JP2000225479A - 受動型電子素子を微調整する方法 - Google Patents
受動型電子素子を微調整する方法Info
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-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 受動型電子素子の種々の広い範囲にわたる電
子的な最終仕様について微調整することができる一般的
に仕様可能な方法を開発する。 【解決手段】 本発明は、少なくとも支持基板（１）と
少なくとも１個の導電層（２）を有する受動型電子素子
を微調整する方法に関する。導電層（２）は導電性ナイ
トライド、導電性のオキシナイトライド、クロミウムを
有する材料で構成され、この材料を加熱効果により局所
的に非導電性材料に変換する。受動型電子素子の微調整
は、これら素子が回路に組み込まれた後に行うことがで
きる。この理由は、本発明による方法では材料の除去が
行われないからである。
子的な最終仕様について微調整することができる一般的
に仕様可能な方法を開発する。 【解決手段】 本発明は、少なくとも支持基板（１）と
少なくとも１個の導電層（２）を有する受動型電子素子
を微調整する方法に関する。導電層（２）は導電性ナイ
トライド、導電性のオキシナイトライド、クロミウムを
有する材料で構成され、この材料を加熱効果により局所
的に非導電性材料に変換する。受動型電子素子の微調整
は、これら素子が回路に組み込まれた後に行うことがで
きる。この理由は、本発明による方法では材料の除去が
行われないからである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、支持基板と、少なくと
も１個の導電層とを少なくとも具える受動型電子素子を
微調整する方法であって、集束したレーザビームにより
導電層について局所的な加熱処理を行い、導電層を局所
的に非導電性にする受動型電子素子を微調整する方法に
関するものである。
も１個の導電層とを少なくとも具える受動型電子素子を
微調整する方法であって、集束したレーザビームにより
導電層について局所的な加熱処理を行い、導電層を局所
的に非導電性にする受動型電子素子を微調整する方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】多数の電子デバイスの開発は、増大する
機能レベルにより達成される小型化、高信頼性、低コス
ト又は少なくとも一定のコストの傾向により特徴付けら
れる。ディジタル化に向けられた全ての努力にもかかわ
らず、例えばＴＶセット又はビデオレコーダのような民
生電子装置の分野における多くの用途における受動型素
子の数は存在する全ての素子の７０％にわたっているこ
とが判明している。一層小型化を図る場合、基本材料の
変動及び受動型電子素子の製造プロセスにおける変動が
最終的な電気的な仕様に対して比較的大きな影響を与え
ている。
機能レベルにより達成される小型化、高信頼性、低コス
ト又は少なくとも一定のコストの傾向により特徴付けら
れる。ディジタル化に向けられた全ての努力にもかかわ
らず、例えばＴＶセット又はビデオレコーダのような民
生電子装置の分野における多くの用途における受動型素
子の数は存在する全ての素子の７０％にわたっているこ
とが判明している。一層小型化を図る場合、基本材料の
変動及び受動型電子素子の製造プロセスにおける変動が
最終的な電気的な仕様に対して比較的大きな影響を与え
ている。
【０００３】主として蒸着及びスパッタリング方法が用
いられる導電層を形成する薄膜技術により、例えば抵抗
素子を５％の公差で製造することが可能である。受動型
電子素子の製造における一層良好なプロセス制御により
製造コストは一層高くなってしまう。
いられる導電層を形成する薄膜技術により、例えば抵抗
素子を５％の公差で製造することが可能である。受動型
電子素子の製造における一層良好なプロセス制御により
製造コストは一層高くなってしまう。
【０００４】製造コストをできるだけ低くする方法とし
て、キャパシタ、抵抗、及びインダクタンスを広い仕様
範囲で製造し、次に補正処理により所望の最終的な仕様
に設定（微調整）する方法がある。
て、キャパシタ、抵抗、及びインダクタンスを広い仕様
範囲で製造し、次に補正処理により所望の最終的な仕様
に設定（微調整）する方法がある。
【０００５】ドイツ連邦共和国特許出願３８４３９８０
号明細書には、レーザ光に透明な支持基板と、下側の電
極と、絶縁層と、上側電極とを具えるキャパシタについ
て下側電極にレーザ放射を照射することにより微調整す
る方法が開示されている。このレーザ放射により、アル
ミニウム又はタンタリウムから成る下側電極に加熱効果
が生じ、電極材料が酸化され非導電性に変換されてい
る。
号明細書には、レーザ光に透明な支持基板と、下側の電
極と、絶縁層と、上側電極とを具えるキャパシタについ
て下側電極にレーザ放射を照射することにより微調整す
る方法が開示されている。このレーザ放射により、アル
ミニウム又はタンタリウムから成る下側電極に加熱効果
が生じ、電極材料が酸化され非導電性に変換されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した方法の欠点
は、アルミニウム及びタンタリウムの電極材料として用
いられる金属によりキャパシタについて説明した上述の
方法の用途が制限されてしまうことである。この理由
は、これらの材料は、その抵抗値が低いため、抵抗素子
