JP2010129295A - Method for treating terminal of ultrafine coaxial wire - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for treating a terminal of an ultrafine coaxial wire, capable of reducing the damage on an internal insulator when cutting a shield conductor. <P>SOLUTION: The method includes: step S1 of cutting a jacket 5 at a first processing point P1 located in a first distance from a terminal T to expose a shield conductor 4; step S2 of exposing the exposed shield conductor 4 in step S1 with laser beam prior to removal of the jacket 5 closer to the terminal T from the exposed shield conductor 4, thereby cutting the shield conductor 4 to expose an internal conductor 3; and step S3 of cutting the jacket 5 at a second processing point P2 located in a second distance longer than the first distance from the terminal T to expose the shield conductor 4. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、シールド導体を切断するときに内部絶縁体へのダメージを軽減する極細同軸線の端末処理方法に関する。   The present invention relates to a terminal processing method for an ultrafine coaxial line that reduces damage to an internal insulator when a shield conductor is cut.

ノート型パソコンの本体と液晶ディスプレイとを繋ぐ配線や医療用超音波診断装置の本体と探触子とを繋ぐ配線など、高周波信号・高速信号を伝送してかつ可撓性が大きいケーブルとして、極細同軸線がある。   As a flexible cable that transmits high-frequency signals and high-speed signals, such as wiring that connects the main body of a notebook computer and a liquid crystal display, or wiring that connects the main body of a medical ultrasonic diagnostic apparatus and a probe, it is extremely thin. There is a coaxial line.

極細同軸線は、中心から外側へ順に中心導体、内部絶縁体、シールド導体、ジャケットが積層されたものである。極細同軸線を機器に直接接続したり、コネクタに取り付ける際には、端末部分の中心導体とシールド導体を露出させる端末処理が施される。   The ultra-fine coaxial line is formed by laminating a center conductor, an internal insulator, a shield conductor, and a jacket in order from the center to the outside. When the micro coaxial cable is directly connected to the device or attached to the connector, a terminal process is performed to expose the center conductor and the shield conductor of the terminal portion.

従来の端末処理方法による複数本の極細同軸線の端末処理の手順を図3により説明する。   A procedure of terminal processing of a plurality of micro coaxial lines by a conventional terminal processing method will be described with reference to FIG.

図3(a)に示されるように、複数本の極細同軸線1を所望の整列ピッチで整列させ、粘着テープ6でその整列状態に固定する。   As shown in FIG. 3 (a), a plurality of micro coaxial wires 1 are aligned at a desired alignment pitch and fixed in the aligned state with an adhesive tape 6.

図3(b)に示されるように、端末から所望の距離にある処理箇所にて、粘着テープ6と極細同軸線1のジャケット5にレーザ光を照射することにより粘着テープ6と極細同軸線1のジャケット5を切断し、この処理箇所から端末側にある粘着テープ6とジャケット5とを同時に端末方向に引き抜く。これにより、この処理箇所から端末までシールド導体4が露出する。なお、切断とは、切り込みを入れることを言う。   As shown in FIG. 3B, the adhesive tape 6 and the micro coaxial cable 1 are irradiated with laser light on the adhesive tape 6 and the jacket 5 of the micro coaxial cable 1 at a processing point at a desired distance from the terminal. The jacket 5 is cut, and the adhesive tape 6 and the jacket 5 on the terminal side are simultaneously pulled out from the processing portion in the terminal direction. Thereby, the shield conductor 4 is exposed from this processing location to the terminal. In addition, cutting means making a cut.

図3(c)に示されるように、上記図3(b)の処理箇所より端末に近い処理箇所にて、シールド導体4にレーザ光を照射することにより、シールド導体4を切断し、この処理箇所から端末側にあるシールド導体4を端末方向に引き抜く。これにより、この処理箇所から端末まで内部絶縁体3が露出する。   As shown in FIG. 3C, the shield conductor 4 is irradiated with laser light at a processing location closer to the terminal than the processing location in FIG. The shield conductor 4 on the terminal side is pulled out from the location in the terminal direction. Thereby, the internal insulator 3 is exposed from this processing location to the terminal.

図3(d)に示されるように、上記図3(c)の処理箇所より端末に近い処理箇所にて、内部絶縁体3にレーザ光を照射することにより、内部絶縁体3を切断し、この処理箇所から端末側にある内部絶縁体3を端末方向に引き抜く。これにより、この処理箇所から端末まで中心導体2が露出する。   As shown in FIG. 3D, the internal insulator 3 is cut by irradiating the internal insulator 3 with a laser beam at a processing location closer to the terminal than the processing location of FIG. The internal insulator 3 on the terminal side is pulled out from the processing portion in the terminal direction. As a result, the central conductor 2 is exposed from the processing location to the terminal.

