JP2007299749A - 電界放出素子の駆動方法及びそれを利用したエイジング方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】電界放出素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】電子放出源15が設けられたカソード電極10と、前記カソード電極に対向して配置されたアノード電極20と、を備える電界放出素子の駆動方法において、電子放出のための駆動電圧として電界放出素子に交流電圧を印加する。
【選択図】図1
【解決手段】電子放出源15が設けられたカソード電極10と、前記カソード電極に対向して配置されたアノード電極20と、を備える電界放出素子の駆動方法において、電子放出のための駆動電圧として電界放出素子に交流電圧を印加する。
【選択図】図1
Description
本発明は、電界放出素子の駆動方法及びそれを利用した電界放出素子のエイジング方法に係り、特に電界放出素子の駆動電圧として交流電圧を印加してアークの発生を防止し、複数の電界放出素子を備えた電界放出表示装置で電子放出の均一性を向上させる方法に関する。
一般的に、冷陰極を利用する方式の電子放出素子としては、FEA(Field Emitter Array)型、SCE(Surface Conduction Emitter)型、MIM(Metal Insulator Metal)型及びMIS(Metal Insulator Semiconductor)型、BSE(Ballistic electron Surface Emitting)型などが知られている。
前記電子放出素子のうちFEA型電界放出素子は、仕事関数が低いか、またはベータ関数が高い物質を電子放出源として使用する場合、真空中で電場によるトンネル効果により電子が容易に放出されるという原理を利用したものである。電子放出源としては、モリブデン(Mo)、シリコン(Si)などを主な素材とする先端の尖ったチップ構造物や、グラファイト、DLC(Diamond Like Carbon)などの炭素系物質を利用した素子、最近では、ナノチューブやナノワイヤなどのナノ材料を利用した素子が開発されている。
前記FEA型電界放出素子には、電極の配置形態によって、面上に電子放出源が配置されたカソード電極と、前記カソード電極に対向するアノード電極と、を設け、前記二つの電極間の電位差により電子を放出させる二極管構造の電界放出素子があり、また、二極管構造の電界放出素子のカソード電極に隣接して、さらにゲート電極を設け電子を放出させる三極管構造の電界放出素子がある。電界放出素子を利用した表示装置は、電子放出源から放出された電子が電極間の電位差により加速されてアノード電極の表面に設けられている蛍光物質層に達し、その蛍光物質を発光させるための構造を有する。
電界放出素子を駆動する従来の方法では、前記電極に駆動電圧として直流またはパルス状の電圧を印加する。この場合、駆動電圧がオン状態であるときは、カソード電極とアノード電極との間の電位差が一定に維持されるので、電子放出源のチップの周囲に帯電粒子が多く集まり、この帯電粒子によりアークの発生が生じやすい。特に、駆動電圧がオン状態からオフ状態に、またはオフ状態からオン状態に転換されるときには、オーバーシュートが発生するので、アークの発生が生じる危険がさらに高まる。
また、複数の電界放出素子を有する表示装置の場合、複数の電子放出源のチップの微細な高低差によってホットスポット(発光輝度が大きい点)とデッドスポット(発光輝度が小さい点)をはじめとする不均一な発光が生じやすい。これを解消するためにエイジング過程を経るが、前述した従来の駆動方法を利用した場合には、エイジング過程でアークの発生が生じる危険が高くなるだけでなく、エイジング後にもホットスポットやデッドスポットがそのまま維持される傾向がある。
本発明の目的は、前述した従来の問題点を改善するためのものであって、電界放出素子の駆動時にアークの発生が生じることを防止し、複数の電界放出素子を備えた表示装置で電子放出の均一性を向上させることである。
