JP2007502333A5

JP2007502333A5 -

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Publication number: JP2007502333A5
Application number: JP2006522551A
Authority: JP
Filing date: 2004-06-18
Publication date: 2008-11-13

Description

本発明は、導電性基板上に用いられる誘電被膜、及び該被膜を一方の表面に適用した基板材料に関する。該誘電被膜は、式：
［Ｒ _x ＳｉＯ _(4-x)/2 ］ _n
（ここで、ｘ＝１〜４、Ｒはメチル、フェニル、ヒドリド、ヒドロキシ、アルコキシ又はこれらの組み合わせ（ただし、１＜ｘ＜４）からなり、またＲはアルキル又はアリール基、アルキルアミド、アリールアミド、アルキルアミノ及びアリールアミノラジカルから独立して選ばれた他の１価ラジカルからなる）で表されるシリコーン組成物からなる。該誘電被膜は、好ましくは網目構造を有する。本発明の１つの実施形態において、該誘電被膜は、式：
［ＲＳｉＯ_3/2］_n
（ここで、Ｒはメチル、フェニル、ヒドリド、ヒドロキシ、アルコキシ又はこれらの組み合わせからなり、またＲはアルキル又はアリール基、アルキルアミド、アリールアミド、アルキルアミノ及びアリールアミノラジカルから独立して選ばれた他の１価ラジカルからなる）で表されるシルセスキオキサン化合物からなる。シルセスキオキサンポリマーの例として、［ＨＳｉＯ_3/2］_n、［ＭｅＳｉＯ_3/2］_n、［ＨＳｉＯ_3/2］_n［ＭｅＳｉＯ_3/2］_m（ここで、ｍ＋ｎ＝１）、［ＰｈＳｉＯ_3/2］_n［ＭｅＳｉＯ_3/2］_m（ここで、ｍ＋ｎ＝１）、［ＰｈＳｉＯ_3/2］_n［ＭｅＳｉＯ_3/2］_m［ＰｈＭｅＳｉＯ］_p（ここで、ｍ＋ｎ＋ｐ＝１）がある。

本発明の他の局面において、誘電被膜は、
Ｒ¹ _aＲ² _bＲ³ _cＳｉＯ_(4-a-b-c)/2
（ここで、ａは０又は正の数、ｂは０又は正の数、ｃは０又は正の数で、０．８≦（ａ＋ｂ＋ｃ）≦３．０を満足し、コポリマーは分子ごとに平均して少なくとも２つのＲ¹基を有し、各Ｒ¹は、水素原子及び１価の不飽和脂肪族炭化水素基からなる群より独立して選ばれた官能基であり、各Ｒ²及び各Ｒ³は、非官能基及びＲ¹からなる群より独立して選ばれた１価の炭化水素基である）で表される実験式を有する単位からなるシルセスキオキサンコポリマーからなる。好ましくは、Ｒ¹はビニル基、アリル基等のアルケニル基である。通常、Ｒ²及びＲ³は、アルキル基及びアリール基からなる群より選ばれた非官能基である。好適なアルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基及びイソブチル基があげられる。好適なアリール基としては、フェニル基があげられる。好適なシルセスキオキサンコポリマーとしては、
（ＰｈＳｉＯ_3/2）_0.75（ＶｉＭｅ₂ＳｉＯ_1/2）_0.25
（ここで、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基、Ｍｅはメチル基を示す）が例示される。

