JP2007525016A - 窒化ガリウムを処理する方法 - Google Patents
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Abstract
大型の窒化ガリウム発光ダイオードにおいて熱放散を改善する方法は、サファイアをより良い熱伝導体に代えることにより、結果として熱エネルギをより効果的に除去することを含む。GaNエピタキシャル層と支持ウエハとの間に信頼性があり、強力な仮のボンディングを達成する方法。成長基板から二次基板にエピタキシャル膜を転写する方法。エキシマ・レーザが成長基板からの膜の剥離を開始する。このレーザ・ビームはシャドー・マスクによって成形され、成長基板にある既存のパターンと位置合わせされる。白色スペクトル光を放射するLEDを製造する方法。ダイを分割およびパッケージングする前にGaNエピタキシャル・ウエハ上に青色またはUVスペクトルを励起後に白色スペクトルを放射する蛍光体。GaNエピタキシャル層上に金属基板を堆積させる方法。
Description
本願は2003年8月4日出願の第60/492,720号、2003年7月22日出願の第60/489,350号、2003年7月14日出願の第60/487,896号、2003年8月4日出願の第60/492,713号、および2003年7月14日出願の第60/487,417号を含む米国特許仮出願の優先権を主張するものである。このような仮出願の開示を本願明細書に援用する。
本発明は一般に高出力発光ダイオードとエピタキシャル膜に関し、さらに特にはサファイア発光ダイオード上の高出力窒化ガリウム、成長基板から二次基板へのGaN膜の転写、垂直な窒化ガリウム、窒化ガリウム・ダイオードに関する。
窒化ガリウム(GaN)をベースにした発光ダイオード(LED)は、UVから緑色部分のスペクトルにおける固体発光の重要な源である。他のLED材料系(例えば、リン化インジウム、ガリウム砒素)とは異なり、高品質のGaNウエハが市販されていないので、GaNは一般に高品質のサファイア(Al2O3)基板または炭化ケイ素(SiC)基板上で成長させている。SiCはサファイアよりもさらに高価であり、サファイアに比してSiCの品質は低いためにSiC上で高品質のGaN膜を得ることは困難である。したがって、サファイアはGaNエピタキシャル基板の市販されている最良の選択である。
サファイアは熱伝導性が悪い。従って、動作状態にあるLEDチップから熱を除去することが困難である。入力電流が多くなると、チップでより多くの熱が発生し、サファイア基板の熱伝導は限られているため、チップは熱くなる。大きなチップは動作するためにより多くの入力電流を必要とするので、この問題はLEDのチップサイズが大きくなるにしたがって非常に深刻になる。実際、非効率的な吸熱能力は大面積LEDの輝度における限定要因の1つである。チップ温度はデバイスの寿命と安定性に著しい影響を及ぼす。このことは白色スペクトル光を再放射するのに蛍光体(例えば、YAG)を使用する青色チップまたはUVチップに特に当てはまる。
現行の大面積GaN LEDは熱除去問題に対処するために、フリップチップ・ボンディングなどの最新のパッケージング技術に依存している。このようなパッケージング方法はコストを増大させるとともに、歩留りを下げる可能性がある。さらに、チップサイズと入力電力が益々大きくなるにつれて、このような技術はLEDチップから十分な熱エネルギを除去して動作温度を安定かつ低いものに保つのに十分でないことがある。
GaNは熱的かつ電気的に絶縁性があるので、望ましくない特性である。したがって、サファイア基板を熱的かつ電気的に伝導性のある二次基板(例えば、種々の金属)と代えることが有用である。
カリフォルニア州立大学バークレー校のグループは、サファイアを介して248nmのKrFエキシマ・レーザを照射することによってサファイアからGaNを除去する方法を開発した。このレーザの波長に対するサファイアのバンドギャップ・エネルギのために、レーザ・ビームは最小の吸収でサファイアを通過する。しかし、GaNのバンドギャップ・エネルギはそのようなものであるので、レーザ・ビームの大半がサファイア−GaN界面のGaN膜に吸収される。この吸収されたエネルギはサファイア−GaN界面の非常に薄い領域におけるGaNをガリウム(Ga)と窒素(N)に分解するのに十分なものである。Gaの融点は30℃であるので、30℃を超えて加熱することによって照射後GaN膜をサファイアから除去することができる。
レーザ・ビーム・エネルギ密度が低くなればGaNは分解するが、高品質剥離後GaN膜を得るのに必要なエネルギ密度は一般に600mJ/m2を超える。そのようなエネルギ密度では、市販のレーザの出力に制限があるためにビーム・サイズは約2cm2に制限される。現行の技術のGaNは50mm径のサファイア・ウエハ上で成長されるが、この技術は大型のウエハ(77mm、100mm)に移行しつつある。最大2cm2のレーザ・ビーム・サイズを用いれば、50mmのGaN膜は11以上の別個の剥離サイクルを必要とするであろう。一般に、最初の剥離は高品質の膜を生成するが、剥離された領域と剥離されていない領域との界面には高い応力が蓄積する。このような応力は以降の剥離サイクル中に非常に多くのクラックをGaN膜に生じるおそれがある。このようなクラックはGaN膜の次の処理中に歩留りを著しく低減させる。
レーザ処理中にGaN層のクラックの量を制限する一方法は、なんらかのチップ間分離を行うために、レーザ処理の前にGaNにトレンチをエッチングすることである。このようなトレンチがGaNを完全に貫通してエッチングされない場合、チップ間分離は効果的なものにはならず、クラックは依然としてチップからチップに伝わる。トレンチがGaN層を完全に貫通してエッチングされると、分離は効果的なものになるが、支持ウエハ・ボンディング層はレーザに照射されて弱くなるので、レーザ処理を終了する前に支持ウエハが剥離されるおそれがある。
GaN材料からも他の任意の知られた半導体からも、白色スペクトルLEDを直接生成することができない。このため、固体白色光を生成する現行の方法は青色またはUVGaN LEDチップを作製し、パッケージング中に種々の蛍光体(例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット−YAG)をチップの上部に塗布する工程から構成される。この蛍光体は青色またはUVのチップの放射線を吸収し、白色スペクトル放射線を再放射する。
蛍光体層の組成、厚さ、均一性は輝度、演色評価数(CRI)、色温度などのパラメータを含む得られる白色光の質を決定する際に重要である。パッケージング中に蛍光体を塗布するこの従来のアプローチは、パッケージング工程を非常に複雑にし、固体白色光源の使用を制限する。さらに、蛍光体層は経時的にGaNチップ、ワイヤ・ボンド、またはLEDパッケージを封入するのに用いられるエポキシと相互に作用することが多く、その結果経時的に劣化し、寿命が短縮する。
GaNは一般に非常に高品質のサファイア(Al2O3)上で成長され、これは熱的かつ電気的に絶縁性があるので、望ましくない特性である。したがって、サファイア基板を熱的かつ電気的に伝導性のある二次基板(例えば、種々の金属)と代えることが有用である。
カリフォルニア州立大学バークレー校のグループは、サファイアを介して248nmのKrFエキシマ・レーザを照射することによってサファイアからGaNを除去する方法を開発した。このレーザ・リフト・オフ工程の前に、バークレー校のグループはサファイア成長基板(GaN層のp型ドープ表面)と反対にあるGaN側に導電性ウエハ(すなわちSi)を永久的にボンディングした。このSiウエハはリフト・オフ中にGaN層を支持し、リフト・オフ後に基板を導通するという役割を果たす。