以上の工程を順に行うことにより、シールド導体4、内部絶縁体3、中心導体2がそれぞれ所望した長さ露出した状態となる。   By performing the above steps in order, the shield conductor 4, the internal insulator 3, and the center conductor 2 are exposed to the desired lengths.

2007−290013号公報2007-290013 2000−245026号公報No. 2000-2445026

しかしながら、従来の端末処理方法では、シールド導体4にレーザ光を照射してシールド導体4を切断する際、シールド導体4を覆っていたジャケット5がすでに取り除かれているため、シールド導体4を構成する導線が動きやすくなっている。導線が動いて導線同士の間隔が広くなると、シールド導体4を切断するレーザ光が導線の隙間を通って内部絶縁体3に到達する。このため内部絶縁体3に穴が開き、中心導体2とシールド導体4とが短絡するという不具合が発生する。   However, in the conventional terminal processing method, when the shield conductor 4 is irradiated with the laser beam and the shield conductor 4 is cut, the jacket 5 covering the shield conductor 4 has already been removed, so that the shield conductor 4 is configured. Lead wire is easy to move. When the conducting wire moves and the interval between the conducting wires becomes wide, the laser beam for cutting the shield conductor 4 reaches the internal insulator 3 through the gap between the conducting wires. For this reason, a hole is opened in the internal insulator 3, causing a problem that the center conductor 2 and the shield conductor 4 are short-circuited.

特許文献1では、レーザ光の照射方向を工夫することで内部絶縁体のレーザ光によるダメージを低減している。しかし、複数本の極細同軸線を整列させて同時に端末処理する場合、1本の極細同軸線を中心とした光学系を組むことができないため、特許文献1を適用することができない。   In Patent Document 1, damage to the internal insulator due to laser light is reduced by devising the irradiation direction of the laser light. However, when a plurality of ultra-fine coaxial lines are aligned and subjected to terminal processing at the same time, an optical system centered on one ultra-fine coaxial line cannot be assembled, and thus Patent Document 1 cannot be applied.

特許文献2では、複数本の極細同軸線を整列させ、ジャケットにレーザ光を照射してジャケットを切断し、そのジャケットをずらしてシールド導体を所定幅露出させ、そのシールド導体にはんだを塗布し、そのはんだ部分にレーザ光を照射して加工溝を形成し、加工溝を支点として複数本の極細同軸線を折り曲げることにより、加工溝を境にシールド導体を分離する。   In Patent Document 2, a plurality of micro coaxial lines are aligned, the jacket is irradiated with laser light, the jacket is cut, the jacket is shifted to expose the shield conductor to a predetermined width, and solder is applied to the shield conductor. The solder portion is irradiated with a laser beam to form a processed groove, and a plurality of fine coaxial lines are bent with the processed groove as a fulcrum, thereby separating the shield conductor at the processed groove.

これにより導線の隙間をはんだによって埋めることができる。しかし、はんだを塗布した分、ジャケットを切断するためのレーザ光のエネルギが余分に必要になる。また、はんだ塗布量のばらつきに依存する不良が発生する。また、はんだ塗布の工程において、溶融はんだの表面張力に起因し、隣接する極細同軸線同士が近付いて接触してしまう。   Thereby, the space | interval of conducting wire can be filled up with solder. However, the amount of laser light energy required to cut the jacket is required as much as the solder is applied. In addition, defects that depend on variations in the amount of solder applied occur. Further, in the solder application process, adjacent fine coaxial lines come close to each other and come into contact with each other due to the surface tension of the molten solder.

そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、シールド導体を切断するときに内部絶縁体へのダメージを軽減する極細同軸線の端末処理方法を提供することにある。   SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-described problems and provide a terminal processing method for an ultra-fine coaxial line that reduces damage to an internal insulator when a shield conductor is cut.

上記目的を達成するために本発明は、中心から外側へ順に中心導体、内部絶縁体、シールド導体、ジャケットを有し、上記シールド導体が導線で形成された極細同軸線の端末処理方法において、端末から第1の距離にある第1処理箇所にて、ジャケットを切断してシールド導体を露出させるステップと、上記ステップで露出したシールド導体より端末側のジャケットを除去する前に該露出したシールド導体にレーザ光を照射することによりシールド導体を切断して内部絶縁体を露出させるステップと、端末から第1の距離より長い第2の距離にある第2処理箇所にて、ジャケットを切断してシールド導体を露出させるステップとを含むものである。   In order to achieve the above object, the present invention provides a terminal processing method for a micro coaxial cable having a center conductor, an inner insulator, a shield conductor, and a jacket in order from the center to the outside, wherein the shield conductor is formed of a conductive wire. Cutting the jacket to expose the shield conductor at the first processing location at a first distance from the front, and removing the jacket on the terminal side from the shield conductor exposed in the above step to the exposed shield conductor Cutting the shield conductor by irradiating the laser beam to expose the internal insulator, and cutting the jacket at the second processing position at a second distance longer than the first distance from the terminal to shield the shield conductor; Exposing the step.

