JP2007507056A - メモリー素子、インターフェース・バッファ、メモリー・システム、コンピューター・システム、方法、機械アクセス可能な媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (37)
- メモリー素子であって、
行の配列に構成された複数のメモリーセルを有するストレージ・アレイ、
前記ストレージ・アレイに結合され、前記メモリー素子を外部メモリー制御部に結合するメモリーバスに、前記メモリー素子を結合する第1のインターフェースを有する、インターフェース・バッファ、及び
前記インターフェース・バッファと関連し、前記外部メモリー制御部により前記第1のメモリーバス上で実行される、前記ストレージ・アレイに影響を与えるトランザクションが存在しない間に、前記ストレージ・アレイ内の行に対してリフレッシュ動作を実行する、リフレッシュ・ロジック
を有する、メモリー素子。 - 前記リフレッシュ・ロジックは、前記インターフェース・バッファの構成要素であり、前記メモリー素子は、前記ストレージ・アレイを有する少なくとも1つの集積回路及び前記インターフェース・バッファを有する少なくとも1つの集積回路に取り付けられる回路基板を有する、請求項1記載のメモリー素子。
- 前記第1のメモリーバスは、前記メモリー素子と前記外部メモリー制御部の間のポイント・ツー・ポイント接続を提供し、前記インターフェース・バッファは、前記メモリー素子と別のメモリー素子との間のポイント・ツー・ポイント接続を提供する第2のメモリーバスに、前記メモリー素子を結合する第2のインターフェースを有し、及び前記インターフェース・バッファは、前記第1及び第2のメモリーバスの間の、前記ストレージ・アレイに影響を与えないバス活動を通過させる、請求項1記載のメモリー素子。
- 前記外部メモリー制御部と前記インターフェース・バッファの前記第1のインターフェースの間のデータ転送、及び前記インターフェース・バッファの前記第2のインターフェースと前記他のメモリー素子の間のデータ転送の両方は、パケット形式で送信されるデータと共に生じる、請求項3記載のメモリー素子。
- 前記リフレッシュ・ロジックは、前記第1のメモリーバス上の活動を監視し、前記第1のメモリーバスから受信される、前記ストレージ・アレイに影響を与えるコマンドが存在しないデッド・タイムを識別し、前記ストレージ・アレイに影響を与えるアクセス・コマンドの実行を遅延させることなく、前記リフレッシュ・ロジックに、前記ストレージ・アレイ内の行に対するリフレッシュ動作を機会主義的に実行する機会を提供する、請求項3記載のメモリー素子。
- 前記リフレッシュ・ロジックは、前記外部メモリー制御部と前記他のメモリー素子の間のトランザクションが生じる間に、前記ストレージ・アレイ内の行に対しリフレッシュ動作を実行する、請求項5記載のメモリー素子。
- 前記リフレッシュ・ロジックは、前記外部メモリー制御部からの信号を待ち、デッド・タイムを識別し、前記デッド・タイムでは、前記ストレージ・アレイに影響を与える如何なるコマンドも前記外部メモリー制御部により送信されず、前記リフレッシュ・ロジックに、前記ストレージ・アレイに影響を与えるアクセス・コマンドの実行を遅延させることなく、前記ストレージ・アレイ内の行に対するリフレッシュ動作を実行する機会を提供する、請求項3記載のメモリー素子。
- 前記リフレッシュ・ロジックは、前記第1のメモリーバスのパワーダウンの発生について、前記第1のメモリーバスを監視し、前記リフレッシュ・ロジックに、前記ストレージ・アレイに影響を与えるアクセス・コマンドの実行を遅延させることなく、前記ストレージ・アレイ内の行に対するリフレッシュ動作を機会主義的に実行する機会を提供する、請求項3記載のメモリー素子。
- インターフェース・バッファであって、
行の配列に構成されている複数のメモリーセルを有するストレージ・アレイとのローカル・インターフェース、
第1のメモリーバスは、第1のインターフェースと外部メモリー制御部の間のポイント・ツー・ポイント接続を提供し、前記第1のメモリーバスは、前記ストレージ・アレイを前記外部メモリー制御部に結合し、前記ストレージ・アレイを前記第1のメモリーバスと結合する前記第1のインターフェース、
第2のメモリーバスは、第2のインターフェースと他のインターフェース・バッファの間のポイント・ツー・ポイント接続を提供し、前記第2のメモリーバスは、前記第2のインターフェースを別のインターフェース・バッファに結合し、前記別のインターフェース・バッファは、別のストレージ・アレイを前記インターフェース・バッファを通じて前記外部メモリー制御部に結合し、前記ストレージ・アレイを前記第2のメモリーバスに結合する前記第2のインターフェース、及び
前記外部メモリー制御部により、前記第1のメモリーバス上で実行される、前記ストレージ・アレイに影響を与える如何なるトランザクションもない時間の間に、前記ストレージ・アレイ内の行に対して、リフレッシュ動作を実行するリフレッシュ・ロジック
を有する、インターフェース・バッファ。 - 前記インターフェース・バッファは少なくとも1つの集積回路を有し、前記ストレージ・アレイは少なくとも1つの集積回路を有し、前記インターフェース・バッファを有する前記少なくとも1つの集積回路及び前記ストレージ・アレイを有する前記少なくとも1つの集積回路の両方は、メモリー素子を構成するよう回路基板に取り付けられる、請求項9記載のインターフェース・バッファ。
- 前記メモリー素子が、前記外部メモリー制御部に取り付けられる別の回路基板に結合される場合、前記第1のインターフェースは前記第1のメモリーバスに結合され、前記第2のインターフェースは前記第2のメモリーバスに結合される、請求項10記載のインターフェース・バッファ。
- 前記外部メモリー制御部と前記第1のインターフェースの間のデータ転送、及び前記第2のインターフェースと前記他のインターフェース・バッファの間のデータ転送の両方は、パケット形式で送信されるデータと共に生じる、請求項9記載のインターフェース・バッファ。
