JP2007531289A

JP2007531289A - 表面堆積物を除去するための遠隔チャンバ方法

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Publication number: JP2007531289A
Application number: JP2007505283A
Authority: JP
Inventors: ハロルドソーインハーバート; バイボ
Original assignee: Massachusetts Institute of Technology
Current assignee: Massachusetts Institute of Technology
Priority date: 2004-03-24
Filing date: 2005-03-24
Publication date: 2007-11-01
Also published as: BRPI0508205A; WO2005098086A3; TWI284929B; TWI281715B; WO2005098086A2; WO2005090638A9; WO2005095670A3; JP2007530792A; KR20070043697A; WO2005090638A8; WO2005095670A2; TWI281714B; EP1737998A2; TW200623240A; KR20070037434A; JP2007531288A; TW200623281A; EP1733071A2; EP1733072A2; KR20070040748A

Abstract

本発明は、電子デバイスを製造する際に使用される堆積チャンバの内部などの表面から表面堆積物を除去するための改良されたリモートプラズマクリーニング方法に関する。改良は、酸素とフルオロカーボンとを含む供給ガス混合物への窒素源の追加を伴う。改良は、窒素源を含む前処理ガス混合物を活性化し、活性化前処理ガスを、遠隔チャンバから表面堆積物までの経路に通過させることによる、経路の内面の前処理も伴う。

Description

本発明は、酸素と、フルオロカーボンと、窒素源とを含むガス混合物を遠隔活性化することによって生じた活性化ガスを使用することによって、表面堆積物を除去するための方法に関する。より特定的には、本発明は、酸素と、ペルフルオロカーボン化合物と、窒素源とを含むガス混合物を遠隔活性化することによって生じた活性化ガスを使用することによって、化学蒸着チャンバの内部から表面堆積物を除去するための方法に関する。

原子フッ素の生成のためのリモートプラズマ源が、半導体処理産業におけるチャンバクリーニングのために、特に化学蒸着（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）（ＣＶＤ）およびプラズマ強化化学蒸着（ＰｌａｓｍａＥｎｈａｎｃｅｄＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）（ＰＥＣＶＤ）のために使用されるチャンバのクリーニングにおいて広く使用される。リモートプラズマ源の使用は、ＰＥＣＶＤチャンバ内にプラズマ放電を生じさせることによってクリーニングが行われる現場チャンバクリーンで発生する内部チャンバ材料の侵食のいくらかを回避する。容量結合および誘導結合ＲＦならびにマイクロ波遠隔源が、これらの種類の用途のために開発されているが、半導体処理産業は、プラズマがトロイダル（ｔｏｒｒｏｉｄａｌ）構成を有しかつ変圧器の二次的なものとして作用する変圧器結合誘導結合源の方に急速に移動している。より低い周波数のＲＦ電力の使用は、磁気コアの使用を可能にし、これは、容量結合に対して誘導結合を向上させ、それにより、リモートプラズマ源チャンバ内部の寿命を制限する過度のイオン衝撃を伴わずに、エネルギーの、プラズマへのより効率的な移行を可能にする。

半導体産業は、いくつかの理由で、最初は現場チャンバクリーニングのために使用される主要なガスであった、チャンバクリーニングのためのフルオロカーボンと酸素との混合物から離れてシフトしている。第１に、そのようなプロセスからの地球温暖化ガスの放出が、通常、三フッ化窒素（ＮＦ_３）プロセスのものよりはるかに高かった。ＮＦ_３は、放電においてより容易に解離し、かつ生成物種の再結合によって著しく形成されない。したがって、低レベルの地球温暖化放出をより容易に達成することができる。対照的に、フルオロカーボンは、放電において分解することがより困難であり、かつ、再結合して、他のフルオロカーボンより分解することがさらに困難であるテトラフルオロメタン（ＣＦ_４）などの種を形成する。

