JP2007319994A - 研磨パッド - Google Patents

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Abstract

【課題】ウエーハの被研磨面から均一厚さに研磨できる研磨パッドを提供することを目的とする。
【解決手段】研磨面31が、チャックテーブルに保持されたウエーハの回転中心から外周に向かう所要領域を研磨する研磨領域EPOLと研磨機能を有しない非研磨領域ENONとを含み、これら研磨領域EPOLおよび非研磨領域ENONが、研磨面31の回転中心からの半径R1≦R≦R2に至り形成されているので、研磨領域EPOLと非研磨領域ENONとの比率設定によって周速の速い外周側の除去レートを実質的に減らすことで研磨深さがウエーハ全面に亘って均一となり精度の高い平坦面として鏡面仕上げすることができるようにした。
【選択図】 図4

Description

本発明は、研磨装置に装着されてウエーハを均一深さに研磨する研磨パッドに関するものである。
IC,LSI等のデバイスが複数形成されたウエーハは、研削装置によって裏面が研削されて所定の厚さに形成され、その後ダイシング装置等の分割装置によって個々のデバイスに分割されて携帯電話、パソコン等の電子機器に利用される。
電子機器の軽量化、小型化を可能にするために、ウエーハの厚みが100μm以下、あるいは50μm以下になるように研削されるが、研削によってウエーハの裏面には研削歪層が残存し、それに起因してデバイスの抗折強度が著しく低下するという問題がある。そこで、このようなウエーハの裏面から研削歪層を除去する研磨装置が本出願人により提案されている(特許文献1参照)。特許文献1の研磨装置は、回転駆動される研磨工具を被加工物の被処理面に押圧させながら研磨することを基本とし、このような研磨動作中に被加工物を保持したチャック手段を水平方向に往復動させるようにしている。
特許文献1に示される研磨装置によれば、ウエーハの研削面を研磨して鏡面加工できるので、インゴットから切り出されて研削され複数のデバイスを形成するためのベアウエーハを鏡面仕上げする際にも利用可能といえる。
特開2003−53662号公報
しかしながら、特許文献1の研磨装置は、ウエーハの被研磨面を鏡面仕上げすることはできるものの、ウエーハの厚みを均一に仕上げることはできず、平坦に研削された被研磨面が波打つような平坦状態の仕上がりとなってしまう。よって、例えば精度の高い平坦面を必要とするベアウエーハの鏡面仕上げに適用するには、不十分な現状にあるといえる。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ウエーハの被研磨面から均一厚さに研磨できる研磨パッドを提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る研磨パッドは、ウエーハを保持する保持面を有し回転可能なチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハに対面し研磨する研磨面を有する研磨パッドが回転可能に装着された研磨手段と、前記研磨手段を前記保持面に対して垂直方向に移動する垂直移動手段と、前記保持面に対する当該研磨パッドの押圧荷重を検出する荷重検出手段と、を備える研磨装置に装着される研磨パッドであって、ウエーハの直径以上の前記研磨面を含む研磨部と、該研磨部を保持するホイール基台と、を備え、前記研磨面は、前記チャックテーブルに保持されたウエーハの回転中心から外周に向かう所要領域を研磨する研磨領域と研磨機能を有しない非研磨領域とを含み、前記研磨領域は、前記研磨面の回転中心からの半径R1≦R≦R2に至り形成され、前記非研磨領域は、前記研磨面の回転中心からの半径R1≦R≦R2に至り形成されていることを特徴とする。
また、本発明に係る研磨パッドは、上記発明において、加工量をW、定数をη、ウエーハと当該研磨パッドとの間の相対速度をV、圧力をP、加工時間をTとした場合、前記研磨面の回転中心からの半径R1〜R2に至る半径Rにおける前記研磨領域と前記非研磨領域との比率は、ウエーハの回転中心から同心円状に区画したi個のウエーハリングと、前記研磨面を半径R1〜R2の範囲で同心円状に区画したj個の工具リングとの重なりによって形成される加工セグメント毎に算出された相対速度と、加工セグメント毎に算出されたウエーハ1回転に対する各加工セグメントの時間比と、プレストンの式W=η・P・V・Tを適用して実験により決定された単位時間当たりの関数E=f(P,V)とによって算出された加工セグメント毎の除去レートを用い、半径Rjの前記工具リングjにおける円周長を分母とした前記研磨領域の比率をKjとして前記工具リングj毎に対応する各加工セグメントの除去レートに該比率Kjを乗算して加工セグメント毎の加工量を求め、求められた加工セグメント毎の加工量をウエーハリングi毎に加算して求めた加工量Wiが同じ加工量Wになるように算出された該比率Kjに基づいて決定されていることを特徴とする。
