JP2007294483A

JP2007294483A - 配線回路基板

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Publication number: JP2007294483A
Application number: JP2006116975A
Authority: JP
Inventors: Kyoya Oyabu; 恭也大薮; Atsushi Ishii; 淳石井
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2006-04-20
Filing date: 2006-04-20
Publication date: 2007-11-08
Anticipated expiration: 2026-04-20
Also published as: EP1848253A1; CN101060756B; DE602007004373D1; EP1848253B1; JP4178166B2; CN101060756A

Abstract

【課題】静電気の帯電を効率的に除去することができ、しかも、高温高湿雰囲気下において、金属支持基板の腐食を防止することのできる、配線回路基板を提供すること。
【解決手段】金属支持基板２の上に、ベース開口部１１が形成されるベース絶縁層３を形成し、ベース絶縁層３の上に導体パターン４と、ベース開口部１１から露出する金属支持基板２の上に、ベース開口部１１内に充填されるグランド接続部７とを同時に形成し、ベース絶縁層３、導体パターン４およびグランド接続部７の上に半導電性層５を形成し、半導電性層５の上にカバー絶縁層６を形成する。この回路付サスペンション基板１では、導体パターン４に帯電する静電気を、半導電性層５およびグランド接続部７を介して効率的に除去でき、しかも半導電性層５は、金属支持基板２と直接接触せず、グランド接続部７を介して金属支持基板２と接続されるので、金属支持基板２の腐食を有効に防止できる。
【選択図】図２

Description

本発明は、配線回路基板、詳しくは、電子部品が実装される回路付サスペンション基板などの配線回路基板に関する。

回路付サスペンション基板などの配線回路基板では、例えば、ステンレス箔などからなる金属支持基板と、金属支持基板の上に形成され、ポリイミド樹脂などからなるベース絶縁層と、そのベース絶縁層上に形成され、銅箔などからなる導体パターンと、ベース絶縁層の上に、その導体パターンを被覆するポリイミド樹脂などからなるカバー絶縁層とを備えている。そして、このような配線回路基板は、各種の電気機器や電子機器の分野において、広く用いられている。

このような配線回路基板において、実装された電子部品の静電破壊を防止するために、カバー層の上に、導電ポリマー層を形成して、その導電ポリマー層によって、静電気の帯電を除去することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００４−１５８４８０号公報

しかし、特許文献１に記載されるカバー層の上に形成される導電ポリマー層のみでは、静電気の帯電の除去が不十分であり、実装される電子部品の静電破壊を確実に防止することができない場合がある。
そのため、例えば、回路付サスペンション基板において、半導電性層を、導体パターン、ベース絶縁層および金属支持基板の各表面に連続するように形成して、その半導電性層により、導体パターンに帯電する静電気を除去することが試案される。

しかし、半導電性層と金属支持基板とを直接接触させると、高温高湿雰囲気下において、この回路付サスペンション基板を使用する場合には、金属支持基板において結露などが生じ、金属支持基板が腐食することがある。
本発明の目的は、静電気の帯電を効率的に除去することができ、しかも、高温高湿雰囲気下において、金属支持基板の腐食を防止することのできる、配線回路基板を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンと、前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆するように形成される半導電性層と、前記金属支持基板の上に、前記金属支持基板および前記半導電性層と接触するように形成されるグランド接続部とを備えていることを特徴としている。

また、本発明の配線回路基板では、前記ベース絶縁層には、厚み方向を貫通するベース開口部が形成されており、前記グランド接続部は、前記ベース開口部内に設けられていることが好適である。

本発明の配線回路基板では、導体パターンを被覆するように形成される半導電性層と、金属支持基板および半導電性層と接触するように形成されるグランド接続部とを備えている。
そのため、導体パターンは、半導電性層とグランド接続部とを介して、金属支持基板と電気的に接続されるので、導体パターンに帯電する静電気を効率的に除去することができる。しかも、半導電性層は、金属支持基板と直接接触せず、グランド接続部を介して、金属支持基板と電気的に接続されるので、金属支持基板の腐食を有効に防止することができる。