一般に、p型ドープしたGaN層との良好なオーミック・コンタクトを形成することは難しく、そのようなコンタクトに使用可能な冶金法は限られている。さらに、上記のバークレー校の方法では、発光ダイオード用途に使用するためには、SiウエハをGaN層にボンディングする金属層は高い反射性もなければならない。
まとめると、本発明の好適な実施態様はGaN LEDの吸熱問題に対して(パッケージング・レベルとは対照的に)チップレベルの解決法を含む。これはGaN膜を成長させた後にサファイア基板を種々の金属などの熱伝導性基板に代えることによって達成される。GaN膜はサファイア基板上でエピタキシャルに成長される。次に、この膜を膜エッチングや、金属および/または誘電体堆積と組合せてパターン化する。一実施態様では、このパターン化したGaN膜をサファイア基板から導電性基板に転写する。蛍光体層はGaN膜を導電性基板に転写した前または後のいずれかで加えられるが、チップ分離(ウエハ・ダイシング)の前に塗布される。別の実施形態では、支持ウエハ(ケイ素、サファイア、金属、または他の材料)を任意の種々の可溶性接着層または永久接着層(例えば、フォトレジスト、ワックス、有機接着剤、金属はんだ)を用いて、GaN膜に一時的または永久的にボンディングする。別の場合には、支持ウエハは、蒸着、スパッタリング、めっき、または他の堆積法を用いて堆積されてもよい。この支持ウエハは機械的支持体、エピタキシャル層との電気的コンタクト、エピタキシャル層から放出される光のための光路、またはこの3つすべての組合せとして働く。
サファイアを通過する前およびサファイア−GaN界面のGaNに吸収される前に、適切なエネルギと波長のレーザ・ビームがシャドー・マスクを通される。膜の特定の所望の部分のみがレーザ放射線に照射されるように、このシャドー・マスクをパターン化したGaN膜と位置合わせする。GaN on Sapphireウエハ全体をこのようにレーザ・ビームに曝露させた後、ウエハを加熱し、支持ウエハによってまだ支持されているGaN膜からサファイアを除去する。
新たに照射されたGaN表面を適切に洗浄し、調整した後、二次基板(シリコン、サファイア、金属、または他の材料)をこのGaN表面にボンディングして、除去したサファイア・ウエハと置き換えることができるが、ボンディングしなくてもよい。別の場合には、蒸着、スパッタリング、めっき、または他の堆積技術を用いて堆積させてよい。この二次基板は機械的支持体、エピタキシャル層との電気的コンタクト、エピタキシャル層から放出される光のための光路、またはこの3つすべての組合せとして働き得る。必要があれば、ここで支持ウエハを除去することができる。
別の実施態様では、GaN膜はサファイア基板上でエピタキシャル成長される。次に、この膜を膜エッチングや金属および/または誘電体堆積と組合せてパターン化する。支持ウエハ(ケイ素、サファイア、または他の材料)を任意の種々の可溶性接着層(例えば、フォトレジスト、ワックス、有機接着剤)を用いて、GaN膜に一時的にボンディングする。適切なエネルギと波長のレーザ・ビームがサファイアを通され、サファイア−GaN界面のGaNに吸収させる。GaN on Sapphireウエハ全体をこのようにしてレーザ・ビームに曝露させた後、ウエハを加熱し、GaN膜からサファイアを除去する。GaN on Sapphireウエハ全体をこのようにしてレーザ・ビームに曝露させた後、ウエハを加熱し、まだ支持ウエハによって支持されているGaN膜からサファイアを除去する。新たに照射されたGaN表面を適切に洗浄し、調整した後、所望の光学的、電気的、機械的性質を有する二次基板をこのGaN表面上に載せ、除去されたサファイア・ウエハと置き換える。必要に応じて、ここで支持ウエハを除去することができる。
一実施形態では、LED用途に成長させたGaNエピタキシャル膜は主要な3つの順次成長する層(図1)からなり、その各々は多数の付加的な層にさらに分割される。この主要層は中程度の導電性のp型ドープしたGaN層(1)、(単一または複数のいずれかの)発光InGaN量子井戸層(2)、n型ドープした導電性GaN層(3)からなる。GaNのp−n接合は整流性があるので、そのようなGaN膜はp型層(1)から量子井戸(QW)層(2)を介してn型層(3)に導通できるだけで、他の方向には導通しない。上記のように、十分な電流がQW層を通された場合に限り、光はQW層から放出される。したがって、GaN LEDデバイスはこの活性電流を流すためn型とp型層(1、3)の両方にコンタクトパッドを必要とする。
従来のGaN on SapphireLED(図2)では、n型パッド(5)を介してn型層(3)にコンタクトさせるためにGaNの一部を除去しなければならなかった。これはサファイア(4)が電気的に導電性がないことによる。ここでは、電流はp型パッド(6)、p型層(1)からQW層(2)を通り、n型層(3)を通ってn型パッド(5)まで通る。電流はn型層(3)を通って横方向に流れるので、このタイプの構造はラテラルと呼ばれる。
ラテラル構造では、電流の流れは最適ではなく、特に電流が高くなると、電流集中として知られた状態が発生する。これはLEDの効果を低減させる。また、サファイア基板(4)の熱伝導性が悪いために、ラテラルLEDから熱を除去することは単純ではない。これは動作中にチップ温度を上昇させ、安定性を低減させ、デバイスの寿命を低減させるおそれがある。
電気的かつ熱的により効果のあるデバイス構造を図3aに示す。電流と熱をデバイスを通して垂直に流すことができる、電気的かつ熱的に導電性の基板(7)にサファイア基板が代えられている。ここでは電流はp型パッド(6)からp型層(1)、QW層(2)、n型層(3)を介して、n型パッドの役割もする基板(7)に流れるので、これは垂直デバイス構造として知られている。別の垂直構成を図3bに示している。
高品質GaNエピタキシー用の成長基板として使用されることになっている場合、基板(7)の選択は限定される。十分な品質、直径、厚さのGaNウエハは現在のところ技術的に実現不可能である。GaNエピタキシーを成長させるのにSiCウエハが用いられるが、十分な品質のSiCは非常に高価であり、一般には市販されていない。しかし、サファイアをGaNエピタキシーに使用して高品質のGaNを生成し、次に導電性基板と置換すれば、この置換された導電性基板はエピタキシャル成長に適合しなくてもよい。これによって置換用の基板の選択がいっそう柔軟になる。
エピタキシャル成長後にサファイア基板を置き換えるのに必要な工程を図4〜12に概略的に示す。まず、図1に示したGaNエピタキシャル層をサファイア上に成長させる。わかり易いように、図1の層(1)、(2)、(3)は図4で1つの層(8)に組み合わされている。
GaNのエピタキシー後、GaNエッチングや種々の堆積(金属、誘電体)工程、さらには合金化工程を通してGaN層をパターン化する。このような工程は図3aのp型コンタクトを作り、次の膜剥離工程やダイシング工程を促進させるフィーチャを作製する。図5はサファイア(4)上のGaN層(8)をパターン化した2つのLED構造を示している。各デバイスの大きさに応じて、各サファイア・ウエハは数千のLEDデバイスを含むことがある。
次に、接着層(9)をGaN表面上に堆積させる(図6を参照)。この層は厚いフォトレジスト、スピンオン・ガラス、エポキシ、有機接着剤、ワックスなどのいくつかの異なるタイプの材料で構成させることができる。次の工程を柔軟にするため、および本発明の実施形態のために、接着層は仮のもので、工程が終了すれば容易に除去できるべきである。この要件のためにフォトレジスト、有機接着剤、ワックスが魅力的なものとなっている。適切に実行された場合、均一で反復可能な気泡のない層を生成するので、接着層を堆積させる好適な方法はスピン・コーティングである。
