JP2007290013A - Cutting method for shielded conductor layer, and laser beam machining apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、シールド導体層側面に切断されないシールド線が残ることがなく、且つ内部導体とシールド導体層との絶縁性を十分に確保できるシールド導体層の切断方法及びレーザ加工装置に関する。 The present invention relates to a shield conductor layer cutting method and a laser processing apparatus that do not leave uncut shield wires on the side surfaces of a shield conductor layer and that can sufficiently ensure insulation between an internal conductor and a shield conductor layer.
近年、ノートパソコン、携帯電話、小型ビデオカメラ等の普及で、これら情報通信機器の小型・軽量化の他に高速・高画質化が求められている。これに対応するために、内部導体の外周に内部絶縁体、外部導体、外被を同軸状に順次形成した極めて細い電線(ケーブルという場合もある)が使用されている。また、その他の制御機器、例えば、医療用超音波探触子等で不要なノイズが混入するのを防止するのに、同様な電線がシールド電線として使用されている。以下、上記の同軸状の電線を或いはシールド電線を含めて、シールドケーブルとする。 In recent years, with the spread of notebook computers, mobile phones, small video cameras, and the like, in addition to the reduction in size and weight of these information communication devices, high speed and high image quality are required. In order to cope with this, an extremely thin electric wire (sometimes referred to as a cable) in which an inner insulator, an outer conductor, and a jacket are sequentially formed on the outer periphery of the inner conductor in a coaxial manner is used. In addition, in order to prevent unnecessary noise from being mixed in other control devices such as a medical ultrasonic probe, a similar electric wire is used as a shielded electric wire. Hereinafter, the coaxial cable or the shielded cable including the shielded cable is referred to as a shielded cable.
通常、シールドケーブルは複数本を束ねて使用され、その端部はフラット状にされて電気コネクタに接続される。電気コネクタとの接続に際しては、シールドケーブルに内部導体及び外部導体を電気接続するための端末形成が必要となる。しかし、ケーブル外径が1mm以下のような極細で、内部絶縁体の厚さが数十μm程度となると、ケーブルの配列ピッチ、電気的性能を損なうことなく接続端末を形成するのは容易ではない。このため、この種のシールドケーブルの端末形成について、今までに種々の提案がされている。 Usually, a plurality of shielded cables are used by bundling them, and the ends thereof are flattened and connected to an electrical connector. When connecting to the electrical connector, it is necessary to form a terminal for electrically connecting the inner conductor and the outer conductor to the shielded cable. However, when the outer diameter of the cable is as fine as 1 mm or less and the thickness of the internal insulator is about several tens of μm, it is not easy to form a connection terminal without impairing the cable arrangement pitch and electrical performance. . For this reason, various proposals have heretofore been made for the terminal formation of this type of shielded cable.
図10は、従来のシールドケーブルの構造例を示す断面図である。
内部導体(中心導体)2は、例えば、外径約0.025mmの錫めっきされた銅合金線が7本撚って形成され、その外面をフッ素樹脂からなる絶縁材で厚さ0.04mm〜0.055mm程度に被覆して内部絶縁体(内部誘電体)3としている。内部絶縁体3の外周面に配する外部導体(シールド導体層)4は、例えば、外径約0.03mmの複数本の銅合金線のようなシールド線4aを横巻で巻きつけて形成し、その外面に厚さ約0.004mm程度のポリエステルテープを2枚重ね巻きして互いに融着して外被(ジャケット)5とし、外径が約0.3mm以下のシールドケーブル1が得られるように形成される。なお、シールド導体層4の外面に銅蒸着テープ(図示せず)を銅蒸着面を内側にして巻きつけてもよく、また、シールド導体層4は、シールド線の巻方向を反対にして2層に巻付けた構造であってもよく、この他、編組構造であってもよい(例えば特許文献1参照)。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a structural example of a conventional shielded cable.
The inner conductor (center conductor) 2 is formed, for example, by twisting seven tin-plated copper alloy wires having an outer diameter of about 0.025 mm, and the outer surface is made of an insulating material made of fluororesin and has a thickness of 0.04 mm to The inner insulator (inner dielectric) 3 is formed to cover about 0.055 mm. The outer conductor (shield conductor layer) 4 disposed on the outer peripheral surface of the
次に、従来のシールドケーブルにおけるシールド導体層の切断方法について説明する。
図11は、図10に示すシールドケーブルのシールド層4をレーザ光によって切断する方法及びその方法による問題点を説明する図である。図11では、シールド導体層4及び内部導体2を模式的に示しているが、図11においても実際は図10に示すシールド導体層4及び内部導体2と同じ構造になっている。
Next, a method for cutting the shield conductor layer in the conventional shielded cable will be described.
FIG. 11 is a diagram for explaining a method of cutting the
まず、図10に示すジャケット5を剥離した状態のシールドケーブル1を図示せぬ保持機構により固定して保持し、シールドケーブルの上方からシールド導体層4にレーザ光を矢印のようにスキャンしながら照射する。次いで、前記シールドケーブル1の下方からシールド導体層4にレーザ光を矢印のようにスキャンしながら照射する。このようにシールド導体層4の全体にレーザ光を照射することによりシールド導体層4を切断する。
First, the shielded
上述したシールド導体層をレーザ光によって切断する方法では、レーザ光を上方と下方の2方向からシールド導体層4に照射するため、シールド導体層側面6においては上方からのレーザ光も下方からのレーザ光も隣り合うシールド線4aによって遮られ、レーザ光の照射が不十分になる。その結果、シールド導体層側面6において切断されないシールド線4aが残ることがある。
In the above-described method of cutting the shield conductor layer with the laser beam, the laser beam is irradiated onto the
一方、シールド導体層側面6においてもシールド線4aが完全に切断されるような高出力条件でレーザ光を照射すると、レーザ光の照射方向の正面に位置するシールド導体層4をレーザ光が貫通し、そのレーザ光が内部絶縁体3まで達してしまい、その結果、図11に示すように内部絶縁体に傷が入る部分7が生じてしまう。この部分7では、内部絶縁体3の電気的絶縁性が低下するため、内部導体2とシールド導体層4との絶縁を十分に確保することができないことがある。
On the other hand, when the laser beam is irradiated on the shield
また、上記従来の切断方法において、スキャン回数を多くするとスキャン速度によらずシールド導体層を溶融切断しやすく、スキャン回数が少ない場合にはシールド線の切り残しが多くなる傾向がある。また、スキャン回数を多くした場合の内部誘電体のダメージは、スキャン速度が速いほど軽減される傾向がある。 In the conventional cutting method, when the number of scans is increased, the shield conductor layer is easily melted and cut regardless of the scan speed, and when the number of scans is small, there is a tendency that uncut portions of the shield wire are increased. In addition, the damage to the internal dielectric when the number of scans is increased tends to be reduced as the scan speed increases.
上述したように、シールド導体層側面6において切断されないシールド線4aが残ったり、内部絶縁体に傷が入る部分7が生じるのは、レーザ光を上方と下方の2方向から照射することに原因があると考えられる。
As described above, the
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、シールド導体層側面に切断されないシールド線が残ることがなく、且つ内部導体とシールド導体層との絶縁性を十分に確保できるシールド導体層の切断方法及びレーザ加工装置を提供することにある。 The present invention has been made in consideration of the above-described circumstances, and the object thereof is to prevent unshielded shield wires from remaining on the side surfaces of the shield conductor layer, and to provide sufficient insulation between the inner conductor and the shield conductor layer. It is another object of the present invention to provide a method of cutting a shield conductor layer and a laser processing apparatus that can be ensured.
上記課題を解決するため、本発明に係るシールド導体層の切断方法は、中心導体と、該中心導体を被覆するように配置された内部絶縁体と、該内部絶縁体を被覆するように配置されたシールド導体層とを備えたシールドケーブルを準備し、
前記シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向である少なくとも3方向から前記シールド導体層にレーザ光を照射することによって前記シールド導体層を切断するものであり、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う2本の光軸が作る角度が180°未満であることを特徴とする。
In order to solve the above-described problems, a shielding conductor layer cutting method according to the present invention includes a central conductor, an internal insulator disposed to cover the central conductor, and an internal insulator. Prepare a shielded cable with a shielded conductor layer
Cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with laser light from at least three directions which are substantially perpendicular to the longitudinal direction of the shield cable;
The angle formed by two adjacent optical axes of the laser light applied to the shield conductor layer is less than 180 °.
上記シールド導体層の切断方法によれば、シールド導体層に少なくとも3方向からレーザ光を照射しているため、従来技術のようにレーザ光を上方と下方の2方向からシールド導体層に照射するのに比べ、シールド導体層側面においても切断されないシールド導体層が残ることを防止でき、シールド導体層全体を完全に且つ安定して切断することができる。これと共に、少なくとも3方向からレーザ光を照射することにより、全てのシールド導体層が完全に切断されるような条件でレーザ光を照射しても、内部絶縁体に傷が入る部分が生じることを抑制できる。従って、内部絶縁体の電気的絶縁性が低下することを防止でき、内部導体とシールド導体層との絶縁性を十分に確保することができる。 According to the method for cutting the shield conductor layer, the shield conductor layer is irradiated with the laser light from at least three directions, so that the shield conductor layer is irradiated from the upper and lower two directions as in the prior art. In comparison with this, it is possible to prevent the shield conductor layer that is not cut even from the side of the shield conductor layer from remaining, and the entire shield conductor layer can be cut completely and stably. At the same time, by irradiating the laser beam from at least three directions, even if the laser beam is irradiated under the condition that all the shield conductor layers are completely cut, a part of the internal insulator is damaged. Can be suppressed. Therefore, it is possible to prevent the electrical insulation of the internal insulator from being deteriorated, and to sufficiently secure the insulation between the internal conductor and the shield conductor layer.