第２に、フルオロカーボン放電が、繰返しのドライクリーン後蓄積する「ポリマー」堆積物を除去するためにより頻繁なウェットクリーンを必要とする「ポリマー」堆積物を生じさせることが一般にわかった。「ポリマー」を堆積させるフルオロカーボンクリーンの傾向は、クリーニングの間イオン衝撃が発生しない遠隔クリーンにおいてより大きい程度に発生する。これらの観察は、半導体産業が、フルオロカーボン供給ガスに基いた産業プロセスを開発するのを制止した。実際に、ＰＥＣＶＤ設備製造業者は、フルオロカーボン放電に基いた遠隔クリーンをテストしたが、現在まで、プロセスチャンバ内のポリマー堆積のため不成功であった。

シー・エイチ・オー（Ｃ．Ｈ．Ｏｈ）ら、サーフェス・アンド・コーティングス・テクノロジー（ＳｕｒｆａｃｅａｎｄＣｏａｔｉｎｇｓＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）１７１（２００３）２６７

しかし、上述されたような２つの欠点を解決することができる場合、フルオロカーボンガスがそれらの低コストおよび低毒性のために望ましい。

従来の仕事は、窒化ケイ素のエッチングを向上させるために窒素が追加されたペルフルオロカーボン／酸素放電に対して行われている。向上は、放電によるＮＯの形成の結果とみなされ、これは、窒化ケイ素表面上のＮと反応し、その後、Ｓｉ原子が効果的にフッ素化して、揮発性生成物を形成する（非特許文献１）。

本発明は、表面堆積物を除去するための方法であって、（ａ）酸素とフルオロカーボンとのモル比が少なくとも１：３である、酸素と、フルオロカーボンと、窒素源とを含むガス混合物を、前記ガス混合物が少なくとも約３，０００Ｋの中性温度に達するように十分な時間の間十分な電力を使用して、遠隔チャンバ内で活性化して、活性化ガス混合物を形成する工程と、その後、（ｂ）前記活性化ガス混合物を前記表面堆積物と接触させ、それにより、前記表面堆積物の少なくともいくつかを除去する工程とを含むことを特徴とする方法に関する。

本発明は、また、表面堆積物を除去するための方法であって、前記表面堆積物が、シリコン、ドープされたシリコン、タングステン、二酸化ケイ素、炭化ケイ素、および低Ｋ材料と呼ばれるさまざまなケイ素酸素化合物からなる群から選択され、前記方法が、（ａ）酸素とフルオロカーボンとのモル比が少なくとも１：３である、酸素と、フルオロカーボンと、窒素源とを含むガス混合物を、遠隔チャンバ内で活性化する工程と、その後、（ｂ）前記活性化ガス混合物を前記表面堆積物と接触させ、それにより、前記表面堆積物の少なくともいくつかを除去する工程とを含むことを特徴とする方法に関する。

本発明は、さらに、表面堆積物を除去するための方法であって、（ａ）窒素源を含む前処理ガス混合物を遠隔チャンバ内で活性化する工程と、その後、（ｂ）前記活性化前処理ガス混合物を、前記遠隔チャンバから前記表面堆積物までの経路の内面の少なくとも一部と接触させる工程と、（ｃ）酸素とフルオロカーボンとのモル比が少なくとも１：３である、酸素と、フルオロカーボンとを含むクリーニングガス混合物を、前記遠隔チャンバ内で活性化する工程と、その後、（ｄ）前記活性化クリーニングガス混合物を前記経路に通過させる工程と、（ｅ）前記活性化クリーニングガス混合物を前記表面堆積物と接触させ、それにより、前記表面堆積物の少なくともいくつかを除去する工程とを含むことを特徴とする方法に関する。

