JP2005516420A - 電子装置 - Google Patents
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Abstract
Description
回路配置の入力15と出力18との間に設けられた抵抗R、入力15とグランドとの間に配置されたMOSキャパシタCMOS、および、入力15とグランドとの間に配置されたPNダイオードDを含む図4に示されたような回路配置を具備した、図1に示されたような電子部品は、第1のドーピング濃度n1を有する第1のドーピング型のドーパントとしてBが添加されたSiの半導体基板1を含む。半導体基板1は、第2のドーピング濃度n2を持つ第1のドーピング型のドーパントとしてBが添加されたSiを含む第1の半導体領域2を有する。ドーピング濃度n1は、ドーピング濃度n2よりも高い。次に、第3のドーピング濃度n3を持つ第2のドーピング型のドーパントとしてPが添加されたSiを含むより小さい半導体領域3が、第1の半導体領域2のそれぞれに存在する。SiO2の絶縁層4は、半導体基板1の上に設けられる。
PNダイオードの第2の半導体領域3は、第1の電流供給リード14を用いて、回路配置の入力15と第1の導電層7へ電気的に接続される。第1の電流供給リード14は、β−タンタル製の第3の抵抗層20と良伝導性材料21としてのSiがドープされたAlの層の一連の層で構成されている。ある抵抗を持つ第1の層10は、第2の電流供給リード16を介して接地される。ある抵抗値を持つ第1の導電層7は、ある抵抗値を持つ第2の層12と部分的に重なり合うように構成される。ある抵抗値を持つ第2の層12は、SiがドープされたAl製の第3の電流供給リード17を用いて回路配置の出力18へ電気的に接続される。半導体基板1は、第4の電流供給リード19を用いて接地され、第4の電流供給リード19は、ある抵抗値を持ちβ−タンタルから作られた第4の層22と、良導電性材料23としてのSiがドープされたAlとにより構成される。
このような回路配置は、携帯電話装置においてローパスフィルタとして使用されていた。
Claims (10)
- 少なくとも一つの能動部品を備えた半導体基板を有し、前記半導体基板上に能動部品に電気的に結合された少なくとも一つのキャパシタおよび少なくとも一つの抵抗が設けられた、集積回路を含む電子部品を具備し、
前記抵抗は、β−タンタル、TaxNy(0≦x≦1,0≦y≦1)、Ta1−x−ySixNy(0≦x≦1,0≦y≦1)、Ta1−x−yAlxNy(0≦x≦1,0≦y≦1)、NixCry(0≦x≦1,0≦y≦1)、NixCryAlz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、SixCryOz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、SixCryNz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、TixWy(0≦x≦1,0≦y≦1)、TixWyNz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、TixNy(0≦x≦1,0≦y≦1)およびCuxNiy(0≦x≦1,0≦y≦1)を含んだ群より選択された材料を含む、
電子装置。 - 請求項1に記載の電子装置において、
前記キャパシタは、MOS(金属酸化膜半導体)キャパシタであることを特徴とする、電子装置。 - 請求項1に記載の電子装置において、
前記回路配置は、抵抗、キャパシタ、および、インダクタを含んだ群より選択された少なくとも一つの更なる受動部品を含むことを特徴とする、電子装置。 - 少なくとも一つの能動部品を備えた半導体基板を有し、前記半導体基板上に能動部品に電気的に結合された少なくとも一つのキャパシタおよび少なくとも一つの抵抗が設けられた、集積回路を含む電子部品を具備し、
前記抵抗は、β−タンタル、TaxNy(0≦x≦1,0≦y≦1)、Ta1−x−ySixNy(0≦x≦1,0≦y≦1)、Ta1−x−yAlxNy(0≦x≦1,0≦y≦1)、NixCry(0≦x≦1,0≦y≦1)、NixCryAlz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、SixCryOz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、SixCryNz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、TixWy(0≦x≦1,0≦y≦1)、TixWyNz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、TixNy(0≦x≦1,0≦y≦1)およびCuxNiy(0≦x≦1,0≦y≦1)を含んだ群より選択された材料を含む、
受信機。 - 少なくとも一つの能動部品を備えた半導体基板を有し、前記半導体基板上に能動部品に電気的に結合された少なくとも一つのキャパシタおよび少なくとも一つの抵抗が設けられた、集積回路を含む電子部品を具備し、
前記抵抗は、β−タンタル、TaxNy(0≦x≦1,0≦y≦1)、Ta1−x−ySixNy(0≦x≦1,0≦y≦1)、Ta1−x−yAlxNy(0≦x≦1,0≦y≦1)、NixCry(0≦x≦1,0≦y≦1)、NixCryAlz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、SixCryOz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、SixCryNz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、TixWy(0≦x≦1,0≦y≦1)、TixWyNz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、TixNy(0≦x≦1,0≦y≦1)およびCuxNiy(0≦x≦1,0≦y≦1)を含んだ群より選択された材料を含む、
送信機。 - 少なくとも一つの能動部品を備えた半導体基板を有し、前記半導体基板上に能動部品に電気的に結合された少なくとも一つのキャパシタおよび少なくとも一つの抵抗が設けられた、集積回路を含み、