また、本発明に係るシールド導体層の切断方法において、前記2本の光軸が作る角度が150°以下であることが好ましい。 In the shield conductor layer cutting method according to the present invention, it is preferable that an angle formed by the two optical axes is 150 ° or less.
また、本発明に係るシールド導体層の切断方法において、前記シールド導体層に4方向からレーザ光を照射するものであって、隣り合わないレーザ光の光軸どうしは略一直線を成すように配置されることが好ましい。 Further, in the method for cutting a shield conductor layer according to the present invention, the shield conductor layer is irradiated with laser light from four directions, and the optical axes of the laser beams that are not adjacent to each other are arranged so as to form a substantially straight line. It is preferable.
また、本発明に係るシールド導体層の切断方法において、前記シールドケーブルを準備する際、複数本並べたシールドケーブルを準備し、前記シールド導体層にレーザ光を照射する際、前記レーザ光又は前記シールドケーブルをスライドさせることにより前記レーザ光をスキャン照射することが好ましい。 Further, in the method for cutting a shield conductor layer according to the present invention, when preparing the shield cable, when preparing a plurality of shield cables, and irradiating the shield conductor layer with laser light, the laser light or the shield It is preferable to scan and irradiate the laser beam by sliding a cable.
本発明に係るレーザ加工装置は、中心導体と、該中心導体を被覆するように配置された内部絶縁体と、該内部絶縁体を被覆するように配置されたシールド導体層とを備えたシールドケーブルを保持し、前記シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向から前記シールド導体層にレーザ光を照射することによって前記シールド導体層を切断するレーザ加工装置であって、
レーザ光を照射するレーザ照射機構と、
前記レーザ照射機構によって照射されたレーザ光を第1の方向又は第2の方向に反射させる第1の反射ミラーと、
前記第1の反射ミラーによって前記第1の方向に反射された前記レーザ光を、第3の方向に反射させる第2の反射ミラーと、
前記第2の反射ミラーによって前記第3の方向に反射された前記レーザ光を、第4の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第3の反射ミラーと、
前記第3の方向に反射された前記レーザ光の光軸から前記第3の反射ミラーを外すようにスライドさせるミラースライド機構と、
前記第3の方向に反射された前記レーザ光の光軸から前記第3の反射ミラーを外した状態で、前記第2の反射ミラーによって前記第3の方向に反射された前記レーザ光を、第5の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第4の反射ミラーと、
前記第1の反射ミラーによって前記第2の方向に反射された前記レーザ光を、第6の方向に反射させる第5の反射ミラーと、
前記第5の反射ミラーによって前記第6の方向に反射された前記レーザ光を、第7の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第6の反射ミラーと、
を具備し、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う2本の光軸が作る角度が180°未満であることを特徴とする。
A laser processing apparatus according to the present invention includes a central conductor, an internal insulator disposed so as to cover the central conductor, and a shielded conductor layer disposed so as to cover the internal insulator. A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with laser light from a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction of the shield cable,
A laser irradiation mechanism for irradiating laser light;
A first reflection mirror that reflects the laser light emitted by the laser irradiation mechanism in a first direction or a second direction;
A second reflecting mirror that reflects the laser beam reflected in the first direction by the first reflecting mirror in a third direction;
A third reflection mirror that reflects the laser light reflected in the third direction by the second reflection mirror in a fourth direction and irradiates the shield conductor layer;
A mirror slide mechanism that slides so as to remove the third reflection mirror from the optical axis of the laser beam reflected in the third direction;
The laser beam reflected in the third direction by the second reflecting mirror in a state where the third reflecting mirror is removed from the optical axis of the laser beam reflected in the third direction. A fourth reflecting mirror that reflects in the direction of 5 and irradiates the shield conductor layer;
A fifth reflecting mirror that reflects the laser light reflected in the second direction by the first reflecting mirror in a sixth direction;
A sixth reflecting mirror that reflects the laser light reflected in the sixth direction by the fifth reflecting mirror in a seventh direction and irradiates the shield conductor layer;
Comprising
The angle formed by two adjacent optical axes of the laser light applied to the shield conductor layer is less than 180 °.
本発明に係るレーザ加工装置は、中心導体と、該中心導体を被覆するように配置された内部絶縁体と、該内部絶縁体を被覆するように配置されたシールド導体層とを備えたシールドケーブルを保持し、前記シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向から前記シールド導体層にレーザ光を照射することによって前記シールド導体層を切断するレーザ加工装置であって、
レーザ光を照射するレーザ照射機構と、
前記レーザ照射機構によって照射されたレーザ光を第1の方向又は第2の方向に反射させる第1の反射ミラーと、
前記第1の反射ミラーによって前記第1の方向に反射された前記レーザ光を、第3の方向に反射させる第2の反射ミラーと、
前記第2の反射ミラーによって前記第3の方向に反射された前記レーザ光を、第4の方向又は第5の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第3の反射ミラーを備えた第1のミラースライドユニットと、
前記第1のミラースライドユニットに設けられた前記第3の反射ミラーをスライドさせる第1のスライド機構と、
前記第1のミラースライドユニットに設けられた前記第3の反射ミラーを回転させる第1の回転機構と、
前記第1の反射ミラーによって前記第2の方向に反射された前記レーザ光を、第6の方向に反射させる第4の反射ミラーと、
前記第4の反射ミラーによって前記第6の方向に反射された前記レーザ光を、第7の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第5の反射ミラーと、
を具備し、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う2本の光軸が作る角度が180°未満であることを特徴とする。
A laser processing apparatus according to the present invention includes a central conductor, an internal insulator disposed so as to cover the central conductor, and a shielded conductor layer disposed so as to cover the internal insulator. A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with laser light from a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction of the shield cable,
A laser irradiation mechanism for irradiating laser light;
A first reflection mirror that reflects the laser light emitted by the laser irradiation mechanism in a first direction or a second direction;
A second reflecting mirror that reflects the laser beam reflected in the first direction by the first reflecting mirror in a third direction;
A third reflection mirror that irradiates the shield conductor layer with the laser light reflected in the third direction by the second reflection mirror in a fourth direction or a fifth direction; 1 mirror slide unit,
A first slide mechanism for sliding the third reflection mirror provided in the first mirror slide unit;
A first rotating mechanism for rotating the third reflecting mirror provided in the first mirror slide unit;
A fourth reflecting mirror that reflects the laser light reflected in the second direction by the first reflecting mirror in a sixth direction;
A fifth reflecting mirror that reflects the laser light reflected in the sixth direction by the fourth reflecting mirror in a seventh direction and irradiates the shield conductor layer;
Comprising
The angle formed by two adjacent optical axes of the laser light applied to the shield conductor layer is less than 180 °.
また、本発明に係るレーザ加工装置において、前記第4の方向、前記第5の方向及び前記第7の方向それぞれから照射される前記レーザ光の光軸上に、それぞれ回転機構によって回転させて配置される回転レンズをさらに具備することも可能である。 Further, in the laser processing apparatus according to the present invention, the optical axis of the laser beam irradiated from each of the fourth direction, the fifth direction, and the seventh direction is respectively rotated by a rotation mechanism. It is also possible to further comprise a rotating lens.
また、本発明に係るレーザ加工装置において、前記第5の反射ミラーに代えて第2のミラースライドユニットが配置されており、
前記第2のミラースライドユニットは、前記第4の反射ミラーによって前記第6の方向に反射された前記レーザ光を、第7の方向又は第8の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第5の反射ミラーを備えており、
前記第2のミラースライドユニットは、前記第5の反射ミラーをスライドさせる第2のスライド機構と、前記第5の反射ミラーを回転させる第2の回転機構とを有していることも可能である。
Further, in the laser processing apparatus according to the present invention, a second mirror slide unit is arranged instead of the fifth reflecting mirror,
The second mirror slide unit irradiates the shield conductor layer by reflecting the laser beam reflected in the sixth direction by the fourth reflecting mirror in a seventh direction or an eighth direction. A fifth reflecting mirror,
The second mirror slide unit may include a second slide mechanism that slides the fifth reflection mirror and a second rotation mechanism that rotates the fifth reflection mirror. .
