JP2007294581A - ボンディング装置のテールワイヤ切断方法及びプログラム - Google Patents

ボンディング装置のテールワイヤ切断方法及びプログラム Download PDF

Info

Publication number
JP2007294581A
JP2007294581A JP2006119222A JP2006119222A JP2007294581A JP 2007294581 A JP2007294581 A JP 2007294581A JP 2006119222 A JP2006119222 A JP 2006119222A JP 2006119222 A JP2006119222 A JP 2006119222A JP 2007294581 A JP2007294581 A JP 2007294581A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capillary
clamper
wire
height
tail wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006119222A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4679427B2 (ja
Inventor
Shinkai Tei
森介 鄭
Noriko Mori
徳子 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinkawa Ltd
Original Assignee
Shinkawa Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinkawa Ltd filed Critical Shinkawa Ltd
Priority to JP2006119222A priority Critical patent/JP4679427B2/ja
Priority to TW096102640A priority patent/TW200741918A/zh
Priority to KR1020070013236A priority patent/KR100813874B1/ko
Priority to US11/788,966 priority patent/US7658314B2/en
Publication of JP2007294581A publication Critical patent/JP2007294581A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4679427B2 publication Critical patent/JP4679427B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61FFILTERS IMPLANTABLE INTO BLOOD VESSELS; PROSTHESES; DEVICES PROVIDING PATENCY TO, OR PREVENTING COLLAPSING OF, TUBULAR STRUCTURES OF THE BODY, e.g. STENTS; ORTHOPAEDIC, NURSING OR CONTRACEPTIVE DEVICES; FOMENTATION; TREATMENT OR PROTECTION OF EYES OR EARS; BANDAGES, DRESSINGS OR ABSORBENT PADS; FIRST-AID KITS
    • A61F5/00Orthopaedic methods or devices for non-surgical treatment of bones or joints; Nursing devices; Anti-rape devices
    • A61F5/01Orthopaedic devices, e.g. splints, casts or braces
    • A61F5/0102Orthopaedic devices, e.g. splints, casts or braces specially adapted for correcting deformities of the limbs or for supporting them; Ortheses, e.g. with articulations
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61FFILTERS IMPLANTABLE INTO BLOOD VESSELS; PROSTHESES; DEVICES PROVIDING PATENCY TO, OR PREVENTING COLLAPSING OF, TUBULAR STRUCTURES OF THE BODY, e.g. STENTS; ORTHOPAEDIC, NURSING OR CONTRACEPTIVE DEVICES; FOMENTATION; TREATMENT OR PROTECTION OF EYES OR EARS; BANDAGES, DRESSINGS OR ABSORBENT PADS; FIRST-AID KITS
    • A61F5/00Orthopaedic methods or devices for non-surgical treatment of bones or joints; Nursing devices; Anti-rape devices
    • A61F5/01Orthopaedic devices, e.g. splints, casts or braces
    • A61F5/0193Apparatus specially adapted for treating hip dislocation; Abduction splints
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61FFILTERS IMPLANTABLE INTO BLOOD VESSELS; PROSTHESES; DEVICES PROVIDING PATENCY TO, OR PREVENTING COLLAPSING OF, TUBULAR STRUCTURES OF THE BODY, e.g. STENTS; ORTHOPAEDIC, NURSING OR CONTRACEPTIVE DEVICES; FOMENTATION; TREATMENT OR PROTECTION OF EYES OR EARS; BANDAGES, DRESSINGS OR ABSORBENT PADS; FIRST-AID KITS
    • A61F5/00Orthopaedic methods or devices for non-surgical treatment of bones or joints; Nursing devices; Anti-rape devices
    • A61F5/01Orthopaedic devices, e.g. splints, casts or braces
    • A61F5/0102Orthopaedic devices, e.g. splints, casts or braces specially adapted for correcting deformities of the limbs or for supporting them; Ortheses, e.g. with articulations
    • A61F2005/0132Additional features of the articulation
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61FFILTERS IMPLANTABLE INTO BLOOD VESSELS; PROSTHESES; DEVICES PROVIDING PATENCY TO, OR PREVENTING COLLAPSING OF, TUBULAR STRUCTURES OF THE BODY, e.g. STENTS; ORTHOPAEDIC, NURSING OR CONTRACEPTIVE DEVICES; FOMENTATION; TREATMENT OR PROTECTION OF EYES OR EARS; BANDAGES, DRESSINGS OR ABSORBENT PADS; FIRST-AID KITS
    • A61F5/00Orthopaedic methods or devices for non-surgical treatment of bones or joints; Nursing devices; Anti-rape devices
    • A61F5/01Orthopaedic devices, e.g. splints, casts or braces
    • A61F5/0102Orthopaedic devices, e.g. splints, casts or braces specially adapted for correcting deformities of the limbs or for supporting them; Ortheses, e.g. with articulations
    • A61F2005/0132Additional features of the articulation
    • A61F2005/0151Additional features of the articulation combining rotational and torsional movements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015Cross-sectional shape being circular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139Silver (Ag) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48475Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • H01L2224/78302Shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/786Means for supplying the connector to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/78621Holding means, e.g. wire clampers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/85051Forming additional members, e.g. for "wedge-on-ball", "ball-on-wedge", "ball-on-ball" connections
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512Aligning
    • H01L2224/85148Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518Translational movements
    • H01L2224/85181Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85205Ultrasonic bonding
    • H01L2224/85206Direction of oscillation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01051Antimony [Sb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01074Tungsten [W]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/207Diameter ranges
    • H01L2924/20752Diameter ranges larger or equal to 20 microns less than 30 microns
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S228/00Metal fusion bonding
    • Y10S228/904Wire bonding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Orthopedic Medicine & Surgery (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Nursing (AREA)
  • Vascular Medicine (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

【課題】ワイヤボンディング装置、バンプボンディング装置において、テールワイヤ8に大きな引張り力をかけずに切断し、テールワイヤ切断の際のワイヤ12の曲がりを防止する。
【解決手段】高さHに上昇させたキャピラリ16とワイヤ12を把持したクランパ17を前記高さHに頂部が来るような円弧50の上で横振幅が振幅Wとなるように往復動作させて前記テールワイヤ8とボンディング端部7aとの間に微小なひびを入れた後、テールワイヤ8の切断動作を行う。
【選択図】図4

