JP2007323970A - 熱解析方法、および、熱解析装置 - Google Patents
熱解析方法、および、熱解析装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007323970A JP2007323970A JP2006153068A JP2006153068A JP2007323970A JP 2007323970 A JP2007323970 A JP 2007323970A JP 2006153068 A JP2006153068 A JP 2006153068A JP 2006153068 A JP2006153068 A JP 2006153068A JP 2007323970 A JP2007323970 A JP 2007323970A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermal analysis
- state
- substrate
- reflected light
- baking apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
【解決手段】熱解析システム600の熱解析装置640は、ガラスペーストが層状に塗着された後に焼成装置にて焼成された前面基板300上の誘電体層330に対して、光源610から光を照射して、その反射光の状態が反射光像として表現された実画像を取得する。この実画像に2値化処理を施した2値化画像を生成して、この2値化画像における白画素の面積値に基づいて、焼成装置の加熱状態を解析する。溶融状態により表面の平滑状態が異なる誘電体層330における反射光の状態に基づいて、焼成装置の加熱状態を解析することにより、平滑度が高く反射光の輝度が大きい場合に焼成温度が高く、平滑度が低く輝度が小さい場合に焼成温度が低い旨を認識できる。
【選択図】図6
Description
具体的には、例えば、ワークを580℃で焼成したい場合、焼成炉における加熱温度の最大温度部分(連続焼成炉では、炉の略中央部)の設定を、ワーク温度が580℃になるように、焼成炉を温度設定する。また、温度設定後も定期的に設定した温度にずれが発生していないか、定期的にワーク温度を測定して、メンテナンスをする必要がある。
また、ワーク温度を測定する別の手法が知られている(例えば、特許文献1参照)。
このような場合にも、上述したような温度測定用基板を用いる手法や、特許文献1に記載のような手法が採られている。
また、温度測定用基板を用いる手法、および、上述したような特許文献1に記載の手法では、基板に熱電対を取り付ける必要があり、温度測定のための準備作業が煩雑になるおそれがある。
なお、本実施の形態では、プラズマディスプレイパネルとして、井桁状の隔壁を備えた構成を例示するが、これに限らず、例えばストライプ状などの隔壁を備えたプラズマディスプレイパネルについても適用できる。また、プラズマディスプレイパネルの基板に構造物である誘電体層を形成する焼成工程における、焼成装置の加熱状態を解析する構成を例示して説明するが、構造物としては、バス電極、アドレス電極、アドレス電極保護層および隔壁など、ガラスを含む塗布材料を塗着して焼成により形成されるいずれの構造物を対象とすることができる。
まず、プラズマディスプレイパネルの概略構成について以下に説明する。
図1は、本発明の一実施の形態に係るプラズマディスプレイパネルの内部構造を示した斜視図である。図2は、プラズマディスプレイパネルを模式的に示した正面図である。図3は、図2のIII−III線における断面図である。図4は、図2のIV−IV線における断面図である。なお、これら図1ないし図4は、説明の都合上、各種電極および放電セルの寸法などが基板に対して相対的に大きい状態で示す。
これら背面基板200および前面基板300は、それぞれの外周縁部に図示しないシールフリットが設けられて封着され、封着された空間の内部が例えば6.7×104Pa(500Torr)程度の減圧状態とされるとともに、当該空間にはHe−Xe(ヘリウム−キセノン)系やNe−Xe(ネオン−キセノン)系の不活性ガスが充填されている。
具体的には、アドレス電極210は、例えばAl(アルミニウム)などにて形成され、図1および図2に示すように、背面基板200の長手方向に略直交して一定の間隔で配設されている。それぞれのアドレス電極210の一端はアドレス電極保護層220の外側に延出しており、これにより図示しないアドレス電極引出部が形成されている。そして、このアドレス電極引出部には図示しない列電極駆動部が電気的に接続され、列電極駆動部を適宜制御することにより、それぞれのアドレス電極210に電圧パルスが印加されるようになっている。
アドレス電極保護層220は、例えばガラスペーストなどにて形成され、図1、図3および図4に示すように、背面基板200の内面上におけるアドレス電極引出部を除いた略全面に亘り設けられている。このアドレス電極保護層220は、パネル駆動時において、放電によるアドレス電極210の損耗を防止するとともに、駆動に必要な電荷を蓄積する誘電体層として機能する。なお、アドレス電極保護層220の外周縁部上には前述のシールフリットが設けられている。
隔壁230は、例えばアドレス電極保護層220と同一成分のガラスペーストにて形成され略梯子状に形成されている。そして、アドレス電極保護層220上において、アドレス電極210と略直交する複数の直線状の隙間S(図3参照)をそれぞれ間に挟んで、複数並列して設けられている。この隔壁230により放電空間Hが複数に区画され、これにて複数の矩形状の放電セル231が形成されている。そして、隔壁230は、その基端部から頂部までの高さがそれぞれ所定の高さ寸法に設定されており、背面基板200と前面基板300との間隙寸法を規定する。
蛍光体層(240R,240G,240B)は、図1、図3および図4に示すように、赤(R)、緑(G)、青(B)の3原色の蛍光体ペーストが放電セル231内部に順に充填され、これが焼成されることにより形成される。これら蛍光体層(240R,240G,240B)は、それぞれの放電セル231で発生した紫外光により励起され、赤(R)、緑(G)、青(B)の3原色の可視光を発光する。
具体的には、表示電極対310は、図2および図3に示すように、放電ギャップG(図2参照)を介して対向する複数対の透明電極311a,311bと、これら透明電極311a,311bの一端部に積層する一対の直線状のバス電極312a,312bとを備えて構成されている。
複数対の透明電極311a,311bは、図2に示すように、それぞれITO(Indium Tin Oxide)などの透明導電膜で略T字形状に形成されており、対向する背面基板200の所定の放電セル231に一対ずつ対応して設けられている。放電ギャップGは、図2に示すように、一対の透明電極311a,311b間に形成された所定の幅寸法を有した間隙であり、この放電ギャップGにより一対の透明電極311a,311b間が電気的に遮断されている。
バス電極312a,312bは、図1に示すように、一対の透明電極311a,311bにおける放電ギャップG(図2参照)に対して反対側の端部にそれぞれ積層して設けられている。これらバス電極312a,312bのそれぞれの一端は、誘電体層330の外側に延出して、これにより図示しないバス電極引出部が形成されている。そして、このバス電極引出部には図示しない行電極駆動部が電気的に接続されており、この行電極駆動部を適宜制御することにより、それぞれの各透明電極311a,311bへと低抵抗で電圧パルスが印加されるようになっている。
このようなバス電極312a,312bは、図3に示すように、透明電極311a,311b上に積層して設けられたバス電極黒層313a,313bと、これらバス電極黒層313a,313bに積層して設けられた主導電層314a,314bとを備えた2層構造となっている。
ブラックストライプ320は、図2および図3に示すように、バス電極黒層313a,313bと同質の材料にて、直線状に形成されている。このブラックストライプ320およびバス電極黒層313a,313bにて、前面基板300の外方から照射された可視光が吸収されるようになっている。
バス電極黒層313a,313bおよびブラックストライプ320は、例えば黒色無機顔料などの絶縁性かつ可視光吸収性の材料にて形成される。そして、ブラックストライプ320を間に挟んで隣接するバス電極黒層313aとバス電極黒層313bとは、当該ブラックストライプ320とともに絶縁距離を介して離間して一連に印刷形成されている。
主導電層314a,314bは、例えばAg(銀)を主成分とした金属材料にて形成される。これら主導電層314a,314bは、パネル駆動の際、主として透明電極311a,311bへの電力供給に寄与する。
誘電体層330は、図3および図4に示すように、例えばガラス材を主成分とする塗布材料としてのガラスペーストなどが、後述する焼成工程において焼成されることにより形成される。この誘電体層330を形成するためのガラスペーストとして、ガラス材の軟化点が570℃のものを用いている。また、誘電体層330は、背面基板200のアドレス電極保護層220と対向して設けられている。この誘電体層330は、パネル駆動時において、放電による表示電極対310の損耗を防止するとともに、駆動に必要な電荷を蓄積する。
保護層340は、図1、図3および図4に示すように、誘電体層330の内周面の全面を被覆するMgO(酸化マグネシウム)からなる薄膜MgO層を備えた構造となっている。薄膜MgO層は、例えば蒸着法やスパッタリング法などにより形成される。このような保護層340は、誘電体層330が放電によりスパッタリングされることを防ぐとともに、低電圧で放電を発生させるための二次電子の放出層として機能する。例えば、MgO(酸化マグネシウム)などにて形成され、誘電体層330を保護する。
次に、上述した構成のPDP100の誘電体層330などの形成に用いられる焼成装置の構成について図面を参照して説明する。
図5は、誘電体層の形成に用いる焼成装置の概略構成を示す模式図である。
具体的には、焼成制御部は、基板載置部590が収容された第1運搬本体531を炉本体511の左側に位置させ、基板載置部590を炉本体511内部へ搬送させる。そして、基板搬入口511Cを介して基板載置部590に載置された前面基板300を、搬送しながらヒータ512で焼成し、第2運搬本体541へ搬出させる。また、第2運搬本体541を冷却本体521の右側へ移動させ、前面基板300および基板載置部590を冷却本体521内部へ搬送させる。さらに、基板搬出口521Cを介して前面基板300が搬出されると、基板載置部590を第1運搬本体531へ搬出させ、この第1運搬本体531を炉本体511の左側に位置させる。
次に、上述した構成のPDP100の製造方法として、前面基板300の製造方法について説明する。
そして、例えば、スパッタリング法などにより、前面基板300の内面側の全面にITOなどの透明電極材料層を形成し、フォトリソグラフィ法などにより、複数の透明電極311a,311bを形成する。
次に、黒色無機顔料などを樹脂に配合した黒色ペーストを、オフセット印刷法や、高精細スクリーン印刷法、高精細ディスペンサ塗布法などの塗布法により塗布して、黒色パターンを形成する。
さらにこの後、これら黒色パターンおよび導電性パターンを、一括で焼成する。
そして、この焼成により、黒色パターンに含まれる樹脂成分が揮発して、バス電極黒層313a,313b、および、ブラックストライプ320が構成される。また、導線性パターンに含まれる樹脂成分が揮発して、主導電層314a,314bが構成され、バス電極黒層313a,313bと、このバス電極黒層313a,313bに積層する主導電層314a,314bとからなるバス電極312a,312bが構成される。
そして、放電ギャップGを介して対向する複数の透明電極311a,311bと、これら透明電極311a,311bに積層するバス電極312a,312bとにて、表示電極対310が構成される。なお、透明電極311a,311bと主導電層314a,314bとは、黒色パターンに含まれる導電粒子により導通され、透明電極311a,311b間となるブラックストライプ320の幅方向では離間する状態であることから絶縁状態となっている。
次に、誘電体層330が形成された前面基板300を用いて、焼成装置500の加熱状態を解析する熱解析システムの構成について説明する。
図6は、熱解析システムの概略構成を示す模式図である。
ここで、誘電体層330は、ガラス材を主成分としているため、光透過性と、ある程度の光反射性と、を有している。このため、CCDカメラ620で撮像された実画像は、光が照射されていない部分が暗い色で表現された実画像背景と、光が照射されて反射している部分が明るい色で表現された反射光像と、で構成される。
そして、CCDカメラ620は、この撮像した実画像に関する実画像データを熱解析装置640へ出力する。
具体的には、2値化画像生成手段641は、CCDカメラ620から、実画像の実画像データを取得する実画像取得工程を実施して、この実画像における各画素の輝度値が所定の閾値以上か否か判断する。そして、所定の閾値以上の部分を黒で表現した黒領域と、閾値未満の部分を白で表現した白領域と、で構成される2値化画像を生成する2値化画像生成工程を実施する。すなわち、実画像背景に略対応する部分が黒領域で表現され、反射光像に略対応する部分が白領域で表現された2値化画像を生成する。
具体的には、解析手段642は、2値化画像を取得して、この2値化画像内のあらかじめ設定された解析領域における白領域の面積値を算出する。そして、この面積値に基づいて、誘電体層330形成時における前面基板300の撮像領域に対応する部分の焼成温度を算出する処理を、焼成装置500の加熱状態を解析する解析工程として実施する。
この際、誘電体層330を構成するガラス材の軟化点の±15℃となる条件で誘電体層330を形成しているため、解析手段642は、2値化画像の白領域の面積値に略比例する温度を焼成温度として算出する。
そして、解析手段642は、この焼成温度に関する情報をモニタ630に適宜表示させる。
次に、上述した熱解析システム600の作用として、焼成温度と白領域の面積値との関係について調べるために実施した実験について、図面を参照して説明する。
図7は、焼成温度が580℃のワークの実画像および2値化画像であり、(A)は実画像を示し、(B)は2値化画像を示す。図8は、焼成温度が575℃のワークの実画像および2値化画像であり、(A)は実画像を示し、(B)は2値化画像を示す。図9は、焼成温度が550℃のワークの実画像および2値化画像であり、(A)は実画像を示し、(B)は2値化画像を示す。図10は、焼成温度と白領域の面積値との関係を示すグラフである。図11は、誘電体層が形成された前面基板の面内の一部に焼成むらが発生している状態を示す模式図である。
具体的には、誘電体層330の形成に用いたガラスペースト、つまりガラス材の軟化点が570℃のガラスペーストを基板上に直接塗布した。そして、焼成温度が580℃、575℃、550℃となる条件で焼成して、基板上に誘電体層が直接的に形成された3個のワークを作製した。さらに、焼成温度が他の温度となる条件で焼成して、複数のワークを作製した。
まず、焼成温度が580℃のワークを撮像すると、図7(A)に示すような、実画像背景701と、反射光像702と、で構成される実画像700が得られた。さらに、実画像700を2値化処理すると、図7(B)に示すような、黒領域801と、白領域802と、で構成される2値化画像800が得られた。そして、この2値化画像800の1点鎖線で示すような所定の面積からなる解析領域内における白領域802の面積値として、1333が得られた。
また、焼成温度が575℃のワークを撮像すると、図8(A)に示すような、実画像背景711と、反射光像712と、で構成される実画像710が得られた。さらに、2値化処理により、図8(B)に示すような、黒領域811と、白領域812と、で構成される2値化画像810が得られた。そして、この2値化画像810の1点鎖線で示すような所定の面積からなる解析領域内における白領域812の面積値として、1156が得られた。