を実現するのに適当ではないからである。
は、アルミニウム及びタンタリウムの電極材料として用
いられる金属によりキャパシタについて説明した上述の
方法の用途が制限されてしまうことである。この理由
は、これらの材料は、その抵抗値が低いため、抵抗素子
を実現するのに適当ではないからである。
【０００７】本発明の目的は、受動型電子素子の種々の
広い範囲にわたる電子的な最終仕様について微調整する
ことができる一般的な方法を開発することにある。
広い範囲にわたる電子的な最終仕様について微調整する
ことができる一般的な方法を開発することにある。
【０００８】
【課題を解決する手段】上記目的は、支持基板と、少な
くとも１個の導電層とを少なくとも具える受動型電子素
子を微調整する方法であって、集束したレーザビームに
より導電層について局所的な加熱処理を行い、導電層を
局所的に非導電性にする受動型電子素子を微調整する方
法において、前記導電層を、導電性の窒化物、導電層の
窒素酸化物、半導体、又はクロミウムを含む材料で構成
し、この導電層を前記加熱処理により局所的に非導電性
材料に変換することを特徴とする方法により達成され
る。
くとも１個の導電層とを少なくとも具える受動型電子素
子を微調整する方法であって、集束したレーザビームに
より導電層について局所的な加熱処理を行い、導電層を
局所的に非導電性にする受動型電子素子を微調整する方
法において、前記導電層を、導電性の窒化物、導電層の
窒素酸化物、半導体、又はクロミウムを含む材料で構成
し、この導電層を前記加熱処理により局所的に非導電性
材料に変換することを特徴とする方法により達成され
る。
【０００９】上述した材料を導電層の材料として用いる
ことを含む本発明の方法は、最終的な電気的な仕様の微
調整を材料を除去することなく実行することができ、従
って電気回路に当該素子が形成された後に行うことがで
きる利点を有する。
ことを含む本発明の方法は、最終的な電気的な仕様の微
調整を材料を除去することなく実行することができ、従
って電気回路に当該素子が形成された後に行うことがで
きる利点を有する。
【００１０】微調整される受動型電子素子は抵抗素子と
することが好適である。
することが好適である。
【００１１】上述した方法により、所望の割合に規定さ
れた抵抗値に高精度に設定することが可能になる。
れた抵抗値に高精度に設定することが可能になる。
【００１２】微調整される受動型電子素子は、少なくと
も２個の導電層と少なくとも１個の誘電体層とを具える
キャパシタとすることが好適である。
も２個の導電層と少なくとも１個の誘電体層とを具える
キャパシタとすることが好適である。
【００１３】キャパシタの容量値は特に導電層すなわち
電極の有効面積に依存するので、導電層の表面積を減少
させることによりキャパシタの容量値も微調整すること
が可能になる。
電極の有効面積に依存するので、導電層の表面積を減少
させることによりキャパシタの容量値も微調整すること
が可能になる。
【００１４】微調整される受動型電子素子はインダクタ
ンスとすることが好適である。
ンスとすることが好適である。
【００１５】インダクタンス値はライン幅つまりライン
の相互間隔を変更することにより調整することができ
る。
の相互間隔を変更することにより調整することができ
る。
【００１６】さらに、受動型電子素子は、少なくとも第
１及び第２の電流供給コンタクトを具えることが好適で
ある。
１及び第２の電流供給コンタクトを具えることが好適で
ある。
【００１７】各受動型電子素子は、その電流供給コンタ
クトにおいて回路の別の素子へ結合することができ或い
は電子的な最終仕様を決定する測定装置に結合すること
ができる。
クトにおいて回路の別の素子へ結合することができ或い
は電子的な最終仕様を決定する測定装置に結合すること
ができる。
【００１８】さらに、本発明は、集束したレーザビーム
により導電層を処理する方法であって、レーザビームに
より導電層を局所的に加熱処理を行い、導電層を局所的
に非導電性にする導電層の処理方法において、前記導電
層が、導電性窒化物又は導電性の窒素酸化物、或いは半
導体又はクロミウムを含む材料で構成され、この導電層
の材料を加熱処理により局所的に非導電性にすることを
特徴とする導電層の処理方法に関するものである。
により導電層を処理する方法であって、レーザビームに
より導電層を局所的に加熱処理を行い、導電層を局所的
に非導電性にする導電層の処理方法において、前記導電
層が、導電性窒化物又は導電性の窒素酸化物、或いは半
導体又はクロミウムを含む材料で構成され、この導電層
の材料を加熱処理により局所的に非導電性にすることを
特徴とする導電層の処理方法に関するものである。
【００１９】この方法は、ドライ又はウットエッチング
処理と結びついたフォトリソグラフィ処理により処理す
る場合よりも一層安価である利点を有し、材料の除去を
行うことなく導電性材料を絶縁性材料に変換する利点を
有する。
処理と結びついたフォトリソグラフィ処理により処理す
る場合よりも一層安価である利点を有し、材料の除去を
行うことなく導電性材料を絶縁性材料に変換する利点を
有する。
【００２０】導体回路、抵抗、キャパシタ、又はインダ
クタンスとして上述した方法により形成された導電層は
有益な用途を有している。この理由は、材料を除去する
ことなく層形成され、電気回路に組み込まれた後行うこ
とができるからである。
クタンスとして上述した方法により形成された導電層は
有益な用途を有している。この理由は、材料を除去する