図7では適切な接着層を、まだ硬化させない状態で適所に用いて支持ウエハ(10)が取り付けられる。次に、支持ウエハ(10)を後から除去できるように注意しながら、時間と温度を組合せてこのアセンブリを硬化させる。サファイア基板の除去後にも取り扱えるように、支持ウエハには十分な剛性が必要である。また、カリフォルニア州立大学の研究者らは支持ウエハの機械的剛性をGaN膜の機械的剛性と適合させることが、サファイア除去中のGaNへの損傷を低減させるのに有用であることを見出した。
次に、サファイアのバンドギャップ(9eV)よりも低いが、GaNのバンドギャップ(3.4eV)よりも高い波長エネルギのレーザ放射線(図8)にウエハを選択的に曝露させる。波長を138nm〜364nmに制限する。このような波長では、レーザはサファイアを通るときには吸収が最小であるが、GaNにおいては最大に吸収されてGaN膜に著しく浸透することはない。本発明のこの実施形態のために、248nmのエキシマ・レーザが用いられるが、このようなレーザが十分な高出力密度のものが市販されているためである。GaN−サファイア界面においてGaNをガリウムと窒素に分解するためには600mJ/cm2を超えるビーム出力密度が必要である。
図8に示すように、パターン化したGaN(8)に入念に位置合わせしたシャドー・マスク(11)を用いて、先の処理中にGaNが除去された領域にレーザ・ビーム(12)が当たるのを阻止する。接着層(9)をレーザ・ビームに直接的に曝露させれば層を弱めて、支持ウエハ(10)の剥離やGaN膜のクラックを生じるおそれがあるので、これはきわめて重要である。
さらに、レーザ・エネルギ密度の制限があるので、最大2mm2の面積を一度に照射することができるだけである。したがって、50mm径のウエハ全体を(GaN on Sapphireの現行の技術で)照射するためには、複数回にわたって順番に照射を実行しなければならない。1回の照射で一般的には比較的クラックのない剥離領域を得ることができるが、完全にボンディングされたGaNへの剥離されたGaNの変わり目で、剥離された領域の境界には大きな応力が蓄積する。剥離された領域に隣接かつ接して2回目の照射を行えば、GaN膜に重大なクラックを引き起こすことが多い。図13はシャドー・マスクを用いずに、位置合わせされていない1回のレーザ照射を示している。(14)と(15)は未照射のGaNデバイスと接着層をそれぞれ示している。(16)は完全に照射かつ剥離されたGaNデバイスを示し、(17)は照射され、したがって弱められた接着層を示している。高い応力がGaN膜に存在する照射の境界を(18)で示している。
しかし、本発明において具体化されるように、選択的にレーザを照射すれば、照射領域内のすべてのGaNデバイスが完全に剥離され、かつ隣接するGaNダイ間の接着層が弱められず、かつ照射境界の応力を吸収できることが保証される。図14はシャドー・マスクを用いてパターン化した1つのレーザ照射を示している。未照射のGaNデバイス(14)、未照射の接着層(15)、完全に照射されたGaNデバイス(16)も示している。図13とは対照的に、部分的に照射されたGaNデバイスはなく、照射された接着層の領域はない。必要に応じて、幅広い接着層で充填されたトレンチをGaNウエハ上に組み入れて各レーザ照射の剥離境界を調節し、さらにこのような境界の応力蓄積に起因するクラックの可能性を低減させることができる。
ウエハ全体をレーザ・ビームに曝露させた後、ウエハを30℃をわずかに超えるまで加熱すると、サファイア成長ウエハを除去することができる。図9は剥離されたサファイア・ウエハ(4)と支持ウエハ10にボンディングされたGaN層(8)を示している。Ga(13)の薄膜が新たに照射された両面に剥離後に残るが、この残存物はHCl:H2O(1:1)に10秒間浸漬することにより容易に除去することができる。このような洗浄されたウエハを図10に示している。
ここで、照射したGaN膜(8)の上に図11の二次基板(7)を堆積させる。基板材料は多数あるので、この基板を堆積させる方法は多数ある。本発明のための好適な実施形態は、Ti/Al(50Å/4000Å)またはAg(4000Å)層に続いてTi/AlまたはAgの腐蝕を防ぐための薄いCr/Au(500Å/10,000Å)層からなる薄いコンタクト層の電子ビーム蒸着である。ここで、金属の厚い(50〜100μm)層をウエハの上にめっきしてよい。金属の選択は用途に左右されるが、電気的、熱的特性のためにCuが良い選択である。
最終的に、図11の支持ウエハ(10)が、接着層(8)を溶解させるために適した溶媒、通常はアセトンに浸漬することによって除去される。ウエハを個々のデバイスにダイシングする前の最終的なウエハ構造を図12に示す。個々のチップのより詳細な図を図3aに示しており、(n型パッドとしても働く)(7)は二次基板であり、(6)はp型パッドであり、(1)はエピタキシャルp型層であり、(2)はエピタキシャルのQW層であり、(3)はエピタキシャルのn型層である。
本発明の別の実施形態は上記の一時的な支持ウエハに代わってレーザ剥離の前に永久的な支持ウエハをボンディングまたは堆積させることである。この永久的な支持ウエハは機械的支持体、エピタキシャル層との電気的コンタクト、エピタキシャル層から放出される光のための光路または反射器のいずれかとして用いられるであろう。この実施形態では二次基板は必要ではないが、必ずしもというわけではないが一般には、Ti/Al(50Å/4000Å)層に続いてTi/Alの腐蝕を防ぎかつワイヤ・ボンディングを可能にするCr/Au(500Å/15,000Å)層からなる薄いコンタクト層から構成されるN型ボンド・パッドに置き換えられる。この実施形態からの個々のチップの図を図3bに示しており、(10)は(p型パッドとしても働く)支持ウエハであり、(5)はn型パッドであり、(1)はエピタキシャル膜のp型層であり、(2)はエピタキシャル膜のQW層であり、(3)はエピタキシャル膜のn型層である。
別の実施形態では、LED用途に成長されたGaNエピタキシャル膜は主要な3つの順次成長される層(図1)からなり、その各々は多数の付加的な層にさらに分割される。この主要層は中程度の導電性のp型ドープしたGaN層(1)、(単一または複数のいずれかの)発光InGaN量子井戸層(2)、n型ドープした導電性GaN層(3)からなる。GaNp−n接合は整流性があるので、そのようなGaN膜はp型層(1)から量子井戸(QW)層(2)を介してn型層(3)に電流を流すことができるだけで、他の方向には流すことはできない。上記のように、十分な電流がQW層を通された場合に限り、光はQW層から放出される。したがって、GaN LEDデバイスはこの活性電流を通すn型とp型層(1、3)の両方にコンタクトパッドを必要とする。
従来のGaN on SapphireLED(図2)では、n型パッド(5)を介してn型層(3)とのコンタクトを形成するためにGaNの一部を除去しなければならなかった。これはサファイア(4)が電気的に導電性がないことによる。ここでは、電流はp型パッド(6)からQW層(2)を通ってn型層(3)を介してn型パッド(5)まで通る。電流はn型層(3)を通って横方向に流れるので、このタイプの構造はラテラルと呼ばれる。
ラテラル構造では、電流の流れは最適ではなく、特に電流が高くなると、電流集中として知られた状態が発生する。これはLEDの効果を低減させる。また、サファイア基板(4)の熱伝導性が悪いために、ラテラルLEDから熱を除去することは単純ではない。これは動作中にチップ温度を上昇させ、安定性を低減させ、デバイスの寿命を低減させるおそれがある。