螺旋巻きによって形成された上記シールド導体を露出させる幅(極細同軸線の長手方向)は、上記導線の螺旋巻きのピッチの1/8周分以下としてもよい。   The width for exposing the shield conductor formed by spiral winding (longitudinal direction of the fine coaxial line) may be equal to or less than 1/8 of the spiral winding pitch of the conductive wire.

上記ジャケットの切断には、二酸化炭素レーザを用いてもよい。   A carbon dioxide laser may be used for cutting the jacket.

上記シールド導体の切断には、YAGレーザを用いてもよい。   A YAG laser may be used for cutting the shield conductor.

本発明は次の如き優れた効果を発揮する。   The present invention exhibits the following excellent effects.

(1)シールド導体を切断するときに内部絶縁体へのダメージを軽減することができる。   (1) When the shield conductor is cut, damage to the internal insulator can be reduced.

以下、本発明の一実施形態を添付図面に基づいて詳述する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図1(a)〜図1(g)に示されるように、本発明に係る極細同軸線1の端末処理方法は、中心から外側へ順に中心導体2、内部絶縁体3、シールド導体4、ジャケット5を有し、シールド導体4が導線からなる螺旋巻き、縦巻き、編組のいずれかで形成された極細同軸線1の端末処理方法において、端末Tから第1の距離にある第1処理箇所P1にて、ジャケット5にレーザ光を照射することによりジャケット5を切断してシールド導体4を露出させるステップS1と、上記ステップS1で露出したシールド導体4より端末T側のジャケット5を除去する前に該露出したシールド導体4にレーザ光を照射することによりシールド導体4を切断して内部絶縁体3を露出させるステップS2と、端末Tから第1の距離より長い第2の距離にある第2処理箇所P2にて、ジャケット5にレーザ光を照射することによりジャケット5を切断してシールド導体4を露出させるステップS3とを含むものである。   As shown in FIGS. 1 (a) to 1 (g), the terminal processing method of the micro coaxial wire 1 according to the present invention is the center conductor 2, the inner insulator 3, the shield conductor 4, the jacket in order from the center to the outside. In the terminal processing method for the ultra-fine coaxial wire 1 having a shield conductor 4 formed of any one of a spiral winding, a longitudinal winding, and a braid made of a conductive wire, a first processing point P1 that is at a first distance from the terminal T In step S1 in which the jacket 5 is cut by irradiating the jacket 5 with laser light to expose the shield conductor 4, and before the jacket 5 on the terminal T side is removed from the shield conductor 4 exposed in step S1. Step S2 in which the shield conductor 4 is cut by irradiating the exposed shield conductor 4 with laser light to expose the internal insulator 3, and the terminal T is at a second distance longer than the first distance. At 2 processing point P2, it is intended to include a step S3 to expose the shield conductor 4 by cutting the jacket 5 by irradiating the jacket 5 with a laser beam.

端末処理手順に従って詳しく説明する。   This will be described in detail according to the terminal processing procedure.

図1(a)に示されるように、まず、複数本の極細同軸線1を所望の整列ピッチで整列させ、フラットケーブル状にする。このフラットケーブル状の複数本の極細同軸線1に粘着テープ6によるラミネートを行う。これにより、複数本の極細同軸線1は、整列状態のまま固定される。極細同軸線1は、例えば、外径が0.2mmのAWG#46ケーブルである。   As shown in FIG. 1A, first, a plurality of micro coaxial cables 1 are aligned at a desired alignment pitch to form a flat cable. Lamination with an adhesive tape 6 is performed on the flat cable-shaped ultrafine coaxial wires 1. As a result, the plurality of fine coaxial wires 1 are fixed in an aligned state. The ultrafine coaxial line 1 is, for example, an AWG # 46 cable having an outer diameter of 0.2 mm.

次に、図1(b)に示されるように、端末Tから第1の距離にある第1処理箇所P1において、波長10.6μmのCO2レーザを用いて、ポリマ材料からなるジャケット5にレーザ光を照射する。レーザ光が照射されると粘着テープ6とジャケット5は、レーザ光のエネルギを吸収し、高温になると共に燃焼、蒸発し、粘着テープ6とジャケット5に穴が生じる。レーザ光から受けるエネルギを調整することで穴の大きさが調整可能である。CO2レーザのレーザ光は、シールド導体4を構成している金属線の表面では反射されるため、シールド導体4や内部絶縁体3にはダメージを与えない。 Next, as shown in FIG. 1B, a laser is applied to the jacket 5 made of a polymer material using a CO 2 laser having a wavelength of 10.6 μm at the first processing point P1 at the first distance from the terminal T. Irradiate light. When the laser beam is irradiated, the adhesive tape 6 and the jacket 5 absorb the energy of the laser beam, become high temperature, burn and evaporate, and a hole is formed in the adhesive tape 6 and the jacket 5. The size of the hole can be adjusted by adjusting the energy received from the laser beam. Since the laser light of the CO 2 laser is reflected on the surface of the metal wire constituting the shield conductor 4, the shield conductor 4 and the internal insulator 3 are not damaged.

