JP2007287833A - Power semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、大電流の電力変換に供される電力用半導体装置に関するものである。 The present invention relates to a power semiconductor device used for high-current power conversion.
従来の電力用半導体装置では、半導体素子の通電端子部分には、アルミワイヤを超音波接続するワイヤボンディングが多用されている。しかし、このワイヤボンディングは生産性が低く、断続通電による温度サイクルによって接合部に亀裂が発生し易く温度サイクル寿命が短いという問題点がある。このような問題点を解消して温度サイクル寿命が長くなる構成としては、例えば、特許文献1にパワー半導体モジュールとして開示されている。
In a conventional power semiconductor device, wire bonding for ultrasonically connecting an aluminum wire is frequently used for a current-carrying terminal portion of a semiconductor element. However, this wire bonding has a problem that productivity is low and cracks are likely to occur in the joint due to a temperature cycle caused by intermittent energization, resulting in a short temperature cycle life. For example,
特許文献1に開示された構成は、特許文献1の図1、図2に示されているように、上面に所定の回路を形成し、接触部には導電性の接触部を配設し、下面が冷却体に接触した基板と、基板の両側の同一平面状に配設された導体プレートと、基板上面の接触部に半導体素子の接続部を対向させて配設された半導体素子と、可撓性材料の表面に接続回路を形成し、半導体素子を配設した基板、導体プレートを覆うように配設し、半導体素子、基板および導体プレートに接触する接触部にイボ状の突起を設けた可撓性導体プレートと、可撓性導体プレートの上面に圧力蓄積体を配設し、圧力蓄積体の上面に配設された圧力プレートとからなり、半導体素子と基板の接触部はロー付け等の材料接合式で接続し、半導体素子の基板側とは反対側の上面接触部と可撓性導体プレートとの接続、可撓性導体プレートと基板および導体プレートとの接続は、冷却体と圧力プレートとの間を締め付けることで、圧力蓄積体を介して各接触部に圧力を加えることで接触するように構成されている。
In the configuration disclosed in
このように構成された特許文献1のパワー半導体モジュールは、各接触部が圧力蓄積体を介して締め付けることで、可撓性導体プレートの表面に凹凸があっても安定した電気接触が確立されるものである。
また、特許文献2には、ワイヤボンディングを使用しない構造の半導体装置が示されている。この構成は、半導体素子の電極上に溶接シリンダを載置し、基板間の回路を構成する構造である。
In the power semiconductor module of
上記特許文献1に開示された構成の半導体素子と基板との接続は、ロー付け等の材料接合式で接続され、半導体素子の表面電極との接続部は、可撓性導体プレートで接続されているので、接触部の温度サイクル寿命は長くなる特徴を有しているが、可撓性導体プレートの表面に設けられた接続回路は、可撓性を必要とするので厚さを厚くすることができず、また、接触部は突起が押し付けられることで接触状態が確保される構成であり、接触面積が小さく電流容量を大きくすることができないという問題点があった。
また、特許文献2の溶融する溶接シリンダを用いた構成では、溶接シリンダにSnやSn−Pb合金系の半田が用いられられるが、半導体素子がSiで構成され高温で使用される半導体装置では、線膨張係数の小さなSiに対して、溶接シリンダは線膨張係数が20ppm/℃を越える材料からなり、半導体素子のSiの線膨張係数に対して非常に大きな値であり、大電流電力用半導体装置における断続通電による温度差の大きな温度サイクルによって溶接シリンダに大きな熱応力が加わり、溶接シリンダにクラックが発生して回路が遮断される可能性がある問題点があった。
The connection between the semiconductor element having the structure disclosed in
In the configuration using the welding cylinder which melts in
この発明は、上記問題点を解消するためになされたものであり、半導体素子相互間の接続回路の電流容量を大きくすることが装置寸法を大きくすることなく容易に実現でき、運転時の温度サイクルによってクラックが発生しても接続状態が維持できる電力用半導体装置を構成することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above problems, and it is possible to easily increase the current capacity of the connection circuit between the semiconductor elements without increasing the size of the apparatus, and the temperature cycle during operation. It is an object of the present invention to configure a power semiconductor device that can maintain a connected state even if cracks occur.
