JP2007324313A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007324313A JP2007324313A JP2006151772A JP2006151772A JP2007324313A JP 2007324313 A JP2007324313 A JP 2007324313A JP 2006151772 A JP2006151772 A JP 2006151772A JP 2006151772 A JP2006151772 A JP 2006151772A JP 2007324313 A JP2007324313 A JP 2007324313A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- light
- layer
- light emitting
- filter unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/18—Semiconductor lasers with special structural design for influencing the near- or far-field
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1078—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region with means to control the spontaneous emission, e.g. reducing or reinjection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
- H01S5/18311—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement using selective oxidation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】面発光型半導体レーザ1、フィルタ部3および半導体光検出器2を備える。面発光型半導体レーザ1は基板11上にn型DBR層12〜p型コンタクト層17をこの順に積層したものである。フィルタ部3は面発光型半導体レーザ1から出力される光のうち誘導放出光の光軸と平行な方向(積層方向)の透過率がその光軸とは異なる方向の透過率よりも高い透過特性を有する。半導体光検出器2はフィルタ部3を透過した光の一部を吸収する光吸収層21を有する。フィルタ部3および半導体光検出器2はp型コンタクト層1の表面にこの順に重ね合わせて面発光型半導体レーザ1と共に一体に形成されている。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体発光装置の断面構成を表すものである。この半導体発光装置は、面発光型半導体レーザ1上に、フィルタ部3と、半導体光検出器2とをこの順に配置すると共に、これら面発光型半導体レーザ1、フィルタ部3および半導体光検出器2を一体に形成したものである。なお、面発光型半導体レーザ1は本発明の「半導体発光素子」の一例に相当する。
面発光型半導体レーザ1は、基板11の一面側に、n型DBR層12、n型クラッド層13、活性層14、p型クラッド層15、p型DBR層16、p型コンタクト層17をこの順に積層して構成されている。なお、n型DBR層12およびn型クラッド層13は本発明の「第1導電型半導体層」の一例に相当し、p型クラッド層15、p型DBR層16およびp型コンタクト層17は本発明の「第2導電型半導体層」の一例に相当する。
半導体光検出器2は、光吸収層21、n型コンタクト層22およびn側電極23をフィルタ部3側からこの順に有する。
フィルタ部3は、面発光型半導体レーザ1のp型コンタクト層17と、半導体光検出器2の光吸収層21との間に設けられている。このフィルタ部3は、角度依存型フィルタであり、具体的には、積層方向から入射する光に対する透過率が積層方向と角度θ(0<θ≦90)で交わる方向から入射する光に対する透過率よりも高い透過特性を有している。このような角度依存性を有するフィルタ部3は、積層面内に均一な構造を有しており、他方、積層方向には、低屈折率層(図示せず)および高屈折率層(図示せず)を1組として、それを(2n+1)/2(nは1以上の整数)組分積層してなる積層構造を有している。ここで、低屈折率層は、例えば厚さがλ/4n5 (n5 は屈折率)のp型Alx11 Ga1-x11 As(0<x11≦1)、高屈折率層は、例えば厚さがλ/4n6 (n6 は屈折率)のp型Alx12 Ga1-x12 As(0≦x12<x11)によりそれぞれ構成されている。なお、図2(A),(B),(C)には、p型コンタクト層17上に3.5組積層したときのフィルタ部3の屈折率分布の一例と、そのときの反射率の角度依存性の一例と、角度θの定義とがそれぞれ示されている。
図6は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体発光装置の構造を表すものである。なお、図6は模式的に表したものであり、実際の寸法、形状とは異なっている。また、以下の説明において、上記実施の形態と同一の符号が用いられている場合は、その同一符号の要素と同様の構成・機能を有することを意味している。
半導体光検出器4は、基板40の表面側に光吸収層41を、基板40の裏面側にn側電極42をそれぞれ有する。基板40は、例えばn型GaAsにより構成されている。光吸収層41は、上記実施の形態の光吸収層21と同様の材料により構成され、発光領域14Aから出力されるレーザ光の一部を吸収すると共に、吸収した光を電気信号に変換するようになっている。この電気信号は、半導体光検出器4に接続された光出力演算回路(図示せず)に光出力モニタ信号として入力され、光出力演算回路においてフィルタ部6を透過した光の出力レベルを計測するために用いられる。n側電極42は、AuGe合金,NiおよびAuとを基板40側からこの順に積層した構造を有しており、基板40と電気的に接続されている。
面発光型半導体レーザ5は、フィルタ部6の表面上に、p型コンタクト層17、p型DBR層16、p型クラッド層15、発光領域14Aを有する活性層14、n型クラッド層13、n型DBR層12、n型コンタクト層52をこの順に積層したのち、n型コンタクト層52からp型DBR層16まで選択的にエッチングしてp型DBR層16の中途に段差を有するメサ形状とすると共に、p型コンタクト層17の一部を露出させたものである。なお、n型クラッド層13、n型DBR層12およびn型コンタクト層52は本発明の「第1導電型半導体層」の一例に相当し、p型コンタクト層17、p型DBR層16およびp型クラッド層15は本発明の「第2導電型半導体層」の一例に相当する。ここで、n型コンタクト層52は、例えばAlx13 Ga1-x13 As(0≦x13≦1)により構成される。このn型コンタクト層52は、発光領域14Aに対応して開口を有しており、ドーナツ形状となっている。
フィルタ部6は、半導体光検出器4の光吸収層41と、面発光型半導体レーザ5のp型コンタクト層17との間に設けられている。このフィルタ部6は、上記実施の形態のフィルタ部3と同様、角度依存型フィルタである。
Claims (3)
- 第1導電型半導体層、発光領域を有する活性層および第2導電型半導体層をこの順に含んで構成された半導体発光素子と、
前記半導体発光素子から出力される光のうち誘導放出光の光軸と平行な方向の透過率がその光軸とは異なる方向の透過率よりも高い透過特性を有するフィルタ部と、
前記フィルタ部を透過した光の一部を吸収する光吸収層を有する半導体光検出器と
を備え、
前記フィルタ部および前記半導体光検出器は、前記半導体発光素子の前記第2導電型半導体層側にこの順に重ね合わせて前記半導体発光素子と共に一体に形成されている
ことを特徴とする半導体発光装置。 - 前記フィルタ部は、低屈折率層および高屈折率層を1組として、それを(2n+1)/2(nは1以上の整数)組分積層して構成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。 - 前記半導体発光素子は前記第2導電型半導体層の前記フィルタ部との間にコンタクト層をさらに有する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006151772A JP5135717B2 (ja) | 2006-05-31 | 2006-05-31 | 半導体発光装置 |
US11/802,460 US7423294B2 (en) | 2006-05-31 | 2007-05-23 | Semiconductor light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006151772A JP5135717B2 (ja) | 2006-05-31 | 2006-05-31 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007324313A true JP2007324313A (ja) | 2007-12-13 |
JP5135717B2 JP5135717B2 (ja) | 2013-02-06 |
Family
ID=38789047
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006151772A Active JP5135717B2 (ja) | 2006-05-31 | 2006-05-31 | 半導体発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7423294B2 (ja) |