Description

本発明は、ワイヤボンディング装置、バンプボンディング装置のテールワイヤ切断方法及びプログラムに関する。
ICなどの半導体の組立工程には半導体のチップとリードフレームの間をワイヤで接続するワイヤボンディング工程があり、この工程にはワイヤボンディング装置やバンプボンディング装置が用いられる。そして、このワイヤボンディング工程によって、図10に示すように、ワーク14の半導体チップ2のパッド3とリードフレーム15のリード4の間が接続ワイヤ12aで接続される。
図11に従来技術による上記のボンディング工程の各工程におけるボンディングの動作を示す。以下、図11を参照しながら、従来技術によるワイヤボンディング装置でのボンディング工程について説明する。
(1)図11(a)に示すように、ワイヤ12先端をボール5に形成し、キャピラリ16をパッド3(第1ボンド点)の上に移動させる。
(2)図11(b)に示すように、キャピラリ16を下動させて、パッド3(第1ボンド点)上にボンディングを行う。パッド3(第1ボンド点)上にはボール5が圧着して第1ボンディング部6(圧着ボール)が形成される。
(3)図11(c)に示すように、ボンディング後、キャピラリ16はワイヤ12を導出しながらパッド3(第1ボンド点)を離れて上昇し、次いでリード4(第2ボンド点)の位置まで横に移動する。
(4)図11(d)に示すように、リード4(第2ボンド点)の位置に移動後、キャピラリ16を下動させてリード4(第2ボンド点)にボンディングを行う。このボンディングによって、リード4(第2ボンド点)の上にワイヤ12が圧着されて第2ボンディング部7が形成される。
(5)図11(e)に示すように、リード4(第2ボンド点)へのボンディングの後、クランパ17を開としてキャピラリ16を上昇させて、キャピラリ16の先端にテールワイヤ8を導出させる。
(6)図11(f)に示すように、テールワイヤ8を導出させた後、クランパ17を閉としてキャピラリ16と共に上昇させることによって、テールワイヤ8をリード4(第2ボンド点)から切り離す。
上記のようなワイヤボンディング工程のテールワイヤ切断の詳細を図12に示す。図12(a)は、テールワイヤを切断する前の状態を示し、図12(b)は正常にテールワイヤを切断した後の状態を示し、図12(c)はテールワイヤ8の切断の際にワイヤ12が曲がり変形を生じた場合を示している。図12(a)に示すように、テールワイヤ切断前は、テーパー状に細くなったテールワイヤ8下端は第2ボンディング部7の端部にある接続ワイヤ12aがリード4(第2ボンド点)に接合されると共に細く押しつぶされた形状のボンディング端部7aとつながっている。そして、図12(b)に示すように、クランパ17を閉としてクランパ17とキャピラリ16を上昇させると、テールワイヤ8が上方に引っ張られる。すると、細くなっているテールワイヤ下端とボンディング端部7aとの間でテールワイヤ8が切断される。
ところが、ボンディングの条件によっては、テールワイヤ下端とボンディング端部7aの形状があまり細くなっていない場合がある。このような場合には、クランパ17でワイヤ12を把持してテールワイヤ8を引っ張り上げたときに、すぐにテールワイヤ8がボンディング端部7aで切断されず、テールワイヤ8には大きな張力がかかると共にテールワイヤ8が引き伸ばされた状態となった後にボンディング端部7aでテールワイヤ8が切断される。この場合には、図12(c)に示すように、引き伸ばされたテールワイヤ8が切断の時の反力で上に向かって跳ね上がり、クランパ17の下部のワイヤ12及びテールワイヤがS字状に曲がってしまう。テールワイヤ8の曲がりは次のパッド3へのボンディングの際に放電などによるボール形成の不良を引き起こす問題がある。また、うまくボールが形成されても、キャピラリ16の内部及びキャピラリ16とクランパ17との間のワイヤ12には曲がり部が残っているため、このワイヤ12によってパッド3(第1ボンド点)とリード4(第2ボンド点)との間のボンディングを行うと、図13に示すようにパッド3(第1ボンド点)とリード4(第2ボンド点)との間の接続ワイヤ12aがS字状に曲がってしまう。接続ワイヤ12aが直線状ではなく、図13のようにS字状に変形すると、隣り合う接続ワイヤ12a同士が接触するなどの不良が発生するという問題が生じる。
そこで、テールワイヤ8に曲がり変形が残らないように切断する方法が提案されている。例えば、クランパ17によってワイヤ12を把持してテールワイヤ8を引き上げる前に、キャピラリ16及びクランパ17の上下動の中心線がボンディング端部7aに一致するように、キャピラリ16とクランパ17の位置を横に移動させてから、クランパ17でワイヤ12を把持してワイヤを引き上げ、切断する方法がある(例えば、特許文献1参照)。また、他の例として、クランパ17を開としてテールワイヤ8を導出させた後に、キャピラリ16をテールワイヤ8の固有振動数で振動させることによってテールワイヤ8を共振させ、その振動によってテールワイヤ8を切断する方法がある(例えば、特許文献2参照)。
特許第2723277号明細書 特許第2969953号明細書
しかしながら、特許文献1に開示されている従来技術では、キャピラリ16の先端に導出されているテールワイヤ8を曲がらないようにすることはできても、ボンディング端部7aが十分細くなっていない場合には、テールワイヤ8切断時にはワイヤ12に大きな引張り力がかかってしまう。このため、テールワイヤ8切断時の反力でワイヤ12が上に跳ね上がり、クランパ17の下部のワイヤ12及びテールワイヤがS字状に曲がってしまう問題は解決されていなかった。
また、特許文献2に開示されている従来技術では、キャピラリ16に加えることのできる振動数が30kHz前後の場合には、テールワイヤ8が共振するために、その長さは1.3〜3.4mmとすることが必要となる。しかし、現在の高速ボンディング装置のような短いテールワイヤの長さのものには適用することができないという問題があった。
そこで、本発明は、テールワイヤ8に大きな引張り力をかけずに切断し、テールワイヤ切断の際のワイヤの曲がりを防止することを目的とする。
本発明のボンディング装置のテールワイヤ切断方法は、第1ボンド点と第2ボンド点との間をワイヤで接続した後に、キャピラリ先端に導出されるテールワイヤを切断するボンディング装置のテールワイヤ切断方法であって、前記第2ボンド点へのボンディングの後、クランパを開として、前記キャピラリを前記クランパと共に前記第2ボンド点から第1の高さに上昇させて前記キャピラリの先端に前記テールワイヤを導出させる第1のキャピラリ上昇工程と前記第1のキャピラリ上昇工程の後、クランパを閉として、前記第1の高さに頂部が来るような曲面上で前記キャピラリを前記クランパと共に弧状に往復動作又は振れまわり動作させて前記テールワイヤと前記第2ボンド点との間の部材剛性を低下させる曲面上動作工程と、前記曲面上動作工程の後、クランパを開として、前記キャピラリを前記クランパと共に前記第1の高さから第2の高さに上昇させて前記キャピラリの先端に前記テールワイヤを更に導出させる第2のキャピラリ上昇工程と、前記第2のキャピラリ上昇工程の後、クランパを閉として、前記キャピラリを前記クランパと共に前記第2の高さから更に上昇させて前記テールワイヤを前記第2ボンド点から切断するテールワイヤ切断工程とを有することを特徴とする。