ことなく層形成され、電気回路に組み込まれた後行うこ
とができるからである。
【００２１】以下２個の図面及び２個の実施例に基づい
て本発明を詳細に説明する。
て本発明を詳細に説明する。
【００２２】
【発明の実施の形態】図１において、抵抗素子は、例え
ばセラミック材料、ガラス−セラミック材料、ガラス材
料、又はシリコンから構成される支持基板１を具える。
導電層２を支持基板１上に形成する。この導電層は例え
ば以下の材料で構成する。
ばセラミック材料、ガラス−セラミック材料、ガラス材
料、又はシリコンから構成される支持基板１を具える。
導電層２を支持基板１上に形成する。この導電層は例え
ば以下の材料で構成する。
【００２３】ＴｉＮx （０≦ｘ≦１）， ＴｉＯx Ｎy （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）， Ｔｉx Ｗy Ｎz （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦
１）， Ｔｉu Ｗv Ｎw Ｏx （０≦ｕ≦１，０≦ｖ≦１，０≦ｗ
≦１，０≦ｘ≦１）， ＴａＮx （０≦ｘ≦１）， ＴａＯx Ｎy （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１） Ｃｒx Ｓｉy （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）， Ｃｒx Ｓｉy Ｏz （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦
１）， Ｎｉx Ｃｒy （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）， Ｎｉx Ｃｒy Ａｌz （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ
≦１）， Ｓｉx Ｎy Ｏz （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦
１）， Ｓｉ，又はＣｒ． 好ましくは、１０ｎｍと２５０ｎｍとの間の層厚さを有
する導電層を用いる。導電層を抵抗層とすること及び／
又は決められた抵抗値に微調整することは、レーザ４の
ビーム３を導電層２上に集束させ、導電層２をビーム３
により局所的に加熱し非導電性状態にすることにより達
成される。レーザ４は例えばアルゴンレーザとすること
ができる。
１）， Ｔｉu Ｗv Ｎw Ｏx （０≦ｕ≦１，０≦ｖ≦１，０≦ｗ
≦１，０≦ｘ≦１）， ＴａＮx （０≦ｘ≦１）， ＴａＯx Ｎy （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１） Ｃｒx Ｓｉy （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）， Ｃｒx Ｓｉy Ｏz （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦
１）， Ｎｉx Ｃｒy （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）， Ｎｉx Ｃｒy Ａｌz （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ
≦１）， Ｓｉx Ｎy Ｏz （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦
１）， Ｓｉ，又はＣｒ． 好ましくは、１０ｎｍと２５０ｎｍとの間の層厚さを有
する導電層を用いる。導電層を抵抗層とすること及び／
又は決められた抵抗値に微調整することは、レーザ４の
ビーム３を導電層２上に集束させ、導電層２をビーム３
により局所的に加熱し非導電性状態にすることにより達
成される。レーザ４は例えばアルゴンレーザとすること
ができる。
【００２４】電流供給コンタクトは当該素子の互いに対
向する側に設け、この抵抗素子を回路の別の素子に結合
し又は最終的な電子的仕様を決定する測定装置に接続す
ることができる。
向する側に設け、この抵抗素子を回路の別の素子に結合
し又は最終的な電子的仕様を決定する測定装置に接続す
ることができる。
【００２５】図２において、キャパシタは、例えばセラ
ミック材料、ガラス−セラミック材料、ガラス材料、又
はシリコンから構成される支持基板１を具える。導電層
２を支持基板１上に形成し、この導電層は例えば以下の
材料で構成する。
ミック材料、ガラス−セラミック材料、ガラス材料、又
はシリコンから構成される支持基板１を具える。導電層
２を支持基板１上に形成し、この導電層は例えば以下の
材料で構成する。
【００２６】ＴｉＮx （０≦ｘ≦１）， ＴｉＯx Ｎy （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）， Ｔｉx Ｗy Ｎz （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦
１）， Ｔｉu Ｗv Ｎw Ｏx （０≦ｕ≦１，０≦ｖ≦１，０≦ｗ
≦１，０≦ｘ≦１）， ＴａＮx （０≦ｘ≦１）， ＴａＯx Ｎy （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１） Ｃｒx Ｓｉy （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）， Ｃｒx Ｓｉy Ｏz （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦
１）， Ｎｉx Ｃｒy （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）， Ｎｉx Ｃｒy Ａｌz （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ
≦１）， Ｓｉx Ｎy Ｏz （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦
１）， Ｓｉ，又はＣｒ． 好ましくは、１０ｎｍと２５０ｎｍとの間の層厚さを有
する導電層を用いる。導電層は、集束したレーザ放射に
より適切な寸法を有する電極にする。例えばＳｉ 3 Ｎ4
から成る誘電体層を導電層２上に堆積する。好ましくは
１０ｎｍと２５０ｎｍとの間の厚さを有する別の導電層
２’を誘電体層５上に堆積し、この別の導電層２’は例
えば以下の材料で構成する。
１）， Ｔｉu Ｗv Ｎw Ｏx （０≦ｕ≦１，０≦ｖ≦１，０≦ｗ
≦１，０≦ｘ≦１）， ＴａＮx （０≦ｘ≦１）， ＴａＯx Ｎy （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１） Ｃｒx Ｓｉy （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）， Ｃｒx Ｓｉy Ｏz （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦
１）， Ｎｉx Ｃｒy （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）， Ｎｉx Ｃｒy Ａｌz （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ
≦１）， Ｓｉx Ｎy Ｏz （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦
１）， Ｓｉ，又はＣｒ． 好ましくは、１０ｎｍと２５０ｎｍとの間の層厚さを有
する導電層を用いる。導電層は、集束したレーザ放射に
より適切な寸法を有する電極にする。例えばＳｉ 3 Ｎ4
から成る誘電体層を導電層２上に堆積する。好ましくは
１０ｎｍと２５０ｎｍとの間の厚さを有する別の導電層
２’を誘電体層５上に堆積し、この別の導電層２’は例
えば以下の材料で構成する。
【００２７】ＴｉＮx （０≦ｘ≦１）， ＴｉＯx Ｎy （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）， Ｔｉx Ｗy Ｎz （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦
１）， Ｔｉu Ｗv Ｎw Ｏx （０≦ｕ≦１，０≦ｖ≦１，０≦ｗ
≦１，０≦ｘ≦１）， ＴａＮx （０≦ｘ≦１）， ＴａＯx Ｎy （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１） Ｃｒx Ｓｉy （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）， Ｃｒx Ｓｉy Ｏz （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦
１）， Ｎｉx Ｃｒy （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）， Ｎｉx Ｃｒy Ａｌz （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ
≦１）， Ｓｉx Ｎy Ｏz （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦
１）， Ｓｉ，又はＣｒ． この別の導電層は集束したレーザ放射により適切な寸法
の電極に変換する。導電層２の変換及び／又は容量値の
微調整は、レーザ４のビーム３を導電層２上に集束さ
せ、導電層２をビーム３により局部的に加熱し非導電性
状態にして電極面積を微調整することにより達成され
る。レーザは例えばアルゴンレーザとすることができ、
ＹＡＧレーザ等の種々の波長域の放射を放出するレーザ
を用いることができる。
１）， Ｔｉu Ｗv Ｎw Ｏx （０≦ｕ≦１，０≦ｖ≦１，０≦ｗ
≦１，０≦ｘ≦１）， ＴａＮx （０≦ｘ≦１）， ＴａＯx Ｎy （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１） Ｃｒx Ｓｉy （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）， Ｃｒx Ｓｉy Ｏz （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦
１）， Ｎｉx Ｃｒy （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）， Ｎｉx Ｃｒy Ａｌz （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ
≦１）， Ｓｉx Ｎy Ｏz （０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦
１）， Ｓｉ，又はＣｒ． この別の導電層は集束したレーザ放射により適切な寸法
の電極に変換する。導電層２の変換及び／又は容量値の
