JP2007324296A - Ｉｃチップ貼り合わせ用ｔｃｐ構造体 - Google Patents

Abstract

【課題】ＩＣチップ貼り合わせ用ＴＣＰ構造体を軽薄短小し、軽薄短小となる半導体パッケージ化を達成する。
【解決手段】ＴＣＰ構造体１０は、中央部に開口部６をもつ枠型形状で、ダイアタッチ剤層５、ポリイミド絶縁層１、配線回路及び入出力端子を形成した導体層２、ソルダーレジスト層３とその順序に積層した構造であり、ダイアタッチ剤層５の厚さは５〜２５μｍからなり、ポリイミド絶縁層１の厚さは１０〜４０μｍからなり、導体層２の厚さは５〜１５μｍからなり、ソルダーレジスト層３の厚さは５〜２０μｍからなるＩＣチップ貼り合わせ用の積層体であり、ＩＣチップ１１の厚さに合わせこむようにしてＩＣチップ貼り合わせ用ＴＣＰ構造体１０の厚さを形成した。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＩＣチップ貼り合わせ用ＴＣＰ（Ｔａｐｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｐａｃｋａｇｅ）構造体に関する。

従来のＩＣチップ貼り合わせ用（以下ＴＯＣと記す）のテープキャリアパッケージ（以下ＴＣＰと記す）は、ポリイミドのフイルム上に、接着剤、銅箔と重ねて積層した３層テープの基材を使用している。

従来のＩＣチップ貼り合わせるＴＯＣ用ＴＣＰ（Ｔａｐｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｐａｃｋａｇｅ）について説明する。

図６は、従来のＩＣチップ貼り合わせ用ＴＣＰ構造体の部分構造図であり、（ａ）は、ＴＣＰの上面図であり、（ｂ）は、その側断面図であり、（ｃ）は、ＴＯＣ用構造体の側断面図である。

図６（ａ）は、ＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）１０の上面図であり、表面には、ソルダーレジスト層３が形成されている。ソルダーレジスト層３の表面一部分には、配線層のうちの、入出力端子２ｂが露出され、配線回路の表面はソルダーレジスト層３が形成されている。中央部には、開口部６が形成され、該開口部６には、ＩＣチップが配置される。前記入出力端子２ｂは、開口部の近傍及びＴＣＰ１０の外周の近傍に形成され、ワイヤーボンデング時の一方の形成位置に用いられている。すなわち、ＩＣチップの端子と前記入出力端子２ｂとをワイヤーボンデングで導電して一つの回路を形成する。

図６（ｂ）は、その側断面図であり、ＴＣＰ１０は、支持基板であるポリイミド層２の上面側に接着剤層４、その上に配線回路及び入出力端子の導体層２、その上にソルダーレジスト層３が積層され、ポリイミド層２の下面側にダイアタッチ剤層５が形成されている。中央部には、開口部６が形成された形状である。なお、図６（ａ）〜（ｂ）のＴＣＰ１０は、ＴＯＣ用ＴＣＰ構造体であって、その層構成がＴＣＰ構造体に類似したものである。すなわち３層構成のテープ基材で形成されている。

図６（ｃ）は、ＩＣチップ貼り合わせ用ＴＣＰ構造体、すなわちＴＯＣ用構造体の側断面図である。ＴＯＣ用構造体は、図６（ｂ）のＴＣＰ１０と、汎用ＩＣチップ１２とを前記ダイアタッチ剤層５を介して貼り合わせた構造である。ＴＯＣ用構造体２０ａは、開口部６に配置するＩＣチップと汎用ＩＣチップ１２とをワイヤーボンデングを介して一回路を形成して、ＴＯＣが完成する。なお、図６（ｃ）のＴＯＣ用構造体２０ａであって、ＴＣＰ１０と汎用ＩＣチップ１２とをダイアタッチ剤層５を介して貼り合せたものである。

