JP2007502540A - 厚膜電気部品の製造 - Google Patents

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Abstract

厚膜抵抗器部品1A、50は厚膜抵抗器(1A、60)と導電性シート(1A、52)との間に形成された厚膜部品(1A、54)を含むことができ、厚膜部品の一部を露出させながらシートの一部(1C、66および68)は選択的に除去されて抵抗器の接点が形成される。厚膜抵抗器に対する電気端子(1C、52A、および52C)をある大きさにして応力を低減することができ、かつ/または抵抗器に対して選択的に位置決めして所望の抵抗器値を定めることができる。厚膜抵抗器は選択的に開回路にされて抵抗器の値を徐々に調整するように構成された1つまたは複数の抵抗器区間を含むことができる。

Description

本発明は一般に、厚膜抵抗要素を製造するための材料および技術に関し、さらに具体的には、厚膜抵抗器の製造、トリミング性、機械的安定性、抵抗要素と端子要素との間の熱的マッチング性、および他の厚膜抵抗器の特性およびフィーチャを改善するためのそのような材料および技術に関する。
個別の抵抗器部品を提供するために、可撓性および非可撓性基板上に厚膜抵抗器部品を作製することが一般には好ましい。製造、トリミング性、機械的安定性、抵抗要素と端子要素との間の熱的マッチング性、および他の厚膜抵抗器の特性およびフィーチャを改善することがさらに好ましい。
本発明は以下の特徴の1つまたは複数あるいはその組み合わせを含む。厚膜抵抗器部品は第1および第2の対向表面を有する第1の導電性シートと、第1および第2の対向表面を有する第1の厚膜部品であり、該第1の厚膜部品の第1の表面は前記第1のシートの第1の表面に付着された第1の厚膜部品と、第1および第2の表面を有する第1の厚膜抵抗器であり、第1の抵抗器の第1の表面は第1の厚膜部品の第2の表面と第1の厚膜部品に隣接する第1のシートの第1の表面とに付着された第1の厚膜抵抗器とを含み得る。第1の電気的絶縁層が第1の厚膜部品と第1の抵抗器と第1の導電性シートとを組み合わせた上に形成され得る。第1の厚膜部品に隣接する第1のシートの一部は、第1のシートの残りの第1の部分が第1の抵抗器に対する第1の電気接点を定め、第1のシートの残りの第2の部分が第1の抵抗器に対する第2の電気接点を定め、かつ第1の厚膜部品の第1の表面がそれらの間で少なくとも部分的に露出されて、第1の抵抗器が第1の接点と第2の接点との間に厚膜抵抗器部品を形成するように、選択的に除去され得る。
第1の導電性シートの前記一部はエッチング剤を用いて選択的に除去され得、第1の厚膜部品はエッチング剤と反応しない材料から形成され得、第1の厚膜抵抗器はエッチング剤と反応する材料から形成され得、第1の厚膜部品はエッチング剤から第1の厚膜抵抗器を保護する。
第1の厚膜部品は、例えば、SiO2などの電気的絶縁材料から形成され得る。別の場合には、第1の厚膜部品は第2の厚膜抵抗器であり得、第2の厚膜抵抗器の第2の表面は第1の抵抗器の第1の表面に電気的に結合され、かつ第1および第2の接点は各々第1および第2の厚膜抵抗器の両方と電気的に接触し、第1および第2の厚膜抵抗器は並列接続された膜抵抗器部品を定めている。
第1の厚膜抵抗器を形成する材料は第2の厚膜抵抗器を形成する材料よりも高い金属含有量を有し得る。
第1の厚膜抵抗器は低値の検出抵抗器であり得、第2の厚膜抵抗器は低値の検出抵抗器よりも実質的に高い抵抗値を有し得る。
第1の厚膜抵抗器は金属化合物および電気的絶縁材料の組み合わせから形成され得、第2の厚膜抵抗器はポリマーベースの抵抗膜から形成され得る。
抵抗器部品は第1の厚膜抵抗器の第2の表面上で、第1の厚膜部品および第1の厚膜抵抗器の組み合わせの周囲部で第1のシートの第1の表面と接触した状態で形成された電気的絶縁膜をさらに含み得る。抵抗器部品は第2の電気的絶縁層の上に形成された第2の導電性シートをさらに含み得る。
抵抗器部品は、第1の厚膜部品と接触しかつ第1電気接点と第2の電気接点との間に位置決めされた第1の導電性シートの残りの第3の部分と接触する第2の電気的絶縁層を通って延びるいくつかの熱伝導性部材をさらに含み得る。さらに、熱伝導性シートがいくつかの熱伝導性部材に電気的に接触する第2の電気的絶縁層の上に形成され、かつ第2の導電層から電気的に絶縁され得、第1の導電性シートの第3の部分、いくつかの熱伝導性部材、および熱伝導性シートは厚膜抵抗器部品用の放熱器を形成する。
厚膜抵抗器部品を形成する方法は、基板の上に厚膜抵抗器材料をパターン化する工程と、その第1の端部に沿って抵抗材料内へと延びる端子部分を有する第1の導体を形成する工程と、その第2の端部に沿って抵抗材料に延びる端子部分を有する第2の導体を形成する工程と、抵抗材料に対して第1および第2の導体の端子部分を位置決めしてその間に所望の抵抗値の厚膜抵抗器部品を定める工程とを含み得る。
第1の導体を形成する工程は、その端子部分がその第1の端部に沿って抵抗材料内へと延び、その第2の端部で終端する第1の導体を形成する工程を含み得、第2の導体を形成する工程は、その端子部分がその第3の端部に沿って抵抗材料内へと延び、その第4の端部で終端する第2の導体を形成する工程を含み得る。抵抗材料の第1の端部はその第2の端部と同じであり得、抵抗材料の第3の端部はその第4の端部と同じであり得る。
第1の導体を形成する工程は、その端子部分がその第1の端部に沿って抵抗材料内へと延び、その第2の端部に沿って抵抗材料を出て行く第1の導体を形成する工程を含み得る。第2の導体を形成する工程は、その端子部分がその第3の端部に沿って抵抗材料内へと延び、その第4の端部に沿って抵抗材料を出て行く第2の導体を形成する工程を含み得る。抵抗材料の第1の端部はその第2の端部と同じであり得、抵抗材料の第3の端部はその第4の端部と同じであり得る。
抵抗材料の第1の端部は第2の端部の反対であり得、抵抗材料の第3の端部は第4の端部の反対であり得、第1および第2の端部は各々第3および第4の端部に隣接している。
厚膜抵抗器材料は抵抗性セラミック材料から形成され得、本方法は第1および第2の導体の端子部分をある大きさにして厚膜抵抗器材料の熱膨張係数と第1および第2の導体の端子部分の熱膨張係数との間の不適合から生じる応力を最小化する工程をさらに含み得る。
厚膜抵抗器部品は、相互に隣接して位置決めされた長端部を有する複数の長脚部と、複数の長脚部の1つ置きの終端部を共に接続して、得られた複数の長脚部の隣接する対が各々閉鎖端および開放端を有する複数の短脚部とを備えた蛇行状で基板上に形成された厚膜抵抗器材料を含み得る。第1の抵抗器区間が厚膜抵抗器材料から基板上に形成され得、複数の長脚部の隣接する対をその対応する開放端において共に接続し得る。第1の抵抗器区間は選択的に開回路になって厚膜抵抗器部品の抵抗値を徐々に調整するように構成され得る。この抵抗器部品は、各々厚膜抵抗器材料から基板の上に形成され、かつ複数の長脚部の隣接する対の異なる対をその対応する開放端において共に接続する複数の第1の抵抗器区間をさらに含み得、複数の第1の抵抗器区間の各々は選択的に開回路になって厚膜抵抗器部品の抵抗値を徐々に調整するように構成され得る。
抵抗器部品は、厚膜抵抗器材料から基板上に形成されかつ長端部に沿ってその開放端と閉鎖端との間で複数の長脚部の隣接する対を共に接続する第2の抵抗器区間をさらに含み得る。第2の抵抗器区間は選択的に開回路になって厚膜抵抗器部品の抵抗値を徐々に調整するように構成され得る。この抵抗器部品は各々厚膜抵抗器材料から基板の上に形成され、かつ複数の長脚部の隣接する対の選択された対を長端部に沿ってその開放端と閉鎖端との間で共に接続する複数の第2の抵抗器区間をさらに含み得、複数の第2の抵抗器区間の各々は選択的に開回路になって厚膜抵抗器部品の抵抗値を徐々に調整するように構成される。
この抵抗器部品は、複数の長脚部の最初の1つの開放端内へと延びる端子部分を有する第1の導体と複数の長脚部の別の1つの開放端内へと延びる端子部分を有する第2の導体とをさらに含み得、この厚膜抵抗器部品は第1および第2の導体の端子部分の間の抵抗値を定める。
