JP2013005525A - Terminal processing method and terminal treatment structure of ultrafine coaxial wire - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、シールド導体を切断するときに内部絶縁体への損傷を軽減する極細同軸線の端末処理方法及び端末処理構造に関するものである。 The present invention relates to a terminal processing method and a terminal processing structure for an ultrafine coaxial line that reduces damage to an internal insulator when a shield conductor is cut.
ノート型パソコンの本体と液晶ディスプレイとを繋ぐ配線や医療用超音波診断装置の本体と探触子とを繋ぐ配線など、高周波信号、高速信号を伝送して且つ可撓性が大きいケーブルとして、極細同軸線がある。 High-flexibility cables that transmit high-frequency signals and high-speed signals, such as wiring that connects the main body of a notebook computer and a liquid crystal display, and wiring that connects the main body of a medical ultrasonic diagnostic apparatus and a probe. There is a coaxial line.
極細同軸線は、中心から外側へ順に中心導体、内部絶縁体、シールド導体、ジャケットが積層されたものである。極細同軸線を機器に直接接続したり、コネクタに取り付けたりする際には、端末部分の中心導体とシールド導体を露出させる端末処理が施される。 The ultra-fine coaxial line is formed by laminating a center conductor, an internal insulator, a shield conductor, and a jacket in order from the center to the outside. When the micro coaxial line is directly connected to the device or attached to the connector, a terminal process is performed to expose the center conductor and the shield conductor of the terminal portion.
従来の端末処理方法による複数本の極細同軸線の端末処理の手順を図16により説明する。 The procedure of terminal processing of a plurality of micro coaxial lines by the conventional terminal processing method will be described with reference to FIG.
図16(a)に示されるように、複数本の極細同軸線1を所望の整列ピッチで整列させ、ケーブルラミネート用の粘着テープ6でその整列状態を固定する。 As shown in FIG. 16A, a plurality of micro coaxial wires 1 are aligned at a desired alignment pitch, and the alignment state is fixed with an adhesive tape 6 for cable lamination.
図16(b)に示されるように、端末から所望の距離にある端末処理箇所にて、粘着テープ6と極細同軸線1のジャケット5にレーザ光を上下面から照射することにより粘着テープ6と極細同軸線1のジャケット5を切断し、この端末処理箇所から端末側にある粘着テープ6とジャケット5とを同時に端末方向に引き抜く。これにより、この端末処理箇所から端末までのシールド導体4が露出する。なお、切断とは、切り込みを入れることを言う。 As shown in FIG. 16 (b), the adhesive tape 6 and the adhesive tape 6 are irradiated by irradiating the adhesive tape 6 and the jacket 5 of the micro coaxial cable 1 from the upper and lower surfaces at a terminal processing position at a desired distance from the terminal. The jacket 5 of the micro coaxial cable 1 is cut, and the adhesive tape 6 and the jacket 5 on the terminal side are simultaneously pulled out in the terminal direction from this terminal processing portion. As a result, the shield conductor 4 from the terminal processing portion to the terminal is exposed. In addition, cutting means making a cut.
図16(c)に示されるように、図16(b)の端末処理箇所より端末に近い端末処理箇所にて、シールド導体4にレーザ光を上下面から照射することによりシールド導体4を切断し、この端末処理箇所から端末側にあるシールド導体4を端末方向に引き抜く。これにより、この端末処理箇所から端末までの内部絶縁体3が露出する。 As shown in FIG. 16 (c), the shield conductor 4 is cut by irradiating the shield conductor 4 with laser light from the upper and lower surfaces at a terminal processing location closer to the terminal than the terminal processing location in FIG. 16 (b). Then, the shield conductor 4 on the terminal side is pulled out from the terminal processing portion in the terminal direction. Thereby, the internal insulator 3 from this terminal processing location to the terminal is exposed.
図16(d)に示されるように、図16(c)の端末処理箇所より端末に近い端末処理箇所にて、内部絶縁体3にレーザ光を上下面から照射することにより内部絶縁体3を切断し、この端末処理箇所から端末側にある内部絶縁体3を端末方向に引き抜く。これにより、この端末処理箇所から端末までの中心導体2が露出する。 As shown in FIG. 16D, the inner insulator 3 is irradiated with laser light from the upper and lower surfaces at a terminal processing location closer to the terminal than the terminal processing location in FIG. It cut | disconnects and the internal insulator 3 in the terminal side is pulled out to a terminal direction from this terminal processing location. Thereby, the center conductor 2 from this terminal processing location to a terminal is exposed.
以上の工程を順に行うことにより、シールド導体4、内部絶縁体3、中心導体2がそれぞれ所望の長さで露出した状態となる。 By performing the above steps in order, the shield conductor 4, the internal insulator 3, and the center conductor 2 are each exposed to a desired length.
特許文献1では、複数のレーザ光を、光軸角度を変えて照射し、内部絶縁体3に巻かれているシールド導体4の全体に均一にレーザパワーが与えられるように工夫している。 In Patent Document 1, a plurality of laser beams are irradiated at different optical axis angles so that the entire shield conductor 4 wound around the internal insulator 3 is uniformly given laser power.
特許文献2では、複数箇所からなる端末処理箇所において、ジャケット5にレーザ光を表裏面から走査することにより、ジャケット5を切断してシールド導体4を露出させるステップと、露出させたシールド導体4にレーザ光を表裏面から走査することにより、シールド導体4のうち隣接する極細同軸線1、1同士の間隙に位置するシールド導体4は切断せずに、レーザ照射面に位置するシールド導体4を切断するステップと、を含む端末処理方法が記載されている。この方法により、シールド導体4を切断するときの内部絶縁体3へのダメージを軽減できるとしている。 In Patent Document 2, the step of exposing the shield conductor 4 by cutting the jacket 5 by scanning the jacket 5 with laser light from the front and back surfaces at a terminal processing location consisting of a plurality of locations, and the exposed shield conductor 4 By scanning the laser beam from the front and back surfaces, the shield conductor 4 located in the gap between the adjacent micro coaxial lines 1 and 1 among the shield conductors 4 is cut without cutting the shield conductor 4 located on the laser irradiation surface. A terminal processing method including the steps of: According to this method, damage to the internal insulator 3 when the shield conductor 4 is cut can be reduced.