本発明において除去される表面堆積物は、化学蒸着またはプラズマ強化化学蒸着または同様のプロセスによって通常堆積される材料を含む。そのような材料としては、シリコン、ドープされたシリコン、窒化ケイ素、タングステン、二酸化ケイ素、シリコンオキシナイトライド、炭化ケイ素、および低Ｋ材料と呼ばれるさまざまなケイ素酸素化合物、たとえば、ブラック・ダイヤモンド（ＢｌａｃｋＤｉａｍｏｎｄ）（アプライド・マテリアルズ（ＡｐｐｌｉｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓ））、コーラル（Ｃｏｒａｌ）（ノベラスシステムズ（ＮｏｖｅｌｌｕｓＳｙｓｔｅｍｓ））、およびオーロラ（Ａｕｒｏｒａ）（ＡＳＭインターナショナル（ＡＳＭＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ））を含む、ＰＥＣＶＤＯＳＧまたはＳｉＣＯＨおよびＦＳＧ（フルオロシリケートガラス）などが挙げられる。

本発明の一実施形態は、電子デバイスを製造する際に使用されるプロセスチャンバの内部から表面堆積物を除去することである。そのようなプロセスチャンバは、化学蒸着（ＣＶＤ）チャンバまたはプラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）チャンバであることができる。

本発明のプロセスは、十分な電力を使用して活性化ガス混合物を形成する活性化工程を伴う。活性化は、ＲＦエネルギー、ＤＣエネルギー、レーザ照明、およびマイクロ波エネルギーなどの、大部分の供給ガスの解離の達成を考慮する任意の手段によって達成することができる。結果として生じるプラズマの中性温度は、電力、および遠隔チャンバ内のガス混合物の滞留時間に依存する。本発明において、窒素ガスの追加がＲＦ電力の吸収を助けることがわかっている。特定の電力入力および条件下では、滞留時間が長いと、中性温度は高くなる。ここで、好ましい中性温度は、約３，０００Ｋを超える。適切な条件（電力、ガス組成、ガス圧力、およびガス滞留時間を考慮する）下で、少なくとも約６０００Ｋの中性温度を、たとえばオクタフルオロシクロブタンで、達成することができる。

活性化ガスは、プロセスチャンバの外側であるがプロセスチャンバに密に近接した遠隔チャンバ内で形成される。遠隔チャンバは、遠隔チャンバからプロセスチャンバへの活性化ガスの移送を考慮する任意の手段によって、プロセスチャンバに連結される。遠隔チャンバ、および遠隔チャンバをプロセスチャンバと連結するための手段は、活性化ガス混合物を含有することができることがこの分野において知られている材料から構成される。たとえば、アルミニウムおよびステンレス鋼が、通常、チャンバ構成要素のために使用される。時には、表面再結合を低減するためにＡｌ_２Ｏ_３が内面上にコーティングされる。

活性化されて活性化ガスを形成するガス混合物は、酸素と、窒素源と、フルオロカーボンとを含む。本発明のフルオロカーボンは、ここで、ＣとＦとを含む化合物と呼ばれる。本発明における好ましいフルオロカーボンはペルフルオロカーボン化合物である。本発明におけるペルフルオロカーボン化合物は、ここで、Ｃと、Ｆと、任意に酸素とからなる化合物と呼ばれる。そのようなペルフルオロカーボン化合物としては、テトラフルオロメタン、ヘキサフルオロエタン、オクタフルオロプロパン、ヘキサフルオロシクロプロパンデカフルオロブタン、オクタフルオロシクロブタン、フッ化カルボニル、およびオクタフルオロテトラヒドロフランが挙げられるが、これらに限定されない。好ましいガス混合物の酸素対フルオロカーボンモル比は少なくとも１：３である。より好ましいガス混合物の酸素対フルオロカーボンモル比は少なくとも約２：１から約２０：１である。

本発明の「窒素源」は、ここで、本発明における放電条件下で原子窒素を発生することができるガスと呼ばれる。ここでの窒素源の例としては、Ｎ_２、ＮＦ_３、およびＮＯ、Ｎ_２Ｏ、ＮＯ_２などのあらゆる種類の窒素酸化物が挙げられるが、これらに限定されない。

