JP2007336745A

JP2007336745A - 昇圧チョッパ回路

Info

Publication number: JP2007336745A
Application number: JP2006167710A
Authority: JP
Inventors: Takahide Suzuki; 孝英鈴木
Original assignee: Toyota Industries Corp
Current assignee: Toyota Industries Corp
Priority date: 2006-06-16
Filing date: 2006-06-16
Publication date: 2007-12-27

Abstract

【課題】低温時においても所望な出力電圧を安定して得ることが可能な昇圧チョッパ回路を提供することを目的とする。
【解決手段】入力段に設けられるチョークコイル５２と、出力段に設けられるコンデンサ５５と、チョークコイル５２とコンデンサ５５との間に設けられるＭＯＳＦＥＴ５３と、チョークコイル５２とグランドとの間に設けられるＭＯＳＦＥＴ５４と、温度検出部３と、出力電圧Ｖｏｕｔに基づいてＭＯＳＦＥＴ５３、５４の動作を制御する制御部２とを備えて昇圧チョッパ回路１を構成し、その制御部２は、温度検出部３により検出される温度ｔが閾値ＴＨ以下である場合、出力電圧Ｖｏｕｔのサンプリング数を増加させてそれらの出力電圧Ｖｏｕｔの移動平均ＶｏｕｔＡを求め、その移動平均ＶｏｕｔＡに基づいてＭＯＳＦＥＴ５３、５４の動作を制御する。
【選択図】図１

Description

本発明は、スイッチング素子をオン、オフさせることにより入力電圧を昇圧する昇圧チョッパ回路に関する。

図５は、既存の昇圧チョッパ回路を示す図である。
図５に示す昇圧チョッパ回路５０は、コンデンサ５１と、チョークコイル５２と、ＭＯＳＦＥＴ（ＭｅｔａｌＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）５３、５４と、コンデンサ５５とを備えて構成されている。

すなわち、コンデンサ５１は昇圧チョッパ回路５０の入力段に設けられ、コンデンサ５５は昇圧チョッパ回路５０の出力段に設けられている。また、チョークコイル５２の一方端はコンデンサ５１に接続され、チョークコイル５２の他方端はＭＯＳＦＥＴ５４のドレインに接続されている。また、ＭＯＳＦＥＴ５４のソースはグランドに接続されている。また、ＭＯＳＦＥＴ５３のドレインはコンデンサ５５に接続され、ＭＯＳＦＥＴ５３のソースはＭＯＳＦＥＴ５４のドレインに接続されている。

このように構成される昇圧チョッパ回路５０は、ＭＯＳＦＥＴ５３、５４が交互にオン、オフを繰り返すことにより入力電圧を昇圧する。すなわち、ＭＯＳＦＥＴ５４がオン、ＭＯＳＦＥＴ５３がオフすると、チョークコイル５２にエネルギーが蓄積され、ＭＯＳＦＥＴ５４がオフ、ＭＯＳＦＥＴ５３がオンすると、チョークコイル５２に蓄積されたエネルギーによりＭＯＳＦＥＴ５３のドレイン電圧が上昇しコンデンサ５５に電荷が蓄積される。これらの動作が繰り返されることにより入力電圧が昇圧される。

ところで、ＭＯＳＦＥＴ５４のオン期間では、出力電流は全てコンデンサ５５に蓄積される電荷の持ち出しに頼ることになるため、当然大きな容量のコンデンサ５５が必要である。また、入力電圧は出力電圧に比べて低く入力側には出力側に比べ大電流が流れるため、コンデンサ５１の容量も大きくする必要がある。そのため、コンデンサ５１、５５は、体格やコストを考えると、電解コンデンサを使用することが有効である。

しかしながら、上記昇圧チョッパ回路５０を例えば車載用回路として使用する場合、昇圧チョッパ回路５０には−４０℃付近からの動作保証が必須になるが、−４０℃付近という低温時では電解コンデンサのＥＳＲ（ＥｑｕｉｖａｌｅｎｔＳｅｒｉｅｓＲｅｓｉｓｔａｎｃｅ）が増大する。電解コンデンサを使用してコンデンサ５１、５５を構成する場合、ＥＳＲが増大すると昇圧チョッパ回路５０の入力電圧や出力電圧に含まれるリプルが大きくなってしまう。そのため、少なくとも昇圧チョッパ回路５０の出力電圧に基づいてＭＯＳＦＥＴ５３、５４の動作を制御する場合では、出力電圧に含まれるリプルが大きくなると、安定した出力電圧検出が困難になるため、ＭＯＳＦＥＴ５３、５４の動作制御の安定性が失われ出力電圧の発振の原因になるという問題がある。