また、本発明に係る研磨パッドは、上記発明において、前記研磨面は、フェルト材からなり、前記研磨領域は、該フェルト材に研磨材を含浸させて構成されていることを特徴とする。
本発明に係る研磨パッドによれば、研磨面が、チャックテーブルに保持されたウエーハの回転中心から外周に向かう所要領域を研磨する研磨領域と研磨機能を有しない非研磨領域とを含み、これら研磨領域および非研磨領域が、研磨面の回転中心からの半径R1≦R≦R2に至り形成されているので、研磨領域と非研磨領域との比率設定によって周速の速い外周側の除去レートを実質的に減らすことで研磨深さがウエーハ全面に亘って均一となり精度の高い平坦面として鏡面仕上げすることができ、ベアウエーハの鏡面加工等に好適に適用することができるという効果を奏する。特に、ウエーハの加工領域を回転中心から同心円状にウエーハリングとして区画し、研磨面を半径R1〜R2の範囲で同心円状に工具リングとして区画し、ウエーハリング毎の加工量が同一となるように研磨面の工具リング毎の研磨領域と非研磨領域との比率を設定するようにしたので、研磨深さがウエーハ全面に亘って均一となり精度の高い平坦面として鏡面仕上げすることができるという効果を奏する。
以下、本発明を実施するための最良の形態である研磨パッドについて図面を参照して説明する。
図1は、本実施の形態の研磨パッドが使用される研磨装置の一例を示す外観斜視図であり、図2は、その一部を抽出して示す斜視図であり、図3は、研磨パッドを示す斜視図であり、図4は、研磨パッドを裏返して示す斜視図である。本実施の形態の研磨装置1は、ウエーハ2を保持する保持面21を有し回転可能なチャックテーブル20と、チャックテーブル20に保持されたウエーハ2に対面し研磨する研磨面31(図4参照)を有する研磨パッド32が回転可能に装着された研磨手段30と、研磨手段30とチャックテーブル20とを保持面21に対して水平方向であるX軸方向に相対的に移動する水平移動手段40(図2参照)と、研磨手段30を保持面21に対して垂直方向であるZ軸方向に移動する垂直移動手段50と、保持面21に対する研磨パッド32の押圧荷重を検出する荷重検出手段60(図2参照)と、を備える。
まず、本実施の形態で研磨対象となるウエーハ2は、図1中に示すような支持基板3上に装着されたウエーハであるが、図示しないフレームに装着テープを介して装着されたウエーハであってもよい。また、ウエーハ2自身は、表面に格子状に配列されたストリートによって規定された多数の矩形領域のそれぞれに半導体回路デバイスが形成されたウエーハであり、厚みを低減させるために上方に向けられた裏面には研削加工が施されており、かかる研削加工に起因して研磨対象となる平坦な裏面には研削歪が残留しているものである。なお、ウエーハ2は、インゴットから切り出された後、両面が平坦に研削されて複数のデバイスを形成するためのベアウエーハであってもよい。
また、チャックテーブル20は、支持部材22に対してZ軸方向の回転中心軸を中心として回転自在に装着された円盤形状のもので、図示しない真空源によってウエーハ2を吸着保持するため、多孔性セラミックス等の多孔性材料から構成されている。また、支持部材22内にはチャックテーブル20を回転させる図示しない電動モータが配設されている。さらに、支持部材22のX軸方向両端とハウジング4との間には、後述する水平移動手段40を覆いチャックテーブル20のX軸方向の移動に伴い伸縮する蛇腹手段23,24が付設されている。
また、研磨手段30は、ハウジング33と、ハウジング33の下端に回転自在に装着されたホイールマウント34にボルト34aによって装着された研磨パッド32と、ハウジング33の上端に装着されて研磨パッド32を回転させるサーボモータ35と、ハウジング33を装着した移動基台36と、を備える。移動基台36は、被案内レール36aを有し、この被案内レール36aをハウジング4の支持板5に設けられた案内レール6に移動可能に嵌合することにより研磨手段30が上下方向(Z軸方向)に移動可能に支持される。
また、垂直移動手段50は、研磨手段30の移動基台36を案内レール6に沿って移動させて研磨パッド32をZ軸方向に移動させることで、チャックテーブル20上のウエーハ2に対して研磨パッド32を押圧接触させるためのものである。垂直移動手段50は、支持板5に案内レール6と平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド51と、雄ねじロッド51を回転駆動するためのZ軸パルスモータ52と、移動基台36に装着され雄ねじロッド51と螺合する雌ねじブロック(図示せず)と、を備える。このような垂直移動手段50は、研磨時に、Z軸パルスモータ52を正転駆動すると研磨手段30を垂直な方向(Z軸方向)に下降させることで、研磨パッド32をチャックテーブル20に保持されたウエーハ2に対して押圧接触させ、Z軸パルスモータ52を逆転駆動すると研磨手段30を垂直な方向(Z軸方向)に上昇させることで、研磨パッド32をチャックテーブル20に保持されたウエーハ2から離反させる。