活性化されて活性化ガスを形成するガス混合物は、アルゴンおよびヘリウムなどのキャリヤガスをさらに含むことができる。

本発明の好ましい実施形態は、電子デバイスを製造する際に使用されるプロセスチャンバの内部から表面堆積物を除去するための方法であって、（ａ）酸素とペルフルオロカーボン化合物とのモル比が少なくとも１：３である、酸素と、ペルフルオロカーボン化合物と、窒素源とを含むガス混合物を、前記ガス混合物が少なくとも約３，０００Ｋの中性温度に達するように十分な時間の間十分な電力を使用して、遠隔チャンバ内で活性化して、活性化ガス混合物を形成する工程と、その後、（ｂ）前記活性化ガス混合物を前記堆積チャンバの内部と接触させ、それにより、前記表面堆積物の少なくともいくつかを除去する工程とを含むことを特徴とする方法である。

窒素ガスがエッチング速度を大幅に増加させることができることが本発明においてわかった。本発明の一実施形態において、ペルフルオロカーボン化合物は、本願特許出願人によって製造されたオクタフルオロシクロブタン（ザイロン（Ｚｙｒｏｎ）（登録商標）８０２０）である。以下で示される実施例において実証されるように、窒素ガスがなければ、ザイロン（登録商標）８０２０は、低エッチング速度および高ＣＯＦ_２放出を生じた。エッチング速度は、小量の窒素で向上し始め、窒素追加が特定の量を超えると飽和する。（図２および図３を参照のこと）窒素追加は、また、電力消費を増加させ、ＣＯＦ_２放出を減少させる。（図２および図４を参照のこと）

本発明の同様の条件において、ペルフルオロカーボン化合物の欠点、すなわち、地球温暖化ガス放出およびポリマー堆積を克服することができることもわかった。本発明の実験において、チャンバの内面上の著しいポリマー堆積が見出されなかった。図５に示されているように、地球温暖化ガス放出も非常に低かった。

遠隔チャンバから表面堆積物までの経路の内面のいくらかの前処理が、エッチング速度を増加させることができることがさらにわかった。本発明において、前処理は、窒素源を含む前処理ガス混合物を活性化し、活性化前処理ガスを経路に通過させることによって達成される。実施例４において説明されるような一実施形態において、遠隔チャンバから表面堆積物までの経路を、活性化窒素およびアルゴンガス混合物によって３秒間前処理した。前処理後、エッチング速度は高レベルで開始した。

あるいは、このシステムを使用して、遠隔チャンバ内に配置された表面を、この源から来るフッ素原子および他の成分との接触によって変更することができる。

次の実施例は、本発明を例示することが意図され、限定することは意図されない。

図１は、エッチング速度、プラズマ中性温度、および排気放出を測定するために使用されるリモートプラズマ源および装置の概略図を示す。リモートプラズマ源は、米国マサチューセッツ州アンドーバーのＭＫＳインスツルメンツ（ＭＫＳＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ａｎｄｏｖｅｒ，ＭＡ，ＵＳＡ）によって製造された市販のトロイダルタイプＭＫＳアストロン（ＡＳＴＲＯＮ）（登録商標）ｅｘ反応性ガス発生器ユニットである。供給ガス（たとえば、酸素、フルオロカーボン、窒素源、アルゴン）を左からリモートプラズマ源に導入し、トロイダル放電に通過させ、そこで、それらを４００ＫＨｚの無線周波数電力によって放電して、活性化ガス混合物を形成した。酸素は、９９．９９９％の純度でエアガス（Ａｉｒｇａｓ）によって製造される。フルオロカーボンは、最小９９．９ｖｏｌ％のオクタフルオロシクロブタンで本願特許出願人によって製造されたザイロン（Ｚｙｒｏｎ）（登録商標）８０２０である。実施例の窒素源は、４．８のグレードでエアガスによって製造された窒素ガスであり、アルゴンは、５．０のグレードでエアガスによって製造される。次に、活性化ガスは、アルミニウム水冷熱交換器を通過して、アルミニウムプロセスチャンバの熱ローディングを低減した。表面堆積物で被覆されたウェーハを、プロセスチャンバ内の温度制御取付台上に配置した。中性温度は、発光分光法（ＯｐｔｉｃａｌＥｍｉｓｓｉｏｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）（ＯＥＳ）によって測定し、Ｃ_２およびＮ_２のような二原子種の回転振動遷移帯（ｒｏｖｉｂｒａｔｉｏｎａｌｔｒａｎｓｉｔｉｏｎｂａｎｄｓ）が、中性温度を生じさせるために理論的には適合される。また、引用としてここに援用する、（非特許文献１）を参照されたい。活性化ガスによる表面堆積物のエッチング速度は、プロセスチャンバ内の干渉計法設備によって測定する。Ｎ_２ガスをポンプの入口で加えて、生成物をＦＴＩＲ測定のための適切な濃度に希釈し、かつポンプ内の生成物のハングアップ（ｈａｎｇ−ｕｐ）を低減する。ＦＴＩＲを用いて、ポンプ排気中の種の濃度を測定した。

