JP2007287984A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007287984A JP2007287984A JP2006114551A JP2006114551A JP2007287984A JP 2007287984 A JP2007287984 A JP 2007287984A JP 2006114551 A JP2006114551 A JP 2006114551A JP 2006114551 A JP2006114551 A JP 2006114551A JP 2007287984 A JP2007287984 A JP 2007287984A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- wiring
- bump
- layer
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【課題】本発明の目的は、パッドとバンプの接合部分の強度を上げることにある。
【解決手段】半導体装置は、集積回路12が作り込まれた半導体チップ10と、集積回路12に電気的に接続されるように半導体チップ10上に形成されておりパッド22を一部に有する配線20と、パッド22の上面に形成されてなるバンプ40と、を含む。配線20は、パッド22を除いて、上面がAlから形成されている。パッド22の上面は、TiN又はTiWから形成されている。バンプ40の少なくとも下面はAuから形成されている。
【選択図】図1
【解決手段】半導体装置は、集積回路12が作り込まれた半導体チップ10と、集積回路12に電気的に接続されるように半導体チップ10上に形成されておりパッド22を一部に有する配線20と、パッド22の上面に形成されてなるバンプ40と、を含む。配線20は、パッド22を除いて、上面がAlから形成されている。パッド22の上面は、TiN又はTiWから形成されている。バンプ40の少なくとも下面はAuから形成されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置に関する。
半導体装置の半導体チップにはパッドが形成され、パッド上にバンプが形成される。パッドはAlから形成されることが多く、バンプはAuから形成されることが多い。AlとAuは、接触していると拡散が生じやすく、共晶合金が形成される。共晶合金はもろいので、パッドとバンプの接合部分が弱くなるという問題があった。
特開平6−21058号公報
本発明の目的は、パッドとバンプの接合部分の強度を上げることにある。
本発明に係る半導体装置は、
集積回路が作り込まれた半導体チップと、
前記集積回路に電気的に接続されるように前記半導体チップ上に形成される、パッドを一部に有する配線と、
前記パッドの上面に形成されてなるバンプと、
を含み、
前記配線は、前記パッドを除いて、上面がAlから形成され、
前記パッドの上面は、TiN又はTiWから形成され、
前記バンプの下面はAuから形成されてなる。本発明によれば、パッドの上面及びバンプの下面を、それぞれ、拡散し難い材料の組み合わせであるTiN(又はTiW)とAuで形成するので、共晶合金が形成され難くなっており、接合部分の強度を上げることができる。
集積回路が作り込まれた半導体チップと、
前記集積回路に電気的に接続されるように前記半導体チップ上に形成される、パッドを一部に有する配線と、
前記パッドの上面に形成されてなるバンプと、
を含み、
前記配線は、前記パッドを除いて、上面がAlから形成され、
前記パッドの上面は、TiN又はTiWから形成され、
前記バンプの下面はAuから形成されてなる。本発明によれば、パッドの上面及びバンプの下面を、それぞれ、拡散し難い材料の組み合わせであるTiN(又はTiW)とAuで形成するので、共晶合金が形成され難くなっており、接合部分の強度を上げることができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図1は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の一部を示す図である。半導体装置は、半導体チップ10を有する。半導体チップ10には、集積回路12が作り込まれている。集積回路12の例として、メモリ回路や、表示装置の駆動回路などが挙げられる。
半導体チップ10上には、集積回路12に電気的に接続されるように配線20が形成されている。配線20は、TiN又はTiWからなる第1の層26と、Alからなる第2の層28と、を含む複数層から構成されている。第1の層26の上に第2の層28が形成されている。第1の層26は、その上に形成される部材の材料が半導体チップ10内に拡散することを防止するバリアメタルとして機能する。第1及び第2の層26,28は、それぞれ、スパッタリングによって形成することができる。
配線20は、パッド22を有する。配線20は、パッド22から引き出されるライン24を含む。パッド22は、ライン24よりも幅の広い部分である。パッド22は、その最上層が第1の層26であるか、あるいは、第1の層26のみから構成されている。したがって、パッド22の上面は、TiN又はTiWから構成されている。配線20のパッド22を除いた部分(例えばライン24)は、その最上層が第2の層28であるか、あるいは、第2の層28のみから構成されている。したがって、配線20のパッド22を除いた部分(例えばライン24)の上面は、Alから形成されている。なお、配線20の下の層は、酸化膜などの無機材料から形成されており、無機材料はアルミニウムなどの金属よりも硬いことで知られている。
配線20は、パッド22の少なくとも一部(例えば中央部)を除いてパッシベーション膜30に覆われている。パッシベーション膜30は、Si3N4、SiO2などの無機材料から形成されている。無機材料は、硬いが脆弱である(展延性が低い)ことで知られている。
パッド22の上面にはバンプ40が設けられている。バンプ40の下面(例えばパッド22と接触する層)は、Auから形成されている。Auは、TiN又はTiWよりも柔らかい。バンプ40は、その一部がパッシベーション膜30上に載っていてもよい。バンプ40は、電解メッキで形成することができる。
本実施の形態によれば、パッド22の上面及びバンプ40の下面を、それぞれ、拡散し難い材料の組み合わせであるTiN(又はTiW)とAuで形成するので、共晶合金が形成され難くなっており、接合部分の強度を上げることができる。また、パッド22以外の部分(ライン24)が、Alからなる第2の層28を含むので導電性を向上させることができる。
図2は、本発明の実施の形態の変形例に係る半導体装置の一部を示す図である。この変形例では、図1における配線28を形成せず、代わりに下層のメタル配線32からビアホール34を介してパッド22に接続する。この構造によっても図1の構造と同様な機能を達成できる。
