JP2007519260A - 金属トランジスターデバイス - Google Patents
金属トランジスターデバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007519260A JP2007519260A JP2006551303A JP2006551303A JP2007519260A JP 2007519260 A JP2007519260 A JP 2007519260A JP 2006551303 A JP2006551303 A JP 2006551303A JP 2006551303 A JP2006551303 A JP 2006551303A JP 2007519260 A JP2007519260 A JP 2007519260A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- gate
- channel
- metal channel
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 176
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 176
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 25
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 24
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 7
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004871 chemical beam epitaxy Methods 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- UJXZVRRCKFUQKG-UHFFFAOYSA-K indium(3+);phosphate Chemical compound [In+3].[O-]P([O-])([O-])=O UJXZVRRCKFUQKG-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 claims 24
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 2
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 claims 1
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 claims 1
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 claims 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RPELOZWDWZQYDV-UHFFFAOYSA-N [Si]=O.[Ni] Chemical compound [Si]=O.[Ni] RPELOZWDWZQYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JUWSSMXCCAMYGX-UHFFFAOYSA-N gold platinum Chemical compound [Pt].[Au] JUWSSMXCCAMYGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- -1 hafnium nitride Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- HEHINIICWNIGNO-UHFFFAOYSA-N oxosilicon;titanium Chemical compound [Ti].[Si]=O HEHINIICWNIGNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NGFMICBWJRZIBI-UJPOAAIJSA-N salicin Chemical class O[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1OC1=CC=CC=C1CO NGFMICBWJRZIBI-UJPOAAIJSA-N 0.000 claims 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 50
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 18
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 2
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000678 Elektron (alloy) Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000001912 gas jet deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005442 molecular electronic Methods 0.000 description 1
- 239000000382 optic material Substances 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
Description
d<Tに関して、
但し、d(y)は位置yにおける
における空乏幅である。Εmは誘電率であるとともに空乏化金属に関して実数である。qは電子電荷(1.6x10-19クーロン)、Neは電子ドナーの濃度である。原子当たり1自由電子を持つ一価金属では、Neは単位容積当たりの原子数である。多価金属ではNeは原子当たりの自由電子の数を掛けた単位容積当たりの原子数である。
ここでIdはドレイン電流であるとともに、Φbは仕事関数差およびビルトイン電位が含まれるオフセット電圧である。我々は、次に、積分すると同時に次式を得ることができる。
本式は相互コンダクタンスgmを求めるVgに関して微分可能である。
飽和状態はVdが十分大きく空乏領域がゲート電圧の存在中にチャネルTの全厚さまで拡がる時に生ずる。
飽和電流および相互コンダクタンスに関する式が求められることが可能であり、例えば、飽和相互コンダクタンスは次式として求められることが可能である。
例えば、長さ20nm、幅1mmのゲートの非最適化デバイスはNe=1022/cm3、伝導率100,000S/cm(固有抵抗10-5オームcm)および相対誘電率3の厚さ0.32のチャネル金属を有することが可能である。Vg=-1.5VおよびΦb=0.3Vの場合には、gmsatは73,000 mS/mmとなろう。これは室温で20nmの長さのゲートを伴うSi nmOSFETについて350 mS/mmに匹敵可能である。薄い金属膜は、しかしながら、非伝導境界部分が伝導キャリヤーの数が許容ウェーブベクトルに関するものに制限されるのでそのバルク伝導率の1部を有するにすぎない。 量子力学矯正係数はキャリヤーの平均自由経路Λに関連する伝導層厚Tの関数である。
T<<Λの場合、
但し、σ0はバルク伝導率である。
わずか3Vでデプレッション化可能である0.32nmの厚さのプラチナのような材料で構成される薄膜は、10nmの平均自由経路を持つことが可能である。この場合には、わずか0.32nmの金属厚さの場合、矯正係数は約0.1と計算可能である。薄膜矯正後の飽和相互コンダクタンスは7,300 mS/mmである。計算された相互コンダクタンスは匹敵する寸法のシリコンデバイスよりおよそ20倍も良好である。該相互コンダクタンスは2つあるいは3つのうちの1係数によって匹敵する寸法の高電子移動性トランジスターInGaAsについて算定されたものを越える。