しかし、特許文献1の端末処理方法では、複数並べた極細同軸線1をスライド機構によって左右方向にスライドさせながらレーザ光を照射する場合、図17に示すように、焦点深度がシールド導体4の中央部13(極細同軸線1の長手方向に直交する光軸上に、内部絶縁体3、シールド導体4が含まれる領域)の頂点位置から第1側部11(極細同軸線1の長手方向に直交する光軸上に、シールド導体4のみが含まれる領域のうち一方の領域)、又は第2側部12(極細同軸線1の長手方向に直交する光軸上に、シールド導体4のみが含まれる領域のうち他方の領域)までの深さ距離に満たないと、レーザ光の焦点が合う場所と合わない場所ができてしまい、レーザ光の強度にバラツキがでる。また、レーザ光を照射するための機構を構成する部品の数が多く、レーザ光の照射方向、照射強度の調整が難しい。 However, in the terminal processing method of Patent Document 1, when laser light is irradiated while sliding a plurality of arranged fine coaxial wires 1 in the left-right direction by a slide mechanism, the focal depth is the center of the shield conductor 4 as shown in FIG. The first side portion 11 (perpendicular to the longitudinal direction of the micro coaxial line 1) from the apex position of the portion 13 (the region including the internal insulator 3 and the shield conductor 4 on the optical axis orthogonal to the longitudinal direction of the micro coaxial line 1) Of the region including only the shield conductor 4 on the optical axis, or the second side portion 12 (only the shield conductor 4 is included on the optical axis perpendicular to the longitudinal direction of the micro coaxial line 1). If the depth distance to the other region of the region is not reached, a location that does not match the location where the laser beam is focused is formed, and the intensity of the laser beam varies. In addition, the number of parts constituting the mechanism for irradiating laser light is large, and it is difficult to adjust the irradiation direction and irradiation intensity of the laser light.
そのため、レーザ光の強度がシールド導体4を切断するのに必要な強度に満たない部分ではシールド導体4の切断不良を引き起こし、レーザ光の強度が強すぎる部分では内部絶縁体3の損傷を引き起こす。 For this reason, in the portion where the intensity of the laser light is less than the intensity necessary for cutting the shield conductor 4, the cutting of the shield conductor 4 is caused, and in the portion where the intensity of the laser light is too high, the internal insulator 3 is damaged.
また、複数の極細同軸線1が狭ピッチで並べられている場合、隣接する極細同軸線1、1同士の間隙に位置するシールド導体4においては、図18の一例に示すように、レーザ光8が全てのシールド導体4に行き届かず、切断不良となる場合がある。 Further, when a plurality of micro coaxial lines 1 are arranged at a narrow pitch, in the shield conductor 4 located in the gap between the adjacent micro coaxial lines 1 and 1, as shown in an example of FIG. May not reach all of the shield conductors 4, resulting in a cutting failure.
また、特許文献2の端末処理方法では、第1側部11、及び第2側部12にレーザ光8を照射しないように一度に処理するシールド導体4の本数を少なくした場合でも、極細同軸線1の円周上にレーザ光8を照射する限り、レーザ光8の強度にバラツキが生じ、シールド導体4の切断不良や内部絶縁体3の損傷を起こす可能性がある。 Further, in the terminal processing method of Patent Document 2, even when the number of shield conductors 4 processed at one time is reduced so that the first side portion 11 and the second side portion 12 are not irradiated with the laser light 8, the ultra-coaxial cable As long as the laser beam 8 is irradiated on the circumference of 1, the intensity of the laser beam 8 varies, and the cutting of the shield conductor 4 and the damage to the internal insulator 3 may occur.
そこで、本発明の目的は、前述した課題を解決し、シールド導体を切断するときに内部絶縁体への損傷を軽減する極細同軸線の端末処理方法及び端末処理構造を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a terminal processing method and terminal processing structure for an ultrafine coaxial line that solves the above-described problems and reduces damage to an internal insulator when a shield conductor is cut.
この目的を達成するために創案された本発明は、中心から外側へ順に中心導体、内部絶縁体、シールド導体、ジャケットを有し、前記シールド導体が導線からなる横巻き又は編組巻きのいずれかで形成された極細同軸線の端末処理方法において、前記極細同軸線の端末部分の前記ジャケットを切断して、前記シールド導体を露出させるステップと、露出させた前記シールド導体を前記極細同軸線の長手方向に沿って切断するステップと、切断した前記シールド導体を前記極細同軸線の端末側にストリップ除去して、前記中心導体を露出させるステップと、を含み、前記シールド導体は、前記極細同軸線の周方向に沿ってn(nは1以上の整数)箇所の切断箇所を有し、前記切断箇所において、前記シールド導体の巻きピッチPに対して少なくとも(1/n)Pの長さを切断する極細同軸線の端末処理方法である。 The present invention devised to achieve this object has a center conductor, an inner insulator, a shield conductor, and a jacket in order from the center to the outside, and the shield conductor is either a horizontal winding or a braided winding made of a conductive wire. In the terminal processing method of the formed micro coaxial line, the step of cutting the jacket of the terminal portion of the micro coaxial line to expose the shield conductor, and the exposed shield conductor in the longitudinal direction of the micro coaxial line And stripping the cut shield conductor to the end of the micro coaxial line to expose the center conductor, wherein the shield conductor has a periphery of the micro coaxial line. There are n (n is an integer of 1 or more) cutting points along the direction, and the cutting pitch is less than the winding pitch P of the shield conductor at the cutting points. Is also (1 / n) P long terminal processing method very thin coaxial cable to cut the.
前記切断箇所は、前記極細同軸線の長手方向に直交する切断軸上に、前記シールド導体のみが含まれる領域であると良い。 The cutting location may be a region including only the shield conductor on a cutting axis perpendicular to the longitudinal direction of the micro coaxial line.
前記切断箇所は、前記極細同軸線の長手方向に直交する切断軸上に、前記内部絶縁体、前記シールド導体とが少なくとも含まれる領域であると良い。 The cutting location may be a region including at least the internal insulator and the shield conductor on a cutting axis perpendicular to the longitudinal direction of the micro coaxial line.
また、本発明は、中心から外側へ順に中心導体、内部絶縁体、シールド導体、ジャケットを有し、前記シールド導体が導線からなる横巻き又は編組巻きのいずれかで形成された極細同軸線の端末処理構造において、前記極細同軸線の端末部分の前記中心導体と前記シールド導体が露出され、前記シールド導体は、前記極細同軸線の長手方向に沿って、前記シールド導体の巻きピッチPに対して少なくとも(1/n)Pの長さだけ連続的に切断されている極細同軸線の端末処理構造である。 The present invention also includes a terminal of an ultrafine coaxial line having a center conductor, an inner insulator, a shield conductor, and a jacket in order from the center to the outside, wherein the shield conductor is formed by either a horizontal winding or a braided winding made of a conductive wire. In the processing structure, the central conductor and the shield conductor of the terminal portion of the fine coaxial line are exposed, and the shield conductor is at least with respect to the winding pitch P of the shield conductor along the longitudinal direction of the fine coaxial line. This is a terminal processing structure of a fine coaxial line that is continuously cut by a length of (1 / n) P.
本発明によれば、シールド導体を切断するときに内部絶縁体への損傷を軽減する極細同軸線の端末処理方法及び端末処理構造を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the terminal processing method and terminal processing structure of a micro coaxial line which reduce the damage to an internal insulator when cut | disconnecting a shield conductor can be provided.
以下、本発明の第1の実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。 Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図1(a)〜(e)に示されるように、第1の実施の形態に係る極細同軸線の端末処理方法は、中心から外側へ順に中心導体2、内部絶縁体3、シールド導体4、ジャケット5を有し、シールド導体4が導線(例えば、銅線)からなる横巻き又は編組巻きのいずれかで形成された極細同軸線1の端末を処理する方法である。 As shown in FIGS. 1A to 1E, the terminal processing method of the micro coaxial line according to the first embodiment includes a center conductor 2, an inner insulator 3, a shield conductor 4, in order from the center to the outside. This is a method of processing the end of the micro coaxial cable 1 having a jacket 5 and the shield conductor 4 formed by either horizontal winding or braided winding made of a conducting wire (for example, copper wire).
具体的には、極細同軸線1の端末部分のジャケット5を切断して、シールド導体4を露出させるステップS1と、ステップS1で露出させたシールド導体4に極細同軸線1の長手方向に沿ってレーザ光を走査することにより、シールド導体4を切断するステップS2と、ステップS2で切断したシールド導体4を極細同軸線1の端末側にストリップ除去して、中心導体2を露出させるステップS3と、を含む。 Specifically, the jacket 5 at the end portion of the micro coaxial wire 1 is cut to expose the shield conductor 4, and the shield conductor 4 exposed in step S 1 extends along the longitudinal direction of the micro coaxial wire 1. Step S2 for cutting the shield conductor 4 by scanning with laser light, Step S3 for stripping the shield conductor 4 cut in Step S2 to the terminal side of the micro coaxial line 1 and exposing the center conductor 2; including.
図2に示されるように、図1(c)におけるシールド導体4の切断箇所となるレーザ光8の照射箇所7(レーザ光8を走査するライン)は、各極細同軸線1の第1側部11、及び第2側部12に位置するシールド導体4にあって、レーザ光8の走査方向は、各極細同軸線1の長手方向であり、レーザ光8の走査長さがシールド導体4の巻きピッチPに対して(1/2)Pの長さとなる。なお、第1側部11、及び第2側部12は、各極細同軸線1の長手方向に直交する切断軸上にシールド導体のみが含まれる領域である。 As shown in FIG. 2, the irradiation spot 7 (line for scanning the laser beam 8) of the laser beam 8, which is the cutting spot of the shield conductor 4 in FIG. 1C, is the first side portion of each micro coaxial line 1. 11 and the shield conductor 4 located on the second side portion 12, the scanning direction of the laser light 8 is the longitudinal direction of each micro coaxial line 1, and the scanning length of the laser light 8 is the winding of the shield conductor 4. The length is (1/2) P with respect to the pitch P. In addition, the 1st side part 11 and the 2nd side part 12 are area | regions where only a shield conductor is contained on the cutting axis orthogonal to the longitudinal direction of each micro coaxial line 1. FIG.
図3(a)に示されるように、図2のA−A’面におけるレーザ光8の照射箇所7は、各極細同軸線1の第1側部11、及び第2側部12に位置するシールド導体4にあって、図3(b)に示されるように、レーザ光8の照射によるシールド導体4の切断箇所9は、各極細同軸線1の第1側部11、及び第2側部12に位置するシールド導体4のみとなり、極細同軸線1の長手方向に沿って、(1/2)Pの長さに亘り連続的に極細同軸線1の第1側部11、及び第2側部12に位置するシールド導体4が切断されている構造となる。 As shown in FIG. 3A, the irradiated portions 7 of the laser light 8 on the AA ′ plane in FIG. 2 are located on the first side portion 11 and the second side portion 12 of each micro coaxial line 1. In the shield conductor 4, as shown in FIG. 3B, the cut portions 9 of the shield conductor 4 by the irradiation of the laser light 8 are the first side portion 11 and the second side portion of each micro coaxial line 1. 12, the first side portion 11 and the second side of the micro coaxial cable 1 continuously along the longitudinal direction of the micro coaxial cable 1 over the length of (1/2) P. The shield conductor 4 located at the portion 12 is cut.
ところで、極細同軸線1のシールド導体4は、巻きピッチPに対して(1/2)P分の長さの間で、内部絶縁体3の表面上を180°取り囲んで巻かれている。 By the way, the shield conductor 4 of the micro coaxial cable 1 is wound around the surface of the inner insulator 3 by 180 ° with respect to the winding pitch P by a length corresponding to (½) P.
すなわち、(1/2)P分の長さの間で、シールド導体4は全て、極細同軸線1の第1側部11、及び第2側部12に位置する箇所を経由しており、第1側部11、及び第2側部12に位置するシールド導体4を少なくとも(1/2)Pの長さに亘って連続的に切断することにより、全てのシールド導体4を第1側部11、及び第2側部12のどちらかの箇所において、図4に示されるように切断することができる。 That is, between the lengths of (1/2) P, all of the shield conductors 4 are routed through the positions located on the first side portion 11 and the second side portion 12 of the micro coaxial cable 1, The shield conductors 4 positioned on the first side portion 11 and the second side portion 12 are continuously cut over a length of at least (1/2) P, so that all the shield conductors 4 are removed from the first side portion 11. And at either location on the second side 12 can be cut as shown in FIG.
なお、図5に示されるように、レーザ光8の照射箇所7が各極細同軸線1の第1側部11に位置するシールド導体4にある場合、レーザ光8の走査方向が各極細同軸線1の長手方向であり、レーザ光8の走査長さがシールド導体4の巻きピッチPに対して1Pの長さとなる。 As shown in FIG. 5, when the irradiation spot 7 of the laser beam 8 is on the shield conductor 4 located on the first side portion 11 of each micro coaxial line 1, the scanning direction of the laser beam 8 is each micro coaxial line. 1 and the scanning length of the laser beam 8 is 1 P with respect to the winding pitch P of the shield conductor 4.
図6(a)に示されるように、図5のB−B’面におけるレーザ光8の照射箇所7は、各極細同軸線1の第1側部11に位置するシールド導体4にあって、図6(b)に示されるように、レーザ光8によるシールド導体4の切断箇所9は、各極細同軸線1の第1側部11に位置するシールド導体4のみとなり、極細同軸線1の長手方向に沿って、少なくとも1Pの長さに亘り連続的に極細同軸線1の第1側部11に位置するシールド導体4が切断されている構造となる。 As shown in FIG. 6A, the irradiation spot 7 of the laser beam 8 on the BB ′ plane in FIG. 5 is in the shield conductor 4 located on the first side portion 11 of each micro coaxial line 1, As shown in FIG. 6B, the cut portion 9 of the shield conductor 4 by the laser beam 8 is only the shield conductor 4 positioned on the first side portion 11 of each micro coaxial line 1, and the length of the micro coaxial line 1 is long. The shield conductor 4 located on the first side portion 11 of the micro coaxial cable 1 is continuously cut along the direction for at least a length of 1P.
