JP2007333672A - 外観検査装置および外観検査方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】ウェハーの表裏両面について同時に、かつ容易に検査可能な外観検査装置および外観検査方法の提供。
【解決手段】外観検査装置1は、ウェハー2の表面側に配置され当該ウェハー2の表面を撮像する第1カメラ41と、ウェハーの裏面側に配置され当該ウェハーの裏面を撮像する第2カメラ42とを備え、第1カメラ41と第2カメラ42とは、それぞれの光軸がウェハーの表面および裏面に略直交しかつ互いに同軸Sとされている。これらのカメラ41,42で略同時に撮像を行い、ウェハー2の表面および裏面両方の検査を同時に行うことにより、ウェハー2の表裏両面検査に要する検査時間を短縮できる。また、第1、第2カメラ41,42が同軸Sに配置されていることから、外観検査装置1のコンパクト化を図れるとともに、第1、第2カメラ41,42の駆動制御を容易にできる。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体ウェハー等の外観検査装置および外観検査方法に関する。
従来、半導体集積回路が実装され多数のIC(Integrated Circuit)チップに個片化される半導体ウェハーの外観検査においては、CCD(charge-coupled device)カメラなどでウェハーの各部を撮像し、撮像された各検査画像について画像処理を実施している。
このようなウェハーの外観検査に際し、ウェハーの表裏両面の検査が必要となる場合があるが、半導体ウェハーの表裏両面を検査可能な装置はまだ実用化されていない。
一方、半導体ウェハーの形成に用いられるマスク基板の外観検査については、マスク基板の表面側および裏面側にそれぞれテレビカメラと投光器とを配置し、マスク基板の表裏両面を2台のテレビカメラで同時に撮像して検査することが提案されている(特許文献1)。
この特許文献1におけるマスク基板の検査装置は、マスク基板の表裏にそれぞれ配置され基板面に対して斜め方向から照明する一対の投光器と、各投光器の光束がウェハー平面で反射されたスポット光に対向する一対のテレビカメラとを備えている。ここでは、各投光器はマスク基板平面のそれぞれ異なる位置に配置され、各テレビカメラもまた、マスク基板平面のそれぞれ異なる位置に配置されている。そして、基板平面における乱反射による輝度の違いなどに基いて、異物やキズの検査が行われる。
特開昭58−154229号公報(第2図)
ここで、半導体ウェハーなどの表裏両面の検査が必要となる場合、まず、ウェハーの表面を検査した後、裏返して裏面側を検査することが考えられるが、これでは、ウェハーの搬送等に起因して異物の付着、キズ、および汚れなどが発生しやすい。また、表裏両面を検査した場合は、片面だけの検査と比べて少なくとも2倍の検査時間がかかるという問題がある。
一方、特許文献1のように、ウェハーの表裏両面それぞれについて検査画像を取得する構成であっても、この場合の検査対象は、異物やキズに限られ、輝度差がさほど表れないパターンの形状および汚れの検査は困難である。また、ウェハーには、エッチングなどで貫通孔が形成される場合があるが、このような貫通孔の形状に関するエッチング精度の評価や、貫通孔内の異物存在などの検査は困難である。
以上のような問題に鑑みて、本発明の目的は、ウェハーの表裏両面について同時に、かつ容易に検査可能な外観検査装置および外観検査方法を提供することにある。
本発明のウェハーの外観検査装置は、ウェハーの表面側に配置され当該ウェハーの表面を撮像する第1撮像手段と、ウェハーの裏面側に配置され当該ウェハーの裏面を撮像する第2撮像手段とを備え、前記第1撮像手段と前記第2撮像手段とは、それぞれの光軸がウェハーの表面および裏面に略直交しかつ互いに同軸となるように配置されていることを特徴とする。
この発明によれば、ウェハーの表裏両面側にそれぞれ撮像手段を備えるので、ウェハーの表裏両面の検査を同時に行うことが可能であって、これにより、ウェハーの表裏両面検査に要する検査時間を短縮できる。また、ウェハーを裏返すことなく表裏面を検査可能であるため、ウェハーの搬送時などに異物の付着、キズ、汚れが生じるおそれを無くすことができる。