qは電子電荷 1.6x1019 クーロン、 Kは金属の相対誘電率であり、Ε0 は自由空間の誘電率、ならびにVsはゲート絶縁体/薄い金属境界での金属電位である。金属類は複合誘電率を有する一方で、Kは自由キャリヤーの空乏化した金属に関して実数である。原子当たり1自由電子を持つ一価金属ではNeは単位容積当たりの原子の数である。多価金属では、Neは原子当たりの自由電子の数だけ掛けた単位容積当たりの原子の数である。Vsは次式によりゲート電圧Vgに関係する。
但し、Koxおよびdoxはそれぞれ相対誘電率およびゲート絶縁体の厚さである。ゲート絶縁体厚さはできるだけ薄いのが好ましい一方で、トンネル電流を含む漏出を無視できる程度に維持する。Φbは仕事関数差ならびにビルトイン電位を含むオフセットである。
Claims (40)
- 1ソース、1ドレイン、1ゲート、および1金属チャネルが含まれるトランジスターデバイス
- さらに絶縁層およびゲート絶縁体が含まれ、金属チャネルが該ゲート絶縁体と該絶縁層間に位置する請求項1のデバイス
- さらにシリコン基板が含まれる請求項1のデバイス
- 金属チャネルに5 nm未満の厚さを有する連続伝導体薄膜が含まれる請求項1のデバイス
- 金属チャネルが0.2〜 3 nmの範囲の厚さを有する請求項1のデバイス
- トランジスターにエンハンスメントモードデバイスが含まれる請求項1のデバイス
- トランジスターにデプレッションモードデバイスが含まれる請求項1のデバイス
- ゲート長が50 nm未満であり、かつさらに二酸化シリコン、シリコン窒素酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル五酸化物、チタニウム酸化物、およびアルミニウム酸化物から構成される群から選定されるゲート絶縁体が含まれる請求項1のデバイス
- 金属チャネルあるいはゲートにアルミニウム、銀、銅、プラチナ金、ハフニウム、ニッケル、タンタル、チタニウム、タングステン、あるいはその組合せが含まれる請求項1のデバイス
- 金属チャネルに複合物構造が含まれる請求項1のデバイス
- 金属チャネルあるいはゲートにハフニウム窒化物、ニッケルケイ素酸化物、タンタル窒化物、チタン窒化物、チタンケイ素酸化物、あるいはその組合せから構成される群から選定される合金が含まれる請求項1のデバイス
- さらに複数の集積回路を提供する回路部品が含まれる請求項1のデバイス
- さらにシリコン、サファイア、水晶、ガリウムヒ素、インジウムリン酸塩、およびダイアモンドから構成される群から選定される基板が含まれる請求項1のデバイス
- 絶縁層に二酸化シリコン、シリコン窒化物、アルミニウム酸化物およびサファイアから構成される群から選定される金属が含まれる請求項2のデバイス
- 絶縁体上に形成される金属チャネル、ソースおよびドレイン、ならびにゲートおよびチャネル上に位置するゲート絶縁体が含まれる電界効果トランジスターデバイス
- 絶縁体にさらに基板上の絶縁層が含まれ、金属チャネルがゲートと該絶縁層間に位置するとともに、ゲート絶縁体がゲート下部ならびに金属チャネル上に位置する請求項15のデバイス
- さらにシリコン基板が含まれる請求項15のデバイス
- 金属チャネルに5 nm未満の厚さを有する連続伝導薄膜が含まれる請求項15のデバイス
- デバイスにさらにn型チャネルおよびp型チャネルを有する補完トランジスターデバイスが含まれる請求項15のデバイス
- さらにエンキャプシュレーション層が含まれる請求項15のデバイス
- 金属チャネルの長さが5 nmから50 nmの範囲であり、かつ、幅が50 nmから500 nmの範囲である請求項15のデバイス
- チャネルに複数の層が含まれる請求項15のデバイス
- 基板上の金属チャネルの形成、金属チャネル上のゲート絶縁体の蒸着、ゲート絶縁体上のゲートの形成、ならびにソース接触、ゲート接触、およびドレイン接触の形成が含まれるトランジスターデバイスの製造方法
- さらにゲート金属上にエンキャプシュレーション層の蒸着が含まれ、該エンキャプシュレーション層がソース接触、ゲート接触、およびドレイン電気接触のための開口部を有する請求項23の方法
- さらに金属、金属合金、ドーピング金属、金属窒化物、金属ケイ素酸化物、金属サリシン化合物、層化金属、あるいはその組合せから構成される群から選定される高伝導材料を有する金属チャネルの形成が含まれる請求項23の方法
- さらにチャネルがゲートに制御電圧を加えるとキャリアの完全空乏化が可能であるような厚さを有する金属チャネルの形成、が含まれる請求項23の方法
- さらに制御電圧を加えるとき反転層およびデプレッション層を有する金属チャネルの形成が含まれる請求項23の方法
- さらに分子ビームエピタキシャル法、化学ビームエピタキシャル法、金属有機化学蒸着、原子層蒸着、スパタリング、電子ビーム蒸着、および熱蒸着から構成される群から選定される工程を利用した金属チャネルの蒸着が含まれる請求項23の方法
- さらに電子金属あるいは正孔金属から形成される金属チャネルの形成が含まれる請求項23の方法
- さらに補完型材料の蒸着が含まれる請求項23の方法
- トランジスターに正孔金属と組合わせた電子金属が含まれる請求項16の方法
- さらにデバイスを伴う集積回路の形成が含まれる請求項23の方法
- さらに検知器デバイスの形成が含まれる請求項23の方法
- さらに光放出デバイスが含まれる請求項23の方法
- 少なくとも1個の金属チャネルを有するトランジスターが含まれる集積回路デバイス
- デバイスに光検知器が含まれる請求項35のデバイス
- デバイスにさらにレーザ、あるいは光放出ダイオードが含まれる請求項35のデバイス
- デバイスにデータプロセッサおよびメモリが含まれる請求項35のデバイス
- デバイスに基板上のソース、ドレインおよびゲートを有する複数の電界効果トランジスターが含まれる請求項35のデバイス
- 金属チャネルの厚さが5 nm未満である請求項35のデバイス
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/762,658 US7838875B1 (en) | 2003-01-22 | 2004-01-22 | Metal transistor device |
PCT/US2005/001949 WO2005093868A1 (en) | 2004-01-22 | 2005-01-21 | Metal transistor device |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015037472A Division JP2015144295A (ja) | 2004-01-22 | 2015-02-26 | 金属トランジスターデバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007519260A true JP2007519260A (ja) | 2007-07-12 |
JP2007519260A5 JP2007519260A5 (ja) | 2012-06-28 |
Family
ID=34960377
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006551303A Pending JP2007519260A (ja) | 2004-01-22 | 2005-01-21 | 金属トランジスターデバイス |
JP2015037472A Pending JP2015144295A (ja) | 2004-01-22 | 2015-02-26 | 金属トランジスターデバイス |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015037472A Pending JP2015144295A (ja) | 2004-01-22 | 2015-02-26 | 金属トランジスターデバイス |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7838875B1 (ja) |
