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Claims (37)

  1. 光学層(３)の中に提供される少なくとも一つの光導波路(６)および該光導波路(６)との光接続する少なくとも一つの光電子部品(４、５;４'、５')を含むプリント回路基板エレメントであって、該光電子部品(４、５;４'、５')が光学層(３)の中に埋め込まれ、光導波路(６)が光電子部品(４、５;４'、５')に隣接し、光導波路が光学層(３)中に光の照射によって構築されることを特徴とするプリント回路基板エレメント(１)。
  2. 光電子部品(４、５;４'、５')の一つの面が光学層(３)を支える支持体(２)、またはそこに適用されるクラッド層(３';２１)にそれぞれ接することを特徴とする請求項１記載のプリント回路基板エレメント。
  3. 光電子部品(４、５;４'、５')の全ての面が例えば二つのプライによって形成される光学層(３、３')に埋め込まれることを特徴とする請求項１または２記載のプリント回路基板エレメント。
  4. 光学層(３、３')が柔軟な層として実現されることを特徴とする請求項３記載のプリント回路基板エレメント。
  5. 光導波路(６)を介して互いに接続される少なくとも二つの光電子部品(４、５;４'、５')が光学層(３)に埋め込まれることを特徴とする請求項１〜４いずれかひとつに記載のプリント回路基板エレメント。
  6. 少なくとも一つの光電子部品が一つの面で放熱層(２１')に接することを特徴とする請求項１〜５いずれかひとつに記載のプリント回路基板エレメント。
  7. 放熱層(２１')がパターン化された内部プライによって形成されることを特徴とする請求項６記載のプリント回路基板エレメント。
  8. 光電子部品(５)が関連電子部品(１４)と組み合わされて埋め込みユニット(５１４)にされることを特徴とする請求項１〜７いずれかひとつに記載のプリント回路基板エレメント。
  9. 埋め込みユニット(５１４)が光電子チップであることを特徴とする請求項８記載のプリント回路基板エレメント。
  10. 光電子部品(４、５)が導電性分配層(２１')上に接することを特徴とする請求項１〜９いずれかひとつに記載のプリント回路基板エレメント。
  11. 分配層(２１')が少なくとも一つの外部電気接点と接続されることを特徴とする請求項１０記載のプリント回路基板エレメント。
  12. 分配層(２１')が支持体(７')中に供給される経路(２２)を介して少なくとも一つの外部電気接点と接続する請求項１１記載のプリント回路基板エレメント。
  13. パターン化された伝導性内部プライ(２１、２１')および／または外部プライ(９、９')を有するプリント回路基板層(７、７')が絶縁性光学層(３)の少なくとも一つの面に適用されることを特徴とする請求項１〜１２いずれかひとつに記載のプリント回路基板エレメント。
  14. 光電子部品(４、５)、または要すればユニット(５１４)が光学層(３)並びに要すれば同一のものに適用されるプリント回路基板層(７)に提供される経路(１０)を介して接続されることを特徴とする請求項１〜１３いずれかひとつに記載のプリント回路基板エレメント。
  15. 光電子部品(４、５)に接続される電子部品(１３、１４)がプリント回路基板層(７)に取り付けられることを特徴とする請求項１４記載のプリント回路基板エレメント。
  16. 光電子部品(４'、５')が薄膜技術によってその場で製造される部品であることを特徴とする請求項１〜１５いずれかひとつに記載のプリント回路基板エレメント。
  17. 光電子部品が光導波路(例えば弓形の遷移部位(３３'))が隣接するVCSEL部品(３４)であることを特徴とする請求項１〜１５いずれかひとつに記載のプリント回路基板エレメント。
  18. 光電子部品(６)がその光電子部品(４)に隣接する端(３４)をじょうご形にする方法で広げられることを特徴とする請求項１〜１７いずれかひとつに記載のプリント回路基板エレメント。