その結果、実装される電子部品の静電破壊を確実に防止することができ、しかも、高温高湿雰囲気下における金属支持基板の腐食を有効に防止することができる。

図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す概略平面図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板のＡ−Ａ線における断面図である。なお、図１では、金属支持基板２に対する導体パターン４の相対配置を明確に示すために、後述するベース絶縁層３、半導電性層５およびカバー絶縁層６は省略されている。
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブに搭載され、磁気ヘッド（図示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ディスクとの間で相対的に走行させるときの空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小間隔を保持しながら支持する金属支持基板２に、磁気ヘッドとリード・ライト基板（外部）とを接続するための導体パターン４が一体的に形成されている。

導体パターン４は、磁気ヘッド側接続端子部８Ａと、外部側接続端子部８Ｂと、これら磁気ヘッド側接続端子部８Ａおよび外部側接続端子部８Ｂを接続するための配線９とを、一体的に連続して備えている。
配線９は、金属支持基板２の長手方向に沿って複数設けられ、金属支持基板２の幅方向（金属支持基板２の長手方向に直交する方向。以下、単に幅方向という場合がある。）において互いに間隔を隔てて並列配置されている。

磁気ヘッド側接続端子部８Ａは、金属支持基板２の先端部に配置され、各配線９の先端部がそれぞれ接続されるように、幅広のランドとして複数並列して設けられている。この磁気ヘッド側接続端子部８Ａには、磁気ヘッドの端子部（図示せず）が接続される。
外部側接続端子部８Ｂは、金属支持基板２の後端部に配置され、各配線９の後端部がそれぞれ接続されるように、幅広のランドとして複数並列して設けられている。この外部側接続端子部８Ｂには、リード・ライト基板の端子部（図示せず）が接続される。

また、金属支持基板２の先端部には、磁気ヘッドを実装するためのジンバル１０が設けられている。ジンバル１０は、磁気ヘッド側接続端子部８Ａを長手方向において挟むように、金属支持基板２を切り抜くことによって形成されている。
そして、この回路付サスペンション基板１は、図２に示すように、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成されるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン４と、金属支持基板２の上に形成されるグランド接続部７と、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４およびグランド接続部７を被覆するように形成される半導電性層５と、半導電性層５の上に形成されるカバー絶縁層６とを備えている。

金属支持基板２は、上記した回路付サスペンション基板１の外形形状に対応する長手方向に延びる平板状の薄板から形成されている。
金属支持基板２の長さ（長手方向長さ）および幅（幅方向長さ）は、目的および用途により、適宜選択される。
ベース絶縁層３は、金属支持基板２の上に、導体パターン４が形成される部分に対応して、グランド接続部７が形成される部分と、金属支持基板２の周端部とが露出するパターンとして形成されている。

より具体的には、ベース絶縁層３には、グランド接続部７を形成するために、その幅方向一方側において、導体パターン４の幅方向一方最外側の配線９と、幅方向外側に間隔を隔てて、厚み方向を貫通するように開口されるベース開口部１１が形成されている。
ベース開口部１１は、長手方向に延びる、平面視略矩形状に開口されており、後述するグランド接続部７の下部１２の形状に対応するように形成されている。

また、ベース絶縁層３の長さおよび幅は、目的および用途により、上記形状となるように、適宜選択される。
導体パターン４は、ベース絶縁層３の上で、上記したように互いに間隔を隔てて並列配置される複数の配線９と、各配線９の先端部および後端部にそれぞれ接続される磁気ヘッド側接続端子部８Ａおよび外部側接続端子部８Ｂとを一体的に備える配線回路パターンとして形成されている。なお、以下、磁気ヘッド側接続端子部８Ａおよび外部側接続端子部８Ｂは、特に区別が必要でない場合は、単に端子部８として説明する。

なお、導体パターン４は、ベース絶縁層３の上において、ベース開口部１１が形成される領域が確保されるように、配置されている。
各配線９の幅は、例えば、１０〜４００μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍ、各配線９間の間隔は、例えば、１０〜４００μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍである。
また、各端子部８の幅は、例えば、４０〜２００μｍ、好ましくは、５０〜１２０μｍ、各端子部８間の間隔は、例えば、２０〜２００μｍ、好ましくは、４０〜１２０μｍである。