従来のＴＯＣ（ＴＣＰ ｏｎ ｃｈｉｐ）について説明する。

図７は、（ａ）〜（ｂ）は、従来のＴＯＣ用構造体２０ａにＩＣチップ１１、１２を貼り合わせ、搭載した半導体パッケージの工程フローを説明する側断面図である。最初に、図７（ａ）では、図６（ｃ）のＴＯＣ用構造体２０ａ上に、特定用ＩＣチップ１１を搭載する。次いで、特定用ＩＣチップ１１の端子と、入出力端子２ｂとにワイヤーボンデング１３を形成する。次いで、外周近傍の入出力端子２ｂと汎用ＩＣチップ１２の端子とにワイヤーボンデング１３を形成する。図７（ａ）は、ワイヤーボンデング１３の形成により、特定用ＩＣチップ１１と汎用ＩＣチップ１２がＴＣＰ１０の配線回路２ａを介して最適
な回路が形成される。次いで、回路チェック等の検証を実施した後、次の工程の投入する。なお、図７の（ａ）〜（ｂ）のＴＯＣの場合、最適な回路の形成では、ＩＣチップ１１、１２の回路と、ＴＯＣ用構造体２０ａの配線回路と、ワイヤーボンデングの配線等が相互に干渉するため、ＩＣチップの改善に追従するＴＯＣ用構造及びワイヤーボンデングの改善が急務となる問題がある。

図７（ａ）を用いて、回路形成方法を説明する。搭載するＩＣチップ１１、１２は、ワイヤーボンデング１３の形成、及びＴＯＣ用構造体２０ａの導体層２を介して回路形成されている。特定用ＩＣチップ１１とＴＯＣ用構造体２０ａとのワイヤーボンデング１３による導電は、各々の基材表面の高さ、すなわち特定用ＩＣチップ１１とＴＯＣ用構造体２０ａの基材の厚さの差が小さい程、ワイヤーボンデング１３の距離が接近する。その距離に比例してワイヤーボンデング１３の長さが短くなり、その間の回路特性も向上する。同様に、ＴＯＣ用構造体２０ａと汎用ＩＣチップ１２との導通は、ＴＯＣ用構造体２０ａ、すなわちＴＣＰの厚さが薄い程、ワイヤーボンデング１３の距離が接近して、ワイヤーボンデング１３の長さが短くなり、その間の回路特性も向上する。また、ＴＯＣ用構造体を軽薄短小し、軽薄短小となる半導体パッケージを製造することができる。

次いで、図７（ｂ）では、汎用ＩＣチップ１２上に形成した回路を湿度等外部環境から保護するために樹脂モールド１４を形成する。

近年、半導体パッケージでは、軽薄短小となる方向に加速されている。従って、ＴＯＣ用ＴＣＰ構造体においても軽薄短小にして、軽薄短小となる半導体パッケージの開発が急務となっている。搭載するＩＣチップは、高機能化、高速度化、回路の微細化等の効果により、小型化、薄厚化への改善が加速している。ＩＣ回路のデザインルールも微細化、高速度化され、回路特性の許容範囲も狭くなり、ワイヤーボンデング１３の距離も影響されることが報告されている。

近年、ポリイミドのフイルム上に、接着剤、銅箔と重ねて積層した３層ポリイミドのテープの基材の見直し、再検討が行われており、接着剤層があることによる基材厚となる構造と、製造工程でのポリイミドのフイルムと銅箔とのラミネート工程等々の製造コスト高、又は品質劣化の問題点がある（特許文献１、特許文献２参照）。

従来のＴＣＰの製造方法を説明する。

最初に、３層のポリイミドのフイルムを製造する。はじめに、ポリイミドのフイルムに金型を用いて型抜きにより所定の形状の開口部及び所定の貫通孔を形成する。次いで、導体層、例えば銅箔と前記ポリイミドのフイルムとを接着剤を介してラミネートして、所定の３層構成のポリイミドのテープ基材を製造する。

次いで、３層のポリイミドの導体層にパターンを形成する。前記パターンは、フォトプロセス法を用いた、すなわち、感光性レジスト形成、パターン露光処理、現像及びエッチング処理、剥膜処理により形成する。３層のポリイミド基材には、配線回路及び入出力端子の導体層が形成されている。

次いで、形成された配線回路を遮蔽するように電気絶縁を目的としたソルダーレジスト層を形成する。

次いで、ＩＣチップ貼り合わせ用ＴＣＰの裏面にはダイアタッチ剤層が施されている。ダイアタッチ剤は、ＩＣチップと貼り合せるための機能を有している。以上によりＴＣＰが完成する。

