JP2007515057A - 構造体及びレーザヒューズのプログラミング - Google Patents

Abstract

レーザヒューズを製作する方法及び構造体と、レーザヒューズをプログラミングする方法とを提供する。レーザヒューズは、第１自己不活性化導電性材料で充填された２つのビア（８２０ａ及び８２０ｂ）を有する第１誘電体層（８０７）を含む。ヒューズリンク（８１０’）は第１誘電体層（８０７）の上部に位置する。ヒューズリンク（８１０’）は２つのビア（８２０ａ及び８２０ｂ）を電気的に接続し、レーザビームに当てられた後に電気抵抗を変える特性を持つ第２材料を含む。２つのメサ（８２５ａ，８３０ａ及び８２５ｂ，８３０ｂ）は、ヒューズリンク（８１０’）上、並びに２つのビア（８２０ａ及び８２０ｂ）の真上に位置する。２つのメサ（８２５ａ，８３０ａ及び８２５ｂ，８３０ｂ）は各々、第３自己不活性化導電性材料を含む。レーザヒューズは、レーザビームをヒューズリンク（８１０’）に向けることによりプログラミングされる。ヒューズリンク（８１０’）上のレーザビームの衝撃に応えて、ヒューズリンク（８１０’）を吹き飛ばすことなく、ヒューズリンク（８１０’）の電気抵抗が変わるようにレーザビームが制御される。このような電気抵抗の変化は感知され、デジタル信号へ変換される。

Description

本発明は、レーザヒューズの設計と、レーザヒューズをプログラミングする方法とに関する。

従来技術の典型的なレーザヒューズは、レーザビームをレーザヒューズへ向けることによりプログラミングされる。ヒューズの加熱及び膨張によりヒューズ上のパッシベーション膜が開口し、ヒューズが蒸発する。この時、レーザヒューズの切断端部が開口し、酸化及び腐食を起こしやすくなって、酸化及び腐食が回路全体にわたって広がるおそれがある。その上、ヒューズの膨張は亀裂を下方または横方向へ起こすおそれがあり、これによって、周囲の装置へ損傷を及ぼすおそれがある。

その結果として、ヒューズを囲む装置に対してヒューズプログラミングにより引き起こされる腐食及び酸化を最小限に抑えるレーザヒューズの設計が必要とされている。また、ヒューズを囲む構造体へ亀裂が入る危険性を減らすレーザヒューズのプログラミング方法も必要とされる。

本発明は、少なくとも２つのビアを第１誘電体層に形成する工程と、２つのビアを第１自己不活性化（ｓｅｌｆ−ｐａｓｓｉｖａｔｅｄ）導電性材料で充填する工程と、第１誘電体層の上部にヒューズリンク層を形成する工程であって、ヒューズリンク層が、レーザビームに当てられた後に電気抵抗を変える特性を持つ第２材料を有する工程と、第３自己不活性化導電性材料を有するメサ層をヒューズリンク層上に形成する工程と、ヒューズリンク層及びメサ層からそれぞれヒューズリンク及び２つのメサを形成する工程とを有する電子構造体の形成方法であって、ヒューズリンクが２つのビアを電気的に接続し、２つのメサが前記２つのビアの真上に位置する、電子構造体の形成方法を提供する。

本発明は、第１自己不活性化導電性材料で充填されている少なくとも２つのビアを有する第１誘電体層と、前期第１誘電体層の上部に位置するヒューズリンクであって、前記ヒューズリンクが２つのビアを電気的に接続し、レーザビームに当てられた後に電気抵抗を変える特性を持つ第２材料を有するヒューズリンクと、前記ヒューズリンク上、並びに２つのビアの真上に位置する２つのメサであって、第３自己不活性化導電性材料を含む２つのメサとを有する電子構造体も提供する。