JP (2) | JP2007519260A (ja) |
DE (1) | DE112005000226B4 (ja) |
TW (1) | TWI378557B (ja) |
WO (1) | WO2005093868A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170059976A (ko) * | 2014-09-26 | 2017-05-31 | 인텔 코포레이션 | 금속 옥사이드 금속 전계 효과 트랜지스터들(momfets) |
JP2022104730A (ja) * | 2020-12-29 | 2022-07-11 | 山陽精工株式会社 | 加工物の検査処理方法および検査処理システム |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080135827A1 (en) * | 2006-09-25 | 2008-06-12 | Stmicroelectronics Crolles 2 Sas | MIM transistor |
US8558654B2 (en) | 2008-09-17 | 2013-10-15 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Vialess integration for dual thin films—thin film resistor and heater |
US8786396B2 (en) | 2008-09-17 | 2014-07-22 | Stmicroelectronics Pte. Ltd. | Heater design for heat-trimmed thin film resistors |
US8242876B2 (en) | 2008-09-17 | 2012-08-14 | Stmicroelectronics, Inc. | Dual thin film precision resistance trimming |
DE102009014936A1 (de) | 2009-03-30 | 2010-10-07 | Georg Zimmermann | Abwasserrohr mit einer Frischwasserleiteinrichtung sowie Wärmeübertrager |
US8436426B2 (en) | 2010-08-24 | 2013-05-07 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Multi-layer via-less thin film resistor |
US8659085B2 (en) | 2010-08-24 | 2014-02-25 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Lateral connection for a via-less thin film resistor |
US8400257B2 (en) | 2010-08-24 | 2013-03-19 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Via-less thin film resistor with a dielectric cap |
US8927909B2 (en) | 2010-10-11 | 2015-01-06 | Stmicroelectronics, Inc. | Closed loop temperature controlled circuit to improve device stability |
US8809861B2 (en) * | 2010-12-29 | 2014-08-19 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Thin film metal-dielectric-metal transistor |
US9159413B2 (en) | 2010-12-29 | 2015-10-13 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Thermo programmable resistor based ROM |
US8816476B2 (en) * | 2011-04-27 | 2014-08-26 | Alpha & Omega Semiconductor Corporation | Through silicon via processing techniques for lateral double-diffused MOSFETS |
US8526214B2 (en) | 2011-11-15 | 2013-09-03 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Resistor thin film MTP memory |
US8969867B2 (en) | 2012-01-18 | 2015-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8766365B2 (en) * | 2012-02-21 | 2014-07-01 | Micron Technology, Inc. | Circuit-protection devices |
US9515158B1 (en) | 2015-10-20 | 2016-12-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor structure with insertion layer and method for manufacturing the same |
US9728466B1 (en) | 2016-04-28 | 2017-08-08 | International Business Machines Corporation | Vertical field effect transistors with metallic source/drain regions |
US10269982B2 (en) * | 2016-07-08 | 2019-04-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Metallic channel device and manufacturing method thereof |
US10224285B2 (en) | 2017-02-21 | 2019-03-05 | Raytheon Company | Nitride structure having gold-free contact and methods for forming such structures |
US10096550B2 (en) | 2017-02-21 | 2018-10-09 | Raytheon Company | Nitride structure having gold-free contact and methods for forming such structures |
RU2654296C1 (ru) * | 2017-04-14 | 2018-05-17 | Альфред Габдуллович Габсалямов | Пленочный полевой транзистор с металлическим каналом |
US10163893B1 (en) | 2017-08-28 | 2018-12-25 | Micron Technologies, Inc. | Apparatus containing circuit-protection devices |