厚膜抵抗器部品が、相互に隣接して位置決めされた長端部を有する複数の長脚部と、複数の長脚部の1つ置きの終端部を共に接続して、得られた複数の長脚部の隣接する対が各々閉鎖端および開放端を有する複数の短脚部とを備えた蛇行状で基板上に形成された厚膜抵抗器材料を含み得る。第1の抵抗器区間が厚膜抵抗器材料から基板上に形成され得、複数の長脚部の隣接する対をそれらの長端部に沿ってその対応する開放端と閉鎖端との間で共に接続し得る。第1の抵抗器区間は選択的に開回路になって厚膜抵抗器部品の抵抗値を徐々に調整するように構成され得る。この抵抗器部品は、各々厚膜抵抗器材料から基板の上に形成され、かつ複数の長脚部の隣接する対の選択された対をそれらの長端部に沿って、その開放端と閉鎖端との間で共に接続する複数の第1の抵抗器区間をさらに含み得、複数の第1の抵抗器区間の各々は選択的に開回路になって厚膜抵抗器部品の抵抗値を徐々に調整するように構成される。
抵抗器部品は、厚膜抵抗器材料から基板上に形成されかつ複数の長脚部の隣接する対をその開放端において共に接続する第2の抵抗器区間をさらに含み得る。第2の抵抗器区間は選択的に開回路になって厚膜抵抗器部品の抵抗値を徐々に調整するように構成され得る。この抵抗器部品は、各々厚膜抵抗器材料から基板の上に形成され、かつ複数の長脚部の隣接する対の異なる対をその対応する開放端において共に接続する複数の第2の抵抗器区間をさらに含み得、複数の第2の抵抗器区間の各々は選択的に開回路になって厚膜抵抗器部品の抵抗値を徐々に調整するように構成される。
この抵抗器部品は、複数の長脚部の最初の1つの開放端内へと延びる端子部分を有する第1の導体と複数の長脚部の最後の1つの開放端内へと延びる端子部分を有する第2の導体とをさらに含み得、この厚膜抵抗器部品は第1および第2の導体の端子部分の間の抵抗値を定める。
本発明のこれらおよび他の特徴は例示的実施形態の以下の説明からさらに明らかとなろう。
ここで図1A〜1Fを参照すると、多層回路基板上に形成された低値厚膜抵抗器部品50の一実施形態の種々の処理段階の断面図が示されている。図示の工程では、厚膜部品54が図1Aに示したような導電性シート52に付着された第1の表面を有するように、厚膜材料が導電性シートすなわちストリップ52の上に知られた方法で堆積、印刷、成長、または形成されている。例示として、導電性シート52は銅(Cu)、銅化合物、あるいは他の知られた導電性材料あるいはいくつかの導電性材料から形成されてよい。どの場合でも、得られる厚膜抵抗器14は第1の端部56および対向する第2の端部58を定める。厚膜抵抗器材料が厚膜材料の露出面の上に堆積、印刷、または形成され、厚膜部品54を形成し、厚膜部品54の周縁部の周りで導電性シート52の上面と接触して厚膜抵抗器60を形成している。抵抗器60の第1の端部62は厚膜部品54の第1の端部56に隣接するシート52と接触し、かつ該シート52に付着されており、抵抗器60の対向する第2の端部64は厚膜部品54の第2の端部58に隣接するシート52と接触し、かつ該シート52に付着されている。厚膜抵抗器60は厚膜部品54の全露出面にさらに付着されている。
図1Bに示すように、電気的絶縁膜20は任意には、厚膜抵抗器60の露出面上で、厚膜部品54および厚膜抵抗器60の組み合わせの周縁部の周りで導電性シート52の上面と接触してた状態で堆積、印刷、または形成され得る。膜20の第1の端部22は、含まれている場合には、厚膜抵抗器60の第1の端部66に隣接するシート52に接触し、かつ該シート52に付着され、膜20の対向する第2の端部24は厚膜抵抗器60の第2の端部64に隣接するシート52に接触し、かつ該シート52に付着され、膜20は厚膜抵抗器60の全露出面にさらに付着されている。
第1の電気的絶縁層26は、厚膜抵抗器60、厚膜部品54、導電性シート52、および図1Bに示したように含まれる場合には電気的絶縁膜20の組み合わせの上に形成されている。層26は、導電性シート52の露出面のほか厚膜抵抗器54の露出面の領域54(または膜20を含む実施形態では、膜20に)付着されている。一実施形態では、第1の電気的絶縁層26は知られた形成可能なフレキシブル回路基板材料であり、その例は限定するものではないがFR4であってよい。別の場合には、層26は硬化して剛性のある回路基板材料を形成する知られた形成可能な材料であってよく、その例は限定するものではないが、非導電性の強固に形成可能なエポキシであってよい。
図1Cに示すように、導電性シート52の一部が、シート52の残りの部分52Cおよび52A各々の壁66および68に隣接する厚膜部品54の第1の表面の一部がシート52のセクション52Bがその間に残っている状態で露出されるように、厚膜部品54に隣接して選択的に除去される。記載のようにシート52の一部を厚膜部品54に隣接して選択的に除去することは、任意のいくつかの知られた技術に従って達成されてよく、例えば、その例には限定するものではないが、知られた化学エッチング剤を用いたエッチング、ミリング等を含むことができる。どの場合でも、壁68に隣接する残りのシート52の一部52Aは、端部58に隣接する厚膜部品54および端部64に隣接する厚膜抵抗器60と接触した状態のままで一部52Aとの第1の電気接点を形成し、壁66に隣接する残りのシート52の一部52Cは、端部56に隣接する厚膜部品54および端部62に隣接する厚膜抵抗器60と接触した状態のままで一部52Cとの第2の電気接点を形成し、シート52の一部52Bは厚膜部品54の第1の表面に付着され、厚膜部品54の第1の表面の一部は図示のようなシート部分52A、52B、および52Cの間に露出されている。厚膜抵抗器の値が第1の電気接点と第2の電気接点との間で確立される。
図示の実施形態では、厚膜抵抗器60は検出抵抗器として使用するのに適した低値抵抗器であり、典型的には1Ω未満の抵抗値を有してよいが、さらに高い抵抗値が想起される。この実施形態では、抵抗器60を製造するのに用いられる抵抗材料は高い金属含有量を有し得る。具体的な一実施形態では、例えば、抵抗器60は、銀パラジウム(AgPd)約100〜85%〜SiO2約0〜15%の間で形成されて、数オーム以下の抵抗値を有する抵抗器を形成する。厚膜抵抗器60を製造するのに用いられる抵抗材料が十分に高い金属含有量を有する実施形態および化学エッチング剤を用いて記載のような厚膜部品54に隣接する導電性シート52の一部を選択的に除去する実施形態では、そのような抵抗器はこの化学エッチング剤と反応し得るので、したがって、厚膜抵抗器60が別の方法で導電性シート52の表面上に直接形成される場合にはエッチングされ易い。そのような実施形態では、厚膜部品54は図1A〜1Fに示したようにシート52と厚膜抵抗器60との間に形成され、この場合、厚膜部品の材料組成は、それが導電性シート52の一部を選択的に除去するのに用いられる化学エッチング剤と反応しないように、故に化学エッチング剤によってエッチングされないように、かつそれが厚膜抵抗器60の抵抗値を実質的に変化させないように選択される。抵抗値調整放射線、例えばレーザなどを用いて厚膜抵抗器60の値を選択的に調整することが望ましい厚膜抵抗器部品50の実施形態では、厚膜部品54の材料組成は抵抗値調整放射線がそこを通過することができるようにさらに選択されてよい。したがって、記載のように導電性シート52と低値厚膜抵抗器60との間に形成された厚膜部品54は遮蔽物として働いて、導電性シート52の一部を選択的に除去するのに用いられる化学エッチング剤から厚膜抵抗器60を分離かつ保護する。
一実施形態では、厚膜部品54を形成する材料は、知られた方法でシート52の上に堆積、印刷、成長、または形成されてよく、かつ導電性シート52の一部を選択的に除去するのに用いられる化学エッチング剤と反応しないSiO2、SiN4、ポリイミドまたは他の電気的絶縁材料などの電気的絶縁材料であってよい。この実施形態では、厚膜部品54を形成する電気的絶縁材料は厚膜抵抗器60の抵抗値に全体的に影響を及ぼさず、そのようないずれの電気的絶縁材料も、厚膜抵抗器部品50の構造および動作に悪影響を及ぼすことなく、厚膜抵抗器60を調整する際に抵抗値調整放射線を用いて選択的に除去することができる。