このようにして、ジャケット5にレーザ光を照射することによりジャケット5を切断してシールド導体4を露出させ、シールド導体露出部7を形成する。この図1(b)の工程は、ステップS1である。なお、ジャケット5をダイシングソー加工などの他の加工法により切断してシールド導体4を露出させてもよい。   In this way, by irradiating the jacket 5 with laser light, the jacket 5 is cut to expose the shield conductor 4, thereby forming the shield conductor exposed portion 7. The process of FIG. 1B is step S1. Note that the shield conductor 4 may be exposed by cutting the jacket 5 by other processing methods such as dicing saw processing.

CO2レーザの強度、スキャン速度、スキャン回数などを調整し、シールド導体露出部7の幅(極細同軸線1の長手方向)を0.4mm以下とすることが好ましい。0.4mmより大きくすると、CO2レーザのスキャン回数を増やす必要があり、コストが増加してしまうからである。また、CO2レーザのスポット径を考慮して、シールド導体露出部7の幅は0.1mm以上が好ましい。 It is preferable to adjust the intensity of the CO 2 laser, the scanning speed, the number of scans, etc., so that the width of the shield conductor exposed portion 7 (longitudinal direction of the ultrafine coaxial line 1) is 0.4 mm or less. This is because if it is larger than 0.4 mm, it is necessary to increase the number of scans of the CO 2 laser, which increases the cost. In consideration of the spot diameter of the CO 2 laser, the width of the shield conductor exposed portion 7 is preferably 0.1 mm or more.

次に、図1(c)に示されるように、第1処理箇所P1において、波長532nmのYAGレーザ(2倍高調波)を用いて、シールド導体4にレーザ光を照射することによりシールド導体4を切断して内部絶縁体3を露出させ、内部絶縁体露出部8を形成する。YAGレーザのレーザ光が極細同軸線1の並び方向に移動する軌跡は、図1(b)の工程でCO2レーザのレーザ光が極細同軸線1の並び方向に移動する軌跡と同じであり、シールド導体露出部7に露出していたシールド導体4が切断されて内部絶縁体3が露出されることになる。 Next, as shown in FIG. 1C, the shield conductor 4 is irradiated with laser light on the shield conductor 4 using a YAG laser (double harmonic) having a wavelength of 532 nm at the first processing point P1. Is cut to expose the internal insulator 3 to form the internal insulator exposed portion 8. The trajectory in which the laser beam of the YAG laser moves in the alignment direction of the micro coaxial line 1 is the same as the trajectory in which the laser beam of the CO 2 laser moves in the alignment direction of the micro coaxial line 1 in the step of FIG. The shield conductor 4 exposed at the shield conductor exposed portion 7 is cut, and the internal insulator 3 is exposed.

図1(b)の工程を経た後にはジャケット5が端末方向に引き抜き可能になるが、図1(b)の工程の後、ジャケット5を除去せずに、図1(b)の工程に図1(c)の工程を続けて行うのが、ステップS2である。   After the process of FIG. 1B, the jacket 5 can be pulled out in the direction of the terminal. However, after the process of FIG. 1B, the jacket 5 is not removed and the process shown in FIG. It is step S2 to continue the process of 1 (c).

次に、図1(d)に示されるように、第1処理箇所P1から端末T側にあるジャケット5とシールド導体4を端末方向に引き抜く。これにより、第1処理箇所P1から端末Tまで、内部絶縁体3が露出される。   Next, as shown in FIG. 1D, the jacket 5 and the shield conductor 4 on the terminal T side are pulled out in the terminal direction from the first processing point P1. Thereby, the internal insulator 3 is exposed from the first processing point P1 to the terminal T.

次に、図1(e)に示されるように、端末Tから第1の距離より長い第2の距離にある第2処理箇所P2において、波長10.6μmのCO2レーザを用いて、ジャケット5にレーザ光を照射することによりジャケット5を切断してシールド導体4を露出させ、第2シールド導体露出部9を形成する。図1(e)の工程を経たことにより、第2処理箇所P2から端末T側にあるジャケット5が端末方向に引き抜き可能になる。図1(e)の工程はステップS3である。なお、ステップS1と同様に、ジャケット5をダイシングソー加工などにより切断してもよい。 Next, as shown in FIG. 1E, a jacket 5 is used by using a CO 2 laser having a wavelength of 10.6 μm at the second processing point P2 at a second distance longer than the first distance from the terminal T. By irradiating with laser light, the jacket 5 is cut and the shield conductor 4 is exposed to form the second shield conductor exposed portion 9. Through the process of FIG. 1E, the jacket 5 on the terminal T side can be pulled out in the terminal direction from the second processing point P2. The process in FIG. 1E is step S3. Note that, similarly to step S1, the jacket 5 may be cut by dicing saw processing or the like.