本発明のボンディング装置のテールワイヤ切断方法は、第1ボンド点と第2ボンド点との間をワイヤで接続した後に、キャピラリ先端に導出されるテールワイヤを切断するボンディング装置のテールワイヤ切断方法であって、前記第2ボンド点へのボンディングの後、クランパを開として、前記キャピラリを前記クランパと共に前記第2ボンド点から第1の高さに上昇させて前記キャピラリの先端に前記テールワイヤを導出させる第1のキャピラリ上昇工程と、前記第1のキャピラリ上昇工程の後、クランパを閉として、ワークに平行な前記第1の高さにある平面上で前記キャピラリを前記クランパと共に往復動作又は振れまわり動作させて前記テールワイヤと前記第2ボンド点との間の部材剛性を低下させる平面上動作工程と、前記平面上動作工程の後、クランパを開として、前記キャピラリを前記クランパと共に前記第1の高さから第2の高さに上昇させて前記キャピラリの先端に前記テールワイヤを更に導出させる第2のキャピラリ上昇工程と、前記第2のキャピラリ上昇工程の後、クランパを閉として、前記キャピラリを前記クランパと共に前記第2の高さから更に上昇させて前記テールワイヤを前記第2ボンド点から切断するテールワイヤ切断工程とを有することを特徴とする。
また、本発明のボンディング装置のテールワイヤ切断方法において、前記往復動作は前記第1ボンド点と前記第2ボンド点を結ぶ線に沿った方向に往復することとしても好適である。
本発明のボンディング装置のテールワイヤ切断プログラムは、ワイヤが挿通されてワークにボンディングを行うキャピラリと前記ワイヤを把持するクランパとをXYZ方向に移動させる移動機構と、前記クランパを開閉するクランパ開閉手段と、前記キャピラリの高さを検出するキャピラリ高さ検出手段と、ボンディング装置を制御するボンディング制御部と、を備え、第1ボンド点と第2ボンド点との間をワイヤで接続した後に、前記キャピラリ先端に導出されるテールワイヤを切断するボンディング装置のテールワイヤ切断プログラムであって、前記第2ボンド点へのボンディングの後、前記クランパ開閉手段によって前記クランパを開として、前記キャピラリ高さ検出手段によって前記キャピラリが第1の高さに上昇した信号が出力されるまで、前記移動機構によって前記キャピラリを前記クランパと共に上昇させて前記キャピラリの先端に前記テールワイヤを導出させる第1のキャピラリ上昇プログラムと、前記第1のキャピラリ上昇プログラムによって前記キャピラリを前記第1の高さに上昇させた後、前記クランパ開閉手段によってクランパを閉として、前記移動機構によって前記第1の高さに頂部が来るような曲面上で前記キャピラリを前記クランパと共に弧状に往復動作又は振れまわり動作させて前記テールワイヤと前記第2ボンド点との間の部材剛性を低下させる曲面上動作プログラムと、前記曲面上動作プログラムによる曲面上動作の後、前記クランパ開閉手段によってクランパを開として、前記キャピラリ高さ検出手段によって前記キャピラリが第2の高さに上昇した信号が出力されるまで、前記移動機構によって前記キャピラリを前記クランパと共に上昇させて前記キャピラリの先端に前記テールワイヤを更に導出させる第2のキャピラリ上昇プログラムと、前記第2のキャピラリ上昇プログラムによって前記キャピラリを前記第2の高さに上昇させた後、前記クランパ開閉手段によってクランパを閉として、前記移動機構によって前記キャピラリを前記クランパと共に更に上昇させて前記テールワイヤを前記第2ボンド点から切断するワイヤ切断プログラムと、を有することを特徴とする。
本発明のボンディング装置のテールワイヤ切断プログラムは、ワイヤが挿通されてワークにボンディングを行うキャピラリと前記ワイヤを把持するクランパとをXYZ方向に移動させる移動機構と、前記クランパを開閉するクランパ開閉手段と、前記キャピラリの高さを検出するキャピラリ高さ検出手段と、ボンディング装置を制御するボンディング制御部と、を備え、第1ボンド点と第2ボンド点との間をワイヤで接続した後に、前記キャピラリ先端に導出されるテールワイヤを切断するボンディング装置のテールワイヤ切断プログラムであって、前記第2ボンド点へのボンディングの後、前記クランパ開閉手段によって前記クランパを開として、前記キャピラリ高さ検出手段によって前記キャピラリが第1の高さに上昇した信号が出力されるまで、前記移動機構によって前記キャピラリを前記クランパと共に上昇させて前記キャピラリの先端に前記テールワイヤを導出させる第1のキャピラリ上昇プログラムと、前記第1のキャピラリ上昇プログラムによって前記キャピラリを前記第1の高さに上昇させた後、前記クランパ開閉手段によってクランパを閉として、前記移動機構によって前記ワークに平行で前記第1の高さにある平面上で前記キャピラリを前記クランパと共に往復動作又は振れまわり動作させて前記テールワイヤと前記第2ボンド点との間の部材剛性を低下させる平面上動作プログラムと、前記平面上動作プログラムによる平面上動作の後、前記クランパ開閉手段によってクランパを開として、前記キャピラリ高さ検出手段によって前記キャピラリが第2の高さに上昇した信号が出力されるまで、前記移動機構によって前記キャピラリを前記クランパと共に上昇させて前記キャピラリの先端に前記テールワイヤを更に導出させる第2のキャピラリ上昇プログラムと、前記第2のキャピラリ上昇プログラムによって前記キャピラリを前記第2の高さに上昇させた後、前記クランパ開閉手段によってクランパを閉として、前記移動機構によって前記キャピラリを前記クランパと共に更に上昇させて前記テールワイヤを前記第2ボンド点から切断するワイヤ切断プログラムと、を有することを特徴とする。
また、本発明のボンディング装置のテールワイヤ切断プログラムにおいて、前記往復動作は前記第1ボンド点と前記第2ボンド点を結ぶ線に沿った方向に往復することとしても好適である。
本発明は、テールワイヤ8に大きな引張り力をかけずに切断し、テールワイヤ切断の際のワイヤの曲がりを防止することができるという効果を奏する。
本発明の好適な実施形態について図1〜図5を参照しながら説明する。図1は本発明にかかるテールワイヤ切断方法及びプログラムを実施するワイヤボンディング装置の構成を示す図であり、図2は本発明にかかるテールワイヤ切断方法及びプログラムの実施形態を示すフローチャートであり、図3は、上記の方法及びプログラムを実施した場合のテールワイヤの切断の工程を示す説明図であり、図4はキャピラリとクランパの往復動作の説明図であり、図5はキャピラリとクランパの曲面上での往復動作の斜視図である。