ところで、極細同軸線1のシールド導体4は、巻きピッチPに対して1P分の長さの間で、内部絶縁体3の表面上を360°取り囲んで巻かれている。 By the way, the shield conductor 4 of the micro coaxial cable 1 is wound around the surface of the inner insulator 3 by 360 ° with respect to the winding pitch P for a length of 1P.
すなわち、1P分の長さの間で、シールド導体4は全て、極細同軸線1の第1側部11、又は第2側部12のいずれか一方に位置する箇所を経由しており、第1側部11、又は第2側部12のいずれか一方に位置するシールド導体4を長手方向に沿って、1Pの長さに亘って連続的に切断することにより、全てのシールド導体4を、図7に示されるように切断することができる。 That is, between the lengths of 1P, all of the shield conductors 4 are routed through the locations located on either the first side portion 11 or the second side portion 12 of the micro coaxial line 1, and the first By cutting the shield conductor 4 located on either the side portion 11 or the second side portion 12 continuously over the length of 1P along the longitudinal direction, all the shield conductors 4 are 7 can be cut.
なお、照射箇所7、切断箇所9は、シールド導体4の第2側部12でも良く、同様の方法で実施することができる。 In addition, the irradiation location 7 and the cutting location 9 may be the 2nd side part 12 of the shield conductor 4, and can be implemented by the same method.
すなわち、シールド導体4は、極細同軸線1の周方向に沿ってn(nは1以上の整数)箇所の切断箇所9を有し、その切断箇所において、シールド導体4の巻きピッチPに対して少なくとも(1/n)Pの長さを切断する。 That is, the shield conductor 4 has n (n is an integer greater than or equal to 1) cut points 9 along the circumferential direction of the micro coaxial line 1, and the shield conductor 4 has a winding pitch P with respect to the shield conductor 4. Cut at least the length of (1 / n) P.
第1の実施の形態によれば、シールド導体4を切断する強力なレーザ光8の切断軸上、すなわち、光軸上に内部絶縁体3及び中心導体2がなく、レーザ光8がシールド導体4を切断した後に、内部絶縁体3及び中心導体2まで到達することはない。 According to the first embodiment, the internal insulator 3 and the central conductor 2 are not present on the cutting axis of the powerful laser beam 8 that cuts the shield conductor 4, that is, on the optical axis. After cutting, the inner insulator 3 and the central conductor 2 are not reached.
また、第1の実施の形態では、レーザ光8をジャケット5やシールド導体4の切断に用いたが、その切断方法はレーザ光8によるものに限られず、例えば、切削刃による加工法を用いても良い。 In the first embodiment, the laser beam 8 is used for cutting the jacket 5 and the shield conductor 4, but the cutting method is not limited to the method using the laser beam 8, and for example, a processing method using a cutting blade is used. Also good.
ここで、端末処理手順を時系列に沿って詳しく説明する。 Here, the terminal processing procedure will be described in detail along a time series.
図1(a)に示されるように、先ず、複数本の極細同軸線1を所望の整列ピッチで整列させフラットケーブル状にする。このフラットケーブル状の複数本の極細同軸線1にケーブルラミネート用の粘着テープ6によるラミネートを行う。これにより、複数本の極細同軸線1は整列状態のまま固定される。極細同軸線1は、例えば、外径が0.2mmのAWG46ケーブルであり、シールド導体4はそれぞれ直径0.02mmの20本の導線を横巻きして構成している。 As shown in FIG. 1A, first, a plurality of micro coaxial wires 1 are aligned at a desired alignment pitch to form a flat cable. Lamination with the adhesive tape 6 for cable laminating is performed on the plurality of flat coaxial cables 1. Thereby, the plurality of micro coaxial lines 1 are fixed in an aligned state. The ultra-fine coaxial line 1 is, for example, an AWG 46 cable having an outer diameter of 0.2 mm, and the shield conductor 4 is configured by horizontally winding 20 conductors each having a diameter of 0.02 mm.
その後、図1(b)に示されるように、波長10.6μmのCO2レーザを用いて、ポリマ材料からなるジャケット5にレーザ光8を照射する。レーザ光8が照射されると粘着テープ6とジャケット5は、レーザ光8のエネルギーを吸収し、高温になると共に燃焼、蒸発し、粘着テープ6とジャケット5に穴が生じる。CO2レーザは、シールド導体4を構成している導線(金属線)の表面では反射されるため、シールド導体4や内部絶縁体3にダメージを与えない。 Thereafter, as shown in FIG. 1B, the jacket 5 made of a polymer material is irradiated with a laser beam 8 using a CO 2 laser having a wavelength of 10.6 μm. When the laser beam 8 is irradiated, the adhesive tape 6 and the jacket 5 absorb the energy of the laser beam 8 and become high temperature, burn and evaporate, and a hole is formed in the adhesive tape 6 and the jacket 5. Since the CO 2 laser is reflected on the surface of the conducting wire (metal wire) constituting the shield conductor 4, the shield conductor 4 and the internal insulator 3 are not damaged.
CO2レーザは、極細同軸線1の上下面それぞれから照射することにより、極細同軸線1の全周分のジャケット5を切断する。 The CO 2 laser cuts the jacket 5 for the entire circumference of the fine coaxial line 1 by irradiating from the upper and lower surfaces of the fine coaxial line 1.
このようにして、ジャケット5にレーザ光8を照射することにより、ジャケット5を切断してシールド導体4を露出させ、シールド導体露出部を形成する。この図1(b)の工程はステップS1である。 In this way, by irradiating the jacket 5 with the laser beam 8, the jacket 5 is cut to expose the shield conductor 4, and the shield conductor exposed portion is formed. The process of FIG. 1B is step S1.
なお、ジャケット5をダイシングソーなどの他の加工法により切断してシールド導体4を露出させても良い。 The shield conductor 4 may be exposed by cutting the jacket 5 by another processing method such as a dicing saw.
しかる後、図1(c)に示されるように、極細同軸線1の第1側部11、及び第2側部12に位置するシールド導体4に、極細同軸線1の長手方向に沿って、シールド導体4の巻きピッチPに対して少なくとも(1/2)Pの長さでレーザ光8を走査することにより、レーザ光8が照射された箇所のシールド導体4を切断する。このとき、レーザは、波長1.06μmのYVO4レーザを用いた。 Thereafter, as shown in FIG. 1 (c), the shield conductors 4 located on the first side portion 11 and the second side portion 12 of the micro coaxial line 1 are arranged along the longitudinal direction of the micro coaxial wire 1. By scanning the laser beam 8 with a length of at least (1/2) P with respect to the winding pitch P of the shield conductor 4, the shield conductor 4 at the location irradiated with the laser beam 8 is cut. At this time, a YVO 4 laser having a wavelength of 1.06 μm was used as the laser.