次に、図1(f)に示されるように、第2処理箇所P2から端末T側にあるジャケット5を端末方向に引き抜く。これにより、第2処理箇所P2から第1処理箇所P1まで、シールド導体4が露出される。   Next, as shown in FIG. 1 (f), the jacket 5 on the terminal T side is pulled out from the second processing point P2 toward the terminal. Thereby, the shield conductor 4 is exposed from the 2nd process location P2 to the 1st process location P1.

次に、図1(g)に示されるように、端末Tから第1の距離より短い第3の距離にある第3処理箇所P3において、波長10.6μmのCO2レーザを用いて、内部絶縁体3にレーザ光を照射することにより内部絶縁体3を切断して中心導体2を露出させる。その後、第3処理箇所P3から端末T側にある内部絶縁体3を端末方向に引き抜く。これにより、第3処理箇所P3から端末Tまで、中心導体2が露出される。以上で端末処理を完了する。 Next, as shown in FIG. 1G, internal insulation is performed using a CO 2 laser having a wavelength of 10.6 μm at a third processing point P3 located at a third distance shorter than the first distance from the terminal T. By irradiating the body 3 with laser light, the inner insulator 3 is cut to expose the central conductor 2. Thereafter, the internal insulator 3 on the terminal T side is pulled out from the third processing place P3 in the terminal direction. As a result, the center conductor 2 is exposed from the third processing point P3 to the terminal T. This completes the terminal process.

本発明によれば、図1(c)の工程において、シールド導体4にレーザ光を照射することによりシールド導体4を切断するとき、シールド導体露出部7の端末T側がジャケット5で被覆されたままの状態である。このため、従来の図3(c)の工程と異なり、シールド導体4を構成する導線が動きにくい。導線が動かず導線同士の間隔が広がらないので、シールド導体4を切断するレーザ光が導線の隙間を通って内部絶縁体3に到達することがない。このため内部絶縁体3に穴が開くことが防止され、中心導体2とシールド導体4とが短絡する不具合がなくなる。   According to the present invention, when the shield conductor 4 is cut by irradiating the shield conductor 4 with laser light in the step of FIG. 1C, the terminal T side of the shield conductor exposed portion 7 remains covered with the jacket 5. It is a state. For this reason, unlike the conventional process of FIG. 3C, the conductive wire constituting the shield conductor 4 is difficult to move. Since the conducting wire does not move and the interval between the conducting wires does not increase, the laser light for cutting the shield conductor 4 does not reach the internal insulator 3 through the gap between the conducting wires. For this reason, it is prevented that a hole is formed in the internal insulator 3, and there is no problem that the center conductor 2 and the shield conductor 4 are short-circuited.

ここで、極細同軸線1のシールド導体4が、複数本の導線を内部絶縁体3の外周に螺旋状に巻き付けることによって形成されている場合について考える。本発明者らは、シールド導体4がジャケット5から露出された場合に、導線に巻き緩みが発生することについて検討した。ジャケット5から露出されたシールド導体4の幅(極細同軸線1の長手方向)が螺旋の1/8周期(導線の螺旋巻きの1/8周)分を超えると、導線に巻き緩みが発生する場合がある。従来の端末処理方法では、図3(b)の工程においてジャケット5をジャケット5の切断箇所から端末まで除去してしまう。よって、図3(c)の工程でシールド導体4を構成する導線が動いてしまう。   Here, consider a case where the shield conductor 4 of the micro coaxial cable 1 is formed by spirally winding a plurality of conductive wires around the outer periphery of the internal insulator 3. The inventors of the present invention have examined that when the shield conductor 4 is exposed from the jacket 5, loosening of the conductive wire occurs. When the width of the shield conductor 4 exposed from the jacket 5 (longitudinal direction of the micro coaxial line 1) exceeds 1/8 period of the spiral (1/8 turn of the spiral winding of the conducting wire), loosening of the conducting wire occurs. There is a case. In the conventional terminal processing method, the jacket 5 is removed from the cut portion of the jacket 5 to the terminal in the step of FIG. Therefore, the lead wire which comprises the shield conductor 4 will move at the process of FIG.3 (c).

これに対し、本発明は、ステップS1において、シールド導体露出部7の幅を導線の螺旋巻きのピッチの1/8周分以下(45°巻いた長さ)とし、その状態でステップS2を行うので、シールド導体露出部7のシールド導体4にレーザ光を照射するとき、シールド導体4を構成する導線が動かないことをより確実にすることができる。   On the other hand, in the present invention, in step S1, the width of the shield conductor exposed portion 7 is set to be equal to or less than 1/8 of the spiral winding pitch of the conductive wire (the length wound by 45 °), and step S2 is performed in that state. Therefore, when irradiating the shield conductor 4 of the shield conductor exposed part 7 with a laser beam, it can be made more certain that the conducting wire which comprises the shield conductor 4 does not move.