- 前記リフレッシュ・ロジックは前記第1のメモリーバス上の活動を監視し、デッド・タイムを識別し、前記デッド・タイムでは、前記ストレージ・アレイに影響を与える如何なるコマンドも前記第1のメモリーバスから受信されず、前記リフレッシュ・ロジックに、前記ストレージ・アレイに影響を与えるアクセス・コマンドの実行を遅延させることなく、前記ストレージ・アレイ内の行に対するリフレッシュ動作を機会主義的に実行する機会を提供する、請求項9記載のメモリー素子。
- 前記リフレッシュ・ロジックは、前記外部メモリー制御部と前記他のストレージ・アレイの間のトランザクションが生じる間に、前記ストレージ・アレイ内の行に対しリフレッシュ動作を実行する、請求項13記載のメモリー素子。
- 前記リフレッシュ・ロジックは、前記外部メモリー制御部からの信号を待ち、デッド・タイムを識別し、前記デッド・タイムでは、前記ストレージ・アレイに影響を与える如何なるコマンドも前記外部メモリー制御部により送信されず、前記リフレッシュ・ロジックに、前記ストレージ・アレイに影響を与えるアクセス・コマンドの実行を遅延させることなく、前記ストレージ・アレイ内の行に対するリフレッシュ動作を実行する機会を提供する、請求項9記載のメモリー素子。
- 前記リフレッシュ・ロジックは、前記第1のメモリーバスのパワーダウンの発生について、前記第1のメモリーバスを監視し、前記リフレッシュ・ロジックに、前記ストレージ・アレイに影響を与えるアクセス・コマンドの実行を遅延させることなく、前記ストレージ・アレイ内の行に対するリフレッシュ動作を機会主義的に実行する機会を提供する、請求項9記載のメモリー素子。
- メモリー・システムであって、
メモリー制御部、
前記メモリー制御部に結合される第1のメモリーバス、
行に構成される複数のメモリーセルを有する第1のストレージ・アレイ、及び第1のメモリー素子内で前記第1のストレージ・アレイに結合される第1のインターフェース・バッファを有する前記第1のメモリー素子、
前記第2のインターフェースに結合される第2のメモリーバス、
行に構成される複数のメモリーセルを有する第2のストレージ・アレイ、及び第2のメモリー素子内で前記第2のストレージ・アレイに結合される第2のインターフェース・バッファを有する前記第2のメモリー素子
を有し、
前記第1のインターフェース・バッファは、第1のインターフェース、第2のインターフェース、及び第1のリフレッシュ・ロジックを設け、前記第1のメモリー素子は、前記第1のインターフェースにより前記メモリー制御部と前記第1のインターフェースの間のポイント・ツー・ポイント接続を形成する前記第1のメモリーバスに結合され、前記第1のリフレッシュ・ロジックは、前記第1のメモリーバス上に、前記メモリー制御部により実行される前記ストレージ・アレイに影響を与える如何なるトランザクションもない時間の間に、前記ストレージ・アレイ内の行に対するリフレッシュ動作を実行し、
前記第2のインターフェース・バッファは、第3のインターフェース、及び第2のリフレッシュ・ロジックを設け、前記第2のメモリー素子は、前記第3のインターフェースにより、前記第3のインターフェースと前記第2のインターフェースの間のポイント・ツー・ポイント接続を形成する前記第2のメモリーバスに結合され、前記第2のリフレッシュ・ロジックは、前記第2のメモリーバス上に、前記メモリー制御部により実行される前記第2のストレージ・アレイに影響を与える如何なるトランザクションもない時間の間に、前記第2のストレージ・アレイ内の行に対するリフレッシュ動作を実行する、
メモリー・システム。 - 前記第1のインターフェース・バッファは、前記第1のストレージ・アレイに影響を与えない前記第1及び第2のメモリーバスの間でバス活動を通過させる、請求項17記載のメモリー・システム。
- 前記メモリー制御部と前記第1のインターフェースの間のデータ転送、及び前記第2のインターフェースと前記第3のインターフェースの間のデータ転送の両方は、パケット形式で送信されるデータと共に生じる、請求項18記載のメモリー・システム。
- 前記第1のリフレッシュ・ロジックは前記第1のメモリーバス上の活動を監視し、デッド・タイムを識別し、前記デッド・タイムでは、前記第1のストレージ・アレイに影響を与える如何なるコマンドも前記第1のメモリーバスから受信されず、前記第1のリフレッシュ・ロジックに、前記第1のストレージ・アレイに影響を与えるアクセス・コマンドの実行を遅延させることなく、前記第1のストレージ・アレイ内の行に対するリフレッシュ動作を機会主義的に実行する機会を提供する、請求項17記載のメモリー・システム。
- 前記第1のリフレッシュ・ロジックは、前記メモリー制御部と前記第2のストレージ・アレイの間のトランザクションが生じる間に、前記第1のストレージ・アレイ内の行に対しリフレッシュ動作を実行する、請求項20記載のメモリー・システム。
- 前記第2のリフレッシュ・ロジックは前記第2のメモリーバス上の活動を監視し、デッド・タイムを識別し、前記デッド・タイムでは、前記第2のストレージ・アレイに影響を与える如何なるコマンドも前記第2のメモリーバスから受信されず、前記第2のリフレッシュ・ロジックに、前記第1のリフレッシュ・ロジックが前記第1のストレージ・アレイ内の行に対するリフレッシュ動作を実行するのと並行して、前記第2のストレージ・アレイに影響を与えるアクセス・コマンドの実行を遅延させることなく、前記第2のストレージ・アレイ内の行に対するリフレッシュ動作を機会主義的に実行する機会を提供する、請求項20記載のメモリー・システム。
- 前記第1のリフレッシュ・ロジックは、前記外部メモリー制御部からの信号を待ち、デッド・タイムを識別し、前記デッド・タイムでは、前記第1のストレージ・アレイに影響を与える如何なるコマンドも前記メモリー制御部により送信されず、前記第1のリフレッシュ・ロジックに、前記第1のストレージ・アレイに影響を与えるアクセス・コマンドの実行を遅延させることなく、前記第1のストレージ・アレイ内の行に対するリフレッシュ動作を実行する機会を提供する、請求項17記載のメモリー・システム。