本発明に係るレーザ加工装置は、中心導体と、該中心導体を被覆するように配置された内部絶縁体と、該内部絶縁体を被覆するように配置されたシールド導体層とを備えたシールドケーブルを保持し、前記シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向から前記シールド導体層にレーザ光を照射することによって前記シールド導体層を切断するレーザ加工装置であって、
レーザ光を照射するレーザ照射機構と、
前記レーザ照射機構によって照射されたレーザ光の一部を第1の方向に反射させると共に前記レーザ光の一部を透過させる第1のハーフミラーと、
前記第1のハーフミラーによって前記第1の方向に反射された前記レーザ光を、第2の方向に反射させる第1の反射ミラーと、
前記第1の反射ミラーによって前記第2の方向に反射された前記レーザ光の一部を第3の方向に反射させて前記シールド導体層に照射すると共に前記レーザ光の一部を透過させる第2のハーフミラーと、
前記第2のハーフミラーによって透過された前記レーザ光を、第4の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第2の反射ミラーと、
前記第1のハーフミラーによって透過された前記レーザ光を、第5の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第3の反射ミラーと、
を具備し、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う2本の光軸が作る角度が180°未満であることを特徴とする。
A laser processing apparatus according to the present invention includes a central conductor, an internal insulator disposed so as to cover the central conductor, and a shielded conductor layer disposed so as to cover the internal insulator. A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with laser light from a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction of the shield cable,
A laser irradiation mechanism for irradiating laser light;
A first half mirror that reflects part of the laser light emitted by the laser irradiation mechanism in a first direction and transmits part of the laser light;
A first reflecting mirror that reflects the laser light reflected in the first direction by the first half mirror in a second direction;
A part of the laser beam reflected in the second direction by the first reflecting mirror is reflected in a third direction to irradiate the shield conductor layer and to transmit a part of the laser beam. Half mirror and
A second reflection mirror that reflects the laser light transmitted by the second half mirror in a fourth direction and irradiates the shield conductor layer;
A third reflecting mirror that reflects the laser light transmitted by the first half mirror in a fifth direction and irradiates the shield conductor layer;
Comprising
The angle formed by two adjacent optical axes of the laser light applied to the shield conductor layer is less than 180 °.
また、本発明に係るレーザ加工装置において、前記第1のハーフミラーと前記第3の反射ミラーの間に配置され、前記第1のハーフミラーによって透過された前記レーザ光の一部を第6の方向に反射させて前記シールド導体層に照射すると共に前記レーザ光の一部を透過させる第3のハーフミラーをさらに具備することも可能である。 In the laser processing apparatus according to the present invention, a part of the laser beam disposed between the first half mirror and the third reflection mirror and transmitted by the first half mirror It is also possible to further include a third half mirror that reflects in the direction and irradiates the shield conductor layer and transmits a part of the laser beam.
本発明に係るレーザ加工装置は、中心導体と、該中心導体を被覆するように配置された内部絶縁体と、該内部絶縁体を被覆するように配置されたシールド導体層とを備えたシールドケーブルを保持し、前記シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向から前記シールド導体層にレーザ光を照射することによって前記シールド導体層を切断するレーザ加工装置であって、
レーザ光を照射するレーザ照射機構と、
前記レーザ照射機構によって照射されたレーザ光を第1乃至第3の方向に反射させる回転反射ミラーと、
前記回転反射ミラーによって前記第1の方向に反射された前記レーザ光を、第4の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第1の反射ミラーと、
前記回転反射ミラーによって前記第2の方向に反射された前記レーザ光を、第5の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第2の反射ミラーと、
前記回転反射ミラーによって前記第3の方向に反射された前記レーザ光を、第6の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第3の反射ミラーと、
を具備し、
前記回転反射ミラーは、該回転反射ミラーを回転させる回転機構を有し、該回転機構によって前記回転反射ミラーの向きを調整するものであり、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う2本の光軸が作る角度が180°未満であることを特徴とする。
A laser processing apparatus according to the present invention includes a central conductor, an internal insulator disposed so as to cover the central conductor, and a shielded conductor layer disposed so as to cover the internal insulator. A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with laser light from a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction of the shield cable,
A laser irradiation mechanism for irradiating laser light;
A rotary reflection mirror that reflects the laser light emitted by the laser irradiation mechanism in first to third directions;
A first reflection mirror that reflects the laser light reflected in the first direction by the rotary reflection mirror in a fourth direction and irradiates the shield conductor layer;
A second reflecting mirror that reflects the laser light reflected in the second direction by the rotary reflecting mirror in a fifth direction and irradiates the shield conductor layer;
A third reflection mirror that reflects the laser light reflected in the third direction by the rotary reflection mirror in a sixth direction and irradiates the shield conductor layer;
Comprising
The rotation reflection mirror has a rotation mechanism for rotating the rotation reflection mirror, and adjusts the direction of the rotation reflection mirror by the rotation mechanism,
The angle formed by two adjacent optical axes of the laser light applied to the shield conductor layer is less than 180 °.
本発明に係るレーザ加工装置は、中心導体と、該中心導体を被覆するように配置された内部絶縁体と、該内部絶縁体を被覆するように配置されたシールド導体層とを備えたシールドケーブルを保持し、前記シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向から前記シールド導体層にレーザ光を照射することによって前記シールド導体層を切断するレーザ加工装置であって、
第1のレーザ光を前記シールド導体層に照射する第1のレーザ照射機構と、
第2のレーザ光を前記シールド導体層に照射する第2のレーザ照射機構と、
第3のレーザ光を前記シールド導体層に照射する第3のレーザ照射機構と、
を具備し、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う2本の光軸が作る角度が180°未満であることを特徴とする。
A laser processing apparatus according to the present invention includes a central conductor, an internal insulator disposed so as to cover the central conductor, and a shielded conductor layer disposed so as to cover the internal insulator. A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with laser light from a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction of the shield cable,
A first laser irradiation mechanism for irradiating the shield conductor layer with a first laser beam;
A second laser irradiation mechanism for irradiating the shield conductor layer with a second laser beam;
A third laser irradiation mechanism for irradiating the shield conductor layer with a third laser beam;
Comprising
The angle formed by two adjacent optical axes of the laser light applied to the shield conductor layer is less than 180 °.
本発明に係るレーザ加工装置は、中心導体と、該中心導体を被覆するように配置された内部絶縁体と、該内部絶縁体を被覆するように配置されたシールド導体層とを備えたシールドケーブルを保持し、前記シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向から前記シールド導体層にレーザ光を照射することによって前記シールド導体層を切断するレーザ加工装置であって、
第1のレーザ光を第1の方向に照射する第1のレーザ照射機構と、
前記第1のレーザ照射機構によって照射された第1のレーザ光を第2の方向に反射させる第1の反射ミラーと、
前記第1の反射ミラーを、前記第1の方向に沿ってスライドさせるスライド機構と、
前記第1の反射ミラーによって前記第2の方向に反射された前記第1のレーザ光を、第3の方向又は第4の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第1の放物面鏡と、
第2のレーザ光を、前記第1の方向と平行で且つ略180°回転させた第5の方向に照射する第2のレーザ照射機構と、
前記第2のレーザ照射機構によって照射された第2のレーザ光を第6の方向に反射させる第2の反射ミラーと、
前記第2の反射ミラーによって前記第6の方向に反射された前記第2のレーザ光を、第7の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第3の反射ミラーと、
を具備し、
前記第1の放物面鏡は、前記スライド機構によって前記第1の反射ミラーをスライドさせることにより、前記第1のレーザ光を前記第3の方向又は前記第4の方向に反射させるものであり、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う2本の光軸が作る角度が180°未満であることを特徴とする。
また、本発明に係るレーザ加工装置において、前記第3の反射ミラーに代えて第2の放物面鏡を具備し、前記第2の反射ミラーを、前記第5の方向に沿ってスライドさせるスライド機構を有し、前記第2の放物面鏡は、前記スライド機構によって前記第2の反射ミラーをスライドさせることにより、前記第2のレーザ光を前記第7の方向又は第8の方向に反射させるものであることも可能である。
A laser processing apparatus according to the present invention includes a central conductor, an internal insulator disposed so as to cover the central conductor, and a shielded conductor layer disposed so as to cover the internal insulator. A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with laser light from a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction of the shield cable,
A first laser irradiation mechanism for irradiating a first laser beam in a first direction;
A first reflecting mirror that reflects the first laser beam irradiated by the first laser irradiation mechanism in a second direction;
A slide mechanism for sliding the first reflecting mirror along the first direction;
A first paraboloid that reflects the first laser beam reflected in the second direction by the first reflecting mirror in a third direction or a fourth direction to irradiate the shield conductor layer. With a mirror,
A second laser irradiation mechanism for irradiating a second laser beam in a fifth direction that is parallel to the first direction and rotated by approximately 180 °;
A second reflecting mirror that reflects the second laser light irradiated by the second laser irradiation mechanism in a sixth direction;
A third reflecting mirror that reflects the second laser light reflected in the sixth direction by the second reflecting mirror in a seventh direction and irradiates the shield conductor layer;
Comprising
The first parabolic mirror reflects the first laser light in the third direction or the fourth direction by sliding the first reflecting mirror by the sliding mechanism. ,
The angle formed by two adjacent optical axes of the laser light applied to the shield conductor layer is less than 180 °.
In the laser processing apparatus according to the present invention, a second parabolic mirror is provided instead of the third reflecting mirror, and the second reflecting mirror is slid along the fifth direction. And the second parabolic mirror reflects the second laser light in the seventh direction or the eighth direction by sliding the second reflecting mirror by the sliding mechanism. It is also possible to make it.
本発明に係るレーザ加工装置は、中心導体と、該中心導体を被覆するように配置された内部絶縁体と、該内部絶縁体を被覆するように配置されたシールド導体層とを備えたシールドケーブルを保持し、前記シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向から前記シールド導体層にレーザ光を照射することによって前記シールド導体層を切断するレーザ加工装置であって、
レーザ光を前記シールド導体層に照射するレーザ照射機構と、
前記シールドケーブルを回転させる回転機構と、
を具備し、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う2本の光軸が作る角度が180°未満であることを特徴とする。
A laser processing apparatus according to the present invention includes a central conductor, an internal insulator disposed so as to cover the central conductor, and a shielded conductor layer disposed so as to cover the internal insulator. A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with laser light from a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction of the shield cable,
A laser irradiation mechanism for irradiating the shield conductor layer with laser light;
A rotating mechanism for rotating the shielded cable;
Comprising
The angle formed by two adjacent optical axes of the laser light applied to the shield conductor layer is less than 180 °.