図1に示すように、ワイヤボンディング装置10はXYテーブル20の上にボンディングヘッド19が設置され、ボンディングヘッド19にモータにて先端がZ方向に移動されるボンディングアーム13を備え、ボンディングアーム13の先端にキャピラリ16が取り付けられている。XYテーブル20とボンディングヘッド19は移動機構18を構成し、移動機構18はXYテーブル20によってボンディングヘッド19を水平面内(XY面内)で自在な位置に移動することができ、これに取り付けられたボンディングアーム13をZ方向に移動させることによって、ボンディングアーム13先端のキャピラリ16をXYZの方向に自在に移動させることができる。ボンディングアーム13にはキャピラリ16の高さを検出するキャピラリ高さ検出手段25が備えられている。キャピラリ高さ検出手段25はボンディングアーム13の回転角度を角度センサによって検出することによってキャピラリ16の先端高さを検出するものであってもよいし、キャピラリ16の先端高さを直接検出する位置センサであってもよい。ボンディングアーム13の先端にはワイヤ12が挿通されており、ワイヤ12はスプール11に巻回されている。ボンディングヘッド19にはキャピラリ16と共にZ方向に移動してワイヤ12を把持するクランパ17が開閉自在に取り付けられ、クランパ17にはクランパ17の開閉を行うクランパ開閉手段27が備えられている。クランパ開閉手段27は電磁式に開閉を行うものであってもよいし、機械的に開閉を行うものであっても良い。ボンディングヘッド19にはワークの撮像を行う撮像手段28が取り付けられている。撮像手段28はキャピラリ16と半導体チップ2とリードフレーム15の画像を撮像して、キャピラリ16の半導体チップ2またはリードフレーム15に対する位置を検出する。移動機構18は移動機構インターフェース44に接続されて、キャピラリ高さ検出手段25はキャピラリ高さ検出インターフェース46に接続され、クランパ開閉手段27はクランパ開閉手段インターフェース48に接続されている。各インターフェースはデータバス32を介してボンディングの制御を行う制御部30に接続されている。制御部30は内部に制御用のCPUを含んでいる。また、データバスにはデータを記憶している記憶部34が接続されている。
図2,3を参照しながら、上記のボンディング装置によってテールワイヤ8を切断する工程を説明する。従来技術と同様に半導体チップ2の上のパッド3(第1ボンド点)にボンディングをした後にワイヤ12を導出してキャピラリ16をリード4(第2ボンド点)上に移動させ、図2のステップS101に示すようにリード4(第2ボンド点)の上にボンディングを行う。図3(a)に示すように、このときには、キャピラリ16の下動によって接続ワイヤ12aがリード4(第2ボンド点)に圧着接合され、第2ボンディング部7が形成されており、第2ボンディング部7の端部には、接続ワイヤ12aがリード4(第2ボンド点)と接合されると共に細く押しつぶされた形状のボンディング端部7aが形成されている。
リード4(第2ボンド点)へのボンディング工程が終了すると、図2のステップS102に示すように、ボンディング制御部30は移動機構18によってボンディングアーム13の先端をZ方向に上昇させて、ボンディングアーム13の先端に取り付けられたキャピラリ16を上昇させる。このとき、ボンディング制御部30は、クランパ17をクランパ開閉手段27によって開状態に保持している。一方、キャピラリの高さはキャピラリ高さ検出手段25によって検出され、その高さ信号はキャピラリ高さ検出インターフェース46を介してボンディング制御部30に入力されている。
図2のステップS103に示すように、ボンディング制御部30はキャピラリ高さ検出手段25からの信号がキャピラリ高さHを示すようになるまで移動機構18によってキャピラリ16及びクランパ17の上昇を続け、キャピラリ高さ検出手段25からの信号がキャピラリ高さHを示すようになった時に、図2のステップS104に示すように移動機構18によってキャピラリ16及びクランパ17の上昇を停止する。このときには、図3(b)に示すように、キャピラリ16の先端は高さHとなり、キャピラリ16の先端には、テールワイヤ8が導出されている。
次に、図2のステップS105及び図3(c)に示すように、ボンディング制御部30はクランパ開閉手段27によってクランパ17を閉として、クランパ17によってワイヤ12を把持させる。クランパ17によってワイヤ12を把持させた後、図2のステップS106に示すようにボンディング制御部30は移動機構18によってキャピラリ16とクランパ17の往復動作を開始する。そして、図2のステップS107,S108に示すように、所定の回数の往復動作を繰り返した後、移動機構18によってキャピラリ16とクランパ17の往復動作を停止させる。
この往復動作中のキャピラリ16、クランパ17、テールワイヤ8の動きを図3(d)〜図3(g)に示す。図3(d)に示す様に、ボンディング制御部30は最初に移動機構18によってキャピラリ16とクランパ17をキャピラリ先端の高さHに頂部が来るような曲面上にある円弧に沿って接続ワイヤ12aの方向に移動させる。この移動は円弧上の移動なので、ボンディング制御部30は移動機構18によってキャピラリ16とクランパ17を振幅Wだけ接続ワイヤ12aの方向に横移動させるとともに、リード4(第2ボンド点)の方向に向かって上下方向にも移動させる。そして、振幅Wだけ横移動したら、図3(e)に示す様に、ボンディング制御部30は移動機構18によってキャピラリ16とクランパ17を上記と同様の円弧に沿って接続ワイヤ12aと逆方向に移動させて当初の位置に戻す。その後、図3(f)に示す様に、ボンディング制御部30は移動機構18によってキャピラリ16とクランパ17を更に振幅Wだけ接続ワイヤと反対方向に横移動させるとともに、リード4(第2ボンド点)の方向に向かって上下方向にも移動させる。そして、横方向に振幅Wだけ移動したら、図3(g)に示す様に、ボンディング制御部30は移動機構18によってキャピラリ16とクランパ17を再び上記と同様の円弧に沿って接続ワイヤ12aの方向に移動させて最初の位置に戻し往復動作の1周期を終了させる。ボンディング制御部30は、所定の回数だけ上記のようにキャピラリ16とクランパ17を往復動作させる。この往復動作によって、テールワイヤ下端とボンディング端部7aとの間に微小なひびが入り、その部分の剛性が低下する。
図2のステップS109及び図3(h)に示すように、所定の回数の往復動作が終了すると、ボンディング制御部30はクランパ開閉手段27によってクランパ17を開状態としてワイヤ12を開放する。そして、ボンディング制御部30は移動機構18によってキャピラリ16及びクランパ17を上昇させる。一方、キャピラリの高さはキャピラリ高さ検出手段25によって検出され、その高さ信号はボンディング制御部30に入力されている。