なお、第1、第2撮像手段による撮像に際して適宜、ウェハーの表裏両面それぞれに対する斜め照明、同軸落射照明、透過照明などを使用できる。これにより、例えば斜め照明および同軸落射照明の場合では、ウェハーの被撮像面における反射光の輝度レベルなどに応じて、異物存在、キズなどを検査でき、また、透過照明の場合では、透過像に基いてパターン形状、汚れの検査なども含めたウェハーの外観検査を実施できる。
加えて、本発明では第1、第2撮像手段がウェハーの両面側で互いに同軸に配置されていることから、これら第1、第2撮像手段がウェハー平面の相異なる位置に配置されている場合に比べて装置が平面方向に大型化せず、外観検査装置のコンパクト化が図れる。
また、このように同軸とされた第1、第2撮像手段を同様の座標において同時に走査させる制御が可能となり、各撮像手段をウェハーの両面側で別々に駆動して走査させなくてもよいから、第1、第2撮像手段の駆動制御を容易にできる。
本発明のウェハーの外観検査装置は、ウェハーの表面側にそれぞれ配置される第1撮像手段および第1照明手段と、ウェハーの裏面側にそれぞれ配置される第2撮像手段および第2照明手段とを備え、前記第1撮像手段は、前記第2照明手段による前記ウェハーの表面における透過像を撮像するとともに、前記第2撮像手段は、前記第1照明手段による前記ウェハーの裏面における透過像を撮像することを特徴とする。
この発明によれば、第1、第2撮像手段はそれぞれ、当該撮像手段が配置された側とは反対側の照明手段による透過照明によって透過像を撮像するので、この透過像に基き、パターン形状や汚れの検査なども含めたウェハーの外観検査を良好に実施できる。
ここで、この発明により、貫通孔や切欠などが形成されたウェハーについても、その貫通孔や切欠などのウェハーの表裏両面側における形状を容易に検査可能となる。すなわち、ウェハーの表裏両側から孔等の周縁部(エッジ)の形状を正確に把握できるので、エッチングの検査精度を向上させることができる。また、各照明手段の光束がこの孔等を透過するか否かにより、孔等への異物存在も検査可能となる。
このような孔や切欠の形状等を特別の検査手段を用いることなく、異物、キズ、汚れ、パターン形状等に関する通常の外観検査と同じ工程で検査することが可能となるから、孔や切欠等が形成された孔明きウェハーに要する検査時間を短縮でき、搬送時における異物付着、キズ、汚れの発生を防止できる。また、本発明の検査装置により、孔等の形状寸法を測定する三次元測定機等を不要にできるので、装置コストの面でも有利となる。
なお、第1、第2撮像手段によりウェハーの表裏両面を同時に撮像して検査することが可能であり、これにより、検査時間をより短縮できる。
また、本発明においても、前述の発明同様、前記第1撮像手段と前記第2撮像手段とは、それぞれの光軸がウェハーの表面および裏面に略直交しかつ互いに同軸となるように配置されていることが好ましい。
このようにすれば、装置をコンパクトにできるとともに、第1、第2撮像手段の駆動制御を容易にできる。
本発明のウェハーの外観検査方法は、ウェハーの表面側および裏面側にそれぞれ、ウェハーの表面および裏面に光軸が略直交しかつ互いに同軸となるように第1撮像手段および第2撮像手段を配置し、前記第1撮像手段および前記第2撮像手段により、ウェハーの表面および裏面を略同時に撮像することを特徴とする。
この発明によれば、2つの撮像手段により、ウェハーの表裏両側から略同時に撮像するので、ウェハーの表裏両面の検査に要する検査時間を短縮できる。また、ウェハーを裏返すことなく表裏面を検査可能であるため、ウェハーの搬送時などに異物の付着、キズ、汚れが生じるおそれを無くすことができる。
なお、第1、第2撮像手段の撮像に際して適宜、ウェハーの表裏両面それぞれに対する斜め照明、同軸落射照明、透過照明などを使用できる。これにより、例えば斜め照明および同軸落射照明の場合では、ウェハーの被撮像面における反射光の輝度レベルなどに応じて、異物存在、キズなどを検査でき、また、透過照明の場合では、透過像によりパターン形状、汚れの検査なども含めたウェハーの外観検査を実施できる。
加えて、本発明では第1、第2撮像手段を互いに同軸に配置することから、これら第1、第2撮像手段がウェハー平面の相異なる位置に配置されている場合よりも装置が平面方向に大型化せず、外観検査装置のコンパクト化が図れる。
また、このように同軸とされた第1、第2撮像手段を同様の座標において同時に走査させることができるので、第1、第2撮像手段の駆動制御を容易にできる。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