以上説明したように本発明によれば、シールド導体層側面に切断されないシールド線が残ることがなく、且つ内部導体とシールド導体層との絶縁性を十分に確保できるシールド導体層の切断方法及びレーザ加工装置を提供することができる。 As described above, according to the present invention, the shield conductor layer cutting method and the laser can ensure sufficient insulation between the inner conductor and the shield conductor layer without leaving uncut shield wires on the side surfaces of the shield conductor layer. A processing apparatus can be provided.
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1によるレーザ加工装置の構成を示す模式図である。
このレーザ加工装置は、例えば図10及び図11に示すシールドケーブル1におけるシールド導体層4に4方向からレーザ光を照射することによりシールド導体層4を切断する装置である。前記シールドケーブル1は例えばAWG(American Wire Gauge)30以上のような極細同軸線であり、前記シールド導体層4は図10に示すように複数のシールド線4aによって構成され、シールド線4aの材質はAWG42番線の場合で例えば外径約0.03mmの錫メッキ銅合金線である。尚、本実施の形態によるレーザ加工装置で加工可能なシールド線は、錫メッキ銅合金線の他に、銀メッキ銅合金線、アルミ箔などである。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a laser processing apparatus according to
This laser processing apparatus is an apparatus for cutting the
図1のレーザ加工装置は、レーザ光12を照射するレーザ照射機構11と、第1〜第7の反射ミラー13〜19と、第1〜第4のレンズ20〜23と、ミラースライド機構(図示せず)とを有している。レーザ照射機構11から照射されるレーザ光は例えばYAG基本波パルスレーザ(波長λ=1064nm)である。また、シールドケーブル1は、レーザ処理装置において図示せぬ保持機構によって保持されている。また、シールドケーブル1はレーザ光照射時にスライドさせるケーブルスライド機構(図示せず)が設けられている。
1 includes a
レーザ照射機構11から照射されたレーザ光12は、第1の反射ミラー13によって第1の方向31に反射され、第2の反射ミラー14によって第1の方向31に対して90°程度曲げられた第2の方向32に反射され、第3の反射ミラー15によって第3の方向33に反射され、この反射されたレーザ光12が第1のレンズ20を通ってシールドケーブル1のシールド導体層4に照射される。この際、シールド導体層をスキャン照射するために、前記第2の方向32と平行な方向にシールドケーブル1を前記ケーブルスライド機構によってスライドさせる。
The
第3の反射ミラー15は、第2の反射ミラー14によって反射されたレーザ光の光軸から外れた位置にミラースライド機構(図示せず)によってスライドできるようになっている。このミラースライド機構によって第3の反射ミラー15をスライドさせて前記光軸から外した状態で、レーザ照射機構11から照射されたレーザ光12は、第1の反射ミラー13によって第1の方向31に反射され、第2の反射ミラー14によって第1の方向31に対して90°程度曲げられた第2の方向32に反射され、第4の反射ミラー16によって第4の方向34に反射され、この反射されたレーザ光12が第2のレンズ21を通ってシールドケーブル1のシールド導体層4に照射される。この際、シールド導体層をスキャン照射するために、前記第2の方向32と平行な方向にシールドケーブル1を前記ケーブルスライド機構によってスライドさせる。
The
第1の反射ミラー13には、レーザ照射機構11によって照射されたレーザ光12を第1の方向31に対して180°回転させた第5の方向35に反射させるように、前記第1の反射ミラー13の向きを変えることができる駆動機構(図示せず)が取り付けられている。また、第6の反射ミラー18は、第7の反射ミラー19によって反射されたレーザ光の光軸から外れた位置にミラースライド機構(図示せず)によってスライドできるようになっている。前記駆動機構によって第1の反射ミラー13の向きを変え且つ前記ミラースライド機構によって第6の反射ミラー18をスライドさせて前記光軸から外した状態で、レーザ照射機構11から照射されたレーザ光12は、第1の反射ミラー13によって第5の方向35に反射され、第7の反射ミラー19によって第5の方向35に対して90°程度曲げられた第6の方向36に反射され、第5の反射ミラー17によって第8の方向38に反射され、この反射されたレーザ光12が第3のレンズ22を通ってシールドケーブル1のシールド導体層4に照射される。この際、シールド導体層をスキャン照射するために、前記第6の方向36と平行な方向にシールドケーブル1を前記ケーブルスライド機構によってスライドさせる。
The
前記ミラースライド機構によって第6の反射ミラー18をスライドさせて前記光軸上に戻した状態で、レーザ照射機構11から照射されたレーザ光12は、第1の反射ミラー13によって第5の方向35に反射され、第7の反射ミラー19によって第5の方向35に対して90°程度曲げられた第6の方向36に反射され、第6の反射ミラー18によって第7の方向37に反射され、この反射されたレーザ光12が第4のレンズ23を通ってシールドケーブル1のシールド導体層4に照射される。この際、シールド導体層をスキャン照射するために、前記第6の方向36と平行な方向にシールドケーブル1を前記ケーブルスライド機構によってスライドさせる。
The
また、レーザ加工装置は図示せぬ制御部を備えており、この制御部は、第1の反射ミラー13の向きを変える駆動機構、第3の反射ミラー15及び第6の反射ミラー18それぞれをスライドさせるミラースライド機構、レーザ照射機構11それぞれの動作などを制御するようになっている。
Further, the laser processing apparatus includes a control unit (not shown), and this control unit slides the driving mechanism for changing the direction of the
次に、図1のレーザ加工装置を用いてシールドケーブル1におけるシールド導体層を切断する方法について説明する。
まず、図10に示すシールドケーブル1のジャケット5を所定長剥ぎ取ってシールド導体層を露出させる。この状態のシールドケーブル1を図1に示すレーザ加工装置の保持機構により固定して保持する。
Next, a method for cutting the shield conductor layer in the shielded
First, the
次いで、レーザ照射機構11からレーザ光12を照射し、このレーザ光12が第1〜第3の反射ミラー13〜15それぞれによって反射され、この反射されたレーザ光12が第1のレンズ20を通って第3の方向33からシールドケーブル1のシールド導体層4に照射される。この際、シールドケーブル1をケーブルスライド機構によってスライドさせることによりシールド導体層がスキャン照射される。
Next, the
次いで、第3の反射ミラー15を、第2の反射ミラー14によって反射されたレーザ光の光軸から外れた位置にミラースライド機構によってスライドさせる。次いで、レーザ照射機構11からレーザ光12を照射し、このレーザ光12が第1、第2及び第4の反射ミラー13,14,16それぞれによって反射され、この反射されたレーザ光12が第2のレンズ21を通って第4の方向34からシールド導体層に照射される。この際、シールドケーブル1をケーブルスライド機構によってスライドさせることによりシールド導体層がスキャン照射される。
Next, the third reflecting
次いで、駆動機構によって第1の反射ミラー13の向きを変え、レーザ照射機構11からレーザ光12を照射し、このレーザ光12が第1、第7及び第5の反射ミラー13,19,17それぞれによって反射され、この反射されたレーザ光12が第3のレンズ22を通って第7の方向37からシールド導体層4に照射される。この際、シールドケーブル1をケーブルスライド機構によってスライドさせることによりシールド導体層がスキャン照射される。
Next, the direction of the
次いで、第6の反射ミラー18を、第7の反射ミラー19によって反射されたレーザ光の光軸上にミラースライド機構によってスライドさせる。次いで、レーザ照射機構11からレーザ光12を照射し、このレーザ光12が第1、第7及び第6の反射ミラー13それぞれによって反射され、この反射されたレーザ光12が第4のレンズ23を通って第8の方向38からシールド導体層に照射される。この際、シールドケーブル1をケーブルスライド機構によってスライドさせることによりシールド導体層がスキャン照射される。
Next, the
このようにしてシールド導体層全体が完全に溶融切断され、シールド導体層が剥ぎ取られた後のシールドケーブル1は図2に示すように内部絶縁体が露出されたものとなる。図2に示すように、切断後のシールドケーブル1の先端側は、中心導体2が露出され、その中心導体2を被覆する内部絶縁体3も露出され、内部絶縁体3を被覆するシールド導体層がレーザ照射位置で切断された状態となっている。ジャケット5と内部絶縁体3との間にはシールド導体層が存在している。
In this way, the
上記実施の形態1によれば、シールド導体層に4方向からレーザ光を照射しているため、従来技術のようにレーザ光を上方と下方の2方向からシールド導体層4に照射するのに比べ、レーザ光が隣り合うシールド線によって遮られてレーザ光の照射が不十分になることを抑制することができる。その結果、シールド導体層側面においても切断されないシールド線が残ることを防止でき、シールド導体層全体を完全に且つ安定して溶融切断することができる。これと共に、4方向からレーザ光を照射することにより、全てのシールド線が完全に切断されるような条件でレーザ光を照射しても、従来技術のように高出力なレーザ光の照射条件にする必要がない。このため、シールド導体層をレーザ光が貫通して内部絶縁体3まで達することがなく、内部絶縁体に傷が入る部分が生じることを抑制できる。従って、内部絶縁体3の電気的絶縁性が低下することを防止でき、内部導体2とシールド導体層4との絶縁を十分に確保することができる。
According to the first embodiment, since the shield conductor layer is irradiated with the laser light from four directions, the laser conductor is irradiated to the
また、本実施の形態では、シールド導体層にレーザ光を照射する照射方向は、図1に示すように隣り合わないレーザ光の光軸どうしは一直線を成すような方向となっている。このような方向とすることにより、シールド導体層全体をより低出力のレーザ光によって確実に溶融切断することができる。 In the present embodiment, the irradiation direction in which the shield conductor layer is irradiated with the laser light is such that the optical axes of the laser beams that are not adjacent to each other form a straight line as shown in FIG. By adopting such a direction, the entire shield conductor layer can be surely melted and cut by a laser beam having a lower output.