そこで、上記昇圧チョッパ回路５０に温度検出部を備え、その温度検出部で検出される温度が閾値以下の低温時になると、ＭＯＳＦＥＴ５４の駆動信号のデューティを、出力電圧に含まれるリプルを抑えることが可能な値に変化させるものがある（例えば、特許文献１参照）。
特開２００２−１１２５３５号公報

しかしながら、上述のように、低温時になるとＭＯＳＦＥＴ５４の駆動信号のデューティを変化させる昇圧チョッパ回路５０では、ＭＯＳＦＥＴ５４の駆動信号のデューティが温度検出部で検出される温度に依存して変化してしまうため、所望な出力電圧が得られ難くなってしまうという問題がある。

そこで、本発明では、低温時においても所望な出力電圧を安定して得ることが可能な昇圧チョッパ回路を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために本発明では、以下のような構成を採用した。
すなわち、本発明の昇圧チョッパ回路は、入力段に設けられるインダクタと、出力段に設けられるコンデンサと、インダクタとコンデンサとの間に設けられる整流手段と、インダクタとグランドとの間に設けられるスイッチング素子と、温度検出手段と、少なくとも出力電圧に基づいてスイッチング素子の動作を制御する制御手段とを備える。また、制御手段は、温度検出手段により検出される温度が閾値以下である場合、出力電圧のサンプリング数を増加させてそれらの出力電圧の移動平均を求め、その移動平均に基づいてスイッチング素子の動作を制御する。

このように、低温時において、各出力電圧の移動平均を求めることにより、出力電圧に含まれるリプルを抑えることができるので、安定した出力電圧を得ることができる。また、その移動平均が目標の出力電圧に近づくようにスイッチング素子の動作を制御することにより、所望な出力電圧を得ることができる。従って、低温時においても所望な出力電圧を安定して得ることができる。

また、上記制御手段は、温度検出手段により検出される温度が閾値以下である場合、出力電圧のサンプリング数を２以上にしてそれらの出力電圧の移動平均を求め、その移動平均に基づいてスイッチング素子の動作を制御するように構成してもよい。

また、本発明の昇圧チョッパ回路は、入力段に設けられるインダクタと、出力段に設けられるコンデンサと、インダクタとコンデンサとの間に設けられる整流手段と、インダクタとグランドとの間に設けられるスイッチング素子と、少なくとも出力電圧に基づいてスイッチング素子の動作を制御する制御手段とを備える。また、制御手段は、出力電圧の変化量が所定値より大きい場合、出力電圧のサンプリング数を増加させてそれらの出力電圧の移動平均を求め、その移動平均に基づいてスイッチング素子の動作を制御する。

このように構成しても、低温時において所望な出力電圧を安定して得ることができる。
また、上記制御手段は、出力電圧の変化量が所定値より大きい場合、出力電圧のサンプリング数を２以上にしてそれらの出力電圧の移動平均を求め、その移動平均に基づいてスイッチング素子の動作を制御するように構成してもよい。

また、上記制御手段は、今回サンプリングした出力電圧とその前にサンプリングした出力電圧との差分が所定値以上である場合、それらの出力電圧の移動平均を求め、その移動平均に基づいてスイッチング素子の動作を制御するように構成してもよい。

また、上記制御手段は、複数サンプリングした出力電圧のうち最大値と最小値との差分が所定値以上である場合、それらの出力電圧の移動平均を求め、その移動平均に基づいて前記スイッチング素子の動作を制御するように構成してもよい。

本発明によれば、昇圧チョッパ回路において、低温時に所望な出力電圧を安定して得ることができる。

以下、本発明の実施形態を図面を用いて説明する。
図１は、本発明の実施形態の昇圧チョッパ回路を示す図である。なお、図５に示す構成と同じ構成には同じ符号を付している。