図2のステップS111に示すように、ボンディング制御部30はキャピラリ検出手段25からの信号がキャピラリ高さHを示すようになるまで移動機構18によってキャピラリ16及びクランパ17の上昇を続ける。そして、キャピラリ高さ検出手段25からの信号がキャピラリ高さHを示すようになった時に、図2のステップS112に示すようにボンディング制御部30はクランパ開閉手段27によってクランパ17を閉としてワイヤ12を把持させる。このときには、図3(i)に示すように、キャピラリ16のキャピラリ16の先端には、高さHのテールワイヤ8が導出されている。
図2のステップS113に示すように、ボンディング制御部30は、クランパ17によってワイヤ12を把持させたまま移動機構18によってキャピラリ16とクランパ17を更に上昇させる。すると、図3(j)に示すように、テールワイヤ8は先の往復動作によって微小なひびの入っているテールワイヤ下端とボンディング端部7aとの間でリード4(第2ボンド点)から切り離される。
図4、図5を参照しながら、本実施形態での往復動作の詳細動作について説明する。図4の実線はキャピラリ16の先端が高さHに上昇してクランパ17が直径Dのワイヤ12を把持している状態を示している。ワイヤ12は20μm程度の金線であり、高さHは25μm〜100μmである。キャピラリ16の先端にはテールワイヤ8が導出されている。キャピラリ先端高さHが25μm〜100μmであることから、テールワイヤ8の長さも25μm〜100μmとなる。テールワイヤ8の下端は下方に向かってテーパー状に細くなってボンディング端部7aにつながっている。そしてボンディング端部7aは接続ワイヤ12aがリード4(第2ボンド点)に圧着接合されている第2ボンディング部7につながっている。第2ボンディング部7は長さLの範囲でリード4(第2ボンド点)に接合されており、ボンディング端部7aはキャピラリによって長さLの範囲でリード4(第2ボンド点)接合されると共に細く変形している。
図4の1点鎖線はキャピラリ16とクランパ17によってワイヤ12が左右に20〜25μmの振幅Wだけ移動した際の状態を示している。キャピラリ16の下端はワイヤ12の中心線56とリード4(第2ボンド点)との交点54を中心とした半径Rで高さHに頂点が来る円弧50に沿って左右に往復動作し、クランパ17も円弧50に平行な円弧52に沿ってキャピラリ16と共に左右に往復動作する。この往復動作によって、ワイヤ12の中心線56は接続ワイヤ12aの側とその反対側にそれぞれ振幅Wだけ離れた中心線58,60の位置まで往復動作する。
図5は、上記の往復動作を模式的に表した斜視図で、キャピラリ16は模式的に三角で示し、クランパ17は図示省略してある。図5にはキャピラリ16が往復動作する半径Rの球面70を1点鎖線で示している。キャピラリ16の先端は、動作開始点の点72から点74に向かって球面70の上を接続ワイヤ12aの方向に向かって弧状に移動し、次に逆方向に点74から点72を経て点76に移動する。そして、点76から再び接続ワイヤ12aの方向に向かって動作開始点の点72に移動し、往復動作の1往復が終了する。このような往復動作を所定回数繰り返し、キャピラリ16の先端が動作開始点の点72に来たときに往復動作は終了する。
上記の往復動作はワイヤ12をクランパで把持してキャピラリ16と共に動作させていることから、大きな変位を生じさせてもワイヤ12が逃げないため、下端が固定されたテールワイヤ8に、その直径の1〜5倍程度の高さでその直径と同等程度の大きな横方向の曲げ変形を生じさせることができる。このような大きな変形によって発生する応力はテールワイヤ8の下端に形成されたテーパー部とボンディング端部7aとの間の部分への集中応力と塑性変形を生ずることなる。そして、上記の往復動作によってボンディング端部7aとテールワイヤ8の下端との間に塑性変形による微小なひびが発生する。この微小なひびの発生によってボンディング端部7aとテールワイヤ下端の間の引っ張り強度が大きく低下し、テールワイヤ8の切断動作の際にテールワイヤ8に大きな引張り力を掛けなくともテールワイヤ8の切断が行えるようになる。また、上記のように微小なひびが発生しなくとも塑性変形による部材剛性の低下が発生すれば大きな引張り力を掛けなくともテールワイヤ8を切断することができる。このため、テールワイヤの切断の際にワイヤ12の曲げ変形を生ずることもなく、パッド3(第1ボンド点)とリード4(第2ボンド)の間の接続ワイヤに曲がりが生ずることも防止することができ、ボンディング品質の向上を図ることができるという効果を奏する。また、往復動作をパッド3(第1ボンド点)とリード4(第2ボンド点)を結ぶ方向に沿って行うと、接続ワイヤ12aの方向に向かっての横方向動作の際に、テールワイヤ8の下端のリード4に少しだけ接合している部分をリード4から引き剥がすことができ、より確実にテールワイヤ8の下端を切断することができる。
上記の往復動作の振幅W、キャピラリ先端の高さH、円弧50の半径Rは、ワイヤ12の太さ、材質などによってボンディング端部7aとテールワイヤ8の下端との間に塑性変形による微小なひびが発生する様に自由に決めることができる。ただし、振幅W等が大きくなりすぎて、往復動作によって破断を生じないようにすることが必要である。上記の往復動作でテールワイヤ8が切断されてしまうと、図2のステップS109からS112、図3(i)のキャピラリ上昇動作によって、高さHのテールワイヤ8を導出することができなくなることから、次のボンディングの際にボールを形成することができなくなるためである。
上記の実施形態では、キャピラリ16とクランパ17を円弧状に往復動作させる方法について説明したが、キャピラリ16をキャピラリの先端が高さHにその頂点が来るような曲面上でキャピラリ16をクランパ17と共に振れまわり動作させることも好適である。図6は、図5と同様に半径Rの球面70の上でのキャピラリ16の振れまわり動作を模式的に示した図で、図5と同様にクランパ17の図示は省略している。図6に示すように、キャピラリ16の先端は動作開始点の点72から点74に向かって球面70の上を接続ワイヤ12aの方向に向かって弧状に移動する。点74に達したら、キャピラリ先端は点74から点76、点78に向かって図中の矢印で示すよう球面70の面上にある円71に沿って移動する。そして、所定の回数だけ周回動作を行ったら、点74から点72に向かって球面70の上を弧状に移動し、動作開始点の点72に戻って曲面上の動作を終了する。上記動作においても、クランパ17はワイヤ12を把持しつつキャピラリ16と共に移動する。上記の振れまわり動作を行う曲面は上記の実施形態のように球面には限定されず、放物曲面のような曲面でもよいし、楕円曲面のような曲面でもよい。また、周回動作も1方向に向かっての周回動作に限定されず、周回経路に沿って往復しても良い。