本発明は、レーザヒューズをプログラミングする方法であって、前記レーザヒューズが、レーザビームに当てられた後に電気抵抗を変える特性を持つ材料を含むヒューズリンクを有し、前記方法が、レーザビームをヒューズリンクに向ける工程を有し、ヒューズリンク上のレーザビームの衝撃に応えて、ヒューズリンクを吹き飛ばすことなく、ヒューズリンクの電気抵抗が変わるようにレーザビームが制御される方法も提供する。

本発明は、少なくとも第１ビア及び第２ビアを有する第１誘電体層であって、第１及び第２ビアの双方とも第１導電性材料で充填されている第１誘電体層と、第１及び第２ビアの真上にそれぞれ位置し、第１及び第２ビアの第１導電性材料とそれぞれ物理的に接触している第１酸素ゲッタ遮蔽体（ｏｘｙｇｅｎ−ｇｅｔｔｅｒ ｓｈｉｅｌｄ）及び第２酸素ゲッタ遮蔽体であって、第２導電性酸素ゲッタ材料を有する第１酸素ゲッタ遮蔽体及び第２酸素ゲッタ遮蔽体と、第１及び第２酸素ゲッタ遮蔽体を電気的に接続するヒューズリンクであって、レーザビームに当てられた後に電気抵抗を変える特性を持つ第３材料を含むヒューズリンクとを有する電子構造体も提供する。

本発明は、レーザヒューズの下に位置する装置の腐食及び酸化を最小限に抑えるレーザヒューズの製作方法及び構造体を提供する。

本発明は、レーザヒューズを囲む構造体に亀裂を起こさないレーザヒューズのプログラミング方法も提供する。

図１には、本発明の実施形態に従ってレーザヒューズを形成するのに用いられる電子構造体１００の正面断面図を示す。一実施形態では、電子構造体１００は、シリコン基板１０５の上部に層間誘電体（ＩＬＤ）層１１０を有する。ＩＬＤ層１１０は、例示としてアルミニウム（Ａｌ）が充填された２つのビア１２０ａ及び１２０ｂを含む。一実施形態では、ＩＬＤ層１１０を低誘電率材料、あるいは、窒化ケイ素または酸化ケイ素で製造することができる。

例示として、ＩＬＤ層１１０をシリコン基板１０５の上部に堆積することができる。次に、２つのビア１２０ａ及び１２０ｂをエッチング処理により作製する。一実施形態では、エッチング処理は、幾つかの工程を含むことができる。まず、ポジ型フォトレジスト層（図示せず）をＩＬＤ層１１０の上部に堆積し、フォトレジスト層のパターンを作製する。このパターンは、２つのビア１２０ａ及び１２０ｂが位置付けられるＩＬＤ層１１０の２つの領域を露出する。次に、ＩＬＤ層１１０の２つの露出された領域をエッチング処理によりエッチング除去して２つのビア１２０ａ及び１２０ｂを作製する。その後、フォトレジスト層を除去し、アルミニウムをＩＬＤ層１１０の全体にわたって堆積して２つのビア１２０ａ及び１２０ｂをアルミニウムで充填することができる。次に、ビア１２０ａ及び１２０ｂの外側の余分なアルミニウムをＣＭＰ（化学機械研磨）により除去し、その結果、図１の電子構造体１００を生じさせる。アルミニウムで充填されたビア１２０ａ及び１２０ｂに電気的に接続されているＩＬＤ層１１０下のセンシング回路を含む装置は、簡易化のために図示されていない。

図２には、ＩＬＤ層１１０上にＴａＮ（窒化タンタル）の層２１０に続いてＷ（タングステン）の層２２０が堆積された後の図１を示す。一実施形態では、ＴａＮの層２１０をＰＶＤ（物理蒸着）またはＣＶＤ（化学蒸着）処理によりＩＬＤ層１１０上に堆積する。次に、Ｗの層２２０をＣＶＤ処理によりＴａＮの層２１０上に堆積する。一実施形態では、ＴａＮの層２１０の厚さを数百オングストロームとすることができる。