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
10…半導体チップ、 12…集積回路、 20…配線、 22…パッド、 24…ライン、 26…第1の層 28…第2の層 30…パッシベーション膜、32…下層のメタル配線、 34…ビアホール、 40…バンプ
Claims (1)
- 集積回路が作り込まれた半導体チップと、
前記集積回路に電気的に接続されるように前記半導体チップ上に形成される、パッドを一部に有する配線と、
前記パッドの上面に形成されてなるバンプと、
を含み、
前記配線は、前記パッドを除いて、上面がAlから形成され、
前記パッドの上面は、TiN又はTiWから形成され、
前記バンプの下面はAuから形成されてなる半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006114551A JP2007287984A (ja) | 2006-04-18 | 2006-04-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006114551A JP2007287984A (ja) | 2006-04-18 | 2006-04-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007287984A true JP2007287984A (ja) | 2007-11-01 |
Family
ID=38759459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006114551A Withdrawn JP2007287984A (ja) | 2006-04-18 | 2006-04-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007287984A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104779149A (zh) * | 2014-01-15 | 2015-07-15 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 半导体器件的金属电极制造方法 |
CN113219680A (zh) * | 2021-05-08 | 2021-08-06 | 中国科学院半导体研究所 | 一种可调延时线芯片及其制作方法 |
-
2006
- 2006-04-18 JP JP2006114551A patent/JP2007287984A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104779149A (zh) * | 2014-01-15 | 2015-07-15 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 半导体器件的金属电极制造方法 |
CN113219680A (zh) * | 2021-05-08 | 2021-08-06 | 中国科学院半导体研究所 | 一种可调延时线芯片及其制作方法 |
CN113219680B (zh) * | 2021-05-08 | 2023-08-15 | 中国科学院半导体研究所 | 一种可调延时线芯片及其制作方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW473956B (en) | Semiconductor device and a process for forming the semiconductor device | |
JP4072697B2 (ja) | 半導体装置 | |
TW201019440A (en) | Bumped chip and semiconductor flip-chip device applied from the same | |
TW200903674A (en) | Copper wire bonding on organic solderability preservative materials | |
US9960130B2 (en) | Reliable interconnect | |
JP2010171386A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
TW200618360A (en) | Semiconductor luminescent device and manufacturing method therefor | |
TW201216533A (en) | Method for mounting light emitting element | |
US20070176294A1 (en) | Thorough wiring board and method of manufacturing the same | |
JP2007287984A (ja) | 半導体装置 | |
JP4360293B2 (ja) | 半田バンプ電極構造 | |
JP2006032779A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
US7999395B1 (en) | Pillar structure on bump pad | |
JP2007053346A5 (ja) | ||
JP5855361B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2008098285A (ja) | 半導体装置 | |
JP5784998B2 (ja) | 素子実装用基板 | |
JP2009272494A (ja) | 電子デバイス及びその製造方法、ならびに、前記電子デバイスを用いた接続構造体及びその製造方法 | |
JPH03153048A (ja) | 半導体装置 | |
JP6926613B2 (ja) | 半導体構造体及び車両用灯具 | |
TW200402863A (en) | Integrated semiconductor structure | |
JP2008066760A (ja) | 半導体装置 | |
JP2010147051A (ja) | 半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP2007287983A (ja) | 半導体装置 | |
JP2009266998A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080630 |
|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20090707 |