JP2007294501A - 配線回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】簡単な構成で導体パターン間の短絡を防止することが可能な配線回路基板を提供する。
【解決手段】各導体パターン２における端子部が、第１の端子部２ａと第２の端子部２ｂとに分岐されて形成される。各第１の端子部２ａおよび各第２の端子部２ｂの表面上には、それぞれ錫（Ｓｎ）めっき層２ｃが形成されている。錫めっき層２ｃは、例えば５μｍの厚さを有するとともに、錫および銅（Ｃｕ）をこの順で例えば９７：３の重量の比率で含む。コネクタ２００の各接続用ピン２１は、第１の端子部２ａおよび第２の端子部２ｂの互いに対向する側面上の錫めっき層２ｃにそれぞれ接触する。接続用ピン２１が接触する第１の端子部２ａおよび第２の端子部２ｂの上記各側面と、ベース絶縁層１の表面とのなす角度θ（鋭角）は、例えば４５°〜８０°であることが好ましい。
【選択図】図３

Description

本発明は、種々の電子機器に用いられる配線回路基板に関する。

配線回路基板は、一般的にセミアディティブ法またはサブトラクティブ法等により製造される。

この配線回路基板を電子機器のコネクタに電気的に接続する場合について図面を参照しながら説明する。

図７は、従来において配線回路基板と電子機器のコネクタとを電気的に接続した状態を示す模式図である。なお、図７（ａ）の上段には上記接続状態の平面図が示されており、図７（ａ）の下段には上記接続状態のＤ−Ｄ線断面図が示されている。また、図７（ｂ）は、図７（ａ）の下段の断面図の一部拡大図である。

図７（ａ）において、配線回路基板４００がコネクタ５００に接続されている。

具体的には、配線回路基板４００上に所定間隔をあけて形成された複数の導体パターン４１の各々が、コネクタ５００に設けられた対応する複数の接続用ピン５１の各々に接触することによって、配線回路基板４００がコネクタ５００に電気的に接続される。

ここで、配線回路基板４００における各導体パターン４１上の領域のうちコネクタ５００の各接続用ピン５１が接触する領域には、度重なる各接続用ピン５１との接触からの保護のため、および各接続用ピン５１との接続を良好に行うために、図示しない錫（Ｓｎ）めっき層が形成される。

しかしながら、接続用ピン５１により錫めっき層が継続的に加圧されると、図７（ｂ）に示すように、錫めっき層からウィスカーｗｈが発生することが一般的に知られている。

導体パターン４１上に形成された錫めっき層から発生するウィスカーｗｈは、隣り合う導体パターン４１に接触するまで成長する場合がある。この場合、隣り合う導体パターン４１間が短絡する。

そこで、各導体パターン４１の表面にウィスカーｗｈの発生を抑制する抑制層をそれぞれ形成し、当該抑制層の表面に第１の錫めっき層を形成することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

そして、上記特許文献１の回路基板においては、第１の錫めっき層の表面で導体パターン４１の端子となる領域を除く領域に導体パターン４１を保護する保護層を形成し、導体パターン４１の端子となる領域に第２の錫めっき層を形成する。
特開２００３−２３１２３号公報

しかしながら、上記特許文献１の回路基板では、ウィスカーｗｈを抑制する抑制層、および２つの錫めっき層（第１および第２の錫めっき層）を形成する必要があるので、導体パターン間の短絡を防止する際に、低コスト化および生産性の向上を実現することができない。

本発明の目的は、簡単な構成で導体パターン間の短絡を防止することが可能な配線回路基板を提供することである。

（１）本発明に係る配線回路基板は、複数の接続端子に電気的に接続される配線回路基板であって、絶縁層と、絶縁層の一方の面上に形成された導体パターンからなり、接続端子が接触する複数の端子部と、複数の端子部の表面に形成され、錫を含む金属層とを備え、複数の端子部の各々は、複数の接続端子の各々が嵌り込む嵌合部を有するものである。

本発明に係る配線回路基板においては、絶縁層の一方の面上に、導体パターンからなり、接続端子が接触する複数の端子部が形成される。この複数の端子部の表面には錫を含む金属層が形成される。

