JP2007324309A - 有機電界発光素子 - Google Patents

Abstract

【課題】発光特性に優れる有機電界発光素子の提供。またその発光素子を提供するために好適な金属錯体化合物の提供。
【解決手段】一対の電極間に、発光層を含む有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、該有機化合物層に、４座配位子を有し、該配位子の連結基上に特定のアルキル基を有する金属錯体を含有する。
【選択図】なし

Description

本発明は有機電界発光素子（以下、「有機EL素子」ともいう）に関するものであり、特に発光特性に優れる有機電界発光素子に関する。

有機電界発光素子は、低電圧駆動で高輝度の発光が得られることから、近年活発な研究開発が行われている。一般に有機EL素子は、発光層を含む有機化合物層および該層を挟んだ一対の電極から構成されており、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔が発光層において再結合し、生成した励起子のエネルギーを発光に利用するものである。

近年、燐光発光材料を用いることにより、素子の高効率化が進んでいる。燐光発光材料としてはイリジウム錯体や白金錯体などが知られているが（例えば特許文献１〜３参照）、耐久性や発光特性に優れた素子の開発には至っておらず、これらの特性を改善した燐光材料の開発が切望されているのが現状である。
米国特許第6303238号明細書 国際公開第00/57676号パンフレット 国際公開第05/42444号パンフレット

本発明の目的は、発光特性に優れる有機電界発光素子の提供にある。またその発光素子を提供するために好適な金属錯体化合物を提供することにある。

本発明者らは、上記課題を解決すべく検討した結果、４座配位子を有し、該配位子の連結基上に特定のアルキル基を有する金属錯体（特に下記一般式（１）または（２）で表される金属錯体）を有機化合物層に含有することにより、該有機化合物層中での金属錯体同士の会合、及び／又は該有機化合物層で用いられる他の有機材料との会合が抑制され、発光特性に優れる有機電界発光素子が得られることを見出した。
すなわち本発明は下記の通りである。

〔１〕一対の電極間に、発光層を含む有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（１）で表される４座配位子を有する金属錯体の少なくとも一種を有機化合物層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
一般式（１）

（一般式（１）中、Q²¹、Q²² はそれぞれ独立に、金属に配位する原子群を表す。Q²³は、L²³と炭素原子で結合し、金属に配位する原子群を表し、Q²⁴は、L²¹と炭素原子で結合し、金属に配位する原子群を表す。L²¹、L²²、L²³、及びL²⁴はそれぞれ独立に、単結合または連結基を表す。L²¹、L²²、L²³、及びL²⁴のうち少なくとも１つは連結基であり、そのうちの少なくとも１つ以上の連結基上に、少なくとも１つ以上の下記置換基Ｒ^１を有する。M²¹は金属イオンを表す。金属イオンとQ²¹、Q²²、Q²³、Q²⁴との結合はそれぞれ共有結合でも、配位結合、イオン結合でも良い。ｎは０または１を表す。但し、ｎ＝０の場合、Q²³とQ²⁴は連結しない。
置換基Ｒ^１：置換基Ｒ^１は下記一般式（Ｒ−１）〜（Ｒ−９）で表される３級もしくは４級炭素を有する炭素数３〜２０の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。

一般式（Ｒ−１）において、Ｒ^１Ａは、置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^１Ａはそれぞれ同じでも、異なっていても良い。２つのＲ^１Ａは互いに結合して環を形成しても良い。
一般式（Ｒ−２）において、Ｒ^２Ａは、３つのＲ^２Ａの合計が炭素数４以上を満たす、置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^２Ａはそれぞれ同じであっても異なっていても良い。但し、３つのＲ^２Ａが互いに結合して環を形成することはない。
一般式（Ｒ−３）において、Ｒ^３Ａは、置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^３Ａはそれぞれ同じでも、異なっていても良い。複数のＲ^３Ａは互いに結合して環を形成しても良い。
一般式（Ｒ−５）において、Ｒ^５Ａは、２つのＲ^５Ａの合計が炭素数４以上を満たす、置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^５Ａはそれぞれ同じであっても異なっていても良い。複数のＲ^５Ａは互いに結合して環を形成しても良い。
一般式（Ｒ−７）において、ｓは１以上の整数を表す。ｓは、一般式（Ｒ−７）で表される基の炭素数が２０以下であれば任意の整数を取ることができ、ｓ＝１の場合、Ｒ^７Ａは、２つのＲ^７Ａの合計が炭素数４以上を満たす置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^７Ａはそれぞれ同じであっても異なっていても良い。ｓが１より大きい場合は、Ｒ^７Ａは、置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表す。複数のＲ^７Ａは可能であれば互いに結合して環を形成しても良い。
一般式（Ｒ−８）において、ｓは１以上の整数を表す。ｓは、一般式（Ｒ−８）で表される基の炭素数が２０以下であれば任意の整数を取ることができる。Ｒ^８Ａは、置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^８Ａはそれぞれ同じでも、異なっていても良い。複数のＲ^８Ａは互いに結合して環を形成しても良い。
一般式（Ｒ−９）において、ｓは１以上の整数を表す。ｓは、一般式（Ｒ−９）で表される基の炭素数が２０以下であれば任意の整数を取ることができる。）Ｑ^９Ａは、炭素原子を含み芳香族環または芳香族ヘテロ環を形成するアリール基、ヘテロアリール基を表す。Ｑ^９Ａは置換基を有していても良い。）
〔２〕一般式（１）が下記一般式（２）で表されることを特徴とする上記〔１〕に記載の有機電界発光素子。
一般式（２）

（一般式（２）中、R⁶¹、R⁶²はそれぞれ独立に、水素原子もしくは置換基を表す。但しR⁶¹、R⁶²の少なくとも１つは、前記置換基Ｒ^１を表す。R⁶³、R⁶⁴、R⁶⁵、R⁶⁶、R⁶⁷、及びR⁶⁸はそれぞれ独立に、水素原子もしくは置換基を表す。Qはそれぞれ独立に、２つの炭素原子を含み炭素原子で金属に配位する原子群を表す。L⁶⁴は、単結合または連結基を表す。M⁶¹は金属イオンを表す。ｎは０または１を表す。但し、ｎ＝０の場合、QとQは連結しない。）
〔３〕上記一般式（２）において、R⁶¹、R⁶²の少なくとも１つがイソブチル基であることを特徴とする上記〔２〕に記載の有機電界発光素子。
〔４〕下記一般式（２）で表されることを特徴とする化合物。
一般式（２）