電気的かつ熱的により効果のあるデバイス構造を図3aに示す。このサファイア基板は電流と熱をデバイスを通して垂直に流すことを可能にする電気的かつ熱的に導電性の基板(7)に代えられている。ここでは電流はp型パッド(6)からp型層(1)、QW層(2)、n型層(3)を介して、n型パッドの役割もする基板(7)に流れるので、これは垂直デバイス構造として知られている。
高品質GaNエピタキシー用の成長基板として使用されることになっている場合、基板(7)の選択は限定される。十分な品質、直径、厚さのGaNウエハは現在のところ技術的に実現不可能である。GaNエピタキシーを成長させるのにSiCウエハが用いられるが、十分な品質のSiCは非常に高価であり、一般には市販は実現不可能である。しかし、サファイアをGaNエピタキシーに使用して高品質のGaNを生成させ、次に導電性基板と置換すれば、この置換された導電性基板はエピタキシャル成長に適合しなくてもよい。これによって置換用の基板の選択がいっそう柔軟になる。
エピタキシャル成長後にサファイア基板と置き換えるのに必要な工程を図4〜12に概略的に示す。まず、図1に示したGaNエピタキシャル層をサファイア上で成長させる。わかり易いように、図1の層(1)、(2)、(3)は図4で1つの層(8)に組み合わされている。
GaNのエピタキシー後、GaNエッチングと種々の堆積(金属、誘電体)工程さらには合金化工程を通してGaN層をパターン化する。このような工程は図3aのp型コンタクトを作り、次の膜剥離工程とダイシング工程を容易にし、かつ本発明にきわめて重要であるフィーチャを作製する。図5はサファイア(4)上のGaN層(8)にパターン化した2つのLED構造を示している。各デバイスの大きさに応じて、各サファイア・ウエハは数千のLEDデバイスを含むであろう。
次に、接着層(9)をGaN表面上に堆積させる(図6を参照)。この層は厚いフォトレジスト、スピンオン・ガラス、エポキシ、有機接着剤、ワックスなどのいくつかの異なるタイプの材料から構成される。次の工程を柔軟にするため、および本発明の実施形態のために、接着層は仮のもので、工程が終了すれば容易に除去できるべきである。この要件のためにフォトレジスト、有機接着剤、ワックスが魅力的なものとなっている。適切に実行された場合、均一で反復可能な気泡のない層を生成するので、接着層を堆積させる好適な方法はスピン・コーティングである。
図7では適切な接着層を、まだ硬化させない状態で適所に用いて支持ウエハ(10)が取り付けられる。次に、支持ウエハ(10)を後から除去できるように注意しながら、時間と温度を組合せてこのアセンブリを硬化させる。サファイア・ウエアを除去後にも取り扱えるように、支持ウエハには十分な剛性が必要である。また、カリフォルニア州立大学の研究者らは支持ウエハの機械的剛性をGaN膜の機械的剛性と適合させることが、サファイア除去中のGaNへの損傷を低減させるのに有用であることを見出した。
次に、サファイアのバンドギャップ(9eV)よりも低いが、GaNのバンドギャップ(3.4eV)よりも高い波長エネルギのレーザ放射線(図8を参照)にウエハを選択的に曝露させる。波長を138nm〜364nmに制限する。このような波長では、レーザはサファイアを通るときには吸収が最小であるが、GaNにおいては最大に吸収されてGaN膜に著しく浸透することはない。本発明のこの実施形態のために、248nmのKrFエキシマ・レーザが用いられるが、このようなレーザが十分な高出力密度のものとして市販されているためである。GaN−サファイア界面においてGaNをガリウムと窒素に分解するためには600mJ/cm2を超えるビーム出力密度が必要である。
図8に示すように、パターン化したGaN(8)に入念に位置合わせしたシャドー・マスク(11)を用いて、先の処理中にGaNが除去された領域にレーザ・ビーム(12)が当たるのを阻止する。これは本発明にとってはきわめて重要である。大半の接着剤、特に、一時的なものであり、故に本発明にとっては非常に関心のある接着剤はUV光によって悪影響を受ける。そのような接着剤は248nmまでの種々の程度、特に600mJ/cm2レーザ・パルスに反応し易い。そのような放射線はエポキシやフォトレジストなどの特定の接着剤を過硬化して、接着剤を脆く、弱くし、クラックや剥離を被り易くするおそれがある。いくつかの一時的な接着剤はこの過硬化後には除去が不可能になるかもしれず、必要に応じて支持ウエハを除去することが不可能になる。ワックスなどの他の材料は、レーザ・ビームの吸収によって温度が上昇すると軟化することがある。また、これはGaNのクラックを生じさせ、極端な場合には、レーザ処理が完了する前に支持ウエハの剥離を生じる。
さらに、レーザ・エネルギ密度の制限があるので、最大2mm2の面積を一度に照射することができるだけである。したがって、50mm径のウエハ全体を(GaN on Sapphireの現行の技術で)照射するためには、複数回にわたって順番に照射を実行しなければならない。ウエハやそれぞれに対してこのような照射を正確に位置合わせしないと、いくつかの接着剤は2回以上照射されて先のパラグラフに記載した接着層の劣化を悪化することになる。
図13はシャドー・マスクが使用されておらず、位置合わせされていない1回のレーザ照射を示している。形状(14)と(15)は未照射のGaNデバイスと接着層をそれぞれ示している。形状(16)は完全に照射かつ剥離されたGaNデバイスを示し、形状(17)は照射され、したがって弱められた接着剤を示している。高い応力がGaN膜に存在する照射の境界を(18)で示している。本発明に記載されるように、(17)などの形状は照射レーザ・ビームとともにシャドー・マスクを用いない場合には避けられない。
しかし、本発明において具体化されるように、選択的にレーザを照射すれば、照射領域内のすべてのGaNデバイスが完全に剥離され、かつ隣接するGaNダイ間の接着層が弱められず、かつ照射境界の応力を吸収できることが保証される。図14はシャドー・マスクを用いてパターン化した1つのレーザ照射を示している。未照射のGaNデバイス(14)、未照射の接着層(15)、完全に照射されたGaNデバイス(16)も示している。図13とは対照的に、照射された接着層の領域はない。必要に応じて、幅広い接着層で充填されたトレンチをGaNウエハに組み入れて各レーザ照射の剥離境界を調節し、さらにこのような境界の応力蓄積に起因するクラックの可能性を低減させることができる。
ウエハ全体をレーザ・ビームに曝露させた後、ウエハを30℃をわずかに超えるまで加熱すると、サファイア成長ウエハを除去することができる。図9は剥離されたサファイア・ウエハ(4)と支持ウエハ10にボンディングされたGaN層(8)を示している。Ga(13)の薄膜が新たに照射された両面に剥離後に残るが、この残存物はHCl:H2O(1:1)に10秒間浸漬することにより容易に除去することができる。このような洗浄されたウエハを図10に示している。
ここで、照射したGaN膜(8)の上に図11の二次基板(7)を堆積させる。基板材料は多数あるので、この基板を堆積させる方法は多数ある。最終的に、図11の支持ウエハ(10)は接着層(8)を溶解させるために適した溶媒、通常はアセトンに浸漬することによって除去できる。ウエハを個々のデバイスにダイシングする前の最終的なウエハ構造を図12に示す。