- 前記第2のリフレッシュ・ロジックは、前記外部メモリー制御部からの信号を待ち、デッド・タイムを識別し、前記デッド・タイムでは、前記第2のストレージ・アレイに影響を与える如何なるコマンドも前記メモリー制御部により送信されず、前記第2のリフレッシュ・ロジックに、前記第2のリフレッシュ・ロジックが前記第1のストレージ・アレイ内の行に対するリフレッシュ動作を実行するのと並行して、前記第2のストレージ・アレイに影響を与えるアクセス・コマンドの実行を遅延させることなく、前記第2のストレージ・アレイ内の行に対するリフレッシュ動作を実行する機会を提供する、請求項23記載のメモリー・システム。
- 前記第1のリフレッシュ・ロジックは、前記第1のメモリーバスのパワーダウンの発生について、前記第1のメモリーバスを監視し、前記第1のリフレッシュ・ロジックに、前記第1のストレージ・アレイに影響を与えるアクセス・コマンドの実行を遅延させることなく、前記第1のストレージ・アレイ内の行に対するリフレッシュ動作を機会主義的に実行する機会を提供する、請求項17記載のメモリー・システム。
- 前記第1のリフレッシュ・ロジックは、前記第2のメモリーバスのパワーダウンの発生について、前記第2のメモリーバスを監視し、前記第2のリフレッシュ・ロジックに、前記第2のリフレッシュ・ロジックが前記第2のストレージ・アレイ内の行に対するリフレッシュ動作を実行するのと並行して、前記第2のストレージ・アレイに影響を与えるアクセス・コマンドの実行を遅延させることなく、前記第2のストレージ・アレイ内の行に対するリフレッシュ動作を機会主義的に実行する機会を提供する、請求項25記載のメモリー・システム。
- コンピューター・システムであって、
プロセッサー、
前記プロセッサーに結合されるディスク記憶装置、
前記プロセッサーに結合されるメモリー制御部、
前記メモリー制御部に結合される第1のメモリーバス、
行に構成される複数のメモリーセルを有する第1のストレージ・アレイ及び第1のメモリー素子内で前記第1のストレージ・アレイに結合される第1のインターフェース・バッファを有する前記第1のメモリー素子、
第2のインターフェースに結合される第2のメモリーバス、
行に構成される複数のメモリーセルを有する第2のストレージ・アレイ及び第2のメモリー素子内で前記第2のストレージ・アレイに結合される第2のインターフェース・バッファを有する前記第2のメモリー素子
を有し、
前記第1のインターフェース・バッファは、第1のインターフェース、前記第2のインターフェース、及び第1のリフレッシュ・ロジックを設け、前記第1のメモリー素子は前記第1のインターフェースにより前記メモリー制御部と前記第1のインターフェースの間のポイント・ツー・ポイント接続を形成する前記第1のメモリーバスに結合され、前記第1のリフレッシュ・ロジックは、前記第1のストレージ・アレイに影響を与える前記第1のメモリーバス上の前記メモリー制御部により実行される如何なるトランザクションもない時間の間に、前記第1のストレージ・アレイ内の行に対するリフレッシュ動作を実行し、
前記第2のインターフェース・バッファは、第3のインターフェース、及び第2のリフレッシュ・ロジックを設け、前記第2のメモリー素子は前記第3のインターフェースにより前記第3のインターフェースと前記第2のインターフェースの間のポイント・ツー・ポイント接続を形成する前記第2のメモリーバスに結合され、前記第2のリフレッシュ・ロジックは、前記第2のストレージ・アレイに影響を与える前記第2のメモリーバス上の前記メモリー制御部により実行される如何なるトランザクションもない時間の間に、前記第2のストレージ・アレイ内の行に対するリフレッシュ動作を実行する、
コンピューター・システム。 - 前記第1のリフレッシュ・ロジックは、前記メモリー制御部と前記第2のストレージ・アレイの間のトランザクションが生じる時間の間に、前記第1のストレージ・アレイ内の行に対しリフレッシュ動作を実行する、請求項27記載のコンピューター・システム。
- 前記第1のリフレッシュ・ロジックは、前記外部メモリー制御部からの信号を待ち、デッド・タイムを識別し、前記デッド・タイムでは、前記第1のストレージ・アレイに影響を与える如何なるコマンドも前記メモリー制御部により送信されず、前記第1のリフレッシュ・ロジックに、前記第1のストレージ・アレイに影響を与えるアクセス・コマンドの実行を遅延させることなく、前記第1のストレージ・アレイ内の行に対するリフレッシュ動作を実行する機会を提供する、請求項27記載のコンピューター・システム。
- 前記メモリー制御部は、制御レジスターを更に有し、前記制御レジスターは、デッド・タイムを識別するために、前記メモリー制御部により前記第1のリフレッシュ・ロジックへ信号を送信するよう、前記プロセッサーにより設定可能である、請求項29記載のコンピューター・システム。
- 前記第1のリフレッシュ・ロジックは、前記第1のメモリーバスのパワーダウンの発生について、前記第1のメモリーバスを監視し、前記第1のリフレッシュ・ロジックに、前記第1のストレージ・アレイに影響を与えるアクセス・コマンドの実行を遅延させることなく、前記第1のストレージ・アレイ内の行に対するリフレッシュ動作を機会主義的に実行する機会を提供する、請求項27記載のコンピューター・システム。
- 方法であって、
メモリーバスを経由してメモリー制御部に結合されるメモリー素子が、前記メモリー制御部を有する第2のリフレッシュ・ロジックと独立の第1のリフレッシュ・ロジックを有するか否かを判定し、
前記メモリー制御部を設定し、待ち行列に入っているメモリー・アクセス・コマンドを調べ、前記第1のリフレッシュ・ロジックへ信号を送り、デッド・タイムを識別し、前記デッド・タイムでは、前記メモリー制御部が待ち行列に入っているメモリー・アクセス・コマンドの検査を支援し及び前記メモリー素子が前記第1のリフレッシュ・ロジックを有する場合、前記メモリー制御部は前記メモリー素子内のストレージ・アレイに影響を与えるコマンドを送信せず、前記第1のリフレッシュ・ロジックに、前記ストレージ・アレイに影響を与えるアクセス・コマンドの実行を遅延させることなく、前記ストレージ・アレイ内の行に対するリフレッシュ動作を実行する機会を提供し、及び