図１に示す昇圧チョッパ回路１は、コンデンサ５１と、チョークコイル５２（インダクタ）と、ＭＯＳＦＥＴ５３（整流手段）と、ＭＯＳＦＥＴ５４（スイッチング素子）と、コンデンサ５５と、制御部２（制御手段）と、温度検出部３（温度検出手段）とを備えて構成されている。また、制御部２は、温度検出部３で検出される温度ｔ及びコンデンサ５５にかかる出力電圧Ｖｏｕｔに基づいて、ＭＯＳＦＥＴ５３、５４をそれぞれ駆動させるための駆動信号を出力する。

なお、制御部２は、例えば、ＣＰＵにより構成されるものとする。また、制御部２は、さらにコンデンサ５１にかかる入力電圧Ｖｉｎも使用して駆動信号を出力してもよい。また、コンデンサ５１、５５は、例えば、電解コンデンサとする。また、温度検出部３は、例えば、サーミスタ（正または負の温度係数をもつサーミスタ）とし、昇圧チョッパ回路１外部周辺または内部の雰囲気温度やコンデンサ５１やコンデンサ５５の周辺温度を検出するものとする。また、ＭＯＳＦＥＴ５３の代わりにダイオードを使用してもよい。また、ＭＯＳＦＥＴ５３、５４の代わりにＩＧＢＴ（ＩｎｓｕｌａｔｅｄＧａｔｅＢｉｐｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を使用してもよい。また、昇圧チョッパ回路１は、チョークコイル５２の代わりにフライバック型のトランス（インダクタ）を備えて構成してもよい。このように構成する場合、ＭＯＳＦＥＴ５４のドレインはトランスの一次側コイルの一方端に接続され、ＭＯＳＦＥＴ５４のソースはグランドに接続されているものとする。また、トランスの一次側コイルの他方端はコンデンサ５１に接続され、トランスの二次側コイルはＭＯＳＦＥＴ５３やダイオードなどの整流部を介してコンデンサ５５に接続されるものとする。

図２は、制御部２の動作を示すフローチャートである。
まず、制御部２は、前回Ｖｏｕｔ（Ｎ：０〜６）として格納した出力電圧ＶｏｕｔをＶｏｕｔ（Ｎ＋１）として格納すると共に、前回Ｖｏｕｔ７として格納した出力電圧Ｖｏｕｔを削除する。その後、入力される出力電圧ＶｏｕｔをＶｏｕｔ０として格納する（ステップＳ１）。

なお、図２のフローチャートでは、後述するように、入力される出力電圧Ｖｏｕｔの移動平均の回数を８回（２³回）に設定しているため、８個の出力電圧Ｖｏｕｔを格納する構成であるが、少なくとも移動平均の回数以上の数、出力電圧Ｖｏｕｔを格納できればよい。

次に、制御部２は、入力される温度ｔを格納する（ステップＳ２）。
次に、制御部２は、格納した温度ｔが閾値ＴＨ以下であるか否かを判断する（ステップＳ３）。

温度ｔが閾値ＴＨ以下でないと判断した場合（ステップＳ３がＮｏ）、制御部２は、Ｖｏｕｔ０として格納した出力電圧Ｖｏｕｔに基づいてデューティｄ１の変化量Δｄ１を求め、その変化量Δｄ１と前回のデューティｄ１との加算値を今回のデューティｄ１とする（ステップＳ４）。例えば、変化量Δｄ１は下記数１に示すようにＰＩ制御により求める。なお、デューティｄ１を計算する際にサンプリングした出力電圧Ｖｏｕｔは、Ｖｏｕｔ０として格納した出力電圧Ｖｏｕｔだけであり、サンプリング数は１である。

なお、Ｖｏｕｔｔａｒｇｅｔを目標の出力電圧とし、ＰをＰＩ制御のＰ（Ｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｌ）項の定数とし、ＩをＰＩ制御のＩ（Ｉｎｔｅｇｒａｌ）項の定数とする。
一方、温度ｔが閾値ＴＨ以下であると判断した場合（ステップＳ３がＹｅｓ）、制御部２は、Ｖｏｕｔ０〜Ｖｏｕｔ７として格納した各出力電圧Ｖｏｕｔの移動平均ＶｏｕｔＡを求める（ステップＳ５）。例えば、移動平均ＶｏｕｔＡは下記数２により求める。

なお、出力電圧Ｖｏｕｔの移動平均の回数は特に限定されないが、チョークコイル５２やＭＯＳＦＥＴ５３、５４などの特性や昇圧チョッパ回路１の動作制御の応答性などを考慮して出力電圧Ｖｏｕｔに含まれるリプルをできるだけ抑えることが可能な回数に設定することが望ましい。