このとき、シールド導体4の切断軸となるレーザ光8の光軸上に、内部絶縁体3や中心導体2がないため、シールド導体4が十分に切断できる程度のレーザ強度の強い条件を選定することができる。この図1(c)の工程がステップS2である。 At this time, since there is no internal insulator 3 or center conductor 2 on the optical axis of the laser beam 8 that becomes the cutting axis of the shield conductor 4, a condition with a strong laser intensity is selected so that the shield conductor 4 can be sufficiently cut. be able to. The process of FIG. 1C is step S2.
従来の極細同軸線の端末処理方法では、上半分に位置するシールド導体4の全てと、下半分に位置するシールド導体4の全てを、レーザ光8を上下面から照射することにより切断していた。 In the conventional end processing method for the fine coaxial line, all of the shield conductors 4 positioned in the upper half and all of the shield conductors 4 positioned in the lower half are cut by irradiating the laser beam 8 from the upper and lower surfaces. .
そのため、第1側部11、及び第2側部12に位置するシールド導体4を切断できるだけの強力なレーザ条件を用いる必要があり、その条件を用いて中央部13のシールド導体4を切断していたため、中央部13において、レーザ光8が内部絶縁体3や中心導体2まで到達し、内部絶縁体3や中心導体2を損傷させていた。 Therefore, it is necessary to use strong laser conditions that can cut the shield conductors 4 located on the first side portion 11 and the second side portion 12, and the shield conductor 4 in the center portion 13 is cut using the conditions. For this reason, the laser beam 8 reaches the internal insulator 3 and the central conductor 2 at the central portion 13 to damage the internal insulator 3 and the central conductor 2.
これに対して、第1の実施の形態では、強度の強いレーザ条件を用いても、レーザ光8の光軸上に内部絶縁体3や中心導体2がなく、レーザ光8が内部絶縁体3や中心導体2を損傷することがない。 On the other hand, in the first embodiment, the internal insulator 3 and the central conductor 2 are not on the optical axis of the laser beam 8 even when a strong laser condition is used, and the laser beam 8 is transmitted to the internal insulator 3. And the central conductor 2 is not damaged.
更に、第1の実施の形態では、シールド導体4を切断するためのレーザ光8を上下面から照射する必要がなく、例えば、上面からの照射のみで、全てのシールド導体4の切断が可能である。 Furthermore, in the first embodiment, it is not necessary to irradiate the laser beam 8 for cutting the shield conductor 4 from the upper and lower surfaces. For example, all the shield conductors 4 can be cut only by irradiation from the upper surface. is there.
その後、図1(d)に示されるように、切断されたシールド導体4をストリップ除去し、内部絶縁体3を露出させる。この工程がステップS3である。 Thereafter, as shown in FIG. 1D, the cut shield conductor 4 is stripped to expose the internal insulator 3. This process is step S3.
最後に、図1(e)に示されるように、波長1.06μmのCO2レーザを用いて内部絶縁体3にレーザ光8を照射することにより、内部絶縁体3を切断して端末側に引き抜き、中心導体露出部を形成する。 Finally, as shown in FIG. 1E, the internal insulator 3 is irradiated with laser light 8 using a CO 2 laser having a wavelength of 1.06 μm, so that the internal insulator 3 is cut to the terminal side. Drawing out and forming the central conductor exposed part.
このように、第1の実施の形態によれば、中心から外側へ順に中心導体2、内部絶縁体3、シールド導体4、ジャケット5を有し、シールド導体4が導線からなる横巻き又は編組巻きのいずれかで形成された極細同軸線の端末処理方法において、極細同軸線1の端末部分のジャケット5を切断して、シールド導体4を露出させるステップS1と、露出させたシールド導体4を極細同軸線1の長手方向に沿って切断するステップS2と、切断したシールド導体4を極細同軸線1の端末側にストリップ除去して、中心導体2を露出させるステップS3と、を含み、シールド導体4は、極細同軸線1の周方向に沿ってn(nは1以上の整数)箇所の切断箇所9を有し、切断箇所9において、シールド導体4の巻きピッチPに対して少なくとも(1/n)Pの長さを切断するため、シールド導体4を切断するときに内部絶縁体3への損傷を軽減することができる。 As described above, according to the first embodiment, the center conductor 2, the inner insulator 3, the shield conductor 4, and the jacket 5 are provided in this order from the center to the outside, and the shield conductor 4 is a horizontal winding or braided winding made of a conductive wire. In the terminal processing method of the micro coaxial line formed by any of the above, step S1 in which the jacket 5 of the terminal portion of the micro coaxial line 1 is cut to expose the shield conductor 4, and the exposed shield conductor 4 is micro coaxial. A step S2 for cutting along the longitudinal direction of the line 1, and a step S3 for stripping the cut shield conductor 4 to the end side of the micro coaxial line 1 to expose the center conductor 2; And n (n is an integer of 1 or more) cutting points 9 along the circumferential direction of the micro coaxial line 1, and at the cutting points 9, at least (1 / ) For cutting a length of P, it is possible to reduce the damage to the inner insulator 3 when cutting the shield conductor 4.
なお、ステップS2において、極細同軸線1の第1側部11、又は第2側部12のいずれか一方に位置するシールド導体4に、極細同軸線1の長手方向に、シールド導体4の巻きピッチPに対して少なくとも1Pの長さで、レーザ光8を走査することにより、レーザ光8が照射された箇所のシールド導体4を切断する場合でも、同様の効果が得られる。 In step S2, the winding pitch of the shield conductor 4 in the longitudinal direction of the micro coaxial line 1 is set on the shield conductor 4 positioned on either the first side portion 11 or the second side portion 12 of the micro coaxial wire 1. By scanning the laser beam 8 with a length of at least 1P with respect to P, the same effect can be obtained even when the shield conductor 4 at the location irradiated with the laser beam 8 is cut.
すなわち、極細同軸線1の長手方向に直交する切断軸上に、シールド導体4のみが含まれる領域、すなわち、第1側部11及び第2側部12のうち少なくとも一方を切断箇所9とする場合でも、同様の効果が得られる。 In other words, the region including only the shield conductor 4 on the cutting axis perpendicular to the longitudinal direction of the micro coaxial line 1, that is, the case where at least one of the first side portion 11 and the second side portion 12 is the cutting portion 9. However, the same effect can be obtained.
次に、本発明の第2の実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。 Next, a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
第1の実施の形態と同様に、ステップS2において、極細同軸線1の中央部13に位置するシールド導体4を、極細同軸線1の上下面から、極細同軸線1の長手方向に、シールド導体4の巻きピッチPに対して少なくとも(1/2)Pの長さでレーザ光8を走査することにより、内部絶縁体3及び中心導体2の損傷をなくすことができる。 As in the first embodiment, in step S2, the shield conductor 4 located at the center portion 13 of the micro coaxial line 1 is shielded from the upper and lower surfaces of the micro coaxial line 1 in the longitudinal direction of the micro coaxial line 1. By scanning the laser beam 8 with a length of at least (1/2) P with respect to the winding pitch P of 4, damage to the internal insulator 3 and the central conductor 2 can be eliminated.