この発明に係る電力用半導体装置は、表面および裏面に電極を備えた複数の半導体素子と、半導体素子で発生する熱を放熱する冷却板と、絶縁材で構成され、少なくとも片面に導電性金属箔が貼着されて第一の接続回路が形成され、第一の接続回路の所定の位置に半導体素子の裏面電極が固着され、第一の接続回路の裏面が冷却板に固着された第一の回路基板と、一方が第一の接続回路に固着された半導体素子の複数の表面電極へそれぞれ固着された複数の第一の通電ブロックと、一方が第一の接続回路の所定の位置に固着され、第一の通電ブロックの高さに一致する高さに調整された複数の第二の通電ブロックと、
絶縁材で構成され、少なくとも片面に導電性金属箔が貼着されて第二の接続回路が形成され、第二の接続回路を複数の第一の通電ブロックおよび複数の第二の通電ブロックの端面に接触させた第二の回路基板と、第二の回路基板の第二の接続回路が形成された反対面に配置された弾性部材と、弾性部材の第二の回路基板側の反対面に配置された加圧部材と、加圧部材と冷却板の間を締結する締結部材とを備え、冷却板と加圧部材との間を締結部材により締め付けることにより、弾性部材を介して第一の回路基板、複数の半導体素子、第一の通電ブロックおよび第二の通電ブロック、第二の回路基板それぞれに押圧力を加えたものである。
A power semiconductor device according to the present invention is composed of a plurality of semiconductor elements having electrodes on the front and back surfaces, a cooling plate that dissipates heat generated by the semiconductor elements, and an insulating material, and at least one surface of the conductive metal foil. Is attached to form the first connection circuit, the back electrode of the semiconductor element is fixed at a predetermined position of the first connection circuit, and the back surface of the first connection circuit is fixed to the cooling plate. A circuit board, a plurality of first current-carrying blocks each fixed to a plurality of surface electrodes of a semiconductor element, one of which is fixed to the first connection circuit, and one of which is fixed to a predetermined position of the first connection circuit A plurality of second energization blocks adjusted to a height that matches the height of the first energization block;
Consists of insulating material, conductive metal foil is attached to at least one surface to form a second connection circuit, and the second connection circuit is connected to the end surfaces of the plurality of first current-carrying blocks and the plurality of second current-carrying blocks. A second circuit board in contact with the elastic member, an elastic member disposed on the opposite surface of the second circuit board on which the second connection circuit is formed, and an elastic member disposed on the opposite surface of the second circuit board side. The first circuit board via the elastic member by fastening the pressure member, and a fastening member that fastens the pressure member and the cooling plate between the cooling plate and the pressure member. A pressing force is applied to each of the plurality of semiconductor elements, the first energization block, the second energization block, and the second circuit board.
この発明の係る電力用半導体装置は、半導体素子を装着する第一の回路基板と、半導体装置を構成する接続回路を形成する第二の回路基板を板状の絶縁材の表面に導電性金属箔を貼着して接続回路を構成したことにより、接続回路を構成する導電性金属箔の厚さを厚くすることが容易となり、半導体素子の電極と基板との間および第一の回路基板と第二の回路基板の相互間の接続は、通電ブロックにより接続する構成としたことにより、大電流容量の電力用半導体装置が装置寸法を大きくすることなく構成できる。
また、弾性部材により各接触部に押圧力が加えられているので、温度サイクルによって半田部分にクラックの発生があっても、通電機能は確保されて継続運転が可能な電力用半導体装置が提供できる。
A power semiconductor device according to the present invention includes a first circuit board on which a semiconductor element is mounted and a second circuit board on which a connection circuit constituting the semiconductor device is formed on the surface of a plate-like insulating material. Since the connection circuit is configured by sticking, it becomes easy to increase the thickness of the conductive metal foil constituting the connection circuit, and between the electrode of the semiconductor element and the substrate and between the first circuit substrate and the first circuit substrate. The connection between the two circuit boards is made by connecting with the energization block, so that the power semiconductor device having a large current capacity can be configured without increasing the size of the device.
In addition, since the pressing force is applied to each contact portion by the elastic member, it is possible to provide a power semiconductor device that can maintain an energization function and can be continuously operated even if a crack occurs in the solder portion due to a temperature cycle. .
実施の形態1.
図1は実施の形態1の電力用半導体装置の外観を示した斜視図であり、図2は図1の構成のA−A部の断面図である。
実施の形態1の電力用半導体装置は、半導体素子として、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT:以下半導体素子15と呼称する)2個と還流ダイオード(FWDi:以下半導体素子16と呼称する)を2個で電力用半導体装置を構成する場合について説明する。
半導体素子15は、縦横各10mm、厚さ0.4mmの大きさであり、裏面にはコレクタ電極15a、表面にはゲート電極およびエミッタ電極15bが設けられている。
半導体素子16は、縦横各10mm、厚さ0.4mmの大きさであり、裏面にはカソード電極16a、表面にはアノード電極16bが設けられている。
FIG. 1 is a perspective view showing an appearance of the power semiconductor device according to the first embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of the configuration of FIG.
The power semiconductor device of the first embodiment includes two insulated gate bipolar transistors (IGBT: hereinafter referred to as semiconductor element 15) and two free-wheeling diodes (FWDi: hereinafter referred to as semiconductor element 16) as semiconductor elements. A case where a power semiconductor device is configured will be described.
The
The
図1の構成は、冷却板1の基板載置面にシリコーン等の伝熱効果を高めるグリースを塗布し、セラミック等の絶縁板の片面には第一の接続回路12aを形成する例えば銅(Cu)等の導電性金属箔、反対面にも同様の銅(Cu)等の導電性金属箔12bを貼着した第一の回路基板11を載置し、この第一の回路基板11の第一の接続回路12aの所定の位置に、半導体素子15および半導体素子16を載置してコレクタ電極である裏面電極15a、およびカソード電極である裏面電極16aを半田20により固着し、第一の接続回路12aに固着された半導体素子15および半導体素子16の複数の表面電極へ複数の第一の通電ブロック21の一端側を半田20により固着し、第一の接続回路12aの所定の位置に第二の通電ブロック22の一端を半田20により固着し、第一の回路基板11の第一の接続回路12aの所定の位置に通電導体31および制御導体32の一端側を半田20により固着し、セラミック等の絶縁板の片面には第二の接続回路14aを形成する例えば銅(Cu)等の導電性金属箔、反対面にも同様の銅(Cu)等の導電性金属箔14bを貼着した第二の回路基板13の第二の接続回路14aを半導体素子側として第一の通電ブロック21および第二の通電ブロック22の上端に接触する状態で載置して半田20により固着し、第二の回路基板13の第二の接続回路14aの反対面にシリコーンゴム等の耐熱性と弾力性を備えた弾性部材25を載置し、この弾性部材25の上面に、締結用ボルト穴2aおよび接続端子31および接続端子33を挿通する導体挿通穴2b、2cを孔設し、導体挿通穴2b、2cに絶縁ブッシュ32、34を装着した加圧部材2を載置し、第一の回路基板11、半導体素子15および半導体素子16および第二の回路基板13を積層した外周部に枠体2を配置し、締結ボルト4により冷却板1と加圧部材2との間を適正な締付力で締め付ける。
In the configuration of FIG. 1, grease that enhances the heat transfer effect such as silicone is applied to the substrate mounting surface of the
第一の回路基板11と第二の回路基板13の間の間隙には、第一の接続回路12a、第二の接続回路14aや第一の通電ブロック21、第二の通電ブロック22相互間の絶縁耐力を確保するためにシリコーンゲルなどの絶縁充填材7を充填する。
第一の回路基板11と第二の回路基板13との間に絶縁充填剤7を充填することにより内部の絶縁耐力が確保される
In the gap between the
By filling the
このように構成したことにより、弾性部材25を介して第一の回路基板11、半導体素子15、半導体素子16、第二の回路基板13に適正な押圧力が与えられ、弾性部材25の反発力により、第1の通電ブロック21および第二の通電ブロック22の半田20により固着した部分に適正な押圧力が与えられた状態が維持される。
With this configuration, an appropriate pressing force is applied to the
第一の通電ブロック21および第二の通電ブロック22の端部と第二の接続回路14aとの間は半田により固着しなくても、弾性部材25の反発力で常時押圧力が与えられているので、通電各接触部の通電機能は確保され、第二の接続回路14aとの接続部は必ずしも半田20による固着は必要でない。
Even if the end portions of the
半導体素子15の表面電極15bおよび半導体素子16の表面電極16bの表面には半田が濡れるように例えば最表面がニッケルとなるような金属膜が蒸着などの方法により処理されている。
For example, a metal film whose outermost surface is nickel is treated on the surfaces of the
また、各接続部を固着する半田20は、半導体素子15および半導体素子16の使用温度において固着状態が維持できる溶融温度の半田が使用される。例えば図2の構成では、Sn−Ag−Cuを主成分とし、厚さ0.15mmの半田を使用している。
Further, as the
また、半導体素子の基材として、炭化シリコン(SiC)を用いた半導体素子では、最高使用温度が250℃程度の温度でも使用できるので、この場合の半田の材質は、Au−Sn系やAl−Si系のものが使用される。 In addition, a semiconductor element using silicon carbide (SiC) as a base material of the semiconductor element can be used even at a maximum use temperature of about 250 ° C. Therefore, the solder material in this case is Au—Sn or Al— Si-based ones are used.
第一の回路基板11および第二の回路基板13の実際の構成は、主として窒化アルミ(AlN)からなり厚さが0.635mmのセラミック板の両面に0.3mmの銅箔を貼着し、片面に第一の接続回路12aまたは第二の接続回路14aを形成している。
また、第二の回路基板13の大きさは、通電導体31および制御導体32を外部に導出する必要があるので、第一の回路基板11よりも小さくなっている。
The actual configuration of the
The size of the
半導体素子15の表面電極15bおよび半導体素子16の表面電極16bと第二の接続回路12aとの間を接続する第一の通電ブロック21は、直径2.0、長さ2.0mmの中実円形の棒状ブロックとし、軸方向が接続面に対して垂直方向に配置して両端面が半田20により固着される。
第一の回路基板11の第一の接続回路12aと第二の接続回路14aとの間を接続する第二の通電ブロック22は、直径2.0mm、長さ2.5mmの中実円形の棒状ブロックとし、軸方向が接続面に対して垂直方向に配置して両端面が半田20により固着される。
The
The second current-carrying
通電導体31は、第一の接続回路12aの所定の位置に一端を半田20にて固着し、加圧部材2の導体挿通穴2bに絶縁ブッシュ33を装着し、その内径部に挿通して外部に導出し、制御導体32は、第一の接続回路12aの所定の位置に一端を半田20にて固着し、加圧部材2の導体挿通穴2cに絶縁ブッシュ34を装着し、その内径を挿通して外部に導出される。
絶縁ブッシュ32または絶縁ブッシュ34は接続導体31または33と加圧部材2との間の沿面絶縁距離を確保するために、例えば、通電導体31の場合には、図3(a)または(b)に示すように絶縁ブッシュ33に図3(a)の33aまたは図3(b)の33bように溝加工を施して沿面絶縁距離を長くすると沿面絶縁耐力を高くすることができる。
The conducting
The insulating
このように電力用半導体装置を構成すると、半導体素子間の接続回路が第一の回路基板11および第二の回路基板13に設けた第一の接続回路12aおよび第二の接続回路14aを形成する銅等の導電性金属箔の厚さを厚くすることが容易となり、第一の回路基板11と第二の回路基板13の間を接続する第二の通電導体22および半導体素子15の表面電極15b、半導体素子16の表面電極16bと第二の接続回路14aとの間を接続する第一の通電導体21は断面積は周囲に殆ど影響することなく大きくすることができるので、電力用半導体装置の寸法を大きくすることなく構成できるようになり、例えば通電電流が100Aを越える大電流用の電力用半導体装置でも容易に構成することができる。
When the power semiconductor device is configured in this way, the connection circuit between the semiconductor elements forms the
また、弾性部材により各接触部に押圧力が加えられているので、温度サイクルにより半田にて固着した部分にクラックが発生しても、押圧力により通電機能は確保されているので継続運転が可能な電力用半導体装置となる。
さらに、第一の通電ブロック21および第二の通電ブロック22の第二の接続回路14aへの接続は弾性部材25により常時加えられる押圧力により加圧されているので半田による固着をしないでも接触状態が確保される。
In addition, since the pressing force is applied to each contact part by the elastic member, even if a crack occurs in the part fixed by soldering due to the temperature cycle, the energizing function is secured by the pressing force, so continuous operation is possible It becomes a semiconductor device for electric power.
Further, since the connection of the
実施の形態2.
実施の形態1の第一の通電ブロック21は直径2mmの銅材を長さ2mmの中実円形の棒状ブロックに切断した構成とし、第二の通電ブロック22は直径2mmの銅材を長さ2.5mmの中実円形棒状ブロックに切断した構成とし、第一の接続回路12aと第二の接続回路14aの所定の位置に配置する構成であったが、直径2mmの銅等の導電性材料を長さのバラツキなく加工することは高精度の加工技術を必要とする。
実施の形態2では、半導体素子の電極方面と回路基板に設けられた接続回路の位置の接続距離に一致する直径の銅材を使用するものである。
The first energizing
In the second embodiment, a copper material having a diameter that matches the connection distance between the electrode direction of the semiconductor element and the position of the connection circuit provided on the circuit board is used.
図4は実施の形態2の通電ブロック部分の構成図である。
図4(a)は半導体素子の表面電極上面に通電ブロックを載置した状態を示し、図4(b)は半導体素子の表面電極と回路基板に形成された接続回路との接続部の半田付けの状態を示す図である。
FIG. 4 is a configuration diagram of the energization block portion of the second embodiment.
FIG. 4A shows a state in which a current-carrying block is placed on the upper surface of the surface electrode of the semiconductor element, and FIG. 4B shows soldering of the connection portion between the surface electrode of the semiconductor element and the connection circuit formed on the circuit board. It is a figure which shows the state of.
実施の形態2の通電ブロック41は、図4(a)に示すとおり接続部の離隔距離の相当する直径の棒材を必要な長さに切断し、軸方向を接続面に対して平行に配置して表面電極16aまたは接続回路の所定の位置に半田20により固着する構成としたものである。図4(a)状態で両側を半田20にて固着した状態は図4(b)の状態となり、棒材の周囲に半田20が取り巻く状態となり必要な通電容量は確保される。
In the energizing
このように通電ブロック41を横方向にして半導体素子の電極に載置して半田20にて固着する構成にすると、通電ブロックの長さの切断精度は必要でなくなり、切断加工が容易となり、生産性が向上する。
If the current-carrying
実施の形態3.