（実施例１）
供給ガスは、Ｏ_２と、ザイロン（登録商標）８０２０（Ｃ_４Ｆ_８）と、Ａｒと、Ｎ_２とを含み、Ｏ_２流量は１５４２ｓｃｃｍであり、Ａｒ流量は２３３３ｓｃｃｍであり、Ｃ_４Ｆ_８流量は１２５ｓｃｃｍであり、Ｎ_２流量は、それぞれ、０、２００、４００、６００ｓｃｃｍである。チャンバ圧力は２トルである。供給ガスを、４００ＫＨｚＲＦ電力によって活性化して、５０００Ｋを超える中性温度にした。次に、活性化ガスは、温度が２００℃に制御された状態でプロセスチャンバに入り取付台上のＳｉＯ_２表面堆積物をエッチングした。結果は図２に示されている。

（実施例２）
供給ガスは、Ｏ_２と、ザイロン（登録商標）８０２０（Ｃ_４Ｆ_８）と、Ａｒと、Ｎ_２とを含み、Ｏ_２流量は１７５０ｓｃｃｍであり、Ａｒ流量は２０００ｓｃｃｍであり、Ｃ_４Ｆ_８流量は２５０ｓｃｃｍであり、Ｎ_２流量は、それぞれ、０、１００、２００、３００、４００、５００、６００ｓｃｃｍである。チャンバ圧力は２トルである。供給ガスを、４００ＫＨｚＲＦ電力によって活性化して、５５００Ｋの中性温度にした。次に、活性化ガスは、温度が２００℃に制御された状態でプロセスチャンバに入り取付台上のＳｉＯ_２表面堆積物をエッチングした。結果は図３に示されている。この実験において、ポンプ排気中のＣＯＦ_２濃度は、ＦＴＩＲによって監視し、図４に示された。

（実施例３）
最初の供給ガスは、Ｏ_２と、ザイロン（登録商標）８０２０（Ｃ_４Ｆ_８）と、Ａｒとを含み、Ｏ_２流量は１７５０ｓｃｃｍであり、Ａｒ流量は２０００ｓｃｃｍであり、Ｃ_４Ｆ_８流量は２５０ｓｃｃｍである。プロセスチャンバ圧力は２トルである。上にＳｉＯ_２表面堆積物がある取付台を、１００℃に制御した。Ｃ_４Ｆ_８、ＣＯ、ＣＯ_２、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_３Ｆ_８、ＣＦ_４、ＣＯＦ_２、Ｎ_２Ｏ、ＮＦ_３、およびＳｉＦ_４の放出ガスは、ＦＴＩＲによって監視し、図５に示された。プラズマを、２５０秒の時間に４００ＫＨｚＲＦ電力によって点火し、中性温度は約５５００Ｋに上昇した。始めにＮ_２追加がなく、エッチング速度は低く（図６を参照のこと）、ＣＯＦ_２放出は高く、ＣＯ_２放出は低かった。７２０秒に、１００ｓｃｃｍのＮ_２を供給ガスに加えた。結果として、エッチング速度は急上昇し、ＣＯＦ_２放出は降下し、ＣＯ_２放出はすぐに増加した。１２８０秒に、Ｎ_２流を止めた。エッチング速度、ＣＯＦ_２放出、およびＣＯ_２放出は、すべて、前のレベルにゆっくり回復した。２００ｓｃｃｍのＮ_２流を加えるのは、２１００秒に始まり２７８０秒に止めた。同じタイプの変化が繰返した。３１００秒に、Ｃ_４Ｆ_８流を５秒間止めた。エッチング速度、ＣＯＦ_２およびＣＯ_２放出の急降下の後、システムは回復し、遷移を続けた。電力を３６００秒にオフにした。図５から、２００ｓｃｃｍのＮ_２の追加が、エッチング速度を、１００ｓｃｃｍのＮ_２の追加が増加させたのと同じレベルに増加させることを予期することができる。しかし、最初の２マイクロメートルの表面堆積物がエッチング除去された後、おそらくフィルムの粗さの変化によって、エッチング速度わずかに減少することが観察された。