別の実施形態では、厚膜部品54を形成する厚膜材料は、それが導電性シート52の複数の部分を選択的に除去するのに用いられる化学エッチング剤と反応しないように十分に低い金属含有量を有するポリマーベースの抵抗材料または他の知られた抵抗材料などの別の抵抗材料であってよい。したがって、この場合、厚膜部品54は、導電性シート52の残りの部分52Aによって形成された第1の電気接点と電気的に接触する一端部64と、導電性シートの残りの部分52Cによって形成された第2の電気接点と電気的に接触する対向する端部62と、厚膜抵抗器60の底面に付着かつ電気的に結合された上面とを有する第2の厚膜抵抗器となるので、得られる厚膜抵抗器部品50は抵抗器54および60が並列に組み合わされたものになる。厚膜抵抗器60の抵抗値に実質的に影響を及ぼさないようにするために、この実施形態では、第2の厚膜抵抗器54を形成するのに用いられる抵抗材料を、第2の厚膜抵抗器54の抵抗値が第1の厚膜抵抗器60の抵抗値よりも実質的に大きくなるように選択または構成されることが好ましい。この実施形態では、第2の厚膜抵抗器54からの抵抗材料は、厚膜抵抗器部品50の構造および動作に悪影響を及ぼすことなく、厚膜抵抗器60を調整する際に抵抗値調整放射線を用いて選択的に除去することができる。
上記の例示的な例のいずれにおいても、使用される抵抗材料の1つまたは複数の部分を選択的に除去することによって厚膜抵抗器60の値を調整して、知られた方法で抵抗器60を形成することができる。さらに図1Cに示すように、例えば、1対の放射線発生装置32Aおよび32B、例えばレーザが、抵抗値調整放射線34Aおよび/または34Bを厚膜部品54を通して厚膜抵抗器60の1つまたは複数の選択された部分に制御可能に直接導き、そこから抵抗材料を知られた方法で除去し、かつそれにより抵抗器60の値を制御可能に調整するように構成され得る。
第2の電気的絶縁層36は図1Dに示したように、厚膜部品54の露出した第1の側および導電性シート部分52A、52Bおよび52Cの露出した下部側の上に形成され、第2の導電性シート38は第2の電気的絶縁層36の上に形成され得る。他の回路支持層および/または導電層が図1A〜1Dに示した厚膜抵抗器部品50にさらに加えられて、当該分野で知られた回路またはサブ回路を完成することができる。どの場合でも、層36は厚膜部品50の露出した第1の表面および導電性シート52の露出した下部側に付着される。一実施形態では、第2の電気的絶縁層36は第1の電気的絶縁層26と同じものであり、知られた形成可能なフレキシブル回路基板材料であり、その例は限定するものではないがFR4であってよい。別の場合には、層36は硬化して剛性のある回路基板材料を形成する知られた形成可能な材料であってよく、その例は限定するものではないが、非導電性の強固に形成可能なエポキシであってよい。
図1B〜1Fに示した実施形態では、含まれる場合には電気的絶縁膜20の材料組成はいくつかの機能のいずれか1つまたはその組み合わせを達成するように選択され得る。例えば、厚膜抵抗器60、厚膜部品50および/または第1の電気的絶縁層26の材料組成に応じて、抵抗器14と層26との間の接着性を促進するように膜20の材料組成を選択することが好ましいであろう。そのような膜20はE.I.DuPont De Nemurs&Co.,によって開発されたポリマーとセラミックビードの組み合わせから形成されてよく、そのような接着促進性を与えることがわかっている。当業者であれば、膜20の形成に用いるのに適した他の接着促進組成物に気付くであろうし、そのような他の組成物は、少なくとも部分的には、厚膜抵抗器60、厚膜部品50、および/または第1の電気的絶縁材料26の材料組成によって、かつ場合によっては得られる製造物の製造環境および/または動作環境によって一般に決定されるであろうことを認識されよう。電気的絶縁膜20の接着促進組成物のいずれも本願明細書に添付の特許請求の範囲に含まれることが意図される。
また厚膜抵抗器60、厚膜部品50および/または第1の電気的絶縁層26の材料組成に応じて、抵抗器60を支持して抵抗器への応力を緩和するように膜20の材料組成を選択することが好ましいであろう。例えば、厚膜抵抗器60、厚膜部品50、および第1の電気的絶縁層26が可撓性部品である実施形態では、抵抗器60を支持して抵抗器への応力を緩和するように膜20を調整することが好ましいであろう。また、そのような支持および応力緩和を提供する膜20の1つの調整は上記のE.I.DuPont De Nemurs&Co.,によって開発されたポリマーとセラミックビードの組み合わせである。当業者であれば、厚膜抵抗器60を支持しそれへの応力を緩和する膜20の形成に用いるのに適した他の組成物に気付くであろうし、そのような他の組成物は、少なくとも部分的には、厚膜抵抗器60、厚膜部品50、および/または第1の電気的絶縁材料26の材料組成によって、かつ場合によっては得られる製造物の製造環境および/または動作環境によって一般に決定されるであろうことを認識されよう。そのような電気的絶縁膜20の他の組成物のいずれも本願明細書に添付の特許請求の範囲に含まれることが意図される。
厚膜抵抗器60の値が抵抗値調整放射線、例えばレーザを用いて調整すなわち「トリミング」される実施形態では、抵抗器60を通過する放射線のすべて、ならびにそれによって生じるすべての熱を、第1の電気的絶縁層26の方向に向きを変えるか、または吸収するように、膜20の材料組成を選択することがさらに好ましいであろう。これにより第1の電気的絶縁層26およびそこに含まれた任意の回路構成への損傷を回避することができる。この説明のために、以降では「放射線阻止」という用語を用いて、放射線源32Aおよび32Bによって生じる放射線およびそれによって生じるすべての熱の向きを変えるか、吸収することができ、したがって放射線および熱が膜20を通って第1の電気的絶縁層に入るのを阻止することができる電気的絶縁膜20の特性を説明する。また、そのような放射線阻止を提供する膜20の1つの調整は上記のE.I.DuPont De Nemurs&Co.,によって開発されたポリマーとセラミックビードの組み合わせである。当業者であれば、そのような放射線阻止特性を提供する膜20の形成に使用するのに適した他の組成物に気付くであろうし、そのような他の組成物は、少なくとも部分的には、厚膜抵抗器60、厚膜部品50、および/または第1の電気的絶縁材料26の材料組成によって、また放射線源32Aおよび32B各々によって生成される放射線34Aおよび34Bの強度および波長によって一般に決定されるであろうことを認識されよう。そのような電気的絶縁膜20の他の組成物のいずれも本願明細書に添付の特許請求の範囲に含まれることが意図される。
いくつかの用途では、抵抗器部品50が相当な量の出力を消散することが必要となることもあり、結果的にこれにより熱が生まれる。したがって、抵抗器部品50に放熱器構造体を提供して抵抗器部品50によって生じる熱を放散させることが好ましいかもしれず、そのような放熱器構造体の一実施形態を製造するある工程を図1E〜1Fに示している。図1Eを参照すると、第2の導電性シート38のいくつかの部分およびこれに対応する第2の電気的絶縁層36の下部部分が除去されて、第1の導電性シート52Bの残りの第3の部分52Bへと延びるウェル、ボア、またはバイア74A〜74Eを形成している。ウェル、ボア、またはバイア74A〜74Eは、限定するものではないが、例えば化学的エッチング、マイクロマシニング等を含む従来の技術を用いて形成することができる。第2の電気的絶縁層36のいくつかの壁状部分がそれによって定められる。例えば、図1Eに示したそのような4つの壁状部分は、第2の導電性シート38の残りの部分38C〜38Fによって覆われている。第2の導電性シート38の残りの部分から放熱器構造体を絶縁するために、第2の導電性シート38の複数の部分はウェル74Aおよび74E各々に隣接して除去されて、壁72で終端する第1の部分38A、壁70で終端する第2の部分38H、壁74Aおよび74Eに各々隣接する2つの覆い部分38Bおよび38Gがそれぞれ得られる。
図1Fを参照すると、熱伝導性部材がウェル、ボア、バイア74A〜74E各々の中に第1の導電性シート52Bの第3の部分と熱的に接触した状態で形成されている。この熱伝導性部材は従来の技術を用いて形成することができ、導電性シート52および38を形成するのに用いられる材料と同じであってよいが、別の場合には他の知られた熱伝導性材料を用いて熱伝導性部材を形成することもできる。どの場合でも、次いで熱伝導性シート78が、熱伝導性部材の上にそれと熱的に接触した状態で形成され、この場合、熱伝導性シート78は、それぞれ第2の導電性シート38の第2の部分38Hおよび第1の部分38Aの壁70および72に隣接しているが離間された状態で、壁80および82で各々終端する。図示の実施形態では、熱伝導性シート78は第2の導電性シート38を形成するのに用いられるものと同じ材料で形成されるので、熱伝導性シート78は図1Fでは一体構造として示されている。別の場合には、他の知られた熱伝導性材料を用いて熱伝導性シート78を形成することができ、この場合、そのような他の熱伝導性材料は、第2の導電性シート38の部分38B〜38Gに付着できるか、またはそれと結合でき、あるいはさらに別の場合には、熱伝導性シート78を形成する前に部分38B〜38Gを除去することもできる。どの場合でも、熱伝導性シート78はその間に形成された熱伝導性部材を介して第1の導電性シート52の第3の部分52Bと熱的に接触し、これによって厚膜抵抗器部品50から熱を引出すように動作可能な放熱器構造体を提供する。