（一般式（２）中、R⁶¹、R⁶²はそれぞれ独立に、水素原子又は、置換基を表す。但しR⁶¹、R⁶²の少なくとも１つは、下記置換基Ｒ^１を表す。R⁶³、R⁶⁴、R⁶⁵、R⁶⁶、R⁶⁷、及びR⁶⁸はそれぞれ独立に、水素原子もしくは置換基を表す。Qはそれぞれ独立に、２つの炭素原子を含み炭素原子で金属に配位する原子群を表す。L⁶⁴は、単結合または連結基を表す。M⁶¹は金属イオンを表す。ｎは０または１を表す。但し、ｎ＝０の場合、QとQは連結しない。
置換基Ｒ^１：置換基Ｒ^１は下記一般式（Ｒ−１）〜（Ｒ−９）で表される３級もしくは４級炭素を有する炭素数３〜２０の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。

一般式（Ｒ−１）において、Ｒ^１Ａは、置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^１Ａはそれぞれ同じでも、異なっていても良い。２つのＲ^１Ａは互いに結合して環を形成しても良い。
一般式（Ｒ−２）において、Ｒ^２Ａは、３つのＲ^２Ａの合計が炭素数４以上を満たす、置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^２Ａはそれぞれ同じであっても異なっていても良い。但し、３つのＲ^２Ａが互いに結合して環を形成することはない。
一般式（Ｒ−３）において、Ｒ^３Ａは、置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^３Ａはそれぞれ同じでも、異なっていても良い。複数のＲ^３Ａは互いに結合して環を形成しても良い。
一般式（Ｒ−５）において、Ｒ^５Ａは、２つのＲ^５Ａの合計が炭素数４以上を満たす、置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^５Ａはそれぞれ同じであっても異なっていても良い。複数のＲ^５Ａは互いに結合して環を形成しても良い。
一般式（Ｒ−７）において、ｓは１以上の整数を表す。ｓは、一般式（Ｒ−７）で表される基の炭素数が２０以下であれば任意の整数を取ることができ、ｓ＝１の場合、Ｒ^７Ａは、２つのＲ^７Ａの合計が炭素数４以上を満たす置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^７Ａはそれぞれ同じであっても異なっていても良い。ｓが１より大きい場合は、Ｒ^７Ａは、置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表す。複数のＲ^７Ａは可能であれば互いに結合して環を形成しても良い。
一般式（Ｒ−８）において、ｓは１以上の整数を表す。ｓは、一般式（Ｒ−８）で表される基の炭素数が２０以下であれば任意の整数を取ることができる。Ｒ^８Ａは、置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^８Ａはそれぞれ同じでも、異なっていても良い。複数のＲ^８Ａは互いに結合して環を形成しても良い。
一般式（Ｒ−９）において、ｓは１以上の整数を表す。ｓは、一般式（Ｒ−９）で表される基の炭素数が２０以下であれば任意の整数を取ることができる。）Ｑ^９Ａは、炭素原子を含み芳香族環または芳香族ヘテロ環を形成するアリール基、ヘテロアリール基を表す。Ｑ^９Ａは置換基を有していても良い。）
〔５〕発光層中に、少なくとも１種の一般式（１）または（２）で表される化合物と、少なくとも１種のホスト材料を含有することを特徴とする上記〔１〕〜〔３〕のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
〔６〕発光層中に、少なくとも１種の一般式（１）または（２）で表される化合物と、少なくとも１種の燐光発光材料を含有することを特徴とする上記〔１〕〜〔３〕のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。

本発明の一般式（１）または（２）で表される錯体（本明細書において「本発明の錯体」と同義で用いる。）を有機化合物層に含有することにより、発光特性に優れる有機電界発光素子（本明細書において「本発明の素子」と同義で用いる。）が提供できる。

本発明書において置換基群Ａとは以下のように定義される。

（置換基群Ａ）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、

アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、

スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、

スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環（ヘテロアリール）基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子が挙げられ、具体的にはイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。

本発明の素子について詳細に説明する。本発明の素子は、一対の電極間に少なくとも一層の有機化合物層を有する。有機化合物層が一層である場合には、有機化合物層として発光層を有する。素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明もしくは半透明であることが好ましい。

本発明の素子は、有機化合物層に特定の構造を有する４座配位子を有する錯体を含有することを特徴とする。有機化合物層としては特に限定されないが、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、励起子ブロック層、保護層などを有していてもよい。またこれらの各層は、それぞれ他の機能を兼備していても良い。

本発明における有機化合物層の積層の態様としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。更に、正孔輸送層と発光層との間、又は、発光層と電子輸送層との間には、電荷ブロック層等を有していてもよい。陽極と正孔輸送層との間に、正孔注入層を有してもよく、陰極と電子輸送層との間には、電子注入層を有してもよい。尚、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。

本発明の錯体は、有機化合物層が複数の層からなる場合、いずれの層にも含有することができる。本発明の錯体は、発光層に含有されることが好ましく、発光材料またはホスト材料として発光層に含有されることがより好ましく、発光材料として発光層に含有されることがさらに好ましく、少なくとも一種のホスト材料と共に発光層に含有されることが特に好ましい。

本発明に用いることのできる燐光発光材料（本発明の錯体及び／又は併用する燐光発光材料）の含有量は、発光層の総質量に対して、０．１質量％以上５０質量％以下の範囲が好ましく、０．２質量％以上３０質量％以下の範囲がより好ましく、０．３質量％以上２０質量％以下の範囲がさらに好ましく、０．５質量％以上１５質量％以下の範囲が最も好ましい。

ホスト材料とは、発光層において主に電荷の注入、輸送を担う化合物であり、また、それ自体は実質的に発光しない化合物のことである。本明細書において「実質的に発光しない」とは、該実質的に発光しない化合物からの発光量が好ましくは素子全体での全発光量の５％以下であり、より好ましくは３％以下であり、さらに好ましくは１％以下であることをいう。

発光層中のホスト材料の濃度は、特に限定されないが、発光層中において主成分（含有量が一番多い成分）であることが好ましく、５０質量％以上９９．９質量％以下がより好ましく、７０質量％以上９９．８質量％以下がさらに好ましく、８０質量％以上９９．７質量％以下が特に好ましく、９０質量％以上９９．５質量％以下が最も好ましい。

前記ホスト材料のガラス転移点は、１００℃以上５００℃以下であることが好ましく、１１０℃以上３００℃以であることがより好ましく、１２０℃以上２５０℃以下であることがさらに好ましい。

本発明の発光層に含まれるホスト材料の膜状態での蛍光波長は、４００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の範囲であることが好ましく、４２０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲であることがより好ましく、４４０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の範囲であることがさらに好ましい。

本発明に用いるホスト材料としては、特開２００２−１００４７６公報の段落０１１３〜０１６１に記載の化合物及び特開２００４−２１４１７９公報の段落００８７〜００９８に記載の化合物を好適に用いることができるが、これらに限定されることはない。

本発明の錯体を発光層以外の層（例えば電荷輸送層等）に導入する場合には、該層中において１０質量％〜１００質量％含まれることが好ましく、より好ましくは３０質量％〜１００質量％含まれることが好ましい。

以下、本発明の錯体について詳細に説明する。
一般式（１）について説明する。Ｑ^２１、Ｑ^２２はそれぞれ独立に金属に配位する（配位により形成される結合としては、例えば配位結合、共有結合、イオン結合がある）原子群を表す。Ｑ^２１、Ｑ^２２は金属に配位する原子群であれば、特に限定されないが、炭素原子で配位する原子群、窒素原子で配位する原子群、酸素原子で配位する原子群、硫黄原子で配位する原子群、りん原子で配位する原子群が好ましく、炭素原子で配位する原子群、窒素原子で配位する原子群、酸素原子で配位する原子群がより好ましく、炭素原子で配位する原子群、窒素原子で配位する原子群がさらに好ましい。

炭素原子で配位する原子群としては、例えば芳香族炭化水素（アリール）基（ベンゼン、ナフタレンなど）、ヘテロ環基（チオフェン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、チアゾール、オキサゾール、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾールなど）およびこれらを含む縮合環、およびこれらの互変異性体が挙げられる。これらの基は、さらに置換基を有していても良い。置換基の例としては、前述の置換基群Ａで説明する基が挙げられる。

窒素原子で配位する原子群としては、例えば含窒素ヘテロ環基（ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、チアゾール、オキサゾール、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾールなど）、アミノ基（アルキルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばメチルアミノ）、アリールアミノ基（例えばフェニルアミノ）などが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、イミノ基などが挙げられる。これらの基はさらに置換されていても良い。置換基の例としては、前述の置換基群Ａで説明する基が挙げられる。

酸素原子で配位する原子群としては、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）、カルボニル基（例えばケトン基、エステル基、アミド基など）、エーテル基（例えばジアルキルエーテル基、ジアリールエーテル基、フリル基など）などが挙げられる。これらの基はさらに置換されていても良い。置換基の例としては、前述の置換基群Ａで説明する基が挙げられる。

硫黄原子で配位する原子群としては、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミダゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、チオカルボニル基（例えばチオケトン基、チオエステル基など）、チオエーテル基（例えばジアルキルチオエーテル基、ジアリールチオエーテル基、チオフリル基など）などが挙げられる。これらの基はさらに置換されていても良い。置換基の例としては、前述の置換基群Ａで説明する基が挙げられる。

りん原子で配位する原子群としては、ジアルキルホスフィノ基、ジアリールホスフィノ基、トリアルキルホスフィン、トリアリールホスフィン、ホスフィニン基等があげられる。これらの基はさらに置換されていても良い。置換基の例としては、前述の置換基群Ａで説明する基が挙げられる。

Ｑ^２１、Ｑ^２２は、炭素原子で配位する原子群、窒素原子で配位する原子群、酸素原子で配位する原子群が好ましく、炭素原子で配位する芳香族炭化水素基、炭素原子で配位するヘテロ環基、窒素原子で配位するヘテロ環基がより好ましく、炭素原子で配位する芳香族炭化水素基、窒素原子で配位するヘテロ環基がさらに好ましく、炭素原子で配位する６員環もしくは５員環構造を有する芳香族炭化水素基、窒素原子で配位する６員環もしくは５員環構造を有するヘテロ環基が特に好ましい。Ｑ^２１、Ｑ^２２は可能であれば前述の置換基群Ａから選ばれる置換基を有していても良い。

Ｑ^２３は、Ｌ^２３と炭素原子で結合し、金属原子に配位する原子群を表す。Ｌ^２３と炭素原子に結合可能で、金属に配位可能である原子群であれば特に限定されない。金属に配位する原子群としては、Ｑ^２１で説明したものが挙げられる。その中でも、炭素原子で配位する原子群、窒素原子で配位する原子群、酸素原子で配位する原子群が好ましく、炭素原子で配位する芳香族炭化水素基、炭素原子で配位するヘテロ環基、窒素原子で配位するヘテロ環基、酸素原子で配位するアリールオキシ基、酸素原子で配位するヘテロアリールオキシ基がより好ましく、炭素原子で配位する芳香族炭化水素基、炭素原子で配位するヘテロ環基、窒素原子で配位するヘテロ環基が特に好ましい。Ｑ^２３は可能であれば前述の置換基群Ａから選ばれる置換基を有していても良い。

Ｑ^２４は、Ｌ^２１と炭素原子で結合し、金属原子に配位する原子群を表す。Ｌ^２１と炭素原子に結合可能で、金属に配位可能である原子群であれば特に限定されない。金属に配位する原子群としては、Ｑ^２１で説明したものが挙げられる。好ましい範囲は、上記Ｑ^２３と同義である。

ｎは０または１である。但し、ｎ＝０の場合、Ｑ^２３とＱ^２４は連結しない。

Ｌ^２１、Ｌ^２２、Ｌ^２３及びＬ^２４はそれぞれ独立に単結合または連結基を表す。Ｌ^２１、Ｌ^２２、Ｌ^２３及びＬ^２４で表される連結基としては、特に限定されないが例えばアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロ環連結基、酸素原子連結基、硫黄原子連結基、ケイ素原子連結基、イミノ連結基、カルボニル連結基、及びこれらの組み合わせからなる連結基が挙げられる。

Ｌ^２１、Ｌ^２２、Ｌ^２３及びＬ^２４として好ましくは、単結合、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロ環連結基、酸素原子連結基、硫黄原子連結基、ケイ素原子連結基、イミノ連結基、カルボニル連結基、及びこれらの組み合わせからなる連結基であり、より好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、ヘテロ環連結基、酸素原子連結基、及びこれらの組み合わせからなる連結基であり、更に好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基及びこれらの組み合わせからなる連結基である。

但し、Ｌ^２１、Ｌ^２２、Ｌ^２３及びＬ^２４のうち少なくとも１つは連結基であり、そのうちの少なくとも１つ以上の連結基上に、少なくとも一つ以上の下記置換基Ｒ^１を有する。