図8に示されるように、図1(c)におけるシールド導体4の切断箇所となるレーザ光8の照射箇所7は、各極細同軸線1の中央部13に位置するシールド導体4の上下面にあって、レーザ光8の走査方向が各極細同軸線1の長手方向であり、レーザ光8の走査長さがシールド導体4の巻きピッチPに対して(1/2)Pの長さとなる。なお、中央部13は、各極細同軸線1の長手方向に直交する切断軸上に内部絶縁体とシールド導体とが少なくとも含まれる領域である。 As shown in FIG. 8, the irradiated portions 7 of the laser light 8 that are the cut portions of the shield conductor 4 in FIG. 1C are formed on the upper and lower surfaces of the shield conductor 4 located in the central portion 13 of each micro coaxial line 1. The scanning direction of the laser light 8 is the longitudinal direction of each micro coaxial line 1, and the scanning length of the laser light 8 is (1/2) P with respect to the winding pitch P of the shield conductor 4. The central portion 13 is a region including at least an internal insulator and a shield conductor on a cutting axis orthogonal to the longitudinal direction of each micro coaxial line 1.
図9(a)に示されるように、図8のC−C’面におけるレーザ光8の照射箇所7は、各極細同軸線1の中央部13に位置するシールド導体4の上下面にあって、図9(b)に示されるように、レーザ光8によるシールド導体4の切断箇所9は、各極細同軸線1の中央部13に位置するシールド導体4の上下面のみとなり、極細同軸線1の長手方向に沿って、(1/2)Pの長さだけ連続的に極細同軸線1の中央部13の上面、及び下面に位置するシールド導体4が切断されている構造となる。 As shown in FIG. 9A, the irradiated portions 7 of the laser light 8 on the CC ′ plane in FIG. 8 are on the upper and lower surfaces of the shield conductor 4 located in the central portion 13 of each micro coaxial line 1. As shown in FIG. 9B, the cut portion 9 of the shield conductor 4 by the laser beam 8 is only the upper and lower surfaces of the shield conductor 4 located at the central portion 13 of each micro coaxial line 1. The shield conductor 4 located on the upper surface and the lower surface of the central portion 13 of the micro coaxial line 1 is continuously cut by a length of (1/2) P along the longitudinal direction.
ところで、極細同軸線1のシールド導体4は、巻きピッチPに対して(1/2)P分の長さの間で、内部絶縁体3の表面上を180°取り囲んで巻かれている。 By the way, the shield conductor 4 of the micro coaxial cable 1 is wound around the surface of the inner insulator 3 by 180 ° with respect to the winding pitch P by a length corresponding to (½) P.
すなわち、(1/2)P分の長さの間で、シールド導体4は全て、極細同軸線1の中央部13の上面、及び下面に位置する箇所を経由しており、中央部13の上面、及び下面に位置するシールド導体4を少なくとも(1/2)Pの長さに亘って連続的に切断することにより、全てのシールド導体4を中央部13の上面、及び下面のどちらかの箇所において、図10に示されるように切断することができる。 That is, the shield conductors 4 are all routed through the upper surface and the lower surface of the central portion 13 of the micro coaxial cable 1 within the length of (1/2) P. , And the shield conductor 4 located on the lower surface is continuously cut over a length of at least (1/2) P, so that all the shield conductors 4 are located on either the upper surface or the lower surface of the central portion 13. Can be cut as shown in FIG.
第2の実施の形態によれば、シールド導体4を切断するためのレーザ光8として、第1の実施の形態とは異なり、第1側部11、及び第2側部12に位置するシールド導体4の全てを切断するほどの強力なレーザ条件を用いる必要がない。また、従来の極細同軸線の端末処理方法のように、レーザ光8を円周方向に照射しないため、レーザからの距離が一定で焦点がずれることがない。 According to the second embodiment, as the laser light 8 for cutting the shield conductor 4, unlike the first embodiment, the shield conductors located on the first side portion 11 and the second side portion 12. It is not necessary to use laser conditions that are strong enough to cut all four. In addition, unlike the conventional method for processing an ultrafine coaxial line, since the laser beam 8 is not irradiated in the circumferential direction, the distance from the laser is constant and the focus is not shifted.
そのため、焦点ずれを考慮してレーザ光8の強度を上げる必要がなく、従来の極細同軸線の端末処理方法よりも弱く、且つ一定の強度のレーザ光8で照射することができ、内部絶縁体3及び中心導体2を損傷することがない。 Therefore, it is not necessary to increase the intensity of the laser beam 8 in consideration of defocusing, and it can be irradiated with the laser beam 8 that is weaker and has a certain intensity compared to the conventional ultrafine coaxial line terminal processing method. 3 and the central conductor 2 are not damaged.
また、第1の実施の形態と同様に、ステップS2において、極細同軸線1の中央部13に位置するシールド導体4を、極細同軸線1の片面から、極細同軸線1の長手方向に沿って、シールド導体4の巻きピッチPに対して少なくとも1Pの長さで、レーザ光8を走査することにより、内部絶縁体3及び中心導体2の損傷をなくすことができる。 Similarly to the first embodiment, in step S 2, the shield conductor 4 positioned at the central portion 13 of the fine coaxial line 1 is extended from one side of the fine coaxial line 1 along the longitudinal direction of the fine coaxial line 1. By scanning the laser beam 8 with a length of at least 1P with respect to the winding pitch P of the shield conductor 4, damage to the internal insulator 3 and the center conductor 2 can be eliminated.
図11に示されるように、図1(c)におけるレーザ光8の照射箇所7は、各極細同軸線1の中央部13に位置するシールド導体4の上面にあって、図12(a)に示されるように、レーザ光8によるシールド導体4の切断箇所9は、各極細同軸線1の中央部13に位置するシールド導体4の上面のみとなり、極細同軸線1の長手方向に沿って、1Pの長さを連続的に極細同軸線1の中央部13の上面に位置するシールド導体4が切断されている構造となる。 As shown in FIG. 11, the irradiation spot 7 of the laser beam 8 in FIG. 1C is on the upper surface of the shield conductor 4 located in the central portion 13 of each micro coaxial line 1, and in FIG. As shown, the cut portion 9 of the shield conductor 4 by the laser beam 8 is only the upper surface of the shield conductor 4 located at the central portion 13 of each micro coaxial line 1, and 1P along the longitudinal direction of the micro coaxial line 1. The shield conductor 4 located on the upper surface of the central portion 13 of the micro coaxial cable 1 is continuously cut.