また、複数の端子部の各々には、複数の接続端子の各々が嵌り込む嵌合部が設けられている。このような構成において、複数の接続端子の各々が嵌合部に嵌り込むことにより、複数の接続端子の各々と複数の端子部の各々とが電気的に接続される。

このように、接続端子が嵌合部に嵌り込むことにより、接続端子による継続的な加圧によって端子部の錫を含む金属層から発生するウィスカーは、絶縁層の厚さ方向へ成長する。したがって、ウィスカーが絶縁層の表面方向に成長することが防止される。これにより、ウィスカーが隣り合う導体パターンに接触することによって起こる導体パターン間の短絡を防止することが可能となる。

以上により、簡単な構成で導体パターン間の短絡を防止することが可能となる。したがって、配線回路基板の低コスト化および生産性の向上を実現することができる。

（２）嵌合部は断面逆台形状の溝部からなり、接続端子は溝部内の互いに対向する側面に接触してもよい。

この場合、接続端子が溝部内の互いに対向する側面に接触することにより、接続端子による継続的な加圧によって端子部の錫を含む金属層から発生するウィスカーは、絶縁層の略厚さ方向へ成長する。したがって、ウィスカーが絶縁層の表面方向に成長することが防止される。これにより、ウィスカーが隣り合う導体パターンに接触することによって起こる導体パターン間の短絡を防止することが可能となる。

（３）溝部内の各側面と絶縁層の表面とがなす鋭角が４５°以上８０°以下であってもよい。

それにより、隣り合う導体パターンへのウィスカーの接触を確実に防止することができるとともに、各接続端子と各端子部との接触による電気的な接続を良好に行うことができる。

（４）嵌合部は、断面矩形状の凹部からなり、接続端子は凹部内の底面に接触してもよい。

この場合、接続端子が凹部内の底面に接触することにより、接続端子による継続的な加圧によって端子部の錫を含む金属層から発生するウィスカーは、絶縁層の厚さ方向へ成長する。したがって、ウィスカーが絶縁層の表面方向に成長することが防止される。これにより、ウィスカーが隣り合う導体パターンに接触することによって起こる導体パターン間の短絡を防止することが可能となる。

（５）凹部の深さは凹部の底面の領域における端子部の厚さよりも大きくてもよい。このように、凹部の深さが、当該凹部の底面の領域における端子部の厚さよりも大きいことにより、ウィスカーが絶縁層の表面方向に成長することが防止される。これにより、ウィスカーが隣り合う導体パターンに接触することによって起こる導体パターン間の短絡を防止することが可能となる。

（６）配線回路基板は、端子部と反対側における絶縁層の他方の面上に補強層をさらに備えてもよい。

この場合、絶縁層の一方の面上に形成された導体パターンが補強層により外部からの圧力に対して補強される。

（７）複数の端子部はストライプ状に形成され、嵌合部は、複数の端子部の各々の幅方向の中央部に長さ方向に沿って延びるように設けられてもよい。

このような構成により、複数の接続端子の各々と複数の端子部の各々とが容易に接触される。したがって、複数の接続端子の各々と複数の端子部の各々とが容易に電気的に接続される。

本発明に係る配線回路基板によれば、簡単な構成で導体パターン間の短絡を防止することが可能となる。したがって、配線回路基板の低コスト化および生産性の向上を実現することができる。

以下、本実施の形態に係る配線回路基板について図面を参照しながら説明する。

（１）第１の実施の形態
第１の実施の形態に係る配線回路基板の製造方法としては、一般的なサブトラクティブ法が用いられる。図１（ａ）〜（ｅ）および図２（ｆ）の上段には、配線回路基板に最終的に形成される導体パターンに垂直な方向の断面が示され、図２（ｆ）の下段には、配線回路基板に最終的に形成される導体パターンに平行な方向の断面が示されている。

図１および図２は、サブトラクティブ法による配線回路基板の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。