以下、置換基Ｒ^１について説明する。置換基Ｒ^１は下記一般式（Ｒ−１）〜（Ｒ−９）で表される３級もしくは４級炭素を有する炭素数３〜２０の無置換（もしくは置換）アルキル基を表す。この中でも、一般式（Ｒ−３）〜（Ｒ−９）で表される基が好ましく、一般式（Ｒ−４）〜（Ｒ−９）で表される基がより好ましく、一般式（Ｒ−４）、（Ｒ−５）、（Ｒ−９）で表される基が更にこのましく、一般式（Ｒ−４）で表される基が最も好ましい。

一般式（Ｒ−１）について説明する。Ｒ^１Ａは、アルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^１Ａはそれぞれ同じでも、異なっていても良い。アルキル基またはアリール基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−プロピル基、シクロヘキシル基、フェニル基がより好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−プロピル基、フェニル基が更に好ましい。Ｒ^１Ａは、可能であれば、前述の置換基群Ａから選ばれる置換基を有していて良い。２つのＲ^１Ａは可能であれば互いに結合して環を形成しても良い。
２つのＲ^１Ａが互いに結合することにより形成される環としては、シクロプロパン、シクロブタン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサンなどが挙げられる。

一般式（Ｒ−２）について説明する。Ｒ^２Ａは、３つのＲ^２Ａの合計が炭素数４以上を満たすアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^２Ａはそれぞれ同じであっても異なっていても良い。アルキル基またはアリール基としては、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基が好ましく、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−プロピル基、シクロヘキシル基、フェニル基がより好ましく、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−プロピル基、フェニル基が更に好ましい。Ｒ^２Ａは、可能であれば、前述の置換基群Ａから選ばれる置換基を有していて良い。３つのＲ^２Ａが互いに結合して環を形成することはない。

一般式（Ｒ−３）について説明する。Ｒ^３Ａは、アルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^３Ａはそれぞれ同じでも、異なっていても良い。アルキル基またはアリール基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−プロピル基、シクロヘキシル基、フェニル基がより好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−プロピル基、フェニル基が更に好ましい。Ｒ^３Ａは、可能であれば、前述の置換基群Ａから選ばれる置換基を有していて良い。複数のＲ^３Ａは可能であれば互いに結合して環を形成しても良い。複数のＲ^３Ａが互いに結合することにより形成される環としては、ビシクロ[2,2,2]オクタン、アダマンタンなどが挙げられる。

一般式（Ｒ−４）はイソブチル基を表す。

一般式（Ｒ−５）について説明する。Ｒ^５Ａは、２つのＲ^５Ａの合計が炭素数４以上を満たすアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^５Ａはそれぞれ同じであっても異なっていても良い。アルキル基またはアリール基としては、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基が好ましく、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−プロピル基、シクロヘキシル基、フェニル基がより好ましく、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−プロピル基、フェニル基が更に好ましい。Ｒ^５Ａは、可能であれば、前述の置換基群Ａから選ばれる置換基を有していて良い。複数のＲ^５Ａは可能であれば互いに結合して環を形成しても良い。複数のＲ^５Ａが互いに結合することにより形成される環としては、シクロプロパン、シクロブタン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサンなどが挙げられる。

一般式（Ｒ−６）は、３−メチル−ブチル基を表す。

一般式（Ｒ−７）について説明する。ｓは１以上の整数を表す。ｓは、一般式（Ｒ−７）で表される基の炭素数が２０以下であれば任意の整数を取ることができる。ｓは１〜３の整数が好ましく、１，２がより好ましく、１が更に好ましい。
ｓ＝１の場合、Ｒ^７Ａは、２つのＲ^７Ａの合計が炭素数４以上を満たすアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^７Ａはそれぞれ同じであっても異なっていても良い。アルキル基またはアリール基としては、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基が好ましく、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−プロピル基、シクロヘキシル基、フェニル基がより好ましく、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−プロピル基、フェニル基が更に好ましい。
ｓが１より大きい場合は、Ｒ^７Ａは、アルキル基またはアリール基を表し、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−プロピル基、シクロヘキシル基、フェニル基がより好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−プロピル基、フェニル基が更に好ましい。Ｒ^７Ａは、可能であれば、前述の置換基群Ａから選ばれる置換基を有していて良い。複数のＲ^７Ａは可能であれば互いに結合して環を形成しても良い。複数のＲ^７Ａが互いに結合することにより形成される環としては、シクロプロパン、シクロブタン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサンなどが挙げられる。

一般式（Ｒ−８）について説明する。ｓは１以上の整数を表す。ｓは、一般式（Ｒ−８）で表される基の炭素数が２０以下であれば任意の整数を取ることができる。ｓは１〜３の整数が好ましく、１，２がより好ましく、１が更に好ましい。
Ｒ^８Ａは、アルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^８Ａはそれぞれ同じでも異なっていても良い。アルキル基またはアリール基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−プロピル基、シクロヘキシル基、フェニル基がより好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−プロピル基、フェニル基が更に好ましい。Ｒ^８Ａは、可能であれば、前述の置換基群Ａから選ばれる置換基を有していて良い。複数のＲ^８Ａは可能であれば互いに結合して環を形成しても良い。複数のＲ^８Ａが互いに結合することにより形成される環としては、ビシクロ[2,2,2]オクタン、アダマンタンなどが挙げられる。

一般式（Ｒ−９）について説明する。ｓは１以上の整数を表す。ｓは、一般式（Ｒ−９）で表される基の炭素数が２０以下であれば任意の整数を取ることができる。ｓは１〜３の整数が好ましく、１，２がより好ましく、１が更に好ましい。
Ｑ^９Ａは、炭素原子を含み芳香族環または芳香族ヘテロ環を形成するアリール基、ヘテロアリール基を表す。アリール基、ヘテロアリール基を形成する芳香族環として、ベンゼン、ナフタレン、チオフェン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、チアゾール、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾールが好ましく、ベンゼン、チオフェン、ピリジン、チアゾール、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾールがより好ましく、ベンゼンが更に好ましい。Ｑ^９Ａは、可能であれば、前述の置換基群Ａから選ばれる置換基を有していて良い。
Ｒ^１Ａ、Ｒ^２Ａ、Ｒ^３Ａ、Ｒ^５Ａ、Ｒ^７Ａ、Ｒ^８Ａ、Ｑ^９Ａの置換基としては、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲン原子が好ましく、より好ましくは、アルキル基、アリール基である。