上記の実施形態では、キャピラリ16、クランパ17を曲面上で動作させる方法について説明したが、キャピラリ16をクランパと共にキャピラリ16の先端の高さがHの平面上で往復動作させて、ボンディング端部7aとテールワイヤ8の下端との間に塑性変形による微小なひびを発生させる様にすることも好適である。図7はキャピラリ16の先端の高さがHのリード4に平行な平面80の上でのキャピラリ16の往復動作を模式的に示した図である。図6と同様にクランパ17の図示は省略してある。図7の示すようにキャピラリ16の先端は動作開始点の点82から接続ワイヤ12aの方向に向かって平面80の上を点84まで移動する。点84まで移動したら、逆方向に点82を通って点86まで移動する。そして、点86から再び接続ワイヤ12aの方向に向かって平面80の上を点82まで移動し、往復動作の1往復が終了する。このような往復動作を所定回数繰り返し、キャピラリ16の先端が動作開始点の点82に来たときに往復動作は終了する。上記動作においても、クランパ17はワイヤ12を把持しつつキャピラリ16と共に移動する。
また、図8は図7と同様にキャピラリ16の先端の高さがHのリード4に平行な平面80の上でのキャピラリ16の振れまわり動作を模式的に示した図で、図7と同様にクランパ17の図示は省略している。図8に示すように、キャピラリ16の先端は動作開始点の点82から点84に向かって平面80の上を接続ワイヤ12aの方向に向かって移動する。点84に達したら、キャピラリ先端は点84から点86、点88に向かって図中の矢印で示すよう平面80の面上にある円81に沿って移動する。そして、所定の回数だけ周回動作を行ったら、点84から点82に向かって平面80の上移動し、動作開始点の点82に戻って平面上の動作を終了する。上記動作においても、クランパ17はワイヤ12を把持しつつキャピラリ16と共に移動する。上記の振れまわりの周回経路は上記の実施形態のように円に限定されず、楕円、長円、あるいは四角形であっても良い。また、周回動作は1方向に向かっての周回動作に限定されず、周回経路に沿って往復しても良い。
上記のように平面80の上で往復動作又は振れまわり動作する場合には、往復動作、触れまわり動作によってテールワイヤ8の側面8a,8bが引き伸ばされることから、平面上動作によってテールワイヤ8の破断が生じないように振幅Wを小さめにして往復動作の回数や振れまわりの周回回数を多くすることが好適である。このように平面上での動作によっても、上記の実施形態と同様に、テールワイヤ8の切断動作の際にテールワイヤ8に大きな引張り力を掛けなくともテールワイヤ8の切断が行え、ワイヤ12の曲がりを防止することができる。
上記の実施形態はワイヤボンディング装置について説明したが、本発明のテールワイヤ切断方法及びプログラムをバンプボンディング装置で実施した場合の実施形態について説明する。ワイヤボンディング装置における実施形態と同様の部分には同様の符号をつけて説明は省略する。
図9は、バンプボンディング装置におけるテールワイヤ切断の際のキャピラリとクランパの往復動作の説明図である。バンプボンディング装置の場合には、半導体チップ2のパッド3の上にボールバンプ62を形成した後、リード4にボンディングしてからパッド3にボンディングを行いテールワイヤ8の切断を行う。このことから、第1ボンド点はリード4となり、第2ボンド点はパッド3となる。図9に示すように、パッド3の上に形成されたボールバンプ62の上に接続ワイヤ12aが圧着され、第2ボンディング部7が形成される。
図9の1点鎖線はキャピラリ16とクランパ17によってワイヤ12が左右に20〜25μmの振幅Wだけ移動した際の状態を示している。キャピラリ16の下端はワイヤ12の中心線56とパッド3(第2ボンド点)から高さHのボールバンプ62の上面とのとの交点54aを中心とした半径Rで高さHに頂点が来る円弧50aに沿って左右に往復動作し、クランパ17も円弧50aに平行な円弧52aに沿ってキャピラリ16と共に左右に往復動作する。この往復動作によって、ワイヤ12の中心線56は接続ワイヤ12aの側とその反対側にそれぞれ振幅Wだけ離れた中心線58,60の位置まで往復動作する。そして、上記の往復動作によってボンディング端部7aとテールワイヤ8の下端との間に塑性変形による微小なひびが発生し、ボンディング端部7aとテールワイヤ下端の間の引っ張り強度が大きく低下してテールワイヤ8に大きな引張り力を掛けなくともテールワイヤ8の切断が行えるようになる。
このようにバンプボンディング装置においても上記の往復動作によっても、ワイヤボンディング装置と同様に、テールワイヤ8の切断動作の際にテールワイヤ8に大きな引張り力を掛けなくともテールワイヤ8の切断が行え、ワイヤ12の曲がりを防止することができるという効果を奏する。
本発明にかかるテールワイヤ切断方法及びプログラムを実施するワイヤボンディング装置の構成を示す図である。 本発明にかかるテールワイヤ切断方法及びプログラムの実施形態を示すフローチャートである。 本発明にかかるテールワイヤ切断方法及びプログラムを実施した場合のテールワイヤの切断の工程を示す説明図である。 ワイヤボンディング装置におけるキャピラリとクランパの往復動作の説明図である。 ワイヤボンディング装置におけるキャピラリとクランパの曲面上での往復動作を示す斜視図である。 ワイヤボンディング装置におけるキャピラリとクランパの曲面上での振れまわり動作を示す斜視図である。 ワイヤボンディング装置におけるキャピラリとクランパの平面上での往復動作を示す斜視図である。 ワイヤボンディング装置におけるキャピラリとクランパの平面上での振れまわり動作を示す斜視図である。 バンプボンディング装置におけるキャピラリとクランパの往復動作の説明図である。 リードフレームと半導体チップをワイヤで接続したワークを示す図である。 従来技術によるボンディング工程の各工程におけるボンディングの動作を示す図である。 従来技術によるテールワイヤの切断動作を示す説明図である。 従来技術による半導体チップとリードとの接続ワイヤの状態を示す図である。
符号の説明
2 半導体チップ、3 第1ボンド点(パッド)、4 第2ボンド点(リード)、5 ボール、6 第1ボンディング部(圧着ボール)、7 第2ボンディング部、7a ボンディング端部、8 テールワイヤ、8a,8b テールワイヤ側面、10 ワイヤボンディング装置、11 スプール、12 ワイヤ、12a 接続ワイヤ、13 ボンディングアーム、15 リードフレーム、16 キャピラリ、17 クランパ、18 移動機構 、19 ボンディングヘッド、20 XYテーブル、23 基板、25 キャピラリ高さ検出手段、27 クランパ開閉手段、28 撮像手段 、30 制御部 (CPU)、32 データバス、34 記憶部、44 移動機構インターフェース、46 キャピラリ高さ検出インターフェース、48 クランパ開閉手段インターフェース、50,50a,52,52a 円弧、54,54a 円弧中心、56,58,60 ワイヤ中心線、62 ボールバンプ、70 球面、72,74,76,78,82,84,86,88 点、80 平面、D ワイヤ直径、L,L 第2ボンディング部長さ、L,L ボンディング端部長さ、H,H キャピラリ高さ、H ボールバンプ高さ、R,R 円弧半径、W 振幅。