ここで図2A〜2Dを参照すると、いくつかの異なる厚膜抵抗器構成の平面図が示されており、それとの端子接続の種々の実施形態を示している。図2Aでは、例えば、厚膜抵抗器100の一実施形態は、そのための知られた技術を用いて知られた抵抗材料から矩形状に基板上に形成された抵抗器パターン102を含む。抵抗器パターン102は第1の端部104、第1の端部104の反対側でそれに平行である第2の端部106、およびその間に延在する概ね平行な端部を定める。第1の電気導体108は抵抗器パターン102へ延びる第1の部分108Aと、端部104に平行な端部の1つに沿って抵抗器内へと延びて端部104と平行な反対側の端部にて終端する第2の端子部分108Bとを有する。同様に、第2の電気導体110は抵抗器パターン102へ延びる第1の部分110Aと、端部106に平行な端部の1つに沿って抵抗器内へと延びて端部106と平行な反対側の端部にて終端する第2の端子部分110Bとを有する。端子部分108Bおよび110Bは抵抗器パターン102の同じ端部内へと延び、全体的に相互の方に向いてそれらの個々の端部104および106から離れた角度であり、その間の抵抗器100の値を定める。別の場合に、端子部分108Aおよび108Bは、端部104および106に平行な反対側の端部を越えて延びてよい。どの場合でも、厚膜抵抗器100は知られた技術を用いて値を調整、すなわち「トリミング」することができる。そのような技術の一例は、抵抗値調整放射線、例えばレーザトリミングを用いたものであり、適した抵抗値調整放射線源(図示せず)からの放射線は、例えば矢印112で示した方向および場所に向かって抵抗器パターン102まで導かれ得る。単なる説明として、図2Aに示した抵抗器100の例示的寸法は:抵抗器パターン102=30×50ミル、端子108および110=幅5ミル、ならびに端子108および110の上部部分とそれに対応する抵抗器パターン側104および106との間隔=7ミルであってよい。しかし、そのような寸法は用途に応じて異なってよく、そのようなどの代替的寸法も添付の特許請求の範囲に含まれることが理解されよう。
図2Bに厚膜抵抗器120の別の例示的実施形態を示しており、そのための知られた技術を用いて知られた抵抗材料から概ね矩形状に基板上に形成された抵抗器パターン122を含む。抵抗器パターン122は、各々抵抗器パターンの一端部130内へと延びて抵抗器パターン122内でチャネル端部124Aおよび126Aでそれぞれ終端する1対の平行な切欠きすなわちチャネル124および126を定める。端部130はチャネル126から離れる方にチャネル124を越えて第1の端部128まで延び、同じく、チャネル124から離れる方にチャネル126を越えて端部126と反対側の第2の端部132まで延びる。端部130と反対側の第4の端部は端部130に対して概ね平行に、端部128と132との間に延び、チャネル124と126との間に位置決めされたV字状の切欠き「N」を定める。第1の電気導体134は、端部128とチャネル124との間の端部130へと延びる第1の部分134Aと、端部128に対して概ね平行な方向に抵抗器パターン122内へと延びる第2の端子部分134Bとを有する。同様に、第2の電気導体136は、端部132とチャネル126との間の端部130へと延びる第1の部分136Aと、端部132に対して概ね平行な方向に抵抗器パターン122内へと延びる第2の端子部分136Bとを有する。端子部分134Bおよび136Bは抵抗経路と、チャネル124および126各々の端子端部124Aおよび126Aの概ね周囲を通されるその端子間の抵抗値とを定める。厚膜抵抗器120は知られた技術を用いて値を調整すなわち「トリミング」することができる。そのような技術の一例は、抵抗値調整放射線、例えばレーザトリミングを用いたものであり、適した抵抗値調整放射線源(図示せず)からの放射線は矢印138で示した方向に向かって、例えばV字状の切欠き「N」まで導かれ得る。単なる説明として、図2Bに示した抵抗器120の例示的寸法は:抵抗器パターン122=70×85ミル、チャネル124および126=10.5×58ミル、切欠きN=開放端の幅10ミル×深さ5ミル、ならびに端子134および136=幅5ミルおよび抵抗器パターン122への深さ12ミルであってよい。しかし、そのような寸法は用途に応じて異なってよく、そのようなどの代替的寸法も添付の特許請求の範囲に含まれることが理解されよう。
図2Cに厚膜抵抗器140のさらなる例示的実施形態を示しており、そのための知られた技術を用いて知られた抵抗材料から概ね矩形状に基板上に形成された抵抗器パターン142を含む。抵抗器パターン142は、抵抗器パターン142の一端部内へと延びて抵抗器パターン142内で概ね平行なチャネル端部146および150でそれぞれ終端するチャネルすなわち切欠き部分144を定める。抵抗器パターン142の一端部148は端部146および160に対して概ね平行であり、端部148の反対側の第2の端部152は端部146、148および150に対して概ね平行である。チャネル144の端子端部と反対側の第4の端部は端部148と152との間に延在する。第1の電気導体154は端部146と148との間で抵抗器パターン142へと延びる第1の部分154Aと、端部146および148に対して概ね平行な方向に抵抗器パターン142内へと延びる第2の端子部分154Bとを有する。同様に、第2の電気導体156は端部150と152との間で抵抗器パターン142へと延びる第1の部分156Aと、端部150および152に対して概ね平行な方向に抵抗器パターン142内へと延びる第2の端子部分156Bとを有する。端子部分154Bおよび156Bは抵抗経路と、チャネル144の概ね周囲を通されるその端子間の抵抗値とを定める。厚膜抵抗器140は知られた技術を用いて値を調整すなわち「トリミング」することができる。そのような技術の一例は、抵抗値調整放射線、例えばレーザトリミングを用いたものであり、適した抵抗値調整放射線源(図示せず)からの放射線は、例えば矢印158で示した方向および場所に向かって、抵抗器パターン142まで導かれ得る。単なる説明として、図2Cに示した抵抗器140の例示的寸法は:抵抗器パターン142=50×50ミル、チャネル144=20×30ミル、ならびに端子154および156=幅5ミルおよび抵抗器パターン142への深さ10ミルであってよい。しかし、そのような寸法は用途に応じて異なってよく、そのようなどの代替的寸法も添付の特許請求の範囲に含まれることが理解されよう。
図2Dに、厚膜抵抗器160のさらに別の例示的実施形態を示しており、そのための知られた技術を用いて知られた抵抗材料から概ね矩形状に基板上に形成された抵抗器パターンを含む。この抵抗器パターンは第1の端部162、第1の端部162と反対側の第2の端部164、ならびに端部162および164に延びる、対向して概ね平行な1対の端部166および168を定める。端部166は端部162および164からほぼ等距離に位置決めされたV字状の切欠き「N」を定める。第1の電気導体180は端部164に沿って抵抗器パターンへと延びる第1の端子部分182と、端部168に沿って抵抗材料から出て行く第2の端子部分184とを有する。同様に、第2の電気導体186は端部162に沿って抵抗器パターンへと延びる第1の端子部分188と、端部166に沿って抵抗材料から出て行く第2の端子部分190とを有する。電気導体180は端子部分182と184との間で直角を成し、電気導体186は端子部分188と190との間で直角を成すが、別の場合には、端子部分182および184ならびに/または端子部分188および190は相互に対して他の角度または曲率で形成されてよいことが理解されよう。電気導体180および186の端子部分は、矢印192および194の方向に概ね沿ってその端子間で抵抗経路と抵抗値とを定める。厚膜抵抗器160は知られた技術を用いて値を調整すなわち「トリミング」することができる。そのような技術の一例は、抵抗値調整放射線、例えばレーザトリミングを用いたものであり、適した抵抗値調整放射線源(図示せず)からの放射線は、例えば矢印170で示した方向にV字状の切欠き「N」内へと抵抗器パターンまで導かれ得る。単なる説明として、図2Dに示した抵抗器160の例示的寸法は:抵抗器パターン162=30×40ミル、切欠きN=開放端の幅10ミル×深さ5ミル、ならびに端子184および166=幅5ミルであってよい。しかし、そのような寸法は用途に応じて異なってよく、そのようなどの代替的寸法も添付の特許請求の範囲に含まれることが理解されよう。