従来のＴＯＣ（ＴＣＰ ｏｎ ｃｈｉｐ）用構造体では、３層構成のＴＣＰを使用した場合、少なくとも接着剤層を有している分、基材厚が薄膜化できない問題がある。図７（ｂ）に示すように、一方のワイヤーボンデング１３ａでは、ワイヤーボンデングの距離が各々基材厚の差に影響されている。他方のワイヤーボンデング１３ｂでは、ワイヤーボンデングの距離がＴＯＣ用ＴＣＰ構造体の厚さに影響されている。ワイヤーボンデング１３ｂの長さは、ＴＣＰ１０の基材厚に相当する。ワイヤーボンデング１３ｂの距離の近接は、ＴＣＰ１０の基材の薄膜化する問題が重要となる。

３層構成のＴＣＰでは、軽薄短小を極限まで追求する場合に阻害要因の一つとなってしまう問題がある。

製造時では、接着剤層を有する場合、ラミネート工程が必須となるため、ＴＡＴ（工期）の延長、コスト上昇に大きく影響する。

従来のＩＣチップの積み重ね構造体（スタックトＩＣ構造体のインターポーザ）を説明する。前記インターポーザは、積み重ねたＩＣチップ間に介在する役割があり、回路形成を支援するための配線回路が形成された配線基板である。この場合インターポーザの厚さが問題となる場合があり、より薄膜化したインターポーザが要求されている。

以下に公知文献を記す。
特開２００１−２６７７１３号公報 特開２００２−２４６５１０号公報

本発明の課題は、ＩＣチップ貼り合わせ用ＴＣＰ構造体を軽薄短小し、軽薄短小となる半導体パッケージ化を達成することである。

本発明の請求項１に係る発明は、ポリイミドからなる絶縁層の片側に、絶縁層と直接に導体層を形成した極薄厚からなるＩＣチップ貼り合わせ用ＴＣＰ構造体であって、
前記ＴＣＰ構造体は、中央部に開口部をもつ枠型形状で、ダイアタッチ剤層、ポリイミド絶縁層、配線回路及び入出力端子を形成した導体層、ソルダーレジスト層とその順序に積層した構造であり、
前記ダイアタッチ剤層の厚さは５〜２５μｍからなり、前記ポリイミド絶縁層の厚さは１０〜４０μｍからなり、前記導体層の厚さは５〜１５μｍからなり、前記ソルダーレジスト層の厚さは５〜２０μｍからなるＩＣチップ貼り合わせ用の積層体であり、
当該ＩＣチップの厚さに合わせこむようにしてＩＣチップ貼り合わせ用ＴＣＰ構造体の厚さを形成したことを特徴とするＩＣチップ貼り合わせ用ＴＣＰ構造体である。

本発明の請求項２に係る発明は、前記ＩＣチップ貼り合わせ用ＴＣＰ構造体は、前記ＩＣチップと所望のＩＣ間に介在するインターポーザの役割を荷うものであって、スタックトＩＣ用インターポーザとする用途に限定することを特徴とする請求項１記載のＩＣチップ貼り合わせ用ＴＣＰ構造体である。

本発明のＩＣチップ貼り合わせ用ＴＣＰ構造体を用いれば、接着剤層を除去したことに
より薄膜化したＴＣＰ構造体となり、ＩＣチップを搭載したパッケージ自体の軽薄短小が図られる。

本発明のＩＣチップ貼り合わせ用ＴＣＰ構造体を用いれば、接着剤層を除去したことにより薄膜化したＴＣＰ構造体となり、且つ入出力端子近傍が薄膜となることにより、ワイヤーボンデング時の超音波振動率を上昇させ、ボンダビリティの向上を図ることができる。

本発明のＩＣチップ貼り合わせ用ＴＣＰ構造体を用いれば、接着剤層を除去したことにより、接着剤を用いたラミネート工程がことにより、耐熱性の向上、そりの抑制効果、Ｐｂフリーの対応等が可能となり、さらに、材料費の削減、工数の削減をすることが出来製造コストの削減、工期も短縮することができる。

本発明のＩＣチップ貼り合わせ用ＴＣＰ構造体を一実施形態に基づいて以下説明する。

図１は、本発明のＴＯＣ用ＴＣＰ構造体の構造図であり、（ａ）は、ＴＣＰの上面図であり、（ｂ）は、その側断面図であり、（ｃ）は、ＴＯＣ用構造体の側断面図である。

図１（ａ）は、ＴＣＰの上面図であり、ＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）１０の表面には、ソルダーレジスト層３が形成されている。ソルダーレジスト層３の表面一部分には、配線層のうちの、入出力端子２ｂが露出され、配線回路の表面はソルダーレジスト層３が形成されている。中央部には、開口部６が形成され、該開口部６には、ＩＣチップが配置される。前記入出力端子２ｂは、開口部の近傍及びＴＣＰ１０の外周の近傍に形成され、ワイヤーボンデング時の一方の形成位置に用いられている。すなわち、ＩＣチップの端子と前記入出力端子２ｂとをワイヤーボンデングで導電して一つの回路を形成する。

図１（ｂ）は、その側断面図であり、ＴＣＰ１０は、支持基板であるポリイミド層２の上面側に配線回路及び入出力端子の導体層２、その上にソルダーレジスト層３が積層され、ポリイミド層２の下面側にダイアタッチ剤層５が形成されている。中央部には、開口部６が形成された形状である。なお、図１（ａ）〜（ｂ）のＴＣＰ１０は、ＴＯＣ用ＴＣＰ構造体であって、その層構成がＴＣＰ構造体に類似したものである。すなわち２層構成のテープ基材で形成されている。

前記２層構成のテープ基材の作製方法を説明する。

銅箔の片方側にポリイミド前駆体溶液を塗工して乾燥硬化させる方法、又は銅箔の片方側に熱可塑性樹脂シートを熱圧着する方法がある。また、ポリイミドの基材に、スパッター蒸着により銅層を形成する方法、又はポリイミドの基材に、無電解めっき及び電解めっきにより銅層を形成する方法がある。

図１（ｃ）は、ＩＣチップ貼り合わせ用ＴＣＰ構造体の側断面図であり、ＩＣチップ貼り合わせ用、すなわちＴＯＣ用のＴＣＰ構造体の側断面図である。ＴＯＣ用ＴＣＰ構造体を用いたＴＯＣ用構造体２０ａは、図１（ｂ）のＴＣＰ１０と、汎用ＩＣチップ１２とを前記ダイアタッチ剤層５を介して貼り合わせた構造である。ＴＯＣ用構造体２０ａは、開口部６に配置するＩＣチップと汎用ＩＣチップ１２とをワイヤーボンデングを介して一回路を形成して、ＴＯＣが完成する。なお、図１（ｃ）のＴＯＣ用構造体２０ａであって、ＴＣＰ１０と汎用ＩＣチップ１２とをダイアタッチ剤層５を介して貼り合せたものである。

図２は、本発明のＩＣチップ貼り合わせＴＯＣ用構造体にＩＣチップを搭載した半導体パッケージの部分構造体の側断面図である。

本発明のＴＯＣ用構造体２０ａにＩＣチップ１１、１２を貼り合わせ、搭載した半導体パッケージを説明する側断面図である。最初に、図１（ｃ）のＴＯＣ用構造体２０ａ上に、特定用ＩＣチップ１１を搭載する。次いで、特定用ＩＣチップ１１の端子と、入出力端子２ｂとにワイヤーボンデング１３を形成する。次いで、外周近傍の入出力端子２ｂと汎用ＩＣチップ１２の端子とにワイヤーボンデング１３を形成する。ワイヤーボンデング１３の形成により、特定用ＩＣチップ１１と汎用ＩＣチップ１２がＴＣＰ１０の配線回路２ａを介して最適な回路が形成される。なお、図２のＴＯＣ２０の場合、最適な回路の形成では、ＴＯＣ用構造体２０ａの厚さが薄膜化されたため、ワイヤーボンデングの距離がより近接され、ＩＣチップの改善に追従するＴＯＣ用構造薄膜化及びワイヤーボンデングの長さの短縮が実現されている。

図２を用いて、回路形成方法を説明する。

搭載するＩＣチップ１１、１２は、ワイヤーボンデング１３の形成、及びＴＯＣ用構造体２０ａの導体層２を介して回路形成されている。特定用ＩＣチップ１１とＴＯＣ用構造体２０ａとのワイヤーボンデング１３による導電は、各々の基材表面の高さ、すなわち特定用ＩＣチップ１１とＴＯＣ用構造体２０ａの基材の厚さの差が縮小されて、ワイヤーボンデング１３の距離が接近した。その距離に比例してワイヤーボンデング１３の長さが短縮され、回路特性も向上する。同様に、ＴＯＣ用構造体２０ａと汎用ＩＣチップ１２との導通は、ＴＯＣ用構造体２０ａ、すなわちＴＣＰの厚さが薄膜化されて、ワイヤーボンデング１３の距離が接近して、ワイヤーボンデング１３の長さが短縮され、回路特性も向上する。また、ＴＯＣ用構造体を軽薄短小としたため、軽薄短小となる半導体パッケージを製造することができる。