図３には、２つのビア１２０ａ及び１２０ｂ上にそれぞれ位置する２つのメサ２２０ａ及び２２０ｂを除いてＷの層２２０の大部分がエッチング除去された後の図２を示す。一実施形態では、エッチング処理は、幾つかの工程を含むことができる。まず、ポジ型フォトレジスト層（図示せず）をＷの層２２０上に堆積することができる。次に、２つのビア１２０ａ及び１２０ｂの真上に位置するＷの層２２０の２つの領域を被覆／保護するようにフォトレジスト層のパターンを作製する。その後、エッチング（ドライまたはウェット）を行って、Ｗの層２２０の露出された（フォトレジスト層により保護されていない）領域を除去することができる。最後に、フォトレジスト層を除去する。結果として生じた構造体１００は、図３に示すように、２つのＷのメサ２２０ａ及び２２０ｂが２つのビア１２０ａ及び１２０ｂの真上に作製されている。

図４には、２つのビア１２０ａ及び１２０ｂの上、並びにそれらの間に位置する領域を除いてＴａＮの層２１０の大部分がエッチング除去された後の図３を示す。一実施形態では、エッチング処理は、幾つかの工程を含むことができる。まず、ポジ型フォトレジスト層（図示せず）を、２つのＷのメサ２２０ａ及び２２０ｂも被覆するようにＴａＮの層２１０上に堆積することができる。次に、２つのビア１２０ａ及び１２０ｂの真上、並びにそれらの間に位置するＴａＮの層２１０の領域だけを被覆／保護するようにフォトレジスト層のパターンを作製する。その後、エッチング（ドライまたはウェット）を行って、ＴａＮの層２１０の露出された（フォトレジスト層により被覆されていない）領域を除去することができる。最後に、フォトレジスト層を除去する。結果として生じた構造体１００は、図４に示すように、ＴａＮのヒューズリンク２１０’が２つのビア１２０ａ及び１２０ｂの真上、並びにそれらの間に作製されている。ＴａＮのヒューズリンク２１０’は、アルミニウムで充填された２つのビア１２０ａ及び１２０ｂを電気的に接続する。

図５には、ＩＬＤ材料のパッシベーション層５１０が図４の構造体１００の全体にわたって堆積された後の図４を示す。ＩＬＤのパッシベーション層５１０は、構造体１００を含むウェハ上の装置を汚染物質及び湿気から保護するためのものである。ＩＬＤのパッシベーション層５１０は、スクラッチ保護層としても作用する。一実施形態では、ＩＬＤのパッシベーション層５１０を窒化ケイ素（Ｓｉ_ｘＮ_ｙ）で製造することができる。一実施形態では、ＩＬＤのパッシベーション層５１０をＣＶＤ（化学蒸着）処理により図４の構造体１００上に堆積することができる。

図６には、ヒューズリンク２１０’上に位置するＩＬＤの層５１０の一部がエッチング除去されて開口部６１０を作製した後の図５を示す。一実施形態では、エッチング処理は、幾つかの工程を含むことができる。まず、ポジ型フォトレジスト層（図示せず）をＩＬＤの層５１０上に堆積することができる。次に、ＴａＮのヒューズリンク２１０’の真上に位置するＩＬＤの層５１０の領域だけを露出するマスクでフォトレジスト層のパターンを作製する。その後、エッチング（ドライまたはウェット）を行って、ＩＬＤの層５１０の露出された（フォトレジスト層により被覆されていない）領域を部分的に除去することができる。最後に、フォトレジスト層を除去する。結果として生じた構造体１００は、図６に示すように、２つのＷのメサ２２０ａ及び２２０ｂが部分的に露出され、ヒューズリンク２１０’が、残存するＩＬＤ層５１０ｃにより被覆されている。一実施形態では、本発明のレーザヒューズは、ＴａＮのヒューズリンク２１０’と、Ａｌで充填された２つのビア１２０ａ及び１２０ｂとを有するものとみなすことができるので、以後、レーザヒューズ２１０’，１２０と称することができる。ヒューズリンク２１０’がＴａＮの層２１０によってもたらされるので、ＴａＮの層２１０をヒューズリンク層２１０と称することができる。同様に、２つのメサ２２０ａ及び２２０ｂがＷの層２２０によってもたらされるので、この層２２０をメサ層２２０と称することができる。