厚膜抵抗器100、120、140、および160のいずれかを形成するのに用いられる抵抗材料の材料組成、ならびにそれらに対する電気導体を形成するのに用いられる導電性材料に応じて、2つの材料の熱膨張係数(CTE)に差があるために、結果としてその間には不所望の応力が生じる恐れがある。このような応力は、例えば、厚膜抵抗器100、120、140、および160がセラミックベースの抵抗材料から形成され、かつそれに対応する電気導体が銅(Cu)、アルミニウム(Al)、および/またはそれらの合金から形成される実施形態において生じる得る。当業者であれば、CTEの不適合から生じる不所望の応力をその間に引き起こす他の抵抗材料および電気導体の組成の組み合わせに気付くであろう。そのような場合、電気導体の厚膜抵抗器材料の熱膨張係数と端子部分の熱膨張係数との間の不適合から生じる応力を最小にするように電気導体の端子部分を適した大きさにすることが好ましい。一般に、電気導体の端子部分をそのように適した大きさにすることは、適した場合および可能な場合に、長さおよび/または幅を最小化して電気導体と抵抗器パターンとの間の界面を定める総表面積を最小化することによって達成され得る。しかし、当業者であれば、電気導体の端子部分の最小の長さおよび/または幅は、限定するものではないが、抵抗器の電流消散要件、抵抗器の所望の値、等を含むいくつかの要因によって一般に制限されるであろうことを認識するであろう。
図2A〜2Dに示した厚膜抵抗器の実施形態に関し、単純または比較的単純な抵抗器パターンを用いて、抵抗器パターンに対する電気導体および/またはその端子部分の位置を調整するだけで幅広い抵抗値が可能であるように、電気導体の端子部分を構成することがさらに好ましいであろう。例えば、図2Dに示した厚膜抵抗器実施形態160に関し、概ね「L」字状の電気導体180および186によって、方向を示す矢印192および194によって示すように抵抗器パターンおよび相互に対するそれらの位置を調整して、図2Dに示した単純な矩形の抵抗器パターンを用いて幅広い範囲の抵抗値を提供することが可能となる。抵抗器160を定める抵抗器パターンに対する電気導体180の位置を、矢印192で示した方向に電気導体186に向かってかまたはそこから離れる方へかのいずれかに動かすことによって、かつ/または抵抗器160を定める抵抗器パターンに対する電気導体186の位置を、矢印194で示した方向に電気導体180に向かってかまたはそこから離れる方へかのいずれかに動かすことによって、単純な矩形の抵抗器パターンを変えることなくいくつかの異なる抵抗値が可能である。同様に、図2Dの抵抗器100を定める抵抗器パターン102に対する電気導体108の端子部分108Aの位置を、電気導体110の端子部分110Aに向かってかまたはそこから離れる方へかのいずれかに動かすことによって、かつ/または抵抗器100を定める抵抗器パターン102に対する電気導体110の端子部分110Aの位置を、電気導体108の端子部分108Aに向かってまたはそこから離れる方へかのいずれかに動かすことによって、単純な矩形の抵抗器パターン102を変えることなくいくつかの異なる抵抗値が可能である。図2Bおよび2Cに示したものなどの少し複雑な抵抗器パターンに関し、相互に対するかつ/または対応する抵抗器パターン122および142各々に対して電気導体134、136、154、および156の端子部分を位置決めすれば、図2Aおよび2Dに示したものなどのより単純な抵抗器パターンを用いて、使用可能な調整よりも弱いが、対応する抵抗値をいくらか調整することが可能となる。
ここで図3を参照すると、蛇行状に形成され、かつ抵抗値を徐々に調整するために選択的に形成された付加的な抵抗器材料区間を含む厚膜抵抗器の例示的実施形態200の平面図が示されている。厚膜抵抗器200は、相互に隣接して位置決めされた長端部を有する複数の長脚部と、複数の長脚部の1つ置きの終端部を共に接続して、得られた複数の長脚部の隣接する対が各々閉鎖端および開放端を有するような複数の短脚部とを備えた蛇行状で、知られた材料組成の厚膜抵抗器材料202から基板上に形成される。図示の実施形態では、例えば、抵抗器200は相互に対して実質的に平行に位置決めされた10本の長脚部204A〜204Jを含むが、当業者であれば1つまたは複数の長脚部204A〜204Jは平行でなくてよく、その代わりに、単に隣の長脚部に隣接して任意の所望の構成で位置決めされてよいことを認識されよう。5本の短脚部206A〜206Eは隣接する長脚部の対の端部を接続する。例えば、短脚部206Aは隣接する長脚部204Aおよび204B等の端部を接続するので、これら長脚部の隣接する対が、例えば短脚部206A〜206Eが形成される場合には閉鎖端および対向する開放端、例えば短脚部206A〜206Eの反対側の長脚部の端部を有する。4本の付加的な短脚部208A〜208Dは隣接する長脚部の1つ置きの対を接続する。例えば、短脚部208Aは隣接する長脚部204Bおよび204C等の端部を接続するので、これらの長脚部の1つ置きの隣接する対は、短脚部208A〜208Eが形成される場合には、閉鎖端および対向する開放端、例えば短脚部208A〜208Eの反対側の長脚部の端部を有する。
図示の実施形態では、第1の電気導体210Aの端子部分は長脚部204Aの最初の1つの開放端208E内へと延びて抵抗器200の第1の電気接点すなわち端子を形成する。同様に、抵抗器200が第1および第2の電気導体210Aおよび210Bの端子部分の間で抵抗値を定めるように、第2の電気導体210Bの端子部分は長脚部204Jの最後の1つの開放端208F内へと延びて抵抗器200の第2の電気接点すなわち端子を形成する。当業者であれば、抵抗器端子のいずれかは代替的には長脚部204A〜204Jのいずれかの開放端または閉鎖端において、あるいは短脚部206A〜206Eまたは208A〜208Dのいずれかにおいて定められてよく、また抵抗器端子のいずれかのそのような代替的位置決めはいずれも添付の特許請求の範囲に含まれることを認識するであろう。
厚膜抵抗器200は、抵抗器の長脚部の1つまたは複数の隣接する対の開放端を接続するいくつかの第1の抵抗器区間をさらに含む。図示の例では、そのような5つの抵抗器区間212A〜212Eは各々隣接する長脚部対204A〜204B、204C〜204D、204E〜204F、204G〜204Hおよび204I〜204Jの開放端を接続するように配置されている。抵抗器200に含まれた第1の抵抗器区間の数は、1から抵抗器の長脚部の隣接する対によって定められる開放端の数間で変わり得ることを理解されたい。図3には厚膜抵抗器200の1つの側にすべてが配置されたものとしていくつかの第1の抵抗器区間を示しているが、例えば、長脚部204B〜204C、204D〜204E、204F〜204Gおよび204H〜204Iの隣接する対のいずれか1つまたは複数の開放端を接続するために、第1の抵抗器区間の1つまたは複数は代替的または付加的には抵抗器200の反対側に形成されてよいことをさらに理解されたい。
いくつかの第1の抵抗器区間212A〜212Eの数のいずれも、長脚部のどの隣接する対よりも少ないそこを通る抵抗経路を定める。したがって、開放端が第1の抵抗器区間212A〜212Eの1つによって接続された抵抗器の長脚部の隣接する対のいずれかが、第1の抵抗器区間が存在しない場合よりも小さな抵抗を定める。図3に示した実施形態では、例えば、厚膜抵抗器200の値は最初は区間212A〜212Eを通して定められ、この値は区間212A〜212Eがない場合に脚部204A〜204Jおよび206A〜206Eを通して定められるであろう抵抗器200の値よりも実質的に小さい抵抗値になり得る。いくつかの第1の抵抗器区間、例えば、212A〜212Eの各々は、選択的に開回路になって抵抗器200の抵抗値を徐々に調整するように構成される。最初のいくつかの厚膜抵抗器区間、例えば212A〜212Eの1つまたは複数を開回路にするために任意の知られた技術を用いてよく、一実施形態では、抵抗値調整放射線源を用いて制御可能に加えられる抵抗値調整放射線、例えば、レーザを用いて抵抗器区間212A〜212Eの最初のいくつかのうち選択されたいくつかの一部を切断することにより、抵抗器200の抵抗値を徐々に調整する。