図１（ａ）に示すように、例えば厚さ５０μｍのポリイミドフィルムからなるベース絶縁層１が用意される。

ベース絶縁層１の他の例として、ポリパラバン酸フィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、およびポリエーテルエーテルケトンフィルム等のエンジニアリングプラスチックフィルムが挙げられる。

ベース絶縁層１上に電解銅めっきにより例えば３５μｍの厚さを有する導体層６が形成される。

次に、図１（ｂ）に示すように、導体層６上にエッチングレジスト７が形成される。

続いて、図１（ｃ）に示すように、導体層６上に形成されたエッチングレジスト７に対して露光処理および現像処理を施すことにより、導体層６上に所定のエッチングレジストパターン８が形成される。

次に、図１（ｄ）に示すように、化学エッチングによりエッチングレジストパターン８下の領域を除く領域の導体層６が除去されることによって、ストライプ状の導体パターン２が形成される。

次いで、図１（ｅ）に示すように、導体パターン２上のエッチングレジスト８が剥離等により除去される。

上記の図１（ｃ）〜（ｅ）の工程において、導体パターン２の先端部（以下、端子部と呼ぶ）に後述する第１の端子部２ａおよび第２の端子部２ｂ（図３）が同時に形成される。

続いて、図２（ｆ）に示すように、導体パターン２の端子部の領域を除いて当該導体パターン２を覆うようにベース絶縁層１上にカバー絶縁層５が形成される。端子部の表面には錫（Ｓｎ）めっき層２ｃが形成される。端子部の詳細な構造については後述する。

また、端子部の裏側におけるベース絶縁層１上に接着剤層３を介して例えば２９０μｍの厚さを有するポリイミドからなる補強層４が形成される。これにより、ベース絶縁層１が補強される。

以上により、配線回路基板１００が製造される。なお、図２（ｆ）において、接着剤層３を設けなくてもベース絶縁層１に対する接着性に問題のない例えばソルダーレジストまたはポリイミド前駆体等からなる補強層４をベース絶縁層１上に塗布してもよい。

ここで、本実施の形態では、配線回路基板１００の各導体パターン２は、エッチング等によって以下の形状に加工される。

図３は、本実施の形態の配線回路基板１００がコネクタに接続された状態を示す模式図である。

図３（ａ）の上段には、配線回路基板１００の各導体パターン２がコネクタ２００の各接続用ピン２１にそれぞれ接続されている状態の平面図が示されており、図３（ａ）の下段には、上記接続状態のＡ−Ａ線断面図が示されている。また、図３（ｂ）には、図３（ａ）の下段の断面図の一部拡大図が示されている。

図３（ａ）に示すように、本実施の形態においては、各導体パターン２における端子部が、図１（ｃ）〜（ｅ）の工程で第１の端子部２ａと第２の端子部２ｂとに分岐されて形成される。なお、第１の端子部２ａおよび第２の端子部２ｂを図１（ｅ）の工程後にエッチングにより形成してもよい。

また、図３（ｂ）に示すように、各第１の端子部２ａおよび各第２の端子部２ｂの表面上には、それぞれ錫（Ｓｎ）めっき層２ｃが形成されている。

錫めっき層２ｃは、例えば５μｍの厚さを有するとともに、錫（Ｓｎ）および銅（Ｃｕ）をこの順で例えば９７：３の重量の比率で含む。

なお、錫めっき層２ｃは、錫を単一成分として含むものであってもよく、また、錫を主成分として上記銅の他、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、モリブデン（Ｍｏ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウム（Ｇａ）、およびリン（Ｐ）等からなる群から選択される一種以上の元素を含むものであってもよい。

このような構成において、コネクタ２００の各接続用ピン２１は、第１の端子部２ａおよび第２の端子部２ｂの互いに対向する側面上の錫めっき層２ｃにそれぞれ接触する。これにより、各接続用ピン２１と各導体パターン２とが電気的に接続される。

ここで、第１の端子部２ａおよび第２の端子部２ｂの各断面形状は台形となっている。それにより、第１の端子部２ａと第２の端子部２ｂとの間に断面逆台形状の溝部２０が形成されている。溝部２０は各端子部の中央部にストライプ状に延びている。