Ｍ^２１は、金属イオンを表す。金属イオンは特に限定されないが、１価〜４価の金属イオンが好ましく、１価〜３価の金属イオンが更に好ましく、２価の金属イオンが更に好ましい。
金属イオンの具体例としては、アルミニウムイオン、コバルトイオン、ニッケルイオン、銅イオン、ガリウムイオン、ルテニウムイオン、ロジウムイオン、パラジウムイオン、銀イオン、セリウムイオン、ユーロピウムイオン、タングステンイオン、レニウムイオン、オスミウムイオン、イリジウムイオン、白金イオン、金イオン、鉛イオン、亜鉛イオンなどが挙げられる。

本発明の錯体を発光材料として用いる場合、金属イオンとして好ましくは、白金イオン、金イオン、イリジウムイオン、レニウムイオン、パラジウムイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、タングステンイオン、銅イオンであり、より好ましくは白金イオン、イリジウムイオン、レニウムイオンであり、更に好ましくは白金イオンである。

本発明の錯体を電子注入層（正孔注入層、電子注入層）材料、電荷ブロッキング層（正孔ブロッキング層、電子ブロッキング層）材料、励起子ブロッキング層材料、及び発光層のホスト材料として用いる場合、金属イオンとしては、アルミニウムイオン、コバルトイオン、ニッケルイオン、銅イオン、ガリウムイオン、ルテニウムイオン、ロジウムイオン、パラジウムイオン、イリジウムイオン、白金イオン、金イオン、鉛イオンが好ましく、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、ロジウムイオン、パラジウムイオン、イリジウムイオン、白金イオン、金イオンがより好ましく、パラジウムイオン、白金イオンが更に好ましい。

一般式（１）で表わされる錯体の中で、下記一般式（１−ａ）で表される錯体が更に好ましい。

（一般式（１−ａ）中、R⁵¹、R⁵²はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。但しR⁵¹、R⁵²の少なくとも１つは前記置換基Ｒ^１を表す。R⁵³、R⁵⁴、R⁵⁵、R⁵⁶、R⁵⁷、及びR⁵⁸はそれぞれ独立に、水素原子もしくは置換基を表す。Q⁵³、Q⁵⁴は、ピリジン環と炭素原子で結合し、金属に配位する原子群を表す。L⁵⁴は、単結合または連結基を表す。M⁵¹は金属イオンを表す。金属イオンとQ⁵³、Q⁵⁴との結合はそれぞれ共有結合でも、配位結合、イオン結合でも良い。ｎは０または１を表す。但し、ｎ＝０の場合、Q⁵³とQ⁵⁴は連結しない。）

次に、一般式（１−ａ）について説明する。Ｑ^５３、Ｑ^５４、Ｌ^５４、Ｍ^５１、ｎは、一般式（１）のＱ^２３、Ｑ^２４、Ｌ^２４、Ｍ^２１、ｎとそれぞれ同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｒ^５１、Ｒ^５２はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。但しＲ^５１、Ｒ^５２の少なくとも１つは、前述のＲ^１で定義される基と同義であり、好ましい範囲も同様である。Ｒ^５３、Ｒ^５４、Ｒ^５５、Ｒ^５６、Ｒ^５７、及びＲ^５８は、それぞれ独立に、水素原子もしくは、置換基を表す。Ｒ^５３〜Ｒ^５８で表される置換基としては、前述の置換基群Ａと同義である。Ｒ^５３〜Ｒ^５８は可能であれば互いに結合して環を形成していても良い。

Ｒ^５１およびＲ^５２のどちらか一方が前述の置換基Ｒ^１で定義される基を表す場合、他方は水素原子または置換基である。該置換基としては下記置換基Ｂより選ばれる置換基が好ましい。
置換基Ｂとしては、1級アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基であり、より好ましくは、メチル基、エチル基、アリール基、ヘテロ環基であり、さらに好ましくは、メチル基、エチル基、アリール基であり、さらに好ましくは、メチル基、エチル基、フェニル基である。

Ｒ^５１およびＲ^５２は、いずれも、前述の置換基Ｒ^１で定義される基であることがより好ましい。

前記Ｒ^５３、Ｒ^５５、Ｒ^５６、Ｒ^５８として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、スルホニル基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヘテロ環基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基であり、さらに好ましくは、水素原子、メチル基、ｔ−ブチル基、トリフルオロメチル基、フェニル基、フッ素原子、シアノ基、ピリジル基であり、さらに好ましくは、水素原子、メチル基、フッ素原子であり、特に好ましくは水素原子である。

前記Ｒ^５４及びＲ^５７として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環基であり、さらに好ましくは、水素原子、アルキル基、アミノ基、アルコキシ基、ヘテロ環基であり、さらに好ましくは、水素原子、メチル基、ｔ−ブチル基、ジメチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、メトキシ基、カルバゾリル基であり、特に好ましくは水素原子である。

次に一般式（２）について説明する。Ｒ^６３、Ｒ^６４、Ｒ^６５、Ｒ^６６、Ｒ^６７、Ｒ^６８、Ｌ^６４、Ｍ^６１、及びｎは、前記一般式（１−ａ）におけるＲ^５３、Ｒ^５４、Ｒ^５５、Ｒ^５６、Ｒ^５７、Ｒ^５８、Ｌ^５４、Ｍ^５１、及びｎとそれぞれ同義であり、好ましい範囲も同義である。但し、ｎ＝０の場合、QとQは連結しない。Ｒ^６１、Ｒ^６２はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。但しＲ^６１、Ｒ^６２の少なくとも１つは、前述のＲ^１で定義される基と同義であり、好ましい範囲も同様である。

Ｒ^６１およびＲ^６２のどちらか一方が、前述の置換基Ｒ^１で定義される基を表す場合、Ｒ^６２は水素原子または置換基を表す。該置換基としては前記置換基Ｂより選ばれるものが好ましく、好ましい範囲も同義である。

Ｒ^６１およびＲ^６２は、いずれも、前述の置換基Ｒ^１で定義される基であることがより好ましい。

Ｑは、ピリジン環と結合する炭素原子と金属に配位する炭素原子を含む原子群であり、該炭素原子で配位する原子群としては、前記一般式（１）におけるＱ^２４で説明した炭素原子で配位する芳香族炭化水素基、炭素原子で配位するヘテロ環基等が挙げられる。

Ｑとして好ましくは、炭素原子で配位する芳香族環基、炭素原子で配位するヘテロ環基であり、より好ましくは、ベンゼン、ナフタレン、チオフェン、ピリジン、ピリミジン、ピロール、ピラゾール、イミダゾールであり、更に好ましくは、ベンゼン、ピリジンである。