一実施形態では、レーザヒューズ２１０’，１２０のプログラミングは、レーザ源６２０から下方へ開口部６１０を通ってレーザヒューズ２１０’，１２０のＴａＮのヒューズリンク２１０’上にレーザビーム６３０を向けることを含む。ヒューズリンク２１０’は、レーザビーム６３０のある程度のエネルギを吸収する。レーザビーム６３０のエネルギレベルは、ヒューズリンク２１０’を構成する材料（すなわち、ＴａＮ）の相を変える程度に充分強くはあるが、ヒューズリンク２１０’へ物理的に損傷を与えるかヒューズリンク２１０’を吹き飛ばして周囲の構造体へ亀裂を起こすおそれがあるエネルギレベルを下回るように制御される。図７には、ヒューズリンク２１０’がレーザビーム６３０に当てられた後の図６の構造体１００を示す。図７に示すように、ヒューズリンク２１０’には、いかなる幾何学的変化も存在しない。しかし、図７では、ヒューズリンクに新たな参照番号２１０”を付して、ヒューズリンク２１０”を構成する材料（すなわち、ＴａＮ）が相変化を経て、従って、異なる特性（すなわち、高い電気抵抗）を有することを表す。ＴａＮの相変化の結果として、ＴａＮのヒューズリンク２１０”の電気抵抗が増大する。言い換えれば、ヒューズリンク２２０”を介して２つのビア１２０ａ及び１２０ｂ間の導電路の電気抵抗が増大する。一実施形態では、この電気抵抗の増大はセンシング回路（図示せず）により感知され、（例えば、低い電気抵抗に対応する論理１から、高い電気抵抗に対応する論理０への）デジタル信号に変換される。その結果、レーザヒューズを吹き飛ばすことなく、レーザヒューズ２１０’，１２０をプログラミングして、従来技術でのように、開回路を作製する。従って、亀裂の可能性及び程度は最小限に抑えられる。ＴａＮ材料の場合では、ＴａＮ電気抵抗を充分に増大させるのに必要とされるレーザエネルギレベルは、従来技術の典型的なレーザヒューズを吹き飛ばすのに必要とされるレーザエネルギレベルよりもずっと低い。この結果、従来技術と比べて、本発明のヒューズプログラミング方法により生じる亀裂の可能性及び程度は、はるかに低い。ＩＬＤ層５１０ｃのＩＬＤ材料がレーザビームに対して透過的であるので、ＩＬＤ層５１０ｃの厚さは、本発明のヒューズプログラミング方法にとって重要な意味を持つものではない。レーザビーム６３０のエネルギの大部分はヒューズリンク２２０’に到達し、レーザヒューズ２１０’，１２０の電気抵抗を増大させることができる。その結果として、２つのＷのメサ２２０ａ及び２２０ｂを外部（例えば、結合パッド）へ電気的に接続する必要がなければ、レーザヒューズ２１０’，１２０の真上に位置するＩＬＤ層５１０の部分を除去する工程を省略することができる。２つのＷのメサ２２０ａ及び２２０ｂを外部へ電気的に接続する必要があれば、メサ２２０ａ及び２２０ｂを露出するように、ヒューズリンク２１０’の真上に位置するＩＬＤ層５１０の部分を除去することができる。ヒューズリンク２１０’の上部にＩＬＤ層５１０ｃ（図６）が残されていても何も残されていなくても、ヒューズプログラミング方法にとって重要な意味を持つものではない。