JP (1) | JP5135717B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8488647B2 (en) | 2009-10-28 | 2013-07-16 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device |
US8964808B2 (en) | 2007-12-21 | 2015-02-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laser light source and method for producing a laser light source |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4962743B2 (ja) * | 2008-12-19 | 2012-06-27 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置 |
DE102010015197A1 (de) * | 2010-04-16 | 2012-01-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserlichtquelle |
JP5853496B2 (ja) * | 2011-08-30 | 2016-02-09 | 富士ゼロックス株式会社 | 発光素子、発光素子アレイ、光書込みヘッドおよび画像形成装置 |
US9780239B2 (en) * | 2011-10-24 | 2017-10-03 | Rosestreet Labs, Llc | Nitride UV light sensors on silicon substrates |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002504754A (ja) * | 1998-02-18 | 2002-02-12 | インフィネオン・テクノロジーズ・アーゲー | 光送信機及び光受信機を有するコンポーネント |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100234340B1 (ko) | 1996-10-29 | 1999-12-15 | 윤종용 | 광출력장치 |
US6043550A (en) * | 1997-09-03 | 2000-03-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photodiode and photodiode module |
JP2002050785A (ja) * | 2000-08-01 | 2002-02-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体受光素子 |
-
2006
- 2006-05-31 JP JP2006151772A patent/JP5135717B2/ja active Active
-
2007
- 2007-05-23 US US11/802,460 patent/US7423294B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002504754A (ja) * | 1998-02-18 | 2002-02-12 | インフィネオン・テクノロジーズ・アーゲー | 光送信機及び光受信機を有するコンポーネント |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8964808B2 (en) | 2007-12-21 | 2015-02-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laser light source and method for producing a laser light source |
US9407063B2 (en) | 2007-12-21 | 2016-08-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laser light source and method for producing a laser light source |
US9531158B2 (en) | 2007-12-21 | 2016-12-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laser light source |
US9559497B2 (en) | 2007-12-21 | 2017-01-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laser light source |
US9559496B2 (en) | 2007-12-21 | 2017-01-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laser light source |
US8488647B2 (en) | 2009-10-28 | 2013-07-16 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7423294B2 (en) | 2008-09-09 |
JP5135717B2 (ja) | 2013-02-06 |
US20070278475A1 (en) | 2007-12-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7601987B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
JP4978291B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4650631B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP4760380B2 (ja) | 面発光レーザ | |
US20100046565A1 (en) | Vertical cavity surface emitting laser | |
JP5135717B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
US8488647B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
JP4600776B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
US8073023B2 (en) | Surface emitting laser | |
JP2010177649A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP4674642B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP4967615B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP4935090B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
WO2019107273A1 (ja) | 面発光半導体レーザ | |
JP4894256B2 (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
WO2017221520A1 (ja) | 半導体発光素子、光通信装置、および半導体発光素子の製造方法 | |
JP2007180279A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2005347715A (ja) | 面発光レーザおよびこれを用いた光学ユニット、並びにこれらを用いた光学モジュール | |
JP2007242885A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
JP2009117599A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2011233940A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2009252758A (ja) | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090316 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120316 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120321 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120514 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121016 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121029 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5135717 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151122 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |