JP2007305867A - 撮像素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マイクロレンズ形成工程は、熱により隆起部BGに支えられるレンズ材料膜32を溶かし、溝部DHにレンズ材料膜32の一部を流し込むことで、隆起部BGに支えられるレンズ材料膜32の形状を変化させ、マイクロレンズMSを生じさせている。
【選択図】図1
Description
そして、図22および図23Aおよび図23Bに示されるような撮像素子dveは、図24に示すようなスリットstを有するマスクmkを用いて製造される(なお、スリット幅をd1と称す)。この製造方法を図25A〜図25Dを用いて詳説する。なお、図25Aおよび図25Cは図22のP−P’線矢視断面図になっており(すなわち、長手方向ldに沿う撮像素子dseの断面図になっており)、図25Bおよび図25Dは図22のQ−Q’線矢視断面図である(すなわち、短手方向sdに沿う撮像素子dseの断面図になっている)。
この問題を解決するために、図27に示すようなマスクmkを用いる製造方法が挙げられる(特許文献1)。このマスクmkは、1画素の短手同士の間隔に対応するスリット幅d2を比較的広めるとともに、1画素の長手同士に対応するスリット幅を設けない。ただし、マスクmk内に1画素の隅部に対応する切欠スリットctが設けられている。そして、このマスクmkを用いて撮像素子dseを製造すると、製造工程は図28A〜図28Dのように示される。
そこで、非レンズ領域を生じさせない撮像素子dseの製造方法として、例えば、図29A〜図29Gに示すような特許文献2の製造方法が挙げられる。この製造方法は、まず、平坦化膜131に溝パターンptを有するレジスト膜133を設けるとともに(図29A参照)、エッチングすることで、溝パターンptに応じた溝部dhを平坦化膜131に形成させる(図29B参照;1回目のパターンニング)。
また、非レンズ領域を生じさせない撮像素子dseの製造方法として、例えば図30に示すようなマスクmkを使用する製造方法もある。このマスクmkは、画素の短手同士の間隔に対応するスリット幅d4と画素の長手同士の間隔に対応するスリット幅d3とに大小関係(d3<d4)をもたせている。そして、このマスクmkを用いて撮像素子dseを製造すると、図31A〜図31Dのように示される。なお、図31A〜図31Dは、図28A〜図28Dと同様の表現になっている。
なお、図32に示すようなマスクmkを使用する特許文献3の製造方法であっても、図31Cおよび図31Dに示されるようなマイクロレンズmsを有する撮像素子dseが製造される。すなわち、非レンズ領域を生じさせない撮像素子dseが完成することになる。
また、非レンズ領域を生じさせず、かつ曲率の微妙な調整を実現する撮像素子dseの製造方法としては、図33に示される製造方法が挙げられる。なお、図33A、図33C、および図33Eは1画素の長手方向ldに沿う撮像素子dseの断面図になっており、図33B、図33D、および図33Fは1画素の短手方向sdに沿う撮像素子dseの断面図になっている。
○第1〜第5の製造方法の場合
(1)レンズ材料膜132の膜厚
(2)レンズ材料膜132に設けられる除去溝jdの幅長
(3)レンズ材料膜132に対する熱処理条件(温度等)
(4)レンズ材料膜132の材質
○第6の製造方法の場合
(1)レンズ材料膜132の膜厚
(2)レジスト膜に設けられる溝(レジスト溝)の幅長
(3)レンズ材料膜132に対する熱処理条件(温度等)
(4)レンズ材料膜132の材質
(5)エッチングレート
○製造誤差の影響をうけにくいマイクロレンズの製造方法の提供
○マイクロレンズの曲率設定の自由度を高めた、すなわち曲率設定に要するパラメー
タを増加させたマイクロレンズの製造方法の提供
本発明の実施の一形態について、図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、図面によっては便宜上、部材番号等を省略する場合もあるが、かかる場合、他の図面を参照するものとする。また、理解を容易にすべくハッチングを省略している場合もある。
この図4に示すように、CMOSセンサDVE[CS]は、1画素に応じて1個のフォトダイオードPDを有している。また、CMOSセンサDVE[CS]は、フォトダイオードPDに外部光を集光させるマイクロレンズMSも有している(図4では不図示)。そこで、マイクロレンズMSの形状を理解しやすいように図示した図5Aおよび図5Bを用いて、このCMOSセンサDVE[CS]について説明する。
図5Aおよび図5Bに示されるCMOSセンサDVE[CS]は、フォトダイオードPDを備える基板11を有する基板ユニット(基板構造)SCUと、マイクロレンズMSを支える平担化膜31を有するマイクロレンズユニット(複層構造)MSUと、を含んでいる。
基板ユニットSCUは、基板11、フォトダイオードPD、トランジスタ、メタル配線層21、層間絶縁膜22(22a・22b・22c)、および離間絶縁膜23を含む。
マイクロレンズユニットMSUは、基板ユニットSCUに重なるように設けられており、平担化膜(下地層)31とレンズ材料膜(レンズ層)32とを含む。
ここで、CMOSセンサDVE[CS]の製造方法について図1A〜図1Fおよび図2A〜図2Fを用いて説明する。特に、平担化膜31に溝部DHを設けることで、所望の曲率を有するマイクロレンズMSを製造する製造方法である。そのため、基板ユニットSCUの製造工程は省略し、マイクロレンズユニットMSUの製造工程を重点的に説明していく。