図示の実施形態では、いくつかの第1の抵抗器区間212A〜212Eの各々は、短い区間216A〜216Eおよび218A〜218Eを介して、隣接する長脚部対の1つに対応する各々の端部で接続された対応する短脚部206A〜206Eに対して概ね平行に位置決めされた長い区間214A〜214Eを有し、短い区間216A〜216Eおよび218A〜218Eの各々は、それらの対応する長い区間214A〜214Eに対して概ね直交して、かつそれらの対応する隣接する長脚部対に対して概ね平行に配置される。この実施形態では、短い区間216A〜216Eまたは218A〜218Eあるいは長い区間214A〜214Eのいずれかは、知られた厚膜抵抗器の開回路技術を用いて開回路になり得る。例えば、図3に示した実施形態では、抵抗器区間212Eの短い区間218Eは経路C1を通って矢印220の方向に導かれたレーザ放射線を用いて開回路になった状態で示されている。その結果、短脚部208Dから端子210Bへ流れる電流、またはこの逆に流れる電流は次に脚部204I、206Eおよび204Jを通るはずであり、これによって抵抗器200の抵抗値は徐々に増大される。どの場合でも、いくつかの第1の抵抗器区間212A〜212Eのいずれか1つまたは複数は、各々が隣接する長脚部204A〜204Jの適した対の開放端を接続する限り、および各々が知られた厚膜抵抗器の開回路技術を用いて開回路になり得る限り、任意の所望の形状で配置されてよいことを理解されたい。
抵抗器200は、その開放端および閉鎖端のそれらの長端部に沿ってどこかに、抵抗器の長脚部204A〜204Eの隣接する対を接続するいくつかの第2の抵抗器区間をさらに含み得る。図示の例では、そのような2つの抵抗器区間222Aおよび212Bは隣接する長脚部204Iと204Jとの間で接続されて長脚部204Iおよび204J各々を可能な3つの抵抗値に分割する。抵抗器区間212Eが存在しない場合に、抵抗器区間222Aがインタクトであれば、端子210Bおよび短脚部208Dからの抵抗値は脚部204J、区間222Aおよび脚部204Iを通して定められる。しかし、抵抗器区間222Aが、経路2Cを通って矢印224の方向に導かれたレーザ放射線を用いるなどして選択的に開回路になっている場合、端子210Bおよび短脚部208Dからの抵抗値は脚部204J、区間222B、および脚部204Iを通して定められる。最終的に、抵抗器区間222Aおよび222Bの両方が選択的に開回路になっている場合、端子210および短脚部208Dからの抵抗値は脚部204J、脚部206E、および脚部204Iを通して定められる。当業者であれば、任意の数の第2の抵抗器区間が抵抗器の長脚部の隣接する対のいずれか1つまたは複数の間に配置されてよく、その数の第2の抵抗器区間の各々は知られた厚膜抵抗器開放技術を用いて開回路になるように構成されることを認識するであろう。例えば、そのような1つの抵抗器区間226が、隣接する抵抗器の長脚部204Hと204Iとの間で接続された状態で図3に示されており、区間226は最大で2つの異なる抵抗値を抵抗器脚部206Dと206Eとの間に提供するために矢印228で示した方向に沿って導かれた抵抗値調整放射線を用いるなどして開回路にされ得る。別の例として、そのような4つの抵抗器区間230A〜230Dが隣接する長脚部204Gと204Hとの間で接続された状態で図3に示されており、抵抗器区間230A〜230Dのいずれか1つまたは複数は最大で5つの異なる抵抗器値を抵抗器脚部208Dと208Cとの間に提供するために矢印232で示した方向に沿って導かれた抵抗値調整放射線を用いるなどして選択的に開回路にされ得る。抵抗器区間222A〜222B、226、および230A〜230Dの各々は、それらの対応する長脚部対に対して概ね直交し、かつそれらの対応する短脚部に対して概ね平行に配置された状態で図3に示されているが、いくつかの抵抗器区間222A〜222B、226または230A〜230Dのいずれか1つまたは複数は、各々が長脚部の隣接する対をその開放端と閉鎖端との間で共に接続する限り、かつ各々が知られた厚膜抵抗器の開回路技術を用いて開回路にされ得る限り、任意の所望の形状で配置されてよいことを理解されたい。
上記図面および説明において本発明を詳細に記載してきたが、それは例示的なものであり特性の点で限定的なものでないと解釈されるべきであり、その単なる例示の実施形態を示し、記載したものであり、本発明の精神にある変更および変形はすべて保護されることが望ましいことを理解されたい。
多層回路基板上に形成された低値厚膜検出抵抗器の一実施形態の処理段階を示す断面図である。 多層回路基板上に形成された低値厚膜検出抵抗器の一実施形態の処理段階を示す断面図である。 多層回路基板上に形成された低値厚膜検出抵抗器の一実施形態の処理段階を示す断面図である。 多層回路基板上に形成された低値厚膜検出抵抗器の一実施形態の処理段階を示す断面図である。 多層回路基板上に形成された低値厚膜検出抵抗器の一実施形態の処理段階を示す断面図である。 多層回路基板上に形成された低値厚膜検出抵抗器の一実施形態の処理段階を示す断面図である。 図2Aは厚膜抵抗器への端子接続の実施形態を示す厚膜抵抗器構成の平面図である。
図2Bは厚膜抵抗器への端子接続の実施形態を示す厚膜抵抗器構成の平面図である。
図2Cは厚膜抵抗器への端子接続の実施形態を示す厚膜抵抗器構成の平面図である。
図2Dは厚膜抵抗器への端子接続の実施形態を示す厚膜抵抗器構成の平面図である。
蛇行状に形成され、抵抗値を徐々にトリミングするように選択的に形成された付加的な抵抗器材料区間を含んだ厚膜抵抗器の一実施形態を示す平面図である。

Claims (55)

  1. 厚膜抵抗器部品であって、
    第1および第2の対向表面を有する第1の導電性シートと、
    第1および第2の対向表面を有する第1の厚膜部品であり、該第1の厚膜部品の第1の表面は前記第1のシートの第1の表面に付着された第1の厚膜部品と、
    第1および第2の表面を有する第1の厚膜抵抗器であり、該第1の抵抗器の第1の表面は前記第1の厚膜部品の第2の表面と前記第1の厚膜部品に隣接する第1のシートの第1の表面とに付着された第1の厚膜抵抗器と、
    前記第1の厚膜部品と前記第1の抵抗器と前記第1の導電性シートとを組み合わせた上に形成された第1の電気的絶縁層とを備え、
    前記第1のシートの一部は、前記第1のシートの残りの第1の部分が前記第1の抵抗器に対する第1の電気接点を定め、前記第1のシートの残りの第2の部分が前記第1の抵抗器に対する第2の電気接点を定め、かつ前記第1の厚膜部品の第1の表面がそれらの間で少なくとも部分的に露出されて、前記第1の抵抗器が前記第1の接点と前記第2の接点との間に前記厚膜抵抗器部品を形成するように、前記第1の厚膜部品に隣接して選択的に除去される厚膜抵抗器部品。
  2. 前記第1の導電性シートの一部はエッチング剤を用いて選択的に除去され、
    前記第1の厚膜部品は前記エッチング剤と反応しない材料から形成され、第1の厚膜抵抗器は前記エッチング剤と反応する材料から形成され、前記第1の厚膜部品は前記エッチング剤から前記第1の厚膜抵抗器を保護する請求項1に記載の抵抗器部品。
  3. 前記第1の厚膜部品は電気的絶縁材料から形成される請求項2に記載の抵抗器部品。
  4. 前記第1の厚膜部品を形成する前記電気的絶縁材料は二酸化珪素である請求項3に記載の抵抗器部品。
  5. 前記第1の厚膜部品は第2の厚膜抵抗器であり、
    前記第2の厚膜抵抗器の第2の表面は前記第1の抵抗器の第1の表面に電気的に結合され、
    かつ前記第1および第2の接点は各々、前記第1および第2の厚膜抵抗器の両方と電気的に接触し、前記第1および第2の厚膜抵抗器は並列接続された厚膜抵抗器部品を定める請求項2に記載の抵抗器部品。
  6. 前記第1の厚膜抵抗器を形成する材料は、前記第2の厚膜抵抗器を形成する材料よりも高い金属含有量を有する請求項5に記載の抵抗器部品。