図３は、本発明のＴＯＣ用ＴＣＰ構造体の貼り合わせ工程を説明する上面図であり、その参考図は、部分拡大の側断面図である。

図３（ａ）は、キャリアフレームＡ２１を支持基材として準備する。

次いで、（ｂ）では、キャリアフレームＡ２１に両面が接着する仮止めテープ２２を貼り付ける。

次いで（ｃ）では、仮止めテープ２２上にキャリアフレームＢ２３を取り付ける。

次いで（ｄ）では、キャリアフレームＢ２３の開口部にＩＣ用ベアチップ２４を仮張りする。

次いで（ｅ）では、ＩＣ用ベアチップ２４上にＴＣＰ２５を貼り付ける。

次いで（ｆ）では、キャリアフレームＡ２１のキャリアフレームＢ２３の開口部からＴＯＣ用構造体２６を取り出して、ＴＯＣ用構造体２６を個片化する。以上により、個片化したＴＯＣ用構造体２６を製造する。

図４は、本発明のＴＯＣ用ＴＣＰ構造体をインターポーザとして用いたスタックトＩＣ構造体の一実施例の側断面図である。スタックトＩＣ用構造体３０ａは、ＴＯＣ用構造体２０ａと、配線基板３１とをダイアタッチ剤３５を介して貼り合せた構成である。

図５（ａ）〜（ｃ）は、本発明のＴＯＣ用ＴＣＰ構造体をインターポーザとして用いた一実施例のスタックトＩＣ構造体の工程フローを説明する側断面図である。

図５（ａ）では、図４のスタックトＩＣ用構造体３０ａ上に、特定用ＩＣチップ１１を搭載する。次いで、特定用ＩＣチップ１１の端子と、入出力端子２ｂとにワイヤーボンデング１３を形成する。次いで、外周近傍の入出力端子２ｂと汎用ＩＣチップ１２の端子とにワイヤーボンデング１３を形成する。図５（ａ）は、ワイヤーボンデング１３の形成により、特定用ＩＣチップ１１と汎用ＩＣチップ１２がＴＯＣ用構造体２０ａの配線回路２ａを介して最適な回路が形成される。次いで、回路チェック等の検証を実施した後、次の工程の投入する。

図５（ａ）を用いて、回路形成方法を説明する。搭載するＩＣチップ１１、１２は、ワイヤーボンデング１３の形成、及びＴＯＣ用構造体２０ａの導体層２を介して回路形成されている。特定用ＩＣチップ１１とＴＯＣ用構造体２０ａとのワイヤーボンデング１３による導電は、各々の基材表面の高さ、すなわち特定用ＩＣチップ１１とＴＯＣ用構造体２０ａの基材の厚さを近接するようにＴＯＣ用構造体２０ａの厚さを薄膜化したため、ワイヤーボンデング１３の長さが短縮となり、回路特性も向上する。同様に、ＴＯＣ用構造体２０ａと汎用ＩＣチップ１２との導電でも、その効果によりワイヤーボンデング１３の長さが短縮され、回路特性も向上する。また、ＴＯＣ用構造体を軽薄短小し、軽薄短小となる半導体パッケージを製造することができる。

次いで、図５（ｂ）では、汎用ＩＣチップ１２上に形成した回路を湿度等外部環境から保護するために樹脂モールド１４を形成する。

図５（ｃ）は、搭載するＩＣチップ１１、１２と、配線基板３１とを一体化したＴ−ＢＧＡ型のＴＯＣ３０であり、ＴＯＣ用ＴＣＰ構造体を用いたスタックトＩＣ構造の半導体パッケージの一実施例である。特定用ＩＣチップ１１と汎用ＩＣチップ１２の間に介在するインターポーザに本発明のＴＯＣ用ＴＣＰ構造体１０を用いたスタックトＩＣ構造の半導体パッケージの一実施例である。

図５（ｃ）では、特定用ＩＣチップ１１とＴＯＣ用構造体２０ａはワイヤーボンデング１３ａを形成、ＴＯＣ用構造体２０ａと汎用ＩＣチップ１２はワイヤーボンデング１３ｂを形成、汎用ＩＣチップ１２と配線基板３１はワイヤーボンデング１３ｃを形成し一つの回路を形成した半導体パッケージである。配線基板３１の裏面側には半田ボール３２が形成され、配線基板の端子３１ａと半田ボール３２は、配線基板に形成した配線回路及び基板を貫通する導通路を介して導電され、前記半田ボール３２が入出力端子する役割を荷っている。

