8324723B2 (en) * 2008-03-25 2012-12-04 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bump/base heat spreader and dual-angle cavity in bump
DE102008019667A1 (de) 2008-04-18 2009-10-22 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit einer Plattform mit einer Zentralausnehmung
KR100992778B1 (ko) 2008-05-23 2010-11-05 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US7728399B2 (en) * 2008-07-22 2010-06-01 National Semiconductor Corporation Molded optical package with fiber coupling feature
US7955875B2 (en) * 2008-09-26 2011-06-07 Cree, Inc. Forming light emitting devices including custom wavelength conversion structures
CN201307605Y (zh) * 2008-12-05 2009-09-09 弘凯光电(深圳)有限公司 Led封装结构
TW201034256A (en) * 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
TW201022582A (en) * 2008-12-12 2010-06-16 Foxconn Tech Co Ltd Illuminating apparatus and light engine thereof
US8096671B1 (en) 2009-04-06 2012-01-17 Nmera, Llc Light emitting diode illumination system
US8449128B2 (en) * 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
CN101853914A (zh) * 2010-05-11 2010-10-06 张婷婷 高功率的led白光光源结构
CN102033401A (zh) * 2010-10-27 2011-04-27 许崇良 基于红绿蓝三基色led光源的投影成像方法及系统
US8772817B2 (en) 2010-12-22 2014-07-08 Cree, Inc. Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias
US9508904B2 (en) * 2011-01-31 2016-11-29 Cree, Inc. Structures and substrates for mounting optical elements and methods and devices for providing the same background
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
US9831220B2 (en) 2011-01-31 2017-11-28 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies
US9053958B2 (en) 2011-01-31 2015-06-09 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies
US9673363B2 (en) 2011-01-31 2017-06-06 Cree, Inc. Reflective mounting substrates for flip-chip mounted horizontal LEDs
US9401103B2 (en) 2011-02-04 2016-07-26 Cree, Inc. LED-array light source with aspect ratio greater than 1
EP2487562B1 (en) * 2011-02-11 2016-06-29 BlackBerry Limited Optical navigation module with alignment features
US8791642B2 (en) 2011-03-03 2014-07-29 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices having selectable and/or adjustable color points and related methods
US8796952B2 (en) 2011-03-03 2014-08-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices having selectable and/or adjustable color points and related methods
US10147853B2 (en) 2011-03-18 2018-12-04 Cree, Inc. Encapsulant with index matched thixotropic agent
KR20120108437A (ko) * 2011-03-24 2012-10-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
JP6247633B2 (ja) * 2011-08-10 2017-12-13 ヘプタゴン・マイクロ・オプティクス・プライベート・リミテッドHeptagon Micro Optics Pte. Ltd. 光電子モジュールおよびその製造方法
US9444024B2 (en) * 2011-11-10 2016-09-13 Cree, Inc. Methods of forming optical conversion material caps
DE102012204791A1 (de) * 2012-03-26 2013-09-26 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung mit leuchtstoffkörper auf kühlkörper
TW201415672A (zh) * 2012-10-03 2014-04-16 Lextar Electronics Corp 發光元件封裝結構
KR101957701B1 (ko) * 2012-11-14 2019-03-14 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
CN103851367B (zh) * 2012-12-01 2016-12-21 欧普照明股份有限公司 一种光源
US9055643B2 (en) 2013-03-13 2015-06-09 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus and methods of forming
DE102013217319A1 (de) * 2013-08-30 2015-03-05 Osram Gmbh Beleuchtungseinrichtung
US9976710B2 (en) 2013-10-30 2018-05-22 Lilibrand Llc Flexible strip lighting apparatus and methods
US10073228B2 (en) * 2014-02-07 2018-09-11 CNAM—Conservatoire National des Arts Et Metiers Process for manufacturing vertical optical coupling structures
US10132476B2 (en) 2016-03-08 2018-11-20 Lilibrand Llc Lighting system with lens assembly
JP6493348B2 (ja) 2016-09-30 2019-04-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11296057B2 (en) 2017-01-27 2022-04-05 EcoSense Lighting, Inc. Lighting systems with high color rendering index and uniform planar illumination
US20180328552A1 (en) 2017-03-09 2018-11-15 Lilibrand Llc Fixtures and lighting accessories for lighting devices
DE102017106508A1 (de) * 2017-03-27 2018-09-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Herstellungsverfahren
DE202017103633U1 (de) * 2017-06-20 2018-09-24 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED Modul mit Reflektor und integrierten Farbkonversionsmitteln
FR3075466B1 (fr) 2017-12-15 2020-05-29 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Couvercle de boitier de circuit electronique
FR3075465B1 (fr) * 2017-12-15 2020-03-27 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Couvercle de boitier de circuit electronique
WO2019151826A1 (ko) * 2018-02-05 2019-08-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지 및 이를 포함하는 발광장치
JP2019164210A (ja) * 2018-03-19 2019-09-26 株式会社東芝 光半導体モジュール
US11041609B2 (en) 2018-05-01 2021-06-22 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems and devices with central silicone module
US11353200B2 (en) 2018-12-17 2022-06-07 Korrus, Inc. Strip lighting system for direct input of high voltage driving power
CN113078253B (zh) * 2021-04-01 2022-11-11 淄博职业学院 一种艺术展览照明装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07150114A (ja) * 1993-11-26 1995-06-13 Olympus Optical Co Ltd レンズ接合装置
JP2002509362A (ja) * 1997-12-15 2002-03-26 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー オッフェネ ハンデルスゲゼルシャフト 表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子を製作する方法及び表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子
JP2003159718A (ja) * 2001-11-27 2003-06-03 Fuji Photo Optical Co Ltd 複合非球面レンズの製造方法
JP2003532299A (ja) * 2000-04-26 2003-10-28 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ルミネセンス変換エレメントを備えた光放出半導体素子
JP2003318448A (ja) * 2002-02-19 2003-11-07 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置とその形成方法
US20040041222A1 (en) * 2002-09-04 2004-03-04 Loh Ban P. Power surface mount light emitting die package