一実施形態では、LED用途に成長されたGaNエピタキシャル膜は主要な3つの順次成長される層(図1)からなり、その各々は多数の付加的な層にさらに分割できる。この主要層は中程度の導電性のp型ドープしたGaN層(1)、(単一または複数のいずれかの)発光InGaN量子井戸層(2)、n型ドープした導電性GaN層(3)からなる。GaNp−n接合は整流性があるので、そのようなGaN膜はp型層(1)から量子井戸(QW)層(2)を介してn型層(3)に電流を流すことができるだけで、他の方向には流すことはできない。上記のように、十分な電流がQW層を通された場合に限り、光はQW層から放出される。したがって、GaN LEDデバイスはこの活性電流を通すn型とp型層(1、3)の両方にコンタクトパッドを必要とする。
従来のGaN on SapphireLED(図2)では、n型パッド(5)を介してn型層(3)とのコンタクトを形成するために、GaNの一部を除去しなければならなかった。これはサファイア(4)が電気的に導電性がないことによる。ここでは、電流はp型パッド(6)から、p型層(1)、QW層(2)を通ってn型層(3)を介してn型パッド(5)まで通ることができる。電流はn型層(3)を通って横方向に流れるので、このタイプの構造はラテラルと呼ばれる。
ラテラル構造では、電流の流れは最適ではなく、特に電流が高くなると、電流集中として知られた状態が発生する。これはLEDの効果を低減させる。また、サファイア基板(4)の熱伝導性が悪いために、ラテラルLEDから熱を除去することは単純ではない。これは動作中にチップ温度を上昇させ、安全性を低減させ、かつデバイスの寿命を低減させるおそれがある。
電気的かつ熱的により効果のあるデバイス構造を図3aに示す。このサファイア基板は電流と熱をデバイスを通して垂直に流すことを可能にする電気的かつ熱的に導電性の基板(7)に代えられている。ここでは電流はp型パッド(6)からp型層(1)、QW層(2)、n型層(3)を介して、n型パッドの役割もする基板(7)に流れるので、これは垂直デバイス構造として知られている。別の垂直構成を図3bに示している。
高品質GaNエピタキシー用の成長基板として使用されることになっている場合、基板(7)の選択は限定される。十分な品質、直径、厚さのGaNウエハは現在のところ技術的に実現不可能である。GaNエピタキシーを成長させるのにSiCウエハが用いられるが、十分な品質のSiCは非常に高価であり、一般には市販のものとしては実現不可能である。しかし、サファイアをGaNエピタキシーに使用して高品質のGaNを生成し、次に導電性基板と置換すると、この置換された導電性基板はエピタキシャル成長に適合しなくてもよい。これによって置換用の基板の選択がいっそう柔軟になる。
エピタキシャル成長後にサファイア基板と置き換えるのに必要な工程を図4〜12に概略的に示す。まず、図1に示したGaNエピタキシャル層をサファイア上で成長させる。わかり易いように、図1の層(1)、(2)、(3)は図4で1つの層(8)に組み合わされている。
GaNのエピタキシー後、GaNエッチングと種々の堆積(金属、誘電体)工程さらには合金化工程を通してGaN層をパターン化する。このような工程は図3aのp型コンタクトを作り、次の膜剥離工程とダイシング工程を容易にするフィーチャを作製する。図5はサファイア(4)上のGaN層(8)にパターン化した2つのLED構造を示している。各デバイスの大きさに応じて、各サファイア・ウエハは数千のLEDデバイスを含むであろう。
次に、接着層(9)をGaN表面上に堆積させる(図6を参照)。この層は厚いフォトレジスト、スピンオン・ガラス、エポキシ、有機接着剤、ワックスなどのいくつかの異なるタイプの材料から構成できる。次の工程を柔軟にするため、および本発明の実施形態のために、接着層は仮のもので、工程が終了すれば容易に除去できるべきである。この要件のためにフォトレジスト、有機接着剤、ワックスが魅力的なものとなっている。適切に実行された場合均一で反復可能な気泡のない層を生成するので、接着層を堆積させる好適な方法はスピン・コーティングである。
図7では適切な接着層を、まだ硬化させない状態で適所に用いて支持ウエハ(10)が取り付けられる。次に、支持ウエハ(1)を後から除去できるように注意しながら、時間と温度を組合せてこのアセンブリを硬化させる。サファイア・ウエアを除去後にも取り扱えるように、支持ウエハには十分な剛性が必要である。また、カリフォルニア州立大学の研究者らは支持ウエハの機械的剛性をGaN膜の機械的剛性と適合させることが、サファイア除去中のGaNへの損傷を低減させるのに有用であることを見出した。
次に、サファイアのバンドギャップ(9eV)よりも低いが、GaNのバンドギャップ(3.4eV)よりも高い波長エネルギのレーザ放射線(図8を参照)にウエハを選択的に曝露させる。波長を138nm〜364nmに制限する。このような波長では、レーザはサファイアを通るときには吸収が最小であるが、GaNにおいては最大に吸収されてGaN膜に著しく浸透することはない。本発明のこの実施形態のために、248nmのKrFエキシマ・レーザが用いられるが、このようなレーザが十分な高出力密度のものとして市販されているためである。GaN−サファイア界面においてGaNをガリウムと窒素に分解するためには600mJ/cm2を超えるビーム出力密度が必要である。
図8に示すように、パターン化したGaN(8)に入念に位置合わせしたシャドー・マスク(11)を用いて、先の処理中にGaNが除去された領域にレーザ・ビーム(12)が当たるのを阻止する。接着層(9)をレーザ・ビームに直接的に曝露させれば層を弱めて、支持ウエハ(10)の剥離とGaN膜のクラックを生じるおそれがあるので、これはきわめて重要である。
さらに、レーザ・エネルギ密度の制限があるので、最大2mm2の面積を一度に照射することができる。したがって、50mm径のウエハ全体を(GaN on Sapphireの現行の技術で)照射するためには、複数回にわたって順番に照射を実行しなければならない。1回の照射で一般的には比較的クラックのない剥離領域を得ることができるが、完全にボンディングされたGaNへの剥離されたGaNの変わり目で、剥離された領域の境界には大きな応力が蓄積する。剥離された領域に隣接かつ接して2回目の照射を行えば、GaN膜に重大なクラックを引き起こすことが多い。図13はシャドー・マスクが使用されず位置合わせされていない1回のレーザ照射を示している。(14)と(15)は未照射のGaNデバイスと接着層をそれぞれ示している。(16)は完全に照射かつ剥離されたGaNデバイスを示し、(17)は照射され、したがって弱められた接着層を示している。高い応力がGaN膜に存在する照射の境界を(18)で示している。
しかし、本発明において具体化されるように、選択的にレーザを照射すれば、照射領域内のすべてのGaNが完全に剥離され、かつ隣接するGaNダイ間の接着層が弱められず、かつ照射境界の応力を吸収できることが保証される。図14はシャドー・マスクを用いてパターン化した1つのレーザ照射を示している。未照射のGaNデバイス(14)、未照射の接着層(15)、完全に照射されたGaNデバイス(16)も示している。図13とは対照的に、部分的に照射されたGaNデバイスはなく、照射された接着層の領域はない。必要に応じて、幅広い接着層で充填されたトレンチをGaNウエハ上に組み入れて各レーザ照射の剥離境界を調節し、さらにこのような境界の応力蓄積に起因するクラックの可能性を低減させることができる。
ウエハ全体をレーザ・ビームに曝露させた後、ウエハを30℃をわずかに超えるまで加熱すると、サファイア成長ウエハを除去することができる。図9は剥離されたサファイア・ウエハ(4)と支持ウエハ10にボンディングされたGaN層(8)を示している。Ga(13)の薄膜が新たに照射された両面に剥離後に残るが、この残存物はHCl:H2O(1:1)に10秒間浸漬することにより容易に除去することができる。このような洗浄されたウエハを図10に示している。