尚、本実施の形態では、シールド導体層に4方向からレーザ光を照射しているが、これに限定されるものではなく、シールド導体層に3方向からレーザ光を照射しても良いし、シールド導体層に5方向以上からレーザ光を照射しても良い。この場合、シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う2本の光軸が作る角度は180°未満であれば良いが、150°未満であることがより好ましく、より顕著な効果が得られる。 In this embodiment, the shield conductor layer is irradiated with laser light from four directions. However, the present invention is not limited to this, and the shield conductor layer may be irradiated with laser light from three directions. The shield conductor layer may be irradiated with laser light from five or more directions. In this case, the angle formed by two adjacent optical axes of the laser light applied to the shield conductor layer may be less than 180 °, but is preferably less than 150 °, and a more remarkable effect is obtained. .
また、本実施の形態では、レーザ光をシールド導体層に対してスキャンする照射方法(スキャン照射)を用いているが、これに限定されるものではなく、次のように変更して実施することも可能である。例えば、レーザ光の径がシールド導体層の幅より大きくスキャン照射しなくてもシールド導体層を切断できる場合はスキャンせずにレーザ光をシールド導体層に照射することも可能である。また、スキャン照射しない場合であって、シールド導体層を構成する金属細線からなるシールド線を複数回のレーザ照射で切断できるレーザ出力とし、一方向からのレーザ照射を複数回行うことも可能である。また、スキャン照射する場合であって、シールド導体層を構成する金属細線からなるシールド線を1回のスキャン照射では切断できないが、複数回のスキャン照射で切断できるレーザ出力とし、一方向からのレーザ照射を複数回のスキャン照射で行うことも可能である。
上記のようにシールド線を複数回のレーザ照射又は複数回のスキャン照射で切断できるレーザ出力とした場合は、1回のレーザ照射又は1回のスキャン照射で切断できるレーザ出力とした場合に比べて内部絶縁体に与えるダメージをより少なくできるレーザ出力を選択しやすくなる。換言すれば、複数回のレーザ照射又は複数回のスキャン照射で切断できるレーザ出力を調整する方が、1回のレーザ照射又は1回のスキャン照射で切断できるレーザ出力を調整するより調整が容易である。従って、結果的に内部絶縁体に与えるダメージを少なくすることができる。
In this embodiment, an irradiation method (scan irradiation) for scanning the shield conductor layer with laser light is used. However, the present invention is not limited to this, and the following modifications are made. Is also possible. For example, when the shield conductor layer can be cut even when the diameter of the laser beam is larger than the width of the shield conductor layer and the scan conductor layer can be cut, the laser beam can be irradiated to the shield conductor layer without scanning. In addition, it is possible to perform laser irradiation from one direction a plurality of times by using a laser output that can be cut by a plurality of times of laser irradiation of a shield wire made of a thin metal wire constituting the shield conductor layer in the case of no scan irradiation. . Also, in the case of scan irradiation, a shield wire made of a thin metal wire constituting the shield conductor layer cannot be cut by one scan irradiation, but a laser output that can be cut by a plurality of scan irradiations, and laser from one direction Irradiation can also be performed by multiple scan irradiations.
As described above, when the laser output can be cut by a plurality of times of laser irradiation or multiple times of scan irradiation, the shield wire is compared with the case of using a laser output that can be cut by one time of laser irradiation or one time of scan irradiation. It becomes easier to select a laser output that can reduce damage to the internal insulator. In other words, adjusting the laser output that can be cut by multiple times of laser irradiation or multiple times of scan irradiation is easier than adjusting the laser output that can be cut by one time of laser irradiation or single scan irradiation. is there. As a result, damage to the internal insulator can be reduced.
また、本実施の形態では、ケーブルスライド機構によってシールドケーブルをスライドさせることによりシールド導体層にレーザ光をスキャン照射しているが、シールドケーブルを固定した状態でレーザ光をスライドさせることによりシールド導体層にレーザ光をスキャン照射することも可能である。 In this embodiment, the shield conductor layer is scanned and irradiated with the laser light by sliding the shield cable by the cable slide mechanism. However, the shield conductor layer is obtained by sliding the laser light while the shield cable is fixed. It is also possible to scan with laser light.
また、本実施の形態では、図1に示すように4方向からシールド導体層にレーザ光を照射しているが、5方向以上の方向からシールド導体層にレーザ光を照射することも可能である。この場合は、図1のレーザ加工装置において、第3の反射ミラー15と第4の反射ミラー16の間に第3の反射ミラー15と同様のミラースライド機構付きの反射ミラーを配置し、この反射ミラーとシールドケーブル1との間にレンズを配置することにより前記反射ミラーによって反射させたレーザ光を、前記レンズを通してシールドケーブルのシールド導体層に照射できるようにしたり、またこのような反射ミラー及びレンズをさらに複数配置することにより実現できる。また、図1のレーザ加工装置において、第6の反射ミラー18と第5の反射ミラー17の間に第6の反射ミラー18と同様のミラースライド機構付きの反射ミラーを配置し、この反射ミラーとシールドケーブル1との間にレンズを配置することにより前記反射ミラーによって反射させたレーザ光を、前記レンズを通してシールドケーブルのシールド導体層に照射できるようにしたり、またこのような反射ミラー及びレンズをさらに複数配置することにより実現できる。
In the present embodiment, as shown in FIG. 1, the shield conductor layer is irradiated with laser light from four directions. However, the shield conductor layer can be irradiated with laser light from five or more directions. . In this case, in the laser processing apparatus of FIG. 1, a reflection mirror with a mirror slide mechanism similar to the
また、本実施の形態では、図1に示すように一本のシールドケーブルのシールド導体層を切断する場合について説明しているが、これに限定されるものではなく、複数本のシールドケーブルそれぞれのシールド導体層を同時に切断することも可能である。この場合の方法を以下に説明する。 In the present embodiment, the case where the shield conductor layer of one shielded cable is cut as shown in FIG. 1 is described. However, the present invention is not limited to this, and each of the plurality of shielded cables is not limited thereto. It is also possible to cut the shield conductor layer at the same time. A method in this case will be described below.
図3は、実施の形態1の変形例であって複数並べたシールドケーブルそれぞれのシールド導体層を同時に切断する方法を説明する図である。
レーザ加工装置において複数本のシールドケーブル1を横一列に並べて保持機構によって保持する点以外は、実施の形態1と同様であるので説明を省略する。
FIG. 3 is a diagram for explaining a method of simultaneously cutting the shield conductor layers of a plurality of shielded cables arranged as a modification of the first embodiment.