（実施例４）
前処理ガス混合物は、１００ｓｃｃｍのＮ_２と、２０００ｓｃｃｍのＡｒとから構成された。それを４００ＫＨｚＲＦ電力によって活性化し、中性温度は約２０００Ｋであった。１００秒に始まり３秒間続け、活性化ガスを、遠隔チャンバから、温度が１００℃に制御された、ＳｉＯ_２表面堆積物が取付台上にあるプロセスチャンバまで通過させた。次に、１７５０ｓｃｃｍのＯ_２と、２５０ｓｃｃｍのザイロン（登録商標）８０２０（Ｃ_４Ｆ_８）とから構成されるガス混合物を加えた。クリーニングガス混合物を４００ＫＨｚＲＦ電力によって活性化し、中性温度は約５５００Ｋであった。プロセスチャンバ圧力は２トルであった。上にＳｉＯ_２表面堆積物がある取付台を、１００℃に制御した。Ｃ_４Ｆ_８、ＣＯ、ＣＯ_２、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_３Ｆ_８、ＣＦ_４、ＣＯＦ_２、Ｎ_２Ｏ、ＮＦ_３、およびＳｉＦ_４の放出ガスは、ＦＴＩＲによって監視し、図７ａに示された。前処理後、図７ｂに示されているように、エッチング速度は高レベルで開始し、ＣＯＦ_２放出は低かった。Ｎ_２を含有するクリーニングガス混合物で、システムを高エッチング速度状態に保った。約５００秒の時間に、Ｎ_２をクリーニングガス混合物から除去し、エッチング速度がゆっくり降下し、ＣＯＦ_２放出がゆっくり増加することを引起した。１８５０秒の時間に、１００ｓｃｃｍのＮ_２をクリーニングガス混合物に再び加えた。結果として、エッチング速度は急上昇し、ＣＯＦ_２放出は降下し、ＣＯ_２放出はすぐに増加した。電力を３１６０秒にオフにした。

本プロセスを行うのに有用な装置の概略図である。１２５ｓｃｃｍのザイロン（登録商標）８０２０へのＮ_２追加のエッチング速度への影響のプロット。１２５ｓｃｃｍのザイロン（登録商標）８０２０へのＮ_２追加の電力消費への影響のプロット。２５０ｓｃｃｍのザイロン（登録商標）８０２０へのＮ_２追加のエッチング速度への影響のプロット。２５０ｓｃｃｍのザイロン（登録商標）８０２０へのＮ_２追加の電力消費への影響のプロット。２５０ｓｃｃｍのザイロン（登録商標）８０２０へのＮ_２追加の、ＦＴＩＲによって測定されたＣＯＦ_２放出への影響のプロット。２５０ｓｃｃｍのザイロン（登録商標）８０２０へのＮ_２追加の、ＦＴＩＲによって測定されたさまざまな廃ガス放出への影響のプロット。断続的なＮ_２追加でのエッチング速度変化のプロット。Ｎ_２前処理の、ＦＴＩＲによって測定されたさまざまな廃ガス放出への影響のプロット。Ｎ_２前処理の、ザイロン（登録商標）８０２０のエッチング速度への影響のプロット。