ここで、照射したGaN膜(8)の上に図11の二次基板(7)を堆積させる。基板材料は多数あるので、この基板を堆積させる方法は多数ある。本発明のための好適な実施形態は、Ti/Al(50Å/4000Å)またはAg(4000Å)層に続いてTi/AlまたはAgの腐蝕を防ぐための薄いCr/Au(500Å/10,000Å)層からなる薄いコンタクト層の電子ビーム蒸着である。ここで、金属の厚い(50〜100μm)層をウエハの上にめっきしてよい。金属の選択は用途に左右されるが、電気的、熱的特性のためにCuが良い選択である。
最終的に、図11の支持ウエハ(10)は接着層(8)を溶解させるために適した溶媒、通常はアセトンに浸漬することによって除去できる。ウエハを個々のデバイスにダイシングする前の最終的なウエハ構造を図12に示す。個々のチップのより詳細な図を図3aに示しており、(n型パッドとしても働く)(7)は二次基板であり、(6)はp型パッドであり、(1)はエピタキシャルp型層であり、(2)はエピタキシャルのQW層であり、(3)はエピタキシャルのn型層である。
本発明の別の実施形態は上記の一時的な支持ウエハに代わってレーザ剥離の前に永久的な支持ウエハをボンディングまたは堆積させることである。この永久的な支持ウエハは機械的支持体、エピタキシャル層との電気的コンタクト、エピタキシャル層から放出される光のための光路または反射器のいずれかとして用いられるであろう。この実施形態では二次基板は必要ではないが、必ずしもというわけではないが一般には、Ti/Al(50Å/4000Å)層に続いてTi/Alの腐蝕を防ぎかつワイヤ・ボンディングを可能にするCr/Au(500Å/10,000Å)層からなる薄いコンタクト層から構成されるN型ボンド・パッドに置き換えられる。この実施形態からの個々のチップの図を図3bに示しており、(10)は(p型パッドとしても働く)支持ウエハであり、(5)はn型パッドであり、(1)はエピタキシャル膜のp型層であり、(2)はエピタキシャル膜のQW層であり、(3)はエピタキシャル膜のn型層である。
さらに別の実施形態では、LED用途に成長されたGaNエピタキシャル膜は主要な3つの順次成長される層(図1)からなり、その各々は多数の付加的な層にさらに分割できる。この主要層は中程度の導電性のp型ドープしたGaN層(1)、(単一または複数のいずれかの)発光InGaN量子井戸層(2)、n型ドープした導電性GaN層(3)からなるこの主要層は中程度の導電性のp型ドープしたGaN層(1)、(単一または複数のいずれかの)発光InGaN量子井戸層(2)、一般にはサファイア基板(4)上に成長されるがそうでなくてもよいn型ドープした導電性GaN層(3)からなる。GaNp−n接合は整流性があるので、そのようなGaN膜はp型層(1)から量子井戸(QW)層(2)を介してn型層(3)に電流を流すことができるだけで、他の方向には流すことはできない。上記のように、十分な電流がQW層を通された場合に限り、光はQW層から放出される。したがって、GaN LEDデバイスはこの活性電流を通すn型とp型層(1、3)の両方にコンタクトパッドを必要とする。
従来のGaN on SapphireLED(図15)では、n型パッド(5)を介してn型層(3)とのコンタクトを形成するためにGaNの一部を除去しなければならななかった。これはサファイア(4)が電気的に導電性がないことによる。ここでは、電流はp型パッド(6)、p型層からQW(2)を通ってn型層(3)を介してn型パッド(5)まで通ることができる。電流はn型層(3)を通って横方向に流れるので、このタイプの構造はラテラルと呼ばれる。
図16は標準的なリード・フレームにチップを取り付け、ワイヤ・ボンディングした後のラテラル青色GaN LEDチップ(8)を示している。2つのワイヤ・ボンド、すなわちnリード線(11)にn型パッドを接続するnワイヤ・ボンド(7)と、pリード線(10)にp型パッドを接続するpワイヤ・ボンド(9)がある。図17に示したように、白色LEDランプを作製するために、青色GaNチップ(8)を蛍光体含浸エポキシ(12)で被覆する。最後のパッケージング工程(図18)では、チップ(8)、ワイヤ・ボンド(7、9)、蛍光体層(12)をエポキシ・レンズ(13)内に封入する。
電気的かつ熱的により効果のある青色GaN LED構造を図19に示す。電流と熱をデバイスを通して垂直に流すことを可能にする電気的かつ熱的に導電性の基板(14)にサファイア基板が代えられている。ここでは電流はp型パッド(6)からp型層(1)、QW層(2)、n型層(3)を介して、n型パッドの役割もする基板(14)に流れるので、これは垂直デバイス構造として知られている。
図20は図18のラテラル青色LEDチップ(8)と類似する方法で従来の白色ランプとしてパッケージングされた青色垂直GaN LEDチップ(15)を示している。このチップ基板はここではN型パッドであるため、必要なのはpワイヤ・ボンド(9)のみであり、パッケージングがいくらか簡単になる。しかし、チップ(15)は青色であるので、蛍光体層(12)が依然として必要となる。
図21aは本発明において具体化されたような白色垂直GaN LEDチップを示している。すべての層は図19のものと同じであるが、蛍光体層(17)とパッシベーション層(16)が加えられている。このパッシベーション層ははGaNチップと周囲環境から蛍光体を分離する。図22は本発明において具体化されたような白色ランプとしてパッケージングされた白色垂直チップ(18)を示している。この層は既にチップ上に存在しているので、パッケージング中に蛍光体層は導入されない。
白色GaN LEDチップを作製するのに必要な工程を図22〜33に概略的に示す。まず、図1に示したGaNエピタキシャル層をサファイア上で成長させる。わかり易いように、図1の層(1)、(2)、(3)は図23で1つの層(20)に組み合わされている。
GaNのエピタキシー後、GaNエッチングや種々の堆積(金属、誘電体)工程さらには合金化工程を通してGaN層をパターン化する。このような工程は図19のp型コンタクトを作り、次の膜剥離工程とダイシング工程を容易にし、かつ本発明にきわめて重要であるフィーチャを作製する。図24はサファイア(4)上のGaN層(20)にパターン化した2つのLED構造を示している。各デバイスの大きさに応じて、各サファイア・ウエハは数千のLEDデバイスを含むであろう。
次に、接着層(21)をGaN表面上に堆積させる(図25を参照)。この層は厚いフォトレジスト、スピンオン・ガラス、エポキシ、有機接着剤、ワックスなどのいくつかの異なるタイプの材料から構成できる。次の工程を柔軟にするため、接着層は仮のもので、工程が終了すれば容易に除去できるべきである。この要件のためにフォトレジスト、有機接着剤、ワックスが魅力的なものとなっている。適切に実行された場合、均一で反復可能な気泡のない層を生成するので、接着層を堆積させる好適な方法はスピン・コーティングである。
図26では適切な接着層を、まだ硬化させない状態で適所に用いて支持ウエハ(22)が取り付けられる。次に、支持ウエハを後から除去できるように注意しながら、時間と温度を組合せてこのアセンブリを硬化させる。サファイア・ウエアを除去後にも取り扱えるように、支持ウエハには十分な剛性が必要である。また、カリフォルニア州立大学の研究者らは支持ウエハの機械的剛性をGaN膜の機械的剛性と適合させることが、サファイア除去中のGaNへの損傷を低減させるのに有用であることを見出した。