[1.外観検査装置の構成]
図1は、本実施形態における外観検査装置1の構成外略図である。
外観検査装置1は、大略、ウェハー2を載置するテーブル3と、ウェハー2の表面2A側および裏面2B側にそれぞれ配置される撮像手段としての第1、第2カメラ41,42と、これらの第1、第2カメラ41,42を駆動する駆動装置40と、各カメラ41,42の筐体にそれぞれ設けられる第1、第2照明手段51,52と、各カメラ41,42の撮像画像をそれぞれ処理する画像処理装置61,62と、各画像処理装置61,62を制御するメイン制御装置(例えば、パーソナルコンピュータ)63とを備えている。外観検査装置1による検査結果は、メイン制御装置63に設けられたモニタ63Aに表示される。
なお、テーブル3には、図示しない搬送機によってウェハー2が順次搬送される。
テーブル3は、X方向に移動可能なXテーブル31と、Y方向に移動可能なYテーブル32と、XY面内で回転可能なθテーブル33とを有し、これらのテーブル31〜33は、ウェハー2の周縁部に沿って設けられている。つまり、これらのテーブル31〜33に載置された状態で、ウェハー2の表裏両面がそれぞれ第1、第2カメラ41,42に対向する。
また、これらのテーブル31〜33は、メイン制御装置63に接続されたXテーブルコントローラ311、Yテーブルコントローラ321、およびθテーブルコントローラ331によってそれぞれ駆動制御される。
第1、第2カメラ41,42は、カラーCCDカメラであり、それぞれの光軸がウェハー2の平面と略直交し、かつそれぞれの光軸が互いに同軸Sとなるように配置されている。
駆動装置40は、第1、第2カメラ41,42をそれぞれ駆動する駆動部410,420を有する。これらの駆動部410,420は、第1、第2カメラ41,42を互いに同軸Sとなる位置にそれぞれ駆動する。
駆動部410は、X方向駆動部410A、Y方向駆動部410B,およびZ方向駆動部410Cにより構成され、これらの駆動部410A〜410Cは、メイン制御装置63に接続された各コントローラ415A〜415Cによりそれぞれ駆動制御される。
また、駆動部420も駆動部410と同様に、X方向駆動部420A、Y方向駆動部420B,およびZ方向駆動部420Cにより構成され、これらの駆動部420A〜420Cは、メイン制御装置63に接続された各コントローラ425A〜425Cによりそれぞれ駆動制御される。
第1、第2照明手段51,52は、本実施形態では第1、第2カメラ41,42の光軸方向に沿って照明光束を射出する同軸照明として構成されている。これらの第1、第2照明手段51,52はそれぞれ、電源511,521に接続されている。
メイン制御装置63は、第1、第2カメラ41,42、駆動装置40、テーブル3、および画像処理装置61,62それぞれを、これらの間で同期をとりつつ制御する。例えばウェハー2の検査画像を撮像する際には、メイン制御装置63は、駆動装置40により、テーブル3上のウェハー2に対して第1、第2カメラ41,42をX方向およびY方向に適宜移動させながら、第1、第2カメラ41,42により、ウェハー2の各部を順次撮像する。なお、本実施形態に限らず、テーブル3をカメラ41,42に対して移動させることにより、ウェハー2の各部をそれぞれ撮像してもよい。
[2.ウェハーの構成]
図2に、外観検査装置1によって検査されるウェハー(基板)の一例として、平面略円形状の半導体ウェハー2の平面模式図を示す。
ウェハー2は、集積回路を構成する半導体パターン等がエッチングやプリントなどによってウェハー2の表面2Aに形成された後、ダイシング、スライシングなどによって多数のチップ20に個片化される。なお、本実施形態のウェハー2は、ガラスなどの透光性を有する材料により形成されている。
図2に1つのチップ20を拡大して示したように、ウェハー2の表面2Aには、複数の微細な半導体パターン21が形成されている。
また、図3に示すように、ウェハー2には、エッチングにより厚み方向に貫通形成された貫通孔22,23および切欠24がそれぞれ形成されている。これらの貫通孔22,23および切欠24は、本実施形態では、ウェハー2の表面2Aおよび裏面2Bにの両方に対してエッチングを施すことによって形成されている。
なお、本実施形態では、これらの貫通孔22,23および切欠24には、図示しないマイクロマシンなどが設置される。
[3.外観検査装置による検査]