上述の実施形態では、２つのビア１２０ａ及び１２０ｂは、良好な電気導体であって、良好な自己不活性化材料でもあるアルミニウムで充填されている。アルミニウムが酸素と反応して、酸素に対して不活性の化合物を生成し、この化合物が、空気中の酸素及び水蒸気により生じる更なる酸化及び腐食を防止するので、アルミニウムは良好な自己不活性化材料である。２つのビア１２０ａ及び１２０ｂを充填するのにアルミニウムを用いることは、レーザヒューズ２１０’，１２０の下に位置する装置の酸化及び腐食を減少させる。あるいはまた、導電性であって、自己不活性化型でもある他の材料を用いて２つのビア１２０ａ及び１２０ｂを充填することができる。２つのビア１２０ａ及び１２０ｂを充填するのに、導電性の自己不活性化材料を用いることは、レーザヒューズ２１０’，１２０の下に位置する装置の酸化及び腐食を最小限に抑えるのに役立つ。

上述の実施形態では、ヒューズリンク２１０’は、自己不活性化し、レーザビーム６３０が当てられている時に電気抵抗を変えるＴａＮで製造されている。ＴａＮのヒューズリンク２１０’が自己不活性化するので、レーザヒューズ２１０’，１２０の下に位置する装置の酸化及び腐食は、ＴａＮのヒューズリンク２１０’が露出されている（すなわち、ＩＬＤ層５１０ｃが完全に除去されている）場合であっても減少される。他の実施形態では、自己不活性化し、レーザビーム６３０の衝突後に電気抵抗を変える特性を有する他の材料（例えば、窒化チタンＴｉＮまたは窒化タングステンＷＮ）をヒューズリンク２１０’に用いることができる。更なる他の実施形態では、使用材料は、レーザビームに当てられた後に電気抵抗を変える（増大するか減少する）特性を有する。

上述の実施形態では、２つのメサ２２０ａ及び２２０ｂは、導電性であって、自己不活性化型でもあるＷ（タングステン）で製造されている。Ｗが導電性であるので、レーザヒューズ２１０’，１２０の構成要素と外部（例えば、結合パッド）との間に電気接続を構成することができる。Ｗが自己不活性化し、２つのＷのメサ２２０ａ及び２２０ｂが２つのビア１２０ａ及び１２０ｂの真上に位置しているので、２つのビア１２０ａ及び１２０ｂを通って、レーザヒューズ２１０’，１２０の下に位置する装置を酸化及び腐食することを最小限に抑える。他の実施形態では、導電性であって、自己不活性化型でもある他の材料（例えば、アルミニウム）で２つのメサ２２０ａ及び２２０ｂを製造することができる。

上述の実施形態では、ヒューズリンク２１０’は、レーザビーム６３０に当てられた後に高い電気抵抗を有する。他の実施形態では、レーザビーム６３０に当てられた後に低い電気抵抗を有する他の材料でヒューズリンク２１０’を製造することができる。この場合、電気抵抗の減少を感知し、（例えば、論理０から論理１への）デジタル信号に変換することができる。

図８（Ａ）〜（Ｅ）には、本発明の実施形態に従って電子構造体８００を製作する工程を示す。図８（Ａ）には、本発明の実施形態に従ってレーザヒューズを形成するのに用いられる電子構造体８００の正面断面図を示す。一実施形態では、電子構造体８００は、シリコン（または、その他の何らかの半導体）基板８０５の上部にＩＬＤ層８０７を有する。ＩＬＤ層８０７は、アルミニウム（または、その他の何らかの良好な導電性材料）で充填された２つのビア８２０ａ及び８２０ｂを含む。ＩＬＤ層８０７の上部には、ＴａＮ（または、レーザビームに当てられた後に電気抵抗を変える特性を有するその他の何らかの材料）で製造されたレーザヒューズ層８１０が堆積されている。レーザヒューズ層８１０上には、窒化ケイ素（または、下の層８１０を保護できる何らかの材料）で製造された保護層８１５が堆積されている。