すなわち、接続用ピン２１が接触する第１の端子部２ａおよび第２の端子部２ｂの上記各側面と、ベース絶縁層１の表面とのなす角度θ（鋭角）は、例えば４５°〜８０°となっている。

上記の背景技術でも述べたように、接続用ピン２１により錫めっき層２ｃが加圧されると、加圧された錫めっき層２ｃの面からウィスカーｗｈが発生する。

本実施の形態では、各接続用ピン２１が第１の端子部２ａおよび第２の端子部２ｂの傾斜した上記各側面の錫めっき層２ｃに接触することによって、当該接触点から発生するウィスカーｗｈは、第１の端子部２ａまたは第２の端子部２ｂの上記各側面に沿う方向に成長する（図３（ｂ））。これにより、上記ウィスカーｗｈが、隣り合う導体パターン２の第１の端子部２ａまたは第２の端子部２ｂに接触することが防止される。

なお、接続用ピン２１が接触する第１の端子部２ａおよび第２の端子部２ｂの上記各側面とベース絶縁層１の表面とのなす角度θが４５°よりも小さくなると、発生したウィスカーｗｈが、隣り合う導体パターン２の第１の端子部２ａまたは第２の端子部２ｂに接触する可能性があり、また、上記角度θが８０°よりも大きくなると、接続用ピン２１と導体パターン２とが電気的に良好に接続されない可能性がある。したがって、上記角度θは４５°〜８０°であることが好ましい。

以下、図３において各構成部の好ましい設計上の寸法について開示する。

導体パターン２の幅Ｗ１は、例えば３５０μｍであることが好ましい。第１の端子部２ａおよび第２の端子部２ｂの幅Ｗ２は、それぞれ例えば５０〜２５０μｍであることが好ましい。

また、第１の端子部２ａと第２の端子部２ｂとの間隔Ｓ１は、例えば４０〜２００μｍであることが好ましい。隣り合う導体パターン２の間隔Ｓ２は、例えば６０〜３００μｍであることが好ましい。

（２）第２の実施の形態
第２の実施の形態に係る配線回路基板の製造方法としては、一般的なセミアディティブ法が用いられる。

図４は、セミアディティブ法による配線回路基板の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。

図４（ａ）に示すように、例えば厚さ５０μｍのポリイミドフィルムからなるベース絶縁層１が用意される。

次に、図４（ｂ）に示すように、ベース絶縁層１上にスパッタリングまたは無電解めっきによって金属薄膜１ａが形成される。金属薄膜１ａは、例えばニッケル−クロムからなる層と銅からなる層との積層膜からなる。

次いで、図４（ｃ）に示すように、金属薄膜１ａ上にドライフィルムレジスト等を用いて、後工程で形成される導体パターン２とは逆パターンのめっきレジスト９が形成される。

その後、図４（ｄ）に示すように、金属薄膜１ａにおけるめっきレジスト９が形成されていない表面に、電解銅めっきにより例えば３５μｍの厚さを有する導体パターン２が形成される。

続いて、図４（ｅ）に示すように、めっきレジスト９が剥離等により除去される。

次に、図４（ｆ）に示すように、導体パターン２下の領域を除いて金属薄膜１ａの銅からなる層が化学エッチングにより除去される。なお、この化学エッチングに用いるエッチング液としては、過酸化水素と硫酸との混合液を使用する。

その後、導体パターン２下の領域を除いて金属薄膜１ａのニッケル−クロムからなる層が化学エッチングにより除去される。なお、この化学エッチングに用いるエッチング液としては、塩酸と硫酸との混合液を使用する。

このようにして、ベース絶縁層１上にストライプ状の導体パターン２が形成された配線回路基板１００ａが製造される。なお、ベース絶縁層１と導体パターン２との接着性等に問題がない場合には、金属薄膜１ａは設けなくてもよい。

また、図４において図示はしていないが、第１の実施の形態と同様に、導体パターン２の端子部の領域を除いて当該導体パターン２を覆うようにベース絶縁層１上にカバー絶縁層５が形成される。端子部の表面には錫（Ｓｎ）めっき層２ｃが形成される。端子部の詳細な構造については後述する。