次に、外観検査装置1によるウェハー2の外観検査について説明する。この外観検査に際しては、テーブル3を駆動するなどしてウェハー2を所定の基準位置にアライメントするとともに、各カメラ41,42をウェハー2の表面2Aおよび裏面2Bにそれぞれ合焦しておく。
この外観検査は、同軸Sに設けられた2台の第1、第2カメラ41,42(図1)により、ウェハー2の表面2Aおよび裏面2Bの両方を略同時に検査することに一つの特徴を有する。
ここで、ウェハー2の表裏両面側にそれぞれ、第1、第2カメラ41,42および第1、第2照明手段51,52が設けられていることから、各カメラ41,42により撮像される画像は、ウェハー2の反対側に配置された照明手段の照明による透過像となる。
すなわち、第1カメラ41は、第2照明手段52によるウェハー2の表面2Aにおける透過像を撮像するとともに、第2カメラ42は、第1照明手段51によるウェハー2の裏面2Aにおける透過像を撮像することになる。
図4〜図8に、第1、第2カメラ41,42によるウェハー2各部の撮像を通じて得られた欠陥の態様を例示した。
図4および図5に示したウェハー2の表面2Aには、異物91が付着し、キズ92が付いている。これらの異物91およびキズ92は、第2照明手段52による透過照明により、第1カメラ41で撮像される透過像に基いて検出される。図5に、第2照明手段52による照明光束L2を示すとともに、第1カメラ41による撮像方向C1を示した。
なお、このような異物91やキズ92は、ウェハー2の表面2Aに突出あるいは窪んでいるため、第1カメラ41の撮像画像には、第1照明手段51の照明光束L1による異物91、キズ92での乱反射が写り、その輝度レベルに基いてこれら異物91およびキズ92を検出することも可能である。
次に、図6および図7は、半導体パターン21の形状欠陥、および汚れ欠陥のあるウェハー2を示し、このウェハー2の表面2Aに形成されたパターン21には欠け93が有るとともに、パターン21とパターン21との間には、汚れ94が存在する。
このような欠け93および汚れ94についても、第2照明手段52による透過照明により、第1カメラ41で撮像される透過像に基いて検出される。これらの欠け93や汚れ94については、異物91やキズ92等と比べてウェハー2平面からの突出あるいは窪みの程度が小さく、輝度レベルが異物91およびキズ92とは相違するため、これら欠け93・汚れ94と異物91・キズ92とを区別できる。
さらに、図8は、貫通孔22,23および切欠24の形状欠陥、および貫通孔23への異物99存在の欠陥を示す。すなわち、ウェハー2の表面2A側における貫通孔22および切欠24の形状寸法と、ウェハー2の裏面2B側における貫通孔22および切欠24の形状寸法とが相違し、エッチングの精度を欠く。
このような貫通孔22および切欠24の形状検査は、第1カメラ41および第2カメラ42により撮像方向C1,C2からそれぞれ撮像した各検査画像を比較することによって検出できる。すなわち、第2照明手段52の照明光束L2による透過像を第1カメラ41で撮像方向C1から撮像すると、貫通孔22および切欠24のウェハー2表面2A側のエッジ221,241の形状が得られる。一方、第1照明手段51の照明光束L1による透過像を第2カメラ42で撮像方向C2から撮像すると、貫通孔22および切欠24のウェハー2裏面2B側のエッジ222,242の形状が得られる。これらエッジ221,222の形状、およびエッジ241,242の形状の差分をとることなどで、エッチング欠陥を検出できる。
なお、第1、第2カメラ41,42による検査画像の撮像に際しては、第1、第2照明手段51,52の照明光量が適宜調整される。
また、欠陥の検出には、輝度レベルを使用するほか、良品パターンや隣接パターンとの比較によるパターンマッチング法なども使用できる。
[4.本実施形態による効果]
以上述べた本実施形態によれば、次のような効果が得られる。
(1)外観検査装置1は、ウェハー2の表裏両面側それぞれに第1、第2カメラ41,42を備え、これらのカメラ41,42でウェハー2の表面2Aおよび裏面2Bを略同時に撮像する。これにより、ウェハー2の表裏両面の検査に要する検査時間を短縮できる。また、ウェハー2を裏返すことなく表面2Aおよび裏面2Bを検査可能であるため、ウェハー2の搬送時などに異物の付着、キズ、汚れが生じるおそれを無くすことができる。なお、ウェハー2を裏返さなくて済むため、裏面側への冶具の接触が許容されないウェハーなどについても外観検査可能となる。
