JP2007529597A5

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Publication number: JP2007529597A5
Application number: JP2007503929A
Authority: JP
Filing date: 2005-03-02
Publication date: 2008-04-17

Claims

白色光を出す有機発光ダイオード（OLED）デバイスであって、
a）アノードと；
b）このアノードの上に配置された正孔輸送層と；
c）この正孔輸送層の上に配置された青色発光層と；
d）この青色発光層の上に配置された電子輸送層と；
e）この電子輸送層の上に配置されたカソードとを備え；
f）上記正孔輸送層が、上記青色発光層の全体または一部と接触している層を備えていて、一般式（I）の発光ナフタセン化合物：

（ただし、
R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆は各環の置換基を表わし、各置換基は、独立に、炭素原子が1〜24個のアルキル基または置換されたアルキル基；炭素原子が6〜20個のアリール基または置換されたアリール基；縮合芳香族環を完成させるのに必要な4〜24個の炭素原子；5〜24個の炭素原子からなる複素環基または置換された複素環基で、単結合を通じて結合すること、または縮合した複素芳香族環系を完成させることができるもの；炭素原子が1〜24個のアルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシアミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基；フッ素置換基、塩素置換基、臭素置換基、シアノ置換基の中から選択され；
a、b、c、dは、独立に、0〜5の中から選択され；
eとfは、独立に、0〜4の中から選択され；
R₁〜R₄のうちの少なくとも1つは縮合環基ではなく、R₁〜R₆のうちの少なくとも1つは置換基であり；
さらに、R₁とR₄の両方が複素環であることはなく、R₂とR₃の両方が複素環であることもない）を含むことを特徴とするデバイス。
a）R₅とR₆のうちの少なくとも一方が芳香族基と複素環基の中から選択され；
b）R₁、R₂、R₃、R₄のうちの少なくとも1つが、a）の芳香族基または複素環基と同じ少なくとも1個の置換基を含む、請求項１に記載のデバイス。
上記ナフタセンが、一般式（II）：

（ただし、
a）2位と8位に同じ芳香族基または複素環基が存在しており；
b）5位と11位のフェニル環が、a）の芳香族基または複素環基と同じパラ置換基を含み；
c）6位と12位のフェニル環が、置換されている、または置換されていない）で表わされる、請求項１に記載のデバイス。
a）R₅とR₆のうちの少なくとも一方が、オキシ基、アザ基、チオ基の中から選択され；
b）R₁、R₂、R₃、R₄のうちの少なくとも1つが、a）のオキシ基、アザ基、チオ基と同じ1個の置換基を含む、請求項1に記載のデバイス。
a）R₅とR₆が、2位と8位に同じオキシ基、アザ基、チオ基を含み；
b）5位と11位のフェニル環が、a）のオキシ基、アザ基、チオ基と同じパラ置換基を含み；
c）6位と12位のフェニル環が、置換されている、または置換されておらず；
1個の置換基がc）の両方のフェニル環に存在している場合には、その置換基はパラ位置にあるメトキシ基ではない、請求項３に記載のデバイス。
a）R₅とR₆のそれぞれが、少なくとも1個の同じアルキル基または非芳香族炭素環基を含み；
b）R₁とR₃のそれぞれが、a）のアルキル基または非芳香族炭素環基と同じ少なくとも1個の置換基を含む、請求項１に記載のデバイス。
a）R₅とR₆のそれぞれが、2位と8位に少なくとも1個の同じ分岐アルキル基または非芳香族炭素環基を含み；
b）5位と11位のフェニル環が、a）の分岐アルキル基または非芳香族炭素環基と同じパラ置換基を含み；
c）6位と12位のフェニル環が、置換されている、または置換されていない、請求項３に記載のデバイス。
上記縮合芳香族環の選択が、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ピレニル基、ペリレニル基の中からなされる、請求項１に記載のデバイス。
上記複素環基または縮合複素環基系の選択が、チアゾリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、キノリニル基の中からなされ、これらの基は、単結合を通じて結合すること、または縮合した複素芳香族環系を完成させることができる、請求項１に記載のデバイス。
a）アノードと；
b）このアノードの上に配置された正孔輸送層と；
c）この正孔輸送層の上に配置された青色発光層と；
d）この青色発光層の上に配置された電子輸送層と；
e）この電子輸送層の上に配置されたカソードとを備え；
f）上記正孔輸送層が、上記青色発光層の全体または一部と接触している層を備えていて、一般式（III）の発光ナフタセン化合物：

（ただし、
i）上記ナフタセンは、少なくとも1個のフッ素基またはフッ素含有基を含み；
ii）正確に2個のフッ素含有基が存在している場合には、その基がそれぞれ5位と12位に位置せず、それぞれ6位と11位にも位置していないことを特徴とするデバイス。
a）上記ナフタセン誘導体の昇華温度が、フッ素基またはフッ素含有基を含まない誘導体よりも少なくとも5℃低い；あるいは
b）上記ナフタセン誘導体が昇華し、フッ素基またはフッ素含有基を含まない誘導体が融解する、請求項１０に記載のデバイス。
a）上記ナフタセンが、5位と6位と11位と12位、または1位〜4位、または7位〜10位に位置するフェニル基上に少なくとも1個のフッ素基またはフッ素含有基を含み；
b）正確に2個のフッ素基が存在している場合には、その基は、それぞれ5位と12位のフェニル基上に位置せず、それぞれ6位と11位のフェニル基上にも位置していない、請求項３に記載のデバイス。
上記ナフタセンが、一般式（IV）または（V）：

で表わされる、請求項１に記載のデバイス。
上記ナフタセンの選択が、

からなるグループの中から行なわれる、請求項１に記載のデバイス。
上記正孔輸送層が、ホスト材料と黄色発光ナフタセン化合物とを含み、そのナフタセン化合物の濃度が、そのホスト材料の0体積％よりも多く50体積％未満である、請求項１４に記載のデバイス。
上記ナフタセン化合物の濃度が、上記ホスト材料の0体積％よりも多く30体積％未満である、請求項１５に記載のデバイス。
上記青色発光材料が、以下に示す一般式：

のジスチリルアミン化合物またはその誘導体である、請求項１に記載のデバイス。
上記正孔輸送層が2つ以上のサブ層を含んでおり、上記青色発光層に最も近いサブ層に黄色発光材料がドープされている、請求項１に記載のデバイス。
上記電子輸送層に、緑色発光材料、または緑色発光材料と黄色発光材料の組み合わせがドープされている、請求項１に記載のデバイス。
上記電子輸送層内の緑色発光材料がクマリン化合物を含む、請求項１９に記載のデバイス。