Claims

式：
［Ｒ_xＳｉＯ_(4-x)/2］_n
（ここで、ｘ＝１〜４、Ｒはメチル、フェニル、ヒドリド、ヒドロキシ、アルコキシ基もしくはこれらの組み合わせ、又はアルキル、アリール、アルキルアミド、アリールアミド、アルキルアミノ基及びアリールアミノラジカルから独立して選ばれた１価ラジカルからなる群より選ばれた成分（ただし、１＜ｘ＜４））
で表されるシリコーン組成物からなり、網目構造を有し、５５０℃以上の温度に対する耐性を示す、導電性基板上に用いられる誘電被膜。
シリコーン組成物が、式：
［ＲＳｉＯ_3/2］_n
（ここで、Ｒはメチル、フェニル、ヒドリド、ヒドロキシ、アルコキシもしくはこれらの組み合わせ、又はアルキル、アリール、アルキルアミド、アリールアミド、アルキルアミノ基及びアリールアミノラジカルから独立して選ばれた１価ラジカルからなる群より選ばれた成分
で表されるシルセスキオキサン化合物からなる、請求項１に記載の誘電被膜。
シルセスキオキサン化合物が、式：
ＲＳｉ（ＯＨ）_xＯ_y
（ここで、ｘ＋ｙ＝３）
で表されるシラノール単位をさらに含み、適切なオルガノシロキサンにてシリル化され、対応のシリル化ポリシルセスキオキサンを生じる、請求項２に記載の誘電被膜。
シリコーン組成物が、式：
［ＣＨ₃ＳｉＯ_(3/2)］_n
で表されるポリメチルシルセスキオキサンである、請求項１に記載の誘電被膜。
シリコーン組成物が、式：
Ｒ¹ _aＲ² _bＲ³ _cＳｉＯ_(4-a-b-c)/2
（ここで、ａは０又は正の数、ｂは０又は正の数、ｃは０又は正の数で、０．８≦（ａ＋ｂ＋ｃ）≦３．０を満足し、それ自身が分子ごとに平均して少なくとも２つのＲ¹基を有し、各Ｒ¹は、水素原子及び１価の不飽和脂肪族炭化水素基からなる群より独立して選ばれた官能基であり、各Ｒ²及び各Ｒ³は、非官能基及びＲ¹からなる群より独立して選ばれた１価の炭化水素基である）
で表されるシルセスキオキサンコポリマーからなる、請求項１に記載の誘電被膜。
Ｒ¹がアルケニル基であり、Ｒ²及びＲ³がアルキル及びアリール基からなる群より選ばれた非官能基である、請求項５に記載の誘電被膜。
Ｒ¹がビニル及びアリル基からなる群より選ばれた、請求項６に記載の誘電被膜。
Ｒ²及びＲ³がメチル、エチル、イソプロピル、ｎ−ブチル及びイソブチル基からなる群より選ばれた、請求項６に記載の誘電被膜。
シリコーン組成物が、式：
（ＭｅＳｉＯ_3/2）_0.25（ＰｈＳｉＯ_3/2）_0.15（Ｐｈ₂ＳｉＯ）_0.50
で表されるフェニルメチルシロキサン化合物からなる、請求項１に記載の誘電被膜。
シリコーン組成物が、さらに強化充填剤を含む、請求項１に記載の誘電被膜。
強化充填剤が、５〜１５０ｎｍの粒子径を有するコロイダルシリカ粒子からなる、請求項１０に記載の誘電被膜。
フレキシブル導電性材料及び
前記フレキシブル導電性材料の表面上に設けられた誘電被膜からなり、
前記誘電被膜が、式：
［Ｒ_xＳｉＯ_(4-x)/2］_n
（ここで、ｘ＝１〜４、Ｒはメチル、フェニル、ヒドリド、ヒドロキシ、アルコキシ基もしくはこれらの組み合わせ、又はアルキル、アリール、アルキルアミド、アリールアミド、アルキルアミノ基及びアリールアミノラジカルから独立して選ばれた１価ラジカルからなる群より選ばれた成分（ただし、１＜ｘ＜４））
で表されるシリコーン組成物からなり、網目構造を有し、５５０℃以上の温度に対する耐性を示す、
基板。
シリコーン組成物が、式：
［ＲＳｉＯ_3/2］_n
（ここで、Ｒはメチル、フェニル、ヒドリド、ヒドロキシ、アルコキシもしくはこれらの組み合わせ、又はアルキル、アリール、アルキルアミド、アリールアミド、アルキルアミノ基及びアリールアミノラジカルから独立して選ばれた１価ラジカルからなる群より選ばれた成分
で表されるシルセスキオキサン化合物からなる、請求項１２に記載の基板。
シルセスキオキサン化合物が、式：
ＲＳｉ（ＯＨ）_xＯ_y
（ここで、ｘ＋ｙ＝３）
で表されるシラノール単位をさらに含み、適切なオルガノシロキサンにてシリル化され、対応のシリル化ポリシルセスキオキサンを生じる、請求項１３に記載の基板。
シリコーン組成物が、式：
［ＣＨ₃ＳｉＯ_(3/2)］_n
で表されるポリメチルシルセスキオキサンである、請求項１２に記載の基板。
シリコーン組成物が、式：
Ｒ¹ _aＲ² _bＲ³ _cＳｉＯ_(4-a-b-c)/2
（ここで、ａは０又は正の数、ｂは０又は正の数、ｃは０又は正の数で、０．８≦（ａ＋ｂ＋ｃ）≦３．０を満足し、それ自身が分子ごとに平均して少なくとも２つのＲ¹基を有し、各Ｒ¹は、水素原子及び１価の不飽和脂肪族炭化水素基からなる群より独立して選ばれた官能基であり、各Ｒ²及び各Ｒ³は、非官能基及びＲ¹からなる群より独立して選ばれた１価の炭化水素基である）
で表されるシルセスキオキサンコポリマーからなる、請求項１２に記載の基板。
Ｒ¹がアルケニル基であり、Ｒ²及びＲ³がアルキル及びアリール基からなる群より選ばれた非官能基である、請求項１６に記載の基板。
Ｒ¹がビニル及びアリル基からなる群より選ばれた、請求項１７に記載の基板。
Ｒ²及びＲ³がメチル、エチル、イソプロピル、ｎ−ブチル及びイソブチル基からなる群より選ばれた、請求項１７に記載の基板。
シリコーン組成物が、式：
（ＭｅＳｉＯ_3/2）_0.25（ＰｈＳｉＯ_3/2）_0.15（Ｐｈ₂ＳｉＯ）_0.50
で表されるフェニルメチルシロキサン化合物からなる、請求項１２に記載の基板。
シリコーン組成物が、さらに強化充填剤を含む、請求項１２に記載の基板。
強化充填剤が、５〜１５０ｎｍの粒子径を有するコロイダルシリカ粒子からなる、請求項２１に記載の基板。