また、端子部の裏側におけるベース絶縁層１上に接着剤層３を介して補強層４が形成される。

ここで、本実施の形態では、配線回路基板１００ａの各導体パターン２は、エッチング等によって以下の形状に加工される。

図５は、本実施の形態の配線回路基板１００ａがコネクタ２００に接続された状態を示す模式図である。なお、図５においては、図４の金属薄膜１ａの図示が省略されている。

図５（ａ）の上段には、配線回路基板１００ａの各導体パターン２がコネクタ２００の各接続用ピン２１にそれぞれ接続されている状態の平面図が示されており、図５（ａ）の下段には、上記接続状態のＢ−Ｂ線断面図が示されている。また、図５（ｂ）には、図５（ａ）の下段の断面図の一部拡大図が示されている。

図５（ａ）に示すように、本実施の形態においては、各導体パターン２における端子部が、エッチング等により断面凹形状に形成される。以下、断面凹形状に形成された上記部分を凹状端子部２ｄとする。それにより、凹状端子部２ｄに断面矩形状の凹部２２が形成される。凹部２２はストライプ状の凹状端子部２ｄの中央部にストライプ状に延びている。凹状端子部２ｄの凹部２２の側面はベース絶縁層１の表面に垂直に形成され、底面はベース絶縁層１の表面に平行に形成される。

また、図５（ｂ）に示すように、各凹状端子部２ｄの表面上には、それぞれ錫めっき層２ｃが形成されている。なお、錫めっき層２ｃの厚さおよび含有成分（元素）は第１の実施の形態と同様である。

このような構成において、各凹状端子部２ｄの凹部２２に嵌り込むように、コネクタ２００の各接続用ピン２１は各凹状端子部２ｄにそれぞれ接触する。これにより、各接続用ピン２１と各導体パターン２とが電気的に接続される。

したがって、各接続用ピン２１と各凹状端子部２ｄとの上記接触点における錫めっき層２ｃから発生するウィスカーｗｈは、配線回路基板１００ａのベース絶縁層１の略厚さ方向へ成長する。（図５（ｂ））。これにより、上記ウィスカーｗｈが、隣り合う導体パターン２の第１の端子部２ａまたは第２の端子部２ｂに接触することが防止される。

以下、図５において各構成部の好ましい設計上の寸法について開示する。

導体パターン２の幅Ｗ１は、第１の実施の形態と同様で、例えば１４０〜７００μｍであることが好ましい。

また、凹状端子部２ｄの凹部２２の幅Ｗ３は、例えば８０〜４００μｍであることが好ましい。なお、第２の実施の形態においては、コネクタ２００の各接続用ピン２１の幅は、凹状端子部２ｄの上記凹部２２の幅Ｗ３よりも小さいものとなっている。

また、凹状端子部２ｄの凹部２２の深さＴ１は、接続用ピン２１が当該凹状端子部２ｄに接触する部分の厚さよりも大きい。上記Ｔ１は、例えば１０〜３５μｍであることが好ましい。これは、凹状端子部２ｄの凹部２２の深さＴ１が３５μｍを超えると、接続用ピン２１が凹状端子部２ｄに接触する部分の厚さが薄くなり、断線のおそれが生じるためである。

さらに、隣り合う導体パターン２の間隔Ｓ２は、第１の実施の形態と同様で、例えば６０〜３００μｍであることが好ましい。

（３）各実施の形態における効果
（３−１）第１の実施の形態について
第１の実施の形態においては、コネクタ２００の各接続用ピン２１が、導体パターン２の第１の端子部２ａおよび第２の端子部２ｂの傾斜した側面に接触することにより、各接続用ピン２１と導体パターン２とが電気的に接続される。

このような構成により、導体パターン２の錫めっき層２ｃから発生するウィスカーｗｈは上記側面に沿う方向へ成長する。それにより、ウィスカーｗｈがベース絶縁層１の表面方向に成長することが防止される。これにより、ウィスカーｗｈが隣り合う導体パターン２に接触することによって起こる導体パターン２間の短絡を防止することが可能となる。