さらに、焼成温度が550℃のワークを撮像すると、図9(A)に示すような、実画像背景721のみで構成される実画像720が得られた。また、2値化処理により、図9(B)に示すような、黒領域821のみで構成される2値化画像820が得られた。そして、この2値化画像820の1点鎖線で示すような所定の面積からなる解析領域内における白領域の面積値として、0が得られた。なお、図7(B)、図8(B)、および、図9(B)における1点鎖線で示す解析領域内の面積は、全て同一値で設定されている。
さらに、複数の焼成温度のワークにおける白領域の面積値(以下、単に「面積値」と称する場合もある)をそれぞれ算出して、焼成温度と白領域の面積値との関係を調べた。その結果を、図10に示す。
誘電体層は、光反射性を有するが、表面の凹凸が大きいまたは凹凸領域が広い場合、光源610からの光を乱反射させる量が多くなり、CCDカメラ620で受光する反射光の輝度が落ちて、実画像の反射光像が小さくなると考えられる。一方、表面が平滑なほど、反射光の輝度が上がり、実画像の反射光像が大きくなると考えられる。このため、焼成温度と2値化画像における白領域の面積値との間に、相関関係が発生すると考えられる。
また、焼成温度が軟化点から15℃を減じた温度以下の場合、ほとんどのガラス材が溶融しないため、誘電体層表面の凹凸が焼成温度によって変化せず、相関関係が見られないと考えられる。例えば、焼成温度が550℃以下の場合、どの温度でも白領域の面積値が略等しくなる。
さらに、焼成温度が軟化点に15℃を加えた温度以上の場合、ほとんどのガラス材が溶融しているため、誘電体層表面が略平滑化して焼成温度によって変化せず、相関関係が見られないと考えられる。さらに、焼成温度が600℃以上の場合、誘電体層に発生した泡により反射光が乱反射し、輝度が落ちるため、白領域の面積値が小さくなる。
以上のことから、焼成温度が光反射性を有するガラス材の軟化点の±15℃となるように焼成装置500を設定して誘電体層330を形成することにより、熱解析システム600にて、前面基板300の焼成温度、つまり焼成装置500の加熱状態を解析できることがわかった。
上述したように、上記実施の形態では、熱解析システム600の熱解析装置640は、ガラス材を主成分とするガラスペーストが前面基板300上に層状に塗着された後に焼成装置500にて焼成された前面基板300上の誘電体層330に対して、光源610から光を照射して、その反射光の状態に基づいて、焼成装置500の加熱状態を解析する解析工程を実施する。
このため、溶融状態により表面の平滑状態が異なる誘電体層330における反射光の状態に基づいて、焼成装置500の加熱状態を解析することにより、平滑度が高く反射光の輝度が大きい場合に焼成温度が高く、平滑度が低く輝度が小さい場合に焼成温度が低い旨を認識できる。したがって、製品の生産を止める必要がなく、かつ、熱電対などの温度計測のための構成を取り付ける必要がなくなり、良好にかつ容易に焼成装置500の加熱状態を解析できる。特に、前面基板300の面内における複数箇所について解析すれば、温度分布が悪化している箇所をも特定でき、早急に適切な対策を講じることができる。
このため、一般的に広く利用されている2値化処理を用いることにより、より容易にかつ簡単な構成で焼成装置500の加熱状態を解析できる。
このため、解析に用いた前面基板300をPDP100の部品として適宜利用することができ、生産性を落とすことなく焼成装置500の加熱状態を解析できる。
このため、軟化点の±15℃の範囲内で誘電体層330が形成されると、焼成温度が高いほど溶融量が増加して平滑度が高くなるので、焼成温度と白領域の面積値とが相関関係を有することとなる。したがって、このような相関関係に基づいて、焼成装置500の加熱状態をより詳細に解析できる。
このため、製品の特性に影響を及ぼす構造物の形成状態を良好にかつ容易に管理でき、良好な特性を有するPDP100を製造できる。
このため、PDP100の構造物の中でも、特に製品の特性に影響を及ぼす誘電体層330の形成状態を管理でき、さらに良好な特性を有するPDP100を製造できる。
なお、本発明は、上述した実施の一形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲で以下に示される変形をも含むものである。
さらに、ガラス材としては、軟化点が570℃のものに限らず、所望とする構造物の構成に応じて適宜選定されればよい。
さらには、例えばCCDカメラ620の代わりに輝度計を設け、この輝度計で測定した輝度値に基づいて、加熱状態を解析する構成としてもよい。
上述したように、上記実施の形態では、熱解析システム600は、ガラスペーストが層状に塗着された後に焼成装置500にて焼成された前面基板300上の誘電体層330に対して、光源610から光を照射して、その反射光の状態に基づいて、焼成装置500の加熱状態を解析する解析工程を実施する。
このため、溶融状態により表面の平滑状態が異なる誘電体層330における反射光の状態に基づいて、焼成装置500の加熱状態を解析することにより、平滑度が高く反射光の輝度が大きい場合に焼成温度が高く、平滑度が低く輝度が小さい場合に焼成温度が低い旨を認識できる。したがって、製品の生産を止める必要がなく、かつ、熱電対などの製品に不要な構成を利用する必要がなくなり、良好にかつ容易に焼成装置500の加熱状態を解析できる。
300………基板である前面基板
330………材料層としての構造物である誘電体層
640………熱解析装置
641………実画像取得手段としても機能する2値化画像生成手段
642………解析手段
Claims (7)
- 加熱処理を施す焼成装置の加熱状態を解析する熱解析方法であって、
ガラス材を主成分とする塗布材料が基板上に塗着された後に前記焼成装置にて加熱処理が施されて前記基板上に形成された材料層に対して、所定の光源から光が照射された際の反射光の状態に基づいて、前記焼成装置の加熱状態を解析する解析工程を実施する
ことを特徴とする熱解析方法。 - 請求項1に記載の熱解析方法であって、
前記反射光の状態を実画像として取得する実画像取得工程と、
この取得した実画像に対して2値化処理を施した2値化画像を生成する2値化画像生成工程と、
を実施し、
前記解析工程では、前記反射光の状態に基づいて前記焼成装置の加熱状態を解析する処理として、前記2値化画像における2値化された画素のうち一方の値に対応する画素の全面積に基づいて、前記焼成装置の加熱状態を解析する処理を実施する
ことを特徴とする熱解析方法。 - 請求項1または請求項2に記載の熱解析方法であって、
前記加熱処理時における前記基板の面内温度は、前記ガラス材の軟化点の±15℃の範囲内である
ことを特徴とする熱解析方法。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の熱解析方法であって、
前記材料層は、プラズマディスプレイパネルの構造物である
ことを特徴とする熱解析方法。 - 請求項4に記載の熱解析方法であって、
前記プラズマディスプレイパネルの構造物は、誘電体層である
ことを特徴とする熱解析方法。 - 加熱処理を施す焼成装置の加熱状態を解析する熱解析装置であって、
ガラス材を主成分とする塗布材料が基板上に塗着された後に前記焼成装置にて加熱処理が施されて前記基板上に形成された材料層に対して、所定の光源から光が照射された際の反射光の状態に基づいて、前記焼成装置の加熱状態を解析する解析手段を具備した
ことを特徴とした熱解析装置。 - 請求項6に記載の熱解析装置であって、
前記反射光の状態を実画像として取得する実画像取得手段と、
この取得した実画像に対して2値化処理を施した2値化画像を生成する2値化画像生成手段と、
を具備し、
前記解析手段は、前記反射光の状態に基づいて前記焼成装置の加熱状態を解析する処理として、前記2値化画像における2値化された画素のうち一方の値に対応する画素の全面積に基づいて、前記焼成装置の加熱状態を解析する処理を実施する
ことを特徴とした熱解析装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006153068A JP2007323970A (ja) | 2006-06-01 | 2006-06-01 | 熱解析方法、および、熱解析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006153068A JP2007323970A (ja) | 2006-06-01 | 2006-06-01 | 熱解析方法、および、熱解析装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007323970A true JP2007323970A (ja) | 2007-12-13 |
Family
ID=38856588
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006153068A Pending JP2007323970A (ja) | 2006-06-01 | 2006-06-01 | 熱解析方法、および、熱解析装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007323970A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000294141A (ja) * | 1999-04-08 | 2000-10-20 | Hitachi Ltd | プラズマディスプレイ装置の製造方法およびプラズマディスプレイ装置 |
JP2005038677A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルの製造方法および焼成装置 |
JP2006049078A (ja) * | 2004-08-04 | 2006-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル用基板の検査方法 |
-
2006
- 2006-06-01 JP JP2006153068A patent/JP2007323970A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000294141A (ja) * | 1999-04-08 | 2000-10-20 | Hitachi Ltd | プラズマディスプレイ装置の製造方法およびプラズマディスプレイ装置 |