グランド接続部７は、上記したベース絶縁層３のベース開口部１１内に充填されるように形成される下部１２と、下部１２の上端から、厚み方向上側と、長手方向両側および幅方向両側とに、膨出するように形成される上部１３とを、一体的に連続して備えている。
このグランド接続部７では、その下部１２の下面が、金属支持基板２と接触している。
グランド接続部７の下部１２の幅は、例えば、４０〜２０００μｍ、好ましくは、６０〜５００μｍ、グランド接続部７の上部１３の幅は、例えば、７０〜２０６０μｍ、好ましくは、９０〜５６０μｍである。また、グランド接続部７の下部１２および上部１３の長さは、目的、用途および製品のデザインに応じて、適宜選択される。

半導電性層５は、カバー絶縁層６に被覆されるベース絶縁層３の上に、導体パターン４およびグランド接続部７を被覆するように形成されている。すなわち、半導電性層５は、ベース絶縁層３、導体パターン４およびグランド接続部７と、カバー絶縁層６との間に介在されるように、形成されている。
また、半導電性層５は、ベース絶縁層３の周端部が露出するように、形成されている。より具体的には、半導電性層５は、導体パターン４の上面および側面と、グランド接続部７の上部１３の上面および側面と、導体パターン４およびグランド接続部７の上部１３から露出するベース絶縁層３の上面とに、長手方向および幅方向に沿って連続するように形成されている。

これにより、半導電性層５は、その厚み方向下側において、導体パターン４、グランド接続部７の上部１３およびベース絶縁層３と接触し、その厚み方向上側において、カバー絶縁層６と接触している。
カバー絶縁層６は、半導電性層５の上に形成され、より具体的には、平面視において半導電性層５と同一位置に設けられている。

すなわち、カバー絶縁層６は、導体パターン４の上面および側面に形成される半導電性層５の上面および側面と、グランド接続部７の上部１３の上面および側面に形成される半導電性層５の上面および側面と、導体パターン４およびグランド接続部７の上部１３から露出するベース絶縁層３の上面に形成される半導電性層５の上面とに、長手方向および幅方向に沿って連続するように形成されている。

また、カバー絶縁層６には、図示しないが、導体パターン４の端子部８が露出するように、端子部８に対応する部分が開口されている。
カバー絶縁層６の長さおよび幅は、目的および用途により、上記形状となるように、適宜選択される。
なお、この回路付サスペンション基板１において、端子部８の上面には、図示しない金属めっき層が形成されている。

図３は、図２に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図である。
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図３を参照して、説明する。
まず、この方法では、図３（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。
金属支持基板２としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属箔が用いられる。好ましくは、ステンレス箔が用いられる。金属支持基板２の厚みは、例えば、１０〜５１μｍ、好ましくは、１８〜２５μｍである。

次いで、この方法では、図３（ｂ）に示すように、ベース絶縁層３を、金属支持基板２の上に、導体パターン４が形成される部分に対応し、かつ、ベース開口部１１が形成されるパターンとして形成する。
ベース絶縁層３は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの樹脂からなる。耐熱性の観点からは、好ましくは、ポリイミド樹脂からなる。

ベース絶縁層３を上記したパターンとして形成するには、特に制限されず、公知の方法が用いられる。例えば、感光性樹脂（感光性ポリアミック酸樹脂）のワニスを、金属支持基板２の表面に塗布し、塗布されたワニスを乾燥して、ベース皮膜を形成する。次いで、ベース皮膜を、フォトマスクを介して露光した後、必要により加熱後、現像により上記したパターンを形成させ、その後、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。

このようにして形成されるベース絶縁層３の厚みは、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、５〜１２μｍである。
次いで、この方法では、図３（ｃ）に示すように、導体パターン４を、ベース絶縁層３の上に、上記した配線回路パターンとして形成すると同時に、グランド接続部７を、ベース絶縁層３のベース開口部１１から露出する金属支持基板２の上に、その下部１２がベース絶縁層３のベース開口部１１内に充填されるように、かつ、その上部１３がベース開口部１１の端縁を被覆するように形成する。

導体パターン４およびグランド接続部７は、ともに同一の導体から形成され、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体からなり、好ましくは、銅からなる。また、導体パターン４およびグランド接続部７は、ベース絶縁層３および金属支持基板２（ベース絶縁層３のベース開口部１１から露出する部分を含む。）の上面に、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法、好ましくは、アディティブ法によって、導体パターン４およびグランド接続部７を、上記したパターンとして形成する。

アディティブ法では、まず、ベース絶縁層３および金属支持基板２の表面に、導体薄膜を形成する。導体薄膜は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを積層する。
次いで、この導体薄膜の上面に、導体パターン４およびグランド接続部７のパターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する導体薄膜の上面に、電解めっきにより、導体パターン４およびグランド接続部７を形成し、その後に、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の導体薄膜を除去する。

また、サブトラクティブ法では、まず、ベース絶縁層３および金属支持基板２の上面に、必要により接着剤層を介して導体層を積層し、次いで、この導体層の上に、導体パターン４およびグランド接続部７のパターンと同一パターンのエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストをレジストとして、導体層をエッチングして、その後に、エッチングレジストを除去する。

このようにして形成される導体パターン４では、その厚みが、例えば、３〜２０μｍ、好ましくは、３〜１７μｍである。また、グランド接続部７の上部１３の厚みは、例えば、３〜２０μｍ、好ましくは、３〜１７μｍである。なお、グランド接続部７の下部１２の厚みは、ベース絶縁層３の厚みと同一である。
次いで、この方法では、図３（ｄ）に示すように、半導電性層５を、導体パターン４の表面と、グランド接続部７の上部１３の表面と、導体パターン４およびグランド接続部７の上部１３から露出するベース絶縁層３の表面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の表面とに、連続するように形成する。

半導電性層５を形成する半導電性材料としては、金属または樹脂が用いられる。
金属は、例えば、酸化金属などが用いられ、酸化金属としては、例えば、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化銅、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛などの金属酸化物が用いられる。好ましくは、酸化クロムが用いられる。
酸化金属からなる半導電性層５の形成は、特に制限されないが、例えば、金属をターゲットとしてスパッタリングした後、必要に応じて、加熱により酸化する方法、反応性スパッタリングする方法、酸化金属をターゲットとしてスパッタリングする方法などが用いられる。

金属をターゲットとしてスパッタリングした後、必要に応じて、加熱により酸化する方法では、例えば、クロムなどの金属をターゲットとして、アルゴンなどの不活性ガスを導入ガスとして導入するスパッタリング法によりスパッタリングした後、必要に応じて、加熱炉などを用いて、大気中で、５０〜４００℃、１分〜１２時間、加熱により酸化することにより、酸化金属からなる半導電性層５を形成する。

反応性スパッタリングする方法では、例えば、スパッタリング装置において、クロムなどの金属をターゲットとして、酸素を含む反応性ガスを導入ガスとして導入して、スパッタリングすることにより、酸化金属からなる半導電性層５を形成する。
酸化金属をターゲットとしてスパッタリングする方法では、例えば、スパッタリング装置において、酸化クロムなどの酸化金属をターゲットとして、アルゴンなどの不活性ガスを導入ガスとして導入して、スパッタリングすることにより、酸化金属からなる半導電性層５を形成する。

また、このような半導電性層５は、例えば、特開２００４−３３５７００号公報の記載に準拠して形成することができる。
樹脂としては、例えば、導電性粒子が分散される半導電性樹脂組成物などが用いられる。
半導電性樹脂組成物は、例えば、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性粒子および溶媒を含有している。

イミド樹脂としては、公知のイミド樹脂を用いることができ、例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミドなどが用いられる。
イミド樹脂前駆体としては、例えば、特開２００４−３５８２５号公報に記載されるイミド樹脂前駆体を用いることができ、例えば、ポリアミック酸樹脂が用いられる。
導電性粒子としては、例えば、導電性ポリマー粒子、カーボン粒子、金属粒子、酸化金属粒子などが用いられる。

導電性ポリマー粒子としては、例えば、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェンなどの粒子、またはこれらの誘導体の粒子が用いられる。好ましくは、ポリアニリン粒子が用いられる。なお、導電性ポリマー粒子は、ドーピング剤によるドーピングによって、導電性が付与される。
ドーピング剤としては、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ノボラック樹脂、ｐ−フェノールスルホン酸ノボラック樹脂、β−ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物などが用いられる。

ドーピングは、予め導電性ポリマー粒子を分散（溶解）する溶媒中に配合させておいてもよく、また、半導電性層５を形成した後、半導電性層５が形成された製造途中の回路付サスペンション基板１をドーピング剤の溶液に浸漬してもよい。
カーボン粒子としては、例えば、カーボンブラック粒子、例えば、カーボンナノファイバーなどが用いられる。