本発明の他の目的は、前記複数の電界放出素子を備えた表示装置のエイジング時にホットスポットとなる部分を抑制し、デッドスポットとなる部分を活性化させることである。
本発明による電界放出素子の駆動方法は、電子放出源が設けられたカソード電極と、前記カソード電極に対向して配置されたアノード電極と、を備える電界放出素子の駆動方法において、電子放出のための駆動電圧として前記電界放出素子に交流電圧を印加することを特徴とする。
前記交流電圧は、経時的かつ連続的に変化するアナログ波形を有するものであって、前記アナログ波形は、正弦波または三角波でありうる。また、前記交流電圧は、経時的間欠的に変化するデジタル波形であり、この場合にも、前記デジタル波形は、実質的に正弦波または三角波などの形態でありうる。
本発明の一側面による電界放出素子の駆動方法は、電子放出源が設けられたカソード電極と、前記カソード電極に対向して配置されたアノード電極と、を備える二極管電界放出素子の駆動方法において、前記カソード電極と前記アノード電極に前記電子放出源が電子放出を起こす電圧よりも小さな直流電圧を印加すると同時に、前記カソード電極または前記アノード電極のいずれか一つの電極に周期的に電子放出を起こさせるための電圧よりも大きな最大値を持つ交流電圧を印加することを特徴とする。
本発明の他の側面による電界放出素子の駆動方法は、電子放出源が設けられたカソード電極と、前記カソード電極に対向して配置されたアノード電極と、前記電子放出源に隣接して配置されたゲート電極と、を備える三極管電界放出素子の駆動方法において、前記カソード電極、前記アノード電極及び前記ゲート電極に前記電子放出源が電子放出を起こす電圧よりも小さな直流電圧を印加すると同時に、前記カソード電極、前記アノード電極またはゲート電極のうち一つまたは二つの電極に周期的に電子放出を起こさせるための電圧よりも大きな最大値を持つ交流電圧を印加することを特徴とする。
また、本発明は、前述した駆動方法を利用して電界放出素子をエイジングする方法を提供する。
本発明による電界放出素子の駆動方法は、電界放出素子の電子ビームの放出時にアークの発生を防止し、複数の電界放出素子を備えた表示装置でホットスポット(発光輝度が大きい点)またはデッドスポット(発光輝度が小さい点)の発生頻度を顕著に減らし、電子放出の均一性を向上させる。また、本発明によるエイジング方法は、ホットスポットとなる部分を抑制し、デッドスポットとなる部分を活性化させる。
以下、添付された図面を参照しつつ本発明の実施形態を詳細に説明する。同じ図面符号は同じ構成要素を示す。添付された図面で、電界放出素子の構造は、理解を助けるために単純化されている。図1は、二極管電界放出素子を示す模式図であり、図2及び図3は、それぞれ図1に示した二極管電界放出素子についての駆動電圧の例を示すグラフである。
二極管電界放出素子は、電子放出源15が設けられたカソード電極10と、前記カソード電極10に対向して配置されたアノード電極20と、を備える。Vc1は、前記カソード電極10の駆動電圧を表し、Va1は、前記アノード電極20の駆動電圧を表す。まず、図2に示すように、カソード電極10に直流電圧を印加し、アノード電極20に所定の直流電圧と交流電圧とが重なった駆動電圧を印加できる。一例として、前記Vc1は、接地電位でありうる。このとき、前記所定の直流電圧は、本発明による駆動方法が適用される電界放出素子で電子の放出が生じない高電圧でありうる。前記所定の直流電圧は、約数百Vないし数千Vであり、電圧値は、前記カソード電極10と前記アノード電極20との距離及び電子放出源15の特性によって変わりうる。前記交流電圧は、最大値は約数百Vないし数千Vであり、その周波数は、数Hzないし数百kHzでありうる。前記交流電圧の最大値及び周波数も、前記カソード電極10と前記アノード電極20との距離、電子放出源15の特性及び駆動時に要求される衝撃係数によって変わりうる。電界放出素子は、前記交流電圧の変化周期によってオン状態とオフ状態とを周期的に反復する。
前記カソード電極10及び前記アノード電極20に印加される直流電圧の電圧値は、−30kVから+30kVの範囲であることが望ましい。前記範囲を外れた高電圧は、電界放出素子の安定性または寿命を低下させる原因である。また、これと類似した理由により、前記交流電圧は、最大値が0Vよりも大きく30kV以下の範囲であり、周波数が0Hzよりも大きく1MHz以下の範囲であり、衝撃係数が1/10,000以上1/2以下の範囲であることが望ましい。
ここで、前記交流電圧は、経時的かつ連続的に変化するアナログ波形を有しうる。前記アナログ波形の例としては、正弦波または三角波などが挙げられる。電界放出素子がアナログ信号ではないデジタル信号で制御される場合に、前記交流電圧は、経時的かつ間欠的に変化するデジタル波形でありうる。すなわち、アナログ波形と類似して生成されたデジタル波形でありうる。この場合も、前記デジタル波形の例としては、正弦波または三角波などが挙げられる。前記のように経時的かつ間欠的な波形の駆動電圧を印加することによって、オーバーシュートによるアークの発生を未然に防止できる。
図1に示した二極管電界放出素子に前述したような駆動電圧が印加されたときの動作は、次の通りである。図2のVa1グラフで点線で表示された基準電圧が電子放出源15から電子が放出される電圧値であると仮定するとき、Va1が前記基準電圧より高ければ、前記電子放出源15から電子放出が起き、前記基準電圧より低ければ、電子放出が中止され、係る動作を周期的に反復する。
このとき、前記カソード電極10と前記アノード電極20との間では、前記交流電圧Va1の周期的な変化によって電場の周期的な変化が起きる。電場の周期的な変化により、前記二つの電極間の帯電粒子がいずれか一つに集中せずに振動し、したがって、前記二つの電極間でアークの発生が生じる可能性が顕著に低下する。
また、炭素ナノチューブ(CNT)を利用した電子放出源15の場合、電子放出チップであるCNTは、電場の強度の変化によって異なる力を受けてその端部が若干の振動を起こしうる。係る振動により、電子放出源15の電子放出特性が向上しうる。特に、係る振動は、本発明による駆動方法を利用して電界放出素子をエイジングする場合、電子放出が円滑でない電子放出源の活性化に、すなわちデッドスポットとなる部分の活性化に寄与できる。
図3は、前記アノード電極20に直流電圧を印加し、前記カソード電極10に交流電圧を印加した実施形態を示すグラフである。電子放出源15での電子放出は、前記カソード電極10の電圧Vc1と前記アノード電極20の電圧Va1との差により発生することであるので、この場合にも、前記交流電圧による駆動過程及び特性は、図2を参照して説明した実施形態の場合と同一である。したがって、図3の実施形態において、前記カソード電極10及び前記アノード電極20に印加される直流電圧についての条件と、前記カソード電極10に印加される交流電圧についての条件とは、それぞれ前述した通りである。
図4は、三極管電界放出素子を示す模式図であり、図5Aないし図6Bは、それぞれ図4に示した三極管電界放出素子についての駆動電圧の例を示すグラフである。三極管電界放出素子は、電子放出源35が設けられたカソード電極30と、前記カソード電極30に対向して配置されたアノード電極50と、前記電子放出源35に対向して配置されたゲート電極40と、を備える。ここで、前記ゲート電極40と前記カソード電極30との間には、絶縁層(図示せず)が設けられうる。ただし、前記ゲート電極40の位置は、図4に示したように電子放出源35の上側に配置された、いわゆる上部ゲート構造に限定されず、電子放出源の下側に配置された、いわゆる下部ゲート構造にすることもできる。その他に変形された形態も可能であることはいうまでもない。
本発明の一側面による他の実施形態として図5Aに示した実施形態によれば、カソード電極30の駆動電圧Vc2として所定の直流電圧、例えば接地電圧を印加し、アノード電極50の駆動電圧Va2として所定の直流電圧を印加する。同時に、前記ゲート電極40には、接地電圧と所定の交流電圧とが重なった駆動電圧Vg2を印加する。高電圧が印加されたアノード電極50及び相対的に近いゲート電極40に交流電圧を印加することによって、荷電粒子の蓄積によるアークの発生を低下できる。
このとき、前記所定の直流電圧は、本発明による駆動方法が適用される三極管電界放出素子で電子の放出が生じない高電圧でありうる。前記所定の直流電圧は、約数百Vないし数千Vであり、電圧値は、前記カソード電極30と前記アノード電極50との距離及び電子放出源35の特性によって変わりうる。前記交流電圧は、約数百Vないし数千Vであり、その周波数は、数Hzないし数百kHzでありうる。前記交流電圧の最大値及び周波数も、前記カソード電極30と前記ゲート電極40との距離、電子放出源35の特性、及び駆動時に要求される衝撃係数によって変わりうる。三極管電界放出素子は、前記交流電圧の変化周期によってオン状態とオフ状態とを周期的に反復する。
前記カソード電極30、前記アノード電極50及びゲート電極40に印加される直流電圧の電圧値は、−30kVから+30kVの範囲であることが望ましい。前記範囲を外れた高電圧は、電界放出素子の安定性または寿命を低下させる原因である。また、これと類似した理由により、前記交流電圧は、最大値が0Vよりも大きく30kV以下の範囲であり、周波数が0Hzよりも大きく1MHz以下の範囲であり、衝撃係数が1/10,000以上1/2以下の範囲であることが望ましい。
ここで、前記交流電圧は、二極管電界放出素子に関する実施形態で前述したように、経時的かつ連続的に変化するアナログ波形を有しうる。係る波形の例としては、正弦波または三角波などが挙げられる。電界放出素子がアナログ信号ではないデジタル信号で制御される場合に、前記交流電圧は、経時的かつ間欠的に変化するデジタル波形でありうる。すなわち、アナログ波形と類似して生成されたデジタル波形でありうる。この場合も、前記デジタル波形の例としては、正弦波または三角波などが挙げられる。前記のように経時的かつ間欠的な波形の駆動電圧を印加することによって、オーバーシュートによるアークの発生を未然に防止できる。
図5Bは、図5Aの実施形態でゲート電極40の駆動電圧Vg2の波形を変形させた例であって、電界放出素子の駆動時に正弦波または三角波で所定の電圧より高い部分のみを活用しうる。
図6Aに示すように、一例として、カソード電極30に接地電圧と所定の交流電圧とが重なった駆動電圧Vc2を印加し、ゲート電極40の駆動電圧Vg2として所定の直流電圧、例えば接地電圧を印加し、アノード電極50の駆動電圧Va2として所定の直流電圧を印加する。ここで、前記所定の直流電圧は、本発明による駆動方法が適用される三極管電界放出素子で電子の放出が生じない高電圧でありうる。前記交流電圧は、カソード電極30の電子放出源35とゲート電極40との間の電場により、前記電子放出源35から電子が周期的に放出される電圧値及び周波数を有しうる。前記所定の直流電圧及び所定の交流電圧に関する色々な条件は、図5Aの実施形態を通じて説明した通りである。
図6Bは、図6Aの実施形態でカソード電極30の駆動電圧Vc2の波形を変形させた例であって、電界放出素子の駆動時に正弦波または三角波で所定の電圧より高い部分のみを活用しうる。
以下では、本発明による二極管電界放出素子の駆動方法を利用して、実際に複数の二極管電界放出素子を備えた表示装置を駆動またはエイジングした複数の実験例及び比較例を参照して本発明を説明する。
まず、比較例として、図7Aないし図7Cは、直流電圧を印加して駆動した電界放出素子表示装置の写真である。写真下に表示された数値は、順次にカソード電極に印加された電圧が0Vであるとき、アノード電極に印加された直流電圧値、放出電流及び発光均一度である。図7Aには、アノード電極に1600Vの直流電圧が印加されたとき、放出電流値は0.267mAであり、発行均一度は60%であるものが記載されている。図7Bには、アノード電極に1700Vの直流電圧が印加されたとき、放出電流値は0.427mAであり、発光均一度は50%であるものが記載されている。図7Cには、アノード電極に1900Vの直流電圧が印加されたとき、放出電流値が1.577mAであるものが記載されている。図7Aの中上部に見られるデッドスポットは、図7B及び図7Cのように駆動電圧を高めてもそのまま維持され、数値上だけでなく、写真上でも視覚的に発光均一性が低いということが確認できる。