前記メモリーバスをパワーダウンするよう、前記メモリー制御部を設定し、前記メモリー制御部が待ち行列に入っているメモリー・アクセス・コマンドの検査を支援し及び前記メモリー素子が前記第1のリフレッシュ・ロジックを有する場合、前記第1のリフレッシュ・ロジックに、前記ストレージ・アレイに影響を与えるアクセス・コマンドの実行を遅延させることなく、前記ストレージ・アレイ内の行に対するリフレッシュ動作を実行する機会を提供する、
方法。 - 前記メモリー制御部が待ち行列に入っているメモリー・アクセス・コマンドの検査を支援し及び前記メモリー素子が前記第1のリフレッシュ・ロジックを有する場合、前記第1のリフレッシュ・ロジックへ、前記第1のリフレッシュ・ロジックがリフレッシュ動作のタイミングを制御する信号を送り、前記メモリーバスをパワーダウンさせ、及び
前記メモリー制御部が待ち行列に入っているメモリー・アクセス・コマンドの検査を支援し及び前記メモリー素子が前記第1のリフレッシュ・ロジックを有する場合、前記メモリーバスをパワーアップさせ、前記第1のリフレッシュ・ロジックへ、前記第2のリフレッシュ・ロジックがリフレッシュ動作の前記タイミングを制御する信号を更に送る、
請求項32記載の方法。 - 方法であって、
実行すべきアクセス動作があるか否かを検査し、
実行すべきアクセス動作についての前記検査で、実行すべきアクセス動作が有ると判明した場合、アクセス動作を実行し、
実行すべきアクセス動作についての前記検査で、実行すべきアクセス動作が無く、リフレッシュ動作が必要であると判明した場合、メモリー素子のインターフェース・バッファ内のリフレッシュ・ロジックの制御下で、リフレッシュ動作を実行し、及び
前記メモリー素子内の前記インターフェース・バッファ内の前記リフレッシュ・ロジックの制御下で、リフレッシュ動作の発生の間に、メモリー制御部が前記メモリー素子へアクセス・コマンドを送信する場合、前記メモリー素子にメモリーバスを経由して結合される前記メモリー制御部に、前記メモリー素子はアクセス動作を実行できないと信号を送る、
方法。 - 前記メモリーバスがパワーダウンしているか否かを検査し、及び
前記メモリーバスがパワーダウンしているか否かの前記検査で、前記メモリーバスはパワーダウンし、リフレッシュ動作が必要であると判明した場合、前記メモリー素子のインターフェース・バッファ内のリフレッシュ・ロジックの制御下で、リフレッシュ動作を更に実行する、
請求項34記載の方法。 - 機械アクセス可能な媒体であって、
電子機器内のプロセッサーにより実行された時に、前記電子機器に、
メモリー制御部にメモリーバスを経由して結合されたメモリー素子が、前記メモリー制御部を有する第2のリフレッシュ・ロジックと独立の第1のリフレッシュ・ロジックを有するか否かを判定するよう、前記プロセッサーに結合された前記メモリー制御部を設定させ、
待ち行列に入っているメモリー・アクセス・コマンドを検査し、前記第1のリフレッシュ・ロジックへ信号を送り、デッド・タイムを識別するよう、前記メモリー制御部に設定させ、前記デッド・タイムでは、前記メモリー制御部が待ち行列に入っているメモリー・アクセス・コマンドの検査を支援し及び前記メモリー素子が前記第1のリフレッシュ・ロジックを有する場合、前記メモリー制御部は前記メモリー素子内のストレージ・アレイに影響を与えるコマンドを送信せず、前記第1のリフレッシュ・ロジックに、前記ストレージ・アレイに影響を与えるアクセス・コマンドの実行を遅延させることなく、前記ストレージ・アレイ内の行に対するリフレッシュ動作を実行する機会を提供させ、及び
前記メモリーバスをパワーダウンするよう、前記メモリー制御部に設定し、前記メモリー制御部が待ち行列に入っているメモリー・アクセス・コマンドの検査を支援し及び前記メモリー素子が前記第1のリフレッシュ・ロジックを有する場合、前記第1のリフレッシュ・ロジックに、前記ストレージ・アレイに影響を与えるアクセス・コマンドの実行を遅延させることなく、前記ストレージ・アレイ内の行に対するリフレッシュ動作を実行する機会を提供させる、
機械アクセス可能な媒体。 - 前記プロセッサーに更に、
前記メモリー制御部が待ち行列に入っているメモリー・アクセス・コマンドの検査を支援し及び前記メモリー素子が前記第1のリフレッシュ・ロジックを有する場合、前記第1のリフレッシュ・ロジックがリフレッシュ動作のタイミングを制御し、前記メモリーバスをパワーダウンする信号を前記第1のリフレッシュ・ロジックへ送信させ、及び
前記メモリー制御部が待ち行列に入っているメモリー・アクセス・コマンドの検査を支援し及び前記メモリー素子が前記第1のリフレッシュ・ロジックを有する場合、前記メモリーバスをパワーアップし、前記第1のリフレッシュ・ロジックへ、前記第2のリフレッシュ・ロジックがリフレッシュ動作のタイミングを制御する信号を送信させる、
請求項36記載の機械アクセス可能な媒体。
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Families Citing this family (65)
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US7328304B2 (en) * | 2004-02-27 | 2008-02-05 | Intel Corporation | Interface for a block addressable mass storage system |
KR101318116B1 (ko) * | 2005-06-24 | 2013-11-14 | 구글 인코포레이티드 | 집적 메모리 코어 및 메모리 인터페이스 회로 |
US7472220B2 (en) * | 2006-07-31 | 2008-12-30 | Metaram, Inc. | Interface circuit system and method for performing power management operations utilizing power management signals |