次に、制御部２は、求めた移動平均ＶｏｕｔＡに基づいてデューティｄ２の変化量Δｄ２を求め、その変化量Δｄ２と前回のデューティｄ２との加算値を今回のデューティｄ２とする（ステップＳ６）。例えば、デューティΔｄ２は下記数３に示すようにＰＩ制御により求める。なお、デューティｄ２を求める際にサンプリングされた出力電圧Ｖｏｕｔは、Ｖｏｕｔ０〜Ｖｏｕｔ７として格納した各出力電圧Ｖｏｕｔであり、サンプリング数は８である。

そして、制御部２は、求めたデューティｄ１またはデューティｄ２に基づいてＭＯＳＦＥＴ５３、５４のそれぞれの駆動信号を求めて出力する（ステップＳ７）。
なお、駆動信号を求める際の制御方式は、ＰＷＭ（ＰｕｌｓｅＷｉｄｔｈＭｏｄｕｌａｔｉｏｎ）制御やＰＦＭ（ＰｕｌｓｅＦｒｅｑｕｅｎｃｙＭｏｄｕｌａｔｉｏｎ）制御など特に限定されない。

図３（ａ）は、常温時の出力電圧Ｖｏｕｔに含まれるリプルを示す図である。また、図３（ｂ）は、低温時の出力電圧Ｖｏｕｔに含まれるリプルを示す図である。また、図３（ｃ）は、低温時において移動平均ＶｏｕｔＡを求めてＭＯＳＦＥＴ５３、５４の動作を制御したときの出力電圧Ｖｏｕｔに含まれるリプルを示す図である。なお、図３（ａ）〜図３（ｃ）において、縦軸は電圧を示し、横軸は時間を示している。

常温時では、コンデンサ５１、５５のＥＳＲは小さくコンデンサ５１、５５の効きが良いため、図３（ａ）に示すように、出力電圧Ｖｏｕｔに含まれるリプルは小さい。
一方、低温時では、コンデンサ５１、５５のＥＳＲは大きくコンデンサ５１、５５の効きが悪くなるため、図３（ｂ）に示すように、出力電圧Ｖｏｕｔに含まれるリプルは大きい。

そして、低温時（温度ｔが閾値ＴＨ以下になるとき）において移動平均ＶｏｕｔＡを求め、その移動平均ＶｏｕｔＡに基づいてＭＯＳＦＥＴ５３、５４の動作を制御する場合では、移動平均ＶｏｕｔＡを求めることにより、図３（ｃ）に示すように、出力電圧Ｖｏｕｔに含まれるリプルを図３（ｂ）に比べて抑えることができるので、安定した出力電圧Ｖｏｕｔを得ることができる。また、その移動平均ＶｏｕｔＡが目標の出力電圧Ｖｏｕｔｔａｒｇｅｔに近づくようにＭＯＳＦＥＴ５３、５４の動作を制御することにより、所望な出力電圧Ｖｏｕｔを得ることができる。従って、低温時においても所望な出力電圧Ｖｏｕｔを安定して得ることができる。

なお、上記実施形態では、温度検出部３で検出される温度ｔが閾値ＴＨ以下になるとき移動平均ＶｏｕｔＡによりＭＯＳＦＥＴ５３、５４を動作制御する構成であるが、温度が低い場合出力電圧Ｖｏｕｔが不安定になることを利用し、出力電圧Ｖｏｕｔの変化量が大きいときの移動平均ＶｏｕｔＡによりＭＯＳＦＥＴ５３、５４を動作制御してもよい。

図４は、出力電圧Ｖｏｕｔの変化量の大きさに応じて移動平均ＶｏｕｔＡによりＭＯＳＦＥＴ５３、５４を動作制御するか否かを判断する場合の制御部２の動作を示すフローチャートである。

まず、制御部２は、前回Ｖｏｕｔ（Ｎ：０〜６）として格納した出力電圧ＶｏｕｔをＶｏｕｔ（Ｎ＋１）として格納すると共に、前回Ｖｏｕｔ７として格納した出力電圧Ｖｏｕｔを削除する。その後、入力される出力電圧ＶｏｕｔをＶｏｕｔ０として格納する（ステップＳＴ１）。