前記抵抗は、β−タンタル、TaxNy(0≦x≦1,0≦y≦1)、Ta1−x−ySixNy(0≦x≦1,0≦y≦1)、Ta1−x−yAlxNy(0≦x≦1,0≦y≦1)、NixCry(0≦x≦1,0≦y≦1)、NixCryAlz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、SixCryOz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、SixCryNz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、TixWy(0≦x≦1,0≦y≦1)、TixWyNz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、TixNy(0≦x≦1,0≦y≦1)およびCuxNiy(0≦x≦1,0≦y≦1)を含んだ群より選択された材料を含む、
周辺回路。 - 少なくとも一つの能動部品を備えた半導体基板を有し、前記半導体基板上に能動部品に電気的に結合された少なくとも一つのキャパシタおよび少なくとも一つの抵抗が設けられた、集積回路を含み、
前記抵抗は、β−タンタル、TaxNy(0≦x≦1,0≦y≦1)、Ta1−x−ySixNy(0≦x≦1,0≦y≦1)、Ta1−x−yAlxNy(0≦x≦1,0≦y≦1)、NixCry(0≦x≦1,0≦y≦1)、NixCryAlz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、SixCryOz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、SixCryNz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、TixWy(0≦x≦1,0≦y≦1)、TixWyNz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、TixNy(0≦x≦1,0≦y≦1)およびCuxNiy(0≦x≦1,0≦y≦1)を含んだ群より選択された材料を含む、
電流供給回路。 - 少なくとも一つの能動部品を備えた半導体基板を有し、前記半導体基板上に能動部品に電気的に結合された少なくとも一つのキャパシタおよび少なくとも一つの抵抗が設けられた、集積回路を含み、
前記抵抗は、β−タンタル、TaxNy(0≦x≦1,0≦y≦1)、Ta1−x−ySixNy(0≦x≦1,0≦y≦1)、Ta1−x−yAlxNy(0≦x≦1,0≦y≦1)、NixCry(0≦x≦1,0≦y≦1)、NixCryAlz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、SixCryOz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、SixCryNz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、TixWy(0≦x≦1,0≦y≦1)、TixWyNz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、TixNy(0≦x≦1,0≦y≦1)およびCuxNiy(0≦x≦1,0≦y≦1)を含んだ群より選択された材料を含む、
フィルタモジュール。 - 少なくとも一つの能動部品を備えた半導体基板を有し、前記半導体基板上に能動部品に電気的に結合された少なくとも一つのキャパシタおよび少なくとも一つの抵抗が設けられた、集積回路を含み、
前記抵抗は、β−タンタル、TaxNy(0≦x≦1,0≦y≦1)、Ta1−x−ySixNy(0≦x≦1,0≦y≦1)、Ta1−x−yAlxNy(0≦x≦1,0≦y≦1)、NixCry(0≦x≦1,0≦y≦1)、NixCryAlz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、SixCryOz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、SixCryNz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、TixWy(0≦x≦1,0≦y≦1)、TixWyNz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、TixNy(0≦x≦1,0≦y≦1)およびCuxNiy(0≦x≦1,0≦y≦1)を含んだ群より選択された材料を含む、
電子部品。 - 少なくとも一つの能動部品を備えた半導体基板を有し、前記半導体基板上に能動部品に電気的に結合された少なくとも一つのキャパシタおよび少なくとも一つの抵抗が設けられ、
前記抵抗は、β−タンタル、TaxNy(0≦x≦1,0≦y≦1)、Ta1−x−ySixNy(0≦x≦1,0≦y≦1)、Ta1−x−yAlxNy(0≦x≦1,0≦y≦1)、NixCry(0≦x≦1,0≦y≦1)、NixCryAlz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、SixCryOz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、SixCryNz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、TixWy(0≦x≦1,0≦y≦1)、TixWyNz(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)、TixNy(0≦x≦1,0≦y≦1)およびCuxNiy(0≦x≦1,0≦y≦1)を含んだ群より選択された材料を含む、
集積回路。
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Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004111676A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Toshiba Corp | 半導体装置、半導体パッケージ用部材、半導体装置の製造方法 |
US7838965B2 (en) | 2005-03-02 | 2010-11-23 | Nxp B.V. | ESD protected integrated capacitor with large capacity |