金属粒子としては、例えば、クロム、ニッケル、銅、チタン、ジルコニウム、インジウム、アルミニウム、亜鉛などの粒子が用いられる。
酸化金属粒子としては、例えば、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化銅、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛などの粒子、または、これらの複合酸化物の粒子、より具体的には、酸化インジウムと酸化スズとの複合酸化物の粒子（ＩＴＯ粒子）、酸化スズと酸化リンとの複合酸化物の粒子（ＰＴＯ粒子）などの粒子が用いられる。

これら導電性粒子は、単独使用または２種以上併用することができる。好ましくは、ＩＴＯ粒子が用いられる。
導電性粒子は、その平均粒子径が、例えば、１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは、１０ｎｍ〜４００ｎｍ、さらに好ましくは、１０ｎｍ〜１００ｎｍである。なお、導電性粒子がカーボンナノファイバーである場合には、例えば、その直径が１００〜２００ｎｍであり、その長さが、５〜２０μｍである。平均粒子径（直径）がこれより小さいと、平均粒子径（直径）の調整が困難となる場合があり、また、これより大きいと、塗布に不向きとなる場合がある。

溶媒は、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、および、導電性粒子を分散（溶解）できれば、特に制限されないが、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの非プロトン性極性溶媒が用いられる。また、これら溶媒は、単独使用または２種以上併用することができる。

そして、半導電性樹脂組成物は、上記したイミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性粒子、および、溶媒を配合することによって、調製することができる。
導電性粒子の配合割合は、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体１００重量部に対して、例えば、１〜３００重量部、好ましくは、５〜１００重量部である。導電性粒子の配合割合が、これより少ないと、導電性が十分でない場合がある。また、これより多いと、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体の良好な膜特性が損なわれる場合がある。

また、溶媒は、これらイミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、および、導電性粒子の総量が、半導電性樹脂組成物に対して、例えば、１〜４０重量％（固形分濃度）、好ましくは、５〜３０重量％（固形分濃度）となるように、配合する。固形分濃度がこれより少なくても多くても、目的の膜厚に制御することが困難となる場合がある。
上記調製した半導電性樹脂組成物を、導体パターン４の表面と、グランド接続部７の上部１３の表面と、導体パターン４およびグランド接続部７の上部１３から露出するベース絶縁層３の表面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の表面とに、例えば、ロールコート法、グラビアコート法、スピンコート法、バーコート法など公知の塗布方法により、均一に塗布する。その後、例えば、６０〜２５０℃、好ましくは、８０〜２００℃で、例えば、１〜３０分間、好ましくは、３〜１５分間加熱して乾燥する。

また、半導電性樹脂組成物が、イミド樹脂前駆体を含有する場合には、乾燥後、そのイミド樹脂前駆体を、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。
これにより、半導電性層５を、導体パターン４の表面と、グランド接続部７の上部１３の表面と、導体パターン４およびグランド接続部７の上部１３から露出するベース絶縁層３の表面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の表面とに、連続するように形成することができる。

このようにして形成された半導電性層５の厚みは、例えば、４０μｍ以下、好ましくは、１μｍ以下、通常、３ｎｍ以上である。
また、この半導電性層５の表面抵抗値は、例えば、１０⁵〜１０¹³Ω／□、好ましくは、１０⁵〜１０¹¹Ω／□、さらに好ましくは、１０⁶〜１０⁹Ω／□の範囲に設定される。半導電性層５の表面抵抗値がこれより小さいと、実装される電子部品の誤作動を生じる場合がある。また、半導電性層５の表面抵抗値がこれより大きいと、静電破壊を防止することができない場合がある。

次いで、この方法では、図３（ｅ）に示すように、カバー絶縁層６を、上記したパターンで、半導電性層５の上に、形成する。
カバー絶縁層６は、ベース絶縁層３と同様の樹脂、好ましくは、感光性の合成樹脂、さらに好ましくは、感光性ポリイミドからなる。
カバー絶縁層６を上記したパターンとして形成するには、特に制限されず、公知の方法が用いられる。例えば、感光性樹脂（感光性ポリアミック酸樹脂）のワニスを、半導電性層５の表面に塗布し、塗布されたワニスを乾燥して、カバー皮膜を形成する。次いで、カバー皮膜を、フォトマスクを介して露光した後、必要により加熱後、現像により上記したパターンを形成させ、その後、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。