実施の形態2では、通電ブロックを銅等の中実円形棒状の導電性材料を切断し、軸方向を接続面に対して平行に配置して半田20により固着する構成としたが、実施の形態3は円筒状の導電材料を切断して円筒状の通電ブロックとしたものである。
Embodiment 3 FIG.
In the second embodiment, the current-carrying block is configured to cut a solid circular rod-shaped conductive material such as copper, and the axial direction is arranged parallel to the connection surface and fixed by the
図5は実施の形態3の通電ブロック部分の構成図であり、図5(a)は半導体素子の電極上面に通電ブロックを載置して半田付けした状態を示し、図5(b)は半導体素子の電極と基板に形成された接続回路の半田付けの状態を示す図である。 FIG. 5 is a configuration diagram of the energization block portion of the third embodiment. FIG. 5A shows a state in which the energization block is placed on the upper surface of the electrode of the semiconductor element and soldered, and FIG. It is a figure which shows the state of soldering of the connection circuit formed in the electrode and board | substrate of an element.
実施の形態3の通電ブロック51は、図5(a)に示すとおり接続部の離隔距離の相当する外径の銅等の円筒状の導電性材料を必要な長さに切断して通電ブロックとし、軸方向を接続面に対して平行に配置して表面電極16aまたは第一の接続回路12aの所定の位置に半田20により固着する構成としたものである。図5(a)状態で両側を半田20にて固着した状態は図5(b)の状態となり、導電性材料の周囲に半田20が取り巻く状態となり必要な通電容量は確保される。
As shown in FIG. 5A, the
このように円筒状の銅材を切断した通電ブロック51を接続面に対して平行に配置して半田20にて固着する構成にすると、接続部の離隔距離のバラツキが大きい場合でも、離隔距離より少し太めの管状の銅材を使用することにより、第一の回路基板11と第二の回路基板13による押圧力により離隔距離に応じて変形して良好な接触状態が確保される。
また、実施の形態2と同様に、接続面に対して平行に配置するので、通電ブロックの長さの精度は必要でなくなり、切断加工が容易となり、生産性が向上する。
When the current-carrying
Moreover, since it arrange | positions in parallel with a connection surface similarly to
実施の形態4.
実施の形態2では、通電ブロックを銅等の円形棒状の導電材料を切断して接続面に対して平行に配置して半田にて固着する方法であり、実施の形態3は円筒状の銅材を切断して通電ブロックとしたものであったが、実施の形態4は、導電材料を球状の形成した球状の通電ブロックとしたものである。
Embodiment 4 FIG.
In the second embodiment, the current-carrying block is a method of cutting a circular bar-shaped conductive material such as copper, arranging it parallel to the connection surface and fixing it with solder, and the third embodiment is a cylindrical copper material. However, Embodiment 4 is a spherical energization block in which a conductive material is formed in a spherical shape.
図6は実施の形態4の通電ブロック部分の構成図である。
図6(a)は半導体素子の電極上面に球状の通電ブロックを載置した状態を示し、図6(b)は半導体素子の電極と基板に形成された接続回路の半田付けにより固着した状態を示す図である。
FIG. 6 is a configuration diagram of the energization block portion of the fourth embodiment.
FIG. 6A shows a state where a spherical energization block is placed on the upper surface of the electrode of the semiconductor element, and FIG. 6B shows a state where the electrode of the semiconductor element and the connection circuit formed on the substrate are fixed by soldering. FIG.
実施の形態4の通電ブロック61は、図6(a)に示すとおり接続部の離隔距離の相当する直径の銅等の導電材料を球状に形成して電極または接続回路の所定の位置に配置して半田20により固着している。通電ブロック61が半導体素子の電極と接続回路間に半田20にて固着された状態は図6(b)の状態となる。球状の通電ブロック61が半田20が取り巻く状態となり必要な通電容量は確保される。
In the
このように球状の通電ブロック61を使用すると、球状のほぼ全面に半田20が濡れた状態となり良好な接続状態が確保される。
球状の通電ブロックは、銅等の導電材料の一端を所定量溶融させて落下途中で溶融状態での表面張力により、球状に固化させる等の方法により製作すれば切断した場合に発生するかえりが発生することがなく容易に製作することができる。
When the
Spherical energizing blocks generate burr when they are cut if they are manufactured by a method such as melting one end of a conductive material such as copper and solidifying it into a spherical shape by surface tension in the molten state during dropping It can be easily manufactured without doing.