  19. 光導波路(６)が光電子部品(４)に隣接する端(３７;３９)で少なくとも部分的に光電子部品(４)を囲うことを特徴とする請求項１〜１７いずれかひとつに記載のプリント回路基板エレメント。
  20. 光導波路(６)が光電子部品(４)に近接する光導波路(６)の端の方にフォトン光回折クリスタル構造(３８)で供給される請求項１〜１７いずれかひとつに記載のプリント回路基板エレメント。
  21. 少なくとも一つの光電子部品(４、５;４'、５')が支持体(２)に取り付けられ、次にフォトン照射のもとで屈折率を変化させる光学材料を含有する光学層(３)が支持体に適用される一方、光電子部品(４、５;４'、５')を光学層(３)に埋め込み、および、その後、光電子部品(４、５;４'、５')に隣接する導波路構造(６)をフォトン照射によって光学層(３)に製造することを特徴とする請求項１〜２０いずれかひとつに記載のプリント回路基板エレメント(１)の製造方法。
  22. 少なくとも二つの光電子部品(４、５;４'、５')を支持体(２)に取り付け、光学層(３)に埋め込み、その後、光導波路(６)を直接同様に隣接することによって互いに接続することを特徴とする請求項２１記載の方法。
  23. 光学層(３)に光導波路構造(６)を製造した後、伝導性内部プライ(２１、２１')および／または外部プライ(９、９')を含むプリント回路基板層(７、７')を上述の光学層(３)の少なくとも一つの面に適用することを特徴とする請求項２１または２２記載の方法。
  24. プリント回路基板層を光学層に適用する前に内部プライ(２１、２１')がパターン化されることを特徴とする請求項２３記載の方法。
  25. 光学層へのプリント回路基板層の適用後に外部プライ(９、９')がパターン化されることを特徴とする請求項２３または２４記載の方法。
  26. 経路(２２)がそれぞれの光電子部品(４、５;４'、５')と調和して光学層(３)に(要すれば更にプリント回路基板層(７、７')にも)提供され、光電子部品への導電性接続が上述の経路を介してなされることを特徴とする請求項２３〜２５いずれかひとつに記載の方法。
  27. 光電子部品(４、５)と伝導的に接続される少なくとも一つの電子部品(１３、１４)をプリント回路基板層(７)および／または支持体に取り付けることを特徴とする請求項２６記載の方法。
  28. 関連する電子部品(１４)をもつユニットと結びつけられる光電子部品(５)を支持体に取り付け、光学層に埋め込むことを特徴とする請求項２１〜２７いずれかひとつに記載の方法。
  29. 光電子部品(４、５)を適用する前に支持体(３)に少なくとも一つのクラッド層(３';２１)を提供することを特徴とする請求項２１〜２８いずれかひとつに記載の方法。
  30. 光学材料のクラッド層(３')を支持体(３)に適用することを特徴とする請求項２９記載の方法。
  31. 導電性クラッド層(２１')を分配層として支持体に適用し、要すれば分配層は続いてパターン化されていることを特徴とする請求項２９または３０記載の方法。
  32. 光電子部品(４、５)に関する電気接続が分配層を通じてなされることを特徴とする請求項３１記載の方法。
  33. 分配層を放熱層として配置することを特徴とする請求項３１または３２記載の方法。
  34. 薄膜技術によって光電子部品(４、５)を支持体(３)に現場で製造することを特徴とする請求項２１〜３３いずれかひとつに記載の方法。
  35. 光電子部品(４)に隣接する端にじょうご形広口(３７)をもつ光導波路構造(６)を提供することを特徴とする請求項２１〜３４いずれかひとつに記載の方法。
  36. 少なくとも部分的に光電子部品(４)を囲む端部(３７;３９)をもつ光導波路構造(６)を製造することを特徴とする請求項２１〜３４いずれかひとつに記載の方法。
  37. 光電子部品(４)に隣接する端にフォトニック光回折結晶構造(３８)をもつ光導波路構造(６)を製造することを特徴とする請求項２１〜３４いずれかひとつに記載の方法。
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