Ｑは可能であれば、置換基を有していてもよく、置換基としては、置換基群Ａで説明した基が挙げられる。Ｑの置換基としては、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基が好ましく、より好ましくはアルキル基、シアノ基であり、さらに好ましくは、トリフルオロメチル基、ｔ−ブチル基、シアノ基である。

Ｑは可能であれば他の環と縮合環を形成しても良い。Ｑと縮環する環としては、例えばベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、チアゾール環等が挙げられる。

一般式（１）、（１−ａ）、（２）で表される錯体の中で、一般式（２）が好ましい。一般式（２）で表される金属錯体として好ましくは、白金錯体、パラジウム錯体であり、最も好ましくは白金錯体である。

一般式（１）、（１−ａ）、（２）で表される化合物は低分子化合物であっても良く、また、オリゴマー化合物、ポリマー化合物（重量平均分子量（ポリスチレン換算）は好ましくは１０００〜５００００００、より好ましくは２０００〜１００００００、さらに好ましくは３０００〜１０００００である。）であっても良い。ポリマー化合物の場合、一般式（１）、（１−ａ）、（２）で表される構造がポリマー主鎖中に含まれても良く、また、ポリマー側鎖に含まれていても良い。また、ポリマー化合物の場合、ホモポリマー化合物であっても良く、共重合体であっても良い。本発明の錯体は低分子化合物が好ましい。

次に本発明の錯体の一例を示すが、本発明はこれに限定されない。

本発明の素子を構成する各要素について詳細に説明する。

＜基板＞
本発明で使用する基板としては、有機化合物層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、ジルコニア安定化イットリウム（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。

基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。

基板は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、有機発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。

基板には、その表面又は裏面に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。
透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。

＜陽極＞
陽極は、通常、有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。

陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが好ましい。

陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ＩＴＯを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。

本発明の有機電界発光素子において、陽極の形成位置としては特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、前記基板上に形成されるのが好ましい。この場合、陽極は、基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。

なお、陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。

陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、１０ｎｍ〜５０μｍ程度であり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。

陽極の抵抗値としては、１０³Ω／□以下が好ましく、１０²Ω／□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。

なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明電極膜の新展開」シーエムシー刊（１９９９）に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。

＜陰極＞
陰極は、通常、有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。

陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としてはアルカリ金属（たとえば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（たとえばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。

これらの中でも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。

なお、陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されており、これらの広報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。

陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。

陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。

本発明において、陰極形成位置は特に制限はなく、有機化合物層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、陰極と前記有機化合物層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を０．１〜５ｎｍの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。

陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５μｍ程度であり、５０ｎｍ〜１μｍが好ましい。
また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、更にＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。

＜有機化合物層＞
本発明における有機化合物層について説明する。本発明の素子は、発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有しており、発光層以外の他の有機化合物層としては、前述したごとく、正孔輸送層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。

−有機化合物層の形成−
本発明の有機電界発光素子において、有機化合物層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法等いずれによっても好適に形成することができる。

−発光層−
発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
本発明における発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でも良い。発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であっても良く、ドーパントは一種であっても二種以上であっても良い。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は一種であっても二種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。さらに、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。発光層としては、発光材料として本発明の錯体を用いたものが好ましく、少なくとも一種のホスト材料と本発明の錯体により構成されていることがより好ましい。
また、発光層は一層であっても二層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。

本発明に使用できる蛍光発光材料の例としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の錯体やピロメテン誘導体の錯体に代表される各種錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。

また、本発明に使用できる燐光発光材料は、本発明の錯体の他に，例えば、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体が挙げられる。
遷移金属原子としては、特に限定されないが、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、及び白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金である。
ランタノイド原子としては、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテシウムが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。

錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著，Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press社１９８７年発行、H.Yersin著，「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」 Springer-Verlag社１９８７年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社１９８２年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
具体的な配位子としては、好ましくは、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、含窒素ヘテロ環配位子（例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、フェナントロリンなど）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなど）、カルボン酸配位子（例えば、酢酸配位子など）、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子であり、より好ましくは、含窒素ヘテロ環配位子である。上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、２つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。

また、本発明における発光層に含有されるホスト材料としては、例えば、本発明の金属錯体の他に、前述で挙げたものや、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するものや、後述の正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の項で例示されている材料が挙げられる。

発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。

−正孔注入層、正孔輸送層−
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。正孔注入層、正孔輸送層は、具体的には、本発明の錯体の他に、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、カーボン等を含有する層であることが好ましい。

正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．５ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、１ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

−電子注入層、電子輸送層−
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。電子注入層、電子輸送層は、具体的には、本発明の錯体の他に、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体に代表される各種錯体、有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。

電子注入層、電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５０ｎｍ以下であることが好ましい。
電子輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．２ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、０．５ｎｍ〜５０ｎｍであるのが更に好ましい。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

−正孔ブロック層−
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、本発明の錯体の他に、ＢＡｌｑ等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、ＢＣＰ等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

＜保護層＞
本発明において、有機ＥＬ素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂等の金属酸化物、ＳｉＮ_x、ＳｉＮ_xＯ_y等の金属窒化物、ＭｇＦ₂、ＬｉＦ、ＡｌＦ₃、ＣａＦ₂等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。

保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。

＜封止＞
本発明の素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。封止容器と素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。

本発明の素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。

本発明の素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。

本発明の素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等に好適に利用できる。

本発明の錯体は、「Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ、５００８、（１９５２）」に記載の方法等、また後述の合成手法を用いることによって合成することができる。
例えば、配位子、またはその解離体と金属化合物を溶媒（例えば、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒、スルホン系溶媒、スルホキサイド系溶媒、水等が挙げられる）の存在下、又は溶媒非存在下、塩基（無機、有機の種々の溶媒、例えばナトリウムメトキシド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、炭酸カリウム等が挙げられる）の存在下、もしくは塩基非存在下、室温以下もしくは加熱（通常の加熱以外にもマイクロウェーブで加熱する方法も有効である）し、得ることができる。

本発明の錯体を合成する際の反応時間は、反応の活性により異なり、特に限定されないが、１分以上５日以下が好ましく、５分以上３日以下がより好ましく、１０分以上１日以下が更に好ましい。

本発明の錯体を合成する際の反応温度は、反応の活性によって異なり、特に限定されないが、０℃以上３００℃以下が好ましく、５℃以上２５０℃以下がより好ましく、１０℃以上２２０℃以下が更に好ましい。