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US115242A (en) * 1871-05-23 Improvement in car-couplings
US1065220A (en) * 1912-10-24 1913-06-17 Joseph D Clay Impulse-valve.
US1187226A (en) * 1915-02-20 1916-06-13 Alfred C Anderson Clothes-pin.
JPS48102585A (ja) * 1972-04-04 1973-12-22
US3876456A (en) 1973-03-16 1975-04-08 Olin Corp Catalyst for the reduction of automobile exhaust gases
US5043716A (en) * 1988-07-14 1991-08-27 Adaptive Micro Systems, Inc. Electronic display with lens matrix
US4918497A (en) * 1988-12-14 1990-04-17 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US5027168A (en) * 1988-12-14 1991-06-25 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US4966862A (en) * 1989-08-28 1990-10-30 Cree Research, Inc. Method of production of light emitting diodes
US5210051A (en) * 1990-03-27 1993-05-11 Cree Research, Inc. High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride
US5416342A (en) * 1993-06-23 1995-05-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency
US5338944A (en) * 1993-09-22 1994-08-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with degenerate junction structure
US5393993A (en) * 1993-12-13 1995-02-28 Cree Research, Inc. Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices
JPH0832120A (ja) 1994-07-19 1996-02-02 Rohm Co Ltd 面発光表示器
US5604135A (en) 1994-08-12 1997-02-18 Cree Research, Inc. Method of forming green light emitting diode in silicon carbide
US5523589A (en) * 1994-09-20 1996-06-04 Cree Research, Inc. Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime
US5631190A (en) * 1994-10-07 1997-05-20 Cree Research, Inc. Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures
US5739554A (en) * 1995-05-08 1998-04-14 Cree Research, Inc. Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer
US5701451A (en) * 1995-06-07 1997-12-23 International Business Machines Corporation Method for fulfilling requests of a web browser
JPH0927643A (ja) 1995-07-13 1997-01-28 Stanley Electric Co Ltd 受光/発光素子
CN1534803B (zh) * 1996-06-26 2010-05-26 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 具有发光变换元件的发光半导体器件
JP3310551B2 (ja) 1996-08-23 2002-08-05 シャープ株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP3065263B2 (ja) 1996-12-27 2000-07-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを用いたled表示器
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
US6201262B1 (en) * 1997-10-07 2001-03-13 Cree, Inc. Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6670207B1 (en) * 1999-03-15 2003-12-30 Gentex Corporation Radiation emitter device having an integral micro-groove lens
JP3604298B2 (ja) 1999-02-25 2004-12-22 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
DE19918370B4 (de) * 1999-04-22 2006-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit Linse
DE19940319B4 (de) 1999-08-25 2004-10-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum spannungsarmen Aufsetzen einer Linse auf ein oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement
US6747406B1 (en) * 2000-08-07 2004-06-08 General Electric Company LED cross-linkable phospor coating
JP2002057375A (ja) * 2000-08-09 2002-02-22 Rohm Co Ltd 発光ダイオード
US6635363B1 (en) * 2000-08-21 2003-10-21 General Electric Company Phosphor coating with self-adjusting distance from LED chip
EP1187226B1 (en) 2000-09-01 2012-12-26 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type light emitting diode and method of manufacturing same
JP3614776B2 (ja) * 2000-12-19 2005-01-26 シャープ株式会社 チップ部品型ledとその製造方法
US6791119B2 (en) * 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
DE10109349B4 (de) 2001-02-27 2012-04-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
US20020163001A1 (en) * 2001-05-04 2002-11-07 Shaddock David Mulford Surface mount light emitting device package and fabrication method
US6958497B2 (en) * 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
US6642652B2 (en) * 2001-06-11 2003-11-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor-converted light emitting device
US6765801B1 (en) * 2001-06-25 2004-07-20 Amkor Technology, Inc. Optical track drain package
US6766817B2 (en) * 2001-07-25 2004-07-27 Tubarc Technologies, Llc Fluid conduction utilizing a reversible unsaturated siphon with tubarc porosity action
TWI292961B (en) * 2002-09-05 2008-01-21 Nichia Corp Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device
KR101182041B1 (ko) * 2002-09-19 2012-09-11 크리 인코포레이티드 경사 측벽을 포함하고 인광물질이 코팅된 발광 다이오드,및 그의 제조방법
US6744077B2 (en) * 2002-09-27 2004-06-01 Lumileds Lighting U.S., Llc Selective filtering of wavelength-converted semiconductor light emitting devices
US20040068594A1 (en) * 2002-10-08 2004-04-08 Anthony Asaro Method and apparatus for data bus inversion
TWI237546B (en) 2003-01-30 2005-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor-component sending and/or receiving electromagnetic radiation and housing-basebody for such a component
US7633093B2 (en) * 2003-05-05 2009-12-15 Lighting Science Group Corporation Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product
JP2005197369A (ja) 2004-01-05 2005-07-21 Toshiba Corp 光半導体装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07150114A (ja) * 1993-11-26 1995-06-13 Olympus Optical Co Ltd レンズ接合装置
JP2002509362A (ja) * 1997-12-15 2002-03-26 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー オッフェネ ハンデルスゲゼルシャフト 表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子を製作する方法及び表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子
JP2003532299A (ja) * 2000-04-26 2003-10-28 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ルミネセンス変換エレメントを備えた光放出半導体素子
JP2003159718A (ja) * 2001-11-27 2003-06-03 Fuji Photo Optical Co Ltd 複合非球面レンズの製造方法
JP2003318448A (ja) * 2002-02-19 2003-11-07 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置とその形成方法
US20040041222A1 (en) * 2002-09-04 2004-03-04 Loh Ban P. Power surface mount light emitting die package

