JP2007528129A5

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Info

Publication number: JP2007528129A5
Application number: JP2007502910A
Authority: JP
Filing date: 2005-03-08
Publication date: 2008-04-03
Anticipated expiration: 2025-03-08

Claims

シリコンウエハ上に形成した一体型光−電子シリコン−オン−インシュレータ（ＳＯＩ）−ベース構造に用いるウエハ−レベルテスト配列において：
前記シリコンウエハの先端主表面に取り外し可能に接触させる光−電子テストエレメントであって、
少なくとも一の光テスト信号を前記ＳＯＩ−ベース構造の方向に向ける少となくとも一の光入力信号路と；
テストされる前記光−電子ＳＯＩ−ベース構造の表面上の複数のボンドパッドとパターンが合致するように配置され、テストされる前記光−電子ＳＯＩ−ベース構造にエネルギィを与え、テストされる前記光−電子ＳＯＩ−ベース構造へ電気テスト信号を提供し、テストされる前記光−電子ＳＯＩ−ベース構造からの電気応答信号を提供する複数の電気テストピンと；
を具える光−電子テストエレメントと；
光−電子テストエレメントと、テストされる特定の前記光−電子ＳＯＩ−ベース構造の表面との間に配置した光カップリング特徴であって、前記テストされる特定の前記光−電子ＳＯＩ−ベース構造内に光テスト信号をカップリングする光カップリング特徴と；
を具えることを特徴とするウエハ−レベルテスト配列。
請求項１に記載のウエハ−レベルテスト配列において、前記少なくとも一の光ファイバが、光ファイバアレイを具え、各ファイバが異なる光テスト信号を供給できることを特徴とするウエハ−レベルテスト配列。
請求項１に記載のウエハ−レベルテスト配列において、前記少なくとも一の光ファイバが少なくとも一のレンズ付光ファイバを具えることを特徴とするウエハ−レベルテスト配列。
請求項１に記載のウエハ−レベルテスト配列において、前記配列が更に：
少なくとも一の光テスト信号の波長を調整するチューニングエレメント；
を具えることを特徴とするウエハ−レベルテスト配列。
請求項１に記載のウエハ−レベルテスト配列において、前記光−電子テストエレメントが更に：
前記少なくとも一の光入力信号路と前記テストされる光−電子構造の先端主表面との間に光の方向／フォーカッシングを提供するビーム操縦／形成光学部品；
を具えることを特徴とするウエハ−レベルテスト配列。
請求項５に記載のウエハ−レベルテスト配列において、前記光−電子テストエレメントビーム操縦／形成光学部品が、電子的に制御可能な可動ミラーを具えることを特徴とするウエハ−レベルテスト配列。
請求項５に記載のウエハ−レベルテスト配列において、前記光−電子テストエレメントビーム操縦／形成光学部品が、偏光制御エレメントと、半波長板を具え、入力光テスト信号に偏光制御を提供することを特徴とするウエハ−レベルテスト配列。
請求項５に記載のウエハ−レベルテスト配列において、前記配列が更に：
前記シリコンウエハの表面に対する前記光信号の位置決めを調節するために前記ＳＯＩ構造と前記ビーム操縦／形成光学部品との間に配置したフィードバック成分；
を具えることを特徴とするウエハ−レベルテスト配列。
請求項１に記載のウエハ−レベルテスト配列において、前記配列が更に：
前記光テスト入力信号の波長を調節して改善されたカップリング効率を提供するために、前記ＳＯＩ構造と前記光入力信号路との間に配置したフィードバック成分；
を具えることを特徴とするウエハ−レベルテスト配列。
請求項１に記載のウエハ−レベルテスト配列において、前記光信号路が、偏波保持ファイバ、シングルモード光ファイバ、レンズ付偏波保持シングルモードファイバ、およびレンズ付シングルモードファイバからなる群から選択された導波管構造を具えることを特徴とするウエハ−レベルテスト配列。
請求項１に記載のウエハ−レベルテスト配列において、前記光カップリング特徴が、前記ＳＯＩ構造の前記先端主表面の選択された領域の上に配置されたエバネッセントカップリング層を具え、当該エバネッセントカップリング層が、シリコンの屈折率より低い屈折率を示すことを特徴とするウエハ−レベルテスト配列。
請求項１に記載のウエハ−レベルテスト配列において、前記光カップリング特徴が、所定の入力光カップリング位置に配置された少なくとも一の光カップリングプリズムを具え、前記ＳＯＩ構造にエバネッセントカップリングを提供することを特徴とするウエハ−レベルテスト配列。
請求項１に記載のウエハ−レベルテスト配列において、前記光カップリング特徴が、前記ＳＯＩ構造内の所定の入力光カップリング位置に形成した少なくとも一の光グレーティングを具えることを特徴とするウエハ−レベルテスト配列。
請求項１に記載のウエハ−レベルテスト配列において、前記光−電子テストエレメントが更に、少なくとも一の光テスト応答信号を受信する少なくとも一の光出力信号路を具えることを特徴とするウエハ−レベルテスト配列。
請求項１４に記載のウエハ−レベルテスト配列において、前記光カップリング特徴が更に、所定の出力光カップリング位置に配置した少なくとも一の光カップリングプリズムを具えることを特徴とするウエハ−レベルテスト配列。
請求項１４に記載のウエハ−レベルテスト配列において、前記光カップリング特徴が更に、所定の出力光カップリング位置において前記ＳＯＩ構造内に形成した少なくとも一の光グレーティングを具えることを特徴とするウエハ−レベルテスト配列。
請求項１４に記載のウエハ−レベルテスト配列において、前記少なくとも一の光出力信号路が、偏波保持ファイバ、シングルモード光ファイバ、レンズ付偏波保持シングルモードファイバ、レンズ付シングルモードファイバ、マルチモードファイバ、およびレンズ付マルチモードファイバ、からなる群から選択されることを特徴とするウエハ−レベルテスト配列。