次に、制御部２は、出力電圧Ｖｏｕｔの変化量が大きいか否かを判断する（ステップＳＴ２）。
例えば、制御部２は、Ｖｏｕｔ０として格納した出力電圧ＶｏｕｔからＶｏｕｔ１として格納した出力電圧Ｖｏｕｔを差し引いた値（Ｖｏｕｔ０−Ｖｏｕｔ１）またはＶｏｕｔ１として格納した出力電圧ＶｏｕｔからＶｏｕｔ０として格納した出力電圧Ｖｏｕｔを差し引いた値（Ｖｏｕｔ１−Ｖｏｕｔ０）が所定値Ｘ以上である場合、出力電圧Ｖｏｕｔの変化量が大きいと判断し、Ｖｏｕｔ０として格納した出力電圧ＶｏｕｔからＶｏｕｔ１として格納した出力電圧Ｖｏｕｔを差し引いた値（Ｖｏｕｔ０−Ｖｏｕｔ１）またはＶｏｕｔ１として格納した出力電圧ＶｏｕｔからＶｏｕｔ０として格納した出力電圧Ｖｏｕｔを差し引いた値（Ｖｏｕｔ１−Ｖｏｕｔ０）が所定値Ｘ以上でない場合、出力電圧Ｖｏｕｔの変化量が大きくないと判断する。なお、Ｖｏｕｔ０−Ｖｏｕｔ１またはＶｏｕｔ１−Ｖｏｕｔ０におけるＶｏｕｔ１は、Ｖｏｕｔ２〜７のうちの何れかでもよい。

また、例えば、制御部２は、Ｖｏｕｔ０〜Ｖｏｕｔ７のうちの最大値ｍａｘからＶｏｕｔ０〜Ｖｏｕｔ７のうちの最小値ｍｉｎを差し引いた値（ｍａｘ−ｍｉｎ）が所定値ｘ以上である場合、出力電圧Ｖｏｕｔの変化量が大きいと判断し、Ｖｏｕｔ０〜Ｖｏｕｔ７のうちの最大値ｍａｘからＶｏｕｔ０〜Ｖｏｕｔ７のうちの最小値ｍｉｎを差し引いた値（ｍａｘ−ｍｉｎ）が所定値ｘ以上でない場合、出力電圧Ｖｏｕｔの変化量が大きくないと判断する。

出力電圧Ｖｏｕｔの変化量が大きくないと判断する場合（ステップＳＴ２がＮｏ）、制御部２は、Ｖｏｕｔ０として格納した出力電圧Ｖｏｕｔに基づいてデューティｄ１の変化量Δｄ１を求め、その変化量Δｄ１と前回のデューティｄ１との加算値を今回のデューティｄ１とする（ステップＳＴ３）。なお、変化量Δｄ１は、例えば、上記数１により求めるものとする。

一方、出力電圧Ｖｏｕｔの変化量が大きいと判断する場合（ステップＳＴ２がＹｅｓ）、制御部２は、Ｖｏｕｔ０〜Ｖｏｕｔ７として格納した各出力電圧Ｖｏｕｔの移動平均ＶｏｕｔＡを求める（ステップＳＴ４）。なお、ＶｏｕｔＡは、例えば、上記数２により求めるものとする。

次に、制御部２は、求めた移動平均ＶｏｕｔＡに基づいてデューティｄ２の変化量Δｄ２を求め、その変化量Δｄ２と前回のデューティｄ２との加算値を今回のデューティｄ２とする（ステップＳＴ５）。なお、変化量Δｄ２は、例えば、上記数３により求めるものとする。

そして、制御部２は、計算したデューティｄ１またはデューティｄ２に基づいてＭＯＳＦＥＴ５３、５４のそれぞれの駆動信号を求めて出力する（ステップＳＴ６）。
このように、温度検出部３を使用しなくても、出力電圧Ｖｏｕｔの変化量の大きさに応じて移動平均ＶｏｕｔＡによりＭＯＳＦＥＴ５３、５４を動作制御するか否かを判断することにより、上記実施形態と同様に、低温時においても所望な出力電圧Ｖｏｕｔを安定して得ることができる。