図８（Ｂ）には、２つのビア８２０ａ及び８２０ｂ間にメサ８１０’，８１５’だけを残すように２つの層８１０及び８１５の大部分をエッチング除去することによりメサ８１０’，８１５’が形成された後の図８（Ａ）を示す。メサ８１０’，８１５’は、ＴａＮのヒューズリンク８１０’及び保護層８１５’を有する。

図８（Ｃ）には、図８（Ｂ）の後、チタン（または、その他の何らかの良好な導電性の酸素ゲッタ材料）で製造された酸素ゲッタ層８２５を図８（Ｂ）の構造体８００の全体にわたって堆積したことを示す（酸素ゲッタ材料は酸素と容易に反応し、酸素を吸収して、酸素を酸素ゲッタ材料から逃がさないようにすることができる材料である）。その後、タングステン（または、その他の良好な導電性材料）で製造された先端接点（ｅｎｄ ｃｏｎｔａｃｔ）層８３０を酸素ゲッタ層８２５上に堆積する。

図８（Ｄ）には、２つのビア８２０ａ及び８２０ｂの真上にそれぞれ位置する２つのメサ８２５ａ，８３０ａ及び８２５ｂ，８３０ｂだけを残すように層８２５及び８３０の大部分をエッチング除去することにより２つのメサ８２５ａ，８３０ａ及び８２５ｂ，８３０ｂが形成された後の図８（Ｃ）を示す。メサ８２５ａ，８３０ａは、酸素ゲッタ遮蔽体８２５ａ及び先端接点メサ８３０ａを有する。同様に、メサ８２５ｂ，８３０ｂは、酸素ゲッタ遮蔽体８２５ｂ及び先端接点メサ８３０ｂを有する。

図８（Ｅ）には、２つの先端接点メサ８３０ａ及び８３０ｂを除いて図８（Ｄ）の構造体８００の全体にわたってＩＬＤ層８４０が堆積された後の図８（Ｄ）を示す。Ｔｉが良好な電気導体であるので、酸素ゲッタ遮蔽体８２５ａ及び８２５ｂはそれぞれ、ヒューズリンク８１０’をビア８２０ａ及び８２０ｂへ電気的に接続する。チタン（Ｔｉ）は良好な酸素ゲッタ材料でもあるので、酸素ゲッタ遮蔽体８２５ａ及び８２５ｂはそれぞれ、２つのビア８２０ａ及び８２０ｂの下に位置する装置を腐食及び酸化から効果的に保護する。

要約すれば、本発明のヒューズプログラミング処理は非破壊的である。レーザビーム６３０（図６参照）はＴａＮの相だけを変え、従って、ＴａＮのヒューズリンク２１０’の電気抵抗を増大させる。また、ヒューズプログラミングに用いられるレーザエネルギは減少される。その結果、低いプログラミングレーザエネルギ及びヒューズプログラミング処理の非破壊的性質のため、プログラミング処理中及びプログラミング処理後、誘電体に亀裂が入る危険性は軽減する。誘電体に亀裂が入る可能性が低いことは、２つの利点につながる。第１に、歩留り及び信頼性が高められ、第２に、低誘電率の誘電材料を大域的な配線レベルに用いる実現可能性が改善される。

自己不活性化先端接続部（２つのＷのメサ２２０ａ及び２２０ｂ）及び自己不活性化ヒューズ要素（ヒューズリンク２１０’と、Ａｌで充填された２つのビア１２０ａ及び１２０ｂ）を組み合わせて使用する場合、ヒューズ要素と、（もしあれば、）欠陥のあるライナとを通る酸素及び湿気の侵入経路が削減される。また、ＴａＮの拡散障壁特性のため、ヒューズ要素から先端接続部までの酸素及び湿気の横方向侵入経路は取り除かれる。