US8386722B1 (en) | 2008-06-23 | 2013-02-26 | Google Inc. | Stacked DIMM memory interface |
US9507739B2 (en) | 2005-06-24 | 2016-11-29 | Google Inc. | Configurable memory circuit system and method |
US8244971B2 (en) | 2006-07-31 | 2012-08-14 | Google Inc. | Memory circuit system and method |
US7609567B2 (en) * | 2005-06-24 | 2009-10-27 | Metaram, Inc. | System and method for simulating an aspect of a memory circuit |
US10013371B2 (en) | 2005-06-24 | 2018-07-03 | Google Llc | Configurable memory circuit system and method |
US8060774B2 (en) | 2005-06-24 | 2011-11-15 | Google Inc. | Memory systems and memory modules |
US8130560B1 (en) | 2006-11-13 | 2012-03-06 | Google Inc. | Multi-rank partial width memory modules |
US8090897B2 (en) | 2006-07-31 | 2012-01-03 | Google Inc. | System and method for simulating an aspect of a memory circuit |
US8089795B2 (en) | 2006-02-09 | 2012-01-03 | Google Inc. | Memory module with memory stack and interface with enhanced capabilities |
US20080082763A1 (en) * | 2006-10-02 | 2008-04-03 | Metaram, Inc. | Apparatus and method for power management of memory circuits by a system or component thereof |
US8359187B2 (en) | 2005-06-24 | 2013-01-22 | Google Inc. | Simulating a different number of memory circuit devices |
US8055833B2 (en) | 2006-10-05 | 2011-11-08 | Google Inc. | System and method for increasing capacity, performance, and flexibility of flash storage |
US7386656B2 (en) | 2006-07-31 | 2008-06-10 | Metaram, Inc. | Interface circuit system and method for performing power management operations in conjunction with only a portion of a memory circuit |
US8077535B2 (en) | 2006-07-31 | 2011-12-13 | Google Inc. | Memory refresh apparatus and method |
US9542352B2 (en) | 2006-02-09 | 2017-01-10 | Google Inc. | System and method for reducing command scheduling constraints of memory circuits |
US8397013B1 (en) | 2006-10-05 | 2013-03-12 | Google Inc. | Hybrid memory module |
US20080028136A1 (en) | 2006-07-31 | 2008-01-31 | Schakel Keith R | Method and apparatus for refresh management of memory modules |
US8111566B1 (en) | 2007-11-16 | 2012-02-07 | Google, Inc. | Optimal channel design for memory devices for providing a high-speed memory interface |
US8438328B2 (en) | 2008-02-21 | 2013-05-07 | Google Inc. | Emulation of abstracted DIMMs using abstracted DRAMs |
US8081474B1 (en) | 2007-12-18 | 2011-12-20 | Google Inc. | Embossed heat spreader |
US9171585B2 (en) | 2005-06-24 | 2015-10-27 | Google Inc. | Configurable memory circuit system and method |
US8327104B2 (en) | 2006-07-31 | 2012-12-04 | Google Inc. | Adjusting the timing of signals associated with a memory system |