次に、サファイアのバンドギャップ(9eV)よりも低いが、GaNのバンドギャップ(3.4eV)よりも高い波長エネルギのレーザ放射線(図27を参照)にウエハを選択的に曝露させる。波長を138nm〜364nmに制限する。このような波長では、レーザはサファイアを通るときには吸収が最小であるが、GaNにおいては最大に吸収されてGaN膜に著しく浸透することはない。本発明のこの実施形態のために、248nmのKrFエキシマ・レーザが用いられるが、このようなレーザが十分な高出力密度のものとして市販されているためである。GaN−サファイア界面においてGaNをガリウムと窒素に分解するためには600mJ/cm2を超えるビーム出力密度が必要である。
図27に示すように、パターン化したGaN(20)に入念に位置合わせしたシャドー・マスク(23)を用いて、先の処理中にGaNが除去された領域にレーザ・ビーム(24)が当たるのを阻止する。接着層(21)をレーザ・ビームに直接的に曝露させれば層を弱めて、支持ウエハ(22)の剥離とGaN膜のクラックを生じるおそれがあるので、これはきわめて重要である。
ウエハ全体をレーザ・ビームに曝露させた後、ウエハを30℃をわずかに超えるまで加熱すると、サファイア成長ウエハを除去することができる。図28は剥離されたサファイア・ウエハ(4)と支持ウエハ22にボンディングされたGaN層(20)を示している。Ga(25)の薄膜が新たに照射された両面に剥離後に残るが、この残存物はHCl:H2O(1:1)に10秒間浸漬することにより容易に除去することができる。このような洗浄されたウエハを図29に示している。
ここで、図30の二次基板(14)を照射したGaN膜(20)の上に堆積させてよい。基板材料は多数あるので、この基板を堆積させる方法は多数ある。サンプルの工程は、Ti/Al(50Å/4000Å)層に続いて薄いCr/Au(500Å/10,000Å)層からなる薄いコンタクト層の電子ビーム蒸着である。ここで、金属の厚い(50〜100μm)層をウエハの上にめっきしてよい。金属の選択は用途に左右されるが、電気的、熱的特性のためにCuが良い選択である。
最終的に、図30の支持ウエハ(22)は接着層(21)を溶解させるために適した溶媒、通常はアセトンに浸漬することによって除去できる。結果として得られたウエハ構造を図31に示す。この時点で、ウエハ上の各LEDチップを電気的かつ光学的に検査する。ウエハの平均波長が次の蛍光体層の組成と厚さを決定することになるので、測定するのに重要なパラメータは各デバイスのピーク波長である。
次に、本発明において具体化されるように、図21aに示したパッシベーション−蛍光体−パッシベーション層(16、17)を堆積させる。わかり易いように、このような層は図32の単一の層(19)に組み合わされている。パッシベーション層と蛍光体層は共に低温のプラズマ強化気相成長法(PECVD)によって堆積される。本発明の別の実施形態は、レーザ・リフト・オフや基板転写の前に、図24の記載の工程において、ウエハ工程の早い段階でパッシベーション−蛍光体−パッシベーション層を堆積させる工程を含む。早い段階で堆積させることの利点はより高い温度を使用することができ、層品質が改善される可能性があることにある。先に記載したように、後の段階で堆積させることの利点は蛍光体堆積前にウエハを検査することができ、より正確に蛍光体を適合させることが可能であることにある。
蛍光体層を堆積、パターン化して図21aのp型パッド(6)(図23〜33にはp型パッドを示していない)に接近できるようにした後、ウエハを再び検査することができ、この時点で各チップの白色スペクトルを測定する。検査後、ウエハをダイシングすると図33の分離されたチップが得られる。図22に示したように、ここではチップはパッケージングの準備ができている。
本発明の別の実施形態は上記の一時的な支持ウエハに代わってレーザ剥離の前に永久的な支持ウエハをボンディングまたは堆積させることである。この永久的な支持ウエハは機械的支持体、エピタキシャル層との電気的コンタクト、エピタキシャル層から放出される光のための光路または反射器のいずれかとして用いられるであろう。この実施形態では二次基板は必要ではないが、必ずしもというわけではないが一般には、Ti/Al(50Å/4000Å)層に続いてTi/Alの腐蝕を防ぎかつワイヤ・ボンディングを可能にするCr/Au(500Å/15,000Å)層からなる薄いコンタクト層から構成されるN型ボンド・パッドに置き換えられる。この実施形態からの個々のチップの図を図21bに示しており、(22)は(p型パッドとしても働く)支持ウエハであり、(5)はn型パッドであり、(1)はエピタキシャル膜のp型層であり、(2)はエピタキシャル膜のQW層であり、(3)はエピタキシャル膜のn型層であり、(17)は蛍光体層であり、(16)はパッシベーション層である。
別の実施形態では、LED用途に成長されたGaNエピタキシャル膜は主要な3つの順次成長される層(図1)からなり、その各々は多数の付加的な層にさらに分割できる。この主要層は中程度の導電性のp型ドープしたGaN層(1)、(単一または複数のいずれかの)発光InGaN量子井戸層(2)、n型ドープした導電性GaN層(3)からなる。GaNp−n接合は整流性があるので、そのようなGaN膜はp型層(1)から量子井戸(QW)層(2)を介してn型層(3)に電流を流すことができるだけで、他の方向には流すことはできない。上記のように、十分な電流がQW層を通された場合に限り、光はQW層から放出される。したがって、GaN LEDデバイスはこの活性電流を通すn型とp型層(1、3)の両方にコンタクトパッドを必要とする。
従来のGaN on SapphireLED(図2)では、n型パッド(5)を介してn型層(3)とのコンタクトを形成するためにGaNの一部を除去しなければならなかった。これはサファイア(4)が電気的に導電性がないことによる。ここでは、電流はp型パッド(6)、p型層からQW層(2)を通ってn型層(3)を介してn型パッド(5)まで通ることができる。電流はn型層(3)を通って横方向に流れるので、このタイプの構造はラテラルと呼ばれる。
ラテラル構造では、電流の流れは最適ではなく、特に電流が高くなると、電流集中として知られた状態が発生する。これはLEDの効果を低減させる。また、サファイア基板(4)の熱伝導性が悪いために、ラテラルLEDから熱を除去することは単純ではない。これは動作中にチップ温度を上昇させ、安全性を低減させ、かつデバイスの寿命を低減させるおそれがある。
電気的かつ熱的により効果のあるデバイス構造を図3aに示す。電流と熱をデバイスを通して垂直に流すことを可能にする電気的かつ熱的に導電性の基板(7)にサファイア基板が代えられている。ここでは電流はp型パッド(6)からp型層(1)、QW層(2)、およびn型層(3)を介して、n型パッドの役割もする基板(7)に流れるので、これは垂直デバイス構造として知られている。
高品質GaNエピタキシー用の成長基板として使用されることになっている場合、基板(7)の選択は限定される。十分な品質、直径、厚さのGaNウエハは現在のところ技術的に実現不可能である。GaNエピタキシーを成長させるのにSiCウエハが用いられるが、十分な品質のSiCは非常に高価であり、一般には市販のものとしては実現不可能である。しかし、サファイアをGaNエピタキシーに使用して高品質のGaNを生成し、次に導電性基板と置換すると、この置換された導電性基板はエピタキシャル成長に適合しなくてもよい。これによって置換用の基板の選択がいっそう柔軟になる。
エピタキシャル成長後にサファイア基板と置き換えるのに必要な工程を図4〜7および34〜38に概略的に示す。まず、図1に示したGaNエピタキシャル層をサファイア上で成長させる。わかり易いように、図1の層(1)、(2)、(3)は図4で1つの層(8)に組み合わされている。