このようにして形成されるカバー絶縁層６の厚みは、例えば、１〜４０μｍ、好ましくは、１〜７μｍである。
次いで、この方法では、図３（ｆ）に示すように、カバー絶縁層６から露出する半導電性層５をエッチングにより除去する。エッチングは、例えば、エッチング液として水酸化カリウム水溶液などのアルカリ水溶液を用いて、浸漬法またはスプレー法によって、カバー絶縁層６をエッチングレジストとして、ウエットエッチングする。

これにより、半導電性層５を、平面視においてカバー絶縁層６と同一位置に、形成することができる。
その後、この方法では、端子部８の上面に、必要に応じて、図示しない金属めっき層を形成した後、図１に示すように、金属支持基板２を、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバル１０を形成するとともに、外形加工することにより、回路付サスペンション基板１を得る。

そして、この回路付サスペンション基板１では、導体パターン４を被覆するように形成される半導電性層５と、金属支持基板２および半導電性層５と接触するように形成されるグランド接続部７とを備えている。
そのため、導体パターン４は、半導電性層５とグランド接続部７とを介して、金属支持基板２と電気的に接続されるので、導体パターン４に帯電する静電気を効率的に除去することができる。しかも、半導電性層４は、金属支持基板２と直接接触せず、グランド接続部７を介して、金属支持基板２と電気的に接続されるので、金属支持基板２の腐食を有効に防止することができる。

その結果、実装される電子部品の静電破壊を確実に防止することができ、しかも、高温高湿雰囲気下における金属支持基板２の腐食を有効に防止することができる。
さらに、この回路付サスペンション基板１では、ベース絶縁層３のベース開口部１１内に、グランド接続部７を、導体パターン４と同時に設けることができるので、効率的に、かつ、確実にグランド接続部７を設けることができる。

なお、上記した説明において、グランド接続部７を、配線９の幅方向一方側に１個設けたが、その配置および数はこれに限定されず、目的および用途に応じて、適宜選択することができる。
また、上記した説明において、グランド接続部７を、平面視略矩形状に形成したが、その形状はこれに限定されず、例えば、平面視略円形状など、適宜の形状に形成することもできる。

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
実施例１
厚み２０μｍのステンレス箔からなる金属支持基板を用意した（図３（ａ）参照）。
次いで、その金属支持基板の表面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、スピンコーターを用いて均一に塗布し、次いで、塗布されたワニスを、９０℃で１５分加熱することにより、ベース皮膜を形成した。その後、そのベース皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ²で露光させ、１９０℃で１０分加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像した。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させることにより、感光性ポリイミドからなるベース絶縁層を、金属支持基板の上に、導体パターンが形成される部分に対応し、かつ、ベース開口部が形成されるように形成した（図３（ｂ）参照）。このベース絶縁層の厚みは、１０μｍであった。また、ベース開口部は、平面視矩形状で、幅が８０μｍ、長さが３００μｍであった。

次いで、アディティブ法により、銅箔からなる厚み１０μｍの導体パターンを、ベース絶縁層の上面に、配線回路パターンとして形成すると同時に、銅箔からなるグランド接続部を、ベース絶縁層のベース開口部から露出する金属支持基板の上に、その下部がベース絶縁層のベース開口部内に充填されるように、かつ、その上部がベース開口部の端縁を被覆するように形成した（図３（ｃ）参照）。グランド接続部は、その上部および下部ともに、平面視矩形状であり、下部は、幅が８０μｍ、長さが３００μｍ、上部は、幅が１４０μｍ、長さが３６０μｍ、厚さが１０μｍであった。

次いで、導体パターン、グランド接続部、ベース絶縁層および金属支持基板の各表面に、クロムをターゲットとするスパッタリングによって、クロム薄膜からなるスパッタリング皮膜を形成した。
なお、スパッタリングは、特開２００４−３３５７００号公報の記載に準拠する方法で、下記の条件で実施した。
ターゲット：Ｃｒ
到達真空度：１．３３×１０^-3Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）：２．０×１０^-3ｍ³／ｈ
動作圧：０．１６Ｐａ
アース電極温度：２０℃
スパッタリング時間：３秒
スパッタリング皮膜の厚み：１００ｎｍ
次いで、１２５℃、１２時間、大気中で加熱することにより、クロム薄膜からなるスパッタリング皮膜の表面を酸化して、酸化クロム層からなる半導電性層を形成した（図３（ｄ）参照）。酸化クロム層の厚みは、１００ｎｍであった。