また、水平移動手段40は、チャックテーブル20をウエーハ2の搬入・搬出用の待機位置と、研磨手段30による研磨位置との間でX軸方向に往復動させるためのもので、図2に示すように、ハウジング4上部においてX軸方向に延在する一対の案内レール41と、支持部材22を支持して案内レール41上をスライド自在なスライド部材42と、X軸方向に貫通させてスライド部材42に形成された雌ねじ孔(図示せず)に螺合し、回転自在に支持された雄ねじロッド43と、この雄ねじロッド43の一端に連結されて雄ねじロッド43を回転するX軸パルスモータ44と、を備える。これにより、X軸パルスモータ44が正転するとチャックテーブル20が+X軸方向に移動し、X軸パルスモータ44が逆転するとチャックテーブル20が−X軸方向に移動する。さらに、スライド部材42上には、チャックテーブル20の保持面21に対する研磨パッド32の押圧荷重を検出する荷重検出手段60が搭載されている。ここで、本実施の形態では、荷重検出手段60としては、キスラー荷重計が用いられている。
さらに、本実施の形態の研磨装置1は、ハウジング4上の手前側に、周知の如く、ウエーハ2を収容するカセット71,72、カセット71から研磨前のウエーハ2の搬出または研磨済みのウエーハ2のカセット72への搬入を行う搬出入手段73と、ウエーハ2の中心位置合わせを行う位置合わせ手段74と、チャックテーブル20に研磨前のウエーハ2を搬入する搬入手段75と、チャックテーブル20から研磨済みのウエーハ2を搬出する搬出手段76と、研磨後のウエーハ2を洗浄する洗浄手段77とを備えている。
また、本実施の形態の研磨パッド32は、図3および図4に示すように、研磨面31を有する円形状の研磨部37と、エポキシ樹脂系接着剤等の接着剤で接合された研磨部37を支持する円板形状のホイール基台38とにより構成されている。ホイール基台38の外面には、ボルト34aによってホイールマウント34に装着されるねじ穴38aが形成されている。ここで、本実施の形態の研磨パッド32の研磨面31は、研磨対象となるウエーハ2の直径以上の大きさを有し、研磨位置に固定されたチャックテーブル20上のウエーハ2に対して部分的または全面的にオーバーラップしてウエーハ2の上面(被研磨面)を研磨するものであるが、平坦に研磨するために、チャックテーブル20上のウエーハ2の回転中心から外周に向かう所要領域を研磨する研磨領域EPOLと研磨機能を有しない非研磨領域ENONとを含む構造とされている。すなわち、本実施の形態の研磨パッド32の研磨面31は、全面が研磨領域として形成されているものではない。これら研磨領域EPOL、非研磨領域ENONは、研磨面31の回転中心からの半径R1〜R2の範囲に形成されている。ここで、ウエーハ2と研磨面31との半径等によるが、半径R1,R2は、ウエーハ2に対して研磨領域EPOLが、少なくともウエーハ2の回転中心を通り、かつ、ウエーハ2の半径分以上の長さをもってオーバーラップする領域となり得るように設定されている。そして、研磨面31の回転中心からの半径R1〜R2に至る半径Rの位置に応じて研磨領域EPOLと非研磨領域ENONとの比率が、後述するような所定値となるように設定されている。
また、研磨パッド30の研磨面31は、フェルト材からなり、研磨領域EPOLは、フェルト材にダイヤモンド砥粒のような多数の砥粒による研磨材を分散させて含浸させることにより研磨機能を有し、非研磨領域ENONは、フェルト材のままとすることにより研磨機能を有しないように構成されている。なお、図4等では、便宜上、非研磨領域ENONは、研磨領域EPOLと区別するため、白抜き状態で図示している(後述の図20でも同様)。また、半径R1以下の領域は、フェルト材のみからなる非研磨領域ENONとして構成してもよく、或いはドーナツ形状の中心部となる空間として構成してもよい。このような研磨部37に適用されるフェルト材や砥粒等の構成の詳細については、特開2002−283243号公報により公知であるので、詳細な説明は省略する。なお、研磨パッド32は、フェルト材によるものの他に、ウレタン、発泡ウレタン、エラストマー樹脂等によるものであってもよい。ここで、本実施の形態のような研磨領域EPOLと非研磨領域ENONとを有する研磨面31は、例えば円形状に形成されたフェルト材表面に対して非研磨領域ENONのパターン形状に形成されたマスクを掛けて、砥粒を含浸させることで、研磨領域EPOLに対してのみ砥粒を所定パターン形状で含浸させることにより作製できる。別の方法として、例えば砥粒が含有されたフェルト材と砥粒が含有されていないフェルト材とを別々に作製しておき、後でそれぞれ所定形状に切断して貼り合わせるようにしてもよい。
次に、研磨パッド32の研磨面31における研磨領域EPOLと非研磨領域ENONとの比率Kが半径Rの位置に応じてどのように設定されているかについて説明する。本実施の形態の研磨パッド32は、予め設定された所定の研磨条件の下で、チャックテーブル20上に保持されたウエーハ2の上面を全面に亘って均一深さで研磨するために、当該研磨装置1に接続されたパーソナルコンピュータ等を用いて必要なデータを取得し、例えばプレストンの式に基づき演算処理をすることにより比率Kが設定されている。
まず、本実施の形態のような研磨加工における加工量(研磨深さ)Wは、定数をη、ウエーハ2と研磨パッド32´(研磨面31が全面的に研磨領域EPOLからなる研磨パッドを便宜上、研磨パッド32´として表記するものとする)との間の相対速度をV、ウエーハ2に対する研磨パッド32´の圧力をPとすると、次のプレストンの式
W=η・V・P・T
で表すことができる。ここで、定数ηは、ウエーハ2の材質や研磨パッド32´に含まれる砥粒などによって決定される固有値であって、プレストンの式においては比例係数を示すため、上記プレストンの式は、
W=f(P,V)・T=E・T
に書き換えて表現することができる。ここで、E=f(P,V)は、圧力P、相対速度Vの関数であり、単位時間での加工量或いは除去レートの関数を意味する。このような除去レートの関数E=f(P,V)は、当該研磨装置1を用いた実験により求めることができる。図5は、圧力PをP1,P2,P3,…,Pnとした場合の相対速度Vに応じた除去レートの関数Eの実験結果に基づく特性例を示している。
ここで、本実施の形態では、チャックテーブル20に保持されたウエーハ2に対する研磨パッド32の接触面積と荷重検出手段160で検出される荷重とによってウエーハ2に対する研磨パッド32の圧力Pが常に所望の圧力P0(例えば、P0=5000Paの如く設定されている)と一致するように垂直移動手段50を制御する。このように、圧力Pが常に所望の圧力P0となるように垂直移動手段50が制御されるので、除去レートの関数E=f(P,V)は、E=f(P0,V)として、相対速度Vのみが変数となる関数として表現できる。特に、研削砥石のような硬い工具とは異なり、フェルト材等からなる研磨パッド32´の場合には軟らかいので、研磨パッド32´がウエーハ2に対して部分的な接触による偏りをもって押圧する場合でもウエーハ2の接触面にかかる押圧圧力を均一化しやすい。よって、圧力を特定した実験により除去レートの関数E=f(P,V)=f(P0,V)が求まれば、プレストンの式は、
W=f(P0,V)・T
となり、相対速度Vと加工時間Tとを変数とする関数として取り扱うことができる。
そこで、まず、当該研磨装置1を用いた研磨実験により除去レートの関数E=f(P,V)=f(P0,V)を決定し、パソコン中の所定のメモリに記憶する。本実施の形態においては、例えば、直径200mm、平均厚さ約500μmのウエーハ2を保持したチャックテーブル20を固定とし、研磨パッド32´の外周面がウエーハ2の中心を通るように位置付け、圧力P=P0=5000Paとし、60秒間研磨動作を行うことで、除去レートの関数E=f(P,V)=f(P0,V)を求める実験を行ったものである。図6(a)は実験における研磨加工前のウエーハ2の表面の様子を示す斜視図であり、図6(b)は実験における研磨加工後のウエーハ2の表面の様子を示す斜視図である。図7(a)(b)は、図6(a)(b)のウエーハ2の表面状態を数値的に示すグラフである。ウエーハ2と研磨パッド32´との間の相対速度Vが、研磨パッド32´の外周側ほど速く内周側ほど遅く、研磨パッド32´の外周側ほど研磨深さが大きいため、平坦であったウエーハ2の表面が大きく傾斜した状態に研磨されることが判る。このような実験結果によれば、図8に示すように、相対速度Vを変数とする除去レートの関数E=f(P,V)=f(P0,V)を求めることができ、求められた除去レートの関数Eのデータをメモリに記憶しておく。
除去レートの関数E=f(P,V)=f(P0,V)が決定されると、相対速度Vを求めることで除去レートを決定することができるが、実際の研磨動作においては、ウエーハ2および研磨パッド32´はともに高速回転しており、例えば、図9−1に示すように、ウエーハ2上の半径の異なる任意の点A,Cでの相対速度VA,VCが異なるのはもちろん、例えば、図9−2に示すように、ウエーハ2上の同じ半径の点A,Bでも相対速度VA,VBも異なる如く、相対速度Vの分布は複雑であり、取扱いが容易でない。
ところが、ウエーハ2と研磨パッド32´との接触領域を多数の小面積領域に分ければ、各小面積領域内での相対速度は同じであるとみなすことができるので、例えば各小面積領域の中心点での相対速度を求めることで、小面積領域毎の除去レートを求めることが可能となる。
ここで、ウエーハ2と研磨パッド32´との接触領域を多数の小面積領域に分ける方法には、色々あるが、本実施の形態では、ウエーハ2と研磨パッド32´とがともに回転体である点を考慮し、ウエーハ2の中心から外周に向かって所定の間隔で同心円状にi個のウエーハリングを仮想的に区画するとともに、研磨パッド32´の研磨面31についても中心から外周に向かって所定の間隔で同心円状にj個の工具リングを仮想的に区画し、ウエーハリングと工具リングとの重なりによって形成される小面積領域を加工セグメントとして扱うものである。図10は、説明を簡単にするため、i=j=4とする場合のウエーハリングw1〜w4、工具リングf1〜f4を予め設定された特定の加工位置で部分的に重ね合わせた状態での加工セグメントsの様子を示す模式図である。例えば、ウエーハリングw2と工具リングf1との重なり領域が加工セグメントs21となり、ウエーハリングw2と工具リングf2との重なり領域が加工セグメントs22となり、ウエーハリングw2と工具リングf3との重なり領域が加工セグメントs23となり、ウエーハリングw2と工具リングf4との重なり領域が加工セグメントs24となる。他の加工セグメントwijについても同様である。
そこで、ウエーハリングw1〜w4と工具リングf1〜f4との重なりによって形成される加工セグメントsijにおける相対速度Vijを図11に示すように加工セグメントsij毎に算出してパソコン中のメモリに記憶する。ここでは、各ウエーハリングw1〜w4の中心半径と各工具リングf1〜f4の中心半径との交点となる各加工セグメントsijの中心点での相対速度を、ウエーハ2、研磨パッド32の回転速度に基づき算出する。算出した加工セグメントsij毎の相対速度Vijは、例えば図12に示すような相対速度テーブル151として記憶する。
次に、ウエーハ2の回転を考慮した加工セグメントsijの挙動について考察する。例えば、図13および図14に示すようにウエーハリングw2を例に挙げると、ウエーハ2が1回転する間に、ウエーハリングw2内の全ての箇所は、加工セグメントs21,s22,s23,s24,s23,s22,s21および無加工セグメントs20を通過することとなる。すなわち、ウエーハ2が1回転する間に、ウエーハリングw2内の全ての箇所は、加工セグメントs21,s22,s23,s24,s23,s22,s21による研磨作用を均等に受けることとなる。逆にいえば、各加工セグメントs21,s22,s23,s24,s23,s22,s21は、ウエーハリングw2全周に亘って研磨作用を示すものではないので、各加工セグメントs21,s22,s23,s24,s23,s22,s21における除去レートを算出するためには、ウエーハ2の1回転(ウエーハリングw2全周)に対して各加工セグメントs21,s22,s23,s24,s23,s22,s21が実際にウエーハリングw2に作用する時間比を算出する必要がある。他の加工セグメントについても同様である。
そこで、ウエーハ2の1回転に対する各加工セグメントsijの時間比τijを加工セグメントsij毎に算出してパソコン中のメモリに記憶する。例えば、図15に示すようにウエーハリングw2と工具リングf1との重なりにより形成される加工セグメントs21の例で考えると、加工セグメントs21の時間比τ21は、ウエーハリングw2の中心半径上において工具リングf1と接触する部分の角度をθ21とすると、ウエーハリングw2上に加工セグメントs21が2箇所存在することから、τ21=2θ21/2πとして算出できる。他の加工セグメントについても同様である。算出した加工セグメントsij毎の時間比τijは、例えば図16に示すような時間比テーブル152として記憶しておく。
そして、予め記憶された図8に示したような関数E=f(P0,V)と相対速度テーブル151に記憶された相対速度Vijと時間比テーブル152に記憶された時間比τijとによって加工セグメントsij毎の除去レートを算出してパソコン中のメモリに記憶する。ここで、関数E=f(P0,V)に相対速度Vijの値を代入した結果を、Eijで表すものとすると、加工セグメントsij毎の除去レートは、Eijτijとして算出される。算出した加工セグメントsij毎の除去レートEijτijは、例えば図17に示すような除去レートテーブル153として記憶しておく。
そして、加工セグメントsij毎の除去レートEijτijに対して或る加工時間Tを乗算することにより、プレストンの式に従い加工セグメントsij毎の除去量(研磨深さ)が求まり、求められた加工セグメントsij毎の除去量をウエーハリングw1〜w4毎に加算することにより、ウエーハリングw1〜w4毎の除去量(研磨深さ)が求まることとなる。例えば、ウエーハリングw1〜w4毎の除去量(加工量)を、W(w1)〜W(w4)とすると、
W(w1)=E11τ11T+E12τ12T+E13τ13T+E14τ14
W(w2)=E21τ21T+E22τ22T+E23τ23T+E24τ24
W(w3)=E31τ31T+E32τ32T+E33τ33T+E34τ34
W(w4)=E41τ41T+E42τ42T+E43τ43T+E44τ44
となる。
ここで、上述の説明は、研磨面31が全面的に研磨領域EPOLとして構成されている研磨パッド32´を用いる場合を想定した例であるが、本実施の形態の研磨パッド32は、研磨機能を有しない非研磨領域ENONを含むものであり、半径Rjの工具リングfj(半径Rjは工具リングfjの中心半径とする)における円周長を分母とした研磨領域EPOLの比率をKjとすると、ウエーハリングwi毎の加工量がW(w1)=W(w2)=W(w3)=W(w4)=Wとなるように、半径Rjの位置(工具リングfjの位置)に応じた比率Kjが設定されている。すなわち、
W(w1)=W=K111τ11T+K212τ12T+K313τ13T+K414τ14
W(w2)=W=K121τ21T+K222τ22T+K323τ23T+K424τ24
W(w3)=W=K131τ31T+K232τ32T+K333τ33T+K434τ34
W(w4)=W=K141τ41T+K242τ42T+K343τ43T+K444τ44
なる連立方程式が成立する。
この場合、加工時間Tは全ての項に共通なので、例えばT=1として、単位時間当りの加工量として成立する
W(w1)=W=K111τ11+K212τ12+K313τ13+K414τ14
W(w2)=W=K121τ21+K222τ22+K323τ23+K424τ24
W(w3)=W=K131τ31+K232τ32+K333τ33+K434τ34
W(w4)=W=K141τ41+K242τ42+K343τ43+K444τ44
なる連立方程式を、例えば行列式によって解くことによって比率Kj(K1〜K4)を求めることができる。
ウエーハリングおよび工具リングの数をnとして一般化した場合も同様であり、
W=K111τ11+K212τ12+K313τ13+K414τ14+…Kn1nτ1n
W=K121τ21+K222τ22+K323τ23+K424τ24+…Kn2nτ2n
W=K131τ31+K232τ32+K333τ33+K434τ34+…Kn3nτ3n
W=K141τ41+K242τ42+K343τ43+K444τ44+…Kn4nτ4n

W=K1n1τn1+K2n2τn2+K3n3τn3+K4n4τn4+…Knnnτnn
なる連立方程式を解くことによって比率Kj(K1〜Kn)を求めることができる。
求められた比率Kj(K1〜Kn)は、対応する半径Rjが大きい程、小さくなり、研磨領域EPOLの比率を減らすことで各工具リングfjの研磨レートを実質的に均一化できることを意味する。
ここで、求められた比率Kjのうちで最大値をKmaxとすると、各工具リングfjにおける研磨領域EPOLの円弧角度βjは、
βj=(Kj/Kmax)×360°
となる。そして、通常は、最内周に位置する工具リングfjの研磨領域EPOLの比率KjがKmaxとして設定され、βj=360°となって研磨領域EPOLを全周に渡って有することとなる。
具体例として、例えば、半径RW=37.5mmのウエーハ2に対して半径RP=150mmの研磨パッド32を用い、図18に示すように、研磨パッド32がウエーハ2に対して内接状態でオーバーラップするような加工位置関係に設定され、ウエーハ2の回転数NW=300rpm、研磨パッド32の回転数NP=2000rpmなる研磨条件で研磨を行うと仮定し、研磨面31の半径R1=112.5mm〜半径R2=150mm間をj=15の工具リングfjに区画して工具リングfj毎の研磨領域EPOLの円弧角度βjを算出したところ、図19に示すような結果が得られたものである。
これにより、工具リングfj毎に図19に示すような円弧角度βj(比率Kj)で研磨領域EPOLと非研磨領域ENONとが形成された半径RP=150mmの研磨パッド32を図18で説明したような研磨条件で使用してウエーハ2の研磨を行えば、研磨深さがウエーハ2全面に亘って均一となり精度の高い平坦面として鏡面仕上げすることができる。すなわち、本実施の形態によれば、予め設定された特定の研磨条件で用いる研磨パッドとして、研磨レートが実質的に全面に亘って均一化された研磨パッドを提供することができる。
なお、本実施の形態では、比率Kjを円弧角度βjに換算しているため、研磨領域EPOLと非研磨領域ENONとは、いずれも連続する円弧形状となる例で説明したが、それぞれの領域は連続して存在している必要はなく、要は、その工具リングfj上において比率Kjに従い研磨領域EPOLと非研磨領域ENONとが存在していればよく、例えば図20に示すように、同一工具リングfj上で研磨領域EPOLと非研磨領域ENONとが複数にランダムに分割されて存在していてもよい。
また、仮想的に設定するウエーハ2のウエーハリングの数や研磨パッド32の工具リングの数は、任意であるが、より多くなるように細分化する程、ウエーハ2の被研磨面の平面性が向上する。また、ウエーハリングや工具リングは、必ずしも等間隔で区画されていなくてもよい。
本実施の形態の研磨バッドが使用される研磨装置の一例を示す外観斜視図である。 図1の一部を抽出して示す斜視図である。 研磨パッドを示す斜視図である。 研磨パッドを裏返して示す斜視図である。 圧力Pを変えた場合の相対速度Vに応じた除去レートの関数Eの実験結果に基づく特性例を示す図である。 実験における研磨加工前後のウエーハの表面の様子を示す斜視図である。 図6のウエーハの表面状態を数値的に示すグラフである。 実験結果により得られた関数Eの例を示す図である。 点A,Cで相対速度が異なる様子を示す模式図である。 点A,Bで相対速度が異なる様子を示す模式図である。 ウエーハリング、工具リングをある特定の加工位置で部分的に重ね合わせた状態での加工セグメントsの様子を示す模式図である。 加工セグメント毎の相対速度を示す模式図である。 相対速度テーブル例を示す図である。 ウエーハの回転を考慮した加工セグメントの挙動を説明するための模式図である。 ウエーハリングを展開してウエーハの回転を考慮した加工セグメント挙動を説明するための模式図である。 時間比の算出例を示す模式図である。 時間比テーブル例を示す図である。 除去レートテーブル例を示す図である。 具体例を説明するための模式図である。 研磨領域の円弧角度の具体例を示す説明図である。 変形例を示す研磨バッドの斜視図である。
符号の説明
2 ウエーハ
20 チャックテーブル
21 保持面
30 研磨手段
31 研磨面
32 研磨パッド
37 研磨部
38 ホイール基台
50 垂直移動手段
60 荷重検出手段
POL 研磨領域
NON 非研磨領域
i ウエーハリング
j 工具リング

Claims (3)

  1. ウエーハを保持する保持面を有し回転可能なチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハに対面し研磨する研磨面を有する研磨パッドが回転可能に装着された研磨手段と、前記研磨手段を前記保持面に対して垂直方向に移動する垂直移動手段と、前記保持面に対する当該研磨パッドの押圧荷重を検出する荷重検出手段と、を備える研磨装置に装着される研磨パッドであって、
    ウエーハの直径以上の前記研磨面を含む研磨部と、
    該研磨部を保持するホイール基台と、
    を備え、
    前記研磨面は、前記チャックテーブルに保持されたウエーハの回転中心から外周に向かう所要領域を研磨する研磨領域と研磨機能を有しない非研磨領域とを含み、前記研磨領域は、前記研磨面の回転中心からの半径R1≦R≦R2に至り形成され、前記非研磨領域は、前記研磨面の回転中心からの半径R1≦R≦R2に至り形成されていることを特徴とする研磨パッド。
  2. 加工量をW、定数をη、ウエーハと当該研磨パッドとの間の相対速度をV、圧力をP、加工時間をTとした場合、前記研磨面の回転中心からの半径R1〜R2に至る半径Rにおける前記研磨領域と前記非研磨領域との比率は、
    ウエーハの回転中心から同心円状に区画したi個のウエーハリングと、前記研磨面を半径R1〜R2の範囲で同心円状に区画したj個の工具リングとの重なりによって形成される加工セグメント毎に算出された相対速度と、加工セグメント毎に算出されたウエーハ1回転に対する各加工セグメントの時間比と、プレストンの式W=η・P・V・Tを適用して実験により決定された単位時間当たりの関数E=f(P,V)とによって算出された加工セグメント毎の除去レートを用い、半径Rjの前記工具リングjにおける円周長を分母とした前記研磨領域の比率をKjとして前記工具リングj毎に対応する各加工セグメントの除去レートに該比率Kjを乗算して加工セグメント毎の加工量を求め、求められた加工セグメント毎の加工量をウエーハリングi毎に加算して求めた加工量Wiが同じ加工量Wになるように算出された該比率Kjに基づいて決定されていることを特徴とする請求項1に記載の研磨パッド。
  3. 前記研磨面は、フェルト材からなり、前記研磨領域は、該フェルト材に研磨材を含浸させて構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の研磨パッド。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012222311A (ja) * 2011-04-14 2012-11-12 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の研磨方法