JP2005038677A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルの製造方法および焼成装置 |
JP2006049078A (ja) * | 2004-08-04 | 2006-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル用基板の検査方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20050239365A1 (en) | Method and apparatus for repairing plasma display electrode | |
JP2007323970A (ja) | 熱解析方法、および、熱解析装置 | |
US7153714B2 (en) | Method of manufacturing flat panel displays | |
JP4457662B2 (ja) | 電極検査方法および電極検査装置 | |
JPH10297128A (ja) | 印刷パターンの欠陥修正方法及びプラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
KR100860496B1 (ko) | 디스플레이 패널의 제조 장치 및 방법 | |
US7083489B2 (en) | Plasma display panels manufacturing method and sintering device | |
US7125304B2 (en) | Method of manufacturing plasma display panel and firing apparatus | |
JP4411964B2 (ja) | 電極検査方法および電極検査装置 | |
JP4835099B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
US7722420B2 (en) | Manufacturing method of a plasma display panel having a base layer along a first direction and a phosphor layer along a second direction that intersects the first direction | |
US20110018169A1 (en) | Method of manufacturing plasma display panel and method of producing magnesium oxide crystal powder | |
JP3599507B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの蛍光体層形成方法 | |
JP2012021672A (ja) | 熱処理装置 | |
JPH10308181A (ja) | 表示装置の隔壁 | |
JP2008057887A (ja) | 被加熱物の熱処理方法、ディスプレイパネルの製造方法、および、ディスプレイパネルの製造装置 | |
JP2004071455A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
US7500894B2 (en) | Method for manufacturing plasma display panels with consistent panel substrate characteristics | |
JP2009210166A (ja) | プラズマディスプレイパネルの焼成装置 | |
JP2009037832A (ja) | プラズマディスプレイパネルの熱処理装置 | |
JP2002240238A (ja) | ストライプ状厚膜印刷用スクリーン、ストライプ状厚膜の印刷方法、および放電表示装置 | |
JP2009036420A (ja) | プラズマディスプレイパネルの熱処理装置 | |
JP2003208853A (ja) | ガス放電表示装置およびその製造方法 | |
KR100844826B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 장치 | |
KR100796659B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A625 | Written request for application examination (by other person) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A625 Effective date: 20090601 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20090612 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090601 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101214 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110426 |