ここで、マイクロレンズMSの形状(レンズ形状)について説明する。通常、レンズ材料膜32は、一定の粘度(0.005〜0.01Pa・s程度)を有しているために、溝部DHの底面における中心(例えば溝幅方向の中心)に向かって徐々に浸入していく。そのため、溝幅D’が比較的広い場合(例えば、溝幅D3’の溝部DH3の場合)、溝部DH3の底面における中心と、溝部DH3の底面における外縁(溝部DH3の側壁付近)とで、レンズ材料膜32の厚みが異なってくる。これは、比較的高い粘度のために、溝部DH3の底面における中心付近にレンズ材料が到達しにくいためである。
続いて、CCDを用いた撮像素子(CCDセンサ)DVE[CC]について説明する。なお、CMOSセンサDVE[CS]で用いた部材と同様の機能を有する部材については、同一の符号を付記し、その説明を省略する。
そして、図8Aおよび図8Bに示されるCCDセンサDVE[CC]は、フォトダイオードPDを備える基板11を有する基板ユニット(基板構造)SCUと、マイクロレンズMSを支える平担化膜31を有するマイクロレンズユニット(複層構造)MSUと、を含んでいる。
基板ユニットSCUは、基板11、フォトダイオードPD、電荷転送路41、第1絶縁膜42、第1ゲート電極43a、第2ゲート電極43b、遮光膜44、下地絶縁膜45、および保護膜46、を含む。
マイクロレンズユニットMSUは、基板ユニットSCUに重なるように設けられており、平担化膜31とレンズ材料膜32とを含む。
ここで、CCDセンサDVE[CC]の製造方法について図10A〜図10Fおよび図11A〜図11Fを用いて説明する。なお、かかる説明においても、マイクロレンズユニットMSUの製造工程を重点的に説明していく。
なお、CMOSセンサDVE[CS]の製造方法同様に、レンズ材料は溝部DHの底面における中心に向かって徐々に浸入していく。そのため、図8Aおよび図10Fに示すように、溝幅D’が比較的広い場合(例えば、溝幅D5’の溝部DH5の場合)、その溝部DH5内に凹状のマイクロレンズMS(凹レンズMS[DH])が形成される。つまり、溝部DH5内に流れ込んだレンズ材料膜32は、外部側からみて窪んだ形状(すなわち長手方向LDに沿った断面が凹形状)になる。
《3−1.総括1》
以上のように、CMOSセンサDVE[CS]およびCCDセンサDVE[CC]には、マイクロレンズMSを有するレンズ材料膜32と、そのレンズ材料膜32を支持する平担化膜31とを含むマイクロレンズユニットMSUが存在する。そして、かかるマイクロレンズユニットMSUの製造方法では、下記のいくつかの製造工程が含まれる。
膜32を成膜させる工程。なお、平担化膜31は、基板ユ ニットSCUに支えられるようになっていることから、基 板ユニットSCUの主材ともいえる基板11に支えられて いると称してもよい。
・除去溝形成工程 …スリットSTを備えるマスクMKを介し、レンズ材料膜3 2を露光した後に現像することで、レンズ材料膜32の面 内に除去溝JDを形成させる工程。
・溝部形成工程 …除去溝JDの底に対応する平担化膜31をエッチングする
ことで、溝部DHを形成させる工程。
・マイクロレンズ形成工程…熱を加えることで、レンズ材料膜32を溶融させて平担化
膜31の溝部DHに流し込み、レンズ材料膜32にマイク
ロレンズMSを形成させる工程。この工程により、基板1
1に支えられる平担化膜31の面内に隣り合うように形成
されている隆起部BGおよび溝部DHに対し、マイクロレ
ンズを備えるレンズ材料膜32が積層することになる。
ところで、図15の平面図に示すように、1個の電荷検出部(不図示)に対して2個のフォトダイオードPDが比較的近づいた配置のCMOSセンサDVE’(DVE[CS]’)の場合、フォトダイオードPDの受光面中心(白丸)と1画素のセル中心(黒丸)とが一致しない。そのため、マイクロレンズMS’は、その面内中心(マイクロレンズ中心)とフォトダイオードPDの受光面中心とを一致させないと、フォトダイオードPDに光を導けないことになる。
なお、本発明は上記の実施の形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
・溝幅D’の大小関係が「D1’<D3’」のとき、
乖離間隔Eの大小関係が「E1>E3’」
・溝幅D’の大小関係が「D2’<D3’」のとき、
乖離間隔Eの大小関係が「E2>E3’」
・溝幅D’の大小関係が「D4’<D5’」のとき、
乖離間隔Eの大小関係が「E4>E5’」
31 平担化膜(下地層)
32 レンズ材料膜(レンズ層)
PD フォトダイオード(受光部)
MS マイクロレンズ
BG 隆起部
DH 溝部
D’ 溝幅
JD 除去溝
MK マスク
ST スリット
D スリット幅
SCU 基板ユニット
MSU マイクロレンズユニット
DVE 撮像素子
DVE[CS] CMOSセンサ(撮像素子)
DVE[CC] CCDセンサ(撮像素子)
HD 横方向(一方向、または一方向とは異なる方向)
VD 縦方向(一方向とは異なる方向、または一方向)
LD 長手方向(一方向、または一方向とは異なる方向)
SD 短手方向(一方向とは異なる方向、または一方向)
VV 垂直方向
E 乖離間隔
J 隙間間隔
Claims (11)
- 基板に支えられる下地層の面内で隣り合うように形成されている隆起部および溝部のうち、隆起部に支えられているレンズ層を用いてマイクロレンズを生じさせるマイクロレンズの製造方法にあって、