DE102005040543A1 (de) * | 2005-08-26 | 2007-03-01 | Siemens Ag | Stromrichterschaltung mit verteilten Energiespeichern |
JP4207951B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2009-01-14 | Tdk株式会社 | β相Ta薄膜抵抗体及び該薄膜抵抗体を備えた薄膜磁気ヘッド |
EP2340552A1 (en) * | 2008-10-28 | 2011-07-06 | Nxp B.V. | 3d integration of a mim capacitor and a resistor |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59167089A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-09-20 | 富士通株式会社 | 集積回路装置 |
JPH0312960A (ja) * | 1989-06-10 | 1991-01-21 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH04290245A (ja) * | 1991-03-19 | 1992-10-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の熱応力測定素子 |
JPH09167830A (ja) * | 1996-11-29 | 1997-06-24 | Denso Corp | 半導体装置 |
JPH09511363A (ja) * | 1994-04-01 | 1997-11-11 | ユナイテッド・テクノロジーズ・コーポレイション | 配線の改善されたリニアasic用アレイアーキテクチャ |
JPH1065110A (ja) * | 1996-05-29 | 1998-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波半導体集積回路及びその製造方法 |
JPH1083998A (ja) * | 1996-09-09 | 1998-03-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH1117021A (ja) * | 1997-06-23 | 1999-01-22 | Nec Corp | バイポーラトランジスタ集積回路およびその製造方法 |
JPH11135733A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-05-21 | Denso Corp | 薄膜抵抗体の製造方法 |
JP2000225479A (ja) * | 1999-01-16 | 2000-08-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | 受動型電子素子を微調整する方法 |
JP2001244420A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-09-07 | Telephus Inc | 多孔性酸化シリコン層を用いて形成した超高周波用素子及びその形成方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3988824A (en) * | 1972-05-22 | 1976-11-02 | Hewlett-Packard Company | Method for manufacturing thin film circuits |
JPS54100277A (en) * | 1978-01-24 | 1979-08-07 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor element for hybrid integrated circuit |
DE3573045D1 (en) * | 1984-06-05 | 1989-10-19 | Toshiba Kk | Pnpn switch device |
NL8500433A (nl) * | 1985-02-15 | 1986-09-01 | Philips Nv | Chipweerstand en werkwijze voor de vervaardiging ervan. |
US4760369A (en) * | 1985-08-23 | 1988-07-26 | Texas Instruments Incorporated | Thin film resistor and method |
DE68929216T2 (de) * | 1988-07-15 | 2001-02-08 | Denso Corp., Kariya | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit Dünnfilm-Widerstand |
JP3438100B2 (ja) * | 1991-04-18 | 2003-08-18 | 富士通株式会社 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
US5514612A (en) * | 1993-03-03 | 1996-05-07 | California Micro Devices, Inc. | Method of making a semiconductor device with integrated RC network and schottky diode |
US5367284A (en) * | 1993-05-10 | 1994-11-22 | Texas Instruments Incorporated | Thin film resistor and method for manufacturing the same |
US5365197A (en) * | 1993-06-30 | 1994-11-15 | Texas Instruments Incorporated | Low-noise distributed amplifier |
US5578860A (en) * | 1995-05-01 | 1996-11-26 | Motorola, Inc. | Monolithic high frequency integrated circuit structure having a grounded source configuration |