Since the laser processing apparatus is the same as
また、シールドケーブル1にレーザ光をスキャン照射するために、ケーブルスライド機構によってシールドケーブルを矢印24の方向にスライドさせても良いし、またシールドケーブルを固定した状態で光学系を矢印25の方向にスライドさせても良いし、また光学系又はシールドケーブルを複数回往復スライドさせても良い。
Further, in order to scan and irradiate the shielded
上記変形例においても実施の形態1と同様の効果を得ることができる。 Also in the modified example, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
(実施の形態2)
図4は、本発明の実施の形態2によるレーザ加工装置の構成を示す模式図であり、図1と同一部分には同一符号を付す。
レーザ照射機構11、第1の反射ミラー13、第2の反射ミラー14、第7の反射ミラー19、シールドケーブルの保持機構、及びケーブルスライド機構は実施の形態1と同様であるので説明を省略する。
(Embodiment 2)
FIG. 4 is a schematic diagram showing the configuration of the laser processing apparatus according to
Since the
第2の反射ミラー14によって第2の方向32に反射されたレーザ光12は、ミラースライドユニット26内の反射ミラー26aによって第3の方向33に反射され、この反射されたレーザ光12が第1の回転レンズ27aを通ってシールドケーブル1のシールド導体層4に照射される。この際、シールド導体層をスキャン照射するために、前記第2の方向32と平行な方向にシールドケーブル1を前記ケーブルスライド機構によってスライドさせる。
The
ミラースライドユニット26は、反射ミラー26aと、この反射ミラー26aをスライドさせるスライド機構(図示せず)と、反射ミラー26aの向きを調整する回転機構(図示せず)とを有している。また、第1の回転レンズ27aには、シールドケーブル1の周囲を矢印のように回転させる回転機構(図示せず)が取り付けられている。
The
第7の反射ミラー19によって第6の方向36に反射されたレーザ光12は、ミラースライドユニット28内の反射ミラー28aによって第7の方向37に反射され、この反射されたレーザ光12が第2の回転レンズ27bを通ってシールドケーブル1のシールド導体層4に照射される。この際、シールド導体層をスキャン照射するために、前記第6の方向36と平行な方向にシールドケーブル1を前記ケーブルスライド機構によってスライドさせる。
ミラースライドユニット28は、反射ミラー28aと、この反射ミラー28aをスライドさせるスライド機構(図示せず)と、反射ミラー28aの向きを調整する回転機構(図示せず)とを有している。また、第2の回転レンズ27bには、シールドケーブル1の周囲を矢印のように回転させる回転機構(図示せず)が取り付けられている。
The
The
次に、図4のレーザ加工装置を用いてシールドケーブル1におけるシールド導体層を切断する方法について説明する。
まず、ジャケット5を所定長剥ぎ取ってシールド導体層を露出させた状態のシールドケーブル1を図4に示すレーザ加工装置の保持機構により固定して保持する。
Next, a method for cutting the shield conductor layer in the shielded
First, the
次いで、レーザ照射機構11からレーザ光12を照射し、このレーザ光12が第1、第2の反射ミラー13,14及びミラースライドユニット内の反射ミラー26aそれぞれによって反射され、この反射されたレーザ光12が第1の回転レンズ27aを通って第3の方向33からシールドケーブル1のシールド導体層4に照射される。この際、反射ミラー26a及び第1の回転レンズ27aは、第3の方向33にレーザ光が反射されシールド導体層に照射されるように位置合わせされている。
Next, the
次いで、ミラースライドユニット26において反射ミラー26aをスライドさせ、第1の回転レンズ27aを回転移動させる。これにより、反射ミラー26a及び第1の回転レンズ27aが第4の方向34にレーザ光が反射されシールド導体層に照射されるように位置合わせされる。そして、レーザ照射機構11からレーザ光12を照射し、このレーザ光12が第1、第2の反射ミラー13,14及び反射ミラー26aそれぞれによって反射され、この反射されたレーザ光12が第1の回転レンズ27aを通って第4の方向34からシールド導体層に照射される。
Next, the reflecting
次いで、駆動機構によって第1の反射ミラー13の向きを変え、レーザ照射機構11からレーザ光12を照射し、このレーザ光12が第1、第7の反射ミラー13,19及びミラースライドユニット28内の反射ミラー28aそれぞれによって反射され、この反射されたレーザ光12が第2の回転レンズ27bを通って第7の方向37からシールドケーブル1のシールド導体層4に照射される。この際、反射ミラー28a及び第2の回転レンズ27bは、第7の方向37にレーザ光が反射されシールド導体層に照射されるように位置合わせされている。
Next, the direction of the
次いで、ミラースライドユニット28において反射ミラー28aをスライドさせ、第2の回転レンズ27bを回転移動させる。これにより、反射ミラー28a及び第2の回転レンズ27bが第8の方向38にレーザ光が反射されシールド導体層に照射されるように位置合わせされる。そして、レーザ照射機構11からレーザ光12を照射し、このレーザ光12が第1、第7の反射ミラー13,19及び反射ミラー28aそれぞれによって反射され、この反射されたレーザ光12が第2の回転レンズ27bを通って第8の方向38からシールド導体層に照射される。
Next, the reflecting
上記実施の形態2においても実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
また、本実施の形態においても実施の形態1と同様の変形例を実施することが可能である。
In the second embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
Also in the present embodiment, it is possible to implement a modification similar to that in the first embodiment.
(実施の形態3)
図5は、本発明の実施の形態3によるレーザ加工装置の構成を示す模式図であり、図1と同一部分には同一符号を付す。
レーザ照射機構11、第2の反射ミラー14、第4の反射ミラー16、第5の反射ミラー17、第1〜第4のレンズ20〜23、シールドケーブルの保持機構、及びケーブルスライド機構は実施の形態1と同様であるので説明を省略する。
(Embodiment 3)
FIG. 5 is a schematic diagram showing a configuration of a laser processing apparatus according to
The
レーザ照射機構11から照射されたレーザ光12は、第1のハーフミラー43によって第1の方向31に反射され、第2の反射ミラー14によって第2の方向32に反射され、第2のハーフミラー45によって第3の方向33に反射され、この反射されたレーザ光12が第1のレンズ20を通ってシールドケーブル1のシールド導体層4に照射される。
The
また、第2のハーフミラー45をレーザ光12の一部が透過する。これにより、透過したレーザ光12は、第4の反射ミラー16によって第4の方向34に反射され、この反射されたレーザ光12が第2のレンズ21を通ってシールドケーブル1のシールド導体層4に照射される。
Further, a part of the
また、第1のハーフミラー43をレーザ光12の一部が透過する。これにより、透過したレーザ光12は、第3のハーフミラー48によって第7の方向37に反射され、この反射されたレーザ光12が第4のレンズ23を通ってシールドケーブル1のシールド導体層4に照射される。
Further, a part of the
また、第3のハーフミラー48をレーザ光12の一部が透過する。これにより、透過したレーザ光12は、第5の反射ミラー17によって第8の方向38に反射され、この反射されたレーザ光12が第3のレンズ22を通ってシールドケーブル1のシールド導体層4に照射される。
Further, a part of the
上記実施の形態3においても実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
また、本実施の形態においても実施の形態1と同様の変形例を実施することが可能である。
In the third embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
Also in the present embodiment, it is possible to implement a modification similar to that in the first embodiment.
(実施の形態4)
図6は、本発明の実施の形態4によるレーザ加工装置の構成を示す模式図であり、図1と同一部分には同一符号を付す。
レーザ照射機構11、第1〜第4のレンズ20〜23、シールドケーブルの保持機構、及びケーブルスライド機構は実施の形態1と同様であるので説明を省略する。
(Embodiment 4)
FIG. 6 is a schematic diagram showing a configuration of a laser processing apparatus according to
Since the
図6のレーザ加工装置は、回転駆動機構(図示せず)を備えた回転反射ミラー51を有している。この回転反射ミラー51は、回転駆動機構によって反射ミラーを第1〜第4の向きに変えることができるようになっており、第1〜第4の向きに回転反射ミラー51を調整することによって第1〜第4の方向61〜64にレーザ光を反射させることができるようになっている。
The laser processing apparatus of FIG. 6 has a
レーザ照射機構11から照射されたレーザ光12は、第1の向きに調整した回転反射ミラー51によって第1の方向61に反射され、第1の反射ミラー52によって第5の方向65に反射され、この反射されたレーザ光12が第1のレンズ20を通ってシールドケーブル1のシールド導体層4に照射される。
The
レーザ照射機構11から照射されたレーザ光12は、第2の向きに調整した回転反射ミラー51によって第2の方向62に反射され、第2の反射ミラー53によって第6の方向66に反射され、この反射されたレーザ光12が第2のレンズ21を通ってシールドケーブル1のシールド導体層4に照射される。
The
レーザ照射機構11から照射されたレーザ光12は、第3の向きに調整した回転反射ミラー51によって第3の方向63に反射され、第3の反射ミラー54によって第7の方向67に反射され、この反射されたレーザ光12が第3のレンズ22を通ってシールドケーブル1のシールド導体層4に照射される。
The
レーザ照射機構11から照射されたレーザ光12は、第4の向きに調整した回転反射ミラー51によって第4の方向64に反射され、第4の反射ミラー55によって第8の方向68に反射され、この反射されたレーザ光12が第4のレンズ23を通ってシールドケーブル1のシールド導体層4に照射される。
The
上記実施の形態4においても実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
また、本実施の形態においても実施の形態1と同様の変形例を実施することが可能である。
In the fourth embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
Also in the present embodiment, it is possible to implement a modification similar to that in the first embodiment.
(実施の形態5)
図7は、本発明の実施の形態5によるレーザ加工装置の構成を示す模式図であり、図1と同一部分には同一符号を付す。
第1〜第4のレンズ20〜23、シールドケーブルの保持機構、及びケーブルスライド機構は実施の形態1と同様であるので説明を省略する。
このレーザ加工装置は、第1〜第4のレーザ照射機構71〜74を有している。
(Embodiment 5)
FIG. 7 is a schematic diagram showing a configuration of a laser processing apparatus according to
Since the first to
This laser processing apparatus has first to fourth
第1〜第4のレーザ照射機構71それぞれから照射されたレーザ光は、第1〜第4のレンズ20〜23それぞれを通ってシールドケーブル1のシールド導体層4に照射される。
The laser light emitted from each of the first to fourth
上記実施の形態5においても実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
また、本実施の形態においても実施の形態1と同様の変形例を実施することが可能である。
In the fifth embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
Also in the present embodiment, it is possible to implement a modification similar to that in the first embodiment.
(実施の形態6)
図8は、本発明の実施の形態6によるレーザ加工装置の構成を示す模式図であり、図1と同一部分には同一符号を付す。
シールドケーブルの保持機構、及びケーブルスライド機構は実施の形態1と同様であるので説明を省略する。
(Embodiment 6)
FIG. 8 is a schematic diagram showing a configuration of a laser processing apparatus according to
Since the shielded cable holding mechanism and the cable sliding mechanism are the same as those in the first embodiment, the description thereof is omitted.