本発明の錯体は、目的とする錯体錯体の部分構造を形成している配位子を金属化合物に対して、好ましくは０．１当量〜２０当量、より好ましくは０．３〜１０当量、さらに好ましくは０．５当量〜６当量を加えて合成することができる。前記、金属化合物としては、金属ハロゲン化物（例えば、塩化白金、塩化イリジウム等）、金属アセテート（たとえば酢酸パラジウム、酢酸亜鉛等）、金属アセチルアセトナート（例えば、イリジウムアセチルアセトナート、白金アセチルアセトナート等）、又はそれらの水和物などが挙げられる。

次に本発明の錯体の代表的な合成法について、下記の４座配位白金錯体を例に説明する。

上記式中、R⁵¹、R⁵²、R⁵³、R⁵⁴、R⁵⁵、R⁵⁶、R⁵⁷及びR⁵⁸は、前記一般式（１−ａ）と同義であり、R⁷¹、R⁷²、R⁷³及びR⁷⁴は、それぞれ独立に水素原子、又は置換基を表す。置換基としては、前述の置換基群Ａを挙げることができる。

本発明の錯体はJournal of Organic Chemistry 53, 786, (1988) 、G. R. Newkome et al.の、７８９頁、左段５３行〜右段７行に記載の方法、７９０頁、左段１８行〜３８行に記載の方法、７９０頁、右段１９行〜３０行に記載の方法およびその組み合わせにより得ることができる。化合物（Ａ）を出発物質とし、（Ａ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド溶液に対し、０℃〜室温でリチウムジイソプロピルアミド、カリウムｔ−ブトキシド、水素化ナトリウムなどの塩基を１〜１．２当量加え、０℃〜室温下３０分程度反応させ、これに対して、Ｒ^１Ｘ（Ｒ^１は前記一般式（１）のそれと同義であり、Ｘはハロゲンを表す）で表される１．５〜４当量のアルキルハライドを加え、室温下３０分程度反応させてモノアルキル化した後、再び同様の条件で、前記の塩基を１〜１．２当量と過剰のアルキルハライド（Ｒ^１Ｘ）を反応させて、ジアルキル置換体（Ｂ）を収率７０〜９９％で得ることができる。

（Ｂ）から（Ｃ）を得る工程は、Synth. Commun. 11, 513 (1981)に記載の方法等により、合成することができる。

（Ｃ）から本発明の錯体（Ｄ）を得る工程は、化合物（Ｃ）と、１〜１．５当量の塩化第一白金をベンゾニトリルに溶解させ、１３０℃〜加熱還流温度（ベンゾニトリルの沸点：１９１℃）に加熱し、３０分〜４時間攪拌することにより合成することができる。化合物（Ｄ）はクロロホルム、酢酸エチルを用いた再結晶や、シリカゲルカラムクロマトグラフィー、昇華精製などにより精製することができる。

なお、上記に示した製造方法において、定義された置換基が、ある合成方法の条件下で変化するか、または該方法を実施するのに不適切な場合、官能基の保護、脱保護（例えば、プロテクティブ・グループス・イン・オーガニック・シンセシス（Protective Groups in Organic Synthesis）、グリーン（T. W. Greene）著、ジョン・ワイリー・アンド・サンズ・インコーポレイテッド（John Wiley & Sons Inc.）（1981年）等）等の手段により容易に製造が可能である。また、必要に応じて適宜置換基導入等の反応工程の順序を変化させることも可能である。

[比較例１]
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、銅フタロシアニン１０ｎｍを蒸着し、この上に、ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジ−α−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル）−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着した。この上に、化合物（Ｄ−１）とｍＣＰを３０：７０の比率（質量比）で３０ｎｍ蒸着し、この上に、ＢＡｌｑを１０ｎｍ蒸着し、この上に、Ａｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体）を３０ｎｍ蒸着した。得られた有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積４ｍｍ×５ｍｍとなる）を設置し、この上に、フッ化リチウムを３ｎｍ蒸着し、この上に、アルミニウムを１００ｎｍ共蒸着し、ＥＬ素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加して発光させた結果、青緑色発光が観測されたが、５００〜６００ｎｍ付近に会合由来と思われる長波発光成分も観測された。

[実施例１]
比較例１の発光素子において、化合物（Ｄ−１）の代わりに、本発明の錯体（８）を用い、比較例１と同様にＥＬ素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加して発光させた結果、５００〜６００ｎｍ付近の長波発光成分が比較例１よりも減少し、色純度の向上した青緑色発光が観測された。

[実施例２]
比較例１の発光素子において、化合物（Ｄ−１）の代わりに、本発明の錯体（１０）を用い、比較例１と同様にＥＬ素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加して発光させた結果、５００〜６００ｎｍ付近の長波発光成分が比較例１よりも減少し、色純度の向上した青緑色発光が観測された。

[実施例３]
比較例１の発光素子において、化合物（Ｄ−１）の代わりに、本発明の錯体（１１）を用い、比較例１と同様にＥＬ素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加して発光させた結果、５００〜６００ｎｍ付近の長波発光成分が比較例１よりも減少し、色純度の向上した青緑色発光が観測された。

他の本発明の錯体を用いた素子でも、発光特性に優れた有機電界発光素子を作製することができた。

Claims (6)

1. 一対の電極間に、発光層を含む有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（１）で表される４座配位子を有する金属錯体の少なくとも一種を有機化合物層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
   一般式（１）
   

   

   （一般式（１）中、Q²¹、Q²² はそれぞれ独立に、金属に配位する原子群を表す。Q²³は、L²³と炭素原子で結合し、金属に配位する原子群を表し、Q²⁴は、L²¹と炭素原子で結合し、金属に配位する原子群を表す。L²¹、L²²、L²³、及びL²⁴はそれぞれ独立に、単結合または連結基を表す。L²¹、L²²、L²³、及びL²⁴のうち少なくとも１つは連結基であり、そのうちの少なくとも１つ以上の連結基上に、少なくとも１つ以上の下記置換基Ｒ^１を有する。M²¹は金属イオンを表す。金属イオンとQ²¹、Q²²、Q²³、Q²⁴との結合はそれぞれ共有結合でも、配位結合、イオン結合でも良い。ｎは０または１を表す。但し、ｎ＝０の場合、Q²³とQ²⁴は連結しない。
   置換基Ｒ^１：置換基Ｒ^１は下記一般式（Ｒ−１）〜（Ｒ−９）で表される３級もしくは４級炭素を有する炭素数３〜２０の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。
   

   