ところで、極細同軸線1のシールド導体4は、巻きピッチPに対して1P分の長さの間で、内部絶縁体3の表面上を360°取り囲んで巻かれている。 By the way, the shield conductor 4 of the micro coaxial cable 1 is wound around the surface of the inner insulator 3 by 360 ° with respect to the winding pitch P for a length of 1P.
すなわち、1P分の長さの間で、シールド導体4は全て、極細同軸線1の中央部13の上面、又は下面のいずれか一方に位置する箇所を経由しており、中央部13の上面、又は下面のいずれか一方に位置するシールド導体4を長手方向に沿って、1Pの長さに亘って連続的に切断することにより、全てのシールド導体4を、中央部13の上面、又は下面において、図13に示されるように切断することができる。 That is, between the lengths of 1P, all of the shield conductors 4 are routed through a location located on either the upper surface or the lower surface of the central portion 13 of the micro coaxial cable 1, and the upper surface of the central portion 13; Alternatively, by continuously cutting the shield conductor 4 located on either one of the lower surfaces along the longitudinal direction over the length of 1P, all the shield conductors 4 are placed on the upper surface or the lower surface of the central portion 13. Can be cut as shown in FIG.
なお、照射箇所7、切断箇所9は、シールド導体4の中央部13の下面でも良く、同様の方法で実施することができる。 In addition, the irradiation location 7 and the cutting location 9 may be the lower surface of the center part 13 of the shield conductor 4, and can be implemented by the same method.
この形態によっても、シールド導体4を切断するためのレーザ光8として、第1の実施の形態とは異なり、第1側部11、及び第2側部12に位置するシールド導体4の全てを切断するほどの強力なレーザ条件を用いる必要がない。また、従来の極細同軸線の端末処理方法のように、レーザ光8を円周方向に照射しないため、レーザからの距離が一定で焦点がずれることがない。 Also in this embodiment, as the laser beam 8 for cutting the shield conductor 4, unlike the first embodiment, all of the shield conductors 4 located on the first side portion 11 and the second side portion 12 are cut. There is no need to use such powerful laser conditions. In addition, unlike the conventional method for processing an ultrafine coaxial line, since the laser beam 8 is not irradiated in the circumferential direction, the distance from the laser is constant and the focus is not shifted.
そのため、焦点ずれを考慮してレーザ光8の強度を上げる必要がなく、従来の極細同軸線の端末処理方法よりも弱く、且つ一定の強度のレーザ光8で照射することができ、内部絶縁体3及び中心導体2を損傷することがない。 Therefore, it is not necessary to increase the intensity of the laser beam 8 in consideration of defocusing, and it can be irradiated with the laser beam 8 that is weaker and has a certain intensity compared to the conventional ultrafine coaxial line terminal processing method. 3 and the central conductor 2 are not damaged.
次に、本発明の第3の実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。 Next, a third embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図14に示されるように、図1(c)におけるレーザ光8の照射箇所7は、各極細同軸線1の中央部13に位置するシールド導体4の上面中央と、上面中央を0°とすると、極細同軸線1の外周廻りに120°、240°の3箇所にあって、レーザ光8の走査方向が各極細同軸線1の長手方向であり、レーザ光8の走査長さがシールド導体4の巻きピッチPに対して(1/3)Pの長さとなる。 As shown in FIG. 14, the irradiation spot 7 of the laser beam 8 in FIG. 1C is set such that the upper surface center of the shield conductor 4 located at the central portion 13 of each micro coaxial line 1 and the upper surface center are 0 °. There are three positions of 120 ° and 240 ° around the outer periphery of the fine coaxial line 1, the scanning direction of the laser light 8 is the longitudinal direction of each fine coaxial line 1, and the scanning length of the laser light 8 is the shield conductor 4. Is a length of (1/3) P with respect to the winding pitch P.
極細同軸線1のシールド導体4は、巻きピッチPに対して(1/3)P分の長さの間で、内部絶縁体3の表面上を120°取り囲んで巻かれている。 The shield conductor 4 of the ultrafine coaxial line 1 is wound around the surface of the internal insulator 3 by 120 ° with respect to the winding pitch P by a length corresponding to (1/3) P.
すなわち、(1/3)P分の長さの間で、シールド導体4は全て、極細同軸線1の上面中央と、上面中央を0°とすると、極細同軸線1の外周廻りに120°、240°の3箇所に位置する箇所を経由しており、上面中央と、上面中央を0°とすると、極細同軸線1の外周廻りに120°、240°の3箇所に位置するシールド導体4を長手方向に沿って、少なくとも(1/3)Pの長さに亘って連続的に切断することにより、全てのシールド導体4を切断することができる。 That is, between the lengths of (1/3) P, the shield conductors 4 are all 120 ° around the outer periphery of the micro coaxial line 1 when the center of the top surface of the micro coaxial wire 1 and the center of the top surface are 0 °. Via the locations located at three locations of 240 °, and assuming that the center of the top surface and the center of the top surface are 0 °, the shield conductors 4 located at three locations of 120 ° and 240 ° around the outer periphery of the micro coaxial cable 1 All the shield conductors 4 can be cut by continuously cutting at least (1/3) P along the longitudinal direction.
第3の実施の形態によれば、シールド導体4を切断するためのレーザ光8として、第1の実施の形態とは異なり、第1側部11、及び第2側部12に位置するシールド導体4の全てを切断するほどの強力なレーザ条件を用いる必要がない。具体的には、第2の実施の形態で用いたレーザ条件と同じものを用いることができ、内部絶縁体3や中心導体2への損傷が発生しない。また、従来の極細同軸線の端末処理方法のように、レーザ光8を円周方向に照射しないため、レーザからの距離が一定で焦点がずれることがない。 According to the third embodiment, as the laser light 8 for cutting the shield conductor 4, unlike the first embodiment, the shield conductors located on the first side portion 11 and the second side portion 12. It is not necessary to use laser conditions that are strong enough to cut all four. Specifically, the same laser conditions as those used in the second embodiment can be used, and the internal insulator 3 and the central conductor 2 are not damaged. In addition, unlike the conventional method for processing an ultrafine coaxial line, since the laser beam 8 is not irradiated in the circumferential direction, the distance from the laser is constant and the focus is not shifted.
そのため、焦点ずれを考慮してレーザ光8の強度を上げる必要がなく、特許文献2の端末処理方法よりも弱く、且つ一定の強度のレーザ光8で照射することができ、内部絶縁体3及び中心導体2を損傷することがない。 Therefore, it is not necessary to increase the intensity of the laser beam 8 in consideration of defocusing, and it is weaker than the terminal processing method of Patent Document 2 and can be irradiated with the laser beam 8 having a constant intensity. The center conductor 2 is not damaged.