  7. 前記第1の厚膜抵抗器は低値の検出抵抗器であり、前記第2の厚膜抵抗器は前記低値の検出抵抗器よりも実質的に高い抵抗器値を有する請求項5に記載の抵抗器部品。
  8. 前記第1の厚膜抵抗器は金属化合物および電気的絶縁材料の組み合わせから形成され、前記第2の厚膜抵抗器はポリマーベースの抵抗器膜から形成される請求項5に記載の抵抗器部品。
  9. 前記第1の厚膜抵抗器の第2の表面上に、前記第1の厚膜部品および前記第1の厚膜抵抗器の組み合わせの周囲部で前記第1のシートの第1の表面と接触した状態で形成された電気的絶縁膜をさらに含み、
    かつ前記第1の電気的絶縁層は、前記電気的絶縁膜および前記第1の導電性シートの第1の表面の上に、それらと接触した状態で形成され、前記電気的絶縁膜は前記第1の厚膜抵抗器の第2の表面および前記第1の電気的絶縁層の両方に結合されるように構成された請求項1に記載の抵抗器部品。
  10. 前記第1の絶縁層は可撓性絶縁層である請求項9に記載の抵抗器部品。
  11. 前記電気的絶縁膜は、前記第1の厚膜部品および前記第1の厚膜抵抗器の組み合わせを支持するように、かつ前記第1および前記第2の電気接点の間で、前記第1の厚膜部品および前記第1の厚膜抵抗器の組み合わせへの応力を緩和するように構成された請求項10に記載の抵抗器部品。
  12. 前記電気的絶縁膜はポリマーおよびセラミックの組み合わせとして形成された請求項11に記載の抵抗器部品。
  13. 前記第1のシートの第2の表面上に、前記第1の厚膜部品の少なくとも部分的に露出した第1の表面と接触した状態で形成された第2の電気的絶縁層をさらに含む請求項1に記載の抵抗器部品。
  14. 前記第2の絶縁層は可撓性絶縁層である請求項13に記載の抵抗器部品。
  15. 前記第2の電気的絶縁層の上に形成された第2の導電性シートをさらに含む請求項13に記載の抵抗器部品。
  16. 前記第1の厚膜部品と接触しかつ前記第1の電気接点と前記第2の電気接点との間に位置決めされた前記第1の導電性シートの残りの第3の部分と接触する前記第2の電気的絶縁層を通って延びるいくつかの熱伝導性部材と、
    前記いくつかの熱伝導性部材に電気的に接触する前記第2の電気的絶縁層の上に形成され、かつ前記第2の導電層から電気的に絶縁された熱伝導性シートとをさらに含み、前記第1の導電性シートの第3の部分、前記いくつかの熱伝導性部材、および前記熱伝導性シートが前記厚膜抵抗器部品用の放熱器を形成する請求項15に記載の抵抗器部品。
  17. 厚膜抵抗器部品を作製する方法であって、
    第1の導電性シートの上に第1の厚膜部品を形成する工程と、
    前記第1の厚膜部品の上に、前記第1の厚膜部品に隣接する前記第1のシートと接触した状態で第1の厚膜抵抗器を形成する工程と、
    前記第1のシート、第1の厚膜部品、および第1の厚膜抵抗器の組み合わせの上に、第1の電気的絶縁層を形成する工程と、
    前記第1のシートの残りの第1の部分が前記第1の厚膜抵抗器に対する第1の電気接点を定め、前記第1のシートの残りの第2の部分が前記第1の厚膜抵抗器に対する第2の電気接点を定め、かつ前記第1の厚膜部品がそれらの間で少なくとも部分的に露出されるように、前記第1の厚膜部品に隣接する前記第1のシートの一部を選択的に除去する工程とを含む厚膜抵抗器部品を作製する方法。
  18. 前記第1のシートの一部を選択的に除去する前記工程は、エッチング剤を用いて前記第1のシートの前記一部を選択的に除去する工程を含み、
    前記第1の厚膜部品は前記エッチング剤と反応しない材料から形成され、かつ前記第1の厚膜抵抗器は前記エッチング剤と反応する材料から形成されて、前記第1の厚膜部品は前記エッチング剤から前記第1の厚膜抵抗器を保護する請求項17に記載の方法。
  19. 前記少なくとも部分的に露出した第1の厚膜部品を通して抵抗値調整放射線を制御可能に導いて、前記第1の厚膜部品の一部を選択的に除去することによって前記第1の厚膜抵抗器の値を調整する工程をさらに含む請求項17に記載の方法。
  20. 前記第1の厚膜部品は電気的絶縁材料から形成され、かつ
    第1の導電性シートの上に第1の厚膜部品を形成する前記工程は、前記第1の導電性シートの上に前記電気的絶縁材料を形成する工程を含む請求項18に記載の方法。
  21. 前記第1の厚膜部品は第2の厚膜抵抗器であり、
    第1の導電性シートの上に第1の厚膜部品を形成する前記工程は、前記第1の導電性シートの上に前記第2の厚膜抵抗器を形成する工程を含み、かつ
    前記シートの一部を選択的に除去する前記工程は、前記第1および第2の接点が前記第1および第2の厚膜抵抗器の両方と電気的に接触して、前記第1および第2の厚膜抵抗器が並列接続された厚膜抵抗器部品を形成するように、前記第1のシートの前記一部を除去する工程を含む請求項18に記載の方法。
  22. 前記第1の厚膜抵抗器は前記第2の厚膜抵抗器よりも高い金属含有量を有する請求項21に記載の方法。
  23. 前記第1の厚膜抵抗器は低値の検出抵抗器であり、前記第2の厚膜抵抗器は前記低値の検出抵抗器よりも実質的に高い抵抗器値を有する請求項21に記載の方法。
  24. 前記第1の厚膜抵抗器は金属化合物および電気的絶縁材料の組み合わせから形成され、前記第2の厚膜抵抗器はポリマーベースの抵抗器膜から形成される請求項21に記載の方法。
  25. 前記第1の厚膜抵抗器の上に、前記第1の厚膜部品および前記第1の厚膜抵抗器の前記組み合わせの周囲部で前記第1のシートと接触した状態で、放射線阻止膜を形成する工程をさらに含み、前記放射線阻止膜は抵抗値調整放射線がその膜を通過させないように構成された請求項17に記載の方法。
  26. 前記放射線阻止膜はポリマーおよびセラミックの組み合わせから形成された請求項25に記載の方法。
  27. 前記第1の厚膜部品が上に形成された表面とは反対側の前記第1の導電性シートの表面の上に第2の電気的絶縁層を形成する工程をさらに含み、該第2の電気的絶縁層は前記第1の導電シートおよび前記少なくとも部分的に露出した厚膜部品と接触する請求項17に記載の方法。
  28. 前記第2の電気的絶縁層の上で、それに接触した状態で第2の導電性シートを形成する工程をさらに含む請求項27に記載の方法。
  29. 前記第2の導電性シートの複数の部分およびそれに対応する前記第2の電気的絶縁層の下部部分を選択的に除去して、前記第1および第2の電気接点の間の前記第1の厚膜電気部品と接触する前記第1の導電性シートの第3の部分へと延びるいくつかのウェルを形成する工程をさらに含む請求項28に記載の方法。
  30. 前記いくつかのウェルの各々の中に、前記第1の導電性シートの前記第3の部分と熱的に接触する熱伝導性部材を形成する工程をさらに含む請求項29に記載の方法。
  31. 前記熱伝導性部材と熱的に接触し、かつ前記第2の導電性シートから電気的に絶縁された前記第2の電気的絶縁層の上に熱伝導性シートを形成する工程をさらに含み、前記第1の導電性シートの前記第3の部分、前記熱伝導性部材、および前記熱伝導性シートが前記厚膜電気部品用の放熱器を形成する請求項30に記載の方法。
  32. 厚膜抵抗器部品を作製する方法であって、
    基板の上に厚膜抵抗器材料をパターン化する工程と、
    その第1の端部に沿って前記抵抗材料内へと延びる端子部分を有する第1の導体を形成する工程と、
    その第2の端部に沿って前記抵抗材料内へと延びる端子部分を有する第2の導体を形成する工程と、
    前記抵抗材料に対して前記第1および第2の導体の端子部分を位置決めして、それら端子間に厚膜抵抗器部品の所望の抵抗値を定める工程とを含む方法。
  33. 前記厚膜抵抗器材料をパターン化する工程は、前記基板の上に前記厚膜抵抗器材料を概ね矩形状にパターン化する工程を含む請求項32に記載の方法。
  34. 第1の導体を形成する前記工程は、
    その端子部分がその第1の端部に沿って前記抵抗材料内へと延び、その第2の端部で終端する前記第1の導体を形成する工程を含み、
    第2の導体を形成する前記工程は、その端子部分がその第3の端部に沿って前記抵抗材料内へと延び、その第4の端部で終端する前記第2の導体を形成する工程を含む請求項33に記載の方法。
  35. 前記抵抗材料の第1の端部はその第2の端部と同じであり、前記抵抗材料の第3の端部はその第4の端部と同じである請求項34に記載の方法。