このレーザ加工装置は、第1及び第2のレーザ照射機構81,82と、第1の反射ミラー83と、第2の反射ミラー84と、第1の放物面鏡85と、第2の放物面鏡86とを有している。第1の反射ミラー83及び第2の反射ミラー84それぞれは、スライド機構によってレーザ光の光軸上を自在にスライドできるようになっている。第1の放物面鏡85及び第2の放物面鏡86それぞれは、第1の反射ミラー83及び第2の反射ミラー84それぞれをスライド機構によってスライドさせて位置を変えてもシールドケーブル1のシールド導体層4にレーザ光が照射されるように構成されている。
This laser processing apparatus includes first and second
次に、図8のレーザ加工装置を用いてシールドケーブル1におけるシールド導体層を切断する方法について説明する。
Next, a method for cutting the shield conductor layer in the shielded
第1のレーザ照射機構81からレーザ光を照射し、このレーザ光が第1の反射ミラー83及び第1の放物面鏡85によって反射され、この反射されたレーザ光がシールドケーブル1のシールド導体層4に照射される。
Laser light is emitted from the first
次いで、第1の反射ミラー83をスライド機構によってスライドさせた後、第1のレーザ照射機構81からレーザ光を照射し、このレーザ光が第1の反射ミラー83及び第1の放物面鏡85によって反射され、この反射されたレーザ光がシールドケーブル1のシールド導体層4に照射される。
Next, after the
次いで、第2のレーザ照射機構82からレーザ光を照射し、このレーザ光が第2の反射ミラー84及び第2の放物面鏡86によって反射され、この反射されたレーザ光がシールドケーブル1のシールド導体層4に照射される。
Next, laser light is emitted from the second
次いで、第2の反射ミラー84をスライド機構によってスライドさせた後、第2のレーザ照射機構82からレーザ光を照射し、このレーザ光が第2の反射ミラー84及び第2の放物面鏡86によって反射され、この反射されたレーザ光がシールドケーブル1のシールド導体層4に照射される。
Next, after the
上記実施の形態6においても実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
また、本実施の形態においても実施の形態1と同様の変形例を実施することが可能である。
In the sixth embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
Also in the present embodiment, it is possible to implement a modification similar to that in the first embodiment.
尚、上記実施の形態6では、第2の放物面鏡86を用いているが、第2の放物面鏡86に代えて第3の反射ミラーを用いることも可能である。この場合、シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向である3方向からシールド導体層にレーザ光を照射することが可能となる。
In the sixth embodiment, the second
(実施の形態7)
図9は、本発明の実施の形態7によるレーザ加工装置の構成を示す模式図であり、図1と同一部分には同一符号を付す。
レーザ照射機構11は実施の形態1と同様であるので説明を省略する。
このレーザ加工装置は、レンズ91と、シールドケーブル1を回転させるモータ93と、このモータ93の回転駆動力をシールドケーブル1に伝達するベルト92とを有している。
(Embodiment 7)
FIG. 9 is a schematic diagram showing a configuration of a laser processing apparatus according to
Since the
The laser processing apparatus includes a
レーザ照射機構11から照射されたレーザ光は、レンズ91を通ってシールドケーブル1のシールド導体層4に照射される。この際、モータ93及びベルト92によってシールドケーブル1を回転させることにより、レーザ光がシールド導体層に少なくとも3方向から照射される。
The laser beam irradiated from the
上記実施の形態7においても実施の形態1と同様の効果を得ることができる。 Also in the seventh embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
尚、本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。 Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
1 シールドケーブル
2 内部導体(中心導体)
3 内部絶縁体(内部誘電体)
4 外部導体(シールド導体層)
4a シールド線
5 外被(ジャケット)
6 シールド導体層側面
7 内部絶縁体に傷が入る部分
11 レーザ照射機構
12 レーザ光
13〜19 第1〜第7の反射ミラー
20〜23 第1〜第4のレンズ
24,25 矢印
26,28 ミラースライドユニット
26a,28a 反射ミラー
27a 第1の回転レンズ
27b 第2の回転レンズ
31〜38 第1〜第8の方向
43,45,48 第1〜第3のハーフミラー
51 回転反射ミラー
52〜55 第1〜第4の反射ミラー
61〜68 第1〜第8の方向
71〜74 第1〜第4のレーザ照射機構
81 第1のレーザ照射機構
82 第2のレーザ照射機構
83 第1の反射ミラー
84 第2の反射ミラー
85 第1の放物面鏡
86 第2の放物面鏡
91 レンズ
92 ベルト
93 モータ
1 Shielded
3 Internal insulator (internal dielectric)
4 Outer conductor (shield conductor layer)
4a Shielded
6 Side surface of
Claims (14)
前記シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向である少なくとも3方向から前記シールド導体層にレーザ光を照射することによって前記シールド導体層を切断するものであり、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う2本の光軸が作る角度が180°未満であることを特徴とするシールド導体層の切断方法。 Preparing a shielded cable comprising a central conductor, an internal insulator arranged to cover the central conductor, and a shield conductor layer arranged to cover the internal insulator;
Cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with laser light from at least three directions which are substantially perpendicular to the longitudinal direction of the shield cable;
A method of cutting a shield conductor layer, wherein an angle formed by two adjacent optical axes of laser light irradiated to the shield conductor layer is less than 180 °.
レーザ光を照射するレーザ照射機構と、
前記レーザ照射機構によって照射されたレーザ光を第1の方向又は第2の方向に反射させる第1の反射ミラーと、
前記第1の反射ミラーによって前記第1の方向に反射された前記レーザ光を、第3の方向に反射させる第2の反射ミラーと、
前記第2の反射ミラーによって前記第3の方向に反射された前記レーザ光を、第4の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第3の反射ミラーと、
前記第3の方向に反射された前記レーザ光の光軸から前記第3の反射ミラーを外すようにスライドさせるミラースライド機構と、
前記第3の方向に反射された前記レーザ光の光軸から前記第3の反射ミラーを外した状態で、前記第2の反射ミラーによって前記第3の方向に反射された前記レーザ光を、第5の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第4の反射ミラーと、
前記第1の反射ミラーによって前記第2の方向に反射された前記レーザ光を、第6の方向に反射させる第5の反射ミラーと、
前記第5の反射ミラーによって前記第6の方向に反射された前記レーザ光を、第7の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第6の反射ミラーと、
を具備し、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う2本の光軸が作る角度が180°未満であることを特徴とするレーザ加工装置。 A shield cable comprising a center conductor, an internal insulator disposed so as to cover the center conductor, and a shield conductor layer disposed so as to cover the internal insulator is held, and the length of the shield cable A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with a laser beam from a direction substantially perpendicular to a direction;
A laser irradiation mechanism for irradiating laser light;
A first reflection mirror that reflects the laser light emitted by the laser irradiation mechanism in a first direction or a second direction;
A second reflecting mirror that reflects the laser beam reflected in the first direction by the first reflecting mirror in a third direction;
A third reflection mirror that reflects the laser light reflected in the third direction by the second reflection mirror in a fourth direction and irradiates the shield conductor layer;
A mirror slide mechanism that slides so as to remove the third reflection mirror from the optical axis of the laser beam reflected in the third direction;
The laser beam reflected in the third direction by the second reflecting mirror in a state where the third reflecting mirror is removed from the optical axis of the laser beam reflected in the third direction. A fourth reflecting mirror that reflects in the direction of 5 and irradiates the shield conductor layer;
A fifth reflecting mirror that reflects the laser light reflected in the second direction by the first reflecting mirror in a sixth direction;
A sixth reflecting mirror that reflects the laser light reflected in the sixth direction by the fifth reflecting mirror in a seventh direction and irradiates the shield conductor layer;
Comprising
The laser processing apparatus, wherein an angle formed by two adjacent optical axes of laser light irradiated to the shield conductor layer is less than 180 °.
レーザ光を照射するレーザ照射機構と、
前記レーザ照射機構によって照射されたレーザ光を第1の方向又は第2の方向に反射させる第1の反射ミラーと、
前記第1の反射ミラーによって前記第1の方向に反射された前記レーザ光を、第3の方向に反射させる第2の反射ミラーと、
前記第2の反射ミラーによって前記第3の方向に反射された前記レーザ光を、第4の方向又は第5の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第3の反射ミラーを備えた第1のミラースライドユニットと、
前記第1のミラースライドユニットに設けられた前記第3の反射ミラーをスライドさせる第1のスライド機構と、
前記第1のミラースライドユニットに設けられた前記第3の反射ミラーを回転させる第1の回転機構と、
前記第1の反射ミラーによって前記第2の方向に反射された前記レーザ光を、第6の方向に反射させる第4の反射ミラーと、
前記第4の反射ミラーによって前記第6の方向に反射された前記レーザ光を、第7の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第5の反射ミラーと、
を具備し、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う2本の光軸が作る角度が180°未満であることを特徴とするレーザ加工装置。 A shield cable comprising a center conductor, an internal insulator disposed so as to cover the center conductor, and a shield conductor layer disposed so as to cover the internal insulator is held, and the length of the shield cable A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with a laser beam from a direction substantially perpendicular to a direction;
A laser irradiation mechanism for irradiating laser light;
A first reflection mirror that reflects the laser light emitted by the laser irradiation mechanism in a first direction or a second direction;
A second reflecting mirror that reflects the laser beam reflected in the first direction by the first reflecting mirror in a third direction;
A third reflection mirror that irradiates the shield conductor layer with the laser light reflected in the third direction by the second reflection mirror in a fourth direction or a fifth direction; 1 mirror slide unit,
A first slide mechanism for sliding the third reflection mirror provided in the first mirror slide unit;
A first rotating mechanism for rotating the third reflecting mirror provided in the first mirror slide unit;
A fourth reflecting mirror that reflects the laser light reflected in the second direction by the first reflecting mirror in a sixth direction;
A fifth reflecting mirror that reflects the laser light reflected in the sixth direction by the fourth reflecting mirror in a seventh direction and irradiates the shield conductor layer;
Comprising
The laser processing apparatus, wherein an angle formed by two adjacent optical axes of laser light irradiated to the shield conductor layer is less than 180 °.