CN114290156A (zh) * 2021-11-30 2022-04-08 浙江晶盛机电股份有限公司 硅片抛光过程中的测厚方法、系统及抛光装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6171955A (ja) * 1984-09-12 1986-04-12 Toshiba Corp 研磨方法及びその装置
JPH11320390A (ja) * 1998-05-21 1999-11-24 Ibiden Co Ltd 面加工装置用定盤及びその使用方法
JP2002270558A (ja) * 2001-03-12 2002-09-20 Nikon Corp 加工方法、加工装置、加工システム、半導体デバイス製造方法、及び半導体デバイス
JP2002283243A (ja) * 2001-03-28 2002-10-03 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨工具
JP2002343753A (ja) * 2001-05-21 2002-11-29 Nikon Corp シミュレーション方法及び装置、加工装置、加工システム、並びに半導体デバイス製造方法
JP2003205454A (ja) * 2001-12-28 2003-07-22 Nagano Denshi Kogyo Kk 薄板の研磨方法とその装置
JP2004306155A (ja) * 2003-04-02 2004-11-04 Kenichi Ishikawa 研磨定盤及び修正キャリア
JP2005183712A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド、研磨方法ならびに半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス
JP2006068851A (ja) * 2004-09-01 2006-03-16 Kenichi Ishikawa ペレット貼付研磨定盤及びそのペレット配置の最適化方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6171955A (ja) * 1984-09-12 1986-04-12 Toshiba Corp 研磨方法及びその装置
JPH11320390A (ja) * 1998-05-21 1999-11-24 Ibiden Co Ltd 面加工装置用定盤及びその使用方法
JP2002270558A (ja) * 2001-03-12 2002-09-20 Nikon Corp 加工方法、加工装置、加工システム、半導体デバイス製造方法、及び半導体デバイス
JP2002283243A (ja) * 2001-03-28 2002-10-03 Disco Abrasive Syst Ltd 研磨工具
JP2002343753A (ja) * 2001-05-21 2002-11-29 Nikon Corp シミュレーション方法及び装置、加工装置、加工システム、並びに半導体デバイス製造方法
JP2003205454A (ja) * 2001-12-28 2003-07-22 Nagano Denshi Kogyo Kk 薄板の研磨方法とその装置
JP2004306155A (ja) * 2003-04-02 2004-11-04 Kenichi Ishikawa 研磨定盤及び修正キャリア
JP2005183712A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド、研磨方法ならびに半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス
JP2006068851A (ja) * 2004-09-01 2006-03-16 Kenichi Ishikawa ペレット貼付研磨定盤及びそのペレット配置の最適化方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012222311A (ja) * 2011-04-14 2012-11-12 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の研磨方法
CN114290156A (zh) * 2021-11-30 2022-04-08 浙江晶盛机电股份有限公司 硅片抛光过程中的测厚方法、系统及抛光装置

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