実施の形態5.
実施の形態1〜実施の形態4では、加圧部材2を板状の金属材料で構成したが、この場合は、通電導体31、制御導体32を加圧部材2を貫通して外部へ導出する構成であったが、制御導体31は通電容量を必要としないので、基板に半田で固着する必要性はない。
実施の形態5は、制御導体の接触部を押圧方式とした実施の形態である。
Embodiment 5 FIG.
In the first to fourth embodiments, the
Embodiment 5 is an embodiment in which the contact portion of the control conductor is a pressing method.
図7は実施の形態5の構成を示す断面図である。図7の構成は、制御導体71の基板との接触部を針状に尖らせ、加圧部材2に装着した絶縁ブッシュ73の内径部の部分に押圧ばね72を設けて外部に導出する構成としている。絶縁ブッシュ73の内径部分は段付き穴を設け押圧ばね72が段差部分で支持され、加圧部材2を装着すると先端部が押圧ばね72の押し付け力により接触圧力が与えられる。図7の制御導体以外の部分は図2と同一である。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing the configuration of the fifth embodiment. The configuration of FIG. 7 is a configuration in which the contact portion of the
このように構成すると、制御胴体71の部分の構成が簡単になって組立が容易となり、生産性が向上する。
If comprised in this way, the structure of the part of the
実施の形態6.
実施の形態6は、実施の形態1〜5の加圧部材2を絶縁被覆形に形成したものである。
図8は実施の形態6の構成図である。この構成では加圧部材80を、金属板を所定の寸法に形成し、締付用ボルト穴および通電導体、制御導体の挿通穴を孔設して締付板とし、締結ボルト4の頭部が接する部分を除いた全面に絶縁部材82により覆った構成としたものである。
Embodiment 6 FIG.
In the sixth embodiment, the
FIG. 8 is a configuration diagram of the sixth embodiment. In this configuration, the pressurizing
このように構成すると、通電導体31および制御導体32の挿通部に絶縁ブッシュを設ける必要がなくなって組立が容易となる。
If comprised in this way, it will become unnecessary to provide an insulation bush in the insertion part of the conduction | electrical_connection
1 冷却板、2 加圧部材、3 枠体、4 締結ボルト、7 絶縁充填材、
11 第一の回路基板、12a 第一の接続回路、13 第二の回路基板、
14a 第二の接続回路、15,16 半導体素子、20 半田、
21 第一の通電ブロック、22 第二の通電ブロック、25 弾性部材、
31 通電導体、32 制御導体、33 絶縁ブッシュ、34 絶縁ブッシュ、
41 通電ブロック、51 通電ブロック、61 通電ブロック、71 制御導体、
72 押圧ばね、73 絶縁ブッシュ、80 加圧部材、81 締付板、
82 絶縁部材。
1 cooling plate, 2 pressure member, 3 frame body, 4 fastening bolt, 7 insulating filler,
11 First circuit board, 12a First connection circuit, 13 Second circuit board,
14a Second connection circuit, 15, 16 semiconductor element, 20 solder,
21 first energization block, 22 second energization block, 25 elastic member,
31 Conducting conductor, 32 Control conductor, 33 Insulating bush, 34 Insulating bush,
41 energizing block, 51 energizing block, 61 energizing block, 71 control conductor,
72 pressure spring, 73 insulating bush, 80 pressure member, 81 clamping plate,
82 Insulating member.
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