図8Aないし図8Cは、図7Aないし図7Cに記載した電界放出素子表示装置に、図3の実施形態のようにアノード電極に直流電圧を印加し、カソード電極に交流電圧を印加して駆動した写真である。写真下に表示された数値は、順次にカソード電極に印加された交流電圧の最大値及び周波数、アノード電極に印加された直流電圧値、放出電流、発光均一度を表す。図8Aには、カソード電極に最大値が900V及び周波数が120Hzの交流電圧が印加され、アノード電極に1000Vの直流電圧が印加されたとき、放出電流値は0.194mAであり、発光均一度は69%であるものが記載されている。図8Bには、カソード電極に最大値が1000V及び周波数が120Hzの交流電圧が印加され、アノード電極に1000Vの直流電圧が印加されたとき、放出電流値は0.360mAであり、発光均一度は61%であるものが記載されている。図8Cには、カソード電極に最大値が1300V及び周波数が600Hzの交流電圧が印加され、アノード電極に1000Vの直流電圧が印加されたとき、放出電流値は1.390mAであるものが記載されている。図8Aは、図7Aに比べて発光均一度が1.15倍向上し、図8Bは、図7Bに比べて1.22倍向上した。図7Aないし図7Cで観察されたデッドスポットも活性化され、相対的に均一に発光していることを視覚的に確認できる。
図9Aないし図9C、図10Aないし図10C、図11A及び図11Bは、同じ電界放出素子表示装置を有し、それぞれ同じ数値範囲の放出電流に対して、駆動電圧として直流電圧、直流電圧とパルス電圧、直流電圧と交流電圧を印加した場合を比較できる写真である。写真の左側部分がサンプルの活性領域である。
まず、図9Aないし図9Cは、放出電流が約0.30mAから0.37mAの数値範囲である場合を示す。図9Aは、駆動電圧として電圧値が1200Vの直流電圧を印加した場合であって、発光均一度が37%であり、最も低い。図9Bは、駆動電圧として電圧値が1000Vの直流電圧と、最大値が565V及び周波数が120Hzであるパルス電圧と、を印加した場合であって、発光均一度が49%であり、多少高くなったが、図9Aと同様に活性領域の右側下部にデッドスポットが見られる。図9Cは、駆動電圧として電圧値が1000Vの直流電圧と、最大値が700V及び周波数が120Hzの交流電圧と、を印加した場合であって、発光均一度が56%であり、最も高く、デッドスポットが活性化されたということを確認できる。
図10Aないし図10Cは、放出電流が約0.41mAから0.48mAの数値範囲である場合を示す。図10Aは、駆動電圧として電圧値が1200Vの直流電圧を印加した場合であって、発光均一度が35%であり、最も低い。図10Bは、駆動電圧として電圧値が1000Vの直流電圧と、最大値が636V及び周波数が120Hzであるパルス電圧と、を印加した場合であって、発光均一度が39%であり、多少高い。図10Cは、駆動電圧として電圧値が1000Vの直流電圧と、最大値が800V及び周波数が120Hzの交流電圧と、を印加した場合に発光均一度が51%であり、最も高い。図9Aないし図9Cと同様に、直流電圧と交流電圧とを駆動電圧として印加したとき、発光均一度が最も高く、あらゆる電子放出源が活性化されたということを確認できる。
図11A及び図11Bは、放出電流が約0.83mAから0.96mAの数値範囲である場合を示す。図11Aは、駆動電圧として電圧値が1400Vの直流電圧を印加した場合に全体的には明るいが、デッドスポットが存在する。図11Bは、駆動電圧として電圧値が1000Vの直流電圧と、最大値が1000V及び周波数が120Hzである交流電圧と、を印加した場合に全域で均一に明るい光を放出している。また、本実験で駆動電圧として直流電圧とパルス電圧とを印加した場合は、前記したレベルの放出電流に達せずにアークの発生が生じた。以上の実験で、本発明による電界放出素子の駆動方法を利用する場合、アークの発生を防止し、電子放出の均一性を顕著に向上させるということを確認できる。