なお、上記実施形態では、温度ｔが閾値ＴＨ以下でない場合、または、出力電圧Ｖｏｕｔの変化量が大きくない場合、Ｖｏｕｔ０として格納している出力電圧Ｖｏｕｔに基づいてデューティｄ１を計算する構成であるが、温度ｔが閾値ＴＨ以下でない場合、または、出力電圧Ｖｏｕｔの変化量が大きくない場合、Ｖｏｕｔ０〜Ｖｏｕｔ（ｎ）として格納している各出力電圧Ｖｏｕｔの移動平均Ｖｏｕｔａ１を求め、その移動平均Ｖｏｕｔａ１を上記数１のＶｏｕｔ０とすることによりデューティｄ１を計算してもよい。このように構成する場合、温度ｔが閾値ＴＨ以下である場合、または、出力電圧Ｖｏｕｔの変化量が大きい場合、Ｖｏｕｔ０〜Ｖｏｕｔ（ｎ＋１）として格納している各出力電圧Ｖｏｕｔの移動平均Ｖｏｕｔａ２を求め、その移動平均Ｖｏｕｔａ２を上記数３のＶｏｕｔＡとすることによりデューティｄ２を計算してもよい。

本発明の実施形態の昇圧チョッパ回路を示す図である。制御部の動作を示すフローチャートである。（ａ）は、常温時の出力電圧に含まれるリプルを示す図である。（ｂ）は、低温時の出力電圧に含まれるリプルを示す図である。（ｃ）は、低温時において出力電圧の移動平均を求めてＭＯＳＦＥＴの動作を制御したときの出力電圧Ｖｏｕｔに含まれるリプルを示す図である。制御部の他の動作を示すフローチャートである。既存の昇圧チョッパ回路を示す図である。

符号の説明

１昇圧チョッパ回路
２制御部
３温度検出部
５０昇圧チョッパ回路
５１コンデンサ
５２チョークコイル
５３ＭＯＳＦＥＴ
５４ＭＯＳＦＥＴ
５５コンデンサ

Claims

入力段に設けられるインダクタと、
出力段に設けられるコンデンサと、
前記インダクタと前記コンデンサとの間に設けられる整流手段と、
前記インダクタとグランドとの間に設けられるスイッチング素子と、
温度検出手段と、
少なくとも出力電圧に基づいて前記スイッチング素子の動作を制御する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記温度検出手段により検出される温度が閾値以下である場合、前記出力電圧のサンプリング数を増加させてそれらの出力電圧の移動平均を求め、その移動平均に基づいて前記スイッチング素子の動作を制御する、
ことを特徴とする昇圧チョッパ回路。
請求項１に記載の昇圧チョッパ回路であって、
前記制御手段は、前記温度検出手段により検出される温度が閾値以下である場合、前記出力電圧のサンプリング数を２以上にしてそれらの出力電圧の移動平均を求め、その移動平均に基づいて前記スイッチング素子の動作を制御する、
ことを特徴とする昇圧チョッパ回路。
入力段に設けられるインダクタと、
出力段に設けられるコンデンサと、
前記インダクタと前記コンデンサとの間に設けられる整流手段と、
前記インダクタとグランドとの間に設けられるスイッチング素子と、
少なくとも出力電圧に基づいて前記スイッチング素子の動作を制御する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記出力電圧の変化量が所定値より大きい場合、前記出力電圧のサンプリング数を増加させてそれらの出力電圧の移動平均を求め、その移動平均に基づいて前記スイッチング素子の動作を制御する、
ことを特徴とする昇圧チョッパ回路。
請求項３に記載の昇圧チョッパ回路であって、
前記制御手段は、前記出力電圧の変化量が所定値より大きい場合、前記出力電圧のサンプリング数を２以上にしてそれらの出力電圧の移動平均を求め、その移動平均に基づいて前記スイッチング素子の動作を制御する、
ことを特徴とする昇圧チョッパ回路。
請求項３に記載の昇圧チョッパ回路であって、
前記制御手段は、今回サンプリングした出力電圧とその前にサンプリングした出力電圧との差分が所定値以上である場合、それらの出力電圧の移動平均を求め、その移動平均に基づいて前記スイッチング素子の動作を制御する、
ことを特徴とする昇圧チョッパ回路。
請求項３に記載の昇圧チョッパ回路であって、
前記制御手段は、複数サンプリングした出力電圧のうち最大値と最小値との差分が所定値以上である場合、それらの出力電圧の移動平均を求め、その移動平均に基づいて前記スイッチング素子の動作を制御する、
ことを特徴とする昇圧チョッパ回路。