(2)加えて、第1、第2カメラ41,42が互いに同軸Sに配置されていることから、これら第1、第2カメラ41,42がウェハー2平面の相異なる位置に配置されている場合に比べて装置が平面方向に大型化しない。よって、コンパクトな外観検査装置1を実現できる。
(3)また、同軸Sとされた第1、第2カメラ41,42は駆動装置40によって同時に走査されるので、第1、第2カメラ41,42の駆動制御を容易にできる。
(4)第1、第2カメラ41,42はそれぞれ、当該カメラ41,42が配置された側とは反対側の照明手段51,52による透過照明によって透過像を撮像するので、この透過像に基き、パターン21の欠け93や汚れ94の検査なども含めたウェハー2の外観検査を良好に実施できる。
(5)透過像の使用により、貫通孔22,23や切欠24などが形成されたウェハー2についても、その貫通孔22,23や切欠24などのウェハー2の表裏両面側における形状を容易に検査可能となる。これにより、ウェハー2の表裏両面側から貫通孔22,23および切欠24等の形状を正確に把握できるので、エッチングの検査精度を向上させることができる。また、各照明手段51,52の光束が貫通孔22を透過するか否かにより、貫通孔22への異物99の存在も検査可能となる。
(6)ウェハー2における貫通孔22,23や切欠24の形状等を特別の検査手段を用いることなく、異物91、キズ92、パターン21の欠け93、汚れ94等に関する通常の外観検査と同じ工程で検査することが可能となるから、孔明きウェハー2に要する検査時間を短縮でき、搬送時における異物付着、キズ、汚れの発生を防止できる。三次元測定機などで孔22等の形状を直接検査する必要がないから、装置コストが高騰しない。
以上の実施形態において、本発明を具体的に説明したが、本発明は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形、改良が可能である。
例えば、前記実施形態では、ウェハー2の表面2Aのみについて、異物91、キズ92、パターンの欠け93、および汚れ94を検査していたが、これに限らず、ウェハー2の表裏両面について検査を実施してもよい。パターン21は、ウェハー2の裏面2Bにも形成される場合があり、異物91、キズ92、汚れ94も、ウェハー2の両面について問題となる場合がある。本発明の第1、第2撮像手段によるウェハの表裏両面の撮像により、ウェハの表裏両面を効率よく検査できる。
前記実施形態では、第1、第2カメラ41,42それぞれに設けられた同軸落射照明を第1、第2照明手段51,52としたが、第1、第2照明手段の態様はこれに限定されない。第1、第2照明手段は、第1、第2撮像手段と一体でも別体でも構わない。
また、前記実施形態のように、外観検査に使用する主照明は透過照明としつつ、これに斜め照明などの他の照明手段を付加して、欠陥検出を補助することも検討できる。照明手段は、ウェハの透光性などを考慮して適宜決めればよい。
さらに、前記実施形態では第1、第2撮像手段としてCCDカメラ41,42を使用したが、これに限らず、他の撮像手段も使用できる。
そして、前記実施形態では、孔明きウェハー2を検査したが、これに限らず、貫通孔22,23や切欠24が形成されていない通常のウェハー、基板についても、同様に検査可能であって、前述と同様の効果を得られる。
また、前記実施形態では半導体ウェハ−2を検査したが、半導体ウェハー以外に、マスク基板などの外観検査にも、本発明の外観検査装置および外観検査方法を適用可能である。
本発明を実施するための最良の構成、方法などは、以上の記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、本発明は、主に特定の実施形態に関して特に図示され、かつ、説明されているが、本発明の技術的思想および目的の範囲から逸脱することなく、以上述べた実施形態に対し、形状、材質、数量、その他の詳細な構成において、当業者が様々な変形を加えることができるものである。
したがって、上記に開示した形状、材質などを限定した記載は、本発明の理解を容易にするために例示的に記載したものであり、本発明を限定するものではないから、それらの形状、材質などの限定の一部もしくは全部の限定を外した部材の名称での記載は、本発明に含まれるものである。