熱により上記隆起部に支えられるレンズ層を溶かし、上記溝部にレンズ層の一部を流し込むことで、隆起部に支えられるレンズ層の形状を変化させ、マイクロレンズを生じさせるマイクロレンズ形成工程を、
少なくとも有しているマイクロレンズの製造方法。 - 上記マイクロレンズ形成工程では、
熱により優先して溶け出すレンズ層の表面であり、かつ、上記隆起部に支えられるレンズ層の周縁を上記下地層の溝部に流し込ませることで、
上記隆起部に支えられるレンズ層の周縁の厚みを、上記隆起部の面内中心のレンズ層の厚みよりも薄くしている請求項1に記載のマイクロレンズの製造方法。 - 上記下地層において複数ある上記溝部の溝幅が、複数種類に設定されている請求項1または2に記載のマイクロレンズの製造方法。
- 上記溝幅を異にする複数の溝部が、溝幅の大小関係を交互に異ならせるようにして並列されている請求項3に記載のマイクロレンズの製造方法。
- 上記の溝幅の大小関係を交互に異ならせるようにして並列している溝部の並列方向とは異なる方向に、さらに異なる溝幅を有する溝部を並列させている請求項4のマイクロレンズの製造方法。
- 上記溝幅を相異ならせる溝部を第1溝部および第2溝部とする場合、
上記第1溝部が一方向に並列される一方、上記第2溝部が一方向とは異なる方向に並列されている請求項3に記載のマイクロレンズの製造方法。 - 上記マイクロレンズ形成工程では、
上記溝部の溝幅は、
上記の流れ込むレンズ層を溝部の側壁をつたわせ、溝部の底面における中心に向かう
ように浸入させ、
上記底面の中心に滞留するレンズ層の厚みを、上記底面の外縁に滞留するレンズ層の
厚みよりも薄くする、
ように設定されている請求項1〜6のいずれか1項に記載のマイクロレンズの製造方法。 - 上記下地層において複数ある上記溝部の深さが、溝部の溝幅に応じて異なっている請求項3〜7のいずれか1項に記載のマイクロレンズの製造方法。
- 上記下地層において複数ある上記溝部の深さが、複数種類に設定されている請求項1〜7のいずれか1項に記載のマイクロレンズの製造方法。
- 上記下地層において複数ある上記溝部の体積が、複数種類に設定されている請求項1〜7のいずれか1項に記載のマイクロレンズの製造方法。
- 上記溝部の開口面における外縁を隆起部の面内中心に向かって延出させることで、上記開口面における外縁と上記隆起部に支えられるレンズ層の周縁とを重ならないようにしている請求項1〜10のいずれか1項に記載のマイクロレンズの製造方法。
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Cited By (8)
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KR100922925B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2009-10-22 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서의 제조 방법 |
JP2010239117A (ja) * | 2009-03-09 | 2010-10-21 | Canon Inc | 光電変換装置およびそれを用いた撮像システム |
KR20110035894A (ko) * | 2009-09-29 | 2011-04-06 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법, 전자 기기, 렌즈 어레이 |
JP2013093554A (ja) * | 2011-10-03 | 2013-05-16 | Canon Inc | 撮像素子および撮像装置 |
JP2014138064A (ja) * | 2013-01-16 | 2014-07-28 | Canon Inc | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2014212334A (ja) * | 2014-06-25 | 2014-11-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器 |
JP2019106548A (ja) * | 2019-03-07 | 2019-06-27 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子および撮像装置 |
JP2019134170A (ja) * | 2019-03-07 | 2019-08-08 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
Families Citing this family (7)
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US20190339422A1 (en) * | 2018-05-03 | 2019-11-07 | Visera Technologies Company Limited | Method for forming micro-lens array and photomask therefor |
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CN109951929A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-06-28 | 珠海纳金科技有限公司 | 一种手动光控装置 |