Claims (6)

  1. 第1ボンド点と第2ボンド点との間をワイヤで接続した後に、キャピラリ先端に導出されるテールワイヤを切断するボンディング装置のテールワイヤ切断方法であって、
    前記第2ボンド点へのボンディングの後、クランパを開として、前記キャピラリを前記クランパと共に前記第2ボンド点から第1の高さに上昇させて前記キャピラリの先端に前記テールワイヤを導出させる第1のキャピラリ上昇工程と、
    前記第1のキャピラリ上昇工程の後、クランパを閉として、前記第1の高さに頂部が来るような曲面上で前記キャピラリを前記クランパと共に弧状に往復動作又は振れまわり動作させて前記テールワイヤと前記第2ボンド点との間の部材剛性を低下させる曲面上動作工程と、
    前記曲面上動作工程の後、クランパを開として、前記キャピラリを前記クランパと共に前記第1の高さから第2の高さに上昇させて前記キャピラリの先端に前記テールワイヤを更に導出させる第2のキャピラリ上昇工程と、
    前記第2のキャピラリ上昇工程の後、クランパを閉として、前記キャピラリを前記クランパと共に前記第2の高さから更に上昇させて前記テールワイヤを前記第2ボンド点から切断するテールワイヤ切断工程と、
    を有することを特徴とするボンディング装置のテールワイヤ切断方法。
  2. 第1ボンド点と第2ボンド点との間をワイヤで接続した後に、キャピラリ先端に導出されるテールワイヤを切断するボンディング装置のテールワイヤ切断方法であって、
    前記第2ボンド点へのボンディングの後、クランパを開として、前記キャピラリを前記クランパと共に前記第2ボンド点から第1の高さに上昇させて前記キャピラリの先端に前記テールワイヤを導出させる第1のキャピラリ上昇工程と、
    前記第1のキャピラリ上昇工程の後、クランパを閉として、ワークに平行な前記第1の高さにある平面上で前記キャピラリを前記クランパと共に往復動作又は振れまわり動作させて前記テールワイヤと前記第2ボンド点との間の部材剛性を低下させる平面上動作工程と、
    前記平面上動作工程の後、クランパを開として、前記キャピラリを前記クランパと共に前記第1の高さから第2の高さに上昇させて前記キャピラリの先端に前記テールワイヤを更に導出させる第2のキャピラリ上昇工程と、
    前記第2のキャピラリ上昇工程の後、クランパを閉として、前記キャピラリを前記クランパと共に前記第2の高さから更に上昇させて前記テールワイヤを前記第2ボンド点から切断するテールワイヤ切断工程と、
    を有することを特徴とするボンディング装置のテールワイヤ切断方法。
  3. 請求項1又は2に記載のボンディング装置のテールワイヤ切断方法において、
    前記往復動作は前記第1ボンド点と前記第2ボンド点を結ぶ線に沿った方向に往復すること、
    を特徴とするボンディング装置のテールワイヤ切断方法。
  4. ワイヤが挿通されてワークにボンディングを行うキャピラリと前記ワイヤを把持するクランパとをXYZ方向に移動させる移動機構と、
    前記クランパを開閉するクランパ開閉手段と、
    前記キャピラリの高さを検出するキャピラリ高さ検出手段と、
    ボンディング装置を制御するボンディング制御部と、を備え、
    第1ボンド点と第2ボンド点との間をワイヤで接続した後に、前記キャピラリ先端に導出されるテールワイヤを切断するボンディング装置のテールワイヤ切断プログラムであって、
    前記第2ボンド点へのボンディングの後、前記クランパ開閉手段によって前記クランパを開として、前記キャピラリ高さ検出手段によって前記キャピラリが第1の高さに上昇した信号が出力されるまで、前記移動機構によって前記キャピラリを前記クランパと共に上昇させて前記キャピラリの先端に前記テールワイヤを導出させる第1のキャピラリ上昇プログラムと、
    前記第1のキャピラリ上昇プログラムによって前記キャピラリを前記第1の高さに上昇させた後、前記クランパ開閉手段によってクランパを閉として、前記移動機構によって前記第1の高さに頂部が来るような曲面上で前記キャピラリを前記クランパと共に弧状に往復動作又は振れまわり動作させて前記テールワイヤと前記第2ボンド点との間の部材剛性を低下させる曲面上動作プログラムと、
    前記曲面上動作プログラムによる曲面上動作の後、前記クランパ開閉手段によってクランパを開として、前記キャピラリ高さ検出手段によって前記キャピラリが第2の高さに上昇した信号が出力されるまで、前記移動機構によって前記キャピラリを前記クランパと共に上昇させて前記キャピラリの先端に前記テールワイヤを更に導出させる第2のキャピラリ上昇プログラムと、
    前記第2のキャピラリ上昇プログラムによって前記キャピラリを前記第2の高さに上昇させた後、前記クランパ開閉手段によってクランパを閉として、前記移動機構によって前記キャピラリを前記クランパと共に更に上昇させて前記テールワイヤを前記第2ボンド点から切断するワイヤ切断プログラムと、
    を有することを特徴とするボンディング装置のテールワイヤ切断プログラム。
  5. ワイヤが挿通されてワークにボンディングを行うキャピラリと前記ワイヤを把持するクランパとをXYZ方向に移動させる移動機構と、
    前記クランパを開閉するクランパ開閉手段と、
    前記キャピラリの高さを検出するキャピラリ高さ検出手段と、
    ボンディング装置を制御するボンディング制御部と、を備え、
    第1ボンド点と第2ボンド点との間をワイヤで接続した後に、前記キャピラリ先端に導出されるテールワイヤを切断するボンディング装置のテールワイヤ切断プログラムであって、
    前記第2ボンド点へのボンディングの後、前記クランパ開閉手段によって前記クランパを開として、前記キャピラリ高さ検出手段によって前記キャピラリが第1の高さに上昇した信号が出力されるまで、前記移動機構によって前記キャピラリを前記クランパと共に上昇させて前記キャピラリの先端に前記テールワイヤを導出させる第1のキャピラリ上昇プログラムと、
    前記第1のキャピラリ上昇プログラムによって前記キャピラリを前記第1の高さに上昇させた後、前記クランパ開閉手段によってクランパを閉として、前記移動機構によって前記ワークに平行で前記第1の高さにある平面上で前記キャピラリを前記クランパと共に往復動作又は振れまわり動作させて前記テールワイヤと前記第2ボンド点との間の部材剛性を低下させる平面上動作プログラムと、
    前記平面上動作プログラムによる平面上動作の後、前記クランパ開閉手段によってクランパを開として、前記キャピラリ高さ検出手段によって前記キャピラリが第2の高さに上昇した信号が出力されるまで、前記移動機構によって前記キャピラリを前記クランパと共に上昇させて前記キャピラリの先端に前記テールワイヤを更に導出させる第2のキャピラリ上昇プログラムと、
    前記第2のキャピラリ上昇プログラムによって前記キャピラリを前記第2の高さに上昇させた後、前記クランパ開閉手段によってクランパを閉として、前記移動機構によって前記キャピラリを前記クランパと共に更に上昇させて前記テールワイヤを前記第2ボンド点から切断するワイヤ切断プログラムと、
    を有することを特徴とするボンディング装置のテールワイヤ切断プログラム。
  6. 請求項4又は5に記載のボンディング装置のテールワイヤ切断プログラムにおいて、
    前記往復動作は前記第1ボンド点と前記第2ボンド点を結ぶ線に沿った方向に往復すること、
    を特徴とするボンディング装置のテールワイヤ切断プログラム。
JP2006119222A 2006-04-24 2006-04-24 ボンディング装置のテールワイヤ切断方法及びプログラム Active JP4679427B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006119222A JP4679427B2 (ja) 2006-04-24 2006-04-24 ボンディング装置のテールワイヤ切断方法及びプログラム
TW096102640A TW200741918A (en) 2006-04-24 2007-01-24 Tail wire cutting method and bonding apparatus
KR1020070013236A KR100813874B1 (ko) 2006-04-24 2007-02-08 본딩 장치의 테일 와이어 절단 방법 및 프로그램
US11/788,966 US7658314B2 (en) 2006-04-24 2007-04-23 Tail wire cutting method and bonding apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006119222A JP4679427B2 (ja) 2006-04-24 2006-04-24 ボンディング装置のテールワイヤ切断方法及びプログラム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007294581A true JP2007294581A (ja) 2007-11-08
JP4679427B2 JP4679427B2 (ja) 2011-04-27