本発明の実施形態におけるウェハーの外観検査装置の構成外略図。 前記実施形態における半導体ウェハーの平面図。 前記実施形態における半導体ウェハーの側断面図。 前記実施形態におけるウェハーの異物欠陥およびキズ欠陥を示す平面図。 図4に示すウェハーの断面図。 前記実施形態におけるウェハーのパターン形状欠陥および汚れ欠陥を示す図。 図6に示すウェハーの断面図。 前記実施形態におけるウェハーの貫通孔および切欠のエッチング欠陥および異物欠陥を示す図。
符号の説明
1・・・外観検査装置、2・・・ウェハー、2A・・・表面、2B・・・裏面、22,23・・・貫通孔、24・・・切欠、41・・・第1カメラ(第1撮像手段)、42・・・第2カメラ(第2撮像手段)、51・・・第1照明手段、52・・・第2照明手段、91・・・異物、92・・・キズ、93・・・欠け、94・・・汚れ、99・・・異物、C1・・・撮像方向、C2・・・撮像方向、L1・・・照明光束、L2・・・照明光束、S・・・同軸。

Claims (4)

  1. ウェハーの表面側に配置され当該ウェハーの表面を撮像する第1撮像手段と、
    ウェハーの裏面側に配置され当該ウェハーの裏面を撮像する第2撮像手段とを備え、
    前記第1撮像手段と前記第2撮像手段とは、それぞれの光軸がウェハーの表面および裏面に略直交しかつ互いに同軸となるように配置されている
    ことを特徴とするウェハーの外観検査装置。
  2. ウェハーの表面側にそれぞれ配置される第1撮像手段および第1照明手段と、
    ウェハーの裏面側にそれぞれ配置される第2撮像手段および第2照明手段とを備え、
    前記第1撮像手段は、前記第2照明手段による前記ウェハーの表面における透過像を撮像するとともに、
    前記第2撮像手段は、前記第1照明手段による前記ウェハーの裏面における透過像を撮像する
    ことを特徴とするウェハーの外観検査装置。
  3. 請求項2に記載のウェハーの外観検査装置において、
    前記第1撮像手段と前記第2撮像手段とは、それぞれの光軸がウェハーの表面および裏面に略直交しかつ互いに同軸となるように配置されている
    ことを特徴とするウェハーの外観検査装置。
  4. ウェハーの表面側および裏面側にそれぞれ、ウェハーの表面および裏面に光軸が略直交しかつ互いに同軸となるように第1撮像手段および第2撮像手段を配置し、
    前記第1撮像手段および前記第2撮像手段により、ウェハーの表面および裏面を略同時に撮像する
    ことを特徴とするウェハーの外観検査方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011053170A (ja) * 2009-09-04 2011-03-17 Seiko Epson Corp 孔内検査方法
JP2012500969A (ja) * 2008-08-22 2012-01-12 コーニング インコーポレイテッド セラミック・フィルター体の欠陥検出システム及び方法
JP2012112688A (ja) * 2010-11-22 2012-06-14 Seiko Epson Corp 検査装置
JP6132322B1 (ja) * 2015-12-10 2017-05-24 上野精機株式会社 外観検査装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012500969A (ja) * 2008-08-22 2012-01-12 コーニング インコーポレイテッド セラミック・フィルター体の欠陥検出システム及び方法
JP2015111129A (ja) * 2008-08-22 2015-06-18 コーニング インコーポレイテッド セラミック・フィルター体の欠陥検出方法
JP2011053170A (ja) * 2009-09-04 2011-03-17 Seiko Epson Corp 孔内検査方法
JP2012112688A (ja) * 2010-11-22 2012-06-14 Seiko Epson Corp 検査装置
JP6132322B1 (ja) * 2015-12-10 2017-05-24 上野精機株式会社 外観検査装置
JP2017106824A (ja) * 2015-12-10 2017-06-15 上野精機株式会社 外観検査装置

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