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Family Cites Families (9)
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---|---|---|---|---|
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JP2000260970A (ja) | 1999-03-12 | 2000-09-22 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子およびその製造方法 |
JP4123667B2 (ja) * | 2000-01-26 | 2008-07-23 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
JP2002033466A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-01-31 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
US6979588B2 (en) | 2003-01-29 | 2005-12-27 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for manufacturing CMOS image sensor having microlens therein with high photosensitivity |
JP2005115175A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 2次元レンズアレイおよびその製造方法 |
KR100589225B1 (ko) | 2004-05-31 | 2006-06-19 | 엘지전자 주식회사 | 향상된 시야각을 갖는 마이크로렌즈 배열 시트 |
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100922925B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2009-10-22 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서의 제조 방법 |
US8193025B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-05 | Dongbu Hitek Co., Ltd. | Photomask, image sensor, and method of manufacturing the image sensor |
JP2010239117A (ja) * | 2009-03-09 | 2010-10-21 | Canon Inc | 光電変換装置およびそれを用いた撮像システム |
US9048155B2 (en) | 2009-03-09 | 2015-06-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and imaging system using the same |
KR20110035894A (ko) * | 2009-09-29 | 2011-04-06 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법, 전자 기기, 렌즈 어레이 |
JP2011077175A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器、レンズアレイ |
KR101683297B1 (ko) | 2009-09-29 | 2016-12-06 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법, 전자 기기, 렌즈 어레이 |
JP2013093554A (ja) * | 2011-10-03 | 2013-05-16 | Canon Inc | 撮像素子および撮像装置 |
JP2014138064A (ja) * | 2013-01-16 | 2014-07-28 | Canon Inc | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2014212334A (ja) * | 2014-06-25 | 2014-11-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器 |
JP2019106548A (ja) * | 2019-03-07 | 2019-06-27 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子および撮像装置 |
JP2019134170A (ja) * | 2019-03-07 | 2019-08-08 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
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