ＴａＮのヒューズリンク２１０’と、ヒューズ２１０’，１２０の下に位置するセンシング回路（図示せず）との間の接点接続部としてビア１２０ａ及び１２０ｂに自己不活性化電気導体（アルミニウム）を用いる利点は、自己不活性化電気導体が酸素及び湿気ゲッタとして作用して、ビア１２０ａ及び１２０ｂの下隅部の（もしあれば、）欠陥のあるライナを酸素及び湿気が浸透する可能性を最小限に抑えるということである。

ヒューズ２１０’，１２０の真上に位置するＩＬＤのパッシベーション層５１０の厚さがプログラミング処理にとって重要な意味を持つものではないので、ヒューズ上のパッシベーション層に対する最終処理は、広い柔軟性を有する。更に、ある種類のヒューズ（例えば、ヒューズ２１０’，１２０）を異なる技術に用いて、結果として、製造費用の軽減をもたらすことができる。

本発明の特定の実施形態を例示目的のために本明細書に記述したが、多くの修正及び変更が当業者に明らかになるであろう。従って、特許請求の範囲は、本発明の真の精神及び範囲内に入るこのような修正及び変更のすべてを含むものとする。

本発明の実施形態に従って層間誘電体（ＩＬＤ）層を基板上に有する電子構造体であって、前記ＩＬＤ層が２つのビアを有する電子構造体の正面断面図である。 図１の後、ＩＬＤ層上にＴａＮ（窒化タンタル）の層に続いてＷ（タングステン）の層を堆積したことを示す図である。 図２の後、２つのビア上に位置する２つのメサを除いてＷの層の大部分をエッチング除去したことを示す図である。 図３の後、２つのビアの上、並びにそれらの間に位置する領域を除いてＴａＮの層の大部分をエッチング除去し、残存するＴａＮの層がヒューズリンクとなることを示す図である。 図４の後、ＩＬＤ材料のパッシベーション層を図４の構造体１００の全体にわたって堆積したことを示す図である。 図５の後、ヒューズリンク上に位置するパッシベーション層の部分をエッチング除去して開口部を作製したことを示す図である。 ヒューズリンクがレーザビームに当てられた後の図６の構造体を示す図である。 本発明の実施形態による一連の製造工程を経る電子構造体の正面断面図である。

Claims (20)