図12Aないし図12Cは、本発明によるエイジング方法の実験例を示す写真である。図12Aは、アノード電極に電圧値が1200Vの直流電圧と、カソード電極に接地電圧と、を印加したエイジング前の駆動状態を示し、図12Bは、アノード電極に電圧値が1400Vの直流電圧と、カソード電極に最大値が1kV及び周波数120Hzの交流電圧と、を印加したエイジング過程を示し、図12Cは、アノード電極に電圧値が1400Vの直流電圧と、カソード電極に接地電圧と、を印加したエイジング後駆動状態を示す。図12Aと図12Cとを比較すれば、アノード電極に直流電圧と、カソード電極に交流電圧と、を印加したエイジング過程を通じて複数のデッドスポットが活性化されたということを確認できる。
図13ないし図15Cは、さらに他の電界放出素子表示装置に対して、本発明による駆動方法を利用したエイジング方法の効果を検証する実験例を示す写真である。図13は、エイジング実行前に900Vの直流電圧を駆動電圧として印加した場合の写真である。図14Aは、1700Vの直流電圧を印加してエイジングする過程を示し、放出電流値は1.030mAであり、発光均一度は58%である。図14Bは、1700Vの直流電圧と、最大値が100V及び周波数が120Hzの低い交流電圧と、を印加してエイジングする過程を示し、放出電流値は1.016mAであり、発光均一度は60%である。また、図14Cは、800Vの直流電圧と、最大値が1240V及び周波数が120Hzの高い交流電圧とを印加してエイジングする過程を示し、放出電流値は1.014mAであり、発光均一度は66%である。最大電圧値が高い交流電圧を印加した場合に発光均一度が最も向上したということが分かる。図15Aないし図15Cは、前記のようなエイジング過程を経た電界放出素子表示装置に再び直流電圧を印加して駆動した例を示す。それぞれ図15Aは1500V、図15Bは1800V、図15Cは2000Vの直流電圧を印加して駆動したものであって、交流電圧を印加したエイジングを経た後に、直流電圧を印加した駆動時にも、エイジング前(図13)に比べて輝度均一性が向上したということが分かる。
以上、本発明による望ましい実施形態が説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者であれば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲により決まらねばならない。
本発明は、電界放出表示装置関連の技術分野に適用可能である。
10 カソード電極、
15 電子放出源、
20 アノード電極。
15 電子放出源、
20 アノード電極。
Claims (21)
- 電子放出源が設けられたカソード電極と、前記カソード電極に対向して配置されたアノード電極と、を備える電界放出素子の駆動方法において、
電子放出のための駆動電圧として前記電界放出素子に交流電圧を印加することを特徴とする電界放出素子の駆動方法。 - 前記交流電圧は、経時的かつ連続的に変化するアナログ波形を有することを特徴とする請求項1に記載の電界放出素子の駆動方法。
- 前記アナログ波形は、正弦波または三角波であることを特徴とする請求項2に記載の電界放出素子の駆動方法。
- 前記交流電圧は、経時的かつ間欠的に変化するデジタル波形を有することを特徴とする請求項1に記載の電界放出素子の駆動方法。
- 前記デジタル波形は、正弦波または三角波であることを特徴とする請求項4に記載の電界放出素子の駆動方法。
- 電子放出源が設けられたカソード電極と、前記カソード電極に対向して配置されたアノード電極と、を備える二極管電界放出素子の駆動方法において、