US8335894B1 (en) | 2008-07-25 | 2012-12-18 | Google Inc. | Configurable memory system with interface circuit |
US8796830B1 (en) | 2006-09-01 | 2014-08-05 | Google Inc. | Stackable low-profile lead frame package |
US8041881B2 (en) | 2006-07-31 | 2011-10-18 | Google Inc. | Memory device with emulated characteristics |
US7580312B2 (en) * | 2006-07-31 | 2009-08-25 | Metaram, Inc. | Power saving system and method for use with a plurality of memory circuits |
US7392338B2 (en) * | 2006-07-31 | 2008-06-24 | Metaram, Inc. | Interface circuit system and method for autonomously performing power management operations in conjunction with a plurality of memory circuits |
KR101303518B1 (ko) | 2005-09-02 | 2013-09-03 | 구글 인코포레이티드 | Dram 적층 방법 및 장치 |
US9632929B2 (en) | 2006-02-09 | 2017-04-25 | Google Inc. | Translating an address associated with a command communicated between a system and memory circuits |
US7724589B2 (en) * | 2006-07-31 | 2010-05-25 | Google Inc. | System and method for delaying a signal communicated from a system to at least one of a plurality of memory circuits |
US20080028135A1 (en) * | 2006-07-31 | 2008-01-31 | Metaram, Inc. | Multiple-component memory interface system and method |
JP4198167B2 (ja) * | 2006-09-20 | 2008-12-17 | 株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント | アダプタ装置、データ伝送システム |
US8239637B2 (en) * | 2007-01-19 | 2012-08-07 | Spansion Llc | Byte mask command for memories |
JP4561782B2 (ja) * | 2007-06-21 | 2010-10-13 | ソニー株式会社 | 半導体メモリ装置、半導体メモリ装置の動作方法 |
JP4561783B2 (ja) * | 2007-06-21 | 2010-10-13 | ソニー株式会社 | 半導体メモリ装置、半導体メモリ装置の動作方法 |
US8209479B2 (en) | 2007-07-18 | 2012-06-26 | Google Inc. | Memory circuit system and method |
US8080874B1 (en) | 2007-09-14 | 2011-12-20 | Google Inc. | Providing additional space between an integrated circuit and a circuit board for positioning a component therebetween |
JP2010237739A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Fujitsu Ltd | キャッシュ制御装置,情報処理装置およびキャッシュ制御プログラム |
US20120030420A1 (en) | 2009-04-22 | 2012-02-02 | Rambus Inc. | Protocol for refresh between a memory controller and a memory device |
WO2010144624A1 (en) | 2009-06-09 | 2010-12-16 | Google Inc. | Programming of dimm termination resistance values |
US8392650B2 (en) * | 2010-04-01 | 2013-03-05 | Intel Corporation | Fast exit from self-refresh state of a memory device |
US8751802B2 (en) | 2010-06-30 | 2014-06-10 | Sandisk Il Ltd. | Storage device and method and for storage device state recovery |
US9292426B2 (en) * | 2010-09-24 | 2016-03-22 | Intel Corporation | Fast exit from DRAM self-refresh |