US10431577B2 (en) | 2017-12-29 | 2019-10-01 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming circuit-protection devices |
JP2018112567A (ja) * | 2018-04-26 | 2018-07-19 | 愛知製鋼株式会社 | 回転速度測定システム |
CN110429063B (zh) * | 2019-06-28 | 2021-12-10 | 福建省福联集成电路有限公司 | 一种低噪声值的半导体器件制造方法及器件 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003533888A (ja) * | 2000-05-16 | 2003-11-11 | インフィネオン テクノロジーズ アクチェンゲゼルシャフト | 電界効果トランジスタ、および電界効果トランジスタを製作する方法。 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0782996B2 (ja) | 1986-03-28 | 1995-09-06 | キヤノン株式会社 | 結晶の形成方法 |
DE3876228T2 (de) * | 1988-01-15 | 1993-06-03 | Ibm | Feldeffektanordnung mit supraleitendem kanal. |
MY107475A (en) | 1990-05-31 | 1995-12-30 | Canon Kk | Semiconductor device and method for producing the same. |
JP3301116B2 (ja) * | 1992-07-20 | 2002-07-15 | ソニー株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3470133B2 (ja) * | 1994-06-03 | 2003-11-25 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3729955B2 (ja) | 1996-01-19 | 2005-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US6350993B1 (en) * | 1999-03-12 | 2002-02-26 | International Business Machines Corporation | High speed composite p-channel Si/SiGe heterostructure for field effect devices |
US6248633B1 (en) * | 1999-10-25 | 2001-06-19 | Halo Lsi Design & Device Technology, Inc. | Process for making and programming and operating a dual-bit multi-level ballistic MONOS memory |
US6365913B1 (en) | 1999-11-19 | 2002-04-02 | International Business Machines Corporation | Dual gate field effect transistor utilizing Mott transition materials |
US6373111B1 (en) | 1999-11-30 | 2002-04-16 | Intel Corporation | Work function tuning for MOSFET gate electrodes |
US6465315B1 (en) | 2000-01-03 | 2002-10-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | MOS transistor with local channel compensation implant |
JP3906020B2 (ja) | 2000-09-27 | 2007-04-18 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
GB0109782D0 (en) * | 2001-04-20 | 2001-06-13 | Btg Int Ltd | Nanoelectronic devices and circuits |
US6458695B1 (en) | 2001-10-18 | 2002-10-01 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Methods to form dual metal gates by incorporating metals and their conductive oxides |
US6780686B2 (en) * | 2002-03-21 | 2004-08-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Doping methods for fully-depleted SOI structures, and device comprising the resulting doped regions |
-
2004
- 2004-01-22 US US10/762,658 patent/US7838875B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-01-21 TW TW094101900A patent/TWI378557B/zh active
- 2005-01-21 JP JP2006551303A patent/JP2007519260A/ja active Pending
- 2005-01-21 DE DE112005000226.8T patent/DE112005000226B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2005-01-21 WO PCT/US2005/001949 patent/WO2005093868A1/en active Application Filing
-
2010
- 2010-11-22 US US12/951,839 patent/US8242497B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2015
- 2015-02-26 JP JP2015037472A patent/JP2015144295A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003533888A (ja) * | 2000-05-16 | 2003-11-11 | インフィネオン テクノロジーズ アクチェンゲゼルシャフト | 電界効果トランジスタ、および電界効果トランジスタを製作する方法。 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170059976A (ko) * | 2014-09-26 | 2017-05-31 | 인텔 코포레이션 | 금속 옥사이드 금속 전계 효과 트랜지스터들(momfets) |
KR102353662B1 (ko) | 2014-09-26 | 2022-01-21 | 인텔 코포레이션 | 금속 옥사이드 금속 전계 효과 트랜지스터들(momfets) |
JP2022104730A (ja) * | 2020-12-29 | 2022-07-11 | 山陽精工株式会社 | 加工物の検査処理方法および検査処理システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200539448A (en) | 2005-12-01 |