本発明のＴＯＣ用ＴＣＰ構造体の部分構造図であり、（ａ）は、ＴＣＰの上面図であり、（ｂ）は、その側断面図であり、（ｃ）は、ＩＣチップ貼り合わせたＴＯＣ用構造体の側断面図である。 本発明のＩＣチップをＴＯＣ用構造体に搭載した半導体パッケージの部分構造体の側断面図である。 （ａ）〜（ｆ）は、本発明のＴＯＣ用ＴＣＰ構造体の貼り合わせ工程を説明する上面図であり、その参考図は、部分拡大の側断面図である。 本発明のＴＯＣ用ＴＣＰ構造体をインターポーザとして用いたスタックトＩＣ構造体の一実施例の側断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、本発明のＴＯＣ用ＴＣＰ構造体をインターポーザとして用いた一実施例のスタックトＩＣ構造体の工程フローを説明する側断面図である。 従来のＴＯＣ用ＴＣＰ構造体の部分構造図であり、（ａ）は、ＴＣＰの上面図であり、（ｂ）は、その側断面図であり、（ｃ）は、ＩＣチップ貼り合わせたＴＯＣ用構造体の側断面図である。 （ａ）〜（ｂ）は、従来のＴＯＣ用構造体にＩＣチップを貼り合わせて搭載した半導体パッケージの工程フローを説明する側断面図である。

符号の説明

１…ポリイミド層（ポリイミド絶縁層）
２…導体層
２ａ…配線回路
２ｂ…入出力端子
３…ソルダーレジスト層
４…接着剤層
５…ダイアタッチ剤層
６…開口部
１０…ＴＣＰ（ＴＯＣ用ＴＣＰ構造体）
１１…特定用（用途）ＩＣチップ
１２…汎用（用途）ＩＣチップ
１３…ワイヤーボンデング
１３ａ…ワイヤーボンデング
１３ｂ…ワイヤーボンデング
１３ｃ…ワイヤーボンデング
１４…樹脂モールド
２０…ＴＯＣ（ＴＯＣ用ＴＣＰ構造体を用いた半導体パッケージ）
２０ａ…ＴＯＣ用構造体
２１…キャリアフレームＡ
２２…仮止めテープ
２３…キャリアフレームＢ
２４…ＩＣ用ベアチップ
２５…ＴＣＰ
２６…ＴＯＣ用構造体
３０ａ…スタックトＩＣ用構造体
３０…Ｔ−ＢＧＡ型のＴＯＣ（ＴＯＣ用ＴＣＰ構造体を用いたスタックトＩＣ構造の半導体パッケージ）
３１…配線基板
３１ａ…（配線基板）端子
３２…半田ボール
３５…ダイアタッチ剤

Claims (2)

1. ポリイミドからなる絶縁層の片側に、絶縁層と直接に導体層を形成した極薄厚からなるＩＣチップ貼り合わせ用ＴＣＰ構造体であって、
   前記ＴＣＰ構造体は、中央部に開口部をもつ枠型形状で、ダイアタッチ剤層、ポリイミド絶縁層、配線回路及び入出力端子を形成した導体層、ソルダーレジスト層とその順序に積層した構造であり、
   前記ダイアタッチ剤層の厚さは５〜２５μｍからなり、前記ポリイミド絶縁層の厚さは１０〜４０μｍからなり、前記導体層の厚さは５〜１５μｍからなり、前記ソルダーレジスト層の厚さは５〜２０μｍからなるＩＣチップ貼り合わせ用の積層体であり、
   当該ＩＣチップの厚さに合わせこむようにしてＩＣチップ貼り合わせ用ＴＣＰ構造体の厚さを形成したことを特徴とするＩＣチップ貼り合わせ用ＴＣＰ構造体。
2. 前記ＩＣチップ貼り合わせ用ＴＣＰ構造体は、前記ＩＣチップと所望のＩＣ間に介在するインターポーザの役割を荷うものであって、スタックトＩＣ用インターポーザとする用途に限定することを特徴とする請求項１記載のＩＣチップ貼り合わせ用ＴＣＰ構造体。

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