微調整は、レーザ４のビーム３を導電層２上に集束さ
せ、導電層２をビーム３により局部的に加熱し非導電性
状態にして電極面積を微調整することにより達成され
る。レーザは例えばアルゴンレーザとすることができ、
ＹＡＧレーザ等の種々の波長域の放射を放出するレーザ
を用いることができる。
【００２８】電流供給コンタクトは当該素子の互いに対
向する側に設け、この抵抗素子を回路の別の素子に結合
し又は最終的な電子的仕様を決定する測定装置に接続す
ることができる。
向する側に設け、この抵抗素子を回路の別の素子に結合
し又は最終的な電子的仕様を決定する測定装置に接続す
ることができる。
【００２９】本発明がいかにして実現されるかを示す実
施例を以下に説明する。実施例１ 反応性ＤＣマグネトロンスパッタリングによりほう酸シ
リケートガラスの支持基板１上に１００ｎｍと２５０ｎ
ｍとの間の厚さを有するＴａＮの導電層２を形成し、集
束したレーザ放射により抵抗層に変換する。次に、端部
コンタクトを互いに対向する側に形成する。導電層の変
換及び／又は抵抗値の微調整はアルゴンレーザ４のビー
ム３を導電層２上に集束させ、導電層２をビーム３によ
り局部的に酸化し非導電性とする。
施例を以下に説明する。実施例１ 反応性ＤＣマグネトロンスパッタリングによりほう酸シ
リケートガラスの支持基板１上に１００ｎｍと２５０ｎ
ｍとの間の厚さを有するＴａＮの導電層２を形成し、集
束したレーザ放射により抵抗層に変換する。次に、端部
コンタクトを互いに対向する側に形成する。導電層の変
換及び／又は抵抗値の微調整はアルゴンレーザ４のビー
ム３を導電層２上に集束させ、導電層２をビーム３によ
り局部的に酸化し非導電性とする。
【００３０】実施例２ ガラスから成る支持基板１上にＴｉＮの導電層２を形成
し、この導電層を集束したレーザ放射により適切な電極
面積の電極を形成する。この導電層２上にＳｉ 3 Ｎ4 の
誘電体層５を堆積する。この誘電体層５上にＴｉＮの別
の導電層２’を形成し、この導電層から集束したレーザ
放射により適切な寸法を有する電極を形成する。導電層
からの電極の形成及び／又はキャパシタの容量値の微調
整は、アルゴンレーザ４のビーム３を導電層２上に集束
させることにより行い、これにより導電層２を局部的に
酸化し非導電性とする。
し、この導電層を集束したレーザ放射により適切な電極
面積の電極を形成する。この導電層２上にＳｉ 3 Ｎ4 の
誘電体層５を堆積する。この誘電体層５上にＴｉＮの別
の導電層２’を形成し、この導電層から集束したレーザ
放射により適切な寸法を有する電極を形成する。導電層
からの電極の形成及び／又はキャパシタの容量値の微調
整は、アルゴンレーザ４のビーム３を導電層２上に集束
させることにより行い、これにより導電層２を局部的に
酸化し非導電性とする。
【図１】抵抗体の導電層を集束したレーザビームにより
が修正する例を示す長手方向断面図である。
が修正する例を示す長手方向断面図である。
【図２】キャパシタの上側導電層を集束レーザビームに
より修正する例を示す長手方向断面図である。
より修正する例を示す長手方向断面図である。
１ 基板 ２ 導電層 ３ ビーム ４ レーザ ５ 誘電体層
フロントページの続き (71)出願人 590000248 Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ １, 5621 ＢＡ Ｅｉｎｄｈｏｖｅｎ， Ｔｈ ｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ (72)発明者 デトレフ ウーヴェ ヴィーヒェルト ドイツ国 52477 アルスドルフ フェル トシュトラーセ 124
Claims (7)
- 【請求項１】 支持基板と、少なくとも１個の導電層と
を少なくとも具える受動型電子素子を微調整する方法で
あって、集束したレーザビームにより導電層について局
所的な加熱処理を行い、導電層を局所的に非導電性にす
る受動型電子素子を微調整する方法において、 前記導電層を、導電性窒化物、導電性の窒素酸化物、半
導体、又はクロミウムを含む材料で構成し、この導電層
を前記加熱処理により局所的に非導電性材料に変換する
ことを特徴とする方法。 - 【請求項２】 前記微調整される受動型電子素子を抵抗
素子としたことを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記微調整される受動型電子素子を、少
なくとも２個の導電層と少なくとも１個の誘電体層とを
具えるキャパシタとしたことを特徴とする請求項１に記
載の方法。 - 【請求項４】 前記微調整される受動型電子素子を、イ
ンダクタンスとしたことを特徴とする請求項１に記載の
方法。 - 【請求項５】 前記受動型電子素子が、少なくとも第１
及び第２の電流供給コンタクトを有することを特徴とす
る請求項１に記載の方法。 - 【請求項６】 集束したレーザビームにより導電層を処
理する方法であって、レーザビームにより導電層を局所
的に加熱処理を行い、導電層を局所的に非導電性にする
導電層の処理方法において、前記導電層が、導電性窒化
物又は導電性の窒素酸化物、或いは半導体又はクロミウ
ムを含む材料で構成され、この導電層の材料を加熱処理
により局所的に非導電性にすることを特徴とする方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載の方法により処理された
導電層を導体トラック、電極、又はインダクタンスとし
て用いることを特徴とする方法。