1. 少なくとも２つのビアを第１誘電体層に形成する工程と、
   前記２つのビアを第１自己不活性化導電性材料で充填する工程と、
   前記第１誘電体層の上部にヒューズリンク層を形成する工程であって、前記ヒューズリンク層が、レーザビームに当てられた後に電気抵抗を変える特性を持つ第２材料を有する工程と、
   第３自己不活性化導電性材料を有するメサ層を前記ヒューズリンク層上に形成する工程と、
   前記ヒューズリンク層及び前記メサ層からそれぞれヒューズリンク及び２つのメサを形成する工程とを有する電子構造体の形成方法であって、前記ヒューズリンクが前記２つのビアを電気的に接続し、前記２つのメサが前記２つのビアの真上に位置する、電子構造体の形成方法。
2. 前記第２材料が、ＴａＮ、ＴｉＮ及びＷＮより成る群から選択された物質を含む、請求項１に記載の電子構造体の形成方法。
3. 前記第１自己不活性化導電性材料が、Ａｌ及びＷより成る群から選択された物質を含む、請求項１に記載の電子構造体の形成方法。
4. 前記第３自己不活性化導電性材料が、Ａｌ及びＷより成る群から選択された物質を含む、請求項１に記載の電子構造体の形成方法。
5. 前記メサ層を形成する前に、前記ヒューズリンク層の上部に第２誘電体層を形成する工程を更に有する、請求項１に記載の電子構造体の形成方法。
6. 前記ヒューズリンクを形成した後、前記ヒューズリンクを雰囲気にさらす工程を更に有する、請求項１に記載の電子構造体の形成方法。
7. 第１自己不活性化導電性材料で充填されている少なくとも２つのビアを有する第１誘電体層と、
   前記第１誘電体層の上部に位置するヒューズリンクであって、前記ヒューズリンクが前記２つのビアを電気的に接続し、レーザビームに当てられた後に電気抵抗を変える特性を持つ第２材料を有するヒューズリンクと、
   前記ヒューズリンク上、並びに前記２つのビアの真上に位置する２つのメサであって、第３自己不活性化導電性材料を各々含む２つのメサとを有する電子構造体。
8. 前記ヒューズリンク上、並びに前記２つのメサの下に位置するが、前記ヒューズリンクを完全に被覆していない第２誘電体層を更に有する、請求項７に記載の電子構造体。
9. 前記第２材料が、ＴａＮ、ＴｉＮ及びＷＮより成る群から選択された物質を含む、請求項７に記載の電子構造体。
10. 前記第１自己不活性化導電性材料が、Ａｌ及びＷより成る群から選択された物質を含む、請求項７に記載の電子構造体。
11. 前記第３自己不活性化導電性材料が、Ａｌ及びＷより成る群から選択された物質を含む、請求項７に記載の電子構造体。
12. レーザヒューズをプログラミングする方法であって、前記レーザヒューズが、レーザビームに当てられた後に電気抵抗を変える特性を持つ材料を含むヒューズリンクを有し、前記方法が、
    前記ヒューズリンクを形成する工程と、
    前記レーザビームを前記ヒューズリンクに向ける工程とを有し、前記ヒューズリンク上の前記レーザビームの衝撃に応えて、前記ヒューズリンクを吹き飛ばすことなく、前記ヒューズリンクの電気抵抗が変わるように前記レーザビームが制御される方法。
13. 前記ヒューズリンクの電気抵抗の変化を感知し、前記電気抵抗の変化をデジタル信号へ変換する工程を更に有する、請求項１２に記載の方法。
14. 前記材料が、前記レーザビームに当てられた後に電気抵抗を増大させる特性を持つ、請求項１２に記載の方法。
15. 前記材料が、前記レーザビームに当てられた後に電気抵抗を減少させる特性を持つ、請求項１２に記載の方法。
16. 前記材料が自己不活性化する、請求項１２に記載の方法。
17. 前記材料が、ＴａＮ、ＴｉＮ及びＷＮより成る群から選択された物質を含む、請求項１２に記載の方法。
18. 少なくとも第１ビア及び第２ビアを有する第１誘電体層であって、前記第１及び第２ビアの双方とも第１導電性材料で充填されている第１誘電体層と、
    前記第１及び第２ビアの真上にそれぞれ位置し、前記第１及び第２ビアの前記第１導電性材料とそれぞれ物理的に接触している第１酸素ゲッタ遮蔽体及び第２酸素ゲッタ遮蔽体であって、第２導電性酸素ゲッタ材料を有する第１酸素ゲッタ遮蔽体及び第２酸素ゲッタ遮蔽体と、
    前記第１及び第２酸素ゲッタ遮蔽体を電気的に接続するヒューズリンクであって、レーザビームに当てられた後に電気抵抗を変える特性を持つ第３材料を含むヒューズリンクと
    を有する電子構造体。
19. 前記第１及び第２酸素ゲッタ遮蔽体の真上にそれぞれ位置し、前記第１及び第２酸素ゲッタ遮蔽体とそれぞれ物理的に直接接触している第１メサ及び第２メサを更に有し、前記第１メサ及び第２メサが第４導電性材料を有する、請求項１８に記載の電子構造体。
20. 前記第２導電性酸素ゲッタ材料がチタンを含む、請求項１８に記載の電子構造体。

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