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014194044A1 (en) * 2013-05-29 2014-12-04 Venntis Technologies LLC Volumetric light emitting device
US9041286B2 (en) 2013-05-29 2015-05-26 Venntis Technologies LLC Volumetric light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
WO2005098977A2 (en) 2005-10-20
US7612383B2 (en) 2009-11-03
EP1730794B1 (en) 2016-07-27
TWI442578B (zh) 2014-06-21
US7326583B2 (en) 2008-02-05
WO2005098977A3 (en) 2006-04-06
TW200603417A (en) 2006-01-16
EP1730794A2 (en) 2006-12-13
JP5209959B2 (ja) 2013-06-12
US20050221518A1 (en) 2005-10-06
US20080087910A1 (en) 2008-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5209959B2 (ja) 反射器パッケージおよび半導体発光デバイスのパッケージング方法
JP5357423B2 (ja) 発光デバイスをパッケージングする方法およびパッケージングされた発光デバイス
JP5285271B2 (ja) 発光変換要素を備える半導体発光デバイスおよびそのパッケージング方法
US7115979B2 (en) Light emitting diode package
US8202745B2 (en) Submounts for semiconductor light emitting devices and methods of forming packaged light emitting devices including dispensed encapsulants
JP5566114B2 (ja) ケーシングボディを有するオプトエレクトロニクス装置およびその製造方法
US20060278882A1 (en) Power lamp package

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080321

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101116

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20101207

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110216

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20110301

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111220

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120321

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120328

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120420

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120427

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120521

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120528

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120604

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121016

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130116

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130201

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130222

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160301

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5209959

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250