以上により、簡単な構成で導体パターン２間の短絡を防止することが可能となる。したがって、配線回路基板１００の低コスト化および生産性の向上を実現することができる。

また、接続用ピン２１が接触する第１の端子部２ａおよび第２の端子部２ｂの上記各側面とベース絶縁層１の表面とのなす角度（鋭角）θは４５°〜８０°であることが好ましい。それにより、隣り合う導体パターン２へのウィスカーｗｈの接触を確実に防止することができるとともに、各接続用ピン２１と導体パターン２との接触による接続を良好に行うことができる。

（３−２）第２の実施の形態について
第２の実施の形態においては、コネクタ２００の各接続用ピン２１が、導体パターン２の凹状端子部２ｄの凹部２２の底面に接触することにより、各接続用ピン２１と導体パターン２とが電気的に接続される。

このような構成により、導体パターン２の錫めっき層２ｃから発生するウィスカーｗｈは、配線回路基板１００ａの略厚さ方向へ成長する。それにより、ウィスカーｗｈがベース絶縁層１の表面方向に成長することが防止される。これにより、ウィスカーｗｈが隣り合う導体パターン２に接触することによって起こる導体パターン２間の短絡を防止することが可能となる。

以上により、簡単な構成で導体パターン２間の短絡を防止することが可能となる。したがって、配線回路基板１００ａの低コスト化および生産性の向上を実現することができる。

（４）他の実施の形態
第１の実施の形態においてセミアディティブ法により配線回路基板１００を製造してもよい。この場合、図４（ｃ）〜（ｅ）の工程で第１の端子部２ａおよび第２の端子部２ｂを形成する。

また、第２の実施の形態においてサブトラクティブ法により配線回路基板１００ａを製造してもよい。この場合、エッチングにより凹状端子部２ｄを形成する。

また、上記各実施の形態において、配線回路基板１００，１００ａの製造方法として、サブトラクティブ法およびセミアディティブ法を用いたが、これに限定されるものではなく、フルアディティブ法等の他の方法を用いることも可能である。

さらに、第１の実施の形態では、第１および第２の端子部２ａ，２ｂ間が上下に貫通しているが、第１および第２の端子部２ａ，２ｂ間に導体パターン２の底面が存在してもよい。

（５）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各構成部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態においては、コネクタ２００の接続用ピン２１が接続端子に相当し、ベース絶縁層１が絶縁層に相当し、第１の端子部２ａ、第２の端子部２ｂおよび凹状端子部２ｄが端子部に相当し、錫めっき層２ｃが金属層に相当し、溝部２０および凹部２２が嵌合部に相当する。

以下、本発明の実施例について説明する。

（ａ）実施例１
上述した第１の実施の形態に基づいて配線回路基板１００を製造した。

第１の実施の形態では、配線回路基板１００における各構成部の設計上の好ましい寸法を範囲限定により示したものもあるが、本実施例ではそれらを以下のように設定した。

隣り合う導体パターン２の間隔Ｓ２は、１５０μｍとした。第１の端子部２ａおよび第２の端子部２ｂの幅Ｗ２は、１２５μｍとした。

また、第１の端子部２ａと第２の端子部２ｂとの間隔Ｓ１は、１００μｍとした。

さらに、第１の端子部２ａおよび第２の端子部２ｂの各側面とベース絶縁層１の表面とのなす角度θは、６０°とした。

（ｂ）実施例２
上述した第２の実施の形態に基づいて配線回路基板１００ａを製造した。

第２の実施の形態では、配線回路基板１００ａにおける各構成部の設計上の好ましい寸法を範囲限定により示したものもあるが、本実施例ではそれらを以下のように設定した。

凹状端子部２ｄの凹部２２の幅Ｗ３は、２００μｍとした。

また、凹状端子部２ｄの凹部２２の高さＴ１は、１８μｍ（３５μｍから１７μｍを減算）とした。

（ｃ）比較例
本比較例では、各導体パターン２において第１の端子部２ａおよび第２の端子部２ｂ（図３）を形成しないことを除いて、上記第１の実施の形態に基づいて配線回路基板１００ｂを製造した。