GaNのエピタキシー後、GaNエッチングと種々の堆積(金属、誘電体)工程さらには合金化工程を通してGaN層をパターン化する。このような工程は図3aのp型コンタクトを作り、次の膜剥離工程とダイシング工程を容易にするフィーチャを作製する。図5はサファイア(4)上のGaN層(8)にパターン化した2つのLED構造を示している。各デバイスの大きさに応じて、各サファイア・ウエハは数千のLEDデバイスを含むであろう。
次に、接着層(9)をGaN表面上に堆積させる(図6を参照)。この層は厚いフォトレジスト、スピンオン・ガラス、エポキシ、有機接着剤、ワックスなどのいくつかの異なるタイプの材料から構成できる。次の工程を柔軟にするため、および本発明の実施形態のために、接着層は仮のもので、工程が終了すれば容易に除去できるべきである。この要件のためにフォトレジスト、有機接着剤、ワックスが魅力的なものとなっている。適切に実行された場合、均一で反復可能な気泡のない層を生成するので、接着層を堆積させる好適な方法はスピン・コーティングである。
図7では適切な接着層を、まだ硬化させない状態で適所に用いて支持ウエハ(10)が取り付けられる。次に、支持ウエハ(1)を後から除去できるように注意しながら、時間と温度を組合せてこのアセンブリを硬化させる。サファイア・ウエアを除去後にも取り扱えるように、支持ウエハには十分な剛性が必要である。また、カリフォルニア州立大学の研究者らは支持ウエハの機械的剛性をGaN膜の機械的剛性と適合させることが、サファイア除去中のGaNへの損傷を低減させるのに有用であることを見出した。
図34では、次に、サファイアのバンドギャップ(9eV)よりも低いが、GaNのバンドギャップ(3.4eV)よりも高い波長エネルギのレーザ放射線(11)にウエハを選択的に曝露させる。波長を138nm〜364nmに制限する。このような波長では、レーザはサファイアを通るときには吸収が最小であるが、GaNにおいては最大に吸収されてGaN膜に著しく浸透することはない。本発明のこの実施形態のために、248nmのエキシマ・レーザが用いられるが、このようなレーザが十分な高出力密度のものとして市販されているためである。GaN−サファイア界面においてGaNをガリウムと窒素に分解するためには600mJ/cm2を超えるビーム出力密度が必要である。
ウエハ全体をレーザ・ビームに曝露させた後、ウエハを30℃をわずかに超えるまで加熱すると、サファイア成長ウエハを除去することができる。図35は剥離されたサファイア・ウエハ(4)と支持ウエハ(10)にボンディングされたGaN層(8)を示している。Ga(12)の薄膜が新たに照射された両面に剥離後に残るが、この残存物はHCl:H2O(1:1)に10秒間浸漬することにより容易に除去することができる。このような洗浄されたウエハを図36に示している。
ここで、照射したGaN膜(8)の上に図11(および図3)の二次基板(7)を堆積させる。最終的に、図37の支持ウエハ(10)は接着層(9)を溶解させるために適した溶媒、通常はアセトンに浸漬することによって除去できる。ウエハを個々のデバイスにダイシングする前の最終的なウエハ構造を図38に示す。
二次基板のより詳細な図を図38に示す。基板材料は多数あるので、この基板を堆積させる方法は多数ある。本発明のための好適な実施形態は、40Å(4.0×10-6mm)のチタン(13)と40Å(4.0×10-6mm)のアルミ(14)からなる薄いコンタクト層の電子ビーム蒸着であり、この目的は光学的に透過性であるように十分薄いままでGaN層(8)のn型ドープ部分との良好なオーミック・コンタクトを形成することである。図1および3はこのn型ドープ層(3)をより明確に示している。
次の層(15)は約2000Å(2.0×10-4mm)の銀からなる。この層はGaNQW層によって生まれるスペクトルに対する良好な反射器として働くのに十分厚いものである必要がある。他の金属(例えば、アルミニウム)を使用することができるが、銀は利用可能な最良の金属製反射器の1つである。
次の2つの層は2000Å(2.0×10-4mm)のクロム(16)に続き5000Å(5.0×10-4mm)の金(17)からなる。クロムは障壁として働き、金が層(13)、(14)、および(15)に移入しないようにする。金は次の工程段階中にこれら同じ層の腐蝕を妨げる。
ここで、蒸着、スパッタリング、めっき、または他の手段のいずれかによってバルク基板層(18)をウエハ上に堆積させてよい。ウエハに多少の機械的強度を与えるために、この層は合理的には厚い(50〜100μm、すなわち0.05〜0.1mm)であるべきである。この層は良好な熱的かつ電気的な導体であるべきである。最終的に、この層はウエハを個々のチップに分割するダイシングまたは他の方法を可能にするのに十分な機械的剛性がなくてはならない。層(13)、(14)、(15)光学的処理をすべて行うので、この層の光学的性質は関連がない。
必要があればバルク層(18)の選択に応じて、腐蝕を防ぐためにクロム層(19)と金層(20)の別のセットをバルク層の上部に堆積させてよい。また、金層(20)が次のチップ取付け工程をより単純かつ強力にし得る。
本発明においてまた具体化される別の二次基板構造を図40に示している。これは図39に記載したものと実質的に同じであり、層(21)が層(14)と層(15)との間に加えられている。層(21)は単純な銀層(15)単独よりも非常に良好な反射係数を所望の波長に提供するように調整することができる誘電性ブラッグ反射器(DBR)からなる。しかし、DBR層は導電性がなく、層(14)と層(15)との間に電気的接触が可能になるように、いくつかの開口部(22)をこの層にパターン化しなければならない。
本発明の特定の実施形態を示し、説明してきたが、当業者であれば本発明の精神から逸脱することなく変更および変形がなされてよく、故に添付の特許請求範囲は本発明の真の精神および範囲内にあるようにこのような変更および改変を含むべきであることが明白となろう。
Claims (4)
- GaNを処理する方法であって、
(a)サファイア基板の上面の上にGaNエピタキシャル層を成長させる工程と、
(b)前記GaN層をパターン化する工程と、
(c)前記GaN層に支持構造体を取り付ける工程と、
(d)前記サファイア基板の底面に向けたレーザで照射する工程であり、前記レーザの波長は前記GaNを剥離するように、かつ露出されたGaN表面を形成するように、前記サファイアと前記GaN層との界面近傍で前記レーザのエネルギを吸収させるように選択される工程と、
(e)前記サファイア基板を除去する工程と、
(f)前記露出されたGaN表面上に二次基板を堆積させる工程とを含む方法。 - 前記二次基板は導電性である請求項1に記載の方法。
- 前記二次基板は、
(a)Ti/AlとAgからなる群から選択された第1のコンタクト層と、
(b)前記第1の層上のCr/Auの第2の層と、
(c)前記第2の層上の金属の第3の層とを含む請求項1に記載の方法。 - 前記支持構造体は、
(a)前記GaN上の第1の接着層と、
(b)前記第1の層上の第2の支持層とを含む請求項1に記載の方法。
Applications Claiming Priority (6)
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---|---|---|---|
US48741703P | 2003-07-14 | 2003-07-14 | |
US48789603P | 2003-07-14 | 2003-07-14 | |
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