更に、端末処理された極細同軸線1は、露出したシールド導体4にはんだ材10を塗布し、グランドバーを接続することで接地を行う。はんだ材10は、シールド導体4に塗布される際、約220℃の高温となるため、従来の端末処理方法によって端末処理された極細同軸線1のシールド導体4にはんだ材10を塗布すると、はんだ材10が内部絶縁体3に触れて内部絶縁体3を損傷する虞がある。 Further, the terminally treated ultrafine coaxial wire 1 is grounded by applying a solder material 10 to the exposed shield conductor 4 and connecting a ground bar. Since the solder material 10 has a high temperature of about 220 ° C. when applied to the shield conductor 4, if the solder material 10 is applied to the shield conductor 4 of the ultrafine coaxial wire 1 subjected to the terminal treatment by the conventional terminal treatment method, The material 10 may touch the internal insulator 3 and damage the internal insulator 3.
これに対し、第1〜3の実施の形態によって端末処理された極細同軸線1は、図15に示されるように、切断箇所9のシールド導体4の巻き付けを戻し、隣接する極細同軸線1との間にシールド導体4が配置されるようにした後、シールド導体4にはんだ材10を塗布することで、内部絶縁体3上にはんだ材10が落ちることがない。そのため、はんだ材10による内部絶縁体3の損傷を防ぐことができる。 On the other hand, as shown in FIG. 15, the micro coaxial cable 1 subjected to terminal processing according to the first to third embodiments returns the winding of the shield conductor 4 at the cut portion 9, and the adjacent micro coaxial cable 1. After the shield conductor 4 is arranged between them, the solder material 10 is applied to the shield conductor 4 so that the solder material 10 does not fall on the internal insulator 3. Therefore, damage to the internal insulator 3 due to the solder material 10 can be prevented.
以上要するに、本発明によれば、シールド導体4を切断するためのレーザ光8の光軸を損傷の虞のある内部絶縁体3及び中心導体2から外したり、たとえレーザ光8の光軸上に内部絶縁体3及び中心導体2が存在したとしても、レーザ光8を内部絶縁体3や中心導体2が損傷しない強度まで低減することができる。 In short, according to the present invention, the optical axis of the laser beam 8 for cutting the shield conductor 4 is removed from the internal insulator 3 and the central conductor 2 that may be damaged, or even on the optical axis of the laser beam 8. Even if the internal insulator 3 and the center conductor 2 exist, the laser beam 8 can be reduced to a strength that does not damage the internal insulator 3 and the center conductor 2.
これにより、とりわけアレイ化した複数本の極細同軸線1の端末を一斉に加工する際に、内部絶縁体3と中心導体2に対する加工工程に起因したダメージを低減することが可能となり、生産性と信頼性が向上する。 This makes it possible to reduce the damage caused by the processing steps on the internal insulator 3 and the central conductor 2 when processing the terminals of a plurality of arrayed micro coaxial cables 1 all at once. Reliability is improved.
なお、シールド導体4の切断に用いるレーザの種類は、特に限定されず、例えば、波長1.06μmのYVO4レーザに限られず、YAGレーザを用いても良い。また、これらのレーザをLBO結晶などの非線形結晶に通すことで、第2高調波である波長532nmのレーザを発生させ、用いても良い。銅を加工するときの銅表面の光吸収率は、波長1.06μmでは2%と低く、波長532nmでは33%と高いため、波長532nmのレーザの方が効率的な加工が行える。 The type of laser used for cutting the shield conductor 4 is not particularly limited, for example, not limited to the YVO 4 laser with a wavelength of 1.06 .mu.m, it may also be used YAG laser. Further, by passing these lasers through a nonlinear crystal such as an LBO crystal, a laser having a wavelength of 532 nm, which is the second harmonic, may be generated and used. Since the optical absorptance of the copper surface when processing copper is as low as 2% at a wavelength of 1.06 μm and as high as 33% at a wavelength of 532 nm, a laser with a wavelength of 532 nm can be processed more efficiently.
1 極細同軸線
2 中心導体
3 内部絶縁体
4 シールド導体
5 ジャケット
6 粘着テープ
7 照射箇所
8 レーザ光
9 切断箇所
10 はんだ材
11 第1側部
12 第2側部
13 中央部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Very fine coaxial line 2 Center conductor 3 Inner insulator 4 Shield conductor 5 Jacket 6 Adhesive tape 7 Irradiation place 8 Laser beam 9 Cutting place 10 Solder material 11 1st side part 12 2nd side part 13 Center part
Claims (4)
前記極細同軸線の端末部分の前記ジャケットを切断して、前記シールド導体を露出させるステップと、
露出させた前記シールド導体を前記極細同軸線の長手方向に沿って切断するステップと、
切断した前記シールド導体を前記極細同軸線の端末側にストリップ除去して、前記中心導体を露出させるステップと、
を含み、
前記シールド導体は、前記極細同軸線の周方向に沿ってn(nは1以上の整数)箇所の切断箇所を有し、前記切断箇所において、前記シールド導体の巻きピッチPに対して少なくとも(1/n)Pの長さを切断することを特徴とする極細同軸線の端末処理方法。 In the terminal processing method of the fine coaxial wire, which has a center conductor, an inner insulator, a shield conductor, and a jacket in order from the center to the outside, and the shield conductor is formed by either a horizontal winding or a braided winding made of a conductive wire.
Cutting the jacket of the end portion of the micro coaxial cable to expose the shield conductor;
Cutting the exposed shield conductor along the longitudinal direction of the micro coaxial line;
Stripping the cut shield conductor to the end of the micro coaxial line to expose the center conductor;
Including
The shield conductor has n (n is an integer of 1 or more) cut portions along the circumferential direction of the micro coaxial line, and at least (1) with respect to the winding pitch P of the shield conductor at the cut portion. / N) A terminal processing method for an ultrafine coaxial line, characterized by cutting the length of P.
前記極細同軸線の端末部分の前記中心導体と前記シールド導体が露出され、
前記シールド導体は、前記極細同軸線の長手方向に沿って、前記シールド導体の巻きピッチPに対して少なくとも(1/n)Pの長さだけ連続的に切断されていることを特徴とする極細同軸線の端末処理構造。 In the terminal processing structure of the fine coaxial wire, which has a center conductor, an inner insulator, a shield conductor, and a jacket in order from the center to the outside, and the shield conductor is formed by either a horizontal winding or a braided winding made of a conductive wire,
The central conductor and the shield conductor of the end portion of the micro coaxial line are exposed,
The shield conductor is continuously cut along the longitudinal direction of the micro coaxial line by a length of at least (1 / n) P with respect to the winding pitch P of the shield conductor. Coaxial line terminal processing structure.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2011
- 2011-06-14 JP JP2011132420A patent/JP2013005525A/en not_active Withdrawn
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CN105896373A (en) * | 2016-04-28 | 2016-08-24 | 中国科学技术大学 | 10.6 mu m laser based system for waste removal of high-voltage transmission line of pancreatic telescope |
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