なお、酸化クロム層からなる半導電性層が形成されていることはＥＳＣＡにて確認した。また、この半導電性層の表面抵抗値を、表面抵抗測定装置（三菱化学（株）製、Ｈｉｒｅｓｔａ−ｕｐＭＣＰ−ＨＴ４５０）を用いて、温度２５℃、湿度１５％で測定したところ、１×１０⁷Ω／□であった。
次いで、上記した感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、半導電性層の表面に、スピンコーターを用いて均一に塗布し、９０℃で１０分加熱することにより、厚み７μｍのカバー皮膜を形成した。その後、そのカバー皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ²で露光させ、１８０℃で１０分加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、カバー皮膜をパターンニングした。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させた。これにより、感光性ポリイミドからなるカバー絶縁層を、上記したパターンで、半導電性層の上に、形成した（図３（ｅ）参照）。カバー絶縁層の厚みは、５μｍであった。

次いで、カバー絶縁層から露出する半導電性層を、カバー絶縁層をエッチングレジストとして、水酸化カリウム水溶液を用いたウエットエッチングにより、除去した（図３（ｆ）参照）。
その後、端子部の表面に、金属めっき層を形成した後、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバルを形成するとともに、外形加工することにより、回路付サスペンション基板を得た（図１参照）。

比較例１
実施例１の回路付サスペンション基板の製造において、グランド接続部を設けず、半導電性層を、直接金属支持基板と接触するように設けた以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を製造した（図４参照）。
すなわち、半導電性層は、幅方向において、導体パターンの上面および側面と、導体パターンから露出するベース絶縁層の上面および側面と、カバー絶縁層に被覆される金属支持基板の上面とに、形成した。

（評価）
耐腐食性
実施例１および比較例１により得られた回路付サスペンション基板の導体パターンに、８５℃、８５％ＲＨの雰囲気下で、３Ｖの電圧を、５００時間印加した。その後、断面ＥＤＸ（ＥｎｅｒｇｙＤｉｓｐｅｒｓｉｖｅＸ−ｒａｙ；エネルギー分散Ｘ線分光）により、金属支持基板の腐食状態を観察した。

その結果、比較例１では、鉄、ニッケル、クロムなどの金属支持基板由来の元素が検出された。一方、実施例１では、金属支持基板由来の元素が検出されなかった。
比較例１の回路付サスペンション基板では、半導電性層が金属支持基板と直接接触しており、高温高湿雰囲気下において、半導電性層と金属支持基板との接続部分で金属支持基板に電流が流れる。そのため、金属支持基板において生じる結露と、上記した接触部分に流れる電流とにより、電流腐食が進行することにより、上記した元素が析出したものと推測される。

しかし、実施例１の回路付サスペンション基板では、半導電性層が金属支持基板と直接接触せず、半導電性層はグランド接続部を介して金属支持基板と電気的に接続されるのみである。そのため、たとえ金属支持基板に結露が生じても、その結露がグランド接続部には至らず、グランド接続部に流れる電流のみによっては、上記した電流腐食が生じず、上記した元素が析出しなかったものと推測される。

本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す概略平面図である。図１に示す回路付サスペンション基板のＡ−Ａ線における断面図である。図２に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を、金属支持基板の上に形成する工程、（ｃ）は、導体パターンおよびグランド接続部を、同時に形成する工程、（ｄ）は、半導電性層を、導体パターンと、グランド接続部の上部と、ベース絶縁層と、金属支持基板との表面に、連続するように形成する工程、（ｅ）は、カバー絶縁層を、半導電性層の上に、形成する工程、（ｆ）は、カバー絶縁層から露出する半導電性層をエッチングにより除去する工程を示す。半導電性層が金属支持基板と直接接触する、比較例１の回路付サスペンション基板の断面図である。

符号の説明

１回路付サスペンション基板
２金属支持基板
３ベース絶縁層
４導体パターン
５半導電性層
７グランド接続部
１１ベース開口部

Claims

金属支持基板と、
前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、
前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンと、
前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆するように形成される半導電性層と、
前記金属支持基板の上に、前記金属支持基板および前記半導電性層と接触するように形成されるグランド接続部と
を備えていることを特徴とする、配線回路基板。
前記ベース絶縁層には、厚み方向を貫通するベース開口部が形成されており、
前記グランド接続部は、前記ベース開口部内に設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。