図６は、本比較例の配線回路基板１００ｂがコネクタ２００に接続された状態を示す模式図である。

図６（ａ）の上段には、配線回路基板１００ｂの各導体パターン２がコネクタ２００の各接続用ピン２１にそれぞれ接続されている状態の平面図が示されており、図６（ａ）の下段には、上記接続状態のＣ−Ｃ線断面図が示されている。また、図６（ｂ）には、図６（ａ）の下段の断面図の一部拡大図が示されている。

図６（ａ）に示すように、本比較例の配線回路基板１００ｂにおいては、各導体パターン２上に形成された錫めっき層２ｃにコネクタ２００の各接続用ピン２１がそれぞれ接触する。それにより、各導体パターン２と各接続用ピン２１とが電気的に接続される。

（ｄ）評価
実施例１、実施例２、および比較例で製造した配線回路基板１００，１００ａ，１００ｂをそれぞれコネクタ２００に嵌合させることにより電気的に接続した。

実施例１および実施例２の配線回路基板１００，１００ａにおいては、発生するウィスカーｗｈによる導体パターン２間の短絡は起こらず、配線回路基板１００，１００ａを良好に使用することができた。

一方、比較例の配線回路基板１００ｂにおいては、発生するウィスカーｗｈによる導体パターン２間の短絡が起こり、配線回路基板１００ｂを使用することができなかった。

以上により、上述の第１および第２の実施の形態に係る配線回路基板１００，１００ａの各導体パターン２とコネクタ２００の各接続用ピン２１との接触方法（図３および図５）の信頼性を確認することができた。

本発明は、種々の電気機器または電子機器等に利用することができる。

サブトラクティブ法による配線回路基板の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。 サブトラクティブ法による配線回路基板の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。 第１の実施の形態に係る配線回路基板がコネクタに接続された状態を示す模式図である。 セミアディティブ法による配線回路基板の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。 第２の実施の形態に係る配線回路基板がコネクタに接続された状態を示す模式図である。 比較例の配線回路基板がコネクタに接続された状態を示す模式図である。 従来において配線回路基板と電子機器のコネクタとを電気的に接続した状態を示す模式図である。

符号の説明

１ ベース絶縁層
１ａ 金属薄膜
２ 導体パターン
２ａ 第１の端子部
２ｂ 第２の端子部
２ｃ 錫めっき層
２ｄ 凹状端子部
３ 接着剤層
４ 補強層
５ カバー絶縁層
２０ 溝部
２１ 接続用ピン
２２ 凹部
１００，１００ａ 配線回路基板
２００ コネクタ
ｗｈ ウィスカー
θ 側面と表面とがなす角度

Claims (7)

1. 複数の接続端子に電気的に接続される配線回路基板であって、
   絶縁層と、
   前記絶縁層の一方の面上に形成された導体パターンからなり、前記接続端子が接触する複数の端子部と、
   前記複数の端子部の表面に形成され、錫を含む金属層とを備え、
   前記複数の端子部の各々は、前記複数の接続端子の各々が嵌り込む嵌合部を有することを特徴とする配線回路基板。
2. 前記嵌合部は断面逆台形状の溝部からなり、前記接続端子は前記溝部内の互いに対向する側面に接触することを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
3. 前記溝部内の各側面と前記絶縁層の表面とがなす鋭角が４５°以上８０°以下であることを特徴とする請求項２記載の配線回路基板。
4. 前記嵌合部は、断面矩形状の凹部からなり、前記接続端子は前記凹部内の底面に接触することを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
5. 前記凹部の深さは前記凹部の底面の領域における前記端子部の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項３記載の配線回路基板。
6. 前記端子部と反対側における前記絶縁層の他方の面上に補強層をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の配線回路基板。
7. 前記複数の端子部はストライプ状に形成され、
   前記嵌合部は、前記複数の端子部の各々の幅方向の中央部に長さ方向に沿って延びるように設けられることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の配線回路基板。

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