US9053812B2 (en) | 2010-09-24 | 2015-06-09 | Intel Corporation | Fast exit from DRAM self-refresh |
KR101796116B1 (ko) | 2010-10-20 | 2017-11-10 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 장치, 이를 포함하는 메모리 모듈, 메모리 시스템 및 그 동작방법 |
CN102034526B (zh) * | 2010-12-17 | 2013-06-12 | 曙光信息产业股份有限公司 | 一种用fpga实现的sdram刷新的方法 |
US9159396B2 (en) | 2011-06-30 | 2015-10-13 | Lattice Semiconductor Corporation | Mechanism for facilitating fine-grained self-refresh control for dynamic memory devices |
US20130042132A1 (en) * | 2011-08-09 | 2013-02-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image forming appratus, microcontroller, and methods for controlling image forming apparatus and microcontroller |
US9104420B2 (en) | 2011-08-09 | 2015-08-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image forming apparatus, microcontroller, and methods for controlling image forming apparatus and microcontroller |
CN102567243B (zh) * | 2011-12-12 | 2015-03-25 | 华为技术有限公司 | 存储设备的刷新处理方法和存储设备 |
CN102426854A (zh) * | 2011-12-13 | 2012-04-25 | 曙光信息产业(北京)有限公司 | 一种降低ddr3内存刷新功耗的方法 |
US9299400B2 (en) | 2012-09-28 | 2016-03-29 | Intel Corporation | Distributed row hammer tracking |
US9087614B2 (en) | 2012-11-27 | 2015-07-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory modules and memory systems |
US9286964B2 (en) * | 2012-12-21 | 2016-03-15 | Intel Corporation | Method, apparatus and system for responding to a row hammer event |
US9153310B2 (en) | 2013-01-16 | 2015-10-06 | Maxlinear, Inc. | Dynamic random access memory for communications systems |
US9911485B2 (en) * | 2013-11-11 | 2018-03-06 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for refreshing a memory cell |
US9087569B2 (en) * | 2013-11-26 | 2015-07-21 | Lenovo (Singapore) Pte. Ltd. | Non-volatile memory validity |
FR3032814B1 (fr) * | 2015-02-18 | 2018-02-02 | Upmem | Circuit dram muni d'un processeur integre |
US20170110178A1 (en) * | 2015-09-17 | 2017-04-20 | Intel Corporation | Hybrid refresh with hidden refreshes and external refreshes |
US20170163312A1 (en) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electronic system with network operation mechanism and method of operation thereof |
JP2018041154A (ja) * | 2016-09-05 | 2018-03-15 | 東芝メモリ株式会社 | ストレージシステムおよび処理方法 |
US10825534B2 (en) | 2018-10-26 | 2020-11-03 | Intel Corporation | Per row activation count values embedded in storage cell array storage cells |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08167703A (ja) * | 1994-10-11 | 1996-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法、ならびにメモリコアチップ及びメモリ周辺回路チップ |
JPH09293015A (ja) * | 1996-04-24 | 1997-11-11 | Mitsubishi Electric Corp | メモリシステムおよびそれに用いられる半導体記憶装置 |