本発明により、極細同軸線1の端末加工、とりわけアレイ化した複数本の極細同軸線1の端末を一斉に加工する際に加工作業が容易になり、生産性が向上する。   According to the present invention, when the end of the micro coaxial cable 1 is processed, particularly when the terminals of a plurality of arrayed micro coaxial lines 1 are processed all at once, the processing operation becomes easy and productivity is improved.

本発明は、従来のようにシールド導体4にはんだを塗布しないので、溶融はんだの表面張力による導線の動きがなくなる。   In the present invention, since solder is not applied to the shield conductor 4 as in the prior art, there is no movement of the conductor due to the surface tension of the molten solder.

また、本発明は、ジャケット5の切断後に端末側のジャケット5を除去する前にシールド導体4を切断するようにしたので、アレイ化した複数本の極細同軸線1の端末加工において、極細同軸線1同士の間隔をも動かないようにすることができる。この結果、端末加工の後に行われるコネクタへの接続、プリント基板への接続などアレイ化した複数本の極細同軸線1を相手に接続する工程において、極細同軸線1の取り扱いが容易となり、生産性が向上する。   In the present invention, since the shield conductor 4 is cut before the jacket 5 on the terminal side is removed after the jacket 5 is cut, in the terminal processing of a plurality of arrayed micro coaxial cables 1, the micro coaxial cable It is possible not to move the interval between the ones. As a result, in the process of connecting a plurality of arrayed micro coaxial wires 1 to the other party, such as connection to a connector or connection to a printed circuit board after terminal processing, handling of the micro coaxial wire 1 is facilitated and productivity is increased. Will improve.

次に、本発明の他の実施形態を添付図面に基づいて詳述する。   Next, another embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図2(a)〜図2(e)に示されるように、本発明に係る極細同軸線1の端末処理方法は、図1で説明した端末処理方法と同様に、ステップS1,S2,S3を含む。   As shown in FIGS. 2A to 2E, the terminal processing method of the micro coaxial cable 1 according to the present invention includes steps S1, S2, and S3 in the same manner as the terminal processing method described in FIG. Including.

図2(a)に示されるように、まず、複数本の極細同軸線1を所望の整列ピッチで整列させ、フラットケーブル状にする。このフラットケーブル状の複数本の極細同軸線1に粘着テープ6によるラミネートを行う。これにより、複数本の極細同軸線1は、整列状態のまま固定される。極細同軸線1は、例えば、外径が0.2mmのAWG#46ケーブルである。   As shown in FIG. 2A, first, a plurality of micro coaxial wires 1 are aligned at a desired alignment pitch to form a flat cable. Lamination with an adhesive tape 6 is performed on the flat cable-shaped ultrafine coaxial wires 1. As a result, the plurality of fine coaxial wires 1 are fixed in an aligned state. The ultrafine coaxial line 1 is, for example, an AWG # 46 cable having an outer diameter of 0.2 mm.

次に、図2(b)に示されるように、端末Tから第1の距離にある第1処理箇所P1において、波長10.6μmのCO2レーザを用いて、ジャケット5にレーザ光を照射することによりジャケット5を切断して螺旋巻き、縦巻き、編組のいずれかからなるシールド導体4を露出させ、シールド導体露出部7を形成する。CO2レーザの強度、スキャン速度、スキャン回数などを調整し、シールド導体露出部7の幅(極細同軸線1の長手方向)を0.4mm以下とすることが好ましい。特に、シールド導体4が導線を螺旋巻きにして形成されている場合は、導線の螺旋巻きのピッチの1/8周期以下(例えば、ピッチが3.2mmの場合はシールド導体露出部7の幅を0.4mm以下とする。)とすることにより、シールド導体4の巻き緩みを防止することができる。 Next, as shown in FIG. 2B, the jacket 5 is irradiated with laser light using a CO 2 laser having a wavelength of 10.6 μm at the first processing point P1 at the first distance from the terminal T. As a result, the jacket 5 is cut to expose the shield conductor 4 formed of any one of spiral winding, vertical winding, and braiding, and the shield conductor exposed portion 7 is formed. It is preferable to adjust the intensity of the CO 2 laser, the scanning speed, the number of scans, etc., so that the width of the shield conductor exposed portion 7 (longitudinal direction of the ultrafine coaxial line 1) is 0.4 mm or less. In particular, when the shield conductor 4 is formed by spirally winding a conductive wire, the width of the shield conductor exposed portion 7 is less than 1/8 period of the spiral winding pitch of the conductive wire (for example, when the pitch is 3.2 mm). By setting the thickness to 0.4 mm or less, it is possible to prevent the shield conductor 4 from being loosened.