JP2015144295A (ja) | 2015-08-06 |
WO2005093868A1 (en) | 2005-10-06 |
US7838875B1 (en) | 2010-11-23 |
DE112005000226B4 (de) | 2019-08-14 |
US8242497B2 (en) | 2012-08-14 |
TWI378557B (en) | 2012-12-01 |
DE112005000226T5 (de) | 2007-01-04 |
US20110180867A1 (en) | 2011-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007519260A (ja) | 金属トランジスターデバイス | |
Del Alamo et al. | Nanometer-Scale III-V MOSFETs | |
CN110785855B (zh) | 横向鳍式静电感应晶体管 | |
US9401435B2 (en) | Reconfigurable electronic devices and operation method thereof | |
US9064777B2 (en) | Graphene switching device having tunable barrier | |
US9564514B2 (en) | Reducing direct source-to-drain tunneling in field effect transistors with low effective mass channels | |
US20070290193A1 (en) | Field effect transistor devices and methods | |
US9905421B2 (en) | Improving channel strain and controlling lateral epitaxial growth of the source and drain in FinFET devices | |
KR101810261B1 (ko) | 전계 효과 트랜지스터 | |
US9653464B1 (en) | Asymmetric band gap junctions in narrow band gap MOSFET | |
US20080272366A1 (en) | Field effect transistor having germanium nanorod and method of manufacturing the same | |
CN104517858A (zh) | 混合相场效应晶体管 | |
JP2007281489A (ja) | 静電的に制御されるトンネリング・トランジスタ | |
Kuhlmann et al. | Ambipolar quantum dots in undoped silicon fin field-effect transistors | |
US9419115B2 (en) | Junctionless tunnel fet with metal-insulator transition material | |
US7382021B2 (en) | Insulated gate field-effect transistor having III-VI source/drain layer(s) | |
Riederer et al. | Alternatives for Doping in Nanoscale Field‐Effect Transistors | |
JP3372110B2 (ja) | 半導体装置 | |
US20230136676A1 (en) | Superconductive qubit device and manufacturing method thereof | |
KR100304399B1 (ko) | 전계효과트랜지스터및전계효과트랜지스터가적층된어레이 | |
TW201742126A (zh) | 環閘極iii-v族量子井電晶體及鍺無接面電晶體及其製造方法 | |
JP6133221B2 (ja) | 単一電荷転送素子 | |
US20230326925A1 (en) | Monolithic complementary field-effect transistors having carbon-doped release layers | |
US10141528B1 (en) | Enhancing drive current and increasing device yield in n-type carbon nanotube field effect transistors |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110922 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111025 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120120 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120127 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120223 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120301 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120322 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120329 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120425 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20120425 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120904 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20121128 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20121205 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130104 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130117 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130204 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130219 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130301 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130813 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20140213 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140307 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20140418 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20141112 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20141117 |