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|---|---|---|---|
| DE19901540A DE19901540A1 (de) | 1999-01-16 | 1999-01-16 | Verfahren zur Feinabstimmung eines passiven, elektronischen Bauelementes |
| DE19901540:6 | 1999-01-16 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000225479A true JP2000225479A (ja) | 2000-08-15 |
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ID=7894464
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|---|---|---|---|
| JP2000004406A Pending JP2000225479A (ja) | 1999-01-16 | 2000-01-13 | 受動型電子素子を微調整する方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6461929B1 (ja) |
| EP (1) | EP1020248B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000225479A (ja) |
| DE (2) | DE19901540A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005516420A (ja) * | 2002-01-31 | 2005-06-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電子装置 |
| JP2007515057A (ja) * | 2003-11-04 | 2007-06-07 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 構造体及びレーザヒューズのプログラミング |
| JP2015017306A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-29 | 独立行政法人国立高等専門学校機構 | インダクタ製造装置およびインダクタ製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10110179B4 (de) * | 2001-03-02 | 2004-10-14 | BCcomponents Holding B.V. | Verfahren zum Herstellen von Dünnschicht-Chipwiderständen |
| US6875950B2 (en) * | 2002-03-22 | 2005-04-05 | Gsi Lumonics Corporation | Automated laser trimming of resistors |
| US7078306B1 (en) * | 2003-03-24 | 2006-07-18 | Integrated Device Technology, Inc. | Method for forming a thin film resistor structure |
| FR2878185B1 (fr) | 2004-11-22 | 2008-11-07 | Sidel Sas | Procede de fabrication de recipients comprenant une etape de chauffe au moyen d'un faisceau de rayonnement electromagnetique coherent |
| US10857722B2 (en) | 2004-12-03 | 2020-12-08 | Pressco Ip Llc | Method and system for laser-based, wavelength specific infrared irradiation treatment |
| US7425296B2 (en) | 2004-12-03 | 2008-09-16 | Pressco Technology Inc. | Method and system for wavelength specific thermal irradiation and treatment |
| FR2913210B1 (fr) | 2007-03-02 | 2009-05-29 | Sidel Participations | Perfectionnements a la chauffe des matieres plastiques par rayonnement infrarouge |
| FR2917005B1 (fr) | 2007-06-11 | 2009-08-28 | Sidel Participations | Installation de chauffage des corps de preformes pour le soufflage de recipients |