JPH1115742A (ja) * | 1997-06-19 | 1999-01-22 | Kofu Nippon Denki Kk | メモリ・リフレッシュ制御回路 |
JP2002007308A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-11 | Nec Corp | メモリバスシステムおよび信号線の接続方法 |
JP2002535799A (ja) * | 1999-01-20 | 2002-10-22 | モノリシック・システム・テクノロジー・インコーポレイテッド | アイドルメモリサイクルを用いる半導体メモリのリフレッシュの方法及び装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5689677A (en) * | 1995-06-05 | 1997-11-18 | Macmillan; David C. | Circuit for enhancing performance of a computer for personal use |
KR100243335B1 (ko) * | 1996-12-31 | 2000-02-01 | 김영환 | 독립적인 리프레쉬 수단을 가지는 데이지 체인 구조의 반도체 장치 |
EP1036362B1 (en) | 1997-12-05 | 2006-11-15 | Intel Corporation | Memory system including a memory module having a memory module controller |
US6496437B2 (en) * | 1999-01-20 | 2002-12-17 | Monolithic Systems Technology, Inc. | Method and apparatus for forcing idle cycles to enable refresh operations in a semiconductor memory |
US6400631B1 (en) * | 2000-09-15 | 2002-06-04 | Intel Corporation | Circuit, system and method for executing a refresh in an active memory bank |
US6925086B2 (en) * | 2000-12-12 | 2005-08-02 | International Business Machines Corporation | Packet memory system |
-
2003
- 2003-09-29 US US10/674,981 patent/US7353329B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-08-23 TW TW093125383A patent/TWI252487B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-09-29 CN CNB2004800271402A patent/CN100472492C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-29 WO PCT/US2004/032039 patent/WO2005033959A1/en active Application Filing
- 2004-09-29 EP EP04785279A patent/EP1668524A1/en not_active Withdrawn
- 2004-09-29 JP JP2006528329A patent/JP2007507056A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08167703A (ja) * | 1994-10-11 | 1996-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法、ならびにメモリコアチップ及びメモリ周辺回路チップ |
JPH09293015A (ja) * | 1996-04-24 | 1997-11-11 | Mitsubishi Electric Corp | メモリシステムおよびそれに用いられる半導体記憶装置 |
JPH1115742A (ja) * | 1997-06-19 | 1999-01-22 | Kofu Nippon Denki Kk | メモリ・リフレッシュ制御回路 |
JP2002535799A (ja) * | 1999-01-20 | 2002-10-22 | モノリシック・システム・テクノロジー・インコーポレイテッド | アイドルメモリサイクルを用いる半導体メモリのリフレッシュの方法及び装置 |
JP2002007308A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-11 | Nec Corp | メモリバスシステムおよび信号線の接続方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1853175A (zh) | 2006-10-25 |
EP1668524A1 (en) | 2006-06-14 |
TW200527427A (en) | 2005-08-16 |
US7353329B2 (en) | 2008-04-01 |
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TWI252487B (en) | 2006-04-01 |
US20050071543A1 (en) | 2005-03-31 |
WO2005033959A1 (en) | 2005-04-14 |
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