  36. 第1の導体を形成する前記工程は、その端子部分がその第1の端部に沿って前記抵抗材料内へと延び、その第2の端部に沿って前記抵抗材料を出て行く第1の導体を形成する工程と、
    第2の導体を形成する前記工程は、その端子部分がその第3の端部に沿って前記抵抗材料内へと延び、その第4の端部に沿って前記抵抗材料を出て行く第2の導体を形成する工程を含む請求項33に記載の方法。
  37. 前記抵抗材料の第1の端部はその第2の端部と同じであり、前記抵抗材料の第3の端部はその第4の端部と同じである請求項36に記載の方法。
  38. 前記抵抗材料の第1の端部は前記第2の端部の反対であり、前記抵抗材料の第3の端部は前記第4の端部の反対であり、前記第1および第2の端部は各々前記第3および第4の端部に隣接する請求項36に記載の方法。
  39. 前記厚膜抵抗器材料は抵抗性セラミック材料から形成され、かつ
    前記第1および第2の導体の端子部分をある大きさにして、前記厚膜抵抗器材料の熱膨張係数と前記第1および第2の導体の端子部分の熱膨張係数との間の不適合から生じる応力を最小化する工程をさらに含む請求項32に記載の方法。
  40. 厚膜抵抗器部品であって、
    相互に隣接して位置決めされた長端部を有する複数の長脚部と、前記複数の長脚部の1つ置きの終端部を共に接続して、得られた複数の長脚部の隣接する対が各々閉鎖端および開放端を有するような複数の短脚部とを備えた蛇行状で基板上に形成された厚膜抵抗器材料と、
    前記厚膜抵抗器材料から前記基板上に形成され、前記複数の長脚部の隣接する対をその対応する開放端において共に接続し、選択的に開回路になって前記厚膜抵抗器部品の抵抗値を徐々に調整するように構成された第1の抵抗器区間とを備えた厚膜抵抗器部品。
  41. 前記厚膜抵抗器材料から前記基板上に形成され、かつ前記長端部に沿ってその開放端と閉鎖端との間で前記複数の長脚部の隣接する対を共に接続し、選択的に開回路になって前記厚膜抵抗器部品の抵抗値を徐々に調整するように構成された第2の抵抗器区間をさらに含む請求項40に記載の抵抗器部品。
  42. 各々前記厚膜抵抗器材料から前記基板の上に形成され、かつ前記複数の長脚部の隣接する対の選択された対を前記長端部に沿ってその開放端と閉鎖端との間で共に接続し、各々選択的に開回路になって前記厚膜抵抗器部品の抵抗値を徐々に調整するように構成された複数の第2の抵抗器区間をさらに含む請求項41に記載の抵抗器部品。
  43. 各々前記厚膜抵抗器材料から前記基板の上に形成され、かつ前記複数の長脚部の隣接する対の異なる対をその対応する開放端において共に接続し、各々選択的に開回路になって前記厚膜抵抗器部品の抵抗値を徐々に調整するように構成された複数の第1の抵抗器区間をさらに含む請求項40に記載の抵抗器部品。
  44. 前記複数の長脚部の最初の1つの開放端内へと延びる端子部分を有する第1の導体と、
    前記複数の長脚部の別の1つの開放端内へと延びる端子部分を有する第2の導体とをさらに含み、前記厚膜抵抗器部品は前記第1および第2の導体の端子部分の間の抵抗値を定める請求項40に記載の抵抗器部品。
  45. 厚膜抵抗器部品を作製する方法であって、
    相互に隣接して位置決めされた長端部を有する複数の長脚部と、前記第1の複数の長脚部の1つ置きの終端部を共に接続して、得られた複数の長脚部の隣接する対が各々閉鎖端および開放端を有する複数の短脚部とを含むように、厚膜抵抗器材料から基板上に蛇行状の厚膜抵抗器を形成する工程と、
    前記複数の長脚部の隣接する対をそれらの対応する開放端において共に接続するように、第1の抵抗器区間を前記厚膜抵抗器材料から基板上に形成する工程と、
    前記第1の抵抗器区間を選択的に開回路にして、前記厚膜抵抗器部品の抵抗値を徐々に調整する工程とを含む方法。
  46. 第1の抵抗器区間を形成する前記工程は、各々前記複数の長脚部の前記隣接する対の異なる対をその対応する開放端において共に接続する複数の前記第1の抵抗器区間を、前記厚膜抵抗器材料から前記基板の上に形成する工程を含み、
    前記第1の抵抗器区間を選択的に開回路にする前記工程は、前記複数の第1の抵抗器区間の1つまたは複数を選択的に開回路にして前記厚膜抵抗器部品の抵抗値を徐々に調整する工程を含む請求項45に記載の方法。
  47. 前記複数の長脚部の最初の1つの開放端内へと延びる端子部分を有する第1の導体を形成する工程と、
    前記複数の長脚部の別の1つの開放端内へと延びる端子部分を有する第2の導体を形成する工程とを含み、前記厚膜抵抗器部品は前記第1および第2の導体の端子部分の間の抵抗値を定める請求項45に記載の方法。
  48. 相互に隣接して位置決めされた長端部を有する複数の長脚部と、前記複数の長脚部の1つ置きの終端部を共に接続して、得られた前記複数の長脚部の隣接する対が各々閉鎖端および開放端を有するような複数の短脚部とを備えた蛇行状で基板上に形成された厚膜抵抗器材料と、
    前記厚膜抵抗器材料から前記基板上に形成され、前記複数の長脚部の隣接する対をそれらの長端部に沿ってその対応する開放端と閉鎖端との間で共に接続する第1の抵抗器区間とを備え、前記第1の抵抗器区間は選択的に開回路になって前記厚膜抵抗器部品の抵抗値を徐々に調整するように構成された厚膜抵抗器部品。
  49. 前記厚膜抵抗器材料から前記基板上に形成され、かつ前記複数の長脚部の隣接する対をその開放端において共に接続する第2の抵抗器区間をさらに含み、前記第2の抵抗器区間は選択的に開回路になって前記厚膜抵抗器部品の抵抗値を徐々に調整するように構成された請求項48に記載の抵抗器部品。
  50. 各々前記厚膜抵抗器材料から前記基板の上に形成され、かつ前記複数の長脚部の隣接する対の異なる対をその対応する開放端において共に接続する複数の前記第2の抵抗器区間をさらに含み、前記複数の第2の抵抗器区間の各々は選択的に開回路になって前記厚膜抵抗器部品の抵抗値を徐々に調整するように構成された請求項49に記載の抵抗器部品。
  51. 前記厚膜抵抗器材料から前記基板上に形成され、かつ長端部に沿ってその開放端と閉鎖端との間で前記複数の長脚部の隣接する対の選択された対を共に接続する複数の前記第1の抵抗器区間をさらに含み、前記複数の第1の抵抗器区間の各々は選択的に開回路になって前記厚膜抵抗器部品の抵抗値を徐々に調整するように構成された請求項48に記載の抵抗器部品。
  52. 前記複数の長脚部の最初の1つの開放端内へと延びる端子部分を有する第1の導体と、
    前記複数の長脚部の最後の1つの開放端内へと延びる端子部分を有する第2の導体とをさらに含み、前記厚膜抵抗器部品は前記第1および第2の導体の端子部分の間の抵抗値を定める請求項48に記載の抵抗器部品。
  53. 厚膜抵抗器部品を作製する方法であって、
    相互に隣接して位置決めされた長端部を有する複数の長脚部と、前記第1の複数の長脚部の1つ置きの終端部を共に接続して、得られた第1の複数の長脚部の隣接する対が各々閉鎖端および開放端を有する複数の短脚部とを含むように、厚膜抵抗器材料から基板上に蛇行状の厚膜抵抗器を形成する工程と、
    前記複数の長脚部の隣接する対を長端部に沿ってその開放端と閉鎖端との間で共に接続するように、第1の抵抗器区間を前記厚膜抵抗器材料から前記基板上に形成する工程と、
    前記第1の抵抗器区間を選択的に開回路にして、前記厚膜抵抗器部品の抵抗値を徐々に調整する工程とを含む方法。
  54. 第1の抵抗器区間を形成する前記工程は、各々前記複数の長脚部の前記隣接する対の選択された対を長端部に沿ってその開放端と閉鎖端との間で共に接続する複数の前記第1の抵抗器区間を、前記厚膜抵抗器材料から前記基板の上に形成する工程を含み、
    前記第1の抵抗器区間を選択的に開回路にする前記工程は、前記複数の第1の抵抗器区間の1つまたは複数を選択的に開回路にして前記厚膜抵抗器部品の抵抗値を徐々に調整する工程を含む請求項53に記載の方法。
  55. 前記複数の長脚部の最初の1つの開放端内へと延びる端子部分を有する第1の導体を形成する工程と、
    前記複数の長脚部の別の1つの開放端内へと延びる端子部分を有する第2の導体を形成する工程であり、前記厚膜抵抗器部品は前記第1および第2の導体の端子部分の間の抵抗値を定める工程とをさらに含む請求項53に記載の方法。
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