| US9099248B2 (en) | 2007-06-29 | 2015-08-04 | Corporation for National Research Iniatives | Variable capacitor tuned using laser micromachining |
| KR101056233B1 (ko) * | 2010-03-16 | 2011-08-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 화소 및 이를 구비한 유기전계발광 표시장치 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE3007465A1 (de) * | 1980-02-28 | 1981-09-10 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Schaltungsanordnung zum ansteuern einer vielzahl von bildelektroden fuer das nichtmechanische aufzeichnen |
| US4839711A (en) * | 1986-10-16 | 1989-06-13 | Harris Corporation | Dielectric for laser trimming |
| FI78577C (fi) * | 1987-12-30 | 1989-08-10 | Vaisala Oy | Foerfarande foer avstaemning av en plankondensator. |
| US5384195A (en) * | 1992-05-22 | 1995-01-24 | U.S. Philips Corporation | Antifriction body having an antifriction layer |
| US5443534A (en) * | 1992-07-21 | 1995-08-22 | Vlt Corporation | Providing electronic components for circuity assembly |
| US5265114C1 (en) * | 1992-09-10 | 2001-08-21 | Electro Scient Ind Inc | System and method for selectively laser processing a target structure of one or more materials of a multimaterial multilayer device |
| US5685995A (en) * | 1994-11-22 | 1997-11-11 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method for laser functional trimming of films and devices |
| JP3880068B2 (ja) * | 1996-01-15 | 2007-02-14 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴイ | 薄型パネル画像表示装置 |
| US5998759A (en) * | 1996-12-24 | 1999-12-07 | General Scanning, Inc. | Laser processing |
-
1999
- 1999-01-16 DE DE19901540A patent/DE19901540A1/de not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-01-07 EP EP00200052A patent/EP1020248B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-01-07 US US09/479,640 patent/US6461929B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-01-07 DE DE50007417T patent/DE50007417D1/de not_active Expired - Fee Related
- 2000-01-13 JP JP2000004406A patent/JP2000225479A/ja active Pending
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| JP4871132B2 (ja) * | 2003-11-04 | 2012-02-08 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 構造体及びその形成方法 |
| JP2015017306A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-29 | 独立行政法人国立高等専門学校機構 | インダクタ製造装置およびインダクタ製造方法 |
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| EP1020248A3 (de) | 2002-01-16 |
| EP1020248B1 (de) | 2004-08-18 |
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