   一般式（Ｒ−１）において、Ｒ^１Ａは、置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^１Ａはそれぞれ同じでも、異なっていても良い。２つのＲ^１Ａは互いに結合して環を形成しても良い。
   一般式（Ｒ−２）において、Ｒ^２Ａは、３つのＲ^２Ａの合計が炭素数４以上を満たす、置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^２Ａはそれぞれ同じであっても異なっていても良い。但し、３つのＲ^２Ａが互いに結合して環を形成することはない。
   一般式（Ｒ−３）において、Ｒ^３Ａは、置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^３Ａはそれぞれ同じでも、異なっていても良い。複数のＲ^３Ａは互いに結合して環を形成しても良い。
   一般式（Ｒ−５）において、Ｒ^５Ａは、２つのＲ^５Ａの合計が炭素数４以上を満たす、置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^５Ａはそれぞれ同じであっても異なっていても良い。複数のＲ^５Ａは互いに結合して環を形成しても良い。
   一般式（Ｒ−７）において、ｓは１以上の整数を表す。ｓは、一般式（Ｒ−７）で表される基の炭素数が２０以下であれば任意の整数を取ることができ、ｓ＝１の場合、Ｒ^７Ａは、２つのＲ^７Ａの合計が炭素数４以上を満たす置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^７Ａはそれぞれ同じであっても異なっていても良い。ｓが１より大きい場合は、Ｒ^７Ａは、置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表す。複数のＲ^７Ａは可能であれば互いに結合して環を形成しても良い。
   一般式（Ｒ−８）において、ｓは１以上の整数を表す。ｓは、一般式（Ｒ−８）で表される基の炭素数が２０以下であれば任意の整数を取ることができる。Ｒ^８Ａは、置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^８Ａはそれぞれ同じでも、異なっていても良い。複数のＲ^８Ａは互いに結合して環を形成しても良い。
   一般式（Ｒ−９）において、ｓは１以上の整数を表す。ｓは、一般式（Ｒ−９）で表される基の炭素数が２０以下であれば任意の整数を取ることができる。）Ｑ^９Ａは、炭素原子を含み芳香族環または芳香族ヘテロ環を形成するアリール基、ヘテロアリール基を表す。Ｑ^９Ａは置換基を有していても良い。）
2. 一般式（１）が下記一般式（２）で表されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
   一般式（２）
   

   

   （一般式（２）中、R⁶¹、R⁶²はそれぞれ独立に、水素原子もしくは置換基を表す。但しR⁶¹、R⁶²の少なくとも１つは、前記置換基Ｒ^１を表す。R⁶³、R⁶⁴、R⁶⁵、R⁶⁶、R⁶⁷、及びR⁶⁸はそれぞれ独立に、水素原子もしくは置換基を表す。R⁶³〜R⁶⁸は可能であれば互いに結合して環を形成してもよい。Qはそれぞれ独立に、２つの炭素原子を含み炭素原子で金属に配位する原子群を表す。L⁶⁴は、単結合または連結基を表す。M⁶¹は金属イオンを表す。ｎは０または１を表す。但し、ｎ＝０の場合、QとQは連結しない。）
3. 上記一般式（２）において、R⁶¹、R⁶²の少なくとも１つがイソブチル基であることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光素子。
4. 下記一般式（２）で表されることを特徴とする化合物。
   一般式（２）
   

   

   （一般式（２）中、R⁶¹、R⁶²はそれぞれ独立に、水素原子又は、置換基を表す。但しR⁶¹、R⁶²の少なくとも１つは、下記置換基Ｒ^１を表す。R⁶³、R⁶⁴、R⁶⁵、R⁶⁶、R⁶⁷、及びR⁶⁸はそれぞれ独立に、水素原子もしくは置換基を表す。R⁶³〜R⁶⁸は可能であれば互いに結合して環を形成してもよい。Qはそれぞれ独立に、２つの炭素原子を含み炭素原子で金属に配位する原子群を表す。L⁶⁴は、単結合または連結基を表す。M⁶¹は金属イオンを表す。ｎは０または１を表す。但し、ｎ＝０の場合、QとQは連結しない。
   置換基Ｒ^１：置換基Ｒ^１は下記一般式（Ｒ−１）〜（Ｒ−９）で表される３級もしくは４級炭素を有する炭素数３〜２０の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。
   

   

   一般式（Ｒ−１）において、Ｒ^１Ａは、置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^１Ａはそれぞれ同じでも、異なっていても良い。２つのＲ^１Ａは互いに結合して環を形成しても良い。
   一般式（Ｒ−２）において、Ｒ^２Ａは、３つのＲ^２Ａの合計が炭素数４以上を満たす、置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^２Ａはそれぞれ同じであっても異なっていても良い。但し、３つのＲ^２Ａが互いに結合して環を形成することはない。
   一般式（Ｒ−３）において、Ｒ^３Ａは、置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^３Ａはそれぞれ同じでも、異なっていても良い。複数のＲ^３Ａは互いに結合して環を形成しても良い。
   一般式（Ｒ−５）において、Ｒ^５Ａは、２つのＲ^５Ａの合計が炭素数４以上を満たす、置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^５Ａはそれぞれ同じであっても異なっていても良い。複数のＲ^５Ａは互いに結合して環を形成しても良い。
   一般式（Ｒ−７）において、ｓは１以上の整数を表す。ｓは、一般式（Ｒ−７）で表される基の炭素数が２０以下であれば任意の整数を取ることができ、ｓ＝１の場合、Ｒ^７Ａは、２つのＲ^７Ａの合計が炭素数４以上を満たす置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^７Ａはそれぞれ同じであっても異なっていても良い。ｓが１より大きい場合は、Ｒ^７Ａは、置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表す。複数のＲ^７Ａは可能であれば互いに結合して環を形成しても良い。
   一般式（Ｒ−８）において、ｓは１以上の整数を表す。ｓは、一般式（Ｒ−８）で表される基の炭素数が２０以下であれば任意の整数を取ることができる。Ｒ^８Ａは、置換もしくは無置換のアルキル基またはアリール基を表し、複数のＲ^８Ａはそれぞれ同じでも、異なっていても良い。複数のＲ^８Ａは互いに結合して環を形成しても良い。
   一般式（Ｒ−９）において、ｓは１以上の整数を表す。ｓは、一般式（Ｒ−９）で表される基の炭素数が２０以下であれば任意の整数を取ることができる。）Ｑ^９Ａは、炭素原子を含み芳香族環または芳香族ヘテロ環を形成するアリール基、ヘテロアリール基を表す。Ｑ^９Ａは置換基を有していても良い。）
5. 発光層中に、少なくとも１種の一般式（１）または（２）で表される化合物と、少なくとも１種のホスト材料を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
6. 発光層中に、少なくとも１種の一般式（１）または（２）で表される化合物と、少なくとも１種の燐光発光材料を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。