続いて(あるいは同時に)、端末Tから第1の距離より長い第2の距離にある第2処理箇所P2において、波長10.6μmのCO2レーザを用いて、ジャケット5にレーザ光を照射することによりジャケット5を切断してシールド導体4を露出させ、第2シールド導体露出部9を形成する。 Subsequently (or at the same time), the jacket 5 is irradiated with laser light using a CO 2 laser having a wavelength of 10.6 μm at the second processing point P2 at a second distance longer than the first distance from the terminal T. Thus, the jacket 5 is cut to expose the shield conductor 4, and the second shield conductor exposed portion 9 is formed.

次に、図2(c)に示されるように、第1処理箇所P1において、波長532nmのYAGレーザ(2倍高調波)を用いて、シールド導体4にレーザ光を照射することによりシールド導体4を切断して内部絶縁体3を露出させ、内部絶縁体露出部8を形成する。YAGレーザのレーザ光が極細同軸線1の並び方向に移動する軌跡は、CO2レーザのレーザ光が極細同軸線1の並び方向に移動する軌跡と同じであり、シールド導体露出部7に露出していたシールド導体4が切断されて内部絶縁体3が露出されることになる。 Next, as shown in FIG. 2C, the shield conductor 4 is irradiated with laser light on the shield conductor 4 using a YAG laser (double harmonic) with a wavelength of 532 nm at the first processing point P1. Is cut to expose the internal insulator 3 to form the internal insulator exposed portion 8. The trajectory in which the laser light of the YAG laser moves in the alignment direction of the micro coaxial line 1 is the same as the trajectory in which the laser light of the CO 2 laser moves in the alignment direction of the micro coaxial line 1 and is exposed to the shield conductor exposed portion 7. The shield conductor 4 that has been cut is cut to expose the internal insulator 3.

次に、図2(d)に示されるように、第2処理箇所P2から端末T側にあるジャケット5を端末方向に引き抜き、その後、あるいはそれと同時に第1処理箇所P1から端末T側にあるジャケット5とシールド導体4を端末方向に引き抜く。これにより、第1処理箇所P1から端末Tまで、内部絶縁体3が露出され、第2処理箇所P2から第1処理箇所P1まで、シールド導体4が露出される。   Next, as shown in FIG. 2 (d), the jacket 5 on the terminal T side is pulled out from the second processing point P2 toward the terminal, and thereafter, or at the same time, the jacket on the terminal T side from the first processing point P1. 5 and the shield conductor 4 are pulled out in the terminal direction. Thereby, the internal insulator 3 is exposed from the first processing location P1 to the terminal T, and the shield conductor 4 is exposed from the second processing location P2 to the first processing location P1.

次に、図2(e)に示されるように、端末Tから第1の距離より短い第3の距離にある第3処理箇所P3において、波長10.6μmのCO2レーザを用いて、内部絶縁体3にレーザ光を照射することにより内部絶縁体3を切断して中心導体2を露出させる。その後、第3処理箇所P3から端末T側にある内部絶縁体3を端末方向に引き抜く。これにより、第3処理箇所P3から端末Tまで、中心導体2が露出される。以上で端末処理を完了する。 Next, as shown in FIG. 2 (e), internal insulation is performed using a CO 2 laser having a wavelength of 10.6 μm at the third processing point P3 at a third distance shorter than the first distance from the terminal T. By irradiating the body 3 with laser light, the inner insulator 3 is cut to expose the central conductor 2. Thereafter, the internal insulator 3 on the terminal T side is pulled out from the third processing place P3 in the terminal direction. As a result, the center conductor 2 is exposed from the third processing point P3 to the terminal T. This completes the terminal process.

図2の端末処理方法は、ステップS1,S3を同時又は連続して行い、引き続いてステップS2を行い、その後でまとめてジャケット5とシールド導体4を除去している。図2の端末処理方法は、レーザ光の照射順序が図1の端末処理方法と異なるが、ジャケット5を除去する前にシールド導体4にレーザ光を照射するステップS2を含む点で同じであり、シールド導体4を構成する導線が動かない状態でシールド導体4にレーザ光を照射できるという作用効果も同じである。   In the terminal processing method of FIG. 2, steps S1 and S3 are performed simultaneously or successively, step S2 is subsequently performed, and then the jacket 5 and the shield conductor 4 are removed together. The terminal processing method of FIG. 2 is the same in that it includes step S2 of irradiating the shield conductor 4 with laser light before removing the jacket 5, although the irradiation order of the laser light is different from the terminal processing method of FIG. The same effect is obtained that the shield conductor 4 can be irradiated with laser light in a state in which the conducting wire constituting the shield conductor 4 does not move.