US6165862A (en) * | 1997-08-29 | 2000-12-26 | Denso Corporation | Method of producing a thin film resistor |
TWI223873B (en) * | 1998-09-24 | 2004-11-11 | Applied Materials Inc | Nitrogen-containing tantalum films |
US6326256B1 (en) * | 1998-12-18 | 2001-12-04 | Texas Instruments Incorporated | Method of producing a laser trimmable thin film resistor in an integrated circuit |
US6303423B1 (en) * | 1998-12-21 | 2001-10-16 | Megic Corporation | Method for forming high performance system-on-chip using post passivation process |
US6262442B1 (en) * | 1999-04-30 | 2001-07-17 | Dmitri G. Kravtchenko | Zener diode and RC network combination semiconductor device for use in integrated circuits |
US6208009B1 (en) * | 1999-04-30 | 2001-03-27 | Digital Devices, Inc. | RC-networks in semiconductor devices and method therefor |
US6984577B1 (en) * | 2000-09-20 | 2006-01-10 | Newport Fab, Llc | Damascene interconnect structure and fabrication method having air gaps between metal lines and metal layers |
US6642131B2 (en) * | 2001-06-21 | 2003-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming a silicon-containing metal-oxide gate dielectric by depositing a high dielectric constant film on a silicon substrate and diffusing silicon from the substrate into the high dielectric constant film |
-
2002
- 2002-11-22 US US10/302,349 patent/US7989917B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
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- 2003-01-27 AU AU2003205922A patent/AU2003205922A1/en not_active Abandoned
- 2003-01-27 KR KR10-2004-7011692A patent/KR20040077901A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59167089A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-09-20 | 富士通株式会社 | 集積回路装置 |
JPH0312960A (ja) * | 1989-06-10 | 1991-01-21 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH04290245A (ja) * | 1991-03-19 | 1992-10-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の熱応力測定素子 |
JPH09511363A (ja) * | 1994-04-01 | 1997-11-11 | ユナイテッド・テクノロジーズ・コーポレイション | 配線の改善されたリニアasic用アレイアーキテクチャ |
JPH1065110A (ja) * | 1996-05-29 | 1998-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波半導体集積回路及びその製造方法 |
JPH1083998A (ja) * | 1996-09-09 | 1998-03-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH09167830A (ja) * | 1996-11-29 | 1997-06-24 | Denso Corp | 半導体装置 |
JPH1117021A (ja) * | 1997-06-23 | 1999-01-22 | Nec Corp | バイポーラトランジスタ集積回路およびその製造方法 |
JPH11135733A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-05-21 | Denso Corp | 薄膜抵抗体の製造方法 |
JP2000225479A (ja) * | 1999-01-16 | 2000-08-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | 受動型電子素子を微調整する方法 |
JP2001244420A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-09-07 | Telephus Inc | 多孔性酸化シリコン層を用いて形成した超高周波用素子及びその形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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