前記カソード電極と前記アノード電極との間に前記電子放出源が電子放出を起こす電圧よりも小さな直流電圧を印加すると同時に、前記カソード電極または前記アノード電極のいずれか一つの電極に周期的に電子放出を起こさせるための電圧よりも大きな最大値を持つ交流電圧を印加することを特徴とする電界放出素子の駆動方法。 - 前記交流電圧は、経時的かつ連続的に変化するアナログ波形を有することを特徴とする請求項6に記載の電界放出素子の駆動方法。
- 前記アナログ波形は、正弦波または三角波であることを特徴とする請求項7に記載の電界放出素子の駆動方法。
- 前記交流電圧は、経時的かつ間欠的に変化するデジタル波形であることを特徴とする請求項6に記載の電界放出素子の駆動方法。
- 前記デジタル波形は、正弦波または三角波であることを特徴とする請求項9に記載の電界放出素子の駆動方法。
- 前記直流電圧は、−30kVから+30kVの範囲の電圧であることを特徴とする請求項6に記載の電界放出素子の駆動方法。
- 前記交流電圧は、最大値が0Vよりも大きく30kV以下の範囲であり、周波数が0Hzよりも大きく1MHz以下の範囲であり、衝撃係数が1/10,000以上1/2以下の範囲であることを特徴とする請求項6に記載の電界放出素子の駆動方法。
- 電子放出源が設けられたカソード電極と、前記カソード電極に対向して配置されたアノード電極と、前記電子放出源に隣接して配置されたゲート電極と、を備える三極管電界放出素子の駆動方法において、
前記カソード電極、前記アノード電極及び前記ゲート電極に前記電子放出源が電子放出を起こす電圧よりも小さな直流電圧を印加すると同時に、前記カソード電極、前記アノード電極またはゲート電極のうち一つまたは二つの電極に周期的に電子放出を起こさせるための電圧よりも大きな最大値を持つ交流電圧を印加することを特徴とする電界放出素子の駆動方法。 - 前記交流電圧は、経時的かつ連続的に変化するアナログ波形を有することを特徴とする請求項13に記載の電界放出素子の駆動方法。
- 前記アナログ波形は、正弦波または三角波であることを特徴とする請求項14に記載の電界放出素子の駆動方法。
- 前記交流電圧は、経時的かつ間欠的に変化するデジタル波形であることを特徴とする請求項13に記載の電界放出素子の駆動方法。
- 前記デジタル波形は、正弦波または三角波であることを特徴とする請求項16に記載の電界放出素子の駆動方法。
- 前記直流電圧は、−30kVから+30kVの範囲の電圧であることを特徴とする請求項13に記載の電界放出素子の駆動方法。
- 前記交流電圧は、最大値が0Vよりも大きく30kV以下の範囲であり、周波数が0Hzよりも大きく1MHz以下の範囲であり、衝撃係数が1/10,000以上1/2以下の範囲であることを特徴とする請求項13に記載の電界放出素子の駆動方法。
- 電子放出源が設けられたカソード電極と、前記カソード電極に対向して配置されたアノード電極と、を備える二極管電界放出素子のエイジング方法において、
前記カソード電極及び前記アノード電極に前記電子放出源が電子放出を起こす電圧よりも小さな直流電圧を印加すると同時に、前記カソード電極または前記アノード電極のうちいずれか一つに周期的に電子放出を起こさせるための電圧よりも大きな最大値を持つ交流電圧を印加することを特徴とする電界放出素子のエイジング方法。 - 電子放出源が設けられたカソード電極と、前記カソード電極に対向して配置されたアノード電極と、前記電子放出源に隣接して配置されたゲート電極と、を備える三極管電界放出素子のエイジング方法において、
前記カソード電極、前記アノード電極及び前記ゲート電極に前記電子放出源が電子放出を起こす電圧よりも小さな直流電圧を印加すると同時に、前記カソード電極、前記アノード電極またはゲート電極のうち一つまたは二つの電極に周期的に電子放出を起こさせるための電圧よりも大きな最大値を持つ交流電圧を印加することを特徴とする電界放出素子のエイジング方法。
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