Claims

表面堆積物を除去するための方法であって、
（ａ）酸素とフルオロカーボンとのモル比が少なくとも１：３である、酸素と、フルオロカーボンと、窒素源とを含むガス混合物を、前記ガス混合物が少なくとも約３，０００Ｋの中性温度に達するように十分な時間の間十分な電力を使用して、遠隔チャンバ内で活性化して、活性化ガス混合物を形成する工程と、その後、
（ｂ）前記活性化ガス混合物を前記表面堆積物と接触させ、それにより、前記表面堆積物の少なくともいくつかを除去する工程と
を含むことを特徴とする方法。
前記表面堆積物が、電子デバイスを製造する際に使用される堆積チャンバの内部から除去されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
前記電力が、ＲＦ源、ＤＣ源、またはマイクロ波源によって発生されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
前記窒素源が、窒素ガス、ＮＦ_３、または窒素酸化物であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
前記フルオロカーボンがペルフルオロカーボン化合物であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
前記ペルフルオロカーボン化合物が、テトラフルオロメタン、ヘキサフルオロエタン、オクタフルオロプロパン、オクタフルオロシクロブタン、フッ化カルボニル、ペルフルオロテトラヒドロフランからなる群から選択されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
前記ガス混合物がキャリヤガスをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
前記キャリヤガスが、アルゴンおよびヘリウムからなるガスの群から選択される少なくとも１つのガスであることを特徴とする請求項７に記載の方法。
前記遠隔チャンバ内の圧力が０．０１トルから２０トルであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
前記表面堆積物が、シリコン、ドープされたシリコン、窒化ケイ素、タングステン、二酸化ケイ素、シリコンオキシナイトライド、炭化ケイ素、および低Ｋ材料と呼ばれるさまざまなケイ素酸素化合物からなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
酸素とフルオロカーボンとのモル比が少なくとも約２：１から約２０：１であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
表面堆積物を除去するための方法であって、前記表面堆積物が、シリコン、ドープされたシリコン、タングステン、二酸化ケイ素、炭化ケイ素、および低Ｋ材料と呼ばれるさまざまなケイ素酸素化合物からなる群から選択され、前記方法が、
（ａ）酸素とフルオロカーボンとのモル比が少なくとも１：３である、酸素と、フルオロカーボンと、窒素源とを含むガス混合物を、遠隔チャンバ内で活性化する工程と、その後、
（ｂ）前記活性化ガス混合物を前記表面堆積物と接触させ、それにより、前記表面堆積物の少なくともいくつかを除去する工程と
を含むことを特徴とする方法。
前記表面堆積物が、電子デバイスを製造する際に使用される堆積チャンバの内部から除去されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
前記窒素源が、窒素ガス、ＮＦ_３、または窒素酸化物であることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
前記フルオロカーボンがペルフルオロカーボン化合物であることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
表面堆積物を除去するための方法であって、
（ａ）窒素源を含む前処理ガス混合物を遠隔チャンバ内で活性化する工程と、その後、
（ｂ）前記活性化前処理ガス混合物を、前記遠隔チャンバから前記表面堆積物までの経路の内面の少なくとも一部と接触させる工程と、
（ｃ）酸素とフルオロカーボンとのモル比が少なくとも１：３である、酸素と、フルオロカーボンとを含むクリーニングガス混合物を、前記遠隔チャンバ内で活性化する工程と、その後、
（ｄ）前記活性化クリーニングガス混合物を前記経路に通過させる工程と、
（ｅ）前記活性化クリーニングガス混合物を前記表面堆積物と接触させ、それにより、前記表面堆積物の少なくともいくつかを除去する工程と
を含むことを特徴とする方法。