前記第2のミラースライドユニットは、前記第4の反射ミラーによって前記第6の方向に反射された前記レーザ光を、第7の方向又は第8の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第5の反射ミラーを備えており、
前記第2のミラースライドユニットは、前記第5の反射ミラーをスライドさせる第2のスライド機構と、前記第5の反射ミラーを回転させる第2の回転機構とを有していることを特徴とするレーザ加工装置。 In claim 6, a second mirror slide unit is arranged in place of the fifth reflection mirror,
The second mirror slide unit irradiates the shield conductor layer by reflecting the laser beam reflected in the sixth direction by the fourth reflecting mirror in a seventh direction or an eighth direction. A fifth reflecting mirror,
The second mirror slide unit includes a second slide mechanism that slides the fifth reflection mirror, and a second rotation mechanism that rotates the fifth reflection mirror. Laser processing equipment.
レーザ光を照射するレーザ照射機構と、
前記レーザ照射機構によって照射されたレーザ光の一部を第1の方向に反射させると共に前記レーザ光の一部を透過させる第1のハーフミラーと、
前記第1のハーフミラーによって前記第1の方向に反射された前記レーザ光を、第2の方向に反射させる第1の反射ミラーと、
前記第1の反射ミラーによって前記第2の方向に反射された前記レーザ光の一部を第3の方向に反射させて前記シールド導体層に照射すると共に前記レーザ光の一部を透過させる第2のハーフミラーと、
前記第2のハーフミラーによって透過された前記レーザ光を、第4の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第2の反射ミラーと、
前記第1のハーフミラーによって透過された前記レーザ光を、第5の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第3の反射ミラーと、
を具備し、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う2本の光軸が作る角度が180°未満であることを特徴とするレーザ加工装置。 A shield cable comprising a center conductor, an internal insulator disposed so as to cover the center conductor, and a shield conductor layer disposed so as to cover the internal insulator is held, and the length of the shield cable A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with a laser beam from a direction substantially perpendicular to a direction;
A laser irradiation mechanism for irradiating laser light;
A first half mirror that reflects part of the laser light emitted by the laser irradiation mechanism in a first direction and transmits part of the laser light;
A first reflecting mirror that reflects the laser light reflected in the first direction by the first half mirror in a second direction;
A part of the laser beam reflected in the second direction by the first reflecting mirror is reflected in a third direction to irradiate the shield conductor layer and to transmit a part of the laser beam. Half mirror and
A second reflection mirror that reflects the laser light transmitted by the second half mirror in a fourth direction and irradiates the shield conductor layer;
A third reflecting mirror that reflects the laser light transmitted by the first half mirror in a fifth direction and irradiates the shield conductor layer;
Comprising
The laser processing apparatus, wherein an angle formed by two adjacent optical axes of laser light irradiated to the shield conductor layer is less than 180 °.
レーザ光を照射するレーザ照射機構と、
前記レーザ照射機構によって照射されたレーザ光を第1乃至第3の方向に反射させる回転反射ミラーと、
前記回転反射ミラーによって前記第1の方向に反射された前記レーザ光を、第4の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第1の反射ミラーと、
前記回転反射ミラーによって前記第2の方向に反射された前記レーザ光を、第5の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第2の反射ミラーと、
前記回転反射ミラーによって前記第3の方向に反射された前記レーザ光を、第6の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第3の反射ミラーと、
を具備し、
前記回転反射ミラーは、該回転反射ミラーを回転させる回転機構を有し、該回転機構によって前記回転反射ミラーの向きを調整するものであり、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う2本の光軸が作る角度が180°未満であることを特徴とするレーザ加工装置。 A shield cable comprising a center conductor, an internal insulator disposed so as to cover the center conductor, and a shield conductor layer disposed so as to cover the internal insulator is held, and the length of the shield cable A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with a laser beam from a direction substantially perpendicular to a direction;
A laser irradiation mechanism for irradiating laser light;
A rotary reflection mirror that reflects the laser light emitted by the laser irradiation mechanism in first to third directions;
A first reflection mirror that reflects the laser light reflected in the first direction by the rotary reflection mirror in a fourth direction and irradiates the shield conductor layer;
A second reflecting mirror that reflects the laser light reflected in the second direction by the rotary reflecting mirror in a fifth direction and irradiates the shield conductor layer;
A third reflection mirror that reflects the laser light reflected in the third direction by the rotary reflection mirror in a sixth direction and irradiates the shield conductor layer;
Comprising
The rotation reflection mirror has a rotation mechanism for rotating the rotation reflection mirror, and adjusts the direction of the rotation reflection mirror by the rotation mechanism,
The laser processing apparatus, wherein an angle formed by two adjacent optical axes of laser light irradiated to the shield conductor layer is less than 180 °.
第1のレーザ光を前記シールド導体層に照射する第1のレーザ照射機構と、
第2のレーザ光を前記シールド導体層に照射する第2のレーザ照射機構と、
第3のレーザ光を前記シールド導体層に照射する第3のレーザ照射機構と、
を具備し、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う2本の光軸が作る角度が180°未満であることを特徴とするレーザ加工装置。 A shield cable comprising a center conductor, an internal insulator disposed so as to cover the center conductor, and a shield conductor layer disposed so as to cover the internal insulator is held, and the length of the shield cable A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with a laser beam from a direction substantially perpendicular to a direction;
A first laser irradiation mechanism for irradiating the shield conductor layer with a first laser beam;
A second laser irradiation mechanism for irradiating the shield conductor layer with a second laser beam;
A third laser irradiation mechanism for irradiating the shield conductor layer with a third laser beam;
Comprising
The laser processing apparatus, wherein an angle formed by two adjacent optical axes of laser light irradiated to the shield conductor layer is less than 180 °.
第1のレーザ光を第1の方向に照射する第1のレーザ照射機構と、
前記第1のレーザ照射機構によって照射された第1のレーザ光を第2の方向に反射させる第1の反射ミラーと、
前記第1の反射ミラーを、前記第1の方向に沿ってスライドさせるスライド機構と、
前記第1の反射ミラーによって前記第2の方向に反射された前記第1のレーザ光を、第3の方向又は第4の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第1の放物面鏡と、
第2のレーザ光を、前記第1の方向と平行で且つ略180°回転させた第5の方向に照射する第2のレーザ照射機構と、
前記第2のレーザ照射機構によって照射された第2のレーザ光を第6の方向に反射させる第2の反射ミラーと、
前記第2の反射ミラーによって前記第6の方向に反射された前記第2のレーザ光を、第7の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第3の反射ミラーと、
を具備し、
前記第1の放物面鏡は、前記スライド機構によって前記第1の反射ミラーをスライドさせることにより、前記第1のレーザ光を前記第3の方向又は前記第4の方向に反射させるものであり、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う2本の光軸が作る角度が180°未満であることを特徴とするレーザ加工装置。 A shield cable comprising a center conductor, an internal insulator disposed so as to cover the center conductor, and a shield conductor layer disposed so as to cover the internal insulator is held, and the length of the shield cable A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with a laser beam from a direction substantially perpendicular to a direction;
A first laser irradiation mechanism for irradiating a first laser beam in a first direction;
A first reflecting mirror that reflects the first laser beam irradiated by the first laser irradiation mechanism in a second direction;
A slide mechanism for sliding the first reflecting mirror along the first direction;
A first paraboloid that reflects the first laser beam reflected in the second direction by the first reflecting mirror in a third direction or a fourth direction to irradiate the shield conductor layer. With a mirror,
A second laser irradiation mechanism for irradiating a second laser beam in a fifth direction that is parallel to the first direction and rotated by approximately 180 °;
A second reflecting mirror that reflects the second laser light irradiated by the second laser irradiation mechanism in a sixth direction;
A third reflecting mirror that reflects the second laser light reflected in the sixth direction by the second reflecting mirror in a seventh direction and irradiates the shield conductor layer;
Comprising
The first parabolic mirror reflects the first laser light in the third direction or the fourth direction by sliding the first reflecting mirror by the sliding mechanism. ,
The laser processing apparatus, wherein an angle formed by two adjacent optical axes of laser light irradiated to the shield conductor layer is less than 180 °.
レーザ光を前記シールド導体層に照射するレーザ照射機構と、
前記シールドケーブルを回転させる回転機構と、
を具備し、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う2本の光軸が作る角度が180°未満であることを特徴とするレーザ加工装置。
A shield cable comprising a center conductor, an internal insulator disposed so as to cover the center conductor, and a shield conductor layer disposed so as to cover the internal insulator is held, and the length of the shield cable A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with a laser beam from a direction substantially perpendicular to a direction;
A laser irradiation mechanism for irradiating the shield conductor layer with laser light;
A rotating mechanism for rotating the shielded cable;
Comprising
The laser processing apparatus, wherein an angle formed by two adjacent optical axes of laser light irradiated to the shield conductor layer is less than 180 °.
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