これまでの実施形態では、ジャケット5の切断に波長10.6μmのCO2レーザを用い、シールド導体4の切断に波長532nmのYAGレーザを用いたが、本発明はこれに限られず、半導体レーザ、エキシマレーザなど各種のレーザを用いることができ、さまざまの波長を選択することができる。 In the embodiments so far, a CO 2 laser having a wavelength of 10.6 μm is used for cutting the jacket 5 and a YAG laser having a wavelength of 532 nm is used for cutting the shield conductor 4. However, the present invention is not limited to this, and a semiconductor laser, Various lasers such as an excimer laser can be used, and various wavelengths can be selected.

また、レーザ加工に限らず、ダイシングソー加工によりジャケット5と内部絶縁体3を切断する場合でも、本発明を応用することができる。   Further, the present invention can be applied not only to laser processing but also to the case where the jacket 5 and the internal insulator 3 are cut by dicing saw processing.

また、実施形態では、極細同軸線1として外径が0.2mmのAWG#46ケーブルを用い、シールド導体4における導線の螺旋巻きのピッチが3.2mmとしたが、極細同軸線1の寸法、規格、螺旋巻きのピッチはこれに限らず、シールド導体4が導線で形成されたあらゆる極細同軸線1に本発明を応用することができる。   Further, in the embodiment, an AWG # 46 cable having an outer diameter of 0.2 mm is used as the fine coaxial wire 1 and the spiral winding pitch of the conductive wire in the shield conductor 4 is 3.2 mm. The pitch of the standard and the spiral winding is not limited to this, and the present invention can be applied to any micro coaxial wire 1 in which the shield conductor 4 is formed of a conductive wire.

(a)〜(g)は、本発明の極細同軸線の端末処理方法による複数本の極細同軸線の端末処理の手順を示す上面図である。(A)-(g) is a top view which shows the procedure of the terminal process of the several micro coaxial line by the terminal processing method of the micro coaxial line of this invention. (a)〜(e)は、本発明の極細同軸線の端末処理方法による複数本の極細同軸線の端末処理の手順を示す上面図である。(A)-(e) is a top view which shows the procedure of the terminal process of the several micro coaxial line by the terminal processing method of the micro coaxial line of this invention. (a)〜(d)は、従来の極細同軸線の端末処理方法による複数本の極細同軸線の端末処理の手順を示す上面図である。(A)-(d) is a top view which shows the procedure of the terminal process of the several fine coaxial wire by the conventional terminal processing method of a micro coaxial line.

符号の説明Explanation of symbols

1 極細同軸線
2 中心導体
3 内部絶縁体
4 シールド導体
5 ジャケット
6 粘着テープ
7 シールド導体露出部
8 内部絶縁体露出部
9 第2シールド導体露出部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Micro coaxial line 2 Center conductor 3 Inner insulator 4 Shield conductor 5 Jacket 6 Adhesive tape 7 Shield conductor exposed part 8 Internal insulator exposed part 9 2nd shield conductor exposed part

Claims (4)

中心から外側へ順に中心導体、内部絶縁体、シールド導体、ジャケットを有し、上記シールド導体が導線で形成された極細同軸線の端末処理方法において、
端末から第1の距離にある第1処理箇所にて、ジャケットを切断してシールド導体を露出させるステップと、
上記ステップで露出したシールド導体より端末側のジャケットを除去する前に該露出したシールド導体にレーザ光を照射することによりシールド導体を切断して内部絶縁体を露出させるステップと、
端末から第1の距離より長い第2の距離にある第2処理箇所にて、ジャケットを切断してシールド導体を露出させるステップとを含むことを特徴とする極細同軸線の端末処理方法。
In the terminal processing method of the fine coaxial line having a center conductor, an inner insulator, a shield conductor, and a jacket in order from the center to the outside, and the shield conductor is formed of a conductive wire,
Cutting the jacket to expose the shield conductor at a first processing location at a first distance from the terminal; and
Cutting the shield conductor by irradiating the exposed shield conductor with laser light before removing the terminal-side jacket from the shield conductor exposed in the above step, and exposing the internal insulator;
Cutting the jacket and exposing the shield conductor at a second processing location at a second distance longer than the first distance from the terminal.
螺旋巻きによって形成された上記シールド導体を露出させる幅(極細同軸線の長手方向)は、上記導線の螺旋巻きのピッチの1/8周分以下とすることを特徴とする請求項1記載の極細同軸線の端末処理方法。   The width of the shield conductor formed by spiral winding (longitudinal direction of the ultrafine coaxial line) is 1/8 or less of the spiral winding pitch of the conducting wire. Coaxial line terminal processing method. 上記ジャケットの切断には、二酸化炭素レーザを用いることを特徴とする請求項1又は2記載の極細同軸線の端末処理方法。   3. The terminal processing method for an ultrafine coaxial line according to claim 1, wherein a carbon dioxide laser is used for cutting the jacket. 上記シールド導体の切断には、YAGレーザを用いることを特徴とする請求項1〜3いずれか記載の極細同軸線の端末処理方法。   4. The terminal processing method for an ultrafine coaxial line according to claim 1, wherein a YAG laser is used for cutting the shield conductor.
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