Family

ID=38618539

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006119222A Active JP4679427B2 (ja) 2006-04-24 2006-04-24 ボンディング装置のテールワイヤ切断方法及びプログラム

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7658314B2 (ja)
JP (1) JP4679427B2 (ja)
KR (1) KR100813874B1 (ja)
TW (1) TW200741918A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015125670A1 (ja) * 2014-02-21 2015-08-27 株式会社新川 半導体装置の製造方法、半導体装置及びワイヤボンディング装置
JPWO2022130617A1 (ja) * 2020-12-18 2022-06-23

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4467631B1 (ja) * 2009-01-07 2010-05-26 株式会社新川 ワイヤボンディング方法
JP2011066191A (ja) * 2009-09-17 2011-03-31 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法およびボンディング装置
SG187721A1 (en) * 2010-08-10 2013-03-28 Kulicke & Soffa Ind Inc Wire loops, methods of forming wire loops, and related process
JP5734236B2 (ja) * 2011-05-17 2015-06-17 株式会社新川 ワイヤボンディング装置及びボンディング方法
CN102522349B (zh) * 2011-12-13 2014-08-27 三星半导体(中国)研究开发有限公司 用于引线键合的劈刀
US9314869B2 (en) * 2012-01-13 2016-04-19 Asm Technology Singapore Pte. Ltd. Method of recovering a bonding apparatus from a bonding failure
US8919632B2 (en) * 2012-11-09 2014-12-30 Asm Technology Singapore Pte. Ltd. Method of detecting wire bonding failures
CN103295927B (zh) * 2013-06-03 2016-04-20 三星半导体(中国)研究开发有限公司 凸点打线焊接方法
TWI541920B (zh) * 2013-07-23 2016-07-11 矽品精密工業股份有限公司 打線結構之製法
US9082753B2 (en) * 2013-11-12 2015-07-14 Invensas Corporation Severing bond wire by kinking and twisting
US9087815B2 (en) * 2013-11-12 2015-07-21 Invensas Corporation Off substrate kinking of bond wire
US9165842B2 (en) * 2014-01-15 2015-10-20 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Short tail recovery techniques in wire bonding operations
TWI543284B (zh) * 2014-02-10 2016-07-21 新川股份有限公司 半導體裝置的製造方法以及打線裝置
TWI517277B (zh) * 2014-02-14 2016-01-11 新川股份有限公司 打線裝置以及半導體裝置的製造方法
JP5686912B1 (ja) * 2014-02-20 2015-03-18 株式会社新川 バンプ形成方法、バンプ形成装置及び半導体装置の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02199846A (ja) * 1989-01-30 1990-08-08 Toshiba Corp ワイヤボンディング方法
JPH10303201A (ja) * 1997-02-28 1998-11-13 Sony Corp キャピラリーと、その使用方法と、バンプ形成装置
JP2001102416A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Hitachi Ltd 半導体装置の検査方法及び製造方法
JP2001189340A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Shinkawa Ltd ワイヤボンデイング方法及びその装置
JP2006278407A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58169916A (ja) * 1982-03-31 1983-10-06 Toshiba Corp ワイヤボンデイング方法
DE3703694A1 (de) * 1987-02-06 1988-08-18 Dynapert Delvotec Gmbh Ball-bondverfahren und vorrichtung zur durchfuehrung derselben
JP2969953B2 (ja) 1990-12-17 1999-11-02 富士通株式会社 半導体装置の製造方法及びその装置
JP3075100B2 (ja) * 1994-10-06 2000-08-07 松下電器産業株式会社 ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法
JP3074517B2 (ja) * 1995-12-05 2000-08-07 株式会社新川 被覆ワイヤのワイヤボンディング方法
JP3074518B2 (ja) * 1995-12-05 2000-08-07 株式会社新川 被覆ワイヤのワイヤボンディング方法
JPH09252005A (ja) * 1996-03-15 1997-09-22 Shinkawa Ltd バンプ形成方法
US6102275A (en) * 1998-07-10 2000-08-15 Palomar Technologies, Inc. Bond head having dual axes of motion
JP3422937B2 (ja) * 1998-07-27 2003-07-07 株式会社新川 ワイヤボンディングにおけるボール形成方法
JP3566156B2 (ja) * 1999-12-02 2004-09-15 株式会社新川 ピン状ワイヤ等の形成方法
US6244499B1 (en) * 1999-12-13 2001-06-12 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Structure of a ball bump for wire bonding and the formation thereof
JP2002064118A (ja) * 2000-08-22 2002-02-28 Shinkawa Ltd ワイヤボンディング装置
JP2003197669A (ja) * 2001-12-28 2003-07-11 Seiko Epson Corp ボンディング方法及びボンディング装置
JP2004172477A (ja) * 2002-11-21 2004-06-17 Kaijo Corp ワイヤループ形状、そのワイヤループ形状を備えた半導体装置、ワイヤボンディング方法及び半導体製造装置
JP4298665B2 (ja) * 2005-02-08 2009-07-22 株式会社新川 ワイヤボンディング方法
JP2006324553A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Renesas Technology Corp 半導体装置及びその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02199846A (ja) * 1989-01-30 1990-08-08 Toshiba Corp ワイヤボンディング方法
JPH10303201A (ja) * 1997-02-28 1998-11-13 Sony Corp キャピラリーと、その使用方法と、バンプ形成装置
JP2001102416A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Hitachi Ltd 半導体装置の検査方法及び製造方法
JP2001189340A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Shinkawa Ltd ワイヤボンデイング方法及びその装置
JP2006278407A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015125670A1 (ja) * 2014-02-21 2015-08-27 株式会社新川 半導体装置の製造方法、半導体装置及びワイヤボンディング装置
JPWO2022130617A1 (ja) * 2020-12-18 2022-06-23
WO2022130617A1 (ja) * 2020-12-18 2022-06-23 株式会社新川 ワイヤボンディング装置、ワイヤ切断方法及びプログラム
JP7416491B2 (ja) 2020-12-18 2024-01-17 株式会社新川 ワイヤボンディング装置、ワイヤ切断方法及びプログラム

Also Published As

Publication number Publication date
US20070246513A1 (en) 2007-10-25
KR100813874B1 (ko) 2008-03-17
US7658314B2 (en) 2010-02-09
KR20070104826A (ko) 2007-10-29
JP4679427B2 (ja) 2011-04-27
TW200741918A (en) 2007-11-01
TWI328849B (ja) 2010-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4679427B2 (ja) ボンディング装置のテールワイヤ切断方法及びプログラム
KR101087999B1 (ko) 와이어 본딩 장치 및 본딩 방법
KR101580135B1 (ko) 와이어본딩 장치 및 본딩 방법
JP4625858B2 (ja) ワイヤボンディング方法、ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング制御プログラム
JP4787374B2 (ja) 半導体装置の製造方法並びにワイヤボンディング装置
KR101086667B1 (ko) 와이어 본딩 장치 및 방법
JP4361593B1 (ja) ワイヤボンディング方法
JP2002517092A (ja) 電気的な接続部を形成するための方法およびコンタクト部
JP6209800B2 (ja) 半導体装置の製造方法及びワイヤボンディング装置
KR101867921B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 반도체 장치 및 와이어 본딩 장치
JP4365851B2 (ja) ワイヤボンディング方法及びワイヤボンディング装置
JP4658224B2 (ja) ワイヤボンディング装置
TWI827950B (zh) 打線接合裝置及半導體裝置的製造方法
TWI834288B (zh) 接腳引線形成方法、打線結合裝置以及結合工具
JP7441558B2 (ja) ピンワイヤ形成方法、及びワイヤボンディング装置
JP2500655B2 (ja) ワイヤ―ボンディング方法及びその装置
KR102411252B1 (ko) 와이어 본딩 장치
JP4417427B1 (ja) 半導体装置
JP2002299368A (ja) ワイヤボンディング方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080512

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101112

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101116

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110125

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110201

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4679427

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250